KR200458194Y1 - 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 - Google Patents

웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 Download PDF

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Abstract

회전 시에도 웨이퍼를 안정적으로 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치가 제시된다. 본 고안의 일 실시예에 따른 서셉터는 원반 형상의 베이스 플레이트, 상기 베이스 플레이트 상면에 구비되고 상기 웨이퍼가 안착되는 포켓, 및 상기 포켓의 측면에 구비되어 상기 웨이퍼의 측면을 가압하여 상기 웨이퍼를 고정하는 클램프부를 포함한다. 본 고안에 따른 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 의하면, 서셉터 포켓에 안착된 웨이퍼의 가장자리를 안정적으로 고정하여, 웨이퍼의 이탈 방지 및 웨이퍼 측면으로의 가스 유입을 안정적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
원자층 증착장치, 서셉터, 웨이퍼, 클램핑

Description

웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 {SUSCEPTOR FOR CLAMPING WAFER AND ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}
본 고안은 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 관한 것으로, 구체적으로 서셉터에 안착되는 웨이퍼를 안정적으로 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼나 글래스 등의 웨이퍼 상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등을 이용한 박막 제조 방법이 사용된다.
반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐으로써 미세 패턴의 박막이 요구되었고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커지게 되었다. 이에 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스템 커버리지(step coverage)가 우수한 단원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법의 사용이 증대되고 있다.
원자층 증착(ALD) 방법은 기체 분자들 간의 화학 반응을 이용한다는 점에 있 어서 일반적인 화학 기상 증착 방법과 유사하다. 하지만, 통상의 화학 기상 증착(CVD) 방법이 다수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 웨이퍼의 상방에서 발생된 반응 생성물을 웨이퍼에 증착하는 것과 달리, 원자층 증착 방법은 하나의 기체 물질을 프로세스 챔버 내로 주입한 후 이를 퍼지(purge)하여 가열된 웨이퍼의 상부에 물리적으로 흡착된 기체만을 잔류시키고, 이후 다른 기체 물질을 주입함으로써 웨이퍼의 상면에서만 발생되는 화학 반응 생성물을 증착한다는 점에서 상이하다. 이러한 원자층 증착 방법을 통해 구현되는 박막은 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 구현하는 것이 가능한 장점을 가지고 있어 현재 널리 각광받고 있다.
한편, 복수장의 웨이퍼에 동시에 박막을 증착할 수 있는 세미배치 타입(semi-batch type)의 원자층 증착장치가 개시되어 있다. 기존 세미배치 타입의 원자층 증착장치는 서셉터 상에 복수장의 웨이퍼가 원주 방향을 따라 방사상으로 배치되고 서셉터가 회전함에 따라 웨이퍼 상으로 소스가스가 순차적으로 분사되면서 증착 공정이 수행된다.
그런데, 서셉터의 회전으로 인해 웨이퍼가 서셉터 상에 안정적으로 안착되지 못하고 미끄러지는(slide-out) 현상이 발생한다. 이는 웨이퍼가 안착되는 서셉터 포켓의 형태적인 특성에 기인하는 것으로, 상기 포켓은 웨이퍼의 로딩(loading)과 언로딩(unloading)이 용이하도록 웨이퍼보다 큰 면적을 가지도록 형성되기 때문이다. 이를 방지하기 위해 포켓의 상단에 경사를 형성하고 하단을 웨이퍼의 크기와 동일하게 형성하는 방안이 강구되었으나, 이는 가공 오차 등으로 인해서 정확한 웨 이퍼의 로딩과 언로딩을 방해하는 요인으로 작용한다.
웨이퍼가 서셉터 포켓에 안정적으로 안착되지 못함으로 인해서, 웨이퍼로 증착가스가 균일하게 공급되지 못하는 현상이 발생하거나, 웨이퍼가 포켓으로부터 이탈하게 되는 현상이 발생한다. 이는 웨이퍼의 불량을 야기하는 요인이 되므로 큰 문제가 되고 있다.
따라서, 본 고안의 일 실시예 중 일부에 따른 목적은, 서셉터에 안착된 웨이퍼를 안정적으로 고정하여 웨이퍼의 미끄러짐을 방지할 수 있는 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 고안의 일 실시예 중 일부에 따른 다른 목적은, 웨이퍼의 로딩과 언로딩 시에는 고정을 해제하고, 웨이퍼가 안착된 상태에서만 웨이퍼를 선택적으로 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치를 제공하는데 있다.
상술한 목적들을 달성하기 위해, 본 고안의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치용 서셉터는, 원반 형상의 베이스 플레이트, 상기 베이스 플레이트 상면에 구비되고 상기 웨이퍼가 안착되는 포켓, 및 상기 포켓의 측면에 구비되어 상기 웨이퍼의 측면을 가압하여 상기 웨이퍼를 고정하는 클램프부를 포함한다.
본 고안의 제1 실시예에 따르면, 상기 포켓은 상기 웨이퍼의 높이보다 낮은 깊이로 상기 베이스 플레이트 내로 오목하게 형성되고, 상기 클램프부는, 상기 베이스 플레이트 표면 상에 위치하고 상기 웨이퍼의 측면을 가압하도록 왕복 이동 가능한 클램핑 부재, 및 상기 클램핑 부재의 왕복 이동이 가능하도록 하는 구동력을 전달하는 구동부를 포함한다.
상기 클램핑 부재의 외주면을 상기 웨이퍼의 측면과 대응하는 링 형상을 가지는 것 이 바람직하다.
본 고안의 제2 실시예에 따르면, 상기 클램프부는, 상기 포켓 하부로부터 상기 웨이퍼의 측면까지 연장 형성된 측면을 가지되 상기 웨이퍼의 측면을 가압하도록 왕복 이동 가능한 클램핑 부재, 및 상기 클램핑 부재의 왕복 이동이 가능하도록 하는 구동력을 전달하는 구동부를 포함한다.
상기 클램핑 부재는 상기 웨이퍼의 일 측에 구비되는 제1 클램핑 부재 및 상기 제1 클램핑 부재의 타 측에 구비되는 제2 클램핑 부재를 구비할 수 있다.
상기 클램핑 부재의 외주면은 상기 웨이퍼의 측면과 대응하는 링 형상을 가지는 것이 바람직하다.
본 고안의 제3 실시예에 따르면, 상기 클램프부는, 상기 베이스 플레이트의 회전 방향 측에 배치된 플랜지, 상기 플랜지의 타 측 포켓 내측면으로 분사구가 형성되고 상기 분사구를 통해 상기 웨이퍼의 측면을 향해 가스가 분사되는 제1 유로, 및 상기 제1 유로로 가스를 공급하는 제1 가스공급부를 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 유로는, 상기 웨이퍼의 측면에 분사구가 형성된 제1 측면유로, 및 상기 웨이퍼의 측면에서 경사 방향으로 분사구가 형성된 제1 경사유로를 포함한다.
상기 클램프는, 상기 플랜지 측에 상기 제1 유로와 대칭되는 형상의 제2 유로, 및 상기 제2 유로로 가스를 공급하는 제2 가스공급부를 포함한다.
본 고안에 따른 원자층 증착장치는, 복수장의 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 웨이퍼로 증착가스 를 제공하는 샤워헤드, 및 상기 샤워헤드로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부, 및 제1 내지 제3 실시예에 따른 상기 서셉터를 포함한다.
본 고안의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 의하면, 서셉터에 웨이퍼를 안정적으로 고정하여 미끄러짐을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 고안의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 의하면, 웨이퍼의 로딩과 언로딩시에는 고정을 해제하고 웨이퍼가 안착된 상태에서만 웨이퍼를 선택적으로 고정할 수 있는 효과가 있다.
본 고안의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 의하면, 웨이퍼를 고정하는 클램핑 부재가 웨이퍼에 면 접촉하도록 구성함으로써 증착가스가 웨이퍼 측면으로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 고안이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 1은 본 고안의 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치의 종단면도이고, 도 2는 본 고안의 제1 실시예에 따른 서셉터의 단면도이며, 도 3은 본 고안의 제2 실시예에 따른 서셉터의 단면도이다. 그리고, 도 4는 본 고안의 제3 실시예에 따른 서셉터의 사시도이고, 도 5 및 6은 이의 작동 상태를 도시한 단면도이다.
제1 실시예
이하에서는 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 고안의 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 원자층 증착장치는 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버(101), 프로세스 챔버(101) 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터(102), 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되어 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드(103), 및 샤워헤드(103)로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(104)를 포함한다.
상기 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 고안의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 상기 웨이퍼는 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼는 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
프로세스 챔버(101)는 웨이퍼를 수용하여 증착 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 프로세스 챔버(101) 내에는 웨이퍼가 안착되는 서셉터(102)와 웨이퍼에 증착가스를 제공하는 샤워헤드(103)가 구비된다.
서셉터(102)는 프로세스 챔버(101) 내에 구비되고, 복수장의 웨이퍼가 안착된다. 여기서, 서셉터(102)는 스루풋(throughput)이 우수한 세미배치(semi batch) 타입으로서, 복수장의 웨이퍼를 동시에 수용하여 증착 공정이 수행될 수 있도록, 웨이퍼의 일면이 서셉터(102) 상면에 안착되되 서셉터(102)의 원주방향을 따라 방사상으로 배치된다. 예를 들어, 서셉터(102)는 6장의 웨이퍼가 서로 소정 간격 이격되어 안착될 수 있다.
서셉터(102) 하부에는 서셉터(102)의 회전을 위한 구동축(125)이 구비되어 서셉터(102)를 회전시킴에 따라 서셉터(102)의 중심점을 기준으로 웨이퍼가 공전하게 된다. 또한, 구동축(125)은 서셉터(102)를 프로세스 챔버(101) 내에서 소정 거리 상하로 승강 이동시킨다.
샤워헤드(103)는 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되어 서셉터(102)에 안착된 웨이퍼 표면으로 증착가스를 제공한다.
증착가스는 웨이퍼 표면에 형성하고자 하는 박막을 구성하는 물질이 포함된 소스가스와 상기 소스가스의 퍼지를 위한 퍼지가스를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따르면 소스가스로서 웨이퍼 표면에서 서로 반응하여 박막 물질을 형성하는 서로 다른 종류의 가스가 사용되고, 퍼지가스로는 상기 소스가스, 상기 웨이퍼 및 상기 웨이퍼 상에 형성된 박막과 화학적으로 반응하지 않는 안정한 가스가 사용된다.
샤워헤드(103) 일 측에는 상기 샤워헤드(103)로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(104)가 연결된다.
이하, 도 2를 참조하여, 본 고안의 제1 실시예에 따른 서셉터(102)에 대해 자세히 설명한다.
서셉터(102)는 베이스 플레이트(121), 포켓(123), 및 클램프부(105)를 포함한다.
상기 베이스 플레이트(121)는 원반 형상의 부재로서, 상기 베이스 플레이트(121) 상면에는 웨이퍼(10)가 안착되는 포켓(123)이 구비된다.
상기 포켓(123)은 웨이퍼(10)가 내부에 수용되도록 오목하게 형성된 공간을 가지며, 웨이퍼(10)의 직경보다 약간 더 큰 직경을 가지도록 형성된다. 포켓(123)의 깊이는 웨이퍼(10)의 측면 높이보다 낮게 형성된다.
이에 의해, 웨이퍼(10)가 포켓(123)으로 삽입되면, 웨이퍼(10)의 상측 일부는 베이스 플레이트(121)의 표면 위로 돌출된다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 포켓(123)에 수용된 웨이퍼(10)는 포켓 측벽(124)보다 상부로 돌출되어 있다.
클램프부(105)는 포켓(123)의 측면에 구비되어, 웨이퍼(10)의 측면을 가압하여 웨이퍼(10)를 고정하는 역할을 하는 부재이다.
클램프부(105)는 클램핑 부재(151)와 구동부(155)를 포함한다.
클램핑 부재(151)는 웨이퍼(10)의 일 측면에 위치하여, 상기 베이스 플레이트(121) 상면에서 웨이퍼(10)를 향하여 미끄럼 이동 가능한 부재이다.
클램핑 부재(151)의 외주면은 웨이퍼(10)의 측면과 대응하는 링 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼(10)와 접하는 클램핑 부재(151)의 외주면은 웨이퍼(10)와 면 접촉 가능하도록 형성되어, 웨이퍼(10)의 측면으로 유입되는 증착가스를 효과적으로 방지할 수 있다.
클램핑 부재(151)는 연결축(153)과 결합되어 있으며, 상기 연결축(153)은 구동부(155)와 연결되어, 상기 구동부(155)의 구동력에 의해 상기 클램핑 부재(151)는 웨이퍼(10) 측으로 왕복이동 가능하다. 즉, 로딩이나 언로딩 시에는 클램핑 부재(151)가 웨이퍼(10)로부터 후퇴하여 웨이퍼(10)의 고정이 해제되고, 서셉터(102)의 회전 시에는 클램핑 부재(151)가 웨이퍼(10) 쪽으로 전진하여 웨이퍼(10)를 고정하게 된다.
제2 실시예
이하에서는, 도 3을 참조하여, 본 고안의 제2 실시예에 따른 서셉터(202) 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 대해 상술하도록 한다.
제2 실시예에 따른 원자층 증착장치는 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치와 유사한 부분을 가지므로, 이하에서는 간략화를 위해 유사 부분에 대한 설명을 생략하도록 하고, 제2 실시예에 따른 원자층 증착장치가 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치와 차별화 되는 서셉터(202)에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 3을 참조하여, 서셉터(202)는 베이스 플레이트(221), 포켓(223) 및 클램프부(205)를 포함한다.
포켓(223)은 베이스 플레이트(221)의 상면보다 높게 돌출 형성되어 있으며, 포켓(223)의 상부로 웨이퍼(10)가 안착된다. 포켓(223)은 웨이퍼(10)와 동일한 면적을 가지도록 상면을 평평하게 형성하는 것이 바람직하다.
클램프부(205)는 클램핑 부재(251,252) 및 구동부(255)를 포함한다.
클램핑 부재(251,252)의 측면은 포켓(223)의 하부로부터 웨이퍼(10)의 측면까지 연장 형성된다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 클램핑 부재(251,252)는 베이스 플레이트(221)의 상면으로부터 웨이퍼(10)의 측면에 접할 수 있는 높이로 형성되어, 클램핑 부재(251,252)의 왕복 이동에 의해 웨이퍼(10)의 측면이 가압될 수 있도록 구성된다.
클램핑 부재(251,252)는 외주면은 웨이퍼(10)의 측면과 대응하는 링 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼(10)와 접하는 클램핑 부재(251,252)의 외주면은 웨이퍼(10)와 면 접촉 가능하도록 형성되어, 웨이퍼(10)의 측면으로 유입되는 증착가스를 효과적으로 방지할 수 있다. 바람직하게, 클램핑 부재(251,252)는 웨이퍼(10) 측면 전 영역과 면 접촉 가능하도록 구성될 수 있다.
클램핑 부재(251,252)는 구동부(255)에 연결되는 제1 클램핑 부재(251)와 상기 제2 클램핑 부재(251)의 반대 측에 구비되어 웨이퍼(10)와 접하는 제2 클램핑 부재(252)를 포함한다.
제1 클램핑 부재(251)는 베이스 플레이트(221)의 상면에서 웨이퍼(10) 쪽으로 왕복으로 미끄럼 가능하여, 선택적으로 웨이퍼(10)를 가압하여 고정할 수 있는 부재이다.
제1 클램핑 부재(251)는 구동부(255)와 연결되어, 상기 구동부(255)의 구동 력을 전달받아 웨이퍼(10)를 선택적으로 고정할 수 있다.
제2 클램핑 부재(252)는 제1 클램핑 부재(251)의 타 측에 구비되어, 제1 클램핑 부재(251)에 의해 이동한 웨이퍼(10)를 고정 지지하는 부재이다.
본 실시예에서는 제1 클램핑 부재(251)만이 미끄럼 왕복 이동 가능하고, 제2 클램핑 부재(252)는 고정된 것을 예로 들어 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제2 클램핑 부재(252)도 제1 클램핑 부재(251)와 마찬가지로 미끄럼 왕복 운동 가능하도록 구성하여 웨이퍼(10)의 고정을 더욱 안정적으로 실시할 수 있다.
제3 실시예
이하에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 고안의 제3 실시예에 따른 서셉터에 대해 설명한다.
제3 실시예에 따른 원자층 증착장치는 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치와 유사한 부분을 가지므로, 이하에서는 간략화를 위해 유사 부분에 대한 설명을 생략하도록 하고, 제3 실시예에 따른 원자층 증착장치가 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치와 차별화 되는 서셉터(302)에 대해 상세히 설명하도록 한다.
서셉터(302)는 베이스 플레이트(321), 포켓(323) 및 클램프(305)를 포함하고, 상기 클램프(305)는 플랜지(324), 제1 유로(351), 제1 가스공급부(355), 제2 유로(352) 및 제2 가스공급부(356)를 포함한다.
도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 플랜지(324)는 포켓(323)의 가장자리에서 상 측으로 경사지게 형성되어 웨이퍼(10)를 구속하는 부재이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 플랜지(324)는 베이스 플레이트(321)의 회전 방향 쪽에 배치된다.
도 5 및 6을 참조하여, 플랜지(324)의 타 측에는 제1 유로(351)가 형성된다. 제1 유로(351)의 분사구는 플랜지(324) 타 측에 위치한 포켓(323)의 내측면에 형성되어 있고, 상기 제1 유로(351)는 제1 가스 공급부(355)와 연결되어 웨이퍼(10)의 측면을 향해 가스를 분사하여, 웨이퍼(10)를 플랜지(324) 쪽으로 이동시킨다.
제1 유로(351)는 웨이퍼(10)의 측면을 향하도록 분사구가 형성된 제1 측면유로(351a) 및 상기 웨이퍼(10)의 측면에서 경사 방향으로 분사구가 형성된 제1 경사유로(351b)를 포함한다.
제1 측면유로(351a)는 웨이퍼(10)를 플랜지(324) 쪽으로 가압하여 웨이퍼(10)가 플랜지(324)에 의해 구속되도록 하며, 제1 경사유로(351b)는 웨이퍼(10)의 이동을 원활히 하기 위해 웨이퍼(10)를 수평한 방향으로 밀어줌과 동시에 수직한 방향으로 들어올리는 힘을 일부 가하여 마찰력을 감소시키는 역할을 한다.
제2 유로(352)는 제1 유로(351)와 반대 쪽인, 플랜지(324)가 형성된 포켓(323)의 측면에 형성된다. 제2 유로(352)는 제1 유로(151)와 대칭되는 형상을 가진다. 즉, 제2 유로(352)는 제2 가스공급부(356)와 연결되어 제1 유로(351)쪽을 향하도록 하는 가스압을 웨이퍼(10)에 가하며, 제2 측면유로(352a)와 제2 경사유로(352b)를 포함한다.
제1 가스공급부(355) 및 제2 가스공급부(356)는 일체로 형성될 수 있으며, 제1 유로(351)와 제2 유로(352)로 선택적으로 가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 상기 가스는 질소 또는 비활성 기체인 것이 바람직하다.
이하에서, 제3 실시예에 따른 서셉터(302)에 의한 웨이퍼(10)의 고정에 대해 설명하기로 한다.
도 5를 참조하여, 웨이퍼(10)를 포켓(324) 내부에 안정적으로 구속하기 위해서, 제1 가스공급부(355)에서의 가스압이 제1 유로(351)를 통해 분사되면 웨이퍼(10)는 플랜지(324) 쪽으로 이동하여, 상기 플랜지(324)와 제1 유로(351)를 통해 분사되는 가스압에 의해 안정적으로 고정된다.
웨이퍼(10)의 고정 시, 제1 유로(351)로부터 가스가 지속적으로 분사되므로, 웨이퍼(10)의 측면으로 분사 가스에 의한 유동이 형성되어, 웨이퍼(10)의 측면으로 증착가스가 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
반대로, 도 6을 참조하여, 웨이퍼(10)의 로딩이나 언로딩을 위해 웨이퍼(10)를 포켓(324)에서 구속 해제하기 위해서는, 제2 가스공급부(356)로부터 공급된 가스압을 제2 유로(352)를 통해 웨이퍼(10)로 분사한다. 이에 의해, 웨이퍼(10)가 제1 유로(351) 측으로 이동하여 플랜지(324)로부터의 구속이 해제된다.
본 고안에 따른 웨이퍼 고정 서셉터 및 이를 포함하는 원자층 증착장치에 의하면, 서셉터에 안착된 웨이퍼를 안정적으로 선택적으로 고정하여 미끄럼을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 클램핑 부재에 의해 증착가스가 웨이퍼 측면으로 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 고안의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해 당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 고안의 제1 실시예에 따른 원자층 증착장치의 종단면도이다;
도 2는 본 고안의 제1 실시예에 따른 서셉터의 단면도이다;
도 3은 본 고안의 제2 실시예에 따른 서셉터의 단면도이다;
도 4는 본 고안의 제3 실시예에 따른 서셉터의 사시도이다;
도 5 및 6은 본 고안의 제3 실시예에 따른 서셉터의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 웨이퍼 101 : 프로세스 챔버
102, 202, 302 : 서셉터 103 : 샤워헤드
104 : 증착가스 공급부 105, 205, 305 : 클램프부

Claims (10)

  1. 원자층 증착장치용 서셉터에 있어서,
    원반 형상의 베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트 상면에 구비되고, 웨이퍼가 안착되는 포켓; 및
    상기 포켓의 측면에 구비되어, 상기 웨이퍼의 측면을 가압하여 상기 웨이퍼를 고정하는 클램프부;
    를 포함하고,
    상기 클램프부는,
    상기 베이스 플레이트의 회전 방향 측에 배치된 플랜지;
    상기 플랜지의 타 측 포켓 내측면으로 분사구가 형성되고, 상기 분사구를 통해 상기 웨이퍼의 측면을 향해 가스가 분사되는 제1 유로; 및
    상기 제1 유로로 가스를 공급하는 제1 가스공급부;
    를 포함하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포켓은 상기 웨이퍼의 높이보다 낮은 깊이로 상기 베이스 플레이트 내로 오목하게 형성되고,
    상기 클램프부는,
    상기 베이스 플레이트 표면 상에 위치하고, 상기 웨이퍼의 측면을 가압하도록 왕복 이동 가능한 클램핑 부재; 및
    상기 클램핑 부재의 왕복 이동이 가능하도록 하는 구동력을 전달하는 구동부;
    를 포함하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 클램핑 부재의 외주면은 상기 웨이퍼의 측면과 대응하는 링 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 클램프부는,
    상기 포켓 하부로부터 상기 웨이퍼의 측면까지 연장 형성된 측면을 가지되, 상기 웨이퍼의 측면을 가압하도록 왕복 이동 가능한 클램핑 부재; 및
    상기 클램핑 부재의 왕복 이동이 가능하도록 하는 구동력을 전달하는 구동부;
    를 포함하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 클램핑 부재는 상기 웨이퍼의 일 측에 구비되는 제1 클램핑 부재 및 상기 제1 클램핑 부재의 타 측에 구비되는 제2 클램핑 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 클램핑 부재의 외주면은 상기 웨이퍼의 측면과 대응하는 링 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유로는,
    상기 웨이퍼의 측면을 향하도록 분사구가 형성된 제1 측면유로; 및
    상기 웨이퍼의 측면에서 경사 방향으로 분사구가 형성된 제1 경사유로;
    를 포함하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클램프부는,
    상기 플랜지 측에 상기 제1 유로와 대칭되는 형상의 제2 유로; 및
    상기 제2 유로로 가스를 공급하는 제2 가스공급부;
    를 포함하는 원자층 증착장치용 서셉터.
  10. 복수장의 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드; 및
    상기 샤워헤드로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부; 및
    상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 복수장의 웨이퍼가 안착되는 서셉터;
    를 포함하고,
    상기 서셉터는,
    원반 형상의 베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트 상면에 구비되고, 웨이퍼가 안착되는 포켓; 및
    상기 베이스 플레이트의 회전 방향 측에 배치된 플랜지와, 상기 플랜지의 타 측 포켓 내측면으로 분사구가 형성되고, 상기 분사구를 통해 상기 웨이퍼의 측면을 향해 가스가 분사되는 제1 유로 및 상기 제1 유로로 가스를 공급하는 제1 가스공급부를 포함하여 구성되며, 상기 포켓의 측면에 구비되어, 상기 웨이퍼의 측면을 가압하여 상기 웨이퍼를 고정하는 클램프부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
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