KR200456914Y1 - 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기 - Google Patents

Abstract

본 고안은 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것으로, 전방 일면에 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재를 포함한 발열판(12,22)이 구비되고, 후방이 회동되도록 힌지결합된 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)가 형성된 고대기에 있어서, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)의 반대편 외측에 결합되고, 외측 일면에 복수의 끼움공(102)이 형성되며, 상기 끼움공(102) 사이에 방열공(104)이 형성된 커버체(100)와; 상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착되도록 끼움결합되고, 모발의 웨이브 크기를 선택가능하도록 서로다른 곡률을 가진 만곡진 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)가 형성된 웨이브커버(200)와; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220) 사이에 끼움결합되어 외부로 노출형성되고, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 상기 커버체(100)의 방열공(104)을 통해 전달되어 다량의 음이온이 방출되도록 구비된 음이온메탈(300)과; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 각각 볼트결합되어 고정되고, 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되어 모발의 선택적 웨이브 성형이 가능하도록 형성된 제1성형판(400)과 제2성형판(400');을 포함하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것이다.

고대기, 음이온메탈, 웨이브성형.

Description

웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기{Hair iron that radiates an anion with wave hair-styling}

본 고안은 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 높은 열을 제공하여 인체에 유익한 음이온을 최적화된 상태로 방출하고, 이를 통해 인체의 머리 두피 및 머리를 덮고 있는 모발을 건강하게 유지시켜 손상된 조직이 활성화되도록 하는 동시에 헤어의 다양한 웨이브 스타일링이 가능한 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것이다.

지구상에 생존하는 인간이나 동,식물에 음(-)이온이 미치는 효능을 살펴보면, 통상 공기의 질이 인간을 비롯한 모든 생물의 생활에 큰 영향을 미치고 있는데 교외의 산림 속 밝은 햇빛, 맑은 공기, 은은하고 기분 좋은 수목의 향기, 폭포 주위의 상쾌한 공기 속에는 음(-)이온이 많다.

이러한, 상쾌한 공기 환경에서는 이상하게 마음이 안정되고 치유되며, 전신에 솟아오르는 활력의 기분을 느낄수 있어 그러므로 공기 음(-)이온을 공기의 비타 민이라고도 한다. 이와 같이 인간이나 동물에게 음(-)이온이 많은 환경은 성장을 돕고 환원작용으로 산화, 노화, 부패를 억제하게된다. 또한 음(-)이온은 정신을 안정시키고 특히 호흡기의 기능을 높이는 효과가 있다.

대기 중에 음(-)이온이 강해지면 호흡기뿐만 아니라 총체적으로 인체의 생리작용이 좋아지고, 자연 치유력이 높아져서 세포가 활성화된다. 더욱이 자율신경의 기능이 좋아지므로 대기 중의 이온은 인체에 중요한 역할을 하고 있다. 이와 함께 음(-)이온은 특히 부교감신경에 우세하게 작용하므로 음(-)이온이 많은 공기는 신체를 편히 쉬게 하고 맥박을 안정시키며, 혈압이 떨어지고 피로가 회복되기 쉽다.

즉, 음(-)이온은 세포의 부활작용과 세포막의 물질교류를 촉진하여 신진대사를 원활하게 해 줌으로써 세포의 기능을 활성화하고, 혈액의 정화작용, 혈액중의 Ca, Na의 이온화량을 증가시켜 혈액을 약알칼리성으로 만들어주며, 자율신경 조정작용, 신진대사를 지배하며 생명신경이라 부르는 자율신경의 기능이 좋아져 그 결과 내분비선의 기능이좋아지고 중추, 말초신경에도 영향을 주며 조혈기능도 향상시키게 되며, 또한 항체도 증가되므로 신체의 방위력은 증가하고 병균감염에 대한 저항력이 높아지는 등의 효능을 지니고 있는 것이다.

그런데, 근래에는 기밀성이 높은 주택, 사무실 등이 일반화되어 외기가 들어오지도 않고 내부공기가 바깥으로 배출되지 않는 상태에서 음(-)이온은 소비만 되 고 보급되는 일이 없게 된다. 더욱이 실내에서는 다수의 전기기구, 전자제품이 있으며 이것이 음(-)이온을 감소시키게 된다. 또한 실내의 공기 중에는 먼지 및 각종 이물질뿐만 아니라 다종의 유해세균이 존재하고 있으며, 실질적으로 이들 유해세균이 인체에 해약을 끼치고 있는 것으로 잘 알려져 있다.

또 이러한 공기오염과 폐쇄공간에서는 양이온과 음이온의 비율이 적절한 상태의 이온 구성비가 파괴되어 대체로 양이온이 우세한 조건으로 변하며, 이는 공기를 생물학적 활성작용을 갖지 못하는 입자 덩어리로 만들어 신체의 혈액 정화작용, 세포의 활성화, 저항력, 자율신경 조절 작용 등을 방해하게 되므로 오염된 공기 상태에서는 음이온의 공급이 필요하게 되는 것이다.

일반적으로 고대기는 고열을 이용하여 모발을 감거나 집은 상태로 모발을 펴거나 굽혀서 원하는 헤어스타일을 만드는데 사용되며, 예전에는 금속막대가 서로 교차된 모양으로 이루어져 불에 넣고 가열하여 사용하는 고대기가 주류를 이루었으나, 근래에는 사용이 편리하도록 전기에 의하여 가열되는 집게모양의 전기식 고대기가 주류를 이루고 있다.

이러한 전기식 고대기는 도 1에 도시된 바와 같이 스프링이 내장된 힌지(3)에 의하여 펴진 상태가 유지되는 집게 모양의 고대기 본체(10)와, 이 본체(10)의 선단 내측에 서로 마주하도록 장착되어 외부로부터 공급되는 전기에 의하여 가열되 는 한쌍의 발열판(1)으로 구성된다. 이때, 발열판(1)은 급속가열이 가능하도록 열전도율이 우수한 금속재로 이루어지며, 이러한 금속재는 금속중에서 특히 열전도율이 우수한 알루미늄이나 알루미늄합금으로 이루어진다.

이렇게, 구성된 일반적인 고대기는 한쌍의 발열판(1)을 고온으로 가열한 후 발열판(1) 사이에 모발을 삽입하고, 발열판(1)에 모발이 압착되도록 본체(10)를 움켜쥔다. 이때, 본체(10)는 힌지(3)를 축으로 오므려지므로 고온의 발열판(1) 사이에는 모발이 압착된다. 그리고, 모발이 발열판(1) 사이에 압착된 상태로 본체(10)를 모발의 끝부분을 향하여 당김과 동시에 직선으로 펴거나 롤처럼 감으면 모발이 스트레이트나 웨이브로 성형된다.

그러나, 이와 같은 고대기는 발열판(1)이 금속재, 특히 알루미늄이나 알루미늄합금 등으로 이루어짐에 따라 높은 열전도율로 인하여 발열판(1)이 순간적으로 고열화되므로 모발을 태우거나, 모발을 형성하고 있는 단백질 성분의 케라틴(Keratin)을 파괴하므로 모발이 심하게 손상되는 문제가 있다.

또한, 발열판(1)이 금속재로 이루어짐에 따라 발열은 우수하나, 쉽게 식을 뿐만 아니라 열방사율이 미흡한 금속의 특성으로 인하여, 방사된 고열이 모발의 표면에만 작용하고 모발의 내부에 깊숙히 전달되지 못하여, 모발의 성형시간이 오래 걸릴뿐만 아니라 성형된 모발이 단시간에 원상태로 복귀되는 문제도 있다.

특히, 이러한 고대기를 미숙련자가 사용할 경우에는 모발을 성형하기 위한 동시행동, 즉 동시에 수행되는 본체(10)의 가압 및 당김작업과 성형작업이 미숙하여 모발을 자주 태우게 되며, 심하게는 고대기 사용의 테크닉 미숙으로 인하여 손이나 두피에 화상을 입는 경우도 종종 발생한다.

아울러, 발열판(1)이 도체성의 금속재로 이루어짐에 따라 발열판(1)에 공급되는 전기가 간혹 누전되어 감전사고가 발생되는 문제도 있다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 발열판이 급속가열되어도 모발의 스트레이트 또는 웨이브 스타일링의 구현시, 원적외선과 음이온을 모발에 가해줄 수 있고, 사용자 모발을 건강하게 유지시켜 손상된 조직이 활성화되는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기를 제공하는 데 그 목적이 있다.

또한, 본 고안은 고대기의 외측으로 다양한 곡률을 가진 탈부착 가능한 웨이브커버가 구비되어 사용자 헤어를 다양한 형태의 웨이브 스타일링이 가능하도록 형성된 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기를 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.

상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기는 전방 일면에 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재를 포함한 발열판(12,22)이 구비되고, 후방이 회동되도록 힌지결합된 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)가 형성된 고대기에 있어서, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)의 반대편 외측에 결합되고, 외측 일면에 복수의 끼움공(102)이 형성되며, 상기 끼움공(102) 사이에 방열공(104)이 형성된 커버체(100)와; 상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착되도록 끼움결합되고, 모발의 웨이브 크기를 선택가능하도록 서로다른 곡률을 가진 만곡진 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)가 형성된 웨이브커버(200)와; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220) 사이에 끼움결합되어 외부로 노출형성되고, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 상기 커버체(100)의 방열공(104)을 통해 전달되어 다량의 음이온이 방출되도록 구비된 음이온메탈(300)과; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 각각 볼트결합되어 고정되고, 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되어 모발의 선택적 웨이브 성형이 가능하도록 형성된 제1성형판(400)과 제2성형판(400');을 포함한다.

여기서, 상기 웨이브커버(200)는 길이방향으로 길게 형성되되, 모발의 웨이브 성형시 웨이브의 크기를 결정하도록 곡률 R1이 형성된 제1곡선부(210)와; 상기 곡률 R1보다 큰 곡률을 가진 R2로 형성되고, 상기 제1곡선부(210)에 의한 헤어의 웨이브 크기보다 크게 형성되는 제2곡선부(220)와; 상기 음이온메탈(300)로부터 발생되는 음이온이 모발의 선택적 웨이브 성형시에 모발에 다량방출되도록 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220) 사이에 형성된 음이온 발생부(230)와; 상기 제1,2성형판(400,400')이 결합되도록 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220)의 음이온 발생부(230)측 일측에 길이방향으로 길게 각각 형성된 결합공(240,240')과; 상기 제1,2곡선부(210,220)의 결합공(240,240')측 반대편 일측에 각각 길이방향으로 길게 절개형성된 걸림부(250,250')와; 상기 웨이브커버 하측에 형성되고, 상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착이 용이하도록 결합되는 끼움돌기(260)와; 상기 끼움돌기(260) 사이에 하향돌출형성되고, 상기 음이온메탈(300)의 양측이 가압고정되도록 형성된 고정가압돌기(270);가 형성된 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 음이온 발생부(230)의 중앙에 형성되고, 음이온메탈(300)이 외부로 노출되어 모발과 직접접촉되도록 음이온메탈(300)이 끼움결합되는 끼움장공(232)과; 상기 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)의 양측으로 다수 형성되고, 상기 음이온메탈(300)로부터 방출되는 다량의 음이온이 모발의 선택적 웨이브 성형시에 모발에 다량방출되도록 형성된 음이온 방출공(234);이 형성된 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 제1,2성형판(400,400')은 길이방향으로 길게 형성되어 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되도록 형성되되, 일단에 하향 돌출 형성되고, 상기 웨이브 커버(200)의 결합공(240,240')에 결합되는 결합부(410,410')와; 상기 결합부(410,410') 중앙으로 요입되어 상기 웨이브 커버(200)의 하측으로부터 상기 결합공(240,240')을 통해 볼트결합되는 결합요홈(420,420')과; 상기 웨이브 커버(200)의 걸림부(250.250')에 곡률에 따른 텐션에 의해 걸림결합되도록 상기 결합부(410,410') 반대편측 일단에 내측으로 돌설된 텐션걸림돌 기(430,430');가 형성된 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 음이온메탈(300)은 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22) 일측 내측에 더 형성되거나, 상기 음이온메탈(300)은 파우더로 구비하여 발열판(12,22)에 코팅되어 다량의 음이온이 직접적으로 모발에 방출되도록 형성하여도 좋으며, 상기 음이온메탈(300)은 파우더로 구비하여 상기 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 사출성형시 혼합형성되어 다량의 음이온이 방출되도록 형성되어도 바람직하다.

본 고안은 발열판이 급속가열되어도 모발의 스트레이트 또는 웨이브 스타일링의 구현시, 원적외선과 음이온을 모발에 가해줄 수 있도록 음이온메탈이 구비되고, 발열판의 가열에 따라 음이온메탈로부터 다량의 음이온이 발생되어 사용자 모발을 건강하게 유지시켜 손상된 조직이 활성화되고, 모발의 성형시 모발손상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 고안은 고대기의 외측으로 다양한 곡률을 가진 탈부착 가능한 웨이브커버가 구비되고, 웨이브 커버에 다양한 곡률을 가진 성형판에 의해 사용자 헤어를 다양한 형태의 웨이브 스타일링이 가능함은 물론이며, 웨이브 스타일링의 구현시, 발열판에 의해 가열된 모발을 빠르게 냉각하여 원하는 웨이브 스타일의 구현이 가능하고, 웨이브 스타일을 오랜동안 유지가 가능한 장점이 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 구성 및 작용에 대하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 전체사시도이고, 도 2는 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 분해사시도이며, 도 3은 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 일부확대 측면 단면도이고, 도 4는 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 일부확대 정단면 사시도이다.

도 1 및 도 2, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기는 전방 일면에 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재가 내장된 발열판(12,22)이 구비된 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)가 형성되고, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20) 후방이 힌지결합되어 회동되도록 형성된 통상의 고대기에 모발의 웨이브 성형이 가능하도록 형성되어 모발의 웨이브 성형시, 웨이브 크기가 선택적으로 가능하고, 음이온이 다량 방출되어 사용자 모발을 건강하게 유지시켜 손상된 조직이 활성화시킬 수 있도록 형성된 것으로, 커버체(100), 웨이브커버(200), 음이온메탈(300), 제1,2성 형판(400,400')으로 구성된다.

상기 커버체(100)는 통상의 고대기의 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)의 반대편 외측에 결합된 종래 커버체를 대신하여 결합되는 것으로, 외측 일면에 후술되는 웨이브커버(200)가 탈부착되도록 복수의 끼움공(102)이 형성된다. 또한, 상기 끼움공(102) 사이에 관통형성되어 발열판(12,22)로부터 발생되는 열이 후술되는 음이온메탈(300)에 직접전달되도록 방열공(104)이 형성된다.

상기 웨이브커버(200)는 길이방향으로 길게 형성되어 전술한 상기 커버체(100)에 탈부착되도록 결합되고, 사용자 모발의 웨이브 굵기의 선택적 성형이 가능하도록 형성되며, 후술되는 음이온메탈(300)로부터 발생되는 다량의 음이온이 모발에 직접 방출되어 모발의 건강과 손상된 조직이 활성화되도록 형성되는 것으로, 제1곡선부(210), 제2곡선부(220), 음이온 발생부(230), 결합공(240,240'), 걸림부(250,250'), 끼움돌기(260), 고정가압돌기(270)로 구성된다.

상기 제1곡선부(210)는 사용자가 모발의 웨이브 성형시 최초 웨이브의 크기를 결정짖도록 곡률 R1이 형성된다. 여기서, 상기 제1곡선부(210)에는 곡률 R1과 대응되는 후술되는 제1성형판(400)이 결합된다. 즉, 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열에 의해 사용자 모발을 가열하고, 가열된 모발을 후술되는 제1성형판(400)에 최초 감았을 경우, 가열된 모발이 후술되는 제1성형판(400)에 감겨진 상태로 급속냉각되어 모발이 후술되는 제1성형판(400)에 감겨진 웨이브 형태를 그대로 유지하도록 형성된다.

상기 제2곡선부(220)는 모발의 웨이브 성형이 전술한 제1곡선부(210)에서 성형되는 것보다 크게 형성되도록 상기 제1곡선부(210)의 곡률 R1보다 큰 곡률을 가진 R2로 형성된다. 여기서, 상기 제2곡선부(220)도 전술한 상기 제1곡선부(210)와 동일하게 곡률 R2와 대응되는 후술되는 제2성형판(400')이 결합된다. 그리고, 전술한 제1곡선부(210)에 결합되는 제1성형판(400)과 동일하게 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열에 의해 사용자 모발을 가열하고, 가열된 모발을 후술되는 제2성형판(400')에 제1성형판(400)보다 모발을 더 굵은 웨이브 성형을 위해 감았을 경우, 가열된 모발이 후술되는 제2성형판(400)에 감겨진 상태로 급속냉각되어 모발이 후술되는 제2성형판(400)에 감겨진 웨이브 형태를 그대로 유지하도록 형성된다.

상기 음이온 발생부(230)는 후술되는 음이온메탈(300)로부터 발생되는 음이온이 모발의 선택적 웨이브 성형시에 모발에 다량방출되도록 형성됨과 함께, 후술되는 음이온메탈(300)이 모발에 직접접촉되어 다량의 음이온이 발생되도록 형성된 것으로, 전술한 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220) 사이에 형성된다.

즉, 상기 음이온 발생부(230)를 통해 방출되는 음이온은 모발의 웨이브 성형 시, 모발이 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 의해 후술되는 제1,2성형판(400,400')에 의해 급속냉각되어 웨이브 성형시, 발열판(12,22)으로부터 전달된 열에 의해 후술되는 음이온메탈(300)이 가열되고, 가열된 음이온 메탈로부터 음이온을 계속적으로 모발에 방출하여 모발의 손상을 최소화할뿐만 아니라, 열에 의해 파괴된 조직을 활성화하도록 형성되는 것이다. 여기서, 상기 음이온 발생부(230)는 끼움장공(232), 음이온 방출공(234)으로 형성된다.

상기 끼움장공(232)은 후술되는 음이온메탈(300)이 외부로 노출되어 사용자가 모발의 웨이브 성형시, 모발과 직접접촉되어 음이온이 모발에 직접적으로 방출되도록 형성된 것으로, 상기 음이온 발생부(230)의 중앙에 형성되어 후술되는 음이온메탈(300)이 끼움결합되도록 형성된다.

상기 음이온 방출공(234)은 상기 끼움장공(232)에 결합된 후술되는 음이온메탈(300)의 웨이브커버(200) 내측에서 발생되는 음이온이 외부로 방출되도록 형성된 것으로, 상기 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)의 양측으로 다수 형성된다. 즉, 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 커버체(100)의 방열공(104)으로부터 후술되는 음이온메탈(300)에 전달되고, 열에 의해 후술되는 음이온메탈(300)은 다량의 음이온이 사방으로 방출됨에 따라, 전술한 끼움장공(232)을 통해서는 사용자 모발에 직접접촉되어 다량의 음이온이 방출됨과 함께, 음이온 방출공(234)을 통해서는 웨이브커버(200) 내부에서 발생되는 다량의 음이온이 간접적으로 모발에 방출되도록 하여 음이온의 효과가 모발에 직간접적으로 영향을 주도록 형성된 것이다.

상기 결합공(240,240')은 후술되는 제1,2성형판(400,400')이 제1,2곡선부(210,220)에 각각 견고히 결합되도록 형성된다. 여기서, 상기 결합공(240,240')은 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220)의 음이온 발생부(230)측 일측에 길이방향으로 길게 각각 형성되어 제1,2곡선부(210,220)에 각각 긴밀하게 결합되는 것이다.

상기 걸림부(250,250')는 후술되는 제1,2성형판(400,400')의 일측끝단이 텐션에 의해 걸림결합되도록 상기 제1,2곡선부(210,220)의 결합공(240,240')측 반대편 일측에 각각 길이방향으로 길게 절개형성된다.

상기 끼움돌기(260)는 전술한 커버체(100)의 끼움공(102)에 각각 끼움결합되도록 형성되는 것으로, 상기 웨이브커버(200) 하측으로 하향돌출 형성된다. 여기서, 상기 끼움돌기(260)를 통해 상기 웨이브커버(200)가 상기 커버체(100)의 끼움공(102)으로부터 용이하게 탈부착이 가능하다.

상기 고정가압돌기(270)는 후술되는 음이온메탈(300)이 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)에 끼움결합된 후, 끼움장공(232)으로부터 이탈되지 않고 견고히 고정되어 전술한 바와 같이, 끼움장공을 통해서는 다량의 음이온이 모발과 직접접 촉되어 방출되고, 음이온 방출공(234)에서는 웨이브커버(200) 내부에 발생되는 음이온이 간접적으로 모발에 방출되도록 형성되는 것으로, 전술한 상기 끼움돌기(260) 사이에 형성되어 상기 끼움장공(232) 양측으로 하향돌출형성되고, 상기 음이온메탈(300)의 양측이 가압고정되도록 형성된다.

상기 음이온메탈(300)은 열을 전달받아 다량의 음이온이 방출되도록 형성된 것으로, 이러한, 음이온메탈(300)은 천연 광물과 모라자이트(morazite), 제노타이트(zenotine), 일라이트-운모(illitemica), 제올라이트(zeolite),벤토나이트(bentonite), 토르마린(tourmaline), 그리고 한방 약제 광물을 분쇄 혼합하여 형성된다. 여기서, 상기 음이온메탈(300)은 전술한 상기 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)에 끼움결합되어 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열을 전달받아 다량의 음이온이 방출되도록 형성된다.

한편, 상기 음이온 메탈(300)은 전술한 바와 같이, 웨이브커버(200) 내측 이외에 상기 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22) 일측 내측에 더 형성되어도 다량의 음이온을 통해 모발의 건강과 손상에 따른 조직의 활성화 및 모발성형시 손상을 최소화할 수 있도록 구비되어도 바람직하다.

나아가, 이러한 음이온메탈(300)은 분쇄하여 파우더 형태로도 사용이 가능하며, 상기 음이온메탈(300)을 파우더로 구비하여 발열판(12,22)에 코팅함으로써, 모 발 성형에 직접적으로 접촉되는 발열판(12,22)으로부터 다량의 음이온이 모발에 방출되도록 형성되어도 바람직하다. 그리고, 전술한 고대기를 구성하기 위한 상기 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 사출성형시 음이온메탈 파우더를 함께 혼합하여 형성하여도 다량의 음이온이 방출되어 모발의 건강과 손상방지, 조직의 활성화를 촉진하도록 형성되어도 바람직하다.

상기 제1성형판(400)과 제2성형판(400')은 전술한 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 결합되고, 발열판에 의해 가열된 모발과 직접접촉되어 급속냉감함으로써 웨이브 성형이 되는 것으로, 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220) 각각에 볼트(부호생략)에 의해 상기 웨이브커버(200) 하측으로부터 결합된다. 여기서, 상기 상기 제1성형판(400)과 제2성형판(400')은 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)의 각각의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되어 모발의 선택적 웨이브 성형이 가능하도록 형성되되, 결합부(410,410'), 결합요홈(420,420'), 텐션걸림돌기(430,430')로 구성된다.

상기, 결합부(410,410')는 전술한 상기 결합공(240,240')에 끼움결합되도록 상기 제1,2성형판(400,400')의 일단에 하향 돌출형성된다. 그리고, 상기 결합요홈(420,420')은 상기 결합부(410,410') 중앙으로 요입형성되어 상기 웨이브 커버(200)의 상기 결합공(240,240') 하측으로부터 볼트가 관통되어 결합되도록 길이방향으로 길게 형성된다.

또한, 상기 텐션걸림돌기(430,430')는 상기 웨이브 커버(200)의 걸림부(250.250')에 각각의 곡률에 따른 텐션에 의해 걸림결합되도록 상기 결합부(410,410') 반대편측 일단에 내측으로 돌설형성된다. 이와 같은 상기 제1,2성형판(400,400')은 앞서 잠시 논한 바와 같이, 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열에 의해 최초 모발을 가열하고, 가열된 상태의 모발을 웨이브 성형하기 위해 제1,2성형판(400,400') 측으로 사용자가 감게되면 가열된 모발은 제1,2성형판(400,400')에 의해 급속냉각되어 제1,2성형판(400,400')의 곡선에 따른 웨이브 형태를 그대로 유지한 상태로 성형되는 것이다. 이러한, 상기 제1,2성형판(400,400')은 알루미늄 압출성형품으로 형성되는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이 본 고안에 따른 고대기는 아래의 설명과 같으며, 이하 사용상태에 따른 실시예를 설명하기로 한다.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기를 상술한 바와 같은 구성을 통해 결합한 후, 사용자는 전원을 인가한다. 이와 같이, 전원이 인가된 후, 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20) 내측에 구비된 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재(부호생략)가 가열되고, 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재에 의해 발열판(12,22)이 가열되면 사용자는 힌지결합되어 있는 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부 재(20)를 서로 대향되는 내측방향으로 가압하게 되고, 이에 따라 상하부의 각각의 발열판(12,22) 사이에 위치된 사용자의 모발이 가압되며, 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)이 서로 마주보며 가압과 함께 열이 모발에 전달되어 모발의 스트레이트 성형이 가능하다.

이때, 사용자는 모발의 스트레이트 성형외에 웨이브 성형을 하고자 할 때, 상기 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20) 외측의 결합된 각각의 커버체(100)에 마련된 웨이브 커버(200)의 제1곡선부(210)측으로 최초 모발을 감아 곡률 R1에 대응되는 모발의 웨이브가 성형되도록 급속냉각한다. 이때, 웨이브 커버(200)의 음이온 발생부(230)에 외부로 노출되도록 구비된 음이온메탈(300)을 통해 다량의 음이온이 모발과 직접접촉되어 방출되고, 이와 동시에 웨이브 커버(200) 내부에서 음이온메탈(300)에 의해 발생되는 음이온이 음이온 방출공(234)을 통해 토출됨으로써, 모발 손상 최소화 및 손상된 조직을 활성화하면서 웨이브 성형이 가능하다.

여기서, 음이온메탈(300)을 통한 음이온의 방출은 최초 전원의 인가에 따라 발열판(12,22)이 가열되고, 가열된 발열판(12,22)으로부터 열이 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20) 외측으로 결합된 커버체(100)의 방열공(104)으로 전달된다. 다음으로, 전달된 열은 방열공(104)을 통해 방출되어 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)에 결합된 음이온메탈(300)을 가열한다. 이후, 음이온메 탈(300)이 일정온도 이상 상승하면서 계속적으로 음이온이 음이온 메탈(300)로부터 발생되고, 발생된 음이온은 끼움장공(232)을 통해 외부로 노출된 음이노 메탈(300)로부터 직접방출됨과 함께 웨이브커버(200) 내측으로 다량 방출한다.

다음으로, 음이온메탈(300)을 통해 다량 방출되는 음이온은 음이온 발생부(230) 내측에 계속해서 충진되면서 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232) 양측으로 다수 형성된 음이온 방출공(230)을 통해 외부로 간접방출되는 것으로, 사용자가 모발의 웨이브 성형시 직간접적으로 음이온이 모발에 접촉된다.

따라서, 이와 같이 음이온의 방출에 따른 웨이브 성형을 통해 모발손상이 최소화되고, 모발의 건강을 유지할 뿐만 아니라, 손상된 조직의 활성화를 통해 더욱 아름다운 웨이브 성형이 가능한 것은 자명한 것이며, 사용자는 최초 제1곡선부(210)에 결합된 제1성형판(400)을 통해 모발의 웨이브 성형을 한다. 이후, 보다 굵은 크기의 모발 웨이브 성형을 원할 경우 제2곡선부(220)에 결합된 제2성형판(400')에 머리를 감아 원하는 형상의 모발 웨이브 성형이 가능하다.

여기서, 제1,2성형판(400,400')을 통해 모발의 웨이브 성형을 간략히 살펴보면 먼저, 전원이 인가되고, 전원인가에 따른 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)이 가열되고, 사용자는 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)이 서로 마주보며 접촉되도록 가압시, 모발을 발열 판(12,22) 사이에 위치시킨다.

이후, 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 사용자가 모발을 가열하면서 모발이 스트레이트 변형이 됨과 동시에 웨이브 커버(200)의 제1,2곡선부(210,220)에 결합된 제1,2성형판(400,400') 측으로 선택적으로 가열된 모발을 감는다. 이때, 가열된 모발은 알루미늄 압출성형품으로 형성된 제1,2성형판(400,400')에 의해 급속냉각되고, 제1,2성형판(400,400')의 곡률에 따라 모발이 웨이브 성형된다. 즉, 발열판에 의해 모발이 가열되고, 가열에 따른 모발의 단백질 성분이 변형됨과 동시에 미리 정해진 곡률 R1, R2에 의해 모발의 웨이브가 성형되고, 성형된 형태에서 제1,2성형판(400,400')의 의해 급속냉각되어 모발의 웨이브 성형이 그대로 유지되는 것이다.

따라서, 웨이브 성형의 굵기를 결정하기 위해 웨이브 커버(200)의 제1곡선부의 곡률 R1이 정해진 후, 제2곡선부의 곡률 R2의 값을 정하게 되고, 곡률 R1은 곡률 R2보다 작게 형성되어 곡률의 크기에 따른 웨이브의 굵기를 결정하는 것이다.

즉, 본 고안에 따른 고대기를 통해 다량의 음이온의 발생되는 음이온 메탈의 적용과 함께 사용자가 모발의 다양한 크기의 웨이브 성형이 가능하도록 곡률 R1과 곡률 R2를 형성한 웨이브커버(200)에 의해 가능하고, 음이온메탈(300)에 의해 모발손상의 방지가 가능하며, 건강한 모발의 유지와 손상된 모발의 조직의 활성화를 통 해 보다 아름다운 모발의 웨이브 성형이 전술한 바와 같이 가능한 것이다.

또한, 앞서 상술한 음이온 메탈(300)에 의한 다량의 음이온 발생을 웨이브 성형이외에 스트레이트 등의 모발 성형에도 영향을 주도록 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)측 내측에도 구비하여도 바람직하다.

나아가, 앞서 잠시 언급한 바와 같이, 음이온 메탈을 분쇄하여 파우더 형태로 제조한 후, 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20) 각각의 발열판(12,22)의 표면에 음이온 메탈 파우더를 코팅하고, 음이온 메탈 파우더가 코팅된 발열판(12,22)이 가열되면 열이 음이온 메탈 파우더에 직접적으로 전달되어 다량의 음이온이 발생되도록 하거나, 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 최초 사출성형시, 음이온 메탈 파우더를 함께 혼합사출성형하여 고대기를 제조함으로써, 다량의 음이온이 발생되도록 하여도 더욱더 효과적인 모발의 손상방지와 손상된 모발조직의 활성화를 통해 모발의 건강을 유지할 수 있는 것은 자명한 것이다.

한편, 본 고안의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 고안의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러가지 변형이 가능함을 당해 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어서, 그와 같은 변형은 청구 범위 기재의 범위 내에 있는 것이다.

도 1은 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 전체사시도이다.

도 2는 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 분해사시도이다.

도 3은 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 일부확대 측면 단면도이다.

도 4는 본 고안에 따른 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기의 일부확대 정단면 사시도이다.

*도면의 주요부호에 대한 설명*

100 : 커버체 102 : 끼움공

104 : 방열공 200 : 웨이브커버

210 : 제1곡선부 220 : 제2곡선부

230 : 음이온 발생부 232 : 끼움장공

234 : 음이온 방출공 240,240' : 결합공

250,250' : 걸림부 260 : 끼움돌기

270 : 고정가압돌기 300 : 음이온메탈

400 : 제1성형판 400' : 제2성형판

410,410' : 결합부 420,420' : 결합요홈

430,430' : 텐션걸림돌기 10 : 상부발열가압부재

20 : 하부발열가압부재 11,12 : 발열판

Claims (7)

1. 전방 일면에 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재를 포함한 발열판(12,22)이 구비되고, 후방이 회동되도록 힌지결합된 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)가 형성된 고대기에 있어서,

   상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)의 반대편 외측에 결합되고, 외측 일면에 복수의 끼움공(102)이 형성되며, 상기 끼움공(102) 사이에 방열공(104)이 형성된 커버체(100)와;

   상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착되도록 끼움결합되고, 모발의 웨이브 크기를 선택가능하도록 서로다른 곡률을 가진 만곡진 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)가 형성된 웨이브커버(200)와;

   상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220) 사이에 끼움결합되어 외부로 노출형성되고, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 상기 커버체(100)의 방열공(104)을 통해 전달되어 다량의 음이온이 방출되도록 구비된 음이온메탈(300)과;

   상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 각각 볼트결합되어 고정되고, 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되어 모발의 선택적 웨이브 성형이 가능하도록 형성된 제1성형판(400)과 제2성형판(400');을 포함하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 웨이브커버(200)는 길이방향으로 길게 형성되되,

   모발의 웨이브 성형시 웨이브의 크기를 결정하도록 곡률 R1이 형성된 제1곡선부(210)와;

   상기 곡률 R1보다 큰 곡률을 가진 R2로 형성되고, 상기 제1곡선부(210)에 의한 헤어의 웨이브 크기보다 크게 형성되는 제2곡선부(220)와;

   상기 음이온메탈(300)로부터 발생되는 음이온이 모발의 선택적 웨이브 성형시에 모발에 다량방출되도록 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220) 사이에 형성된 음이온 발생부(230)와;

   상기 제1,2성형판(400,400')이 결합되도록 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220)의 음이온 발생부(230)측 일측에 길이방향으로 길게 각각 형성된 결합공(240,240')과;

   상기 제1,2곡선부(210,220)의 결합공(240,240')측 반대편 일측에 각각 길이방향으로 길게 절개형성된 걸림부(250,250')와;

   상기 웨이브커버 하측에 형성되고, 상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착이 용이하도록 결합되는 끼움돌기(260)와;

   상기 끼움돌기(260) 사이에 하향돌출형성되고, 상기 음이온메탈(300)의 양측이 가압고정되도록 형성된 고정가압돌기(270);가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이 브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 음이온 발생부(230)의 중앙에 형성되고, 음이온메탈(300)이 외부로 노출되어 모발과 직접접촉되도록 음이온메탈(300)이 끼움결합되는 끼움장공(232)과;

   상기 음이온 발생부(230)의 끼움장공(232)의 양측으로 다수 형성되고, 상기 음이온메탈(300)로부터 방출되는 다량의 음이온이 모발의 선택적 웨이브 성형시에 모발에 다량방출되도록 형성된 음이온 방출공(234);이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
4. 제 2항에 있어서,

   상기 제1,2성형판(400,400')은 길이방향으로 길게 형성되어 상기 제1곡선부(210)와 상기 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되도록 형성되되,

   일단에 하향 돌출 형성되고, 상기 웨이브 커버(200)의 결합공(240,240')에 결합되는 결합부(410,410')와;

   상기 결합부(410,410') 중앙으로 요입되어 상기 웨이브 커버(200)의 하측으로부터 상기 결합공(240,240')을 통해 볼트결합되는 결합요홈(420,420')과;

   상기 웨이브 커버(200)의 걸림부(250.250')에 곡률에 따른 텐션에 의해 걸림 결합되도록 상기 결합부(410,410') 반대편측 일단에 내측으로 돌설된 텐션걸림돌기(430,430');가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 음이온메탈(300)은 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22) 일측 내측에 더 형성된 것을 특징으로 하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 음이온메탈(300)은 파우더로 구비하여 발열판(12,22)에 코팅되어 다량의 음이온이 직접적으로 모발에 방출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 음이온메탈(300)은 파우더로 구비하여 상기 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)의 사출성형시 혼합형성되어 다량의 음이온이 방출되도록 형성 된 것을 특징으로 하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기.

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