KR200446268Y1 - Electrode assembly for etching apparatus - Google Patents

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Abstract

에칭장치용 전극 어셈블리가 개시된다. 상기 전극 어셈블리는 전면에 걸쳐 다수개의 분사공이 방사상으로 관통 형성되고, 이면 가장자리를 따라 일정 간격으로 내부에 나사산이 형성된 결합 홈이 형성된 원형의 전극 플레이트; 및 상기 전극 플레이트의 결합 홈에 대응하는 위치에 결합공이 형성된 링 형상의 플랜지를 포함하며, 상기 결합공을 통하여 상기 결합 홈에 순차로 나사 결합하는 볼트에 의해 상기 전극 플레이트와 상기 플랜지가 결합한다. An electrode assembly for an etching apparatus is disclosed. The electrode assembly may include a circular electrode plate having a plurality of injection holes radially penetrating through a front surface thereof, and a coupling groove having threaded grooves formed therein at regular intervals along a rear edge thereof; And a ring-shaped flange having a coupling hole formed at a position corresponding to the coupling groove of the electrode plate, and the electrode plate and the flange are coupled by bolts sequentially screwed into the coupling groove through the coupling hole.

어셈블리, 플랜지, 나사 결합, 볼트, 파티클, 조립성 Assembly, Flanged, Screwed, Bolts, Particles, Assemble

Description

에칭장치용 전극 어셈블리{ELECTRODE ASSEMBLY FOR ETCHING APPARATUS}Electrode assembly for etching equipment {ELECTRODE ASSEMBLY FOR ETCHING APPARATUS}

본 고안은 에칭장치용 전극 어셈블리에 관한 것으로, 특히 파티클 발생을 최소화하고 플랜지의 재사용이 가능한 에칭장치용 전극 어셈블리에 관련한다.The present invention relates to an electrode assembly for an etching apparatus, and more particularly, to an electrode assembly for an etching apparatus which minimizes particle generation and enables reuse of flanges.

일반적으로 반도체의 집적회로를 제조하는 중에 웨이퍼의 표면을 에칭하는 공정이 사용되며, 이 공정에는 여러 종류의 에칭장치들이 사용된다.Generally, a process of etching a surface of a wafer is used during fabrication of an integrated circuit of a semiconductor, and various kinds of etching apparatuses are used in this process.

가령, 도 1의 플라즈마 에칭장치를 참조하면, 진공용기(60) 내부의 하단에는 웨이퍼(50)가 탑재되는 지지대(51)가 설치되고, 지지대(51)에 대향하여 상부에 분사공들(21)이 형성된 전극 플레이트(20)가 설치된다. 전극 플레이트(20)는 접착제(12)를 개재하여 플랜지(10)에 고정된다. 이와 같은 플라즈마 에칭장치에서 진공용기(60) 내부를 진공으로 유지시킨 상태에서 전극 플레이트(20)에 RF 전원을 인가하면서 에칭가스를 주입하면 에칭가스는 전극 플레이트(20)의 분사공(21)으로 분사되면서 전극 플레이트(20)와 지지대 (51)의 웨이퍼(50) 사이에 플라즈마를 이루게 된다. 이와 같이 생성되는 플라즈마가 웨이퍼의 표면에 부딪힘에 따라 웨이퍼의 표면에 에칭이 수행된다.For example, referring to the plasma etching apparatus of FIG. 1, a support 51 on which a wafer 50 is mounted is installed at a lower end of the vacuum vessel 60, and injection holes 21 are disposed on the support 51. Electrode plate 20 is formed. The electrode plate 20 is fixed to the flange 10 via the adhesive 12. In such a plasma etching apparatus, when the etching gas is injected while applying the RF power to the electrode plate 20 while the inside of the vacuum container 60 is maintained in a vacuum, the etching gas is injected into the injection hole 21 of the electrode plate 20. While being sprayed, a plasma is formed between the electrode plate 20 and the wafer 50 of the support 51. As the plasma thus generated strikes the surface of the wafer, etching is performed on the surface of the wafer.

이와 같이 이온 충격에 의해 에칭이 이루어짐으로써, 전극 플레이트도 사용 에 따라 점차 소모되기 때문에 주기적으로 교체해야 한다.As the etching is performed by the ion bombardment as described above, the electrode plate is gradually consumed with use, and thus it must be replaced periodically.

도 2를 참조하면, 종래에는 전극 플레이트(20)와 플랜지(10)가 인듐이나 엘라스토머 등의 접착물질(12)에 의해 결합되어 있다. 따라서, 전극 플레이트(20)를 교체하기 위해서는 접착물질을 제거해야 하는 불편이 따르기 때문에 실제로는 플랜지까지 일체로 교체하는데, 이에 따라 교체비용이 증가한다는 문제점이 있다. 또한, 접착물질이 전극 플레이트와 플랜지 사이에서 누설되는 경우, 전극 플레이트의 가장자리에 형성된 분사공을 막음으로써 분사공으로 에칭가스를 분사시킬 때에도 파티클이 상당량 발생하며, 규정치 이상으로 발생하는 다량의 파티클이 플라즈마 에칭시 웨이퍼 표면에 그대로 떨어지게 되면 플랜지와 웨이퍼 사이에 이상 방전현상이 발생함은 물론 웨이퍼 표면이 잔류 파티클로 심하게 오염됨으로 인해 에칭된 웨이퍼의 집적회로 성능이 크게 저하되어 결국 품질 경쟁력이 약화하는 문제점이 있다.Referring to FIG. 2, the electrode plate 20 and the flange 10 are conventionally joined by an adhesive material 12 such as indium or an elastomer. Therefore, in order to replace the electrode plate 20, it is inconvenient to remove the adhesive material, so that the flange is actually replaced integrally, thereby increasing the replacement cost. In addition, when the adhesive material leaks between the electrode plate and the flange, a large amount of particles are generated even when the etching gas is injected into the injection hole by blocking the injection hole formed at the edge of the electrode plate, and a large amount of particles generated above the specified value are plasma. If the wafer is dropped on the wafer surface during etching, abnormal discharge phenomenon occurs between the flange and the wafer, and the surface of the wafer is heavily contaminated with residual particles, which degrades the integrated circuit performance of the etched wafer, thereby weakening the quality competitiveness. have.

이를 해결하기 위하여 본 발명자는 공개특허공보 제2002-78680호에서 에칭장치용 전극 어셈블리를 제안하였다. 도 3을 참조하면, 전극 플레이트(120)의 전면에는 다수개의 분사공들(122)이 관통 형성되고 가장자리를 따라 일정 간격으로 체결홈들(124)이 형성되며, 제 1 결합부재는 전극 플레이트의 체결홈에 일단이 체결되어 고정되고, 플랜지의 체결홈(124)에 대응하는 위치에 제 1 결합부재를 수용하는 관통공(112)이 형성되며, 제 2 결합부재는 관통공(112)에 수용된 제 1 결합부재와 결합되어 전극 플레이트와 플랜지를 결합시킨다. 전극 플레이트와 플랜지를 접착물질없이 기구적인 방법으로 결합하기 때문에 접착물질의 누설로 인한 파티클의 발 생을 근본적으로 제거할 수 있다.In order to solve this problem, the present inventor has proposed an electrode assembly for an etching apparatus in Published Patent Publication No. 2002-78680. Referring to FIG. 3, a plurality of injection holes 122 are formed in the front surface of the electrode plate 120, and fastening grooves 124 are formed at predetermined intervals along the edge, and the first coupling member is formed of the electrode plate. One end is fastened and fixed to the fastening groove, and a through hole 112 for receiving the first coupling member is formed at a position corresponding to the fastening groove 124 of the flange, and the second coupling member is accommodated in the through hole 112. Coupled with the first coupling member to couple the electrode plate and the flange. Since the electrode plate and the flange are combined in a mechanical manner without the adhesive material, particle generation due to leakage of the adhesive material can be fundamentally eliminated.

그러나, 이 구조에 의한 경우, 제 1 및 제 2 결합부재의 구조상 플랜지(110)와 전극 플레이트(120)를 단단하게 밀착시키지 못하기 때문에 이들 사이의 틈으로 파티클이 누출될 수 있으며, 더욱이, 결합 구조가 복잡하여 조립공수가 증가하고 부품의 증가로 제조비용이 커진다는 문제점이 있다.However, in this structure, since the flange 110 and the electrode plate 120 may not be firmly adhered to each other in the structure of the first and second coupling members, particles may leak into a gap between them, and furthermore, There is a problem in that the structure is complicated, the assembly labor is increased and the manufacturing cost increases due to the increase of parts.

따라서, 본 고안의 목적은 결합 부분에 있어서의 파티클 발생을 최소화하고, 조립성이 우수하고 제조비용이 저렴한 에칭장치용 전극 어셈블리를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrode assembly for an etching apparatus which minimizes particle generation in a joining portion, and has excellent assembly performance and low manufacturing cost.

상기한 목적은, 전면에 걸쳐 다수개의 분사공이 방사상으로 관통 형성되고, 이면 가장자리를 따라 일정 간격으로 내부에 나사산이 형성된 결합 홈이 형성된 원형의 전극 플레이트; 및 상기 전극 플레이트의 결합 홈에 대응하는 위치에 결합공이 형성된 링 형상의 플랜지를 포함하며, 상기 결합공을 통하여 상기 결합 홈에 순차로 나사 결합하는 볼트에 의해 상기 전극 플레이트와 상기 플랜지가 결합하는 에칭장치용 전극 어셈블리에 의해 달성된다.The above object is a circular electrode plate formed with a plurality of injection holes radially penetrating through the front surface, the coupling groove is formed with a threaded groove therein at regular intervals along the rear edge; And a ring-shaped flange having a coupling hole formed at a position corresponding to the coupling groove of the electrode plate, wherein the electrode plate and the flange are coupled to each other by bolts sequentially screwed into the coupling groove through the coupling hole. Achieved by an electrode assembly for the device.

바람직하게, 결합공의 입구는 상기 볼트의 헤드가 상기 플랜지로부터 돌출되지 않도록 하는 볼트 헤드 수용부가 형성될 수 있다.Preferably, the inlet of the coupling hole may be formed with a bolt head receiving portion to prevent the head of the bolt from protruding from the flange.

또한, 바람직하게, 상기 결합 홈의 나사산의 마모를 방지하기 위해서 상기 결합 홈에 헬리코일(helicoil)이 삽입될 수 있다.Further, preferably, a helicoil may be inserted into the coupling groove to prevent wear of the thread of the coupling groove.

상기한 구성에 의하면, 전극 플레이트와 플랜지의 결합부분이 플라즈마 방전공간의 반대쪽에 위치하여 결합부분에서 발생하는 파티클이 플라즈마 방전공간으로 유입될 가능성이 거의 없다.According to the above configuration, the joining portion of the electrode plate and the flange is located on the opposite side of the plasma discharge space, so that particles generated at the joining portion are unlikely to flow into the plasma discharge space.

또한, 단순히 볼트에 의해 결합하므로 조립성이 우수하고 조립부품이 적어 제조비용이 절감되는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that the assembly cost is excellent because it is simply coupled by bolts and the manufacturing cost is reduced because there are fewer assembly parts.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.

도 4는 본 고안에 적용되는 전극 어셈블리를 나타내는 평면도이고, 도 5는 플랜지와의 결합부분을 나타내는 단면도이다.Figure 4 is a plan view showing an electrode assembly applied to the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view showing a coupling portion with the flange.

도 4를 참조하면, 원형의 전극 플레이트(200)에는 전면에 걸쳐 다수개의 분사공(212)이 방사상으로 일정한 간격으로 형성되어 있고, 이면 가장자리를 따라 일정한 회전각, 이 예에서는 60°마다 내부에 나사산이 형성된 결합 홈(202)이 형성된다. 또한, 전극 플레이트(200)의 이면 가장자리에는 링 형상의 플랜지(300)가 결합한다. Referring to FIG. 4, the circular electrode plate 200 is formed with a plurality of injection holes 212 radially at regular intervals across the front surface, and has a constant rotation angle along the rear edge, in this example, every 60 °. Threaded engagement grooves 202 are formed. In addition, a ring-shaped flange 300 is coupled to the rear edge of the electrode plate 200.

여기서, 전극 플레이트의 전면과 이면은 특정한 면을 의미하는 것이 아니고, 플라즈마 방전공간에 대향하는지에 따라 구분할 뿐이다. Here, the front surface and the rear surface of the electrode plate do not mean a specific surface, but only depending on whether they face the plasma discharge space.

이러한 구성에 의하면, 플라즈마 방전공간, 즉 전극 플레이트(200)의 전면에서 볼 때 결합부분이 보이지 않을 뿐만 아니라, 결합부분의 틈새도 보이지 않아 결합부분에서 발생하는 파티클이 플라즈마 방전공간으로 유출된 가능성이 거의 없다.According to this configuration, not only the bonding portion is visible when viewed from the front surface of the plasma discharge space, that is, the electrode plate 200, and the gap between the bonding portions is not visible, so that particles generated at the bonding portion may leak into the plasma discharge space. Few.

도 5를 참조하면, 링 형상의 플랜지(300)에는 전극 플레이트(200)의 결합 홈(202)에 대응하는 위치에 결합공(302)이 형성되어 있다. 따라서, 플랜지(300)의 결합공(302)이 전극 플레이트(200)의 결합 홈(202)에 대응하여 정합된 상태에서 볼트(304)를 이용하여 서로 결합된다. 바람직하게, 결합공(302)의 입구는 볼트(304) 의 헤드가 플랜지(300)로부터 돌출되지 않도록 하는 볼트 헤드 수용부(301)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a coupling hole 302 is formed in a ring-shaped flange 300 at a position corresponding to the coupling groove 202 of the electrode plate 200. Therefore, the coupling holes 302 of the flange 300 are coupled to each other using the bolt 304 in a state in which they are corresponding to the coupling grooves 202 of the electrode plate 200. Preferably, the inlet of the coupling hole 302 may be a bolt head receiving portion 301 is formed so that the head of the bolt 304 does not protrude from the flange (300).

이러한 구성에 의하면, 결합이 단순히 볼트 조임에 의해 이루어지므로 조립성이 우수하고, 조립부품이 줄어 제조비용이 절감된다.According to this configuration, since the coupling is simply made by tightening the bolt, the assembly is excellent, the assembly parts are reduced, and the manufacturing cost is reduced.

바람직하게, 볼트(304)를 이용하여 조립하는 경우, 전극 플레이트(200)의 결합 홈(202)에는 나사산의 마모를 방지하기 위해서 미리 헬리코일(helicoil)이 삽입되어 있을 수 있다.Preferably, when assembling using the bolt 304, a helicoil may be inserted into the coupling groove 202 of the electrode plate 200 in order to prevent wear of the thread.

또한, 조립 강도를 증가하기 위해서 플랜지(300)의 결합공(302) 내부에도 나사산을 형성할 수 있다.In addition, a thread may be formed in the coupling hole 302 of the flange 300 to increase the assembly strength.

이상에서는 본 고안의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 기술 수준에서 치수, 형상 및 재질에 있어서 다양한 변경이 가능하다. 가령, 상기 실시예에서 플라즈마 방전공간이 전극 플레이트의 이면 쪽에 형성되는 경우에는, 플랜지를 전극 플레이트의 전면 쪽에 위치시켜 플랜지와 전극 플레이트를 결합하면 된다. 그러므로, 이러한 변경들은 본 고안의 범주를 벗어나지 않는 한, 본 고안에 속한다 할 것이다.In the above described with reference to the embodiment of the present invention, various changes in dimensions, shapes and materials are possible at the skill level of those skilled in the art. For example, in the above embodiment, when the plasma discharge space is formed on the back side of the electrode plate, the flange and the electrode plate may be joined by placing the flange on the front side of the electrode plate. Therefore, these changes will belong to the present invention, so long as it does not depart from the scope of the present invention.

도 1은 플라즈마 에칭장치의 일반적인 구조도이다.1 is a general structural diagram of a plasma etching apparatus.

도 2는 종래의 전극 어셈블리를 설명하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a conventional electrode assembly.

도 3은 종래의 다른 전극 어셈블리를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing another conventional electrode assembly.

도 4는 본 고안에 적용되는 전극 어셈블리를 나타내는 평면도이다.Figure 4 is a plan view showing an electrode assembly applied to the present invention.

도 5는 도 4의 5-5를 따라 절단한 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line 5-5 of FIG. 4.

Claims (3)

플라즈마 방전공간에 대향하는 전면에 걸쳐 다수개의 분사공이 방사상으로 관통 형성되고, 이면 가장자리를 따라 일정 간격으로 내부에 나사산이 형성된 결합 홈이 형성된 원형의 전극 플레이트; 및A circular electrode plate in which a plurality of injection holes are radially penetrated through the front surface facing the plasma discharge space, and a coupling groove having a thread formed therein at regular intervals along the rear edge thereof; And 상기 전극 플레이트의 이면에 위치하며, 상기 전극 플레이트의 결합 홈에 대응하는 위치에 결합공이 형성된 링 형상의 플랜지를 포함하며,Located on the rear surface of the electrode plate, including a ring-shaped flange formed with a coupling hole in a position corresponding to the coupling groove of the electrode plate, 상기 결합공으로부터 상기 결합 홈에 순차로 나사 결합하는 볼트에 의해 상기 전극 플레이트와 상기 플랜지가 결합하는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.And the electrode plate and the flange are coupled by bolts which are sequentially screwed into the coupling groove from the coupling hole. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 결합공의 입구는 상기 볼트의 헤드가 상기 플랜지로부터 돌출되지 않도록 하는 볼트 헤드 수용부가 형성된 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.The inlet of the coupling hole is an electrode assembly for an etching apparatus, characterized in that the bolt head receiving portion is formed so that the head of the bolt does not protrude from the flange. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 결합 홈의 나사산의 마모를 방지하기 위해서 상기 결합 홈에 헬리코일(helicoil)이 삽입되는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.And a helicoil is inserted into the coupling groove to prevent wear of the threads of the coupling groove.
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