KR200442580Y1

KR200442580Y1 - Structure of etching manifold

Info

Publication number: KR200442580Y1
Application number: KR2020060032343U
Authority: KR
Inventors: 유욱열; 최우선; 장용순
Original assignee: 엔티피 주식회사
Priority date: 2006-12-22
Filing date: 2006-12-22
Publication date: 2008-11-24
Also published as: KR20080002192U

Abstract

본 고안은 에칭 매니폴드의 구조에 관한 것으로서, 본 고안에 의한 에칭 매니폴드의 구조는 스윙 오실레이션 방식의 에칭 매니폴드의 구조에 있어서, 오실레이션 회동수단에 의해 스윙되며 하나 이상의 노즐을 구비하는 매니폴드와, 상기 매니폴드가 장착되어 지지되는 베이스판과, 상기 베이스판이 좌우로 이동할 수 있도록 상기 베이스판의 전면 상부 및 하부를 지지하는 상부 및 하부 브라켓을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기한 구성에 의하면, 원하는 경우 매니폴드가 장착된 베이스판이 좌우로 이동될 수 있어, 매니폴드의 회동(스윙) 및 수평이동이 가능하여 에칭액을 기판에 균일하게 분사할 수 있는 이점이 있다. The present invention relates to the structure of the etching manifold, the structure of the etching manifold according to the present invention in the structure of the etching manifold of the swing oscillation method, the manifold swinging by oscillation rotation means and having at least one nozzle A fold, a base plate on which the manifold is mounted and supported, and upper and lower brackets for supporting the upper and lower front surfaces of the base plate so that the base plate can move left and right. According to the above configuration, the base plate on which the manifold is mounted can be moved from side to side, if desired, so that the manifold can be rotated (swinged) and moved horizontally to uniformly spray the etchant onto the substrate.

에칭, 매니폴드, 오실레이션, 스윙방식, 수평이동 Etching, Manifold, Oscillation, Swing, Horizontal

Description

Structure of etching manifold

도 1a는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드(manifold)의 오실레이션 방식 중 수평이동(horizontal) 방식을 나타내는 개략적 측면도.Figure 1a is a schematic side view showing a horizontal method (horizontal) of the oscillation method of the etching manifold (prior art) according to the prior art.

도 1b는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 수평이동 방식을 나타내는 개략적 사시도.Figure 1b is a schematic perspective view showing a horizontal movement method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art.

도 2a는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 스윙(swing) 방식을 나타내는 개략적 측면도.Figure 2a is a schematic side view showing a swing (swing) method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art.

도 2b는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 스윙 방식에 의한 노즐의 이동을 나타내는 개략적 측면도.Figure 2b is a schematic side view showing the movement of the nozzle by the swing method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art.

도 3은 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조를 나타내는 개략적 사시도.Figure 3 is a schematic perspective view showing the structure of the etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조를 나타내는 개략적 측면도.Figure 4 is a schematic side view showing the structure of an etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조에 의한 매니폴드의 작동을 나타내는 개략적 정면도.Figure 5 is a schematic front view showing the operation of the manifold by the structure of the etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

30: 매니폴드 32: 노즐30: manifold 32: nozzle

33: 좌우 고정볼트 34a: 베이스판 이동부재33: left and right fixing bolt 34a: base plate moving member

34b: 베이스판 지지부재 35: 베이스판 조정볼트34b: base plate support member 35: base plate adjustment bolt

35a: 간격조정홈 36a,36b: 브라켓35a: Spacing groove 36a, 36b: Bracket

37: 눈금자 38: 높이조정홈37: ruler 38: height adjustment groove

39a: 높이 고정볼트 39b: 너트39a: height fixing bolt 39b: nut

40: 구동축 42: 지지볼트40: drive shaft 42: support bolt

본 고안은 에칭 장치 중 매니폴드의 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 회동 및 수평이동할 수 있어 퍼들현상 및 사이드 에칭을 최소화하여 균일한 에칭이 가능한 에칭 매니폴드의 구조에 관한 것이다.The present invention relates to the structure of the manifold of the etching apparatus, and more particularly to the structure of the etching manifold that can be rotated and moved horizontally to minimize the puddle phenomenon and side etching to enable uniform etching.

일반적으로 에칭기술은 리소그래피 기술과 함께 반도체 제조 공정에서 기판의 표면의 미세가공을 위해 사용되고 있다. 에칭방법은 크게 습식에칭 방법과 건식에칭 방법으로 분류된다. In general, etching techniques, along with lithography techniques, are used for micromachining the surface of substrates in semiconductor manufacturing processes. Etching methods are largely classified into wet etching methods and dry etching methods.

건식에칭 방법은 화학약품을 사용하지 않은 플라즈마에칭, 이온에칭, 스퍼터에칭을 총칭하며, 플라즈마 에칭이 대표적이다. 플라즈마 에칭은 화학적으로 활성인 가스플라즈마(주로 불소화합물)와 시료 표면을 화학반응시키는 방법이다.The dry etching method is a generic term for plasma etching, ion etching and sputter etching without using chemicals, and plasma etching is typical. Plasma etching is a method of chemically reacting a chemically active gas plasma (usually a fluorine compound) with a sample surface.

한편, 습식에칭 방법은 에칭하고자 하는 막과 화학적으로 반응하여 용해시킬 수 있는 화학용액(에칭액, etchant)을 사용하여 에칭하고자 하는 소재를 원하는 형 상으로 에칭하는 방법이다.Meanwhile, the wet etching method is a method of etching a material to be etched in a desired shape by using a chemical solution (etchant, etchant) which can be dissolved by chemically reacting with the film to be etched.

이러한 습식에칭은 일반적으로 하나 이상의 매니폴드(manifold, 노즐파이프)에 설비된 다수개의 노즐을 통해 에칭하고자 하는 기판의 표면에 에칭액을 분사하여 식각하는 구조로 되어 있다. Such wet etching generally has a structure in which an etching solution is sprayed and etched on a surface of a substrate to be etched through a plurality of nozzles provided in one or more manifolds (nozzle pipes).

이러한 습식에칭과정에서 기판이 지면과 수평이 되도록 이송되어 노즐에서 분사된 에칭액이 기판의 위에 일정시간 고여 있는 현상(puddle 현상)이 발생하고, 이렇게 고여 있는 에칭액이 수막을 형성하여 에칭면이 균일하게 식각되기 어렵고 그 시간 동안 원하지 않는 에칭이 더 진행되어 미세패턴을 형성하는 데 큰 장해가 되는 문제점이 발생하고, 이로 인해 제품의 불량률이 높아지게 된다.In this wet etching process, the substrate is transported to be horizontal to the ground, and the etching liquid injected from the nozzle is accumulated on the substrate for a predetermined time (puddle phenomenon), and the etching liquid thus formed forms a water film so that the etching surface is uniform. It is difficult to etch and during this time, unwanted etching is further progressed, which causes a problem in forming a fine pattern, which leads to a high defect rate of the product.

또한 수평상태의 기판에서는 에칭된 부산물의 분포에 따라 에칭의 속도가 달라진다. 즉, 에칭을 함에 따라 에칭된 부산물이 기판의 중심에 집중적으로 분포하게 되어 상기 기판의 중심에서는 에칭속도가 느리고 상대적으로 기판의 주변부로 갈수록 기판의 에칭속도가 빨라지며, 사이드 에칭(side etching) 현상이 발생하여 에칭이 균일하지 못하고 미세패턴 형성이 어렵게 된다. 이러한 문제점은 대량생산을 위해 기판의 크기를 크게 할 경우 더욱 심해지게 된다. In addition, in a horizontal substrate, the rate of etching varies according to the distribution of etched byproducts. That is, by etching, the etched by-products are concentrated in the center of the substrate, so the etching speed is slow at the center of the substrate, and the etching speed of the substrate is relatively faster toward the periphery of the substrate. This occurs and etching is not uniform and formation of a fine pattern becomes difficult. This problem is exacerbated by increasing the size of the substrate for mass production.

따라서 이러한 문제점을 해결하기 위해 즉 기판 표면 위의 에칭액을 빨리 제거하고 신액을 공급하기 위해 에칭설비에는 매니폴드를 움직이는 오실레이션(oscillation) 수단을 구비하고 있다. Therefore, in order to solve this problem, that is, to quickly remove the etchant on the surface of the substrate and supply the new solution, the etching facility includes an oscillation means for moving the manifold.

오실레이션 방식은 크게 수평이동(horizontal) 내지 슬라이딩 방식과 스윙(swing) 방식으로 나눌 수 있다.The oscillation method can be largely divided into a horizontal to a sliding method and a swing method.

도 1a는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 수평이동(horizontal) 방식을 나타내는 개략적 측면도이고, 도 1b는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 수평이동 방식을 나타내는 개략적 사시도이다.Figure 1a is a schematic side view showing a horizontal method (horizontal) of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art, Figure 1b is a schematic perspective view showing a horizontal method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art. .

상기 도면들을 참조하면, 수평이동 방식은 매니폴드(10)에 장착된 노즐(12)을 통해 에칭액(14)을 분사할 때 다수개의 매니폴드(10)를 동시에 수평방향으로 이동시켜 오실레이션을 하는 방식이다.Referring to the drawings, the horizontal movement method is used for oscillation by moving a plurality of manifolds 10 in the horizontal direction at the same time when the etching liquid 14 is injected through the nozzle 12 mounted on the manifold 10 That's the way.

한편, 도 2a는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 스윙(swing) 방식을 나타내는 개략적 측면도이고, 도 2b는 종래 기술에 의한 에칭 매니폴드의 오실레이션 방식 중 스윙방식에 의한 노즐의 이동을 나타내는 개략적 측면도이다.On the other hand, Figure 2a is a schematic side view showing a swing (swing) method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art, Figure 2b is a movement of the nozzle by the swing method of the oscillation method of the etching manifold according to the prior art It is a schematic side view which shows.

상기 도면들을 참조하면, 스윙 방식은 매니폴드(20)에 장착된 노즐(22)을 통해 에칭액(24)을 분사할 때 각각의 매니폴드(20)를 회동(스윙)시켜 오실레이션을 하는 방식이다. Referring to the drawings, the swing method is a method in which oscillation is performed by rotating (swinging) each manifold 20 when spraying the etching liquid 24 through the nozzle 22 mounted on the manifold 20. .

이러한 스윙 오실레이션 방식은 노즐(22)을 시계방향 또는 시계반대방향으로 회동시킬 수는 있지만, 매니폴드(20)를 수평방향으로 이동시킬 수 없어 오실레이션을 통한 에칭액의 균일한 분사에는 한계가 있는 문제점이 있다. 또한, 기판의 종류에 따라 균일한 에칭을 위해 매니폴드(20) 간의 거리 및 높이를 조절할 필요성이 있으나, 이러한 조정이 불가능한 문제점이 있었다. This swing oscillation method can rotate the nozzle 22 clockwise or counterclockwise, but cannot move the manifold 20 in the horizontal direction, which limits the uniform spraying of the etching solution through oscillation. There is a problem. In addition, although it is necessary to adjust the distance and height between the manifolds 20 for uniform etching according to the type of substrate, there was a problem that such adjustment is impossible.

본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 에칭할 때 필요에 따라 매니폴드의 회동(스윙) 및 수평이동이 가능하여 에칭액이 기판에 균일하게 분사되어 기판의 전면에 걸쳐 균일한 에칭 및 미세패턴 형성이 가능한 에칭 매니폴드의 구조를 제공하는 것이다.The present invention is devised to solve the above problems, and the object of the present invention is to rotate (swing) and horizontal movement of the manifold as necessary when etching, so that the etching solution is uniformly sprayed on the substrate to cover the entire surface of the substrate It is to provide a structure of an etching manifold capable of uniform etching and fine pattern formation.

본 고안의 다른 목적은 기판의 종류에 따라 균일한 에칭을 위해 매니폴드 간의 거리 및 높이를 조절할 수 있는 에칭 매니폴드의 구조를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a structure of an etching manifold that can adjust the distance and height between manifolds for uniform etching according to the type of substrate.

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에 의한 에칭 매니폴드의 구조는 스윙 오실레이션 방식의 에칭 매니폴드의 구조에 있어서, 오실레이션 회동수단에 의해 스윙되며 하나 이상의 노즐을 구비하는 매니폴드와, 상기 매니폴드가 장착되어 지지되는 베이스판과, 상기 베이스판이 좌우로 수평이동할 수 있도록 상기 베이스판의 전면 상부 및 하부를 지지하는 상부 및 하부 브라켓을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in the structure of the etching manifold of the swing oscillation method, the structure of the etching manifold according to the present invention, swinging by oscillation rotating means and having a manifold having one or more nozzles It is characterized in that it comprises a fold, the base plate on which the manifold is mounted and supported, and the upper and lower brackets for supporting the front upper and lower portions of the base plate so that the base plate can move horizontally from side to side.

상기한 구성에 의하면, 매니폴드가 장착된 베이스판이 좌우로 이동가능하여 매니폴드를 스윙할 수 있을 뿐만 아니라, 매니폴드를 수평방향으로 이동시킬 수 있고 매니폴드간의 거리를 조절할 수 있다. 따라서 매니폴드의 회동 및 수평이동이 가능하여 퍼들현상 및 사이드 에칭을 최소화하여 균일한 에칭이 가능하고 미세패턴 형성이 가능한 이점이 있다. According to the above configuration, the base plate on which the manifold is mounted can be moved left and right, not only to swing the manifold, but also to move the manifold horizontally and to adjust the distance between the manifolds. Therefore, the manifold can be rotated and moved horizontally, thereby minimizing puddle phenomenon and side etching, thereby enabling uniform etching and forming a fine pattern.

바람직하게는, 베이스판이 상하로 이동할 수 있도록 상기 베이스판의 상부 및 하부에는 길이방향의 장방의 높이조정홈이 형성되고 상기 높이조정홈에 체결되는 체결수단을 구비된다.Preferably, the top and bottom of the base plate in the longitudinal direction of the height adjustment groove is formed in the upper and lower portions so that the base plate can move up and down is provided with a fastening means fastened to the height adjustment groove.

상기한 구성에 의하면, 베이스판에 장착된 매니폴드가 상하 방향으로도 이동이 가능하여, 에칭되어야 하는 다양한 제품에 맞추어 매니폴드의 높이를 조정할 수 있는 이점이 있다. According to the above configuration, the manifold mounted on the base plate can be moved in the vertical direction, so that the height of the manifold can be adjusted according to various products to be etched.

또한, 상기 베이스판은 좌우이동이 가능한 베이스판 이동부재와 상기 베이스판 이동부재의 후면을 지지하도록 체결된 베이스판 지지부재로 구성되고, 상기 베이스판 이동부재는 다수개로 분리되어 있고 각각에 매니폴드가 장착되는 구조인 것을 특징으로 한다.In addition, the base plate is composed of a base plate movable member which is movable left and right and a base plate support member fastened to support the rear surface of the base plate moving member, the base plate moving member is separated into a plurality of manifold on each It is characterized in that the structure is mounted.

이러한 구성에 의하면, 에칭되어야 하는 기판의 종류에 따라 매니폴드 간의 간격을 조정할 수 있어 더욱 균일한 에칭을 달성할 수 있는 이점이 있다. According to such a structure, the space | interval between manifolds can be adjusted according to the kind of board | substrate which should be etched, and there exists an advantage which can achieve more uniform etching.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 고안의 구성에 대해 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the configuration of the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in more detail.

도 3은 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조를 나타내는 개략적 사시도이고, 도 4는 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조를 나타내는 개략적 측면도이고, 도 5는 본 고안에 의한 바람직한 일 실시예에 의한 에칭 매니폴드의 구조에 의한 매니폴드의 작동상태를 나타내는 개략적 정면도이다.Figure 3 is a schematic perspective view showing the structure of the etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4 is a schematic side view showing the structure of the etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 5 Is a schematic front view showing the operating state of the manifold by the structure of the etching manifold according to a preferred embodiment of the present invention.

상기 도면들을 참조하면, 본 고안에 의한 에칭 매니폴드의 구조는 스윙 오실레이션 방식의 에칭 매니폴드의 구조에 있어서, 오실레이션 회동수단에 의해 스윙되며 하나 이상의 노즐(32)을 구비하는 매니폴드(30)와, 상기 매니폴드(30)가 장착되어 지지되는 베이스판과, 상기 베이스판이 좌우로 수평이동할 수 있도록 상기 베 이스판의 전면 상부 및 하부를 지지하는 상부 및 하부 브라켓(36a, 36b)을 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, the structure of the etching manifold according to the present invention is a swing oscillation structure of the etching manifold, swinging by the oscillation rotation means and the manifold 30 having one or more nozzles 32 ), A base plate on which the manifold 30 is mounted and supported, and upper and lower brackets 36a and 36b for supporting the front upper and lower portions of the base plate so that the base plate can move horizontally from side to side. It is configured by.

상기 베이스판은 일체로 구성되어 장착된 매니폴드(30)를 일괄적으로 수평이동시킬 수 있는 구조로 구성될 수 있다. 또한 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 좌우이동이 가능한 베이스판 이동부재(34a)와 상기 베이스판 이동부재(34a)의 후면을 지지하도록 체결된 베이스판 지지부재(34b)로 구성되고, 상기 베이스판 이동부재(34a)는 다수개로 분리되어 있고 각각에 매니폴드(30)가 장착되는 구조로 구성될 수 있다. 이런 구성에 의하면, 필요에 따라 매니폴드(30) 간의 간격을 조정할 수 있다. The base plate may be configured in a structure capable of horizontally moving the manifold 30 mounted integrally and integrally. In addition, as shown in Figure 3 and Figure 4 is composed of a base plate moving member (34a) capable of moving left and right and the base plate support member 34b fastened to support the back of the base plate moving member (34a), Base plate moving member (34a) is divided into a plurality and may be of a structure in which the manifold 30 is mounted on each. According to this structure, the space | interval between the manifolds 30 can be adjusted as needed.

바람직하게는, 상기 베이스판이 상하로 이동할 수 있도록, 상기 베이스판 지지부재(34b)의 상부 및 하부에는 길이방향의 장방의 높이조정홈(38)이 형성되고 상기 높이조정홈(38)에 체결되는 체결수단이 구비된다. 상기 체결수단은 높이 고정볼트(39a) 및 너트(39b)로 구성될 수 있다.Preferably, the upper and lower height adjustment grooves 38 in the longitudinal direction are formed on the upper and lower portions of the base plate support member 34b so that the base plate can move up and down and fastened to the height adjustment grooves 38. Fastening means are provided. The fastening means may be composed of a height fixing bolt (39a) and a nut (39b).

또한, 상기 하부 브라켓(36b)에는 가로방향의 간격조정홈(35a)이 구비되고 상기 간격조정홈(35a)을 통해 상기 베이스판 이동부재(34a)에 체결되어 상기 베이스판 이동부재(34a)를 좌우로 수평이동시킬 수 있는 베이스판 조정볼트(35)가 추가로 구비될 수 있다. In addition, the lower bracket 36b is provided with a horizontal gap adjusting groove 35a and is fastened to the base plate moving member 34a through the gap adjusting groove 35a to secure the base plate moving member 34a. Base plate adjustment bolt 35 that can be moved horizontally left and right may be further provided.

나아가, 베이스판 이동부재(34a)를 좌 또는 우로 수평이동하여 매니폴드(30)의 위치를 조절한 후 이 상태를 고정하기 위해 상기 상부 및 하부 브라켓(36a, 36b)과 베이스판에 체결되는 좌우 고정볼트(33)가 구비된다.Furthermore, after adjusting the position of the manifold 30 by horizontally moving the base plate moving member 34a left or right, the left and right fastened to the upper and lower brackets 36a and 36b and the base plate to fix this state. Fixing bolt 33 is provided.

나아가, 베이스판 전면에는 정확한 매니폴드(30)의 위치를 설정하기 위한 눈금자(37)가 더 설치될 수 있다.Furthermore, the front of the base plate may be further provided with a ruler 37 for setting the correct position of the manifold (30).

상기 오실레이션 회동수단은 상기 매니폴드(30)의 일단부와 결합되어 상기 매니폴드(30)를 일정 각도로 스윙하는 구동축(40)과 상기 구동축(40)을 구동하는 모터로 구성된다. 상기 오실레이션 회동수단은 공지된 다양한 기술이 적용될 수 있다. 즉, 상기 모터에 캠링크를 이용하여 매니폴드(30)가 왕복 회전운동하도록 할 수 있다. The oscillation rotation means is composed of a drive shaft 40 coupled to one end of the manifold 30 swinging the manifold 30 at a predetermined angle and a motor for driving the drive shaft 40. The oscillation rotation means may be applied a variety of known techniques. That is, the manifold 30 may be reciprocated using the cam link in the motor.

미설명 부호 42는 매니폴드(30) 스윙시 흔들림을 방지하기 위한 지지볼트로서 종래 에칭 매니폴드의 구조와 동일한 구조와 기능을 하는 것으로 자세한 설명은 생략한다. Reference numeral 42 is a support bolt for preventing shaking during swing of the manifold 30, and has the same structure and function as that of the conventional etching manifold.

이하, 도 3 내지 도 5를 참조하며 상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 에칭 매니폴드의 구조의 작용 내지 효과에 대해 살펴보기로 한다.3 to 5, the operation and effects of the structure of the etching manifold according to the present invention configured as described above will be described.

먼저 에칭하고자 하는 기판이 로딩되면, 좌우 고정볼트(33)를 풀어 상부 및 하부 브라켓(36a,36b)에 의해 지지되는 베이스판 이동부재(34a)를 에칭할 기판의 조건에 맞추어 좌우로 수평이동하여 위치를 맞춘다. 이때 간격조정홈(35a)을 통해 베이스 이동부재(34a)에 체결된 베이스판 조정볼트(35)를 좌우로 이동하며, 베이스판 지지부재(34b) 전면 하부에 설치된 눈금자(37)를 참조하면 더욱 정확한 위치를 설정할 수 있다. 이렇게 베이스판 이동부재(34a) 위치를 조정하면, 베이스판 이동부재(34a)에 각각 장착된 매니폴드(30)의 위치 및 간격이 조정된다. 이 상태에서 좌우 고정볼트(33)를 돌려 매니폴드(30)의 위치 및 간격을 고정한다. First, when the substrate to be etched is loaded, loosen the left and right fixing bolts 33 and horizontally move the base plate moving member 34a supported by the upper and lower brackets 36a and 36b to the conditions of the substrate to be etched. Set the position. At this time, the base plate adjusting bolt 35 fastened to the base moving member 34a through the gap adjusting groove 35a is moved to the left and right, and referring to the ruler 37 installed at the front lower portion of the base plate supporting member 34b. You can set the exact position. By adjusting the position of the base plate moving member 34a in this way, the position and spacing of the manifolds 30 mounted on the base plate moving member 34a, respectively, are adjusted. In this state, turn the left and right fixing bolts 33 to fix the position and spacing of the manifold 30.

다음, 매니폴드(30)의 상하 높이를 맞추기 위해 베이스판 지지부재(34b)의 상부 및 하부에 형성된 장방의 높이조정홈(38)에 체결된 높이 고정볼트(39a)를 풀어 베이스판 지지부재(34b)를 상방 또는 하방으로 이동하여 높이를 조정한다. 이 상태에서 높이 고정볼트(39a)에 너트(39b)를 체결하면, 베이스판 이동부재(34a)에 장착된 매니폴드(30)의 높이 조정이 완료된다. Next, in order to match the upper and lower heights of the manifold 30, by loosening the height fixing bolt 39a fastened to the long height adjustment grooves 38 formed on the upper and lower portions of the base plate support member 34b, the base plate support member ( Move 34b) up or down to adjust the height. When the nut 39b is fastened to the height fixing bolt 39a in this state, the height adjustment of the manifold 30 mounted on the base plate moving member 34a is completed.

이 상태에서 종래의 에칭 매니폴드와 같이 오실레이션 회동수단을 이용하여 매니폴드(30)를 스윙하여 오실레이션하면서 노즐(32)을 통해 에칭액 등을 기판 표면에 균일하게 분사할 수 있다. In this state, etching liquid or the like can be uniformly sprayed on the surface of the substrate through the nozzle 32 while oscillating by swinging the manifold 30 using the oscillation rotating means as in the conventional etching manifold.

이상에서 설명한 본 고안은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have

상술한 바와 같이 구성된 본 고안의 스윙 오실레이션 방식의 에칭 매니폴드의 구조에 의하면, 매니폴드가 장착된 베이스판이 좌우로 수평이동할 수 있어 매니폴드의 수평이동 및 매니폴드 간의 간격조정도 가능하다. 따라서 매니폴드의 회동(스윙) 뿐만 아니라 수평이동이 가능하여 다양한 종류의 기판에 맞추어 최적의 균일 에칭조건을 설정할 수 있는 효과를 도모할 수 있다. 그러므로 본원 고안은 다양한 종류의 기판을 습식에칭할 때 퍼들현상 및 사이드에칭의 최소화 그리고 미세패턴 형성에 기여할 수 있다. According to the structure of the swing oscillation etching manifold of the present invention configured as described above, the base plate on which the manifold is mounted can move horizontally from side to side, so that the horizontal movement of the manifold and the space between the manifolds can be adjusted. Therefore, the manifold can be rotated (swing) as well as horizontally moved to achieve the effect of setting the optimum uniform etching conditions for various kinds of substrates. Therefore, the present invention may contribute to minimizing puddle phenomenon and side etching and forming micro patterns when wet etching various kinds of substrates.

Claims

In the structure of the etching manifold of the swing oscillation method,

A manifold swinging by oscillation pivoting means and having one or more nozzles;

A base plate on which the manifold is mounted and supported; And

It is configured to include an upper and lower brackets for supporting the front upper and lower portions of the base plate so that the base plate can move horizontally from side to side,

Etching manifold structure characterized in that the upper and lower portions of the base plate in the longitudinal direction of the height adjustment groove is formed in the upper and lower portions of the base plate so that the base plate can move up and down and is fastened to the height adjustment groove.

delete

The method of claim 1,

The base plate is composed of a base plate moving member which is movable left and right and a base plate support member fastened to support the rear surface of the base plate moving member, and the base plate moving member is separated into a plurality and each has a manifold mounted thereon. The structure of the etching manifold characterized by the above-mentioned structure.

The base plate adjusting bolt of claim 3, wherein the lower bracket is provided with a horizontal gap adjusting groove and is fastened to the base plate moving member through the gap adjusting groove to horizontally move the base plate moving member from side to side. The structure of the etching manifold, characterized in that provided.

According to claim 1, After adjusting the position of the manifold by moving the base plate to the left or right horizontally fixed left and right fixing bolts for fastening the upper and lower brackets and the base plate is provided Structure of the etching manifold.

The structure of an etch manifold according to claim 1, wherein a ruler is further provided on the front surface of the base plate.