KR200414686Y1 - 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈. - Google Patents

탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈. Download PDF

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Abstract

본 고안은 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈에 관한 것으로, IC 메모리 칩이 분리 가능하도록 설치되는 메모리 모듈은 복수의 인쇄회로 세트가 형성된 베이스플레이트, 베이스플레이트의 일면 또는 양면에 형성된 하나 이상의 IC 매설 틀 및 각 IC 매설 틀 내부에 포함된 탄성고무 커넥터를 포함하여 구성한다.
탄성고무 커넥터는 가로 세로 매트릭스 형태로 배열된 일군의 전도성 탄성 모듈로 구성되는 전도성 탄성 매트릭스를 내장하는 절연 탄성 실리콘 고무층을 포함하며, 해당 IC 매설 틀 내부에 포함된 탄성고무 커넥터는 내장하는 전도성 탄성 모듈을 통하여 베이스플레이트의 해당 인쇄회로 세트와 전기적으로 연결된다.
따라서, 메모리 모듈은 표면실장기술, 솔더링 페이스트, 플럭스를 사용하지 않고 IC 메모리 칩이 분리 가능한 방식으로 설치가능 하여 IC 메모리 칩의 설치 및 설치된 IC 메모리 칩의 유지보수나 교체를 쉽게 하는 장점을 가진다.
메모리 모듈, IC 매설 틀, 탄성고무 커넥터, 칩 유지보수

Description

탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈.{MEMORY MODULE WITH RUBBER SPRING CONNECTOR}
도 1은 종래 형태의 메모리 모듈을 나타내는 개략도.
도 2는 본 고안에 의한 메모리 모듈의 구성을 나타낸 개략도.
도 3은 도 2의 탄성고무 커넥터 구성을 확대하여 나타낸 개략도.
도 4는 도 2에서 선 4-4를 따라 취하여 나타낸 확대 단면도.
도 5는 본 고안에 따른 메모리 모듈의 응용 예를 보여주는 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
20: 메모리 모듈 21: 베이스플레이트
22: 인쇄회로 세트 23: 접촉부
30: IC 매설 틀 40: 탄성고무 커넥터
41: 절연 탄성 실리콘 고무층 45: 전도성 탄성 매트릭스
50: 이동식 커버 70: BGA IC 메모리 칩
75: 주석 볼 80: 비(non) BGA IC 메모리 칩
본 고안은 메모리 모듈에 관한 것으로서, 상세하게는, IC메모리 칩이 분리 가능하게 장착되도록 하는 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈에 관한 것이다.
도 1에 나타낸 바와 같은 종래의 메모리 모듈(10)은 통상 인쇄회로기판(PCB)(11) 의 일면 또는 양면에 IC 메모리 칩(70)을 솔더링하여 고정적으로 장착한 구조를 갖는다.
도 1에 나타난 메모리 모듈(10)을 하나의 예로서 살펴보면, PCB(11)는 일면에 동일한 기능을 하는 복수의 인쇄회로 세트(12)를 갖는다.
각 인쇄회로 세트(12)는 여러 전도성 접촉부(13)를 갖는데, IC 메모리 칩(70)은 해당하는 인쇄회로 세트(12)와 솔더링에 의해 전도성 접촉부(13)를 통해 전기적으로 연결되어 PCB(11)에 실장 될 수 있다.
따라서, PCB(11)에 복수의 IC 메모리 칩(70)이 동일한 방식으로 배치 및 설치되어 하나의 메모리 모듈(10)을 형성할 수 있다.
메모리 모듈(10)에 있어서, IC 메모리 칩(70)이 메모리 모듈(10)의 핵심 소자이고, IC 메모리 칩(70) 패키징 방법은 박소형 아웃라인 패키지(thin small outline package, TSOP)로부터 볼 그리드 어레이(ball grid array, BGA)를 포함하도록 점진적으로 발전되었다.
BGA 방식으로 패키지 된 IC 메모리 칩(70)을 이하 “BGA IC 메모리 칩”으로 지칭한다. BGA IC 메모리 칩은 저면에 형성되어 전기적 접촉부로 기능 하는 복수의 주석 볼들을 갖는다.
도 1에 나타난 바와 같이, BGA IC 메모리 칩(70)은 표면실장기술(surface mount technology, SMT)을 이용하여 PCB(11) 상에 설치될 수 있다. 즉, BGA IC 메모리 칩(70)의 주석 볼들을 PCB(11) 상에 있는 각 인쇄회로 세트(12)의 해당 전도성 접촉부(13)와 솔더링으로 연결하여 BGA IC 메모리 칩(70)을 PCB(11) 상에 안정적으로 고정시킨다.
그러나, 주석 볼과 솔더링에 의해 BGA IC 메모리 칩(70)을 PCB(11) 상에 고정시키는 것의 단점은 BGA IC 메모리 칩(70)의 교체 및 유지보수에 불편을 초래한다는 것이다.
BGA IC 메모리 칩(70)을 수리할 때, BGA IC 메모리 칩(70)의 분리를 위해 원래의 주석 볼들을 고온으로 디솔더링 하여 제거해야 할 뿐만 아니라, 새로운 주석 볼들을 BGA IC 메모리 칩(70)에 매립(embed)한 후, 수리된 BGA IC 메모리 칩(70)을 PCB(11) 상에 다시 위치시키고 솔더링 하여야 한다. 하지만, 새로운 주석 볼들의 매립 및 수리된 BGA IC 메모리 칩(70)의 위치 재장착에는 몇 가지 어려움이 따른다.
특히, 고온으로 디솔더링 하여 주석 볼들을 제거하는 과정에서 PCB(11) 상에 솔더링 된 정상적인 BGA IC 메모리 칩(70)이 고온에 의해 손상되기 쉽고, 제거된 주석 볼들 및 새로운 주석 볼들을 매립하는데 사용되는 솔더링과 플럭스는 해로운 환경오염을 유발할 수 있다.
BGA IC 메모리 칩의 유지보수 및 교체에 따른 불편을 제거하기 위해, 본 고 안은 솔더링 페이스트, 플럭스가 필요없이 BGA IC 메모리 칩이 분리 가능하게 설치되는 새로운 메모리 모듈을 제공하는데 목적이 있다.
본 고안에 개시된 새로운 메모리 모듈은 BGA IC 메모리 칩이 쉽고 편리하게 설치, 유지보수 또는 교체 가능하고 환경의 보호에도 유리한 한 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈을 제공하는데 목적이 있다.
본 고안에 따른 메모리 모듈은 동일한 기능을 갖는 복수의 인쇄회로 세트가 형성된 베이스플레이트, 베이스플레이트의 일면 또는 양면에 형성된 하나 이상의 IC 매설 틀 및 각 IC 매설 틀 내부에 포함된 탄성고무 커넥터를 포함하고, 탄성고무 커넥터는 베이스플레이트의 해당 인쇄회로 세트와 전기적으로 연결된다.
따라서, 메모리 모듈은 표면실장기술, 솔더링 페이스트, 플럭스를 사용하지 않고 BGA IC 메모리 칩이 분리 가능한 방식으로 IC 매설 틀에 쉽게 설치되고 또한 IC 매설 틀로부터 설치된 BGA IC 메모리 칩은 쉽게 제거될 수 있다.
IC 매설 틀 내부에 포함된 탄성고무 커넥터는 가로 세로 매트릭스 형태로 배열된 일군의 전도성 탄성 모듈로 구성되는 전도성 탄성 매트릭스를 내장하는 절연 탄성 실리콘 고무층을 포함한다.
따라서, BGA IC 메모리 칩이 메모리 모듈의 베이스플레이트에 고정된 IC 매설 틀에 설치될 때, 표면실장기술이나 솔더링 페이스트 또는 플럭스가 필요없이 탄성고무 커넥터의 전도성 탄성 매트릭스에 의해 BGA IC 메모리 칩과 베이스플레이트의 해당 인쇄회로 세트 사이에 양호한 전기적 연결이 즉시 형성된다.
결과적으로, BGA IC 메모리 칩을 수리 또는 교체할 필요가 있는 경우, 수리 또는 교체 작업은 고온의 디솔더링 과정이 필요 없이 손상된 BGA IC 메모리 칩을 제거하고 새로운 메모리 칩을 설치하는 것으로 가능하다.
BGA IC 메모리 칩의 기억 용량을 증가시키는 업그레이드를 하고자 할 때, 사용자는 보다 큰 기억 용량을 가진 새로운 BGA IC 메모리 칩으로 BGA IC 메모리 칩을 쉽게 교체할 수 있다. 이러한 유리한 효과는 다음과 같이 요약될 수 있다.
1. BGA IC 메모리 칩의 유지보수 및 교체 작업이 훨씬 쉽고 간단해진다.
2. 주석 볼들의 재매설에 소요되는 비용과 작업량을 절감할 수 있다.
3. 특별한 위치설정의 문제 없이 언제나 BGA IC 메모리 칩의 유지보수 및 교체가 가능하다.
4. 높은 솔더링 온도에 의해 BGA IC 메모리 칩이 손상되지 않는다.
5. 메모리 용량을 늘리기 위한 BGA IC 메모리 칩의 교체 또는 업그레이드 작업이 사용자 자신에 의해 쉽게 가능하다.
6. 솔더링 페이스트 및 플럭스를 사용하지 않으므로 환경보호에 유리하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 2 및 도 4에 나타난 바와 같이, 본 고안에 따른 메모리 모듈(20)은 저면에 주석 볼(75)이 형성된 BGA IC 메모리 칩(70)이 분리 가능한 방식으로 메모리 모듈(20)에 설치되도록 구성된다.
본 고안에 따른 메모리 모듈(20)은 베이스플레이트(21) 및 베이스플레이트(21)의 일면 또는 양면에 안정적으로 고정된 하나 이상의 IC 매설 틀(30)를 포함하도록 구성된다. 특히, 각 IC 매설 틀(30)은 하나의 이동식 커버(50)와 결합되고, 전기적 커넥터로 작용하는 탄성 고무 커넥터(40)를 내부에 포함하여 표면실장기술이나 솔더링 페이스트 또는 플럭스가 필요없이 BGA IC 메모리 칩(70)을 메모리 모듈(20)에 쉽게 설치하고 또한 메모리 모듈(20)로부터 쉽게 제거할 수 있도록 한다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 베이스플레이트(21)는 본 고안의 메모리 모듈(20) 설치용 인쇄회로 기판이다.
동일한 기능을 하는 복수의 인쇄회로 세트(22)가 베이스플레이트(21)의 일면 또는 양면에 배치된다.
베이스플레이트(21)의 각 인쇄회로 세트(22)는 상응하는 IC 매설 틀(30)이 베이스플레이트(21)에 안정적으로 고정된 후에 해당 IC 매설 틀(30)과 전기적으로 연결된다.
각 인쇄회로 세트(22)는 복수의 접촉부(23)를 갖는데, 이 접촉부(23)를 통해 해당 IC 매설 틀(30) 내부에 포함된 탄성 고무 커넥터(40)와 전기적으로 연결된다.
도 2 및 도 3에 나타난 바와 같이, 상기의 각 탄성고무 커넥터(40)는 절연 탄성 실리콘 고무층(41)을 포함하는데, 이 절연 탄성 실리콘 고무층(41)은 가로 세로의 매트릭스 형태로 배열된 일군의 전도성 탄성 모듈로 구성된 전도성 탄성 매트릭스(45)를 포함한다.
또한, 탄성 고무 커넥터(40)는 신축성과 전기 전도성을 갖는 탄성체를 이루고, 탄성 고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)를 통하여 분리된 회로를 연결하므로 전체 회로에 전류가 흐르도록 하는 커넥터 역할을 한다.
탄성체인 탄성고무 커넥터(40)에 있어서, 탄성고무 커넥터(40)의 절연 탄성 실리콘 고무층(41)에 외력이 작용하거나 충돌이 발생할 경우, 탄성고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)에 배열된 전도성 탄성 모듈은 외력의 작용 또는 충돌시 수축 변형되고, 외력이 사라지면 원래의 모습으로 확장되어 외력 또는 충돌에 의한 영향을 흡수하는 완충 효과가 있다.
탄성고무 커넥터(40)가 베이스플레이트(21)의 한 IC 매설 틀(30)에 삽입된 이후에, 탄성고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)와 전기적으로 연결된 해당 인쇄회로 세트(22)의 접촉부(23)를 통해 탄성고무 커넥터(40)와 베이스플레이트(21)의 해당 인쇄회로 세트(22) 사이에 전기적 연결이 이루어진다.
도 2 및 도 4에 나타난 바와 같이, 메모리 모듈(20)의 해당 IC 매설 틀(30)과 결합되는 이동식 커버(50)를 이동시켜 해당 IC 매설 틀(30)이 개방되었을 때, BGA IC 메모리 칩(70)이 메모리 모듈(20)의 해당 IC 매설 틀(30)에 분리 가능한 방식으로 자유롭게 설치되거나 설치된 BGA IC 메모리 칩(70)이 메모리 모듈(20)의 해당 IC 매설 틀(30)로부터 제거될 수 있다.
나중에 이동식 커버(50)를 이동시켜 해당 IC 매설 틀(30)을 다시 폐쇄 상태로 하였을 때, 메모리 모듈(20)의 해당 IC 매설 틀(30)에 설치된 BGA IC 메모리 칩(70)이 움직이지 못하게 된다.
이때, 도 4에 나타난 바와 같이, BGA IC 메모리 칩(70)의 저면에 형성된 주석 볼(75)들은 해당 IC 매설 틀(30) 안에 포함된 탄성 고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)와 접촉되어 가압하고, 내장된 BGA IC 메모리 칩(70)의 주석 볼(75)들 과 탄성고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)가 견고한 접촉으로 양호한 전기적 연결을 형성하며, 이로써 내장된 BGA IC 메모리 칩(70)과 베이스플레이트(21) 상의 한 인쇄회로 세트(22) 사이에 전기적 연결이 연장 형성된다.
그러므로, 본 고안의 메모리 모듈(20)에 BGA IC 메모리 칩(70)을 설치하기 위해 표면실장기술, 솔더링 페이스트, 플럭스가 요구되지 않으므로 메모리 모듈(20)에 설치된 BGA IC 메모리 칩(70)의 교체 및 유지보수가 특별한 위치설정에 따른 문제 없이 언제라도 이루어질 수 있다.
바꾸어 말하면, 본 고안의 메모리 모듈(20)은 BGA IC 메모리 칩(70)의 교체 및 유지보수 작업을 훨씬 쉽고 간단하게 행할 수 있고, BGA IC 메모리 칩(70)의 설치를 환경 친화적으로 행하여 지므로 환경보호에도 유리한 효과가 있다.
본 고안에 따른 메모리 모듈(20)에서 결함이 있는 BGA IC 메모리 칩(70)이 발견되어 수리 또는 교체되어야 할 경우, 수리 또는 교체 작업은 결함 있는 BGA IC 메모리 칩(70)을 메모리 모듈(20)의 해당IC 매설 틀(30)로부터 제거하고 새로운 BGA IC 메모리 칩(70)을 해당 IC 매설 틀(30)에 설치하는 것으로 충분하다.
즉, 수리 또는 교체 작업은 편리하고 간단하여 고온의 디솔더링 과정이 필요하지 않으므로 정상적인 BGA IC 메모리 칩(70)이 고온으로 인해 손상될 염려가 없다.
메모리 모듈(20)을 업그레이드하여 BGA IC 메모리 칩(70)의 기억 용량을 증가시키고자 할 때, 사용자는 아무런 문제 없이 설치된 BGA IC 메모리 칩(70)을 메모리 모듈(20)의 해당 IC 매설 틀(30)로부터 제거하고 보다 큰 기억 용량을 가진 새로운 BGA IC 메모리 칩(70)을 설치함으로써 메모리 모듈(20)을 업그레이드할 수 있 다.
또한, 본 고안에 따른 메모리 모듈(20)은 다른 종류의 IC 메모리 칩을 분리 가능한 방식으로 메모리 모듈(20)에 설치할 수 있도록 한다.
도 5에 나타난 바와 같이, 평탄한 저면에 전도성 접촉부(85)를 갖는 일종의 비 BGA(non-BGA) 타입의 IC 메모리 칩(80)이 메모리 모듈(20)의 IC 매설 틀(30)에 손쉽고 자유롭게 설치되거나 IC 매설 틀(30)로부터 제거될 수 있다.
전술한 BGA IC 메모리 칩(70)의 경우와 마찬가지로 표면실장기술이나 솔더링 페이스트 또는 플럭스의 필요가 없이 비 BGA IC 메모리 칩(80)의 유지보수 및 교체가 가능하다.
상기한 바와 같이, 탄성고무 커넥터를 포함하는 메모리 모듈은 BGA IC 메모리 칩을 설치하기 위해 표면실장기술이나 솔더링 페이스트 또는 플럭스의 필요없이 메모리 모듈에 설치된 BGA IC 메모리 칩의 교체 및 유지보수가 간단하게 이루어질 수 있도록 하며, BGA IC 메모리 칩의 설치를 환경 친화적으로 할 수 있도록 한다.
또한, BGA IC 메모리 칩의 유지보수 및 교체 작업이 훨씬 쉽고 간단해지고, 주석 볼들의 재매설에 소요되는 비용과 작업량을 절감할 수 있으며, 특별한 위치설정의 문제없이 언제나 BGA IC 메모리 칩의 유지보수 및 교체 가능한 효과가 있다.
또한, 높은 솔더링 온도에 의해 BGA IC 메모리 칩이 손상되지 않고, 메모리 용량을 늘리기 위한 BGA IC 메모리 칩의 교체 또는 업그레이드 작업을 사용자가 직접 쉽게 행할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 복수의 인쇄회로 세트가 형성된 베이스플레이트(21);
    베이스플레이트(21)의 일면 또는 양면에 형성된 하나 이상의 IC 매설 틀(30); 및
    각 IC 매설 틀(30) 내부에 포함된 탄성고무 커넥터(40)를 포함하고,
    탄성고무 커넥터(40)는 가로 세로 매트릭스 형태로 배열된 일군의 전도성 탄성 모듈로 구성되는 전도성 탄성 매트릭스(45)를 내장하는 절연 탄성 실리콘 고무층(41)을 포함하며,
    해당 IC 매설 틀(30) 내부에 포함된 탄성고무 커넥터(40)는 내장하는 전도성 탄성 모듈을 통하여 베이스플레이트(21)의 해당 인쇄회로 세트(22)와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    베이스플레이트(21)에 고정된 각 IC 매설 틀(30)은 이동식 커버(50)와 결합되고, 이동식 커버(50)를 움직여 해당 IC 매설 틀(30)을 개폐하는 것을 특징으로 하는 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    저면에 주석 볼(75)을 가진 BGA IC 메모리 칩(70) 또는 평평한 저면에 전도 성 접촉부를 가진 비(non) BGA IC 메모리 칩(80)이 각 IC 매설 틀(30)에 추가적으로 내장되고, 내장된 IC 메모리 칩이 주석 볼(75) 또는 전도성 접촉부(23)를 통해 해당 IC 매설 틀(30)의 내부에 포함된 탄성고무 커넥터(40)의 전도성 탄성 매트릭스(45)와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 탄성고무 커넥터를 갖는 메모리 모듈.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11129278B2 (en) 2018-01-02 2021-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Camera module having elasticity and mobile device with the same

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