KR20040102418A

KR20040102418A - method for detecting error

Info

Publication number: KR20040102418A
Application number: KR1020030033788A
Authority: KR
Inventors: 임동규
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2003-05-27
Filing date: 2003-05-27
Publication date: 2004-12-08

Abstract

PURPOSE: A method of detecting errors is provided to improve the exactness by extracting automatically OPC(Optical Proximity Correction) parameters using SEM(Scanning Electron Microscope) images instead of a conventional intra/extrapolation manner. CONSTITUTION: A database of a peripheral region of a predetermined layer is prepared. The predetermined layer is patterned. The patterned structure is automatically recognized with SEM images and the images are embodied in a contour map. The difference between the contour map and the final goal in patterning-result of each position is calculated. A sector dividing process for OPC and an automatic OPC process are performed.

Description

Method for detecting error

본 발명은 에러검출방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 제조 공정 중 OPC(Optical Proximity Correction)을 실시해야 하는 모든 디바이스에 적용가능한 에러검출방법에 관한 것이다.The present invention relates to an error detection method, and more particularly, to an error detection method applicable to all devices that need to perform optical proximity correction (OPC) during a semiconductor manufacturing process.

현재, 자동 OPC 시스템은 페리지역, 코아지역 및 센스 엠프지역의 패턴을 대변할 수 있는 몇가지 패턴을 이용하여 필요한 파라미터(parameter)를 추출하여 실제 페리지역, 코아지역 및 센스 엠프지역의 레이아웃을 내/외삽을 통해 OPC하는 절차를 밟고 있다.Currently, the automatic OPC system extracts the necessary parameters using several patterns that can represent the patterns of ferry area, core area and sense amp area to produce the layout of actual ferry area, core area and sense amp area. Extrapolation is underway.

도 1은 종래 기술에 따른 에러검출방법을 개략적으로 나타낸 플로챠트이다1 is a flowchart schematically showing an error detection method according to the prior art.

종래의 에러검출방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, OPC할 레이어에 대한 주변회로 데이터 베이스를 마련한 다음, 상기 레이어를 패터닝한다. 그런 다음, 작업자가 수작업으로 패터닝 결과물에 대한 이미지를 검색하여 등고선 지도(contourmap)을 분석하고, 등고선 지도와 최종 고울(final goal) 간의 차이를 계산함으로서, 에러를 검출하였다.In the conventional error detection method, as shown in FIG. 1, a peripheral circuit database for a layer to be OPC is prepared, and then the layer is patterned. The operator then detected the error by manually searching the image for the patterned result, analyzing the contour map, and calculating the difference between the contour map and the final goal.

그러나, 종래의 기술에서는 최근 디바이스가 점차 축소됨에 따라, 이러한 접근 방법에 의한 에러가 다량 발생되는 문제점이 있었다.However, in the related art, as the device is gradually reduced in recent years, there is a problem that a large amount of errors are generated by this approach.

따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 상기한 에러를 최소화할 수 있는 에러검출방법을 제공하려는 것이다.Accordingly, in order to solve the above problem, the present invention is to provide an error detection method that can minimize the above error.

도 1은 종래 기술에 따른 에러검출방법을 개략적으로 나타낸 플로챠트1 is a flow chart schematically showing an error detection method according to the prior art

도 2는 본 발명에 따른 에러검출방법을 개략적으로 나타낸 플로챠트.2 is a flow chart schematically showing an error detection method according to the present invention.

상기 문제점을 해결하고자, 본 발명의 에러검출방법은 OPC할 레이어에 대한 주변 회로의 데이터베이스를 마련하는 단계와, 레이어를 패터닝하는 단계와, 패터닝 결과물을 SEM사진으로 자동 인식하고 이미지를 등고선 지도로 구현하는 단계와, 각 위치의 패터닝 결과에 대해 상기 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산하는 단계와, 계산하여 얻은 데이터에 의해 OPC를 위한 섹터 분리 및 자동 OPC를 수행하는 단계와, 마스크를 제조하고 패터닝하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the error detection method of the present invention comprises the steps of preparing a database of the peripheral circuit for the layer to be OPC, patterning the layer, automatic recognition of the patterning result as a SEM picture and implement the image as a contour map Calculating a difference between the contour map and the final goul for the patterning result of each position, performing sector separation and automatic OPC for OPC by the data obtained, and manufacturing and patterning a mask. Characterized in that it comprises a step.

여기에서, 상기 마스크를 제조하고 패터닝하는 단계에서, 에러가 허용 오차 범위 밖인 경우에는 마스크 전체 영역의 패터닝 결과를 SEM사진으로 자동 인식하고 상기 이미지를 등고선 지도로 구현하는 단계와, 각 위치의 패터닝 결과에 대해 상기 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산하는 단계와, 계산하여 얻은 데이터에 의해 상기 OPC를 위한 섹터 분리 및 자동 OPC를 수행하는 단계를 추가한다.Here, in the manufacturing and patterning of the mask, if the error is outside the tolerance range, the patterning result of the entire area of the mask is automatically recognized as an SEM photograph and the image is implemented as a contour map, and the patterning result of each position And calculating the difference between the contour map and the final goul, and performing sector separation and automatic OPC for the OPC based on the data obtained.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 전(全) 마스크 필드의 모양 또는 여러 지역을 대변할 수 있는 일부분의 이미지를 등고선 지도로 구현하고, 여기에 OPC할 레이어를 패터닝한다. 이어, 패터닝 결과물에 대한 이미지를 자동으로 인식하여 에러를 검출하는 방식으로 진행된다.The present invention implements a contour map of the shape of the entire mask field or a portion of the image that can represent various regions, and pattern the layer to be OPC thereto. Subsequently, the method automatically detects an image of the patterning result to detect an error.

도 2는 본 발명에 따른 에러검출방법을 개략적으로 나타낸 플로챠트이다.2 is a flowchart schematically showing an error detection method according to the present invention.

본 발명의 에러검출방법은 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, OPC할 레이어에 대한 주변 회로의 데이터베이스를 마련한다. 이어, 상기 레이어를 패터닝한 다음, 패터닝 결과물에 대한 이미지를 SEM사진으로 자동 인식하고 등고선 지도를 분석한다. 그런 다음, 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산하고 나서, 이러한 데이타로 OPC를 위한 섹터(sector) 분리 및 자동 OPC를 수행한다. 상기 섹터 분리는 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산 과정을 진행한 후에 OPC 수행하기 이전에 최종 고울을 맞추기 위한 진행된다.The error detection method of the present invention first prepares a database of peripheral circuits for the layer to be OPC, as shown in FIG. Subsequently, after patterning the layer, an image of the patterned result is automatically recognized as an SEM photograph and the contour map is analyzed. Then, the difference between the contour map and the final goul is calculated, and then this data is used to perform sector separation and automatic OPC for the OPC. The sector separation proceeds to calculate the difference between the contour map and the final goblet and then to fit the final goblet before performing OPC.

좀 더 자세하게 설명하면, 상기 패터닝 결과를 SEM 사진으로 이미지를 얻어 각 위치별 고울(goal) 대비 실제 패터닝 결과물의 벗어난 정도를 계산하며, 이 과정에서 기존 CD(Critical Demension)를 이용하여 파라미터를 추출 때와 같은 OPC 필요 정보를 계산한다.In more detail, the patterning result is obtained as an SEM image to calculate the deviation of the actual patterning result from the goul for each position, and in the process of extracting the parameter using the existing CD (Critical Demension). Calculate OPC necessary information such as

이 후, 마스크 제조 및 패터닝한다. 이때, 에러가 허용 오차 범위 밖이면 다시 마스크 전체 영역의 패터닝 결과를 SEM사진으로 자동 인식하고 나서, 상술한 바와 동일하게 등고선 지도를 분석하고, 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산하고, OPC를 수행하는 일련의 과정을 거친다.Thereafter, the mask is manufactured and patterned. At this time, if the error is outside the tolerance range, the patterning result of the entire mask area is automatically recognized as an SEM photograph, and then the contour map is analyzed as described above, the difference between the contour map and the final goul is calculated, and the OPC is performed. It goes through a series of processes.

발명은 OPC 파라미터를 추출하는 대표 패턴들이 다른 여러 레이아웃의 OPC 결과를 정확히 예측 못할 만큼 피드백(feedback) 못하는 경우에도 적용 가능하다.The invention is also applicable when the representative patterns for extracting OPC parameters do not feed back enough to predict the OPC results of different layouts.

본 발명에 따르면, 기존의 방법처럼 CD측정에 따른 파라미터 추출이 아니라 주변 회로를 대변하는 몇 개의 레이어의 패터닝 결과를 SEM 이미지를 자동 인식하여 패터닝 결과물의 데이터와 비교분석해서 에러를 검출한다.According to the present invention, instead of the parameter extraction according to the CD measurement as in the conventional method, the SEM image is automatically recognized by the patterning result of several layers representing the peripheral circuits and compared with the data of the patterning result to detect an error.

이때, SEM 이미지를 자동 인식한 후, 등고선 지도로 분석하고, 등고선 지도와 최종 고울 간의 차이를 계산하여 얻은 데이타값을 이용하여 자동 OPC를 수행한다.At this time, the SEM image is automatically recognized, analyzed with a contour map, and automatic OPC is performed using data values obtained by calculating the difference between the contour map and the final mirror.

이상에서와 같이, 본 발명은 기존의 내/외삽을 통해 에러를 검출하는 방식 대신에 주변회로를 대변하는 몇 개의 레이아웃의 패터닝 결과를 SEM 이미지를 확보하는 방법을 통해 OPC 파라미터를 자동으로 추출함으로써, 보다 정확하게 에러를 검출할 수 있으므로 에러를 최소화할 수 있다.As described above, the present invention is to extract the OPC parameters automatically through the method of securing the SEM image of the patterning results of several layouts representing the peripheral circuits instead of the conventional way of detecting errors through the interpolation / extrapolation, The error can be detected more accurately, thereby minimizing the error.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.

Claims

Preparing a database of peripheral circuits for the layers to be OPC,

Patterning the layer;

Automatically recognizing the patterned result as an SEM photograph and implementing the image as a contour map;

Calculating a difference between the contour map and the final goul for the patterning result of each location;

Performing sector separation and automatic OPC for the OPC;

Fabricating and patterning a mask.

The method of claim 1, wherein in manufacturing and patterning the mask, the error is outside the tolerance range.

Automatically recognizing the patterning result of the entire area of the mask as a SEM photograph and implementing the image as a contour map;

And performing sector separation and automatic OPC for the OPC.