KR20040102368A - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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신이찌로 다무라
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Abstract

본 발명은 고휘도로 안정한 적색 발광을 갖는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 발광 영역을 갖는 유기층 (5), (5a) 또는 (5b) 중 적어도 일부에 하기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 혼합물이 포함되어 있다.
<화학식 I>
Y1-CH=CH-X1-CH=CH-Y2
<화학식 II>
Y3-CH=CH-X2
식 중, X1, X2는 안트라센기 등의 아릴기, Y1, Y2, Y3은 아릴아미노기를 나타낸다.

Description

유기 전계 발광 소자 {Organic Electroluminescence Device}
경량이면서 고효율인 평판 디스플레이(flat-panel display)가 예를 들면 컴퓨터나 텔레비젼 화면 표시용으로 열심히 연구, 개발되고 있다.
우선, 브라운관(CRT)은 휘도가 높고 색재현성이 좋기 때문에 현재 디스플레이로서 가장 많이 사용되고 있지만, 부피가 크고 무겁우며, 또한 소비 전력도 높다는 문제가 있다.
또한, 경량이면서 고효율인 평판 디스플레이로서, 액티브 매트릭스 구동 등의 액정 디스플레이가 상품화되어 있다. 그러나, 액정 디스플레이는 시야각이 좁고, 또한 자발광이 아니기 때문에 주위가 어두운 환경하에서는 백 라이트의 소비 전력이 크거나, 금후 실용화가 기대되는 고정밀도의 고속 비디오 신호에 대해 충분한 응답 성능을 지니지 않은 등의 문제점이 있다. 특히, 대형 화면 크기의 디스플레이를 제조하기가 곤란하고, 그 비용이 많이 드는 등의 과제도 있다.
이에 대한 대체로서 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 가능성이 있지만, 역시 제조 비용이 높고, 또한 1개의 기판 위에 발광 다이오드의 매트릭스 구조를 형성하기가 어려운 등의 문제가 있고, 브라운관을 대체하는 저가격의 디스플레이 후보로서는 실용화까지의 과제가 크다.
이러한 여러 가지 과제를 해결할 가능성이 있는 평판 디스플레이로서, 최근 유기 발광 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)가 주목받고 있다. 즉, 발광 재료로서 유기 화합물을 사용함으로써 자발광이며 응답 속도가 고속이고 시야각 의존성이 없는 평판 디스플레이의 실현이 기대되고 있다.
유기 전계 발광 소자의 구성은 투광성 양극과 금속 음극 사이에 전류 주입에 의해 발광하는 발광 재료를 포함하는 유기 박막을 형성한 것이다. 문헌[C.W.Tang, S. A. VanSlyke 등, Applied Physics Letters 제51권 12호 913 내지 915 페이지(1987년)] 게재의 연구 보고에 있어서, 유기 박막을 정공(正孔) 수송성 재료를 포함하는 박막과 전자 수송성 재료를 포함하는 박막의 2층 구조로서, 각각의 전극으로부터 유기막 중에 주입된 홀(hole)과 전자가 재결합함으로써 발광하는 소자 구조를 개발하였다(싱글 헤테로 구조의 유기 EL 소자).
이 소자 구조에서는 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료 중 어느 하나가 발광 재료를 겸하고 있고, 발광은 발광 재료의 기저 상태와 여기 상태의 에너지 갭에 대응한 파장대에서 일어난다. 이러한 2층 구조로 함으로써 대폭적인 구동 전압이 저감되고, 발광 효율이 개선되었다.
그 후, 문헌[C. Adachi, S. Tokita, T. Tsutsui, S.Saito 등, JapaneseJournal of Applied Physics 제27권 2호 L269 내지 L271 페이지(1988년)] 게재의 연구 보고에 기재된 바와 같이, 정공 수송 재료, 발광 재료, 전자 수송 재료의 3층 구조(더블 헤테로 구조의 유기 EL 소자)가 개발되고, 또한 문헌[C. W.Tang, S. A.VanSlyke, C.H.Chen 등, Journal of Applied Physics 제65권 9호 3610 내지 3616 페이지(1989년)] 게재의 연구 보고에 기재된 바와 같이, 전자 수송 재료 중에 발광 재료를 포함시킨 소자 구조 등이 개발되었다. 이러한 연구에 의해 저전압에서 고휘도의 발광 가능성이 검증되어 최근 연구 개발이 매우 활발히 행해지고 있다.
발광 재료로 사용되는 유기 화합물은 그 다양성으로 인해 이론적으로는 분자 구조를 변화시킴으로써 발광색을 임의로 변화시킬 수 있다는 이점이 있다고 말할 수 있다. 따라서, 분자 설계를 실시함으로써 전색 디스플레이에 필요한 색순도가 양호한 R(적), G(녹), B(청)의 3색을 구비하는 것은, 무기물을 이용한 박막 EL 소자와 비교하여 용이하다고 말할 수 있다.
그러나, 실제로는 유기 전계 발광 소자에 있어서도 해결해야만 하는 문제가 있다. 안정한 고휘도의 적색 발광 소자의 개발은 어렵고, 현재 보고되어 있는 전자 수송 재료로서 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(이하, Alq3으로 약칭함)에 DCM〔4-디시아노메틸렌-6-(p-디메틸아미노스티릴)-2-메틸-4H-피란〕을 도핑한 적색 발광의 예(Chem, Funct.Dyes, Proc.Int.Symp.,2nd P.536(1993년) 등에 있어서도 최고 휘도, 신뢰성 모두 디스플레이 재료로서는 만족되지 않는다.
또한, 문헌[T.Tsutsui, D.U. Kim이 Inorganic and organicelectroluminescence 회의(1996년, 베를린)]의 BSB-BCN은 1000 cd/m2이상의 높은 휘도를 실현하고 있지만, 전색에 대응하는 적색으로서의 색도가 완전하다고는 말할 수 없다.
또한, 고휘도이며 안정하면서 색순도가 높은 적색 발광 소자의 실현이 요망되고 있는 것이 현실이다.
또한, 일본 특허 공개 (평)7-188649호(특허 출원 (평)6-148798호)에 있어서는, 특정 디스티릴 화합물을 유기 전계 발광 재료로 하는 것을 제안하고 있지만, 목적의 발광색이 청색이고, 적색용은 아니다. 한편, 유기 전계 발광 소자의 적층 구조 중에 홀과 전자의 에너지적인 밀폐 구조를 만듬으로써 발광층에서 홀과 전자가 효율적으로 결합하여, 높은 휘도 및 발광 재료 자체의 순수한 발광을 얻을 수 있는 것이 보고되어 있지만(일본 특허 공개 (평)10-79297, 일본 특허 공개 (평)11-204258, 일본 특허 공개 (평)11-204264, 일본 특허 공개 (평)11-204259 등), 목적의 발광색은 역시 청색이고, 적색용은 아니었다.
본 발명은 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치된 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 기초하는 유기 전계 발광 소자의 일례의 주요부 개략 단면도이다.
도 2는 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 3은 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 4는 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 5는 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 6은 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 7은 상기 유기 전계 발광 소자의 다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 8은 상기 유기 전계 발광 소자의 또다른 예의 주요부 개략 단면도이다.
도 9는 상기 유기 전계 발광 소자를 사용한 전색의 평면 디스플레이의 구성도이다.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
도 1 내지 도 4 및 도 5 내지 도 8은 본 발명에 기초하는 유기 전계 발광 소자의 예를 각각 나타내는 것이다.
도 1은 음극(3)을 발광광(20)이 투과하는 투과형 유기 전계 발광 소자(A)로서, 발광광(20)은 보호층(4)측으로부터도 관측할 수 있다. 도 2는 음극(3)에서의 반사광도 발광광(20)으로 얻는 반사형 유기 전계 발광 소자(B)를 나타낸다.
도면 중 (1)은 유기 전계 발광 소자를 형성하기 위한 기판이며, 유리, 플라스틱 및 다른 적절한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 유기 전계 발광 소자를 다른 표시 소자와 조합하여 이용하는 경우에는 기판을 공용할 수 있다. (2)는 투명 전극(양극)이며, ITO(Indium tin oxide), SnO2등을 사용할 수 있다.
또한, (5)는 유기 발광층이며, 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물을 발광 재료로서 함유하고 있다. 이 발광층에 대하여, 유기 전계 발광광(20)을 얻는 층구성으로서는 종래 공지된 여러 가지의 구성을 이용할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 예를 들면 정공 수송층과 전자 수송층 중 어느 하나를 구성하는 재료가 발광성을 갖는 경우, 이들 박막을 적층시킨 구조를 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 목적을 만족시키는 범위에서 전하 수송능을 높이기 위해서, 정공 수송층과 전자 수송층 중 어느 하나 또는 양쪽 모두가 복수종 재료의 박막을 적층시킨 구조, 또는, 복수종 재료를 혼합한 조성을 포함하는 박막을 사용할 수 있다. 또한, 발광능을 높이기 위해서 적어도 1종 이상의 형광성 재료를 사용하여 이 박막을 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 끼워넣은 구조, 또한 적어도 1종 이상의 형광성 재료를 정공 수송층 또는 전자 수송층, 또는 이들 모두에 포함시킨 구조를 사용할 수 있다. 이러한 경우에는, 발광 효율을 개선하기 위해 정공 또는 전자 수송을 제어하기 위한 박막을 그 층구성에 포함시킬 수 있다.
예를 들면, 상기 구조식 21에 예시된 아미노스티릴 화합물은 전자 수송능과 정공 수송능 모두 갖기 때문에, 소자 구성 중 전자 수송층을 겸한 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물을 함유하는 발광층으로서도, 또는 정공 수송층을 겸한 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물을 함유하는 발광층으로서도 사용할 수 있다. 또한, 이 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물을 발광층으로서 전자 수송층과 정공 수송층에 끼워넣은 구성으로 할 수 있다. 도 5 및 도 6은 상기 구성에 부가적으로 발광층(5)의 음극측에 접하여 페난트롤린 유도체를 포함하는 홀 블록킹층(21)을 설치한 것이다.
또한, 도 1 및 도 2, 도 5 및 도 6 중 (3)은 음극이고, 전극 재료로서는 Li, Mg, Ca 등의 활성인 금속과 Ag, Al, In 등의 금속과의 합금, 또는 이들을 적층시킨 구조를 사용할 수 있다. 투과형 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 음극 두께를 조절함으로써 용도에 맞은 광투과율을 얻을 수 있다. 또한, 도면 중의 보호막(4)는 밀봉ㆍ보호층이고, 유기 전계 발광 소자 전체를 덮는 구조로 함으로써 그 효과가 높아진다. 기밀성이 유지된다면, 적절한 재료를 사용할 수 있다. 또한, (8)은 전류 주입용 구동 전원이다.
본 발명에 기초하는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기층이 정공 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조(싱글 헤테로 구조)를 가지고, 정공 수송층 또는 전자 수송층의 형성 재료로서 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물이 사용될 수 있다. 또는, 유기층이 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층이 순차 적층된 유기 적층 구조(더블 헤테로 구조)를 가지고, 발광층의 형성 재료로서 상기 스티릴 화합물을 포함하는 혼합물이 사용될 수 있다.
이러한 유기 적층 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 예를 들면, 도 3은 투광성 기판(1) 위에 투광성 양극(2)와 정공 수송층(6)과 전자 수송층(7)을 포함하는 유기층(5a)와 음극(3)이 순차 적층된 적층 구조를 가지고, 이 적층 구조가 보호막(4)에 의해 밀봉되어 있는 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자(C)이다. 도 7에서는 전자 수송층(7) 및(또는) 정공 수송층(6)의 음극측에 접하여 홀 블록킹층(21)이 설치되어 있다.
도 3, 도 7에 나타낸 바와 같이 발광층을 생략한 층구성의 경우에는, 정공수송층(6)과 전자 수송층(7)의 계면으로부터 소정 파장의 발광광(20)을 발생한다. 이러한 발광은 기판(1) 측으로부터 관측된다.
또한, 도 4는 투광성 기판(1) 위에 투광성 양극(2)와 정공 수송층(10)과 발광층(11)과 전자 수송층(12)를 포함하는 유기층(5b)와 음극(3)이 순차 적층된 적층 구조를 가지고, 이 적층 구조가 보호막(4)에 의해서 밀봉되어 있는 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자(D)이다. 도 8에서는 발광층(11)의 음극측에 접하여 홀 볼록킹층(21)이 설치되어 있다.
도 4에 나타낸 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 양극(2)와 음극(3) 사이에 직류 전압을 인가함으로써 양극(2)로부터 주입된 정공이 정공 수송층(10)을 지나서, 또한 음극(3)으로부터 주입된 전자가 전자 수송층(12)를 지나서, 각각 발광층(11)에 도달한다. 이 결과, 발광층(11)에서는 전자/정공의 재결합이 발생하여 일중항 여기자가 생성되고, 이 일중항 여기자로부터 소정 파장의 발광을 발생한다.
상술한 각 유기 전계 발광 소자(C, D)에서, 기판(1)은 예를 들면 유리, 플라스틱 등의 광 투과성 재료를 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 다른 표시 소자와 조합하여 사용하는 경우나, 도 3 및 도 4, 도 7 및 도 8에 나타낸 적층 구조를 매트릭스형으로 배치하는 경우 등은 이 기판을 공용할 수 있다. 또한, 소자(C, D)는 모두 투과형, 반사형 중 어느 하나의 구조도 채택할 수 있다.
또한, 양극(2)는 투명 전극이며, ITO(indium tin oxide)나 SnO2등을 사용할수 있다. 이 양극(2)와 정공 수송층(6)(또는 정공 수송층(10)) 사이에는 전하의 주입 효율을 개선할 목적으로 유기물 또는 유기 금속 화합물을 포함하는 박막을 설치할 수 있다. 또한, 보호막(4)가 금속 등의 도전성 재료로 형성된 경우, 양극(2)의 측면에 절연막을 설치할 수 있다.
또한, 유기 전계 발광 소자(C)에서의 유기층(5a)는 정공 수송층(6)과 전자 수송층(7)이 적층된 유기층이며, 이들 어느 하나 또는 모두에 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물이 함유되어 발광성 정공 수송층(6) 또는 전자 수송층(7)로 할 수 있다. 유기 전계 발광 소자(D)에서의 유기층(5b)는 정공 수송층(10)과 상기 아미노스티릴 화합물을 포함하는 혼합물을 함유하는 발광층(11)과 전자 수송층(12)가 적층된 유기층이지만, 그 외에 여러 가지의 적층 구조를 취할 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층과 전자 수송층 중 어느 하나 또는 양쪽 모두가 발광성을 가질 수 있다.
또한, 정공 수송층에 있어서, 정공 수송능을 향상시키기 위해 복수종의 정공 수송 재료를 적층시킨 정공 수송층을 형성할 수 있다.
또한, 유기 전계 발광 소자(C)에 있어서, 발광층은 전자 수송층(7)일 수 있지만, 전원(8)로부터 인가되는 전압에 의해서는 정공 수송층(6)이나 그 계면에서 발광되는 경우가 있다. 마찬가지로, 유기 전계 발광 소자(D)에 있어서, 발광하는 층은 발광층(11) 이외에, 전자 수송층(12)일 수 있고 정공 수송층(10)일 수 있다. 발광능을 향상시키기 위해서 적어도 1종의 형광성 재료를 사용한 발광층(11)을 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 끼워넣은 구조인 것이 바람직하다. 또는, 이 형광성 재료를 정공 수송층 또는 전자 수송층, 또는 이들 양층에 함유시킨 구조를 구성할 수 있다. 이러한 경우, 발광 효율을 개선하기 위해 정공 또는 전자 수송을 제어하기 위한 박막(홀 블록킹층이나 엑시톤 생성층 등)을 그 층구성에 포함시킬 수 있다.
또한, 음극(3)에 사용되는 재료로서는 Li, Mg, Ca 등의 활성인 금속과 Ag, Al, ln 등의 금속과의 합금을 사용할 수 있고, 이들 금속층이 적층된 구조일 수 있다. 또한, 음극 두께나 재질을 적절하게 선택함으로써 용도에 적합한 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 보호막(4)는 밀봉막으로서 작용하고, 유기 전계 발광 소자 전체를 덮는 구조로 함으로써 전하 주입 효율이나 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 그의 기밀성이 유지된다면, 알루미늄, 금, 크롬 등의 단일 금속 또는 합금 등 그 재료를 적절하게 선택할 수 있다.
상기한 각 유기 전계 발광 소자에 인가하는 전류는 통상, 직류이지만, 펄스 전류나 교류를 이용할 수 있다. 전류값, 전압값은 소자를 파괴하지 않는 범위 내이면 특별히 제한되지 않지만, 유기 전계 발광 소자의 소비 전력이나 수명을 고려하면, 되도록이면 적은 전기 에너지로 효율적으로 발광시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 9는 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용한 평면 디스플레이의 구성예이다. 도시한 바와 같이, 예를 들면 전색 디스플레이의 경우는 적(R), 녹(G) 및 청(B)의 3원색을 발광 가능한 발광층(5)(유기층(5a), 유기층(5b))가 음극(3)과 양극(2) 사이에 배치되어 있다. 음극(3) 및 양극(2)는 상호 교차하는스트라이프형으로 설치할 수 있고, 휘도 신호 회로(14) 및 시프트 레지스터 내장의 제어 회로(15)에 의해 선택되어 각각에 신호 전압이 인가되고, 이에 의해서 선택된 음극(3) 및 양극(2)가 교차하는 위치(화소)의 유기층이 발광하도록 구성된다.
즉, 도 9는 예를 들어, 8×3 RGB 단순 매트릭스이며, 정공 수송층과 발광층 및 전자 수송층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광층(5)를 음극(3)과 양극(2) 사이에 배치한 것이다(도 3 및 도 7, 또는 도 4 및 도 8 참조). 음극과 양극은 모두 스트라이프형으로 패터닝함과 동시에 상호 매트릭스형으로 직교시켜 시프트 레지스터 내장의 제어 회로(15) 및 휘도 신호 회로(14)에 의해 시계열적으로 신호 전압을 인가하고, 그 교차 위치에서 발광하도록 구성된 것이다. 이러한 구성의 EL 소자는 문자ㆍ기호 등의 디스플레이로서는 물론, 화상 재생 장치로서도 사용할 수 있다. 또한, 음극(3)과 양극(2)의 스트라이프형 패턴을 적(R), 녹(G), 청(B)의 각 색마다 배치하여 다색 또는 전색의 전체 고체형 평판 디스플레이를 구성할 수 있다.
다음으로, 본 발명을 실시예에서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<발명의 개시>
본 발명의 목적은 고휘도이면서 안정한 적색 또는 적색형 발광을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 원래 높은 형광수율을 가지고, 또한 열안정성도 우수한 본 발명의 화합물을 포함하는 혼합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자에 있어서 발광층에서의 홀과 전자의 재결합을 촉진하고, 더욱 고휘도이면서 고효율인 발광을 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 발광 재료로서 특정 스티릴 화합물과 효율적으로 에너지를 전달할 수 있는 재료 등과의 혼합물을 이용함으로써 안정한 고휘도의 전색 디스플레이 실현에 매우 유용한 고신뢰성의 적색 발광 소자를 제공할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층의 적어도 일부가 하기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
Y1-CH=CH-X1-CH=CH-Y2
Y3-CH=CH-X2
단, 상기 화학식 I에 있어서, X1은 하기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 기이고,
또한, 상기 화학식 II에 있어서, X2는 하기 화학식 5 내지 17 중 어느 하나로 표시되는 기이며,
또한, 상기 화학식 I 및 II 중의 Y1, Y2및 Y3은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 하기 화학식 18 내지 20 중 어느 하나로 표시되는 치환기를 가질 수 있는 아릴기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 상이할 수 있다.
(단, 상기 화학식 1 내지 4 중의 R1내지 R8, R9내지 R16, R17내지 R24, 및 R25내지 R32각각에 있어서, 하나 이상이 할로겐 원자(예를 들면 불소, 염소 등: 이하, 동일함), 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 그 외에는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이며, 이들이 동일하거나 상이할 수 있다.)
(단, 상기 화학식 5 내지 17에 있어서, R38내지 R141은 수소 원자 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 이들이동일하거나 상이할 수 있다.)
(단, 상기 화학식 18 중의 Z1및 Z2는 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 상이할 수 있으며, 또한 상기 화학식 19 및 20에 있어서, R142내지 R158은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기로서, 이들이 동일하거나 상이할 수 있다.)
여기에서, 상기「혼합물」이란, 상기 화학식 I로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 본 발명의 목적을 달성하는데 유리한 성질을 갖는 그 밖의 화합물의 혼합물; 또는 상기 화학식 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 본 발명의 목적을 달성하는데 유리한 성질을 갖는 그 밖의 화합물의 혼합물; 또한, 상기 화학식 I로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 상기 화학식 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종의 혼합물; 또는 상기 화학식I로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 상기 화학식 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 본 발명의 목적을 달성하는데 유리한 성질을 갖는 그 밖의 화합물의 혼합물을 의미한다.
본 발명은 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물을 발광 재료로 사용하기 때문에, 고휘도이며 안정한 적색 발광을 얻을 수 있음과 동시에, 전기적, 열적 또는 화학적으로도 안정성이 우수한 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 사용하는 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물을 포함하는 본 발명에 기초하는 혼합물을 형성하기 위해서 사용 가능한 재료는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 본 발명의 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 이외에, 홀 수송 재료(예를 들면, 방향족 아민류 등), 전자 수송 재료(예를 들면, Alq3, 피라졸린류 등), 또는 일반적으로 적색 발광용 도핑제로서 사용되는 일련의 화합물(DCM 및 그의 유사 화합물, 포르피린류, 프탈로시아닌류, 페릴렌 화합물, 나일레드, 스쿠아릴륨 화합물 등) 등을 들 수 있다.
상기 예시한 것과 같은 각 화합물을 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물을 포함하는 본 발명에 기초하는 혼합물의 형성 재료로 사용함으로써 정공 수송능, 전하 수송능 또는 발광능의 향상을 도모할 수 있게 되고, 보다 고휘도이며 안정한 적색 발광을 얻을 수 있음과 동시에 전기적, 열적 또는 화학적으로도 한층 우수한 소자가 될 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물에 있어서, 상기 X1(상기 화학식 1 내지 4) 및 상기 X2(상기 화학식 5 내지 17)는 본 발명에 사용되는 발광 재료가 적색 발광을 발생시키는데 있어서 중요하지만, 예를 들면 벤젠환의 수가 증가함에 따라서 유기 발광 재료의 발광 파장은 장파장측으로 이동하는 경향이 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 발광 재료인 상기 화학식 I 및 상기 화학식 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물은, 예를 들면 하기 구조식 21-1 내지 21-20과 같은 분자 구조 중 적어도 1종을 사용할 수 있다.
본 발명자는 또한 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 특정 아미노스티릴 화합물과 특정 적색 발광 색소를 포함하는 혼합물로 발광 영역을 갖는 유기층의 적어도 일부를 구성한 유기 전계 발광 소자를 제조하여, 더욱 고휘도 및 고신뢰성의 소자를 제공하는 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층의 적어도 일부가 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과 600 nm 내지 700 nm의 범위에 발광 극대를 갖는 적색 발광 색소를 포함하는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
상기 적색 발광 색소는 600 nm 내지 700 nm의 범위에 발광 극대를 갖는 화합물이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 상술한 바와 같이 일반적으로 적색 발광용 도핑제로서 사용되는 일련의 화합물(DCM 및 그의 유사 화합물, 포르피린류, 프탈로시아닌류, 페릴렌 화합물, 나일레드, 스쿠아릴륨 화합물 등) 등을 들 수 있다.
상기 적색 발광 색소를 포함함으로써 발광능을 보다 높일 수 있고, 한층 고휘도이며 안정한 적색 발광을 얻을 수 있다.
본 발명은 예를 들면 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층일 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층일 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를갖고, 상기 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층일 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 발광층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 원래 높은 형광수율을 가지고, 또한 열안정성도 우수한 상기 본 발명의 화합물을 포함하는 혼합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 발광층의 음극측에 홀(정공) 블록킹층을 둠으로써 발광층에서 홀과 전자의 재결합이 효율적으로 행해져 발광 재료 자체의 순수한 발광이 고휘도이면서 고효율적으로 얻어지는 유기 전계 발광 소자를 제공하는데 이르렀다.
즉, 본 발명은 또한 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층의 적어도 일부가 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물, 또는 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물(이하, 동일함) 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물(이 혼합물에는 상기 600 nm 내지 700 nm에 발광 극대를 갖는 적색 발광 색소가 포함될 수 있음: 이하, 동일함)을 포함하고, 또한 이 혼합물로 구성된 층의 음극측에 접하여 홀 블록킹층이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
예를 들면, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재할 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기홀 블록킹층이 존재할 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 이 전자 수송성 발광층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재할 수 있다.
또한, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 갖고, 상기 유기층 중 적어도 상기 발광층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재할 수 있다.
또한, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 것이 바람직하다.
또한, 홀 블록킹층에 적합한 재료는 다음과 같은 에너지 상태를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 홀 블록킹층을 형성하는 재료의 최고 점유 분자 궤도 수준이 홀 블록킹층의 양극측에 접하는 층을 형성하는 재료의 최고 점유 분자 궤도 수준보다 낮은 에너지 수준에 있는 것, 또한 홀 블록킹층을 형성하는 재료의 최저 비점유 분자 궤도 수준이 홀 블록킹층의 양극측에 접하는 층을 형성하는 재료보다 높은 에너지 수준에 있고, 또한 홀 블록킹층의 음극측에 접하는 층을 형성하는 재료의 최저 비점유 분자 궤도 수준보다 낮은 에너지 수준에 있는 것이다.
이러한 재료로서 일본 특허 공개 (평)10-79297, 일본 특허 공개 (평)11-204258, 일본 특허 공개 (평)11-204264, 일본 특허 공개 (평)11-204259 등에 나타난 페난트롤린 유도체를 들 수 있지만, 상기 에너지 수준의 조건을 만족시키는 것이라면 페난트롤린 유도체에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식의 α-NPD(α-나프틸페닐디아민)의 혼합물을 정공수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
구조식 21-1:
α-NPD:
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 셋팅하였다. 증착 마스크로서, 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판에 근접 배치하여, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식 21-1과 정공 수송 재료인 α-NPD를 중량비 1:1로, 예를 들면 50 nm의 두께로 정공 수송층(또한 발광층)으로서 막을 제조하였다. 증착 속도는 각각 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송층 재료로서 하기 구조식의 Alq3(트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄)을 정공 수송층에 접하여 증착시켰다. Alq3을 포함하는 이 전자 수송층의 막 두께도, 예를 들면 50 nm로 하고 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
Alq3:
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 채용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로, 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하고, 실시예 1에 의한 도 3에 나타낸 것과 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 1의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광측정한 결과, 680 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 분광 측정은 오오츠까 덴지사 제조의 포토 다이오드 어레이를 검출기로 한 분광기를 이용하였다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 500 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 250 시간이었다.
<실시예 2>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 셋팅하였다. 증착 마스크로서, 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판에 근접 배치하여, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식 α-NPD를 예를 들면 50 nm의 두께로 정공 수송층으로 하여 막을 제조하였다. 증착 속도는 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 전자 수송성 재료인 Alq3를 중량비 1:1로 정공 수송층에 접하여 증착시켰다. 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 포함하는 전자 수송층(또한 발광층)의 막 두께도 예를 들면 50 nm로 하고, 증착 속도는 각각 0.2 nm/초로 하였다.
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 채용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하여, 실시예 2에 의한 도 3에 나타낸 것과 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 2의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 690 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 600 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 200 시간이었다.
<실시예 3>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 셋팅하였다. 증착 마스크로서, 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판에 근접 배치하여 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식 α-NPD를 예를 들면 30 nm의 두께로 정공 수송층으로 하여 막을 제조하였다. 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 발광 구조로서 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 전자 수송성 재료인 Alq3를 중량비 1:1로 정공 수송층에 접하여 증착시켰다. 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 포함하는 발광층의 막 두께도 예를들면 30 nm로 하고, 증착 속도는 각각 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송성 재료로서 상기 구조식의 Alq3를 발광층에 접하여 증착시켰다. Alq3의 막 두께를 예를 들면 30 nm으로 하여, 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 채용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하여, 실시예 3에 의한 도 4에 나타낸 것과 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 3의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 690 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 800 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 500 시간이었다.
<실시예 4>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물의 혼합물을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
구조식 21-8:
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 셋팅하였다. 증착 마스크로서 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판에 근접 배치하여, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식의 α-NPD를 예를 들면 30 nm의 두께로 정공 수송층으로 하여 막을 제조하였다. 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 발광 재료로서 상기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물을 중량비 1:3으로 정공 수송층에 접하여 증착시켰다. 상기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물의 혼합물을 포함하는 발광층의 막 두께도 예를 들면 30 nm으로 하고, 증착 속도는 상기 구조식 21-8의 화합물은 0.1 nm/초, 상기 구조식 21-1의 화합물은 0.3 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송성 재료로서 상기 구조식의 Alq3를 발광층에 접하여 증착시켰다. Alq3의 막 두께를 예를 들면 30 nm으로 하고, 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 채용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하여, 실시예 4에 의한 도 4에 나타낸 것과 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 4의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 710 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 300 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 200 시간이었다.
<실시예 5>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-9의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-2의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-2:
구조식 21-9:
이와 같이 제조한 실시예 5의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 750 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 20 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 20 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 100 시간이었다.
<실시예 6>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-10의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-3의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-3:
구조식 21-10:
이와 같이 제조한 실시예 6의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 분광 측정한 결과, 620 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 500 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 250 시간이었다.
<실시예 7>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-11의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-4의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-4:
구조식 21-11:
이와 같이 제조한 실시예 7의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 660 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 250 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 100 시간이었다.
<실시예 8>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-13의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-5의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-5:
구조식 21-13:
이와 같이 제조한 실시예 8의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 분광 측정한 결과, 615 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 320 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 150 시간이었다.
<실시예 9>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-14의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-6의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-6:
구조식 21-14:
이와 같이 제조한 실시예 9의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 670 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 230 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 170 시간이었다.
<실시예 10>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-15의 아미노스티릴 화합물과 하기 구조식 21-7의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-7:
구조식 21-15:
이와 같이 제조한 실시예 10의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 630 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 700 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 300 시간이었다.
<실시예 11>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-18의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 3:1)을 발광층으로서 사용하여 더블 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 4에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-18:
이와 같이 제조한 실시예 11의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 640 nm에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 450 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 170 시간이었다.
<실시예 12>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-2의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-2:
이와 같이 제조한 실시예 12의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 720 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 300 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 220 시간이었다.
<실시예 13>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-3의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-3:
이와 같이 제조한 실시예 13의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 660 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 500 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 300 시간이었다.
<실시예 14>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-4의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-4:
이와 같이 제조한 실시예 14의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 650 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 850 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 200 시간이었다.
<실시예 15>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-5의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-5:
이와 같이 제조한 실시예 15의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 630 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 750 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 300 시간이었다.
<실시예 16>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-6의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-6:
이와 같이 제조한 실시예 16의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 700 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 250 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 200 시간이었다.
<실시예 17>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-7의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-7:
이와 같이 제조한 실시예 17의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 665 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 800 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조 후, 질소 분위기하에 1 개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류값을 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 450 시간이었다.
<실시예 18>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층 구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-8:
이와 같이 제조한 실시예 18의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 690 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 700 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 500시간이었다.
<실시예 19>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-9의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-9:
이와 같이 제조한 실시예 19의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 660 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 500 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 450시간이었다.
<실시예 20>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-10의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-10:
이와 같이 제조한 실시예 20의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 610 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 750 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 500시간이었다.
<실시예 21>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-11의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-11:
이와 같이 제조한 실시예 21의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 620 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 1200 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 660시간이었다.
<실시예 22>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-13의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-13:
이와 같이 제조한 실시예 22의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 590 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 1500 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 500시간이었다.
<실시예 23>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-14의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-14:
이와 같이 제조한 실시예 23의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 630 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 1100 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 500시간이었다.
<실시예 24>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-15의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-15:
이와 같이 제조한 실시예 24의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 630 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 700 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 600시간이었다.
<실시예 25>
본 실시예는 화학식 II의 아미노스티릴 화합물 중, 하기 구조식 21-18의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 싱글 헤테로 구조의 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 2에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
구조식 21-18:
이와 같이 제조한 실시예 25의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 1과 동일하게 분광 측정한 결과, 580 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 900 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 450시간이었다.
<실시예 26>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식의 α-NPD(α-나프틸페닐디아민)의 혼합물을 정공 수송성 발광층으로서 사용하여 도 7에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 세팅하였다. 증착 마스크로서 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판과 근접하여 배치하고, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 정공 수송 재료인 α-NPD를 중량비 1:1로, 예를 들면 50 nm의 두께로 정공 수송층(또한 발광층)으로서 막 제조하였다. 증착 속도는 각각 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 홀 블록킹층 재료로서 하기 구조식의 바소큐프로인을 정공 수송층에 접하여 증착하였다. 바소큐프로인을 포함하는 상기 홀 블록킹층의 막두께는 예를 들면 15 nm로 하고, 증착 속도는 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송층 재료로서 상기 구조식의 Alq3(트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄)을 홀 블록킹층에 접하여 증착하였다. Alq3을 포함하는 상기 전자 수송층의 막두께도 예를 들면 50 nm로 하고, 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
바소큐프로인:
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 사용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하고, 실시예 26에 의한 도 7에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 26의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 분광 측정한 결과, 720 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 분광 측정은 오쯔까 덴시사 제조의 포토 다이오드 어레이를 검출기로 한 분광기를 이용하였다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 250 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 200시간이었다.
<실시예 27>
본 실시예는 화학식 I의 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 전자 수송성 발광층으로서 사용하여 도 8에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 세팅하였다. 증착 마스크로서 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판과 근접하여 배치하고, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식의 α-NPD를 예를 들면 30 nm의 두께로 정공 수송층으로서 막 제조하였다. 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 발광 소자로서 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 전자 수송성 재료인 Alq3을 중량비 1:1로 정공 수송층에 접하여 증착하였다. 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물과 Alq3의 혼합물을 포함하는 발광층의 막두께도 예를 들면 30 nm로 하고, 증착 속도는 각각 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 홀 블록킹층으로 상기 구조식의 바소큐프로인을 발광층에 접하여 증착하였다. 바소큐프로인을 포함하는 상기 홀 블록킹층의 막두께는 예를 들면 15 nm로 하고, 증착 속도는 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송층 재료로서 상기 구조식의 Alq3을 홀 블록킹층에 접하여 증착하였다. Alq3을 포함하는 상기 전자 수송층의 막두께도 예를 들면 30 nm로 하고, 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 채용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하고, 실시예 27에 의한 도 8에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 27의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 720 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 220 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 350시간이었다.
<실시예 28>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물의 혼합물을 발광층으로서 사용하여 도 8에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다.
우선, 진공 증착 장치 중에 100 nm 두께의 ITO를 포함하는 양극이 한쪽 표면에 형성된 30 mm×30 mm의 유리 기판을 세팅하였다. 증착 마스크로서 복수의 2.0 mm×2.0 mm의 단위 개구를 갖는 금속 마스크를 기판과 근접하여 배치하고, 진공 증착법에 의해 10-4Pa 이하의 진공하에서 상기 구조식의 α-NPD를 예를 들면 30 nm의 두께로 정공 수송층으로서 막 제조하였다. 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
또한, 발광 소자로서 상기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물을 중량비 1:3으로 정공 수송층에 접하여 증착하였다. 상기 구조식 21-8의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-1의 아미노스티릴 화합물의 혼합물을 포함하는 발광층의 막두께도 예를 들면 30 nm로 하고, 증착 속도는 상기 구조식 21-8의 화합물은 0.1 nm/초, 상기 구조식 21-1의 화합물은 0.3 nm/초로 하였다.
또한, 홀 블록킹층으로 상기 구조식의 바소큐프로인을 발광층에 접하여 증착하였다. 바소큐프로인을 포함하는 상기 홀 블록킹층의 막두께는 예를 들면 15 nm로 하고, 증착 속도는 0.1 nm/초로 하였다.
또한, 전자 수송층 재료로서 상기 구조식의 Alq3을 홀 블록킹층에 접하여 증착하였다. Alq3의 막두께도 예를 들면 30 nm로 하고, 증착 속도는 0.2 nm/초로 하였다.
음극 재료로서는 Mg과 Ag의 적층막을 사용하고, 이것도 증착에 의해 증착 속도 1 nm/초로서 예를 들면 50 nm(Mg 막) 및 150 nm(Ag 막)의 두께로 형성하고, 실시예 28에 의한 도 8에 나타낸 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 28의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 710 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 250 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 50 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 330시간이었다.
<실시예 29>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 상기 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-9의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-2의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 전자 수송성 발광층으로서 사용한 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 28에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 29의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 750 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 15 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 20 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 150시간이었다.
<실시예 30>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 상기 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-10의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-3의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 전자 수송성 발광층으로서 사용한 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 28에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 30의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 620 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 450 cd/m2의 휘도를 얻을수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 350시간이었다.
<실시예 31>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 상기 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-11의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-4의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 전자 수송성 발광층으로서 사용한 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 28에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 31의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 660 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 200 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 150시간이었다.
<실시예 32>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 상기 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-13의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-5의 아미노스티릴 화합물의 혼합물(중량비 1:3)을 전자 수송성 발광층으로서 사용한 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 28에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 32의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 오렌지색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 615 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 280 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 250시간이었다.
<실시예 33>
본 실시예는 화학식 I 또는 II의 상기 아미노스티릴 화합물 중, 상기 구조식 21-14의 아미노스티릴 화합물과 상기 구조식 21-6의 아미노스티릴 화합물의혼합물(중량비 1:3)을 전자 수송성 발광층으로서 사용한 유기 전계 발광 소자를 제조한 예이다. 층구조, 막 제조법 모두 실시예 28에 준하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
이와 같이 제조한 실시예 33의 유기 전계 발광 소자에 질소 분위기하에서 순바이어스 직류 전압을 가하여 발광 특성을 평가하였다. 발광색은 적색이고, 실시예 26과 동일하게 분광 측정한 결과, 670 nm 부근에 발광 피크를 갖는 스펙트럼을 얻었다. 또한, 전압-휘도를 측정한 결과, 8 V에서 10 cd/m2의 휘도를 얻을 수 있었다.
이 유기 전계 발광 소자를 제조한 후, 질소 분위기하에 1개월간 방치하였지만, 소자 열화는 관찰되지 않았다. 또한, 초기 휘도 100 cd/m2에서 전류치를 일정하게 통전하여 연속 발광시키고 강제 열화시켰을 때, 휘도가 반감할 때까지 220시간이었다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 따르면, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층 중 적어도 일부가 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물을 함유하기 때문에, 고휘도로 안정한 적색 또는 적색형 발광을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있게 된다.

Claims (36)

  1. 유기층 중 적어도 일부가 하기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
    <화학식 I>
    Y1-CH=CH-X1-CH=CH-Y2
    <화학식 II>
    Y3-CH=CH-X2
    식 중,
    X1은 하기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 기이고,
    X2는 하기 화학식 5 내지 17 중 어느 하나로 표시되는 기이며,
    Y1, Y2및 Y3은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 하기 화학식 18 내지 20 중 어느 하나로 표시되는 치환기를 가질 수 있는 아릴기로부터 선택된기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, R1내지 R8, R9내지 R16, R17내지 R24및 R25내지 R32의 각각에 있어서, 적어도 하나가 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 그 외에는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이며, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, R33내지 R141은 수소 원자 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, Z1및 Z2는 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 치환기를가질 수 있는 아릴기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있으며,
    R142내지 R158은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기로서, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 발광층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
  7. 유기층 중 적어도 일부가 하기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  9. 제7항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  10. 제7항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  11. 제7항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 발광층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  12. 제7항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
  13. 유기층 중 적어도 일부가 하기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과, 600 nm 내지 700 nm 범위에 발광 극대를 갖는 적색 발광 색소를 함유하는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  15. 제13항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  16. 제13항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  17. 제13항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 발광층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층인 유기 전계 발광 소자.
  18. 제13항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
  19. 유기층 중 적어도 일부가 하기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 혼합물을 포함하며, 또한 상기 혼합물로 구성된 층의 음극측에 접하여 홀 블록킹층이 존재하는 것을 특징으로 하는, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
    <화학식 I>
    Y1-CH=CH-X1-CH=CH-Y2
    <화학식 II>
    Y3-CH=CH-X2
    식 중,
    X1은 하기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 기이고,
    X2는 하기 화학식 5 내지 17 중 어느 하나로 표시되는 기이며,
    Y1, Y2및 Y3은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 하기 화학식 18 내지 20 중 어느 하나로 표시되는 치환기를 가질 수 있는 아릴기로부터 선택된기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, R1내지 R8, R9내지 R16, R17내지 R24및 R25내지 R32의 각각에 있어서, 적어도 하나가 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 그 외에는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이며, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, R33내지 R141은 수소 원자 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
    식 중, Z1및 Z2는 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 또는 치환기를가질 수 있는 아릴기로부터 선택된 기이고, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있으며,
    R142내지 R158은 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기로부터 선택된 기로서, 이들이 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
  20. 제19항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  21. 제19항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  22. 제19항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 전자 수송성 발광층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  23. 제19항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 상기 발광층이 상기 화학식 I 또는 II로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  24. 제19항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
  25. 유기층 중 적어도 일부가 하기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 혼합물을 포함하며, 또한 상기 혼합물로 구성된 층의 음극측에 접하여 홀 블록킹층이 존재하는 것을 특징으로 하는, 발광영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
  26. 제25항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  27. 제25항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  28. 제25항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 전자 수송성 발광층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  29. 제25항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 상기 발광층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  30. 제25항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
  31. 유기층 중 적어도 일부가 하기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종과, 600 nm 내지 700 nm의 범위에 발광 극대를 갖는 적색 발광 색소를 함유하는 혼합물을 포함하며, 또한 상기 혼합물로 구성된 층의음극측에 접하여 홀 블록킹층이 존재하는 것을 특징으로 하는, 발광 영역을 갖는 유기층이 양극과 음극 사이에 설치되는 유기 전계 발광 소자.
  32. 제31항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  33. 제31항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  34. 제31항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 홀 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 전자 수송층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이며, 또한 상기 전자 수송성 발광층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  35. 제31항에 있어서, 상기 유기층이 홀 수송층과 발광층과 전자 수송층이 적층된 유기 적층 구조를 가지며, 상기 유기층 중 적어도 상기 발광층이 상기 구조식 21-1 내지 21-20으로 표시되는 아미노스티릴 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 혼합물층이고, 또한 상기 혼합물층의 음극측에 접하여 상기 홀 블록킹층이 존재하는 유기 전계 발광 소자.
  36. 제31항에 있어서, 상기 혼합물에서의 상기 아미노스티릴 화합물의 비율이 10 내지 100 중량%인 유기 전계 발광 소자.
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