KR20040096044A - Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An inductive coupled plasma chamber having a multi-discharge tube bridge is provided to obtain high-density plasma and simplify a gas supply structure by increasing plasma volume and plasma uniformity. CONSTITUTION: A discharge tube head(12) includes a gas inlet for receiving gas and a plurality of openings. A process chamber(20) includes a gas outlet for discharging the gas, a plurality of openings corresponding to the openings of the discharge tube head, and a susceptor. A working piece is loaded on the susceptor. A plurality of discharge tube bridges(16) are formed between the openings of the discharge tube head and the openings of the process chamber. One or more ferrite cores(18) are installed at each discharge tube bridge. The ferrite cores include wires connected to a power supply in order to generate the electromotive force.

Description

다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버{INDUCTIVE PLASMA CHAMBER HAVING MULTI DISCHARGE TUBE BRIDGE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an induction plasma chamber having multiple discharge tube bridges,

본 발명은 플라즈마 소스(plasma source)에 관한 것으로, 구체적으로는 유도 결합 플라즈마 소스(inductive coupled plasma source)에 관한 것으로 다수개의 방전관 브리지(discharge tube bridge)를 구비하는 유도 플라즈마 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma source, and more particularly to an inductive coupled plasma source and to an induction plasma chamber having a plurality of discharge tube bridges.

플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 현제 플라즈마 소스는 다양한 분야에서 넓게 사용되고 있다. 반도체 칩을 생산하기 위한 반도체 장치의 제조 예를 들어, 세정(cleaning), 식각(etching), 도포(deposition) 등에 사용되고 있다.A plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and electrons. Current plasma sources are widely used in various fields. For example, cleaning, etching, deposition, and the like, for manufacturing semiconductor devices for producing semiconductor chips.

ICP(inductive coupled plasma) 또는 TCP(transformer coupled plasma) 발생기술에 관해서는 이 응용 분야에서 널리 연구되어 오고 있다. RF ICP 방식은 플라즈마 발생을 위한 전자기 에너지를 제공함에 있어 플라즈마에 접촉되는 전극을 갖지 않는 이점을 제공한다. 전극을 이용하는 CCP(Capacitive Coupled Plasma) 방식은 플라즈마에 접촉되는 전극으로부터 불순물이 발생되어 최종 결과물에 악영향을 주게 된다.ICP (inductively coupled plasma) or TCP (transformer coupled plasma) generation technology has been widely studied in this application field. The RF ICP approach provides the advantage of not having electrodes in contact with the plasma in providing electromagnetic energy for generating plasma. In the capacitive coupled plasma (CCP) method using an electrode, impurities are generated from electrodes that are in contact with the plasma, which adversely affects the final product.

초기 ICP 방식의 플라즈마 소스에 관한 기술로 1984년 2월 14일 알란 알 레인버그 등에게 허여된 미국특허공보 제4,431,898호에 플라즈마 에칭 및 레지스트 스트립핑을 위한 유도 결합 방전에 관한 기술이 개시되어 있다.Techniques for inductively coupled discharges for plasma etching and resist stripping are disclosed in U.S. Patent No. 4,431,898 issued to Alan Allenberg et al. On Feb. 14, 1984, for a description of an early ICP plasma source.

최근 플라즈마를 이용하는 기술 분야에서는 보다 넓은 볼륨과 균일도 및 고밀도를 갖는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 반도체 장치의 생산에 있어서 대형 사이즈의 웨이퍼를 효과적으로 가공할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 액정 디스플레이 패널의 생산에 있어서도 대형 사이즈의 액정 디스플레이 패널의 가공을 가능하게 하는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 그러나 ICP 방식은 넓은 볼륨의 플라즈마를 얻기 위해 단순히 유도 코일이나 트랜스포머의 크기를 크게 하는 것으로는 균일도가 높은 고밀도의 플라즈마를 얻기 어렵다.Recently, a plasma source having a larger volume, uniformity, and high density is required in the field of the technology using plasma. There has been a demand for a plasma source capable of efficiently processing large-sized wafers in the production of semiconductor devices. A plasma source capable of processing a liquid crystal display panel of a large size is also required in the production of a liquid crystal display panel. However, it is difficult to obtain high density plasma with high uniformity by simply increasing the size of the induction coil or transformer in order to obtain a large volume of plasma.

이와 관련된 기술로는 2002년 5월 21일 에제니 브이 션코에게 허여된 미국특허공보 제6392351호에 외부 방전 브리지를 갖는 유도 RF 플라즈마 소스에 관한 기술이 개시되어 있다. 그리고 2002년 8월 13일 레오나드 제이 마호니 등에게 허여된 미국특허공보 제6432260호에 프로세스 가스 및 재료를 위한 유도 결합 링-플라즈마 소스 장치 그리고 그 방법에 관한 기술이 개시되어 있다.A technique related to an inductive RF plasma source having an external discharge bridge is disclosed in U.S. Patent No. 6,392,351 issued to Jenny Vanceco on May 21, 2002. And U.S. Patent Publication No. 6432260 issued to Leonard J. Mahoney et al on Aug. 13, 2002 discloses an inductively coupled ring-plasma source device for process gas and materials and a method for the same.

그러나 상술한 기술들에서 제한하는 트랜스포머가 결합된 C-형상 브리지(C-shape bridge) 만으로는 넓은 볼륨과 함께 균일도가 향상된 높은 밀도의 플라즈마를 얻기는 어렵다. 예를 들어, C-형상 브리지와 작업 챔버(working chamber or process chamber)의 연결 구조는 플라즈마 가스가 작업 챔버 내부에 고밀도를 유지하면서 균일하게 확산되기에는 어려운 구조이다. 게다가 이들 기술에서와 같이 다수개의 C-형상 브리지를 구비하는 경우 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구조가 복잡하게 설계될 수밖에 없다.However, in the above-described techniques, it is difficult to obtain a high-density plasma having a uniform volume and a wide volume with only a C-shaped bridge to which a transformer is coupled. For example, the connection structure between a C-shaped bridge and a working chamber or a process chamber is a structure in which the plasma gas is difficult to uniformly diffuse while maintaining a high density within the working chamber. In addition, in the case of having a plurality of C-shaped bridges as in these techniques, the gas supply structure for supplying the process gas must be complicatedly designed.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있고, 가스 공급 구조를 간략하게 할 수 있는 다중 방전관 브리지를 갖는 유도 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an induction plasma chamber having multiple discharge tube bridges which can increase the plasma volume while achieving uniformity and high density plasma and simplify the gas supply structure, .

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도;1 is a perspective view of an induction plasma chamber according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 유도 플라즈마 챔버의 단면도;Figure 2 is a cross-sectional view of the induction plasma chamber of Figure 1;

도 3은 네 개의 방전관 브리지를 배치한 예를 보여주는 평면도;3 is a plan view showing an example in which four discharge tube bridges are arranged;

도 4는 일곱 개의 방전관 브리지를 배치한 예를 보여주는 평면도;4 is a plan view showing an example in which seven discharge tube bridges are arranged;

도 5는 방전관 헤드와 다중 방전관의 절연 구조를 보여주는 도면;5 is a view showing an insulation structure of a discharge tube head and a multiple discharge tube;

도 6은 방전관 브리지 및 프로세스 챔버의 구조를 변형한 예를 보여주는 단면도;6 is a cross-sectional view showing an example in which the structure of the discharge tube bridge and the process chamber is modified;

도 7은 방전관 헤드에 가스 샤워판을 설치한 예를 보여주는 단면도;7 is a cross-sectional view showing an example in which a gas shower plate is installed in a discharge tube head;

도 8은 도 7의 가스 샤워판의 평면도;8 is a plan view of the gas shower plate of Fig. 7;

도 9는 방전관 헤드에 냉각관을 장착한 예를 보여주는 도면;9 is a view showing an example in which a cooling pipe is mounted on a discharge tube head;

도 10 및 도 11은 방전관 헤드에 가스 가이드를 설치한 예를 보여주는 사시도 및 평면도;10 and 11 are a perspective view and a plan view showing an example in which a gas guide is installed in a discharge tube head;

도 12 및 도 13은 프로세스 챔버의 상부면에 영구 자석을 설치한 예를 보여주는 도면;12 and 13 are diagrams showing examples in which permanent magnets are installed on the upper surface of the process chamber;

도 14는 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도; 그리고FIG. 14 is a perspective view of an induction plasma chamber according to another embodiment of the present invention; FIG. And

도 15는 도 14의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.15 is a cross-sectional view of the induction plasma chamber of Fig.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

10: 플라즈마 반응기 12: 방전관 헤드10: plasma reactor 12: discharge tube head

14: 가스 입력부 16: 방전관 브리지14: gas input part 16: discharge tube bridge

18: 페라이트 코어 20: 프로세스 챔버18: ferrite core 20: process chamber

22: 서셉터 24: 작업편22: susceptor 24: workpiece

30: 전원 공급원30: Power source

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버는: 가스를 주입받는 가스 입구와 복수개의 개구부를 갖는 중공형 방전관 헤드; 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 방전관 헤드의 개구부들과 대응되는 복수개의 개구부가 상부면에 형성되고 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버; 방전관 헤드의 개구부들과 프로세스 챔버의 개구부들 사이에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는권선을 구비하여 방전관 헤드와 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생한다.In order to achieve the above object, an induction plasma chamber having a multiple discharge tube bridge according to the present invention comprises: a hollow discharge tube head having a gas inlet for receiving gas and a plurality of openings; A process chamber having a gas outlet for discharging the gas and a susceptor in which a plurality of openings corresponding to the openings of the discharge tube head are formed on the upper surface and a workpiece is placed on the inner side; A plurality of hollow discharge tube bridges connected between the openings of the discharge tube head and the openings of the process chamber; And a ferrite core disposed on each of the discharge tube bridges, the ferrite core having a winding connected to a power source to generate an electromotive force for generating plasma in the discharge tube head, the discharge tube bridge and the process chamber.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드와 방전관 브리지 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되며, 상기 프로세스 챔버의 상측 일정 영역의 테두리는 상향 중심으로 기울어진 경사면을 갖는다.In this embodiment, a ring-shaped insulating member and a ring-shaped vacuum chamber are connected between the discharge tube head and the discharge tube bridge, and a rim of a certain upper region of the process chamber has an inclined surface inclined to an upward center.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 방전관 헤드의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖고, 프로세스 챔버의 상부면은 중심부로 경사진 구조를 갖는다.In this embodiment, the discharge tube bridge has an enlarged structure in which the diameter of the upper end portion connected to the opening of the discharge tube head is gradually widened, and the upper surface of the process chamber has a structure inclined to the center portion.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 내측에 가로 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 샤워판을 포함한다.In this embodiment, the discharge tube head includes a gas shower plate having a plurality of through holes formed therein in the lateral direction.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 냉각 채널을 포함한다.In this embodiment, the discharge tube head includes a cooling channel.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지들은 전체적으로 균일한 대칭 구조로 배열된다.In this embodiment, the discharge tube bridge has a cylindrical shape, and the plurality of discharge tube bridges are arranged in a uniformly symmetrical structure as a whole.

이 실시예에 있어서, 상기 복수개의 방전관 브리지는 중심에 하나의 방전관 브리지가 위치하고 그 주변으로 나머지의 방전관 브리지들이 동일한 간격으로 배열된다.In this embodiment, one discharge tube bridge is located at the center of the plurality of discharge tube bridges, and the remaining discharge tube bridges are arranged at equal intervals around the other.

이 실시예에 있어서, 중심의 방전관 브리지의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2이다.In this embodiment, the cross sectional area of the central discharge tube bridge is approximately one half of the sum of the cross sectional areas of the remaining discharge tube bridges located in the periphery.

이 실시예에 있어서, 방전관 헤드의 내부에는 대칭 구조로 배열된 개구부의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드가 구비된다.In this embodiment, a gas guide is provided inside the discharge tube head so that a plasma discharge loop is formed between the openings symmetrical to each other around the opening arranged in a symmetrical structure.

이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된다.In this embodiment, a plurality of permanent magnets are disposed on the upper surface of the process chamber for inducing a plasma discharge path so that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버는 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버; 프로세스 챔버의 상부에 중심에 마련되어 가스를 주입받는 가스 입력관; 프로세스 챔버의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부와 가스 입력관의 주변에 형성되는 복수개의 개구부들 간에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생한다.According to another aspect of the present invention, an induction plasma chamber having multiple discharge tube bridges includes: a process chamber having a gas outlet for discharging a gas with an inclined surface inclined upward toward the center, the susceptor having a workpiece placed thereon; A gas inlet tube provided at the center of the upper portion of the process chamber to receive a gas; A plurality of hollow discharge tube bridges connected between a plurality of openings formed in the periphery of the process chamber and a plurality of openings formed in the periphery of the gas input tube; And a ferrite core disposed on each of the discharge tube bridges, wherein the ferrite core has a winding connected to a power source to generate an electromotive force for generating plasma in the discharge tube bridge and the process chamber.

이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어가 설치된다.In this embodiment, the discharge tube bridge is bent in a '' shape, and each ferrite core is installed on both sides bent.

이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부 경사면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된다.In this embodiment, a plurality of permanent magnets are disposed on the upper inclined surface of the process chamber to induce a plasma discharge path so that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber.

(실시예)(Example)

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도이고 도 2는 도 1의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of an induction plasma chamber according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the induction plasma chamber of FIG. 1.

도면을 참조하여, 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 크게 프로세스 챔버(20)와 그 상부에 플라즈마 반응기(10)가 구성된다. 플라즈마 반응기(10)는 중공형(hollow type) 방전관 헤드(12)와 복수개의 중공형 방전관 브리지(16)로 구성된다. 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16)는 알루미나로 코팅 처리된 알루미늄을 사용할 수 있다.Referring to the drawings, the induction plasma chamber of the present invention mainly comprises a process chamber 20 and a plasma reactor 10 thereon. The plasma reactor 10 is composed of a hollow type discharge tube head 12 and a plurality of hollow discharge tube bridges 16. The discharge tube head 12 and the discharge tube bridge 16 may be made of aluminum coated with alumina.

방전관 헤드(12)는 중공의 원반 형상을 갖고 상부 중심에 가스를 주입받는 원통형의 가스 입구(14)가 마련된다. 가스 입구(14)를 통해 가스 공급원(미도시)으로부터 공정 가스가 제공된다. 가스 입구(14)는 별도의 세라믹 재질의 절연재로 절연 될 수 있다. 방전관 헤드(12)의 하부에는 복수개의 개구부(13)가 형성된다.The discharge tube head 12 is provided with a cylindrical gas inlet 14 having a hollow disc shape and being supplied with a gas at an upper center thereof. A process gas is provided from a gas source (not shown) through the gas inlet 14. The gas inlet 14 may be insulated with an insulating material made of a separate ceramic material. A plurality of openings 13 are formed in the lower portion of the discharge tube head 12.

프로세스 챔버(20)는 내부 저면에 가스를 배출하기 위한 진공 펌프(미도시)와 연결되는 가스 출구(26)와 작업편(work piece)(24) 예컨대, 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(susceptor)(22)가 마련된다. 서셉터(22)는 바이어스 전원 공급원(34)에 전기적으로 연결된다. 그리고 상부면(23)에는 방전관 헤드(12)의 개구부(13)들과 대응되는 복수개의 개구부(25)가 형성된다. 특히, 프로세스 챔버(20)는 상측 일정영역의 테두리가 상향 중심으로 기울어진 경사면(21)을 갖는다.The process chamber 20 includes a gas outlet 26 connected to a vacuum pump (not shown) for discharging gas to the inner bottom surface, and a work piece 24, such as a susceptor 22 are provided. The susceptor 22 is electrically connected to the bias power source 34. [ A plurality of openings 25 corresponding to the openings 13 of the discharge tube head 12 are formed on the upper surface 23. In particular, the process chamber 20 has an inclined surface 21 in which the rim of the upper certain region is inclined upward toward the center.

방전관 헤드(12)의 개구부(13)들과 프로세스 챔버(20)의 개구부(25)들 사이에는 각기 방전관 브리지(16)가 연결된다. 방전관 브리지(16)는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지(16)들은 전체적으로 프로세스 챔버(20)의 상부면(23)에 균일 간격을 갖는 대칭 구조로 배열된다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 네 개의 방전관 브리지(16)들이 배열될 수 있다. 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 여섯 개의 방전관 브리지(17a)가 상부면(23)에 원형으로 나열되고 그 중심에 하나의 방전관 브리지(17b)가 위치할 수 있다. 이 경우에는 중심의 방전관 브리지(17b)의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지(17a)들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2이 되도록 하는 것이 바람직하다.A discharge tube bridge 16 is connected between the openings 13 of the discharge tube head 12 and the openings 25 of the process chamber 20, respectively. The discharge tube bridge 16 has a cylindrical shape and a plurality of discharge tube bridges 16 are arranged in a symmetrical structure having a uniform interval on the upper surface 23 of the process chamber 20 as a whole. For example, as shown in FIG. 3, four discharge tube bridges 16 may be arranged. Or as shown in Fig. 4, six discharge tube bridges 17a may be circularly arranged on the upper surface 23 and one discharge tube bridge 17b may be located at the center thereof. In this case, it is preferable that the cross sectional area of the central discharge tube bridge 17b be approximately half the sum of the cross sectional areas of the remaining discharge tube bridges 17a located in the periphery.

각각의 방전관 브리지(16)에는 하나 이상의 페라이트 코어(18)가 설치되며, 페라이트 코어(18)는 전원공급원(30)에 연결되는 권선(32)을 갖는다. 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16) 사이에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 링형의 진공 실(vacuum seal)(40)이 설치되고 내측으로는 링형의 절연부재(42) 예컨대 세라믹 링이 설치된다.Each of the discharge tube bridges 16 is provided with at least one ferrite core 18 and the ferrite core 18 has a winding 32 connected to a power source 30. As shown in Fig. 5, a ring-shaped vacuum seal 40 is provided between the discharge tube head 12 and the discharge tube bridge 16, and a ring-shaped insulating member 42 such as a ceramic ring Respectively.

이와 같은 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 가스 입구(14)를 통해 공정 가스가 주입되고 권선(32)에 전원 공급원(30)으로부터 RF 전원이 공급되면 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16) 및 프로세스 챔버(20)의 내부로 기전력(electromotive force)이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 방전 패스(discharge path)는 네 개의 방전관 브리지(16)를 갖는 경우 상호 마주보는 방전관 브리지들 간에 이루어진다. 일곱 개의 방전관 브리지(17a, 17b)로 구성되는 경우에는 중심 방전관 브리지(17b)를 공통으로 방전 패스가 형성된다.The induction plasma chamber of the present invention is characterized in that the process gas is introduced through the gas inlet 14 and the RF power is supplied from the power supply source 30 to the winding 32. The induction plasma chamber is connected to the discharge tube head 12 and the discharge tube bridge 16, An electromotive force is transmitted to the inside of the chamber 20 to perform plasma discharge. The discharge path is made between mutually opposing discharge tube bridges when having four discharge tube bridges 16. In the case of the seven discharge tube bridges 17a and 17b, a discharge path is formed in common to the central discharge tube bridge 17b.

이와 같이 다중 방전관 브리지(16)들에 의해 다중 방전 패스가 형성되어 볼륨이 큰 고밀도의 플라즈마가 프로세스 챔버(20)의 내부에 형성된다. 이때, 발생된 플라즈마 가스는 프로세스 챔버(20)의 상측 일정 영역의 테두리가 상향 중심으로 기울어진 경사면(21)을 갖고 있어 서셉터(22)가 위치한 프로세스 챔버(20)의 하부로 균일하게 확산되어 진다.In this manner, multiple discharge paths are formed by the multiple discharge tube bridges 16, so that a high-density plasma having a large volume is formed inside the process chamber 20. At this time, the generated plasma gas uniformly diffuses to the lower portion of the process chamber 20 where the susceptor 22 is located because the upper part of the upper part of the process chamber 20 has an inclined surface 21 inclined upward toward the center Loses.

좀더 효율을 높이기 위해 유도 플라즈마 챔버는 도 6에 도시된 바와 같이 변형 실시할 수 있다. 도 6은 방전관 브리지 및 프로세스 챔버의 구조를 변형한 예를 보여주는 단면도이다.To further increase the efficiency, the induction plasma chamber may be modified as shown in FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example in which the structure of the discharge tube bridge and the process chamber is modified.

도면을 참조하여, 방전관 브리지(16a)는 방전관 헤드(12)의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖도록 하여 가스 유입이 보다 용이하게 할 수 있다. 이와 더불어 또는 이와 별개로 프로세스 챔버(20)의 상부면(23a)은 중심부로 경사진 구조를 갖도록 할 수 있다. 이와 같이 하면, 가스배출을 더욱 용이하게 할 수 있으며 균일한 확산을 도울 수 있다.Referring to the drawings, the discharge tube bridge 16a has an enlarged structure in which the diameter of the upper end portion connected to the opening of the discharge tube head 12 is gradually widened, so that gas can be easily introduced. Additionally or alternatively, the upper surface 23a of the process chamber 20 may have a structure inclined to the center. In this way, the gas can be more easily discharged and the uniform diffusion can be assisted.

도 7은 방전관 헤드에 가스 샤워판을 설치한 예를 보여주는 단면도이고 도 8은 도 7의 가스 샤워판의 평면도이다. 도면을 참조하여, 가스 유입시 균일한 분포를 갖도록 하기 위해 방전관 헤드(12)에 내측에 가로 방향으로 다수의 통공(52)이 형성된 가스 샤워판(50)을 설치할 수 있다. 또한 방전관 헤드(12)가 과열되는 것을 방지하기 위해, 도 9에 도시된 바와 같이, 방전관 헤드(12)의 주변에냉각관(60)을 설치하고 이를 위한 브래킷(62)을 장착할 수 있다.FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example in which a gas shower plate is installed in a discharge tube head, and FIG. 8 is a plan view of a gas shower plate in FIG. Referring to the drawings, it is possible to provide a gas shower plate 50 having a plurality of through holes 52 in the transverse direction inside the discharge tube head 12 so as to have a uniform distribution when the gas is introduced. In order to prevent the discharge tube head 12 from being overheated, a cooling tube 60 may be provided around the discharge tube head 12 and a bracket 62 for the discharge tube head 12 may be mounted as shown in FIG.

한편, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 방전관 헤드(12)의 내부에 대칭 구조로 배열된 개구부(13)의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드(65)를 설치할 수 있다. 이와 더불어 또는 별개로, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(20)의 상부면(23)에 프로세스 챔버(20) 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들(68)을 배치할 수 있다.On the other hand, as shown in Figs. 10 and 11, a gas guide 65 is provided so as to form a plasma discharge loop between openings symmetrical to each other around the opening 13 arranged symmetrically in the inside of the discharge tube head 12. [ Can be installed. 12 and 13, a plurality (not shown) for inducing a plasma discharge path such that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber 20 on the upper surface 23 of the process chamber 20, The permanent magnets 68 can be disposed.

본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 상술한 바와 같이 방전관 헤드를 설치하지 않고 다음과 같이 복수개의 방전관 브리지들만으로 변형 실시할 수 있다. 도 14는 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도이고 도 15는 도 14의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.The induction plasma chamber of the present invention can be modified to include only a plurality of discharge tube bridges as described below without installing the discharge tube head as described above. FIG. 14 is a perspective view of an induction plasma chamber according to another embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a sectional view of the induction plasma chamber of FIG.

도면을 참조하여, 유도 플라즈마 챔버는 프로세스 챔버(70)는 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면(72) 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구(79)와 내측에는 작업편(78)이 놓여지는 서셉터(76)가 마련된다. 서셉터(76)는 바이어스 전원 공급원(104)에 전기적으로 연결된다. 프로세스 챔버(70)의 상부에 중심에 가스 입력관(74)이 마련된다. 가스 입력관(74)은 세라믹 관으로 절연될 수 있다.Referring to the drawings, in the induction plasma chamber, the process chamber 70 is provided with a gas outlet 79 for discharging a gas having an inclined surface 72 whose center portion is raised and inclined upward toward the center, and a workpiece 78 is placed inside A susceptor 76 is provided. The susceptor 76 is electrically connected to the bias power source 104. A gas inlet tube 74 is provided at the center of the upper portion of the process chamber 70. The gas input tube 74 may be insulated with a ceramic tube.

프로세스 챔버(70)의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부(75)와 가스 입력관(74)의 주변에 형성되는 복수개의 개구부(77)들 간에는 복수개의 중공형 방전관 브리지(80)가 설치된다. 방전관 브리지(80)는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어(82, 84)가 설치된다. 페라이트 코어(82, 84)는 전원공급원(100)에 연결되는 권선(102)을 구비된다.A plurality of hollow discharge tube bridges 80 are provided between a plurality of openings 75 formed in the periphery of the process chamber 70 and a plurality of openings 77 formed in the periphery of the gas input tube 74. The discharge tube bridge 80 is bent in a '' shape, and the ferrite cores 82 and 84 are installed on both sides bent. The ferrite cores (82, 84) are provided with a winding (102) connected to a power source (100).

가스 입력관(74)과 프로세스 챔버(70)의 연결 부분(92)은 상술한 바와 같이 링형의 진공 실과 그 내측으로는 링형의 절연부재 예컨대 세라믹 링이 설치된다. 그리고 다수개의 방전관 브리지(80)에도 절연부재(90)가 설치된다. 절연 부재(90)의 설치 위치는 가스 입력관(74) 또는 프로세스 챔버(70)와의 연결 부분에 설치될 수도 있으며 진공 실을 더불어 설치할 수 있다.The connecting portion 92 of the gas input pipe 74 and the process chamber 70 is provided with a ring-shaped vacuum chamber and a ring-shaped insulating member such as a ceramic ring on the inside thereof, as described above. An insulating member 90 is also installed on the plurality of discharge tube bridges 80. The installation position of the insulating member 90 may be provided at a connection portion with the gas input pipe 74 or the process chamber 70, or may be provided with a vacuum chamber.

이와 같은 본 발명의 변형예에 따른 유도 플라즈마 챔버는 가스 입력관(74)을 통해 공정 가스가 주입되고 권선(102)에 전원 공급원(100)으로부터 전원이 공급되면 복수개의 방전관 브리지(80) 및 프로세스 챔버(70)의 내부로 기전력이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 방전 패스는 네 개의 방전관 브리지(80)를 갖는 경우 상호 마주보는 방전관 브리지들 간에 이루어진다.The induction plasma chamber according to the modified embodiment of the present invention includes a plurality of discharge tube bridges 80 and a plurality of discharge tube bridges 80 when the process gas is injected through the gas input tube 74 and power is supplied to the windings 102 from the power source 100. [ An electromotive force is transmitted to the inside of the chamber 70 to perform plasma discharge. The discharge path is made between mutually opposing discharge tube bridges when there are four discharge tube bridges 80.

이와 같이 다중 방전관 브리지(80)들에 의해 다중 방전 패스가 형성되어 볼륨이 큰 고밀도의 플라즈마가 프로세스 챔버(70)의 내부에 형성된다. 이때, 발생된 플라즈마 가스는 프로세스 챔버(20)의 상측이 중심으로 기울어진 경사면(72)을 갖고 있어 서셉터(22)가 위치한 프로세스 챔버(20)의 하부로 균일하게 확산되어 진다.In this way, multiple discharge paths are formed by the multiple discharge tube bridges 80, so that a high-density plasma having a large volume is formed inside the process chamber 70. The generated plasma gas is uniformly diffused to the lower portion of the process chamber 20 where the susceptor 22 is located because the upper side of the process chamber 20 has an inclined surface 72 inclined to the center.

도면에는 도시되지 않았으나 이 변형예에서도 전술한 바와 같이, 프로세스 챔버(70)의 상부 경사면(72)에 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들을 배치할 수있다.Although not shown in the drawings, as described above, a plurality of permanent magnets for guiding the plasma discharge path are disposed on the upper inclined surface 72 of the process chamber 70 so that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber .

이상에서 본 발명에 따른 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였으나, 이는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is of course possible to change and change.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있으며, 가스 공급 구조를 간략하게 할 수 있는 효과가 있다.As described above in detail, the plasma volume can be increased, uniformity can be increased, high-density plasma can be obtained, and the gas supply structure can be simplified.

Claims (14)

가스를 주입받는 가스 입구와 복수개의 개구부를 갖는 중공형 방전관 헤드;A hollow discharge tube head having a gas inlet for receiving a gas and a plurality of openings; 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 방전관 헤드의 개구부들과 대응되는 복수개의 개구부가 상부면에 형성되고 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버;A process chamber having a gas outlet for discharging the gas and a susceptor in which a plurality of openings corresponding to the openings of the discharge tube head are formed on the upper surface and a workpiece is placed on the inner side; 방전관 헤드의 개구부들과 프로세스 챔버의 개구부들 사이에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및A plurality of hollow discharge tube bridges connected between the openings of the discharge tube head and the openings of the process chamber; And 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고,And at least one ferrite core installed in each of the discharge tube bridges, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 헤드와 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The ferrite core has a winding connected to a power source to provide a discharge tube head and a discharge tube bridge, and a multiple discharge tube bridge for generating an electromotive force for generating plasma in the process chamber. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드와 방전관 브리지 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber according to claim 1, further comprising a multiple discharge tube bridge in which a ring-shaped insulating member and a ring-shaped vacuum chamber are connected between the discharge tube head and the discharge tube bridge. 제1항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상측 일정 영역의 테두리는 상향 중심으로 기울어진 경사면을 갖는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber according to claim 1, wherein a rim of a certain upper region of the process chamber has an inclined surface inclined upward. 제1항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 방전관 헤드의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖고, 프로세스 챔버의 상부면은 중심부로 경사진 구조를 갖는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The process chamber of claim 1, wherein the discharge tube bridge has an expansion structure in which a diameter of an upper portion connected to an opening of the discharge tube head is gradually widened, and an upper surface of the process chamber is provided with a multiple discharge tube bridge Inductive plasma chamber. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드는 내측에 가로 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 샤워판을 포함하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber of claim 1, wherein the discharge tube head includes a gas shower plate having a plurality of through holes formed therein in a transverse direction. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드는 냉각 채널을 포함하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber of claim 1, wherein the discharge tube head includes a multiple discharge tube bridge including a cooling channel. 제1항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지들은 전체적으로 균일한 대칭 구조로 배열되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber according to claim 1, wherein the discharge tube bridge has a cylindrical shape, and the plurality of discharge tube bridges are arranged in a uniformly symmetrical structure as a whole. 제7항에 있어서, 상기 복수개의 방전관 브리지는 중심에 하나의 방전관 브리지가 위치하고 그 주변으로 나머지의 방전관 브리지들이 동일한 간격으로 배열되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.[10] The induction plasma chamber of claim 7, wherein the plurality of discharge tube bridges include a plurality of discharge tube bridges having one discharge tube bridge at the center and the remaining discharge tube bridges at equal intervals. 제8항에 있어서, 중심의 방전관 브리지의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2인 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.9. The induction plasma chamber of claim 8, wherein the cross sectional area of the central discharge tube bridge is approximately one half of the sum of the cross sectional areas of the remaining discharge tube bridges located in the periphery. 제7항에 있어서, 방전관 헤드의 내부에는 대칭 구조로 배열된 개구부의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드가 구비되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber according to claim 7, wherein the gas guide is provided in the inside of the discharge tube head such that a plasma discharge loop is formed between the openings symmetrical to each other around the opening arranged symmetrically. 제1항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.The induction plasma chamber of claim 1, wherein the upper surface of the process chamber has a multiple discharge tube bridge in which a plurality of permanent magnets are arranged to induce a plasma discharge path so that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber. 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버;A process chamber having a gas outlet for discharging the gas with a slope inclined toward the upward center and a gas inlet for discharging the gas, and a susceptor on which the workpiece is placed; 프로세스 챔버의 상부에 중심에 마련되어 가스를 주입받는 가스 입력관(74);A gas inlet tube 74 provided at the center of the upper portion of the process chamber for injecting gas; 프로세스 챔버의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부와 가스 입력관의 주변에 형성되는 복수개의 개구부들 간에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및A plurality of hollow discharge tube bridges connected between a plurality of openings formed in the periphery of the process chamber and a plurality of openings formed in the periphery of the gas input tube; And 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고,And at least one ferrite core installed in each of the discharge tube bridges, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.Wherein the ferrite core has a winding connected to a power source to provide a discharge tube bridge and a process chamber with multiple discharge tube bridges for generating electromotive force for plasma generation. 제12항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어가 설치되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.13. The induction plasma chamber of claim 12, wherein the discharge tube bridge includes a multiple discharge tube bridge bent in a " shape " 제12항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부 경사면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.13. The induction plasma chamber of claim 12, wherein the upper inclined surface of the process chamber has a multiple discharge tube bridge in which a plurality of permanent magnets are arranged to induce a plasma discharge path so that a plasma discharge is evenly formed inside the process chamber.
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