KR20040094472A - 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 게이트라인의 부식을 방지하기 위한 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 기판과; 상기 기판 상에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 각 화소영역 내에 배치되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 일단부에 형성된 게이트패드부 및 데이터패드부와; 상기 게이트패드부 안쪽에 배치되어, 상기 게이트라인들을 연결하는 게이트쇼팅라인과; 상기 게이트라인과 평행하게 배치된 공통전극라인과; 상기 공통전극라인들을 하나로 연결하는 공통라인을 포함하여 구성된다.

Description

횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 게이트라인의 부식을 방지하여 외부회로와의 접촉저항을 줄일 수 있는 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것이다.

고화질, 저전력의 평판표시소자(flat panel display device)로서 주로 사용되는 트위스트 네마틱 모드(twisted nematic mode) 액정표시소자(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다. 이것은 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로, 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정패널(liquid crystal display panel)에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.

따라서, 액정분자를 기판과 거의 수평한 방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결하는 횡전계방식 액정표시소자(In Plane Switching mode LCD)가 최근에 활발하게 연구되고 있다.

도 1은 일반적인 횡전계방식 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도면에 도시한 바와 같이, 투명한기판 상에 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)이 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하고, 상기 게이트라인(1)과 데이터라인(3)의 교차점에는 박막트랜지스터(thin film transistor; 9)가 배치되어 있다. 그리고, 상기 박막트랜지스터(9)는 게이트전극(1a), 소스/드레인전극(2a, 2b) 및 반도체층(5)으로 구성되어 있다. 실제의 액정표시소자에서는 n개의 게이트라인(1)과 m개의 데이터라인(3)이 교차하여 n×m개의 화소가 존재하지만, 도면에는 설명을 간단하게 하기 위해 단지 한 화소만을 나타내었다.

또한, 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시키는 공통전극(6)과 화소전극(7)이 교대로 배치되어 있으며, 상기 공통전극(6)은 게이트라인(1)과 평행하게 배치된 공통전극라인(4)으로부터 분기되고, 상기 화소전극(7)은 드레인전극(2a)과 전기적으로 접속하며 공통전극라인(4)과 중첩하는 화소전극라인(14)으로부터 분기되어 있다. 이때, 공통전극라인(4)은 게이트라인(1)과 동일한 평면상에 형성되고, 화소전극라인(14)은 데이터라인(3)과 동일평면상에 형성되며, 이들 사이에는 절연막(미도시)이 개재되어 있다.

또한, 각각의 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)의 일단부에는 외부회로로부터 공급되는 주사신호 및 데이터 신호를 상기 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)에 인가하는 입력패드가 구비되어 있으며, 패널의 외곽에는 상기 게이트라인(1)을 하나로 연결하는 게이트쇼팅바(미도시)가 형성되어 있다. 아울러, 상기 게이트라인(1)과 평행하게 배열된 각각의 공통전극라인(4)은 패널의 외곽에 하나의 공통라인(미도시)으로 연결되어 있다. 그리고, 상기 게이트라인 및 공통라인은 동일 평면상에 형성되기 때문에 게이트라인 및 공통라인 형성 이후, 이들(게이트라인, 공통전극라인) 간의 단락불량검사가 이루어지게 되는데, 쇼트불량검사는 모든 게이트라인(1)들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인과 공통전극라인(4)들을 하나로 연결하는 공통라인을 통해서 이루어진다.

도 2a 및 도 2b는 게이트쇼팅라인의 일부를 나타낸 도면으로, 도 2a는 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 절단선(16)을 따라 절단한 단면도이다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 실질적으로 화면을 표시하는 화소영역(20)으로부터 연장된 복수의 게이트라인(1)들이 게이트쇼팅라인(21)에 연결되어 있으며, 게이트라인(1) 및 게이트쇼팅라인(21) 사이에는 게이트라인(1)을 외부회로와 전기적으로 연결하기 위한 게이트패드(13)가 형성되어 있으며 이들은 콘택홀(13a)을 통하여 전지적으로 접속되어 있다. 상기 게이트쇼팅라인(21)은 게이트라인(1)과 공통전극라인(미도시) 사이의 단락불량을 검사하기 위해서 형성된 것으로, 소자가 완성되면, 스크라이빙(scribing) 공정을 통해서 제거되는 부분이다. 스크라이빙은 절단선(16)을 따라 이루어지며, 게이트쇼팅라인(21)이 제거되면, 도 2b에 도시된 바와 같이, 절단면의 게이트라인(1)의 일부가 노출된다. 실질적으로, 투명한 기판(10) 위에 형성된 게이트라인(1) 위에는 절연막(8)과 보호막(11)이 형성되어 있으나, 상기 절단선(16)을 따라 자른 단면으로 인해 게이트라인(1)이 노출되게 된다. 상기 게이트라인(1)은 금속물질로 이루어져 있기 때문에 공기중의 산소와 반응하여 부식(rust)이 발생하게 되는데, 이때 발생된 부식은 노출된 게이트라인의 일단부를 시작점으로 패드부(13)까지 번지게 된다. 패드부(13)에 게이트라인의 부식이 발생되면 외부회로와의 접촉저항이 커지게 되어 외부로부터 인가되는 신호가 지연이 생기는 문제가 발생하게 된다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 게이트패드의 안쪽에 게이트쇼팅라인을 형성하고 게이트라인들을 각각 절연시킨 다음, 상기 게이트쇼팅라인이 외부로 노출되는 것을 막기 위해 수지를 도포함으로써 게이트라인의 부식을 방지할 수 있는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는데 있다.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.

도 1은 일반적인 횡전계방식 액정표시소자의 구조를 도시한 도면.

도 2a 및 도 2b는 종래 게이트패드영역의 일부를 나타낸 도면.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 도면.

도 4는 본 발명에 따른 실시예로써 지그재그(zigzag)구조를 가지는 횡전계방식 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 도면.

도 5는 도 3에 있어서, A영역을 확대하여 나타낸 확대도면.

도 6은 도 5에 있어서, II-II'의 절단면을 나타낸 단면도.

도 7 및 도 7c는 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정순서도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

101: 게이트라인 103: 데이터라인

104: 공통전극라인 106a∼106c: 공통전극

107a,107c: 화소전극 108: 게이트절연막

111: 보호막 121: 공통라인

150: 게이트쇼팅라인 155: 수지막

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 기판과; 상기 기판 상에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 각 화소영역 내에 배치되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 일단부에 형성된 게이트패드부 및 데이터패드와; 상기 게이트패드 안쪽에 배치되어, 상기 게이트라인들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인과; 상기 게이트라인과 평행하게 배치된 공통전극라인과; 상기 공통전극라인들을 하나로 연결하는 공통라인을 포함하여 구성되어 있다.

상기 게이트쇼팅라인은 공통전극라인과의 쇼트검사를 위해서 형성된 것으로, 그 표면에는 수지가 도포되어 있다.

또한, 상기 화소전극 및 공통전극은 스트라이프 구조를 가지거나 지그재그 구조를 가진다. 그리고, 상기 공통전극은 공통전극라인과 접속되어 있으며, 상기 화소전극은 박막트랜지스터와 전기적으로 접속되어 있다.

또한, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에는 스위칭소자로써, 박막트랜지스터가 배치되어 있으며, 상기 박막트랜지스터는 기판 위에 형성된 게이트전극과 상기 게이트전극이 형성된 기판 전면에 형성된 게이트절연막과 상기 게이트절연막 위에 형성된 액티브층과 상기 액티브층 상에 형성된 소스/드레인전극으로 구성되어 있다.

또한, 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법은 투명한 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 복수의 게이트라인과 상기 게이트라인들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인과 상기 게이트라인과 평행하게 배치되는 공통전극라인 및 상기 공통전극라인을 하나로 연결하는 공통라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트라인이 형성된 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상에 게이트라인과 수직으로 교차하는 데이터라인을 형성하는 단계와; 상기 데이터라인이 형성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 및 보호막을 패터닝하여 게이트라인의 일단부를 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 게이트쇼팅라인의 일부를 노출시키는 단계와; 상기 보호막 상에 투명한 전도성 물질을 증착한 후 식각을 통해 상기 콘택홀을 통해 게이트라인과 접촉하는 게이트패드부를 형성하는 단계와; 상기 노출된 게이트쇼팅라인을 제거한 후, 그 상부에 수지를 도포하는 단계를 포함하여 이루어진다.

이때, 상기 투명한 전도성물질을 식각하는 단계와 노출된 게이트쇼팅라인을 제거하는 단계는 동일한 공정에서 이루어진다.

상기와 같이, 본 발명은 게이트라인과 공통전극라인과의 단락검사를 위해 형성되는 게이트쇼팅라인을 게이트패드부의 안쪽에 배치시키고, 노출되는 영역에 수지를 도포함으로써, 스크라이빙 공정이후 게이트라인의 일단부가 노출되는 것을 막아 게이트라인의 부식을 막을 수가 있다.

이하, 첨부한 도면을 통하여 상기와 같이 구성된 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 평면도이다.

도면에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(100) 위에 복수의 게이트라인(101) 및 데이터라인(103)에 의해서 정의된 복수의 화소(p)가 화소영역(110)을 구성하고 있으며, 상기 게이트라인(101) 및 데이터라인(103)의 끝단부에는 게이트패드(111) 및 데이터패드(113)가 형성되어 있다. 상기 게이트패드(111) 및 데이터패드(113)는 게이트/데이터 집적회로(미도시)와 게이트/데이터라인(101/103)을 전기적으로 연결하여 게이트라인(101) 및 데이터라인(103)에 외부신호를 인가한다. 또한, 게이트라인(101)과 평행하게 공통전극라인(104)이 배치되어 있으며, 각각의 공통전극라인(104)은 화소영역(110)의 외곽에 배치된 공통라인(121)에 연결되어 있다. 그리고, 상기 공통라인(121)의 일단부에는 공통신호를 인가받는 공통전극패드(123)가 형성되어 있다.

그리고, 각각의 게이트라인(101)은 게이트패드(111) 안쪽에 배치된 게이트쇼팅라인(150)에 연결되어 있으며, 상기 게이트쇼팅라인(150)의 일단부에는 신호 인가를 위한 게이트쇼팅패드(151)가 형성되어 있다. 상기 게이트쇼팅패드(151) 및 공통전극패드(123)는 게이트라인(101)과 공통전극라인(104) 사이의 쇼트불량을 검사하기 위해 마련된 것이다.

또한, 각각의 화소(p) 내에는 횡전계를 발생시키는 적어도 한쌍의공통전극(106a∼106c)과 화소전극(107a∼107b)이 배치되어 있으며, 공통전극(106a∼106c)은 공통전극라인(104)으로부터 분기되고, 화소전극(107a∼107b)은 화소전극라인(114)으로부터 분기된 것으로, 상기 화소전극(107a∼107b)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 형성되어 있으며, 콘택홀을 통하여 드레인전극과 전기적으로 연결되어 있다. 그리고, 상기 공통전극라인(104)과 화소전극라인(114) 사이에는 이들을 절연시키기 위한 게이트절연막(미도시)이 기판 전체에 걸쳐서 개재되어 있으며, 이들은 게이트절연막 및 보호막(미도시)을 사이에 두고 스토리지커패시터(Cst)를 형성한다.

또한, 적어도 하나의 공통전극라인(104) 또는 화소전극라인(114)이 게이트라인(101)에 오버랩되어 스토리지커패시터를 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 공통전극라인(104)이 화소전극라인(114)과 오버랩되지 않고 화소내에 형성될 수도 있다.

상기 공통전극(106a~106c) 및 화소전극(107a~107b)의 구조는 지그재그 형상도 적용가능하다. 도 4에 도시한 바와 같이, 공통전극(206a∼206c)과 화소전극(207a∼207b)이 지그재그 형상으로 이루어진 구조는 한 화소에 위치하는 액정이 모두 한 방향을 배열되지 않고 대칭성(symmetry)이 있는 방향으로 배열되어 멀티도메인(multi domain)을 유도할 수도 있다. 즉, 대칭성을 가지는 멀티 도메인(multi domain) 구조로 인해 액정의 복굴절(birefringence) 특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시키기 때문에 칼라쉬프트(color shift) 현상을 최소화 할 수 있는 장점을 가진다.

또한, 데이터라인(103)도 공통전극(206a∼206c) 및 화소전극(207a∼207b)과같이 지그재그 형상으로 형성할 수 있다.

또한, 상기 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 교차영역에는 스위칭소자로써 박막트랜지스터(109)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(109)는 게이트라인(101)으로부터 인출된 게이트전극(101a)과 상기 게이트전극(101a) 위에 형성된 반도체층(105)과 상기 반도체층(105) 위에 형성된 소스/드레인전극(103a/103b)으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 게이트전극(101a)과 반도체층(105) 사이에는 이들을 절연시키기 위한 게이트절연막(미도시)이 기판 전체에 걸쳐서 도포되어 있다.

한편, 도면에 상세하게 도시되진 않았지만, 게이트라인(101)들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인(150)은 쇼팅검사 이후에 최종소자가 완성되면 그 일부가 제거되어 각각의 게이트라인(101)들을 절연시키게 된다.

도 5는 도 3에 있어서, A영역의 확대도면으로 상기 게이트쇼팅라인(150)을 더욱 상세하게 나타낸 것이다.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 게이트쇼팅라인(150)은 게이트패드(113) 안쪽에 배치되어 있으며, 각 게이트라인(101) 사이를 지나는 게이트쇼팅라인(150)의 일부가 제거되어 각각의 게이트라인(101)들을 절연시킨다. 그리고, 상기 게이트패드(113)는 게이트콘택홀(113a)을 통해 게이트라인(101)과 접속되어 있으며, 상기 게이트패드(113)는 상기 게이트콘택홀(113a)을 통하여 게이트라인(101)과 게이트집적회로(미도시)를 전기적으로 연결한다.

게이트쇼팅라인(150)은 게이트라인(101)과 공통전극라인(104;도 3참조) 간의 쇼트불량을 검사하기 위하여 만들어 놓은 것으로, 검사가 끝난 다음에는 제거되어야한다. 그러나, 본 발명에서 게이트쇼팅라인(150)은 게이트패드(113) 안쪽에 배치되어 있기 때문에 게이트라인(101)들을 절연시키기 위해서는 게이트라인(101)들 사이를 연결하는 게이트쇼팅라인(150)의 일부를 제거해야한다.

일반적으로, 횡전계방식 액정표시소자에서 게이트라인과 공통전극라인간의 쇼트불량 검사는 게이트라인 및 공통전극라인을 형성한 다음 이루어지며, 쇼트불량이 검출되지 않은 경우 다음공정을 계속하여 진행하게 된다. 이후에 계속되는 공정들(예를들면, 데이터라인공정, 보호막 및 콘택홀 형성공정, 화소전극형성공정등..)을 통하여 소자가 완성되면, 스크라이빙 공정을 통하여 게이트쇼팅라인을 제거함으로써, 각각의 게이트라인들을 절연시키게 된다. 그러나, 본 발명에서는 게이트쇼팅라인이 게이트패드 안쪽에 배치되어 있기 때문에 게이트쇼팅바를 모두 절단하지 않고, 게이트콘택홀 형성시 게이트라인 사이를 연결하는 게이트쇼팅라인에 홀을 형성한 다음, 화소전극 및 게이트패드 패터닝 공정에서 상기 홀을 통해 노출된 게이트쇼팅라인의 일부를 제거한 후, 게이트쇼팅라인의 일부가 공기중의 수분에 노출되는 것을 막기 위하여 수지를 도포함으로써, 각각의 게이트라인들을 절연시킨다. 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 이후에 더욱 상세하게 설명하도록 한다.

도 6은 도 5에서 II-II의 단면을 나타낸 도면으로, 투명한 기판(100) 위에 형성된 게이트쇼팅라인(150) 위에는 게이트절연막(108)과 보호막(111)이 형성되어 있으며, 게이트라인(101)들 사이에 연결된 상기 게이트쇼팅라인(150)의 일부가 단선되어 각각의 게이트라인(101)들을 절연시킨다. 아울러, 노출된 게이트쇼팅라인(150)의 측면을 포함한 보호막(111) 위에는 수지(155)가 도포되어있으며, 상기 수지(155)는 노출된 게이트쇼팅라인(150)을 외부의 공기 및 수분으로부터 보호해 준다.

상기한 바와 같은 구조를 가지는 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 게이트라인이 노출되는 영역이 발생하지 않기 때문에 종래와 같은 게이트라인의 부식을 막을 수가 있다. 즉, 종래에는 게이트쇼팅라인(21)이 게이트패드(13)의 바깥쪽에 형성되어 있기 때문에 게이트쇼팅라인(21)의 절단후, 게이트쇼팅라인(21)과 연결된 게이트라인(1)이 절단선을 따라 외부로 노출되어 공기중의 수분과 접촉하면서 부식이 발생하는 문제점이 있었다(도 2참조). 반면에, 본 발명은 게이트패드(113) 안쪽에 게이트쇼팅라인(150)을 형성하고, 게이트쇼팅라인(150)이 제거되어 노출된 영역에 수지를 도포함으로써, 게이트라인의 노출을 막을 수가 있다.

이하, 도 7a ~ 7c를 참조하여 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연기판(100)을 준비한 다음, 그 위에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 후, 패터닝하여 복수의 게이트라인(101)과 상기 게이트라인(101)들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인/패드(150,151) 및 각각의 게이트라인(101)과 인접하는 공통전극라인(104)과 각각의 공통전극라인(104)을 하나로 연결하는 공통라인/패드(121,123)를 형성한다. 이때, 게이트전극(101a) 및 상기 공통전극라인(104)으로부터 수직으로 분기된 공통전극(106a~106c)도 함께 형성된다.

상기 게이트쇼팅라인(150)은 게이트라인(101)과 공통전극라인(104)들 간의 쇼트불량을 검사하기 위해서 형성하는 것으로, 게이트라인(101)과 공통전극라인(104)을 형성한 후, 게이트쇼팅패드(151)와 공통전극패드(123)에 신호를 인가하여 이들간의 쇼트불량 검사를 실시한다. 실질적으로, 게이트라인(101)과 공통전극라인(104)은 마진이 충분하지 않기 때문에 이들 사이의 쇼트불량 발생률이 매우 높으며, 쇼트검사를 통해서 발생되는 쇼트불량률은 약 30% 이다.

상기와 같이, 쇼트불량 검사를 마친 후, 상기 게이트쇼팅라인(150) 및 공통라인(121) 등을 포함하는 기판 전면에 걸쳐서 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(미도시)을 형성한 다음, 게이트전극 상부에 비정질 실리콘, n+ 비정질 실리콘을 적층하고 패터닝하여 박막트랜지스터의 액티브층(105)을 형성한다.

이어서, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트절연막(미도시) 상에 Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 다음 패터닝하여 상기 게이트라인(101)과 수직으로 직교하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인(103)을 형성한다. 이때, 박막트랜지스터의 반도체층 상에 소스/드레인전극(102a/102b)도 함께 형성한다. 아울러, 데이터라인(103) 형성시 공통전극과 함께 화소내에서 횡전계를 발생시키는 화소전극도 함께 형성할 수 있으나, 화소전극은 이후의 공정에서 투명한 전도성물질로 형성하는 것이 개구율측면에서 더욱 유리하다.

이후에, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 걸쳐서 SiOx나 SiNx와같은 무기물 또는 BCB나 아크릴과 같은 유기물을 적층하여 보호막(미도시)을 형성한 후, 상기 게이트 절연막 및 보호막의 일부를 식각하여 드레인전극(103b)의 일부를 노출시키는 콘택홀(114a) 및 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 일단부를 노출시키는 게이트/데이터콘택홀을 형성한다. 도면에는 콘택홀이 도시되어 있지 않다.

그리고 나서, 상기 기판 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 전도성물질을 도포한 다음, 습식식각을 통하여 상기 투명막을 패터닝함으로써, 도 7c에 도시된 바와 같이 화소전극(107a,107b) 및 게이트/데이터콘택홀을 통하여 게이트/데이터라인(101/103)과 접촉하는 게이트 및 데이터패드(111,113)를 형성한다. 이때, 확대도면에 도시된 바와 같이, 콘택홀에 의해서 노출된 게이트쇼팅라인(150)을 함께 제거해 줌으로써, 각각의 게이트라인(101)들을 절연시킨다.

상기와 같은 공정을 통하여 제작된 박막트랜지스터기판은 칼라필터기판과 합착 후, 상기 게이트 및 데이트패드(111,113)를 통해 게이트/데이터 드라이버 집적회로와 같은 외부회로와 연결된다. 외부회로와 연결 후, 외부회로와 접촉하는 게이트 및 데이터패드 영역에 수지를 도포하여 외부의 공기 및 수분으로부터 보호한다. 이때, 패터닝된 게이트쇼팅라인(150) 위에도 수지를 도포하여 공기 및 수분에 노출되는 것을 방지한다.

본 발명의 기본개념은 게이트라인의 부식을 방지할 수 있는 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법으로써, 공통전극라인과 게이트라인 간의 쇼팅불량을 검사위해 형성된 게이트쇼팅라인을 게이트패드 안쪽에 형성한다. 그리고, 게이트라인을 절연시키기 위하여 콘택홀 형성시 게이트라인을 연결하는 게이트쇼팅라인 사이에도 홀을 형성한 다음, 화소전극 형성시 습식시각공정에서 노출된 게이트쇼팅라인을 제거한다. 이후에, 게이트쇼팅라인이 제거됨에 따라 노출된 게이트쇼팅라인의 측면에 수지를 도포하여 게이트쇼팅라인을 외부의 공기 및 수분으로부터 보호함으로써, 게이트라인의 부식을 방지한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 게이트패드의 안쪽에 게이트쇼팅라인을 형성하고, 제거된 게이트쇼팅라인의 측면에 수지를 도포하여 게이트쇼팅라인을 외부의 공기 및 수분으로부터 보호함으로써 게이트라인이 부식되는 것을 막아 제품의 생산효율을 더욱 향상시킬 수가 있다.

Claims (12)

1. 기판과;

   상기 기판 상에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과;

   상기 각 화소영역 내에 배치되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과;

   상기 게이트라인 및 데이터라인의 일단부에 형성된 게이트패드 및 데이터패드와;

   상기 게이트패드 안쪽에 배치되어, 상기 게이트라인들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인과;

   상기 게이트라인과 평행하게 배치된 공통전극라인과;

   상기 공통전극라인들을 하나로 연결하는 공통라인을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 게이트쇼팅라인 표면에 형성된 수지를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 게이트라인과 공통전극라인은 동일한 평면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극은 지그재그 형상인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 공통전극, 화소전극 및 데이터라인은 지그재그 형상인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
6. 제 1항에 있어서, 상기 화소전극은 투명한 전도성물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
7. 제 6항에 있어서, 상기 투명한 전도성물질은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
8. 기판과;

   상기 기판 상에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과;

   상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 배치된 스위칭소자와;

   상기 화소영역 내에 배치되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과;

   상기 게이트라인 및 데이터라인의 일단부에 형성된 게이트패드부 및 데이터패드부와;

   상기 게이트패드부 안쪽에 배치되어 있으며, 상기 게이트라인들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인와;

   상기 게이트라인과 평행하게 배치되며, 상기 공통전극과 전기적으로 접속하는 공통전극라인과;

   상기 게이트라인과 동일한 평면상에 형성되며, 공통전극라인들은 연결하는 공통라인과;

   상기 게이트쇼팅라인 표면에 형성된 수지를 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시소자.
9. 제 8항에 있어서, 상기 게이트라인들 사이에 배치된 게이트쇼팅라인에 각각의 게이트라인들을 절연시키는 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
10. 제 9항에 있어서, 상기 수지는 홀에 의해 노출된 게이트쇼팅라인의 표면을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
11. 기판을 준비하는 단계와;

    상기 기판 상에 복수의 게이트라인과 상기 게이트라인들을 하나로 연결하는 게이트쇼팅라인과 상기 게이트라인과 평행하게 배치되는 공통전극라인 및 상기 공통전극라인을 하나로 연결하는 공통라인을 형성하는 단계와;

    상기 게이트쇼팅라인과 공통라인에 신호를 인가하여 게이트라인과 공통전극라인간의 쇼팅불량을 검사하는 단계와;

    상기 게이트라인이 형성된 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와;

    상기 게이트절연막 상에 게이트라인과 수직으로 교차하는 데이터라인을 형성하는 단계와;

    상기 데이터라인이 형성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와;

    상기 게이트절연막 및 보호막의 일부를 제거하여 게이트라인 및 데이터라인의 일단부를 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 게이트쇼팅라인의 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계와;

    상기 노출된 게이트쇼팅라인을 제거하여 각각의 게이트라인들을 절연시키는 단계와;

    상기 보호막 상에 투명한 전도성 물질을 증착한 후 패터닝하여 상기 공통전극과 교대로 배치되는 화소전극과 상기 콘택홀을 통해 게이트라인 및 데이터라인과 접촉하는 게이트패드 및 데이터패드부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
12. 제 11항에 있어서, 상기 홀에 의해서 노출되는 게이트쇼팅라인의 표면을 덮도록 수지를 도포하는 단계를 추가로 포함하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.