KR20040089283A - Microwave absorber with improved microwave absorption rate by forming impedance resistance film on the surface - Google Patents

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KR20040089283A
KR20040089283A KR1020030022995A KR20030022995A KR20040089283A KR 20040089283 A KR20040089283 A KR 20040089283A KR 1020030022995 A KR1020030022995 A KR 1020030022995A KR 20030022995 A KR20030022995 A KR 20030022995A KR 20040089283 A KR20040089283 A KR 20040089283A
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Abstract

PURPOSE: A conductive thin film type microwave absorber is provided to reduce the thickness of the microwave absorber by using, as a microwave absorbing layer, a metallic magnet having a high magnetic permeability and dielectric constant or a ceramic ferroelectric substance having a high dielectric constant. CONSTITUTION: A conductive thin film type microwave absorber comprises a microwave absorbing layer(1) having a thickness 1/4 of the incident electromagnetic wave length; a resistance film(2) formed on the electromagnetic wave incident surface of the microwave absorbing layer, and which has a surface resistance of 377±20 §Ù/sq so as to induce an impedance matching; and a conductor layer(3) formed at the surface opposite from the surface of the microwave absorbing layer on which the resistance film is formed.

Description

임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체{MICROWAVE ABSORBER WITH IMPROVED MICROWAVE ABSORPTION RATE BY FORMING IMPEDANCE RESISTANCE FILM ON THE SURFACE}MICROWAVE ABSORBER WITH IMPROVED MICROWAVE ABSORPTION RATE BY FORMING IMPEDANCE RESISTANCE FILM ON THE SURFACE}

본 발명은 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전파흡수층으로 투자율 및 유전율이 큰 자성체 또는 유전율이 큰 유전체를 사용하여 두께를 줄임과 동시에, 이의 표면의 저항막에 임피던스 정합을 유도하는 기능을 부여함으로써 전파흡수율을 향상시킨 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive thin film type wave absorber having an impedance resistance film formed thereon to improve radio wave absorption. More specifically, the magnetic wave absorber layer has a magnetic permeability and a high dielectric constant or a dielectric having a high dielectric constant, and at the same time reduces the thickness thereof. The present invention relates to a conductive thin film type wave absorber having an improved resistance to radio wave absorption by forming an impedance resistance film having a function of inducing impedance matching to a resistance film.

최근 이동통신 단말기, 노트북 PC 등 디지털가전과 같은 시장은 양적으로나 질적으로 대단한 급성장을 하고 있다. 그러나 이들 기기로부터 나오는 전자파가 인체에 유해할 수 있다는 문제가 제기되면서 국내는 물론 전 세계가 전자파의 인체영향 연구 및 그 대책 마련에 골몰하고 있다. 현재까지 인체유해 여부가 확실히 규명된 바는 없으나, 있을 수 있는 가능성에 대비해 각국에서는 인체보호 기준을 고시해 그 규제를 강화하고 있다.Recently, markets such as digital home appliances such as mobile communication terminals and notebook PCs are rapidly growing quantitatively and qualitatively. However, as the problem that the electromagnetic waves emitted from these devices may be harmful to the human body has been raised, not only domestic but also the whole world are trying to study the human impact of electromagnetic waves and prepare countermeasures. To date, no definite human hazard has been identified, but countries are strengthening their regulations by promulgating human protection standards.

이들 기기에서 전자파의 누설을 방지하고 인체유해 영향을 최소화하기 위한 방안중의 하나가 전파흡수체의 사용이다. 현재 시판되고 있는 이동전화의 경우 케이스 내부를 금속피막으로 코팅하여 전파누설을 최소화 하고 있으나, 반사된 전파가 내부 회로 또는 부품 간에 전자파장해를 발생시킬 수 있다는 점에서 전자파 차폐재보다는 전파감쇄기능을 가진 전파흡수체가 보다 효과적이다.One of the measures to prevent the leakage of electromagnetic waves and to minimize the harmful effects of human body in these devices is the use of radio absorbers. In the case of mobile phones currently on the market, the inside of the case is coated with a metal coating to minimize the leakage of radio waves. However, since the reflected radio waves can cause electromagnetic interference between internal circuits or components, they have radio wave attenuation functions rather than electromagnetic wave shielding materials. The absorber is more effective.

이동통신 단말기에 들어가는 전자파 감쇠용 전파흡수체로서 요구되는 가장 중요한 특성은 통신주파수 (셀룰러폰: 0.8㎓, PCS: 1.8㎓, IMT-2000: 2.2㎓)에서전자파 흡수율이 커야함은 물론 무엇보다도 두께가 박형이어야 한다.The most important characteristic required as an electromagnetic wave absorber for electromagnetic wave attenuation in a mobile communication terminal is that the electromagnetic wave absorption rate must be large at the communication frequency (cellular phone: 0.8 ㎓, PCS: 1.8 I, IMT-2000: 2.2 ㎓), and, of course, the thickness of the It must be thin.

그러나 기존의 페라이트 자성체나 탄소분말을 가지고 흡수체를 구성하였을 경우 상기 주파수대역에서 두께가 5~10㎜에 달하기 때문에 박형화에 필요한 새로운 소재의 사용 및 새로운 방식의 전파흡수체가 검토되어야 한다.However, when the absorber is composed of the existing ferrite magnetic material or carbon powder, since the thickness reaches 5 to 10 mm in the frequency band, the use of a new material required for thinning and a new type of radio absorber should be considered.

임피던스 정합형 전파흡수체는 임피던스 정합이 일어나는 특정 두께의 유전체 또는 자성체의 뒷면에 도체판을 붙혀 재료내부에서 전파를 다중반사시킴으로 전파의 반사율은 최소화 하고 흡수율을 최대화 시키는 흡수체로서 이 정합두께는 구성 재료의 투자율 및 유전율의 제곱근에 반비례한다.Impedance matching type radio absorber attaches a conductor plate to the back of dielectric or magnetic material of specific thickness where impedance matching occurs, and multi-reflects the radio wave inside the material.This matching thickness minimizes the reflectance and maximizes the absorption rate. Inversely proportional to the square root of permeability and permittivity.

예를 들어 PCS 주파수대역인 1.8㎓를 기준으로 하여 흡수체의 두께를 1㎜ 이하로 줄이기 위해서는 비투자율 또는 유전상수가 1,700 이상이 되어야 한다. 스피넬 페라이트 자성체의 경우, Snoek 한계주파수를 넘어서면 투자율이 급격히 감소하여 1㎓ 이상에서 2~3 정도 밖에 되지 않는다. 고주파대역용 흡수재로 사용되고 있는 육방정 페라이트의 경우에도 1㎓ 이상에서 투자율은 10~20 정도에 불과하다. 따라서 페라이트 자성체를 가지고 이동통신 주파수 대역용 박형 전파흡수체를 제작하는 것은 근본적으로 불가능하다.For example, in order to reduce the thickness of the absorber to 1 mm or less based on the PCS frequency band of 1.8 GHz, the relative permeability or dielectric constant must be 1,700 or more. In the case of spinel ferrite magnetic materials, the permeability decreases rapidly beyond the Snoek limit frequency and is only 2 to 3 at 1 kHz or more. Even in the case of hexagonal ferrite, which is used as an absorber for high frequency band, the permeability is only about 10-20 at 1㎓ or more. Therefore, it is fundamentally impossible to manufacture a thin wave absorber for a mobile communication frequency band using a ferrite magnetic material.

최근 판상형의 연자성 금속의 고투자율 특성을 이용하여 박형의 전파흡수체를 구성하는 방식이 제안되었으나, 임피던스 정합이 완전히 충족되지 못하여 흡수능은 최대 80% 수준에 머무르고 있다.Recently, a method of constructing a thin wave absorber using the high permeability characteristics of the plate-shaped soft magnetic metal has been proposed, but the absorption capacity is maintained at a maximum of 80% because the impedance matching is not completely satisfied.

상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 투자율 및 유전율이 큰 자성체 또는 유전율이 큰 유전체를 전파흡수체의 두께를 줄이기 위한 간격재로 사용하고, 표면의 저항막에 임피던스 정합을 유도하는 기능을 부여함으로써 0.8~2.2㎓ 주파수 대역에서 흡수율이 99% 이상이고, 두께가 0.1~3㎜ 수준인 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems of the prior art, the present invention uses a magnetic material having a high permeability and a high dielectric constant or a dielectric having a high dielectric constant as a spacer to reduce the thickness of the radio wave absorber, and induces impedance matching to the surface resistive film. The purpose of the present invention is to provide a conductive thin film type wave absorber having an absorption rate of 99% or more and a thickness of 0.1 to 3 mm in the 0.8 to 2.2 GHz frequency band, thereby improving the wave absorption rate.

도 1은 본 발명에 따른 전파흡수체의 모식도 및 등가회로도;1 is a schematic diagram and an equivalent circuit diagram of a radio wave absorber according to the present invention;

도 2는 본 발명의 자성복합체에 적용된 연자성 금속압분체-유기고분자의 복합재료에 대한 복소투자율 및 복소유전율을 도시한 그래프도;2 is a graph showing the complex permeability and the dielectric constant of the soft magnetic metal powder-organic polymer composite material applied to the magnetic composite of the present invention;

도 3은 본 발명의 자성복합체에 적용된 세라믹 강유전체-유기고분자 의 복합재료에 대한 복소유전율을 도시한 그래프도;3 is a graph showing the complex dielectric constant of a ceramic ferroelectric-organic polymer composite material applied to the magnetic composite of the present invention;

도 4는 본 발명의 제1실시예에 대한 전파흡수특성을 도시한 그래프도;4 is a graph showing radio wave absorption characteristics of a first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제2실시예에 대한 전파흡수특성을 도시한 그래프도;5 is a graph showing radio wave absorption characteristics of a second embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제3실시예에 대한 전파흡수특성을 나타내는 그래프도;6 is a graph showing radio wave absorption characteristics of a third embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제4실시예에 대한 전파흡수특성을 도시한 그래프도;7 is a graph showing radio wave absorption characteristics of a fourth embodiment of the present invention;

도 8은 본 발명의 제5실시예에 대한 전파흡수특성을 나타내는 그래프도이다.8 is a graph showing radio wave absorption characteristics according to a fifth embodiment of the present invention.

♣도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♣♣ Explanation of symbols for main part of drawing ♣

1:전파 흡수층 2:저항막 3:도체층1: Radio wave absorption layer 2: Resistance film 3: Conductor layer

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 입사된 전자파 파장(λ)의 1/4인 두께를 가지는 전파 흡수층과; 상기 전파 흡수층의 전자파 입사면에 형성되어 임피던스 정합을 유도하도록 377±20 Ω/sq의 면저항을 지니는 저항막과; 상기 저항막이 형성된 전파흡수층의 반대면에 형성된 도체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a radio wave absorption layer having a thickness of 1/4 of the incident electromagnetic wave wavelength (λ); A resistive film formed on the electromagnetic wave incident surface of the electromagnetic wave absorbing layer and having a sheet resistance of 377 ± 20 mA / sq to induce impedance matching; An impedance resistive film is formed, comprising a conductor layer formed on an opposite surface of the radio wave absorption layer on which the resistance film is formed, thereby providing a conductive thin film wave absorber having improved radio wave absorption rate.

또한, 본 발명은 상기 전파 흡수층이 연자성 금속압분체를 유기고분자 매트릭스에 혼입시킨 복합재료이거나, 세라믹 강유전체인 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공하게 되며,In addition, the present invention provides a conductive thin film wave absorber having an improved electromagnetic wave absorption rate by forming an impedance resistive film is characterized in that the electromagnetic wave absorbing layer is a composite material incorporating a soft magnetic metal powder into an organic polymer matrix, or a ceramic ferroelectric.

또한, 본 발명은 상기 저항막이 377Ω/sq의 면저항을 지니는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공한다.In addition, the present invention provides a conductive thin film type wave absorber having an improved resistance to absorption by forming an impedance resistive film, wherein the resistive film has a sheet resistance of 377 Ω / sq.

또한, 본 발명은 상기 전파 흡수층을 구성하는 연자성 금속압분체가 순철,카보닐철, 샌더스트 및 퍼말로이, 규소강 중에서 선택되며, 상기 세라믹 강유전체는 BaTiO3, PMN계 완화형 강유전체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공하게 된다.In the present invention, the soft magnetic metal powder constituting the electromagnetic wave absorbing layer is selected from pure iron, carbonyl iron, sand dust and permalloy, silicon steel, the ceramic ferroelectric is selected from BaTiO 3 , PMN-based relaxed ferroelectric Characterized by the impedance resistance film is formed to provide a conductive thin film type wave absorber with improved radio wave absorption rate.

한편, 본 발명을 구성하는 저항막은 전도성 페이스트, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 박막 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공한다.On the other hand, the resistive film constituting the present invention is formed with an impedance resistive film, characterized in that selected from the conductive paste, the conductive polymer and the conductive oxide thin film to provide a conductive thin film type wave absorber with improved radio wave absorption.

또한, 본 발명은 저항막을 구성하는 전도성 페이스트가 금속-탄소분말, 금속-은분말 및 금속-구리분말, 금속-니켈분말 중에서 선택되며, 전도성 고분자는 Polyacetylene, Polyaniline(PANI) 및 Polypyrrole(PPy) 중에서 선택되는 것이고, 전도성 산화물 박막은 인듐-주석계 및 반도성 산화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체를 제공하게 된다.In the present invention, the conductive paste constituting the resistive film is selected from metal-carbon powder, metal-silver powder, metal-copper powder and metal-nickel powder, and the conductive polymer is selected from polyacetylene, polyaniline (PANI) and polypyrrole (PPy). The conductive oxide thin film is selected from an indium tin-based and semiconducting oxide to form an impedance resistive film to provide a conductive thin film type wave absorber having improved radio wave absorption.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 전파흡수체의 모식도 및 등가회로도이다.1 is a schematic diagram and an equivalent circuit diagram of a radio wave absorber according to the present invention.

본 발명에 따른 전파흡수체는, 도 1의 (A)에 도시된 바와 같이, 배면이 도체(3)로 단락되어 있고, 자성체를 유기고분자 매트릭스 혼입시킨 자성 복합재료 또는 순수 세라믹 강유전체로 구성되는 전파 흡수층(1)과, 그 위에 전자파가 입사하는 면에 임피던스 정합을 유도하는 기능을 지니는 저항막(2)으로 구성되어 있다.In the electromagnetic wave absorber according to the present invention, as shown in FIG. 1A, a radio wave absorbing layer composed of a magnetic composite material or a pure ceramic ferroelectric in which a rear surface is short-circuited with a conductor 3 and a magnetic material is incorporated into an organic polymer matrix. (1) and a resistive film 2 having a function of inducing impedance matching to a surface on which electromagnetic waves are incident.

상기와 같은 본 발명에 따른 전파흡수체는, 도 1의 (B)에 도시된 바와 같은 전송선로로 표시될 수 있고, 단락 전송선로에서 λ/4 거리에 흡수층 표면의 입력 임피던스(Zin)와 저항막의 면저항(R)이 병렬 연결되어 있는 회로로 해석되어질 수 있으며, 단락 전송선로에서 Zin은 다음 수학식 1과 같이 주어진다.The electromagnetic wave absorber according to the present invention as described above may be represented by a transmission line as shown in FIG. 1 (B), and the input impedance Zin of the surface of the absorption layer and the resistance film at a distance of λ / 4 from the short-circuit transmission line. Sheet resistance (R) can be interpreted as a circuit connected in parallel, Zin in the short transmission line is given by the following equation (1).

여기서 Z0는 자유공간의 파동임피던스(=377Ω), j=, λ0는 자유공간에서의 파장, d는 유전체 또는 자성체의 두께, μr은 복소투자율(=μr'-jμr"), εr은 복소유전율 (=εr'-jεr" )이다. d=λ/4로 하면 Zin=∞가 되기 때문에 흡수체 표면에서의 합성임피던스는 다음 수학식 2에서와 같이 박막의 면저항 R과 같아진다.Where Z 0 is the free impedance wave impedance (= 377Ω), j = where λ 0 is the wavelength in free space, d is the thickness of the dielectric or magnetic material, μ r is the complex permeability (= μ r '-j μ r "), and ε r is the complex dielectric constant (= ε r ' -jε r "). . When d = λ / 4, Z in = ∞, so the synthetic impedance on the surface of the absorber becomes equal to the sheet resistance R of the thin film as shown in Equation 2 below.

또한, 흡수체 표면에서 전자파의 반사율은 하기 수학식 3에서와 같이 합성임피던스(Z)와 자유공간의 특성임피던스(Z0)의 차이에 비례함으로 흡수체 표면의 면저항을 자유공간의 특성임피던스와 동일한 377Ω/sq로 맞추면 임피던스 정합 (Z0=R=377Ω)에 의해 무반사 흡수체를 구성할 수 있다.In addition, the reflectance of the electromagnetic wave on the surface of the absorber is proportional to the difference between the synthetic impedance (Z) and the characteristic impedance (Z 0 ) of the free space, as shown in Equation 3 below, so that the sheet resistance of the absorber surface is equal to the characteristic impedance of the free space. When set to sq, an anti-reflective absorber can be formed by impedance matching (Z 0 = R = 377Ω).

또한, 본 발명에서 적용되는 자성복합체(1) 내의 파장(λ)은 수학식 4에서와 같이 투자율, 유전율이 클수록 줄어들기 때문에 얇은 도전막형 전파흡수체를 구성하기 위해서는 사용 주파수대역에서 투자율 및 유전상수가 큰 재료의 합성이 중요하다.In addition, since the wavelength λ in the magnetic composite material 1 applied in the present invention decreases as the permeability and permittivity increase as in Equation 4, in order to construct a thin conductive film type wave absorber, the permeability and the dielectric constant in the frequency band used are The synthesis of large materials is important.

여기서 λ0는 자유공간에서의 파장이다.Where λ 0 is the wavelength in free space.

따라서, 본 발명은 적용되는 다양한 자성복합체(1) 내의 파장(λ)에 대하여 그 자성복합체(1) 두께를 1/4λ로 구성함으로써 전파흡수율이 최대로 되도록 한다.Therefore, the present invention makes the radio wave absorption ratio maximum by configuring the thickness of the magnetic complex 1 to 1/4 lambda for the wavelength? In the various magnetic complexes 1 to be applied.

상기와 같은 원리로서, 본 발명에 따른 전파흡수체는 이동통신 휴대 단말기용 전파흡수체로 적용될 경우, 전파 흡수층(1)을 구성하는 자성 복합재료는 1.8㎓의 주파수 대역에서 투자율과 유전율의 곱이 1700 이상이 되는 재료를 채택하는 것이 바람직하다.As described above, when the radio wave absorber according to the present invention is applied as a radio wave absorber for a mobile communication portable terminal, the magnetic composite material constituting the radio wave absorption layer 1 has a product of permeability and permittivity in the frequency band of 1.8 GHz or more. It is preferable to adopt the material to be made.

이러한 조건은 1.8㎓에서 전파흡수체(1)의 투자율과 유전율의 곱이 1700이상이 되어야만 흡수체의 두께를 1㎜ 이하로 줄일 수 있기 때문이다.This condition is because the thickness of the absorber can be reduced to 1 mm or less only when the product of the permeability and the permittivity of the radio wave absorber 1 at 1.8 kW is 1700 or more.

하기하는 표 1은 연자성 금속 분말을 어트리션 밀(Attrition Mill)을 이용하여 4시간 밀링하여 분말의 형상을 편상화한 다음, 이들 분말과 실리콘 고무를 중량비 16:1로 혼합한 복합자성체를 1.8㎓에서 측정한 복소투자율 및 유전율과 각각의 재료로부터 계산되어진 λ/4값이다.Table 1 below shows the soft magnetic metal powder milled for 4 hours using an Attrition Mill to flatten the shape of the powder, and then mixes the powder and the silicone rubber in a weight ratio of 16: 1. It is the complex permeability and permittivity measured at 1.8 ㎓ and the λ / 4 value calculated from each material.

이러한 복소투자율과 유전율의 값은 연자성 분말의 형상 및 결합제로 사용되어진 재료의 종류 그리고 배합비 등에 따라 변화한다. 표1의 복합자성체(1)의 재료를 이용하여 전도성 박막형 전파흡수체를 구성할 경우 흡수체(1)의 두께는 계산되어진 λ/4와 같게 해주어야 최대의 흡수효과를 얻을 수 있다.The complex permeability and dielectric constant values vary depending on the shape of the soft magnetic powder, the type of material used as the binder, and the mixing ratio. When the conductive thin film type electromagnetic wave absorber is formed by using the materials of the composite magnetic material 1 of Table 1, the thickness of the absorber 1 should be equal to the calculated λ / 4 to obtain the maximum absorption effect.

또한 이러한 재료를 이용하여 다른 주파수에서 사용할 전파 흡수체를 구성할 경우는 그 사용주파수에서 복소투자율과 유전율을 측정하여 동일한 방법으로 λ/4값을 계산한 후 전도성 박막형 전파흡수체를 제조하여야 한다.In addition, in the case of constructing a radio wave absorber to be used at different frequencies using these materials, a conductive thin film wave absorber should be manufactured after calculating the λ / 4 value by measuring the complex permeability and permittivity at the frequency of use.

상기한 조건을 만족하는 자성체인 연자성 금속압분체는 유기고분자 매트릭스에 혼입시켜 제조되는 복합재료로 전파흡수층(1)에 적용되어지며, 세라믹 강유전체는 복합재료가 아니라 순수재료로 전파흡수층(1)에 적용된다.The soft magnetic metal compact, which is a magnetic material that satisfies the above conditions, is a composite material prepared by incorporating into an organic polymer matrix, and is applied to the radio wave absorption layer 1, and the ceramic ferroelectric material is a pure material, not a composite material. Applies to

또한, 상기한 연자성 금속압분체는 소정의 투자율 및 유전율을 지니는 순철, 카보닐철, 샌더스트 및 퍼말로이, 규소강이 적용될 수 있으며, 세라믹 강유전체는 소정의 유전율을 지니는 BaTiO3(약칭 BT), PMN계 완화형 강유전체(PMN-PT계 또는 PMN-PZN계) 중에서 선택되어 적용할 수 있다.In addition, the soft magnetic metal compact may be applied to pure iron, carbonyl iron, sand dust and permalloy, silicon steel having a predetermined permeability and dielectric constant, and the ceramic ferroelectric has a predetermined dielectric constant of BaTiO 3 (abbreviated BT), PMN-based relaxed ferroelectric (PMN-PT or PMN-PZN) can be selected and applied.

도 2는 본 발명의 전파흡수체를 구성하는 전파 흡수층(1)에 적용된 연자성 금속압분체-유기고분자의 복합재료에 대한 복소투자율 및 복소유전율을 도시한 그래프도이며, 도 3은 본 발명의 자성복합체에 적용된 세라믹 강유전체-유기고분자 의 복합재료에 대한 복소유전율을 도시한 그래프도이다.FIG. 2 is a graph showing the complex permeability and the complex dielectric constant of the composite material of the soft magnetic metal powder-organic polymer applied to the electromagnetic wave absorbing layer 1 constituting the electromagnetic wave absorber of the present invention, and FIG. It is a graph showing the complex dielectric constant of the ceramic ferroelectric-organic polymer composite material applied to the composite.

도 2는 본 발명에 적용된 연자성 금속압분체-실리콘 고무로 제조된 전파흡수층(1)의 복소투자율 및 복소유전율을 측정하여 도시한 것으로, 1.8㎓의 주파수에서 μr'=3.7, μr"=4.4, εr'=380, εr"=165을 보임으로써 상기 수학식 4에 의해 계산된 λ/4=1㎜이다.FIG. 2 is a graph illustrating the complex permeability and the complex dielectric constant of the electromagnetic wave absorbing layer (1) made of soft magnetic metal powder-silicon rubber applied to the present invention, and μ r '= 3.7, μ r "at a frequency of 1.8 kHz. Λ / 4 = 1 mm calculated by Equation 4 above by showing = 4.4, ε r '= 380, ε r "= 165.

또한, 도 3은 0.9Pb(MgNb)O3-0.1PbTiO3(약칭 0.9PMN-0.1PZN) 조성의 강유전체를 본 발명의 전파흡수체를 구성하는 전파 흡수층(1)에 적용하여 측정된 복소유전율로서, 2㎓의 주파수에서 εr'=225, εr"=150을 보임으로써 수학식 4에 의해 계산된 λ/4=2.5㎜가 된다.3 is a complex measured by applying a ferroelectric having a composition of 0.9 Pb (Mg Nb ) O 3 -0.1 PbTiO 3 (abbreviated 0.9PMN-0.1PZN) to the radio wave absorbing layer 1 constituting the radio wave absorber of the present invention. As permittivity, λ / 4 = 2.5 mm calculated by Equation 4 by showing ε r '= 225 and ε r "= 150 at a frequency of 2 kHz.

상기와 같이 제조된 각각의 전파 흡수층(1)의 후면부, 즉 전자파가 입사하는 배면부는 도체(3)를 고착시킴으로써 단락시키게 되며,The rear part of each of the electromagnetic wave absorbing layers 1 manufactured as described above, that is, the rear part where the electromagnetic wave is incident, is shorted by fixing the conductor 3,

상기 도체(3)가 고착된 배면의 반대면, 즉 전자판가 입사하는 입사면은 임피던스 정합을 유도하도록 소정의 면저항을 지니는 저항막(2)을 형성시킨다.The opposite surface of the back surface to which the conductor 3 is fixed, that is, the incident surface to which the electronic plate is incident, forms a resistive film 2 having a predetermined sheet resistance to induce impedance matching.

상기 임피던스 정합을 유도하도록 형성되는 저항막(2)은 일종의 코팅층으로서, 다양한 종류의 전도성을 가진 물질을 페이스트 또는 페인트 형태로 도포하거나, 기타 코팅장비(스퍼터 등)를 이용하여 형성시킬 수 있다.The resistive film 2 formed to induce the impedance matching is a kind of coating layer, and may be formed by applying various kinds of conductive materials in the form of paste or paint, or using other coating equipment (sputter or the like).

본 발명에 적용되는 저항막(2)의 범위는 매우 좁다는 것이 실험결과로 조사되었으며, 본 발명에서는 저항막의 면저항 값이 377±20 Ω/sq의 범위 내에 있을 때 높은 전파흡수율을 보인다.Experimental results show that the range of the resistive film 2 applied to the present invention is very narrow. In the present invention, when the sheet resistance value of the resistive film is within the range of 377 ± 20 μs / sq, high radio wave absorption is obtained.

특히, 본 발명에서는 377Ω/sq의 면저항을 가지는 저항막(2)을 상기 자성복합체(1)의 입사면에 형성시켰을 때 가장 높은 전파흡수율을 보이는 것으로 조사되었다.In particular, in the present invention, when the resistive film 2 having a sheet resistance of 377 kW / sq was formed on the incident surface of the magnetic composite body 1, it was found that it exhibited the highest radio wave absorption rate.

따라서, 본 발명에서는 상기한 면저항을 만족하는 전도성 재료는 모두 이용 가능하지만, 본 발명에서는 전도성 페이스트, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 박막 중에서 선택하여 적용시켰으며,Therefore, in the present invention, all conductive materials satisfying the above sheet resistance are available, but in the present invention, the conductive paste, the conductive polymer, and the conductive oxide thin film are selected and applied.

특히, 상기 전도성 페이스트는 금속-탄소분말, 금속-은분말 및 금속-구리분말, 금속-니켈분말 중에서 선택되어 적용하였으며,In particular, the conductive paste was selected from metal-carbon powder, metal-silver powder, metal-copper powder and metal-nickel powder.

전도성 고분자는 Polyacetylene, Polyaniline(PANI) 및 Polypyrrole(PPy) 중에서 선택하여 적용하였다.The conductive polymer was selected from polyacetylene, polyaniline (PANI) and polypyrrole (PPy).

또한, 전도성 산화물 박막은 인듐-주석계 및 반도성 산화물 중에서 어느 하나를 선택하여 저항막(2)의 재료로 이용하였다.The conductive oxide thin film was selected from indium tin-based and semiconducting oxides and used as the material of the resistive film 2.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 의하여 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the action will be described in detail by the preferred embodiment of the present invention.

[실시예 1]Example 1

평균입도 70㎛의 순철분말을 어트리션 밀(Attrition Mill)에서 4시간 밀링하여 제조한 순철 압분체와, 유기고분자 매트릭스재로 적용되는 실리콘 고무를 중량비 16:1로 배합하여 제조한 자성 복합재료의 복소투자율 및 복소유전율을 측정하여 도시한 것으로, 1.8㎓의 주파수에서 μr'=3.7, μr"=4.4, εr'=380, εr"=165을 보임으로써 상기 수학식 4에 의해 계산된 λ/4=1㎜이다.Magnetic composite material prepared by mixing pure iron powder produced by milling pure iron powder with an average particle size of 70 μm in an Attrition Mill for 4 hours and silicon rubber applied as an organic polymer matrix material in a weight ratio of 16: 1. It is shown by measuring the complex permeability and the complex dielectric constant of the equation, by the equation (4) by showing μ r '= 3.7, μ r "= 4.4, ε r ' = 380, ε r " = 165 at a frequency of 1.8 kHz Calculated λ / 4 = 1 mm.

상기한 바와 같이, 순철 압분체와 유기고분자인 실리콘 고무를 혼련 압착하여 두께 1㎜인 자성복합재료를 판재를 제조하여 전파흡수층(1)으로 적용하였으며, 이의 배면부는 전도성이 우수한 은 또는 금으로 제조된 도체판(3)으로 단락시킨 다음 전자파가 입사하는 입사면에는 전도성 페이스트인 혼합된 페이스트를 바 코팅(Bar Coating) 방법을 이용하여 0.1㎜ 두께로 도포하였다.As described above, the pure iron compact and the organic polymer silicone rubber were kneaded and compressed to prepare a magnetic composite material having a thickness of 1 mm and applied as a radio wave absorbing layer (1). The rear portion thereof was made of silver or gold having excellent conductivity. After the short-circuit with the conductive plate 3, a mixed paste, which is a conductive paste, was applied to the incident surface to which electromagnetic waves were incident to a thickness of 0.1 mm using a bar coating method.

상기 전도성 페이스트의 제조방법은 다음과 같다. 판상의 은(Ag) 분말과 실리콘(Si) 9.0~9.6wt.%, 알루미늄(Al) 5.2~5.8wt.% 및 잔여량의 Fe 조성으로 이루어진 연자성 금속압분체 분말을 일정비율(은:금속압분체=20:30)로 혼합하고 고분자 바인더(폴리비닐계, 폴리에스터계 등)와 함께 재혼합한 후 삼본롤을 이용하여 면저항이 377±20 Ω/sq 페이스트를 제조하였다.The manufacturing method of the conductive paste is as follows. A soft magnetic metal powder powder composed of a plated silver (Ag) powder, silicon (Si) 9.0 to 9.6 wt.%, Aluminum (Al) 5.2 to 5.8 wt. Powder = 20: 30) and remixed with a high molecular binder (polyvinyl, polyester, etc.) to prepare a paste having a sheet resistance of 377 ± 20 μs / sq using a three-bone roll.

도 4는 상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 전파흡수체를 회로망 분석기로 반사손실을 측정한 결과를 도시한 것이다.Figure 4 shows the result of measuring the return loss of the radio wave absorber according to the present invention manufactured as described above with a network analyzer.

즉, 1.8㎓의 주파수에서 -20㏈의 최대 반사손실(전력흡수율=99%)을 보이는 것으로 조사되었으며, 본 발명에 따른 저항막(2)을 도포하지 않은 경우인 -3㏈ (약 50%의 전력흡수율)에 비해 전파흡수능의 현저하게 향상되었음을 알 수 있었다.That is, it was investigated that the maximum reflection loss (power absorption rate = 99%) of -20 Hz at the frequency of 1.8 kHz, and -3 kHz (about 50% of the case where the resistive film 2 according to the present invention is not applied). Compared to the power absorption rate, the radio wave absorption ability was remarkably improved.

[실시예 2]Example 2

실시예 2에서는 Si 9.0~9.6wt.%, Al 5.2~5.8wt.% 및 잔여량의 Fe 조성으로 이루어진 연자성 금속분말을 어트리션 밀(Attrition Mill)을 이용하여 3시간 동안 밀링하여 압분체를 제조한 후, 이 압분체와 염화폴리에틸렌(CPE)을 중량비 8:1로 균일하게 혼합한 후 더블 롤(Double Roll)을 이용하여 λ/4 두께인 2㎜의 자성복합재료 판재로 제조하여 전파흡수층(1)에 적용하였다.In Example 2, the green compact was milled for 3 hours using an Attrition Mill of a soft magnetic metal powder composed of Si 9.0 to 9.6 wt.%, Al 5.2 to 5.8 wt.%, And a residual amount of Fe. After manufacturing, the green compact and polyethylene chloride (CPE) were uniformly mixed in a weight ratio of 8: 1, and then made of a magnetic composite material having a thickness of 2 mm having a lambda / 4 thickness using a double roll to absorb a radio wave. It applied to (1).

상기한 자성복합재료로 구성되는 전파흡수층(1)의 전자파 입사면을 377Ω/sq의 면저항을 갖는 전도성막을 형성하기 위하여 전도성 고분자인 Polyaniline(PANI), Polyethylenedioxythiophene(PEDOT), Polypyrrole(Ppy)등 을 5㎛ 두께 로 도포한 다음, 배면을 도체판(3)으로 단락시켰다.In order to form a conductive film having a sheet resistance of 377 Ω / sq as the electromagnetic wave incident surface of the electromagnetic wave absorbing layer 1 composed of the magnetic composite material, polyaniline (PANI), polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polypyrrole (Ppy), etc. After application to a thickness of 탆, the back surface was shorted with a conductor plate 3.

도 5는 상기와 같은 방법으로 제조된 전파흡수체의 반사손실을 회로망 분석기로 측정한 결과이다.5 is a result of measuring the return loss of the radio wave absorber manufactured by the above method with a network analyzer.

377Ω/sq의 저항막을 도포하지 않은 경우에는 -6.5㏈(약 50%의 전력흡수율)의 반사손실을 보이는 반면에, 1.8~2GHz의 주파수에서 -18㏈의 최대 반사손실 (전력흡수율=90%)을 나타내는 것을 조사되어 전파흡수능의 현저히 향상되었음을 알 수있었으며, 저항막(2)을 구성하는 전도성 고분자의 종류에 따라 별다른 차이는 나타나지 않았다.When the resistive film of 377Ω / sq is not applied, the return loss of -6.5㏈ (approximately 50% power absorption) is shown, while the maximum return loss of -18㏈ (power absorption rate = 90%) at the frequency of 1.8 ~ 2GHz It was found that the radio wave absorbing ability was significantly improved, and it was found that there was no difference according to the kind of the conductive polymer constituting the resistive film 2.

[실시예 3]Example 3

실시예 3에서는 PMN-PZN (0.8Pb(MgNb)O3-0.2Pb(ZnNb)O3) 조성의 강유전체를 전파흡수층(1)으로 이용하였다.Example 3 was used as PMN-PZN (0.8Pb (Mg ⅓ Nb ⅔) O 3 -0.2Pb (Zn ⅓ Nb ⅔) O 3) electric wave absorbing layer (1) of a ferroelectric composition.

PMN-PZN 시편제조에 사용된 분말은, 먼저 MgO와 Nb2O5를 혼합하여 MgNb2O6Columbite 상을 합성하고, ZnO 와 Nb2O5를 혼합하여 ZnNb2O6Columbite 상을 합성하였다. 이 때 Columbite 상의 형성을 촉진하기 위해서 MgO를 3wt.% 과량 첨가하였다.The powder used for preparing PMN-PZN specimens was first synthesized by mixing MgO and Nb 2 O 5 to synthesize a MgNb 2 O 6 Columbite phase, and then mixing ZnO and Nb 2 O 5 to synthesize a ZnNb 2 O 6 Columbite phase. At this time, 3wt.% Excess MgO was added to promote the formation of the Columbite phase.

볼밀에서 혼합한 후 750℃에서 2시간 동안 하소하여 MgNb2O6Columbite 상과 ZnNb2O6Columbite 상을 합성하였다.MgNb 2 O 6 Columbite phase and ZnNb 2 O 6 Columbite phase were synthesized by mixing in a ball mill and calcining at 750 ° C. for 2 hours.

MgNb2O6Columbite와 ZnNb2O6Columbite, 그리고 PbO (과량 1 wt.%) 분말을 볼밀에서 혼합한 후 900 ℃에서 2 시간 하소하여 PMN-PZN 분말을 제조하였다. 성형체는 500 ℃에서 2시간 유지하여 PVA 바인더를 제거하였으며, 이 후 5℃/min로 승온한 후 1000℃에서 3시간 동안 소결하였다.MgNb 2 O 6 Columbite, ZnNb 2 O 6 Columbite, and PbO (excess 1 wt.%) Powder were mixed in a ball mill and calcined at 900 ° C. for 2 hours to prepare PMN-PZN powder. The molded body was kept at 500 ° C. for 2 hours to remove the PVA binder, after which the temperature was raised to 5 ° C./min and sintered at 1000 ° C. for 3 hours.

그런 다음, 두께 2.5㎜로 가공하여 표면에 377Ω/sq의 면저항을 갖는 ITO 박막을 저항막(2)으로서 스퍼터 코팅하고, 배면을 도체판(3)으로 단락시킨 후 반사손실을 측정하여 도 6에 도시하였다.Then, a thickness of 2.5 mm was processed and sputter-coated an ITO thin film having a sheet resistance of 377 3 / sq on the surface as the resistive film 2, the back surface was short-circuited with the conductor plate 3, and then the reflection loss was measured and shown in FIG. Shown.

즉, ITO 박막을 저항막(2)으로 코팅하기 전에는 약 -2㏈의 반사손실이 있는 것으로 측정되었으나, ITO 박막을 저항막(2)으로 코팅된 전파흡수체의 경우에는 2㎓의 주파수에서 -20㏈의 반사손실(전력흡수율=99%)로서 현저하게 전파흡수능력이 향상되었음을 알 수 있다.That is, before the coating of the ITO thin film with the resistive film 2, the reflection loss of about -2 손실 was measured. However, in the case of the radio wave absorber coated with the resistive film 2, the frequency absorber was -20 at the frequency of 2 ㏈. It can be seen that the radio wave absorption ability is remarkably improved as the reflection loss of power (power absorption rate = 99%).

[실시예 4]Example 4

실시예 4에서는 본 발명을 구성하는 전파 흡수층(1) 재료로서, 세라믹 강유전체인 BaTiO3(약칭 BT)를 적용하였다.In Example 4, BaTiO 3 (abbreviated BT), which is a ceramic ferroelectric, was applied as the material for the electromagnetic wave absorbing layer 1 constituting the present invention.

즉, BT를 제조하기 위한 원료분말은 시약급의 BaCO3와 TiO2이었고, 몰비 1:1로 하여 볼밀에서 24시간 습식 혼합한 분말을 1100℃에서 2시간 하소하였다.That is, the raw material powder for preparing BT was BaCO 3 and TiO 2 of the reagent grade, and the powder mixed by wet mixing for 24 hours in a ball mill at a molar ratio of 1: 1 was calcined at 1100 ° C. for 2 hours.

상기 하소된 분말에 PVA 결합재를 0.5wt.% 첨가한 후 Toroidal 형태 (내경 3㎜, 외경 9㎜)의 성형체를 제조하였으며, PVA 결합재를 500℃에서 2시간 동안 제거한 후, 1300℃에서 2시간 동안 소결하였으며, 상기 제조된 시편의 입사면에 ITO 박막을 RF 스퍼터링 장치를 이용하여 코팅하였다.After adding 0.5wt.% Of PVA binder to the calcined powder, a molded article of Toroidal form (inner diameter 3mm, outer diameter 9mm) was prepared, and the PVA binder was removed at 500 ° C for 2 hours, and then at 1300 ° C for 2 hours. Sintered, and the ITO thin film was coated on the incident surface of the prepared specimen using an RF sputtering device.

상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 전파흡수체의 반사손실을 측정하여 도 7에 도시하였다.The reflection loss of the radio wave absorber according to the present invention manufactured as described above is shown in FIG.

도 7에 도시된 바와 같이, ITO 저항막(2)을 도포하지 않은 경우에는 -4.5㏈(약 70%의 전력흡수율)의 반사손실을 보이는 반면에, ITO 저항막(2)을 도한 경우에는 2.4 ㎓의 주파수에서 -20㏈의 최대 반사손실(전력흡수율=99%)을 나타내는 것을 조사되어 전파흡수능의 현저히 향상되었음을 알 수 있었다.As shown in FIG. 7, when the ITO resistive film 2 is not applied, the return loss of -4.5 ㏈ (about 70% power absorption) is shown, while the ITO resistive film 2 is 2.4 when the ITO resistive film 2 is shown. It was found that the maximum return loss (power absorption rate = 99%) of -20 Hz at the frequency of kHz was found to be a significant improvement in the radio absorption capability.

[실시예 5]Example 5

실시에 5에서는 전파흡수층(1) 재료로서, 세라믹 강유전체인 0.9Pb(MgNb)O3-0.1PbTiO3(약칭 PMN-PT)를 시편제조에 적용하였다.In Example 5, 0.9 Pb (Mg Nb ) O 3 -0.1 PbTiO 3 (abbreviated PMN-PT), which is a ceramic ferroelectric, was applied as a material for the radio wave absorption layer (1).

즉, PMN-PT 시편제조에 사용된 원료분말은 시약급의 PbO, MgO, Nb2O5, TiO2이었으며, 먼저 MgO와 Nb2O5를 혼합하여 MgNb2O6Columbite 상을 형성하였다. 이 때 MgO의 경우 3wt.%를 과량 첨가하여 Columbite 상의 형성을 촉진하였다.In other words, the raw material powder used for the production of PMN-PT specimens was PbO, MgO, Nb 2 O 5 , TiO 2 of the reagent grade, first MgO and Nb 2 O 5 was mixed to form a MgNb 2 O 6 Columbite phase. At this time, in the case of MgO 3wt.% Was added in an excess to promote the formation of the Columbite phase.

상기 혼합분말을 750℃에서 4시간 하소하여 MgNb2O6Columbite 상을 합성하였으며, MgNb2O6Columbite와 PbO(과량 1wt.%), TiO2분말을 칭량하여 다시 24시간 동안 습식 혼합하였다.The mixed powder was calcined at 750 ° C. for 4 hours to synthesize a MgNb 2 O 6 Columbite phase. MgNb 2 O 6 Columbite, PbO (excess 1 wt.%) And TiO 2 powder were weighed and wet mixed for another 24 hours.

상기 혼합분말을 900℃에서 2시간 하소하였고, 하소한 분말을 다시 습식방법으로 분쇄한 후 건조하였으며, 분말의 성형은 BT 시편제조 시와 동일하게 하였다.The mixed powder was calcined at 900 ° C. for 2 hours, and the calcined powder was pulverized again by a wet method and dried, and the molding of the powder was the same as in the preparation of the BT specimen.

상기와 같이 성형된 성형체를 500℃에서 2시간 유지하여 PVA바인더를 제거하였으며 1200 ℃에서 2시간 소결하여 제조하였다.The molded article molded as described above was maintained at 500 ° C. for 2 hours to remove the PVA binder, and was prepared by sintering at 1200 ° C. for 2 hours.

상기 제조된 PMN-PT 시편의 입사면에 ITO 박막을 RF Magnetron Co-Sputtering 장치를 이용하여 코팅하였으며, 이와 같이 제조된 본 발명에 따른 전파흡수체의 반사손실을 측정하여 도 8에 도시하였다.The ITO thin film was coated on the incident surface of the prepared PMN-PT specimen using an RF Magnetron Co-Sputtering apparatus, and the reflection loss of the radio wave absorber according to the present invention was measured and shown in FIG. 8.

도 8에 도시된 바와 같이, ITO 저항막(2)을 도포하지 않은 경우에는 -1㏈(약 20%의 전력흡수율)의 반사손실을 보이는 반면에, ITO 저항막(2)을 도한 경우에는 2㎓의 주파수에서 -25㏈의 최대 반사손실 (전력흡수율=99.5%)을 나타내는 것을 조사되어 전파흡수능의 현저히 향상되었음을 알 수 있었다.As shown in Fig. 8, when the ITO resistive film 2 is not applied, the return loss of -1㏈ (approximately 20% power absorption) is shown, whereas when the ITO resistive film 2 is shown, 2 is shown. The maximum return loss (power absorption rate = 99.5%) of -25 Hz at the frequency of kHz was investigated, indicating that the radio absorption ability was remarkably improved.

또한 도 6 내지 도 8에서 알 수 있듯이, 저항막(2)으로 적용된 ITO 박막의 면저항에 따라 전파흡수능이 매우 민감하게 변화함을 볼 수 있다.In addition, as can be seen in Figures 6 to 8, it can be seen that the radio wave absorption capacity is very sensitive to change according to the sheet resistance of the ITO thin film applied to the resistive film (2).

즉 ITO의 박막의 면저항이 377Ω/sq에 가까워질수록 -20㏈ 수준까지 전파흡수능이 현저히 증가하며, 377Ω/sq으로부터 벗어날수록 전파흡수능은 급격히 감소하는 것으로 조사되었으며, 이상의 실시예에서 알 수 있듯이 전도성 박막형 전파흡수체의 경우 표면저항막의 표면저항이 377±20 Ω/sq의 범위 내에서 전파흡수능의 효과가 있다.In other words, as the sheet resistance of the thin film of ITO was close to 377Ω / sq, the radio wave absorbing capacity increased significantly to -20㏈ level, and the radio wave absorbing capacity decreased rapidly as it escaped from 377Ω / sq. In the case of the thin film wave absorber, the surface resistivity of the surface resistive film has the effect of absorbing radio waves within the range of 377 ± 20 Ω / sq.

상술한 바와같이, 본 발명에 따르면 이동통신 주파수 대역에서 전파흡수율이 99%이고, 두께가 0.1~3㎜ 수준인 박형의 전파흡수체를 제조할 수 있었다.As described above, according to the present invention, a radio wave absorber of 99% in the mobile communication frequency band and a thickness of 0.1 to 3 mm in thickness can be manufactured.

따라서, 투자율과 유전율이 큰 금속 자성체 또는 유전율이 큰 세라믹 강유전체를 전파흡수체의 전파흡수층으로 사용함으로써 본 발명의 전파흡수체 두께를 0.1~3㎜ 수준으로 줄일 수 있었고, 377±20 Ω/sq의 면저항, 특히 377Ω/sq의 면저항을 갖는 금속 페이스트, 전도성 고분자 또는 박막형태의 저항막을 임피던스 정합을 위하여 사용함으로써 전파흡수율을 90% 이상 수준까지 올릴 수 있었다.Therefore, by using a magnetic magnetic material having a high permeability and a high dielectric constant or a ceramic ferroelectric having a high dielectric constant as a radio wave absorbing layer of the radio wave absorber, the thickness of the radio wave absorber of the present invention could be reduced to a level of 0.1 to 3 mm, and the sheet resistance of 377 ± 20 μs / sq, In particular, by using a metal paste, a conductive polymer or a thin film-type resistive film having a sheet resistance of 377 Ω / sq for impedance matching, the radio wave absorption rate could be increased to 90% or more.

이러한 박형, 경량의 전파흡수체는 이동통신 단말기에서 문제가 될 수 있는 전자파 누설에 의한 인체유해방지 또는 방사노이즈에 의한 전자파 간섭 방지에 효과적으로 이용되어질 수 있는 산업상 유용한 효과가 있다.Such a thin, lightweight radio wave absorber has an industrially useful effect that can be effectively used to prevent human harm from electromagnetic leakage or electromagnetic interference due to radiation noise, which may be a problem in a mobile communication terminal.

Claims (9)

전도성 박막형 전파흡수체에 있어서,In the conductive thin film wave absorber, 입사된 전자파 파장(λ)의 1/4인 두께를 가지는 전파 흡수층(1)과;An electromagnetic wave absorbing layer 1 having a thickness equal to 1/4 of the incident electromagnetic wave wavelength? 상기 전파 흡수층(1)의 전자파 입사면에 형성되어 임피던스 정합을 유도하도록 377±20 Ω/sq의 면저항을 지니는 저항막(2)과;A resistive film (2) formed on the electromagnetic wave incident surface of the electromagnetic wave absorbing layer (1) and having a sheet resistance of 377 ± 20 mA / sq to induce impedance matching; 상기 저항막(2)이 형성된 전파흡수층(1)의 반대면에 형성된 도체층(3)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.A conductive thin film type electromagnetic wave absorber having an impedance resistive film formed thereon, comprising a conductor layer (3) formed on the opposite side of the electromagnetic wave absorbing layer (1) on which the resistance film (2) is formed. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전파 흡수층(1)은 연자성 금속압분체를 유기고분자 매트릭스에 혼입시킨 복합재료이거나, 세라믹 강유전체인 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The electromagnetic wave absorbing layer (1) is a composite material obtained by incorporating a soft magnetic metal powder into an organic polymer matrix or a ceramic ferroelectric. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 저항막(2)은 377Ω/sq의 면저항을 지니는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The resistive film (2) is formed of an impedance resistive film, characterized in that having a sheet resistance of 377 Ω / sq, conductive wave type radio wave absorber with improved radio wave absorption rate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 전파 흡수층(1)을 구성하는 연자성 금속압분체는 순철, 카보닐철, 샌더스트 및 퍼말로이, 규소강 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The soft magnetic metal compact comprising the radio wave absorbing layer (1) is formed of an impedance resistive film, characterized in that selected from pure iron, carbonyl iron, sand dust, permalloy, and silicon steel. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 전파 흡수층(1)을 구성하는 세라믹 강유전체는 BaTiO3, PMN계 완화형 강유전체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The ceramic ferroelectric constituting the electromagnetic wave absorbing layer (1) is a conductive thin film type electromagnetic wave absorber having an impedance resistance film is formed, characterized in that selected from BaTiO 3, PMN-based relaxed ferroelectric. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 저항막(2)은 전도성 페이스트, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 박막 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The resistive film (2) is an electrically conductive thin film type wave absorber having an impedance resistive film is formed, characterized in that selected from a conductive paste, a conductive polymer and a conductive oxide thin film is improved. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 저항막(2)을 구성하는 전도성 페이스트는 금속-탄소분말, 금속-은분말 및 금속-구리분말, 금속-니켈분말 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The conductive paste constituting the resistive film 2 is formed of a metal-carbon powder, a metal-silver powder, a metal-copper powder, and a metal-nickel powder. Absorber. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 저항막(2)을 구성하는 전도성 고분자는 Polyacetylene, Polyaniline(PANI) 및 Polypyrrole(PPy) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The conductive polymer constituting the resistive film (2) is an electrically conductive thin film-type radio wave absorber having an impedance resistance film is formed, characterized in that selected from among polyacetylene, Polyaniline (PANI) and Polypyrrole (PPy). 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 저항막(2)을 구성하는 전도성 산화물 박막은 인듐-주석계 및 반도성 산화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성 박막형 전파흡수체.The conductive oxide thin film constituting the resistive film (2) is formed of an impedance resistive film, characterized in that selected from indium-tin-based and semiconducting oxide is a conductive thin film type radio wave absorber with improved radio wave absorption rate.
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