JPH1154981A - Electromagnetic wave absorber - Google Patents

Electromagnetic wave absorber

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JPH1154981A
JPH1154981A JP20784397A JP20784397A JPH1154981A JP H1154981 A JPH1154981 A JP H1154981A JP 20784397 A JP20784397 A JP 20784397A JP 20784397 A JP20784397 A JP 20784397A JP H1154981 A JPH1154981 A JP H1154981A
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JP
Japan
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dielectric
wave absorber
radio wave
electromagnetic wave
absorber
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JP20784397A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigemori Miyata
恵守 宮田
Morihiko Matsumoto
守彦 松本
Hisayoshi Takazawa
壽佳 高沢
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form an electromagnetic wave absorber which readily uses good characteristics of a dielectric and a ferroelectric, by providing a resistance film to a surface of a dielectric whose rear is shortcircuited by a metal. SOLUTION: An electromagnetic wave absorber is constituted by providing a resistance film 3 to a surface of a dielectric 2 whose rear is shortcircuited by a metal 1. Such a wave absorber absorbes electromagnetic wave 4 injected by the dielectric 2 through the resistance film 3 and reflects the rest of electromagnetic wave 4 absorbed by the dielectric 2 by the metal 1. As a result, even if a combination of a real number part and an imaginary number part of dielectric constant of a dielectric does not satisfy matching condition, the electromagnetic wave absorber with good wave absorption characteristics can be obtained by combining with the resistance film 3, if a specified value is smaller than that of matching condition in a dielectric only.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は不要電磁波対策に使
用する電波吸収体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio wave absorber used for measures against unnecessary electromagnetic waves.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在使用されている電波吸収体はフェラ
イト製のものが主流であり、誘電体を用いたものも開発
されているが、使用する材料や適用する領域が極めて限
定されている。フェライト製の電波吸収体は重く、高周
波になると透磁率が低下するために数mm以下の吸収体
が得られない等の問題を有する。このためより多様な電
波吸収体の開発が求められている。
2. Description of the Related Art Currently used radio wave absorbers are mainly made of ferrite, and those using a dielectric have been developed, but the materials to be used and the application area are extremely limited. Ferrite radio wave absorbers are heavy, and have a problem that an absorber of several mm or less cannot be obtained because the magnetic permeability decreases at high frequencies. For this reason, development of more various radio wave absorbers is required.

【0003】一方、誘電体には樹脂系の軽量な材料や強
誘電体のように誘電率が非常に大きく、かつその特性が
高周波数まで維持される材料等、多様な材料が存在す
る。しかし、この中で電波吸収体として利用されている
のはゴムカーボンやカーボン混合発泡ポリスチロール等
の極限られた材料のみである。この理由を以下に述べ
る。
On the other hand, there are a variety of dielectric materials, such as a resin-based light-weight material and a material having a very high dielectric constant such as a ferroelectric material and maintaining its characteristics up to a high frequency. However, among them, only very limited materials such as rubber carbon and carbon-mixed expanded polystyrene are used as the radio wave absorber. The reason will be described below.

【0004】図8に示すように、電波吸収体11の裏面
を金属板12で短絡して使用した場合、入射電磁波13
のうち電波吸収体11で吸収された残りの電磁波が金属
板12で反射され、このときの反射率が小さいことが電
波吸収体の性能の目安となる。垂直に入射した電磁波の
反射率Γは、
[0004] As shown in FIG. 8, when the back surface of the radio wave absorber 11 is short-circuited with the metal plate 12, the incident electromagnetic wave 13
Among them, the remaining electromagnetic wave absorbed by the radio wave absorber 11 is reflected by the metal plate 12, and the small reflectance at this time is a measure of the performance of the radio wave absorber. The reflectivity の of vertically incident electromagnetic waves is

【0005】[0005]

【数1】 (Equation 1)

【0006】[0006]

【数2】 により与えられる。ここで、ZA は電波吸収体11の表
面から金属板12の方向に向かって測定したインピーダ
ンスであり、Z ,γ ,l はそれぞれ電波吸収体11
の特性インピーダンス、伝播定数、厚さである。また、
0 は真空の特性インピーダンスである。特性インピー
ダンス及び伝播定数は入射電磁波13の角振動数をωと
して、電波吸収体11の複素誘電率ε 、複素透磁率μ
と次の関係がある。
(Equation 2) Given by Here, Z A is the impedance measured from the surface of the radio wave absorber 11 toward the metal plate 12, and Z 1, γ, and l are the radio wave absorber 11, respectively.
Characteristic impedance, propagation constant, and thickness. Also,
Z 0 is the characteristic impedance of vacuum. The characteristic impedance and the propagation constant are represented by the complex dielectric constant ε and the complex magnetic permeability μ of the radio wave absorber 11, where ω is the angular frequency of the incident electromagnetic wave 13.
Has the following relationship:

【0007】[0007]

【数3】 (Equation 3)

【0008】[0008]

【数4】 電波吸収体11が磁性を持たない誘電体であることを考
慮すると、式(3)、(4)はそれぞれ次のように書き
換えられる。
(Equation 4) Considering that the radio wave absorber 11 is a dielectric material having no magnetism, equations (3) and (4) can be rewritten as follows.

【0009】[0009]

【数5】 (Equation 5)

【0010】[0010]

【数6】 ここでε0 は真空の透磁率、εは誘電体の比透磁率、ま
たcは光速度である。結局反射率Γとして
(Equation 6) Here, ε 0 is the magnetic permeability in vacuum, ε is the relative magnetic permeability of the dielectric, and c is the speed of light. After all, as the reflectance Γ

【0011】[0011]

【数7】 が得られる。(Equation 7) Is obtained.

【0012】図9は式(7)を解いて反射率が零となる
整合条件を求めた結果を示す特性図である。整合条件を
得るためには、1つの比誘電率の値に対してtan δが一
意的に決まることを示しているような条件を満足する誘
電体は非常に限られており、またtan δが周波数により
変化することから、望み通りの特性を持つ誘電体型の電
波吸収体を開発することは困難であった。
FIG. 9 is a characteristic diagram showing a result obtained by solving the equation (7) to obtain a matching condition at which the reflectance becomes zero. In order to obtain a matching condition, dielectrics satisfying a condition that indicates that tan δ is uniquely determined for one relative permittivity value are very limited, and tan δ is Since it varies with frequency, it has been difficult to develop a dielectric-type radio wave absorber having desired characteristics.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、容易に誘電体および強誘電体の
持つ優れた特性を生かした電波吸収体を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a radio wave absorber that easily makes use of the excellent characteristics of dielectrics and ferroelectrics. .

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電波吸収体は、裏面を金属で短絡した誘電体
の表面に抵抗膜を設けたことを特徴とするものである。
また本発明の電波吸収体は、前記誘電体として、強誘電
体を用いることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the radio wave absorber of the present invention is characterized in that a resistive film is provided on the surface of a dielectric whose back surface is short-circuited with a metal.
Further, the radio wave absorber according to the present invention is characterized in that a ferroelectric is used as the dielectric.

【0015】また本発明の電波吸収体は、前記誘電体と
して、誘電率が4以上の誘電体を用いることを特徴とす
るものである。また本発明の電波吸収体は、前記抵抗膜
として、面抵抗が300Ω 以上の抵抗膜を用いること
を特徴とするものである。
The radio wave absorber of the present invention is characterized in that a dielectric having a dielectric constant of 4 or more is used as the dielectric. Further, the radio wave absorber of the present invention is characterized in that a resistance film having a sheet resistance of 300Ω or more is used as the resistance film.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態例を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態
例を示す構成図である。すなわち、裏面を金属1で短絡
した誘電体2の表面に抵抗膜3を設けた電波吸収体であ
る。4は入射される電磁波である。しかして、入射され
る電磁波4は抵抗膜3を通して誘電体2で吸収され、誘
電体2で吸収された残りの電磁波が金属1で反射され
る。図1に示す構造の電波吸収体においては、式(7)
に示す反射率Γは次式のように書き換えられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention. That is, it is a radio wave absorber in which the resistance film 3 is provided on the surface of the dielectric 2 whose back surface is short-circuited with the metal 1. Reference numeral 4 denotes an incident electromagnetic wave. Thus, the incident electromagnetic wave 4 is absorbed by the dielectric 2 through the resistive film 3, and the remaining electromagnetic wave absorbed by the dielectric 2 is reflected by the metal 1. In the electromagnetic wave absorber having the structure shown in FIG.
Is rewritten as the following equation.

【0017】[0017]

【数8】 (Equation 8)

【0018】ここで、Rは抵抗膜3の面抵抗である。こ
の結果、整合を与える条件は式(7)の場合と比較して
変数Rが増えた分だけ自由度が増大する。図2は式
(8)を解いて整合条件を求めた結果の一例を示す特性
図である。表面に抵抗膜3が存在する場合も、誘電体2
のみの場合と基本的には同様な傾向である。すなわち、
整合を与えるtan δの値は誘電体2の誘電率の平方根に
反比例し、誘電体2の誘電率が大きいほど小さな値とな
る。tan δの値はまた、抵抗膜3の抵抗が下がるに従い
小さくなり、377Ω で零となる。この結果は、誘電
率の実数部と虚数部の組み合わせが整合条件を満たさな
い誘電体であっても、tan δの値が誘電体単体での整合
条件よりも小さな値であれば、抵抗膜3と組み合わせる
ことによって電波吸収体を製作できることを意味してい
る。なお、抵抗膜3の抵抗が377Ω よりも小さくな
ると完全な整合は得られなくなるが、抵抗膜3の抵抗3
00Ω 程度までは反射減衰量20dB、すなわちΓ=
0.1とすることが可能である。
Here, R is the sheet resistance of the resistive film 3. As a result, the degree of freedom of the condition for providing the matching is increased by the amount of the variable R as compared with the case of the equation (7). FIG. 2 is a characteristic diagram showing an example of a result obtained by solving the equation (8) to obtain a matching condition. When the resistive film 3 exists on the surface, the dielectric 2
The tendency is basically the same as in the case only. That is,
The value of tan δ giving the matching is inversely proportional to the square root of the dielectric constant of the dielectric 2, and becomes smaller as the dielectric constant of the dielectric 2 increases. The value of tan δ also decreases as the resistance of the resistance film 3 decreases, and becomes zero at 377Ω. This result indicates that even if the combination of the real part and the imaginary part of the permittivity does not satisfy the matching condition, if the value of tan δ is smaller than the matching condition of the dielectric alone, the resistance film 3 It means that a radio wave absorber can be manufactured by combining with. When the resistance of the resistive film 3 is smaller than 377Ω, perfect matching cannot be obtained.
Up to about 00Ω, the return loss is 20 dB, that is, Γ =
It can be set to 0.1.

【0019】整合厚さは抵抗膜3の有無によらず一定で
あり、誘電体2中における電磁波の波長の1/4とな
る。誘電体2の誘電率が1に近い場合には従来のいわゆ
るλ/4型吸収体と同じであるが、誘電率が大きいほど
整合厚さは薄くなり、誘電率4の場合には半分の厚さと
することが可能である。
The matching thickness is constant irrespective of the presence or absence of the resistive film 3 and is 1 / of the wavelength of the electromagnetic wave in the dielectric 2. When the dielectric constant of the dielectric 2 is close to 1, it is the same as that of a conventional so-called λ / 4 type absorber, but as the dielectric constant increases, the matching thickness becomes thinner. It is possible.

【0020】図3は上記の結果から見積もられる吸収体
の厚さと電磁波の周波数の関係の一例を示す特性図であ
る。誘電体2として比誘電率10000の強誘電体を用
いた場合には、100MHz以上の周波数で整合厚さが
フェライト系吸収体の8mmよりも薄くなり、また、誘
電体2として比誘電率100の誘電体においても5GH
z以上の周波数でカルボニル鉄ゴム系吸収体の1.5m
mよりも薄い電波吸収体が得られる。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing an example of the relationship between the thickness of the absorber and the frequency of the electromagnetic wave estimated from the above results. When a ferroelectric material having a relative dielectric constant of 10,000 is used as the dielectric 2, the matching thickness becomes thinner than 8 mm of the ferrite-based absorber at a frequency of 100 MHz or more. 5GH for dielectric
1.5m of carbonyl iron rubber-based absorber at frequencies above z
An electromagnetic wave absorber thinner than m can be obtained.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

[実施例1]図4はゴムカーボンを用いた電波吸収体の
特性(反射減衰量)の一例を示す特性図である。誘電体
として使用されているゴムカーボンは誘電率16、tan
δ=0.2であり、整合条件を与える特性値から外れた
値となっているため、良好な電波吸収特性は得られてい
ない。電波吸収体として使用できるゴムカーボンを得る
ためには、配合するカーボン量等を精密に制御する必要
がある。
Embodiment 1 FIG. 4 is a characteristic diagram showing an example of characteristics (reflection attenuation) of a radio wave absorber using rubber carbon. Rubber carbon used as a dielectric has a dielectric constant of 16, tan
Since δ = 0.2, which is a value out of the characteristic value giving the matching condition, good radio wave absorption characteristics are not obtained. In order to obtain rubber carbon that can be used as a radio wave absorber, it is necessary to precisely control the amount of carbon to be blended.

【0022】図5は本発明の第1の実施例に係るゴムカ
ーボンを用いた電波吸収体の特性の一例を示す特性図で
ある。抵抗膜3として面抵抗が1000Ω の抵抗膜を
図4の誘電体と組み合わせることにより、40dB以上
の良好な電波吸収特性を示すと共に、整合周波数も自由
に調整可能である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing an example of the characteristics of the radio wave absorber using rubber carbon according to the first embodiment of the present invention. By combining a resistive film having a sheet resistance of 1000Ω with the dielectric of FIG. 4 as the resistive film 3, a good radio wave absorption characteristic of 40 dB or more can be exhibited and the matching frequency can be freely adjusted.

【0023】[実施例2]図6は誘電体として誘電率1
00、tanδ=0.005の強誘電体を単層で用いた
場合の電波吸収特性を示す特性図である。この材料で
は、厚さを変えても数dB以上の反射減衰量は得られ
ず、電波吸収体として利用することは出来ない。
[Embodiment 2] FIG. 6 shows a dielectric material having a dielectric constant of 1
FIG. 9 is a characteristic diagram showing radio wave absorption characteristics when a single layer of a ferroelectric material having a tan δ = 0.005 is used. With this material, even if the thickness is changed, a return loss of several dB or more cannot be obtained, and it cannot be used as a radio wave absorber.

【0024】図7は本発明の第2の実施例に係る電波吸
収体の特性を示す特性図である。面抵抗が390Ω の
抵抗膜3と図6の誘電体を組み合わせることにより、強
誘電体の大きな誘電率を生かした薄い電波吸収体を作成
することが可能であり、10GHzでの整合厚さは約
0.7mmとカルボニル鉄ゴム系吸収体の半分程度の値
となっている。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing characteristics of the radio wave absorber according to the second embodiment of the present invention. By combining the resistive film 3 having a surface resistance of 390Ω with the dielectric of FIG. 6, it is possible to produce a thin radio wave absorber utilizing the large dielectric constant of the ferroelectric, and the matching thickness at 10 GHz is approximately It is 0.7 mm, which is about half the value of the carbonyl iron rubber-based absorber.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、容易
に誘電体および強誘電体の持つ優れた特性を生かした電
波吸収体を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to easily provide a radio wave absorber utilizing the excellent characteristics of dielectrics and ferroelectrics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態例に係る抵抗膜が存在する
場合の整合条件における比誘電率とtan δの関係を示す
特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between relative permittivity and tan δ under matching conditions when a resistive film according to one embodiment of the present invention is present.

【図3】本発明の一実施形態例に係る吸収体の厚さと電
磁波の周波数の関係を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a thickness of an absorber and a frequency of an electromagnetic wave according to an embodiment of the present invention.

【図4】整合条件から外れたゴムカーボンを用いた電波
吸収体の反射減衰量周波数特性の一例を示す特性図であ
る。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing an example of a return loss frequency characteristic of a radio wave absorber using rubber carbon out of matching conditions.

【図5】本発明の第1の実施例に係るゴムカーボンと抵
抗膜を組み合わせた電波吸収体の反射減衰量周波数特性
の一例を示す特性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing an example of a return loss frequency characteristic of a radio wave absorber in which rubber carbon and a resistive film are combined according to the first embodiment of the present invention.

【図6】強誘電体を単独で用いた電波吸収体の反射減衰
量周波数特性の一例を示す特性図である。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing an example of a return loss frequency characteristic of a radio wave absorber using a ferroelectric substance alone.

【図7】本発明の第2の実施例に係る強誘電体と抵抗膜
を組み合わせた電波吸収体の反射減衰量周波数特性の一
例を示す特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing an example of a return loss frequency characteristic of a radio wave absorber combining a ferroelectric and a resistive film according to a second embodiment of the present invention.

【図8】従来の電波吸収体を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing a conventional radio wave absorber.

【図9】従来の電波吸収体に係る反射率が零となる整合
条件における比誘電率とtan δの関係の一例を示す特性
図である。
FIG. 9 is a characteristic diagram showing an example of a relationship between a relative dielectric constant and tan δ under a matching condition where the reflectance of a conventional radio wave absorber is zero.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金属 2 誘電体 3 抵抗膜 4 電磁波 11 電波吸収体 12 金属板 13 電磁波 REFERENCE SIGNS LIST 1 metal 2 dielectric 3 resistive film 4 electromagnetic wave 11 radio wave absorber 12 metal plate 13 electromagnetic wave

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 裏面を金属で短絡した誘電体の表面に抵
抗膜を設けたことを特徴とする電波吸収体。
1. A radio wave absorber characterized in that a resistive film is provided on the surface of a dielectric whose back surface is short-circuited with a metal.
【請求項2】 誘電体として、強誘電体を用いることを
特徴とする請求項1記載の電波吸収体。
2. The radio wave absorber according to claim 1, wherein a ferroelectric is used as the dielectric.
【請求項3】 誘電体として、誘電率が4以上の誘電体
を用いることを特徴とする請求項1記載の電波吸収体。
3. The radio wave absorber according to claim 1, wherein a dielectric having a dielectric constant of 4 or more is used as the dielectric.
【請求項4】 抵抗膜として、面抵抗が300Ω 以上
の抵抗膜を用いることを特徴とする請求項1、2又は3
記載の電波吸収体。
4. A resistance film having a sheet resistance of not less than 300Ω is used as the resistance film.
The radio wave absorber described.
JP20784397A 1997-08-01 1997-08-01 Electromagnetic wave absorber Pending JPH1154981A (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004091049A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-21 Chang Sung Corporation Microwave absorber with improved microwave absorption rate
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