JP2003198179A - Electromagnetic wave absorber - Google Patents

Electromagnetic wave absorber

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JP2003198179A
JP2003198179A JP2001393739A JP2001393739A JP2003198179A JP 2003198179 A JP2003198179 A JP 2003198179A JP 2001393739 A JP2001393739 A JP 2001393739A JP 2001393739 A JP2001393739 A JP 2001393739A JP 2003198179 A JP2003198179 A JP 2003198179A
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electromagnetic wave
layer
rubber
wave absorber
dielectric layer
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Japanese (ja)
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Zenichi Ueda
善一 上田
Tsukasa Sato
司 佐藤
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a matching-type electromagnetic wave absorber which functions in a broad region of incident angle and can be easily designed and manufactured especially in a millimetric-wave region. <P>SOLUTION: An electromagnetic wave reflecting layer 4 is formed on the rear side of an electromagnetic absorbing layer. The electromagnetic wave absorbing layer has a multilayer structure which is provided with a first dielectric layer 1 exhibiting a relative permittivity of 1.2-1.8, a resistor thin film layer 2 exhibiting a sheet resistance of 220 Ω/cm<SP>2</SP>-380 Ω/cm<SP>2</SP>and a second dielectric layer 3 in order from its surface. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電磁波障害を防止す
るための電磁波吸収体に関し、特に斜め入射の電磁波に
対しても有効に機能する電磁波吸収体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave absorber for preventing electromagnetic interference, and more particularly to an electromagnetic wave absorber that functions effectively even with obliquely incident electromagnetic waves.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、マイクロ波からミリ波帯領域の電
磁波が情報通信媒体として急速に利用が進み、例えば、
ITS(高度道路交通システム)においては、有料道路
の自動料金収受システム(ETC)や自動衝突防止用レ
ーダ(ARPA)等に用いられようとしている。このよ
うなシステムが、正常に動作するには、不要な電磁波が
できるだけ空間に放射されないようにすることが必要で
あり、そのために電磁波吸収体が用いられる。
2. Description of the Related Art In recent years, electromagnetic waves in the microwave to millimeter wave region have been rapidly used as an information communication medium.
In ITS (Intelligent Transport System), it is about to be used for an automatic toll collection system (ETC) for toll roads, an automatic collision prevention radar (ARPA), and the like. In order for such a system to operate normally, it is necessary to prevent unnecessary electromagnetic waves from being radiated into the space as much as possible, and electromagnetic wave absorbers are used for that purpose.

【0003】かかる目的の電磁波吸収体には、特定周波
数の電磁波のみを吸収するタイプとして、所定の誘電率
と誘電正接を持った電磁波吸収層を、対象周波数に応じ
て所定の厚みにして、その片面に電磁波反射層を設け
た、いわゆる整合型電磁波吸収体と、広帯域の周波数に
わたって電磁波を吸収するタイプとが知られている。
The electromagnetic wave absorber for such a purpose is of a type that absorbs only electromagnetic waves of a specific frequency, and has an electromagnetic wave absorption layer having a predetermined dielectric constant and dielectric loss tangent and having a predetermined thickness in accordance with the target frequency. A so-called matching type electromagnetic wave absorber having an electromagnetic wave reflection layer provided on one surface and a type that absorbs electromagnetic waves over a wide band of frequencies are known.

【0004】前者は、電磁波吸収体表面で反射する電磁
波と、裏面側の電磁波反射層と電磁波吸収層の界面で反
射され戻ってくる電磁波とが、打ち消しあうように電磁
波吸収層の誘電特性と厚みが設計されたものである。こ
のタイプの電磁波吸収体としては、種々の樹脂に電磁波
吸収能を有するカーボン粒子やフェライト粒子、酸化チ
タン粒子、炭化珪素繊維などを分散させた電磁波吸収層
と、金属からなる電磁波反射層とを積層させたものが知
られている。
The former is a dielectric property and a thickness of the electromagnetic wave absorbing layer so that the electromagnetic wave reflected on the surface of the electromagnetic wave absorbing body and the electromagnetic wave reflected at the interface between the electromagnetic wave reflecting layer on the back side and the electromagnetic wave absorbing layer cancel each other out. Is designed. As this type of electromagnetic wave absorber, an electromagnetic wave absorbing layer in which carbon particles, ferrite particles, titanium oxide particles, silicon carbide fibers and the like having electromagnetic wave absorbing ability are dispersed in various resins and an electromagnetic wave reflecting layer made of metal are laminated. The ones that made them known are known.

【0005】例えば、電磁波吸収層としてエポキシ変性
ウレタンゴムにカーボンブラックを分散させたものを使
用した例が、特開平4−340299号公報に開示され
ている。このタイプの電磁波吸収体は、電磁波の入射角
度が30°を越えると十分な反射減衰量が得られないと
いう欠点がある。
For example, JP-A-4-340299 discloses an example in which carbon black is dispersed in epoxy-modified urethane rubber as an electromagnetic wave absorbing layer. This type of electromagnetic wave absorber has a drawback that a sufficient return loss cannot be obtained when the incident angle of the electromagnetic wave exceeds 30 °.

【0006】他の整合型電磁波吸収体としては,電磁波
反射層とλ/4(λは対象とする電磁波の波長)のスペ
ーサーを介して抵抗薄膜層を設けたタイプのものが、特
開平5−114813号公報に開示されている。しかし
ながら、このタイプの電磁波吸収体も電磁波の入射角度
が30°を越えると、十分な反射減衰量が得られない。
As another matching type electromagnetic wave absorber, a type in which a resistive thin film layer is provided through an electromagnetic wave reflection layer and a spacer of λ / 4 (λ is the wavelength of the electromagnetic wave of interest) is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 5 (1999) -58. It is disclosed in Japanese Patent No. 114813. However, even with this type of electromagnetic wave absorber, when the incident angle of the electromagnetic wave exceeds 30 °, a sufficient return loss cannot be obtained.

【0007】後者の広帯域の周波数に対して吸収性能を
有するタイプとしては、例えば、表面形状をピラミッド
状にして、空気層から電磁波吸収層内部に向かって徐々
に誘電率を変化させて電磁波の表面反射を抑制しなが
ら、吸収させるものが知られており、電波暗室などに使
用されている。このタイプのものは、斜め入射の電磁波
に対しても吸収性能を有するが、電磁波吸収体が厚くな
りすぎるという欠点があり、また、ミリ波領域では、未
だ実用に供するものは実現されていない。
Examples of the latter type having an absorption performance for a wide range of frequencies include, for example, a pyramid-shaped surface, and the dielectric constant is gradually changed from the air layer toward the inside of the electromagnetic wave absorption layer so that the surface of the electromagnetic wave is changed. It is known to absorb while suppressing reflection, and is used in an anechoic chamber. This type has absorption performance even for obliquely incident electromagnetic waves, but has a drawback that the electromagnetic wave absorber becomes too thick, and in the millimeter wave region, one for practical use has not yet been realized.

【0008】もっとも、電磁波吸収層と電磁波反射層の
積層体からなる整合型電磁波吸収体において、斜め方向
からの入射角度をもった電磁波に対しても、十分大きな
反射減衰量を有する電磁波吸収体を製造するには、電磁
波吸収層を多層にすることが知られている。
However, in a matching type electromagnetic wave absorber comprising a laminate of an electromagnetic wave absorbing layer and an electromagnetic wave reflecting layer, an electromagnetic wave absorber having a sufficiently large return loss even for an electromagnetic wave having an incident angle from an oblique direction. For manufacturing, it is known to make the electromagnetic wave absorption layer multilayer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電磁波
吸収層を多層にした場合は、各層の厚さおよび誘電特性
のばらつきが電磁波吸収特性に複雑な影響を与えるた
め、製造を極めて困難なものとし、製造歩留りが劣るも
のとなる。特にミリ波領域においては,誘電特性の周波
数依存性が大きいので、対象とする周波数が異なれば、
その周波数での誘電特性を評価する必要があるが、ミリ
波領域の誘電特性を正確に測定するには特殊な装置が必
要であり、簡便に正確な測定値を得ることができない。
However, when the electromagnetic wave absorbing layer is formed in multiple layers, variations in the thickness and dielectric properties of each layer have a complicated influence on the electromagnetic wave absorbing property, and therefore the manufacturing is extremely difficult. The manufacturing yield will be inferior. Especially in the millimeter wave region, the frequency dependence of the dielectric characteristics is large, so if the target frequency is different,
Although it is necessary to evaluate the dielectric property at that frequency, a special device is required to accurately measure the dielectric property in the millimeter wave region, and an accurate measured value cannot be easily obtained.

【0010】そこで本発明の目的は、入射角度の広い領
域にわたって機能する整合型電磁波吸収体を提供するこ
とにあり、特にミリ波領域でも容易に設計製作すること
ができる電磁波吸収体を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a matching type electromagnetic wave absorber which functions over a wide range of incident angles, and particularly to provide an electromagnetic wave absorber which can be easily designed and manufactured even in the millimeter wave region. It is in.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的は各請求項記載
の発明により達成される。すなわち、本発明に係る電磁
波吸収体の特徴構成は、電磁波吸収層の裏面側に電磁波
反射層を積層していて、前記電磁波吸収層は、その表面
から順に、比誘電率1.2〜1.8である第1の誘電体
層、シート抵抗220Ω/□〜380Ω/□である抵抗
薄膜層、第2の誘電体層を積層した多層構造を備えるこ
とにある。
The above objects can be achieved by the inventions described in the claims. That is, the characteristic configuration of the electromagnetic wave absorber according to the present invention is that the electromagnetic wave reflection layer is laminated on the back surface side of the electromagnetic wave absorption layer, and the electromagnetic wave absorption layer has a relative dielectric constant of 1.2 to 1. 8 is a multilayer structure in which a first dielectric layer having a thickness of 8, a resistance thin film layer having a sheet resistance of 220 Ω / □ to 380 Ω / □, and a second dielectric layer are stacked.

【0012】この構成によれば、抵抗薄膜を電磁波吸収
材料に用いているので、誘電損失材料と異なり、抵抗薄
膜の抵抗値は、直流からミリ波領域にかけての変化は少
ない。
According to this structure, since the resistance thin film is used as the electromagnetic wave absorbing material, unlike the dielectric loss material, the resistance value of the resistance thin film hardly changes from DC to the millimeter wave region.

【0013】抵抗薄膜層6を構成部材とした従来の整合
型電磁波吸収体(図2)では、保護フィルム5表面での
電磁波の反射率は、電磁波の入射角度が30°を越える
と、TEモードでは、入射角度の増加に伴い単調に増大
するのに対し、TMモードでは逆に減少し、一旦ブルス
ター角でゼロになり、その後増大する。このように、従
来の整合型電磁波吸収体は、モードにより異なる振る舞
いを示すため、TEモード、TMモードの両方に対し
て、電磁波吸収体表面で反射される電磁波と、電磁波反
射層8から反射されてくる電磁波をうまく打ち消すよう
に設計することができない。尚、図2において、図番7
は誘電体層であり、図番8は電磁波反射層である。
In the conventional matching type electromagnetic wave absorber (FIG. 2) having the resistive thin film layer 6 as a constituent member, the reflectance of the electromagnetic wave on the surface of the protective film 5 is TE mode when the incident angle of the electromagnetic wave exceeds 30 °. In contrast, while it increases monotonically as the incident angle increases, in the TM mode, it decreases conversely, once becomes zero at the brewster angle, and then increases. As described above, since the conventional matching type electromagnetic wave absorber exhibits different behaviors depending on the mode, the electromagnetic wave reflected on the surface of the electromagnetic wave absorber and the electromagnetic wave reflection layer 8 are reflected in both TE mode and TM mode. It cannot be designed to effectively cancel incoming electromagnetic waves. In addition, in FIG.
Is a dielectric layer, and reference numeral 8 is an electromagnetic wave reflection layer.

【0014】本発明の電磁波吸収体では、従来の保護フ
ィルムにあたる部分に、比誘電率が1.2〜1.8の範
囲にある低誘電率の誘電体層を用いることにより、最表
面の電磁波の反射率を低く抑え、TEモード、TMモー
ドの両電磁波に対して、入射角度が50°においても反
射減衰量が20dB以上の電磁波吸収体を実現すること
ができる。比誘電率が1 .2 未満では、空気の誘電率に
近くなり、表面に誘電体層を設ける効果が乏しく、1 .
8 を越えると誘電率が高くなりすぎ、入射角度の大きい
部分で十分な反射減衰量が得られない。
In the electromagnetic wave absorber of the present invention, by using a low dielectric constant dielectric layer having a relative dielectric constant in the range of 1.2 to 1.8 in the portion corresponding to the conventional protective film, the electromagnetic wave on the outermost surface can be obtained. It is possible to realize the electromagnetic wave absorber having a reflection attenuation amount of 20 dB or more for both TE mode and TM mode electromagnetic waves even at an incident angle of 50 °, while suppressing the reflectance of the electromagnetic wave. Relative permittivity is 1. When it is less than 2, the permittivity is close to that of air and the effect of providing a dielectric layer on the surface is poor.
If it exceeds 8, the dielectric constant becomes too high, and sufficient return loss cannot be obtained in the portion where the incident angle is large.

【0015】抵抗薄膜層のシート抵抗値は、220Ω/
口〜380Ω/□の範囲で、第1の誘電体層の比誘電率
に依存して適正値が決められる。抵抗薄膜層のシート抵
抗値が上記の下限値未満の場合は、抵抗薄膜層での電磁
波の反射が大きくなりすぎ、十分な反射減衰量が得られ
ず、上限値を越えると、必要な電磁波の損失が得られ
ず、同じく反射減衰量は小さくなる。
The sheet resistance of the resistive thin film layer is 220 Ω /
An appropriate value is determined depending on the relative permittivity of the first dielectric layer within the range from the mouth to 380 Ω / □. When the sheet resistance value of the resistance thin film layer is less than the above lower limit value, the reflection of electromagnetic waves in the resistance thin film layer becomes too large, and sufficient return loss cannot be obtained. No loss is obtained, and the return loss is also small.

【0016】その結果、本発明の電磁波吸収体によれ
ば、表面層に多孔質材料からなる低誘電体層を配してい
るため、最表面の反射率を小さくでき、TE,TMの両
モードに対して、入射角度が大きくなっても電磁波吸収
体内部からの反射波で、最表面の反射波を打ち消し、結
果として広い入射角度に対して機能する電磁波吸収体を
実現することができた。
As a result, according to the electromagnetic wave absorber of the present invention, since the low dielectric layer made of a porous material is disposed on the surface layer, the reflectance of the outermost surface can be reduced, and both TE and TM modes can be obtained. On the other hand, even if the incident angle becomes large, the reflected wave from the inside of the electromagnetic wave absorber cancels the reflected wave on the outermost surface, and as a result, an electromagnetic wave absorber that functions for a wide incident angle can be realized.

【0017】前記第1の誘電体層は、多孔質の超高分子
量ポリエチレンからなることが好ましい。
The first dielectric layer is preferably made of porous ultra high molecular weight polyethylene.

【0018】この構成によれば、比誘電率が1.2〜
1.8の誘電体層が容易に得られ、しかも、超高分子量
ポリエチレンの樹脂粒子を焼結する等の方法を採用する
ことにより、比較的厚さ精度の良い多孔質体を得ること
ができて都合がよい。
According to this structure, the relative dielectric constant is 1.2 to
A dielectric layer of 1.8 can be easily obtained, and a porous body with relatively high thickness accuracy can be obtained by adopting a method such as sintering resin particles of ultra high molecular weight polyethylene. It is convenient.

【0019】前記抵抗薄膜層は、高分子フィルム基材
に、In,Sn,Znもしくはこれらの合金を主成分と
する金属酸化物,NiCr,FeNi,FeNiCr,
CuNiから選ばれた材料の薄膜を形成したものである
ことが好ましい。
The resistive thin film layer comprises a polymer film base material, a metal oxide mainly composed of In, Sn, Zn or an alloy thereof, NiCr, FeNi, FeNiCr,
It is preferable to form a thin film of a material selected from CuNi.

【0020】この構成によれば、シート抵抗値220Ω
/口〜380Ω/□の薄膜抵抗層が容易に得られる。
According to this structure, the sheet resistance value is 220Ω.
A thin film resistance layer of / mouth to 380 Ω / □ can be easily obtained.

【0021】前記第2の誘電体層は、ポリエチレン、ポ
リエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサル
フオン、塩化ビニル、エポキシ、ポリイソプレンゴム、
ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、
クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴ
ム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレン
ゴム、シリコンゴムから選ばれた1種又は2種以上の材
料からなることが好ましい。
The second dielectric layer is made of polyethylene, polyester, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyether sulfone, vinyl chloride, epoxy, polyisoprene rubber,
Polystyrene / butadiene rubber, polybutadiene rubber,
It is preferably made of one or more materials selected from chloroprene rubber, acrylonitrile / butadiene rubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene / propylene rubber, and silicone rubber.

【0022】この構成によれば、加工性に優れているた
め、厚さ精度の良い層を形成できると共に、電磁波反射
層との接合を強固にできて都合がよい。
According to this structure, since the workability is excellent, it is possible to form a layer having a good thickness accuracy and to firmly bond the layer with the electromagnetic wave reflection layer, which is convenient.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る電磁
波吸収体の概略断面構造を示す。この電磁波吸収体は、
表面側から順に、第1の誘電体層1、抵抗薄膜層2、第
2の誘電体層3、電磁波反射層4を積層して構成されて
いる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic sectional structure of an electromagnetic wave absorber according to this embodiment. This electromagnetic wave absorber is
The first dielectric layer 1, the resistive thin film layer 2, the second dielectric layer 3, and the electromagnetic wave reflection layer 4 are laminated in this order from the front surface side.

【0024】第1の誘電体層1としては、比誘電率1.
2〜1.8の材料が用いられ、特に多孔質材料の使用が
好ましい。多孔質材料の素材として、特に限定されるも
のではないが、加工性に優れた高分子樹脂材料を使用す
ることが好ましい。多孔質の形態としては、織布や不織
布、発泡体、粒状物にガスを含有させた状態で焼結させ
たもの等があり、特に、超高分子量ポリエチレン粒子を
焼結させて作製した多孔質体が好適である。その理由と
しては、樹脂そのものの誘電率が小さいので、1.8以
下の比誘電率を実現するのに有利であること、また、必
要とされる厚さは、対象とする周波数によって異なる
が、例えば、76GHzのミリ波においても、1mm前
後の厚さが必要であり、かつ、ある程度の厚さの制御も
必要なことから、樹脂粒子を焼結することにより多孔質
材料を製造すると、厚さ制御がし易く、比較的精度良く
所定厚さが得られるからである。又、多孔質材料の気孔
率としては、30〜85%が好ましく、50〜80%が
より好ましい。
The first dielectric layer 1 has a relative dielectric constant of 1.
2 to 1.8 are used, and it is particularly preferable to use a porous material. The material of the porous material is not particularly limited, but it is preferable to use a polymer resin material having excellent processability. Examples of the porous form include woven fabrics, nonwoven fabrics, foams, and granular materials sintered in a gas-containing state. Particularly, porous materials produced by sintering ultra high molecular weight polyethylene particles. The body is preferred. The reason is that the resin itself has a small permittivity, which is advantageous for realizing a relative permittivity of 1.8 or less, and the required thickness varies depending on the target frequency. For example, even in a millimeter wave of 76 GHz, a thickness of about 1 mm is required, and it is also necessary to control the thickness to some extent. Therefore, when a porous material is manufactured by sintering resin particles, the thickness is This is because the control is easy and the predetermined thickness can be obtained with relatively high accuracy. The porosity of the porous material is preferably 30 to 85%, more preferably 50 to 80%.

【0025】抵抗薄膜層2は、In,Sn,Znもしく
はこれらの合金を主成分とする金属酸化物や、NiCr
やFeNi、FeNiCr、CuNi等の合金の薄膜
を、基材に形成した材料が用いられる。抵抗薄膜層のシ
ート抵抗としては、220Ω/□〜380Ω/□、望ま
しくは270Ω/□〜340Ω/□が好適である。抵抗
薄膜層2は、ポリエステルフィルムやボリカーボネート
フイルムのような高分子フィルム基材に、真空蒸着法、
スパッタリング、イオンプレーティング、湿式めっき法
などの方法により作製することができる。
The resistive thin film layer 2 is made of In, Sn, Zn or a metal oxide mainly composed of an alloy thereof, or NiCr.
A material in which a thin film of an alloy such as FeNi, FeNiCr, or CuNi is formed on the base material is used. The sheet resistance of the resistive thin film layer is preferably 220Ω / □ to 380Ω / □, and more preferably 270Ω / □ to 340Ω / □. The resistive thin film layer 2 is formed on a polymer film substrate such as a polyester film or polycarbonate film by a vacuum deposition method,
It can be produced by a method such as sputtering, ion plating, or wet plating.

【0026】第2の誘電体層3に用いる材料は特に限定
されないが、加工性の点から、有機高分子材料が好適で
ある。有機高分子材料としては、ポリエチレン、ポリエ
ステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフ
オン、ポリ塩化ビニル、エポキシ等の合成樹脂や、ポリ
イソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリ
ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル
・ブタジエンゴム(NBR)、ブチルゴム、アクリルゴ
ム、エチレン・プロピレンゴム、シリコンゴム等の各種
合成ゴム材料が代表的である。これらの樹脂に、カーボ
ン、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム等の無機
材料を添加して誘電率を調整しても良い。また、第2の
誘電体層3が、前記した抵抗薄膜層2を形成する基材フ
ィルムをかねても良い。
The material used for the second dielectric layer 3 is not particularly limited, but an organic polymer material is preferable from the viewpoint of workability. Examples of organic polymer materials include synthetic resins such as polyethylene, polyester, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyether sulfone, polyvinyl chloride and epoxy, and polyisoprene rubber, polystyrene / butadiene rubber, polybutadiene rubber, chloroprene. Typical examples are various synthetic rubber materials such as rubber, acrylonitrile / butadiene rubber (NBR), butyl rubber, acrylic rubber, ethylene / propylene rubber, and silicone rubber. An inorganic material such as carbon, titanium oxide, alumina, or barium titanate may be added to these resins to adjust the dielectric constant. Further, the second dielectric layer 3 may also serve as the base film that forms the resistive thin film layer 2 described above.

【0027】電磁波反射層4を構成する材料としては、
アルミニウム、銅、鉄やステンレス鋼などの金属板ある
いは箔や、高分子フィルムに真空蒸着法やめっき法によ
り上記金属の薄膜を形成したもの、炭素繊維などの導電
材で樹脂などを補強したもの等を用いることができる。
As a material for forming the electromagnetic wave reflection layer 4,
Metal plates or foils of aluminum, copper, iron, stainless steel, etc., polymer films on which a thin film of the above metals has been formed by vacuum deposition or plating, those reinforced with a conductive material such as carbon fiber, etc. Can be used.

【0028】第1の誘電体層1、抵抗薄膜層2、第2の
誘電体層3、電磁波反射層4を積層して、図1に示すよ
うな電磁波吸収体を作製するには、それぞれの部材を接
着剤で接着する方法が簡便である。この場合,第2の誘
電体層3の厚さを決めるには、抵抗薄膜層2の基材フィ
ルムと接着剤層および、第2の誘電体層3と電磁波反射
層4の間の接着剤層の影響を考慮して設計することがで
きる。
In order to fabricate an electromagnetic wave absorber as shown in FIG. 1 by laminating the first dielectric layer 1, the resistive thin film layer 2, the second dielectric layer 3 and the electromagnetic wave reflecting layer 4, the respective layers are prepared. The method of adhering the members with an adhesive is simple. In this case, in order to determine the thickness of the second dielectric layer 3, the base film of the resistance thin film layer 2 and the adhesive layer, and the adhesive layer between the second dielectric layer 3 and the electromagnetic wave reflection layer 4 are used. It can be designed in consideration of the influence of.

【0029】第1の誘電体層1と抵抗薄膜層2を接着す
る接着剤についても、影響がでない程度に薄くするか、
または、その影響を考慮して、第1の誘電体層1の厚さ
を設計すれば、何ら問題なく本発明の電磁波吸収体を作
製することできる。
The adhesive for adhering the first dielectric layer 1 and the resistive thin film layer 2 should also be thin enough to have no effect.
Alternatively, if the thickness of the first dielectric layer 1 is designed in consideration of the influence, the electromagnetic wave absorber of the present invention can be produced without any problem.

【0030】[0030]

【実施例】以下、実施例を示し、本発明の電磁波吸収体
を具体的に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the electromagnetic wave absorber of the present invention will be specifically described by showing Examples.

【0031】(実施例1)100μm厚のポリエステル
フィルムに、スバッタリング法によりシート抵抗290
Ω/□のインジウムとスズ(10wt%)の酸化物の薄
膜を形成した。次に、超高分子量ポリエチレン粉末(平
均分子量450万、真比重0.935、平均粒径150
μm)を円筒形の金型に充填し、130℃で加熱後、加
圧して気孔率55%の予備成型物を作製した。この予備
成型物を160℃に加熱し焼結させた後冷却し、多孔質
焼結体を得た。得られた多孔質焼結体を旋盤により厚さ
1mmのシートに切削し、第1の誘電体層を得た。この
もののミリ波領域での比誘電率は、1.5であった。第
2の誘電体層として,厚さ0.5mmのポリカーボネー
トのシートを用いた。これら第1の誘電体層、抵抗薄膜
体を形成したフィルム、第2の誘電体層、電磁波反射層
としてのアルミニウム・シートを、両面粘着シートで上
記した順に積層することにより、設計周波数76GHz
の電磁波吸収体を得た。
(Example 1) Sheet resistance 290 was applied to a polyester film having a thickness of 100 μm by a scatterer method.
A thin film of an oxide of indium and tin (10 wt%) of Ω / □ was formed. Next, ultra high molecular weight polyethylene powder (average molecular weight 4.5 million, true specific gravity 0.935, average particle size 150
(μm) was filled in a cylindrical mold, heated at 130 ° C., and pressed to prepare a preform having a porosity of 55%. This preform was heated to 160 ° C., sintered, and then cooled to obtain a porous sintered body. The obtained porous sintered body was cut into a sheet having a thickness of 1 mm by a lathe to obtain a first dielectric layer. The relative permittivity of this product in the millimeter wave region was 1.5. A 0.5 mm-thick polycarbonate sheet was used as the second dielectric layer. By laminating the first dielectric layer, the film on which the resistive thin film is formed, the second dielectric layer, and the aluminum sheet as the electromagnetic wave reflection layer in the order described above with a double-sided adhesive sheet, a design frequency of 76 GHz is obtained.
The electromagnetic wave absorber of was obtained.

【0032】(実施例2)100μm厚のポリエステル
フィルムに、スパッタリング法によりシート抵抗250
Ω/口のステンレス鋼(SUS304)の薄膜を形成し
た。次に、超高分子量ポリエチレン粉末(平均分子量4
50万、真比重0.935、平均粒径150μm)を円
筒形金型に充填し、130℃で加熱後、加圧して気孔率
42%の予備成型物を作製した。この予備成型物を16
0℃に加熱し焼結させた後冷却し、多孔質焼結体を得
た。得られた多孔質焼結体を旋盤により、厚さ0.98
mmのシートに切削し、第1の誘電体層を得た。このも
ののミリ波領域での比誘電率は、1.7であった。第2
の誘電体層として、厚さ0.42mmのポリ塩化ビニル
とニトリルゴムのブレンド(NBR)からなる熱可塑性
ゴム(日本ゼオン製NIPOL 1203JNS(商品
名))100部に対し、15部の鱗片状黒鉛を添加した
シートを用いた。これら第1の誘電体層、抵抗薄膜層を
形成したフィルム、第2の誘電体層、電磁波反射層とし
てのアルミニウム・シートを、両面粘着シートで上記し
た順に積層することにより、設計周波数76GHzの電
磁波吸収体を得た。
(Embodiment 2) A polyester film having a thickness of 100 μm and a sheet resistance of 250 by sputtering
A thin film of Ω / neck stainless steel (SUS304) was formed. Next, ultra high molecular weight polyethylene powder (average molecular weight 4
A cylindrical mold was filled with 500,000, true specific gravity 0.935, average particle size 150 μm), heated at 130 ° C., and pressed to prepare a preform having a porosity of 42%. 16 of this preform
After heating to 0 ° C. for sintering and cooling, a porous sintered body was obtained. The thickness of the obtained porous sintered body was 0.98 with a lathe.
The sheet was cut into a sheet of mm to obtain a first dielectric layer. The relative permittivity of this product in the millimeter wave region was 1.7. Second
As a dielectric layer of, a thermoplastic rubber (NIPOL 1203JNS (trade name) manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) having a thickness of 0.42 mm and made of a blend (NBR) of polyvinyl chloride and 15 parts of flake graphite Was used. By laminating the first dielectric layer, the film on which the resistive thin film layer is formed, the second dielectric layer, and the aluminum sheet as the electromagnetic wave reflection layer in the order described above with a double-sided adhesive sheet, an electromagnetic wave with a design frequency of 76 GHz is obtained. An absorber was obtained.

【0033】(比較例1)第1の誘電体層として、厚さ
0.85mmで比誘電率2の多孔質の超高分子量ポリエ
チレンを用い、抵抗薄膜層としてシート抵抗が210Ω
/口のものを用いた以外は、実施例1と同じ方法で電磁
波吸収体を作製した。
(Comparative Example 1) As the first dielectric layer, a porous ultra-high molecular weight polyethylene having a thickness of 0.85 mm and a relative permittivity of 2 was used, and the resistance thin film layer had a sheet resistance of 210Ω.
An electromagnetic wave absorber was produced in the same manner as in Example 1 except that the one having a / mouth was used.

【0034】実施例1,2と比較例1の電磁波吸収体に
おいて、76GHzのミリ波に対する反射減衰量の入射
角度依存性を測定した結果を、表1に示す。実施例1,
2の電磁波吸収体は、入射角度50°においても20d
B以上の反射減衰量を示しており、比較例1のものに比
べて明らかに優れていることが分かる。
Table 1 shows the results of measuring the incident angle dependence of the return loss with respect to the millimeter wave of 76 GHz in the electromagnetic wave absorbers of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. Example 1,
The electromagnetic wave absorber of 2 has 20d even at an incident angle of 50 °.
The return loss is B or more, which is clearly superior to that of Comparative Example 1.

【0035】[0035]

【表1】 〔別実施の形態〕上記実施例では、電磁波吸収体の設計
周波数を76GHzとして場合の結果を示したが、本発
明は、この周波数に限定されるものでなく、マイクロ波
からミリ波にわたる広範囲の周波数に対して設計できる
ことは、言うまでもない。
[Table 1] [Other Embodiments] In the above embodiment, the result was shown when the design frequency of the electromagnetic wave absorber was set to 76 GHz, but the present invention is not limited to this frequency and a wide range from microwaves to millimeter waves. It goes without saying that it can be designed for frequency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の電磁波吸収体を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing an electromagnetic wave absorber of the present invention.

【図2】従来の抵抗薄膜層を用いた電磁波吸収体を示す
断面図
FIG. 2 is a sectional view showing an electromagnetic wave absorber using a conventional resistive thin film layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 第1の誘電体層 6 抵抗薄膜層 7 第2の誘電体層 8 電磁波反射層 5 First dielectric layer 6 Resistive thin film layer 7 Second dielectric layer 8 Electromagnetic wave reflection layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E040 AA20 CA13 5E041 AA17 AA19 AC05 BC01 BC05 CA10 5E321 AA41 BB25 BB33 BB53 CC16 GG11    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5E040 AA20 CA13                 5E041 AA17 AA19 AC05 BC01 BC05                       CA10                 5E321 AA41 BB25 BB33 BB53 CC16                       GG11

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電磁波吸収層の裏面側に電磁波反射層を
積層した電磁波吸収体において、前記電磁波吸収層は、
その表面から順に、比誘電率1.2〜1.8である第1
の誘電体層、シート抵抗220Ω/□〜380Ω/□で
ある抵抗薄膜層、第2の誘電体層を積層した多層構造を
備えることを特徴とする電磁波吸収体。
1. An electromagnetic wave absorber having an electromagnetic wave reflection layer laminated on the back surface side of the electromagnetic wave absorption layer, wherein the electromagnetic wave absorption layer comprises:
The first with a relative permittivity of 1.2 to 1.8 in order from the surface
2. An electromagnetic wave absorber having a multilayer structure in which a dielectric layer, a resistive thin film layer having a sheet resistance of 220 Ω / □ to 380 Ω / □, and a second dielectric layer are laminated.
【請求項2】 前記第1の誘電体層は、多孔質の超高分
子量ポリエチレンからなる請求項1の電磁波吸収体。
2. The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the first dielectric layer is made of porous ultra high molecular weight polyethylene.
【請求項3】 前記抵抗薄膜層は、高分子フィルム基材
に、In,Sn,Znもしくはこれらの合金を主成分と
する金属酸化物,NiCr,FeNi,FeNiCr,
CuNiから選ばれた材料の薄膜を形成したものである
請求項1又は2の電磁波吸収体。
3. The resistive thin film layer comprises a polymer film substrate, a metal oxide containing In, Sn, Zn or an alloy thereof as a main component, NiCr, FeNi, FeNiCr,
The electromagnetic wave absorber according to claim 1 or 2, which is formed by forming a thin film of a material selected from CuNi.
【請求項4】 前記第2の誘電体層は、ポリエチレン、
ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボ
ネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサ
ルフオン、塩化ビニル、エポキシ、ポリイソプレンゴ
ム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴ
ム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエン
ゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレ
ンゴム、シリコンゴムから選ばれた1種又は2種以上の
材料からなる請求項1〜3いずれか1の電磁波吸収体。
4. The second dielectric layer is polyethylene,
Polyester, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyether sulfone, vinyl chloride, epoxy, polyisoprene rubber, polystyrene / butadiene rubber, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile / butadiene rubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene / propylene The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 3, which is made of one or more materials selected from rubber and silicone rubber.
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JP (1) JP2003198179A (en)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085966A (en) * 2003-09-08 2005-03-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd Transparent radio wave absorber
WO2007063612A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Dynamic image encoding device and dynamic image decoding device
JP2007329397A (en) * 2006-06-09 2007-12-20 Konoshima Chemical Co Ltd Noncombustible electric wave absorption plate
US8155338B2 (en) 2006-02-24 2012-04-10 Dynamic Ear Company B.V. Earplug for insertion into an auditory duct
WO2017104710A1 (en) 2015-12-14 2017-06-22 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article provided with said electromagnetic wave absorber
WO2018124131A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 関西ペイント株式会社 Millimeter-wave-band electromagnetic wave absorption sheet and millimeter-wave-band electromagnetic wave absorption method
KR20180093879A (en) 2015-12-14 2018-08-22 닛토덴코 가부시키가이샤 A molded article having an electromagnetic wave absorber and an electromagnetic wave absorber having the electromagnetic wave absorber
WO2018159058A1 (en) 2017-03-03 2018-09-07 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
WO2018230094A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
WO2018230026A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article having electromagnetic wave absorber
WO2018230092A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
WO2018230093A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
WO2018230578A1 (en) 2017-06-14 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber
JP6524356B1 (en) * 2017-10-19 2019-06-05 関西ペイント株式会社 Radio wave absorption sheet for millimeter wave band and millimeter wave radio wave absorption method
WO2019132027A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorbing body, article with electromagnetic wave absorbing body, and electromagnetic wave absorbing body manufacturing method
WO2020138190A1 (en) * 2018-12-25 2020-07-02 積水化学工業株式会社 Wave absorber
WO2020138194A1 (en) * 2018-12-25 2020-07-02 積水化学工業株式会社 Wave absorber
US11477925B2 (en) 2017-03-10 2022-10-18 Maxell, Ltd. Electromagnetic wave absorbing sheet
EP3952022A4 (en) * 2019-03-26 2022-12-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Lambda/4 type radio wave absorber
US12126084B2 (en) 2018-12-25 2024-10-22 Sekisui Chemical Co., Ltd. Wave absorber

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085966A (en) * 2003-09-08 2005-03-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd Transparent radio wave absorber
WO2007063612A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Dynamic image encoding device and dynamic image decoding device
US8155338B2 (en) 2006-02-24 2012-04-10 Dynamic Ear Company B.V. Earplug for insertion into an auditory duct
JP2007329397A (en) * 2006-06-09 2007-12-20 Konoshima Chemical Co Ltd Noncombustible electric wave absorption plate
KR20180093879A (en) 2015-12-14 2018-08-22 닛토덴코 가부시키가이샤 A molded article having an electromagnetic wave absorber and an electromagnetic wave absorber having the electromagnetic wave absorber
US10701848B2 (en) 2015-12-14 2020-06-30 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber and molded article equipped with electromagnetic wave absorber
WO2017104710A1 (en) 2015-12-14 2017-06-22 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article provided with said electromagnetic wave absorber
WO2018124131A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 関西ペイント株式会社 Millimeter-wave-band electromagnetic wave absorption sheet and millimeter-wave-band electromagnetic wave absorption method
JPWO2018124131A1 (en) * 2016-12-27 2018-12-27 関西ペイント株式会社 Radio wave absorption sheet for millimeter wave band and millimeter wave radio wave absorption method
JP6437168B2 (en) * 2016-12-27 2018-12-12 関西ペイント株式会社 Radio wave absorption sheet for millimeter wave band and millimeter wave radio wave absorption method
WO2018159058A1 (en) 2017-03-03 2018-09-07 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
US10512200B1 (en) 2017-03-03 2019-12-17 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
KR20190102216A (en) 2017-03-03 2019-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
US11477925B2 (en) 2017-03-10 2022-10-18 Maxell, Ltd. Electromagnetic wave absorbing sheet
KR20200018427A (en) 2017-06-13 2020-02-19 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
US11806980B2 (en) 2017-06-13 2023-11-07 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber and electromagnetic wave absorber-attached molded article
WO2018230094A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
US11622482B2 (en) 2017-06-13 2023-04-04 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber and electromagnetic wave absorber-attached molded article
WO2018230093A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
KR20200017419A (en) 2017-06-13 2020-02-18 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
KR20200017422A (en) 2017-06-13 2020-02-18 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
KR20200018425A (en) 2017-06-13 2020-02-19 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
WO2018230092A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber
US11387566B2 (en) 2017-06-13 2022-07-12 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber and molded article with electromagnetic wave absorber
WO2018230026A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded article having electromagnetic wave absorber
KR20200018477A (en) 2017-06-14 2020-02-19 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber
WO2018230578A1 (en) 2017-06-14 2018-12-20 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber
US11547031B2 (en) 2017-06-14 2023-01-03 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber
US11509061B2 (en) 2017-10-19 2022-11-22 Kansai Paint Co., Ltd. Milliwave band radio wave absorption sheet and milliwave radio wave absorption method
EP3700317A4 (en) * 2017-10-19 2021-07-14 Kansai Paint Co., Ltd Milliwave band radio wave absorption sheet and milliwave radio wave absorption method
JP6524356B1 (en) * 2017-10-19 2019-06-05 関西ペイント株式会社 Radio wave absorption sheet for millimeter wave band and millimeter wave radio wave absorption method
KR20200102431A (en) 2017-12-28 2020-08-31 닛토덴코 가부시키가이샤 Electromagnetic wave absorber, article with electromagnetic wave absorber, and manufacturing method of electromagnetic wave absorber
WO2019132027A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorbing body, article with electromagnetic wave absorbing body, and electromagnetic wave absorbing body manufacturing method
US11266048B2 (en) 2017-12-28 2022-03-01 Nitto Denko Corporation Electromagnetic wave absorber, article with electromagnetic wave absorber, and method for manufacturing electromagnetic wave absorber
CN113261158A (en) * 2018-12-25 2021-08-13 积水化学工业株式会社 Radio wave absorber
EP3905439A4 (en) * 2018-12-25 2022-09-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Wave absorber
EP3905440A4 (en) * 2018-12-25 2022-09-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Wave absorber
CN113273034A (en) * 2018-12-25 2021-08-17 积水化学工业株式会社 Radio wave absorber
JPWO2020138194A1 (en) * 2018-12-25 2021-02-18 積水化学工業株式会社 Radio wave absorber
JPWO2020138190A1 (en) * 2018-12-25 2021-02-18 積水化学工業株式会社 Radio wave absorber
WO2020138194A1 (en) * 2018-12-25 2020-07-02 積水化学工業株式会社 Wave absorber
WO2020138190A1 (en) * 2018-12-25 2020-07-02 積水化学工業株式会社 Wave absorber
JP7534997B2 (en) 2018-12-25 2024-08-15 積水化学工業株式会社 Radio wave absorber
JP7554146B2 (en) 2018-12-25 2024-09-19 積水化学工業株式会社 Radio wave absorber
US12126084B2 (en) 2018-12-25 2024-10-22 Sekisui Chemical Co., Ltd. Wave absorber
EP3952022A4 (en) * 2019-03-26 2022-12-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Lambda/4 type radio wave absorber
JP7480119B2 (en) 2019-03-26 2024-05-09 積水化学工業株式会社 λ/4 type radio wave absorber

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