KR20040082397A - 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호를 발생하는수단을 포함하는 광 기록매체 기록장치 및 기록방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 입력된 기록신호에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호(S2)를 발생하는 장치를 구비한 광 기록매체 기록장치와 이에 대응하는 기록방법에 관한 것이다. 필요한 타이밍 해상도보다 큰 최소 지연값을 갖는 지연셀들(20)을 사용하여 기준 클록 주파수를 증가시키지 않으면서도 증가된 타이밍 해상도를 달성하기 위해, 상기 기록신호(S1)를 수신하여 상기 타이밍 신호(S2)를 발생하고, 제 1 지연값을 갖는 제 1 지연셀 그룹(14)과 제 2 지연값을 갖는 제 2 지연셀(22) 그룹(17)을 포함하되, 단위 지연값을 구성하는 상기 제 1 및 제 2 지연값 사이의 차이가 상기 제 1 및 제 2 지연값보다 작은 지연수단(111)과, 상기 기록신호(S1)가 통과하는 상기 제 1 및 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 수를 제어하여 기록신호(S1)를 지연시키는 단위 지연값들의 수를 선택하는 선택수단(112)을 구비한 상기 타이밍 신호 발생장치가 제안된다.
Description
본 발명은, 광 기록매체의 기록면에 방사빔을 조사하여 데이터를 기록하며,
방사빔을 공급하는 방사원과,
클록신호를 공급하는 위상동기루프와,
상기 클록신호를 사용하여 수신된 정보신호에서 기록신호를 발생하는 기록신호 발생부와,
상기 기록신호에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호를 상기 기록신호로부터 발생하는 장치와,
상기 타이밍 신호를 수신하여 상기 방사원을 구동하는 구동부를 구비한 광 기록매체 기록장치와, 이에 대응하는 방법에 관한 것이다.
예를 들어, CD-R/RW, DVD+RW 또는 DVR 등의 광 디스크 상에의 기록은 초점이 맞추어진 레이저빔을 사용하여 디스크를 가열하여 행해진다. 디스크의 가열은, 판독중에 검출될 수 있는 디스크 물질의 영구적 또는 반영구적인 변화를 일으킨다. 기록중에, LADIC으로도 불리는 레이저 드라이버 IC는, 디스크 상에 기록해야 하는데이터에 따라, 서로 다른 진폭 및 지속기간을 갖는 소정의 전류 펄스들의 패턴, 즉 기록 방식(writing strategy)을 사용하여 레이저를 구동한다. 이와 같은 광 기록/재생장치는, 예를 들면 WO 00/39793에 공지되어 있다.
광 기록을 위한 점점 더 증가하는 기록속도와 새로 개발된 기록방식들로 인해, 개별적인 레이저 펄스들의 타이밍 해상도가 레이저 드라이버 PLL, 즉 위상동기루프 클록의 주기보다 높아지는 것이 필요하다. 즉, 레이저 드라이버는, PLL 클록의 에지(edge)에서 뿐만 아니라, 2개의 PLL 클록 에지들 사이의 소저의 순간에서도 새로운 레이저 펄스를 시작할 수 있어야만 한다. 이것은, 레이저 드라이버의 PLL 클록에 초해상도가 적용되어야 한다는 것을 의미한다. 이것은, 다음의 레이저 펄스의 시작을 표시하는 타이밍 신호가 클록 주기의 소정의 부분동안 지연되는 인출된(tapped) 지연선을 사용하여 행해질 수 있다. 이것은, 이 부분 동안에 대한 신호를 각각 지연시키는 특정한 수의 지연셀들을 타이밍 신호 경로에 삽입하여 달성될 수 있다. 삽입된 지연셀들의 수가 선택되어, 신호가 겪는 전체 지연을 규정할 수 있다. 그러나, 높은 클록 주파수에서, 그리고 높은 초해상도가 필요할 때에는, 표준 지연셀을 사용하여 얻을 수 있는 최소 지연값이 원하는 단위 지연값보다 크다.
결국, 본 발명의 목적은, 입력신호의 타이밍 해상도를 증가시키지 않으면서, 필요한 타이밍 해상도보다 짧은 최소 지연값을 반드시 갖지 않는 지연셀들을 사용하여 입력신호에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호를 발생하는 수단을 구비한 광 기록매체 기록자치와 방법을 제공함에 있다.
상기한 목적은,
상기 기록신호를 수신하여 상기 타이밍 신호를 발생하고, 제 1 지연값을 갖는 제 1 지연셀 그룹과 제 2 지연값을 갖는 제 2 지연셀 그룹을 포함하되, 단위 지연값을 구성하는 상기 제 1 및 제 2 지연값 사이의 차이가 상기 제 1 및 제 2 지연값보다 작은 지연수단과, 상기 기록신호가 통과하는 상기 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 수를 제어하여 기록신호를 지연시키는 단위 지연값들의 수를 선택하는 선택수단을 구비한 청구항 1에 기재된 장치에 의해 달성된다.
본 발명은, 단위 지연값으로서 지연셀들 자체의 지연값을 사용하지 않고, 서로 다른 지연값들, 바람직하게는 약간 다른 지연값들을 갖는 2개의 지연셀들사이의 차이를 이용한다는 착상에 근거를 두고 있다. 상기한 차이는, 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 지연값보다 작아지도록 선택된다. 지연값들의 차이가 단위 지연값으로 사용되므로, 개별적인 지연셀들의 지연이 매우 짧을 필요가 없는데, 이것은 지연셀들을 더욱 설계하기 쉽게 하고, 이에 따라 가격이 더욱 저렴하게 한다. 다른 한편으로, 지연셀들 그 자체를 사용하여 얻을 수 있는 최소 지연값보다 훨씬 더 높은 초해상도가 얻어질 수 있다. 기록신호가 겪는 정확한 지연을 제어하기 위해, 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 수를 선택하여, 상기 지연셀 그룹들을 통과하는 기록신호의 신호 경로를 제어하는 선택수단이 설치된다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 종속항에 기재되어 있다. 바람직한 제 1 실시예에 따르면, 제어된 지연셀들이 사용되고, 상기 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 상기 제 1 및 제 2 지연값을 제어하는 지연값 제어수단이 설치된다. 바람직하게는, 제 1 그룹의 모든 지연셀들이 동일한 지연값을 갖고, 제 2 그룹의 모든 지연셀들이 동일한 지연값을 갖도록, 상기 지연셀들의 지연값이 제어된다. 상기 지연셀들의 지연값에 대한 바람직한 선택은 종속항 3에 기재되어 있다.
x가 정수일 때 x(x-1)이 상기 기록신호의 타이밍 해상도로 구성될 분할의 수라고 가정하면, 제 1 그룹에서는 최소 2x-3개의 지연셀들이 필요하고, 제 2 그룹에서는 x-2개의 지연셀들이 필요하다. 그후, 특정한 수 N의 단위 지연값 D만큼 지연시키기 위해 기록신호가 통과해야 하는 상기 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 제 1 및 제 2 수가 일반적으로 계산될 수 있다. 상기 제 2 그룹의 지연셀들의 제 2 수 Z2는 일반적으로 Z2=N mod (x-1)로 주어지며, 상기 제1 그룹의 지연셀들의 제 1 수 Z1은 일반적으로 Z1=int(N/(x-1))-Z2+(x-2)로 주어진다. 이것은, 제 1 그룹의 x-2개의 지연셀들과 제 2 그룹의 0개의 지연셀들을 통과하는 신호가 제로 지연값을 갖는 신호인 것으로 정의된다는 것을 의미한다. 다른 모든 단위 지연값들은 제로 지연값을 갖는 상기 신호에 대해 규정된다.
상기한 선택수단의 바람직한 실시예는 청구항 6에 기재되어 있는데, 이에 따르며, 지연셀들 그룹 각각에, 다수의 AND 게이트들과 한 개의 OR 게이트가 신호 경로의 선택을 위해 할당된다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 상기 지연셀들은, 2개의 반전된 전류 제어 또는 전압 제어 지연셀 유니트들을 각각 포함하는 비반전 지연셀들이다. 그러나, 다른 구조가 사용될 수도 있다. 지연셀들로부터 출력신호들을 재생하기 위해 아웃커플링(outcoupling)회로가 사용될 수도 있다.
지연값 제어수단의 바람직한 실시예들은 청구항 8 및 9에 기재되어 있다. 바람직하게는, 상기한 지연값 제어수단은, 상기 제 1 및 제 2 그룹의 지연셀들의 지연값을 제어하기 위한 제 1 및 제 2 제어신호를 발생하는 전류 제어 발진기와, 상기 전류 제어 발진기의 출력신호의 주파수를 분주하는 클록 분주기를 각각 포함하는 2개의 위상동기루프 회로를 구비한다. 이 두 개의 PLL 회로는, 바람직하게는 위상 검출기와 루프 필터를 구비하고, 이 두 개의 PLL 회로는 제 3 클록 분주기에 의해 상호접속된다. 상기 전류 제어 발진기들 각각은, 바람직하게는 다수의 상호접속된 반전 지연셀들에 의해 링 발진기로서 형성된다. 상기 제 1 링 발진기의 지연셀들의 지연값은 바람직하게는 제 1 그룹의 지연셀들의 제 1 지연값의 p배가 되도록 선택되는 한편, 상기 제 2 링 발진기의 지연셀들의 지연값은 상기 제 2 그룹의 지연셀들의 상기 제 2 지연값의 p배가 되도록 선택되며, 이때 p는 제로값보다 큰 수, 예를 들면 0.5이다. 지연수단에서 본 발명에 따라 사용된 지연셀들의 형태에 의존하여, 제 1 및 제 2 전압 제어 발진기를 통한 또는 발진기 양단의 전류가 지연수단 내부의 제 1 또는 제 2 그룹의 지연셀들로 복사된다.
청구항 1의 장치에 대응하는 방법은 청구항 10에 기재되어 있다. 일반적으로, 본 발명은, 들어온 클록신호에 따라 비례증가하는 매우 높은 타이밍 해상도가 필요한 모든 PLL 기반의 타이밍 신호 발생회로, 예를 들면 패턴 신디사이저에 적용될 수 있다. 더구나, 본 발명은, 예를 들어 (칩간) 클록 스큐(skew)를 보상하기 위해 마이크로프로세서나 메모리에서 사용되는 적응형 클록 이상기 또는 적응형 (클록) 스큐제거(deskewing)회로에 적용될 수도 있다.
이하, 다음의 첨부도면을 참조하여 본 발명을 더욱 더 상세히 설명한다:
도 1은 본 발명에 따른 광 기록매체 기록장치의 블록도이고,
도 2는 본 발명에 따라 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호를 발생하는 장치를 나타낸 것이며,
도 3a 및 도 3b는 지연셀들의 서로 다른 실시예들을 나타낸 것이고,
도 4는 지연값 제어수단의 블록도이며,
도 5는 상기 지연값 제어수단에서 사용된 링 발진기를 나타낸 것이다.
도 1은, 본 발명에 따른 광 기록매체 기록장치의 블록도를 나타낸 것이다. 상기한 장치는, 데이터 신호를 디스크 형태의 광 기록매체(1)의 기록면(2)에 기록하는 레이저(4)를 방사원으로서 구비한다. 상기한 신호는, 상기 레이저(4)에 의해 방출되고 렌즈(6)에 의해 기록면(2)에 초점에 맞추어진 방사빔(5)을 조사함으로써, 디스크를 국부적으로 가열하여 기록면(2)에 있는 디스크 물질의 영구 또는 반영구적인 변화를 일으켜 기록된다. 기록중에, 광 기록매체(1)는 모터(3)에 의해 그것의 중심 주위로 회전하며, 레이저(4)가 원하는 기록 방식을 제공하는 서로 다른 진폭과 지속시간을 갖는 전류 펄스들로 이루어진 소정의 패턴을 갖는 레이저 구동부(7)에 의해 구동된다. 상기 구동부(7)에는, 기록신호 S1을 수신하고, 기록신호로도 불리는 상기 입력신호 S1보다 더 높은 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호 S2를 이 기록신호에서 발생하는 본 발명에 따른 타이밍 신호 발생장치(8)로부터 필요한 타이밍 신호 S2가 주어진다. 상기한 입력신호 S1은, 기록하고자 하는 데이터를 포함하며, 위상동기루프(PLL)(10)에 의해 발생된 기준 클록신호 CLK에 기반을 둔 데이터 신호 S0로부터 기록신호 발생부(9)에 의해 발생된다.
증가된 기록속도 또는 기록 정밀도를 필요로 하는 기록방식을 구현하기 위해서는, 레이저(4)의 개별적인 레이저 펄스들의 타이밍 해상도가 PLL의 기준 클록신호 CLK 및 입력신호 S1의 주기보다 높아야만 한다. 이것은, 본 발명에 따르면, 제 1 및 제 2 그룹의 다수의 지연셀들을 포함하는 지연수단(11)에 의해 달성되며, 이때 제 1 그룹의 지연셀들은 제 2 그룹의 지연셀과는 약간 다른 지연값을 갖는다. 따라서, 지연값들의 차이가 개별적인 지연셀들의 지연값보다 훨씬 더 작게 만들 수 있으므로, 제 1 그룹의 한 개의 셀과 제 2 그룹의 한 개의 셀의 지연값 사이의 차이가 단위 지연값으로 사용된다. 이에 따르면, 개별적인 지연셀들을 사용하여 얻어질 수 있는 최소 지연값보다 훨씬 더 높은 초해상도가 얻어질 수 있다.
개별적인 지연셀들의 지연값을 제어하기 위해, 제어신호 C를 제공하는 지연값 제어수단(13)이 설치된다. 입력신호 S1이 상기 지연수단(11)을 통해 따라가는 신호 경로를 선택하여 상기 입력신호 S1의 실제 지연값을 제어하기 위해, 선택신호 B를 발생하는 선택수단(12)이 설치된다.
본 발명에 따른 타이밍 신호 발생장치를 도 2에 더욱 상세하게 나타내었다. 지연수단은, 다수의 지연셀들 20, 22, 다수의 AND 게이트들 21, 23과 OR 게이트 16, 19를 각각 구비한 제 1 지연부(111)와 제 2 지연부(112)를 구비한다. 본 실시예에 있어서, 제 1 지연부(111)는 7개의 직렬 접속된 지연셀들(20)로 이루어진 제 1 그룹의 제 1 지연선(14)을 구비한다. 기록중에 사용되며 낮은 타이밍 해상도를갖는 타이밍 정보를 포함하는 입력신호 S1이 상기 지연선(14)의 제 1 지연셀에 입력된다. 상기 지연셀들(20)의 지연값은, 지연값 제어수단(13)에 의해 발생된 제 1 제어신호 C1에 의해 제어된다. 각각의 지연셀의 입력과 최종 지연셀의 출력은 제 1 그룹(15)의 별개의 AND 게이트들(21)의 입력에 접속된다. 상기한 AND 게이트들(21)의 나머지 입력은, 입력신호 S1이 지연수단을 통해 따라가는 신호 경로를 선택하는 선택신호 B를 발생하는 선택부(121)와 디멀티플렉서(122)를 구비한 선택수단에 접속된다. 따라서, 각각의 AND 게이트(21)는, 개별적으로 온되거나 오프로 전환되어 신호가 흘러가게 하거나 흘러가지 않게 할 수 있는 스위치로서의 기능을 한다.
제 1 그룹(15)의 AND 게이트들(21)의 출력들은 모두 OR 게이트(16)에 접속되며, 이 OR 게이트의 출력은 제 2 지연부(112)에 포함된 지연선(17)의 다수의 지연셀의 제 1 지연셀(22)의 입력에 접속된다. 본 실시예에서, 상기한 지연선(17)은, 3개의 직렬 접속된 지연셀들(22)을 구비하며, 이들 지연셀들의 지연값은 상기한 지연값 제어수단(13)에서 주어진 제 2 지연신호 C2에 의해 제어된다. 상기한 지연셀들(22)의 모든 입력과 최종 지연셀의 출력은 개별적으로 제 2 그룹(18)의 AND 게이트들(23)의 입력에 접속되며, 이 제 2 그룹의 제 2 입력에는 마찬가지로 신호 경로를 선택하는 선택신호 B가 주어진다. 상기한 AND 게이트들(23)의 출력들은, 입력신호 S1에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호 S2를 출력하는 OR 게이트(19)에 접속된다. 신호 경로를 선택하기 위해, 본 실시예에서 선택신호는 4 비트 코드이다.
바람직하게는, 지연셀들 20, 22의 각각은 비반전 지연셀들을 제공하는 2개의반전 지연셀들로 구성된다. 이들 지연셀들은 도 3a에 도시된 것과 같은 전류제어 지연셀들이거나 도 3b에 도시된 것과 같은 전압제어 지연셀들일 수 있지만, 다른 구조도 가능하다. 지연선 14 및 17에 있는 1개의 지연셀로서의 이와 같은 반전 지연셀들의 사용은, 단일 반전 지연셀들보다 2배 큰 지연값을 갖는 비반전 지연셀들을 제공하게 된다.
제 1 지연선(14)에서의 셀당 지연값이 Tx이고 제 2 지연선(17)에서의 셀당 지연값이 T/(x-1)이 되도록, 지연셀들 20, 22가 제어수단(13)에 의해 제어된다. 이때, T는 기준 클록, 즉 초해상이 적용되어야 하는 PLL 클록신호 CLK와 입력신호 S(이것은 일반적으로 주기적일 필요는 없으며, T의 해상도를 갖는 타이밍신호이다)의 클록 주기이고, x(x-1)은 1 주기 T 내부에 형성되는 분할의 수이다. 다음의 표에는, x의 서로 다른 값에 대해 지연부들에 대한 셀당 지연값과 주기 T에 대한 분할의 수가 표시되어 있다. 도 2의 실시예에서는, x의 값이 5로서, 20의 클록주기 T의 분할을 제공한다.
X | 지연부 111 | 지연부 112 | T당 분할 | 해상도 이득 |
5 | T/5 | T/4 | 20 | 4x |
6 | T/6 | T/5 | 30 | 5x |
7 | T/7 | T/6 | 42 | 6x |
8 | T/8 | T/7 | 56 | 7x |
9 | T/9 | T/8 | 72 | 8x |
10 | T/10 | T/9 | 90 | 9x |
해상도 이득은, 본 발명에 따른 지연수단에 의해 얻어진 타이밍 해상도를 지연셀당 동일한 최소 지연값을 갖는 종래의 지연선을 사용하여 얻을 수 있는 타이밍해상도로 나눈 값이다.
20의 분할을 제공하는 x가 5인 도 2에 도시된 지연수단을 고려하자. 제 1 지연선(14)의 최초 3개의 지연셀들(20)을 통과하며 제 2 지연선(17)의 지연셀들을 통과하지 않는 신호의 지연값은 제로값으로 정의된다. 특정한 양, 예를 들어 T/20의 지연값이 얻어지는 경우에, 예를 들어 T/20의 기간 동안에, 신호가 제 1 지연선(14)의 2개의 지연셀과 제 2 지연선(17)의 1개의 지연셀을 통과하도록 신호 경로가 제어되어, 유효하게 제로값에서 T/5를 감산한 후 T/4를 가산하게 된다. 마찬가지로, 예를 들어 7T/20의 지연값이 필요하면, 신호가 제 1 지연선(14)의 첫 번째 지연셀만을 통과한 후 제 2 지연선(17)의 3개의 지연셀들을 통과하게 함으로써, 2T/5의 지연값이 제로값에서 감산된 후 3T/4의 지연값이 가산된다. 즉, 3T/5의 절대 지연값을 갖는 신호가 제로값인 지연값을 갖도록 정의되고, 나머지 모든 지연값이 제로 지연값을 갖는 신호에 대해 계산된다. 제로 지연값을 갖는 신호가 제 1 지연선의 개의 지연셀을 통과하는 것으로 정의되므로, 제 1 지연부(111)에 있는 상기 신호에 대해 지연값들을 감산하거나 가산할 수 있다.
다음의 표는 x=5에 대해 원하는 지연값에 대한 지연선의 설정값을 나타낸 것이다:
지연값 | 단위 지연값들의 #N | 지연부 111을 통과한 # 지연셀 | 지연부 112를 통과한 # 지연셀 |
0 | 0 | 3 | 0 |
T/20 | 1 | 2 | 1 |
2T/20 | 2 | 1 | 2 |
3T/20 | 3 | 0 | 3 |
4T/20 | 4 | 4 | 0 |
5T/20 | 5 | 3 | 1 |
6T/20 | 6 | 2 | 2 |
7T/20 | 7 | 1 | 3 |
8T/20 | 8 | 5 | 0 |
9T/20 | 9 | 4 | 1 |
10T/20 | 10 | 3 | 2 |
11T/20 | 11 | 2 | 3 |
12T/20 | 12 | 6 | 0 |
13T/20 | 13 | 5 | 1 |
14T/20 | 14 | 4 | 2 |
15T/20 | 15 | 3 | 3 |
16T/20 | 16 | 7 | 0 |
17T/20 | 17 | 6 | 1 |
18T/20 | 18 | 5 | 2 |
19T/20 | 19 | 4 | 3 |
소정 수 N의 단위 지연값들 D가 필요한 경우에, 다음을 계산하여 x의 나머지 값들에 대해 이와 유사한 표를 만들 수 있다.
제 1 지연부(111)의 지연셀들의 제 1 수 Z1은 int(N/(x-1))-Z2+(x-2)와 같으며, 이때 제 2 지연부(112)에서 통과된 지연셀들의 제 2 수 Z2는 N mod (x-1)이 된다.
x의 특정한 값에 대해 지연선들 14, 17에 대한 이 두 개의 지연부들 111, 112 내부에 존재해야 할 지연셀들의 총 수는 제 1 지연선(14)에 대해서는 2x-3이고 제 2 지연선(17)에 대해서는 x-2이다.
지연셀들 20, 22의 지연값을 제어하기 위한 2가지 제어신호 C1 및 C2는 2개의 PLL 회로들 131, 132를 구비한 도 4에 도시된 것과 같은 지연값 제어수단을 사용하여 발생될 수 있다. 상기한 PLL 회로들 131, 132 각각은, 위상 검출기(PD1, PD2) 30, 40, 루프 필터(LF1, LF2) 31, 41, 전류제어 발진기(CCO1, CCO2) 32, 42 및 클록 분주기(%N, %K) 33, 43을 구비한다. 제 1 PLL 회로(131)에는 클록신호 차가 주어지며, 이들 두 개의 PLL 회로 131, 132는 제 3 클록 분주기(%M)(50)에 의해 상호접속된다. 클록 분주기(33, 43)는 발진기 32, 42에서 발생된 클록신호 F1, F2의 주파수를 분주하며, 이 분주된 신호는 위상 검출기들 30, 40으로 귀환되어 입력되는 클록신호와 비교된다. 전류제어 발진기들 32, 42는, 지연선 14 및 17(도 2 참조)의 지연셀들에서 2배로 사용된 반전 지연셀들과 동일한 5개의 상호접속된 반전 지연셀들(50)로 구성되어, 도 5에 도시된 것과 같은 링 발진기를 제공하는 것이 바람직하다. 상기한 링 발진기는, 루프 필터에서 발생된 출력신호를 입력신호 E1, E2로서 수신하여, 링 신호 F1, F2와 제어신호 C1 또는 C2를 각각 출력한다.
다수의 광 기록 장치의 레이저 구동부에는, 예를 들면 도 1의 PLL(10)과 같이 제 1 PLL 회로(131)가 이미 존재한다. 제 1 전류제어 발진기(32)의 주파수는 입력되는 클록의 주파수의 Q배이다. 상기한 클록신호의 주기가 T라고 가정하면, 도 5에 도시된 것과 같은 링 발진기의 개별적인 지연셀들의 지연값은 T/10이 된다. 사용된 지연셀들의 형태에 의존하여, 전류제어 발진기를 통과하는 전류 또는 이들 발진기 양단의 전압이 제 1 지연선(14)에 있는 지연셀들로 복사되면, 지연선 내부의 비반전 지연셀들이 전류제어 발진기에서 사용되는 2개의 반전 지연셀들로 구성되므로, 이들 지연셀 각각은 T/5의 지연값을 갖게 된다.
제 2 전류제어 발진기(42)의 주파수는 제 1 전류제어 발진기(32)의 주파수의K/M배로서, 제 2 전류제어 발진기(42) 내부의 지연셀당 M/K의 T/10배의 지연값을 제공한다. 제 2 전류제어 발진기(42) 양단의 전압 또는 이 발진기를 통과하는 전류를 제 2 지연선(17)의 지연셀로 복사하면, 제 2 지연부(112)에 있는 지연셀당 T/4의 지연값이 제공된다.
이하의 표에서는, x의 서로 다른 값에 대해 전류제어 발진기 당 반전 지연셀들의 수와 M 및 K의 값이 표시되어 있다. 또한, 제어신호들이 이들 2개의 지연부로 복사되는 방법이 표시되어 있다.
X | CCO당 # 지연셀 | M | K | CCO1의 복사 위치 | CCO2의 복사 위치 |
5 | 5 | 5 | 4 | 지연부 111 | 지연부 112 |
6 | 5 | 5 | 6 | 지연부 112 | 지연부 111 |
7 | 7 | 7 | 6 | 지연부 111 | 지연부 112 |
8 | 7 | 7 | 8 | 지연부 112 | 지연부 111 |
9 | 9 | 9 | 8 | 지연부 111 | 지연부 112 |
10 | 9 | 9 | 10 | 지연부 112 | 지연부 111 |
Claims (10)
- 광 기록매체(1)의 기록면(2)에 방사빔(5)을 조사하여 데이터를 기록하며,방사빔(5)을 공급하는 방사원(4)과,클록신호(clk)를 공급하는 위상동기루프(10)와,상기 클록신호(clk)를 사용하여 수신된 정보신호(S)에서 기록신호(S1)를 발생하는 기록신호 발생부(9)와,상기 기록신호(S1)에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호(S2)를 상기 기록신호(S1)로부터 발생하는 장치(8)와,상기 타이밍 신호(S2)를 수신하여 상기 방사원(4)을 구동하는 구동부(7)를 구비한 광 기록매체 기록장치에 있어서,상기 기록신호(S1)를 발생하는 상기 장치(8)는,상기 기록신호(S1)를 수신하여 상기 타이밍 신호(S2)를 발생하고, 제 1 지연값을 갖는 제 1 지연셀(20) 그룹(14)과 제 2 지연값을 갖는 제 2 지연셀(22) 그룹(17)을 포함하되, 단위 지연값을 구성하는 상기 제 1 및 제 2 지연값 사이의 차이가 상기 제 1 및 제 2 지연값보다 작은 지연수단(11)과,상기 기록신호(S1)가 통과하는 상기 제 1 및 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 수를 제어하여 기록신호(S1)를 지연시키는 단위 지연값들의 수를 선택하는 선택수단(12)을 구비한 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 및 상기 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 상기 제 1 및 제 2 지연값을 제어하는 지연값 제어수단(13)을 더 구비한 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 2항에 있어서,상기 지연값 제어수단(13)은, T가 상기 기록신호(S1)의 타이밍 해상도이고 x가 정수일 때, 제 1 그룹(14)의 지연셀들의 지연값이 T/x가 되도록 제어하고, 제 2 그룹(17)의 지연셀들의 지연값이 T/(x-1)이 되도록 제어하여 T/((x-1)x)의 단위 지연값을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 그룹(14)은 x-2개의 지연셀들(20)을 포함하고, 상기 제 2 그룹(17)은 2x-3개의 지연셀들을 포함하며, 이때 x는 정수이고, x(x-1)은 상기 기록신호의 타이밍 해상도를 구성하는 분할의 수인 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 4항에 있어서,상기 선택수단(12)은, 단위 지연값들 D의 선택된 지연값 수 N에 대해, 상기 제 2 그룹(17)의 지연셀들의 제 2 수 Z2가 N mod (x-1)이 되게 선택되고, 상기 제 1 그룹(14)의 지연셀들의 제 1 수 Z1이 int(N/(x-1))-Z2+(x-2)가 되게 선택되도록, 상기 기록신호(S1)가 통과할 상기 제 1 및 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 수를 제어하도록 구성된 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 1항에 있어서,상기 선택수단(12)은, 제 1 그룹(15) 및 제 2 그룹(18)의 AND 게이트들(21, 23)과, 제 1 및 제 2 OR 게이트(16, 19)를 구비하고, 상기 제 1 OR 게이트(16)는 상기 제 1 그룹(15)의 AND 게이트들(21)의 출력들에 접속되며, 상기 제 2 OR 게이트(19)는 상기 제 2 그룹(18)의 AND 게이트들(23)의 출력들에 접속되고, 상기 제 1 OR 게이트(16)의 출력은 상기 제 2 그룹(18)의 제 1 AND 게이트(23)의 기록물에 접속되며,상기 AND 게이트들(21, 23)은, 상기 제 1 그룹(14)의 제 1 수 Z1의 지연셀들(20)을 통과한 후 기록신호(S1)를 상기 제 1 OR 게이트(16)로 전환하고, 상기 제 2 그룹(17)의 제 2 수 Z2의 지연셀들(22)을 통과한 후 기록신호 S1을 상기 제 2 OR 게이트(19)로 전환하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지연셀들(20, 22)은, 2개의 반전 전류제어 또는 전압제어 지연셀 유니트들을 각각 구비한 비반전 지연셀들인 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 2항에 있어서,상기 지연값 제어수단(13)은 2개의 위상동기루프회로(131, 132)를 구비하고, 각각의 위상동기루프회로는, 상기 제 1 및 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 지연값을 제어하기 위해 제 1 및 제 2 제어신호(C1, C2)를 발생하는 전류제어 발진기(32, 42)와, 상기 전류제어 발진기(32, 42)의 출력신호(F)의 주파수를 분주하는 클록 분주기(33, 43)를 구비한 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 제 8항에 있어서,상기 전류제어 발진기들(32, 42) 각각은 링 발진기를 구성하는 다수의 상호접속된 반전 지연셀들(50)을 구비하고, 제 1 링 발진기(32)의 상기 지연셀들의 지연값이 상기 제 1 지연값의 p배가 되도록 선택되며, 제 2 링 발진기(42)의 상기 지연셀들의 지연값은 상기 제 2 지연값의 p배가 되도록 선택되고, 이때 p는 제로값보다 큰 수인 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록장치.
- 광 기록매체(1)의 기록면(2)에 방사빔(5)을 조사하여 데이터를 기록하며,방사원(4)에 의해 방사빔(5)을 발생하는 단계와,위상동기루프(10)에 의해 클록신호(clk)를 발생하는 단계와,상기 클록신호(clk)를 사용하여 수신된 정보신호(S)에서 기록신호 발생부(9)에 의해 기록신호(S1)를 발생하는 단계와,상기 기록신호(S1)에 대해 증가된 타이밍 해상도를 갖는 타이밍 신호(S2)를 상기 기록신호(S1)로부터 발생하는 단계와,상기 타이밍 신호(S2)를 수신하여 구동부(7)에 의해 상기 방사원(4)을 구동하는 단계를 포함하는 광 기록매체 기록방법에 있어서,상기 기록신호(S1)가 지연수단(11)에 의해 수신되어 상기 타이밍 신호(S2)를 발생하고, 상기 지연수단(11)은 제 1 지연값을 갖는 제 1 그룹(14)의 지연셀들(20)과 제 2 지연값을 갖는 제 2 그룹(17)의 지연셀들(22)을 구비하며, 상기 제 1 및 상기 제 2 지연값 사이의 차이는 상기 제 1 및 제 2 지연값보다 작은 단위 지연값을 구성하고,기록신호(S1)를 지연시키는 단위 지연값들의 수는, 선택수단(12)에 의해, 상기 기록신호(S1)가 통과할 상기 제 1 및 상기 제 2 그룹(14, 17)의 지연셀들(20, 22)의 수를 제어하여 선택되는 것을 특징으로 하는 광 기록매체 기록방법.
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