KR20040080140A - The Electrostatic Chuck having grooves on the lower side of a ceramic plate and projecting portions on the upper side of a lower electrode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 장치 중 전공정 장비인 식각 또는 증착 장비에 사용되는 정전척(Electrostatic Chuck) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 하부전극의 상면에 세라믹 판(Sheet)과 직접적으로 접촉되는 다수의 돌출부들 갖는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck used in etching or deposition equipment, which is a preprocessing equipment, and a method of manufacturing the same. In particular, a plurality of directly contacting ceramic plates on an upper surface of a lower electrode. An electrostatic chuck having protrusions of and a method of manufacturing the same.
일반적으로, 반도체 플라즈마 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(101)가 있고, 이 챔버는 공정진행시에는 진공펌프(109)에 의해 매우 낮은 압력으로 유지된다. 반송 시스템에 의해 웨이퍼(102)가 정전척(103) 상에 놓이게 되고 고주파 전원(106)이 챔버의 상부측 또는 하부측에 전기적으로 연결되어 플라즈마 발생원으로 작용한다. 웨이퍼의 균일한 식각이나 증착이 필요한 에치 공정 및 증착공정에서는 웨이퍼의 온도 제어를 위해 웨이퍼 배면에 냉각가스가 흐를 수 있도록 설계되며 이 냉각가스의 압력을 견디도록 웨이퍼를 기계적으로 또는 전기적으로 흡착시킨다.Generally, the semiconductor plasma apparatus has a process chamber 101, as shown in FIG. 1, which is maintained at a very low pressure by the vacuum pump 109 during process progress. The conveying system causes the wafer 102 to be placed on the electrostatic chuck 103 and the high frequency power supply 106 is electrically connected to the upper side or the lower side of the chamber to serve as a plasma generating source. In the etching process and the deposition process requiring uniform etching or deposition of the wafer, the cooling gas flows on the back surface of the wafer for temperature control of the wafer, and the wafer is mechanically or electrically adsorbed to withstand the pressure of the cooling gas.
이 처럼, 웨이퍼를 흡착시키기 위해, 여러가지 방식이 실현되고 있는데, 종래에는 기계적으로 웨이퍼를 지지하는 기계적 클램핑 타입이었으며, 근래에는 정전력을 이용한 정전척 방식이 실현되고 있다. 정전력 방식에는 폴리이미드와 같은 고분자 중합체를 압착하여 적용하는 방식과 알루미늄인 하부전극을 양극산화시켜 그 피막을 유전체로 사용하는 방법이 있다. 이 방식 중 폴리이미드 필름을 이용하는 적층방식은 내전압 측면에서는 우수한 성능을 발휘하고 있으나 산소 플라즈마에 취약하고 열전도도가 좋지 않은 문제점이 있다. 이로 인해, 웨이퍼의 온도 균일성 측면에서 결정적인 취약점이 있다. 또한, 양극산화된 피막 또는 피막 자체가 조밀하지 못하기 때문에 공정 진행중에 발생하는 반응생성물이 유전층에 고착될 수 있다. 이러한 반응생성물이 유전층에 고착되면, 유전층의 유전율을 변동시켜 흡착력이 쉽게 변하는 문제점이 있다.As described above, in order to adsorb the wafer, various methods have been realized. In the related art, there has been a mechanical clamping type that supports the wafer mechanically, and recently, an electrostatic chuck method using electrostatic power has been realized. In the electrostatic power method, there is a method in which a polymer polymer such as polyimide is pressed and applied, and a method of anodizing an aluminum lower electrode and using the coating as a dielectric. Among these methods, the lamination method using a polyimide film has excellent performance in terms of withstand voltage, but has a problem of being vulnerable to oxygen plasma and having poor thermal conductivity. Because of this, there is a critical vulnerability in terms of temperature uniformity of the wafer. In addition, because the anodized film or the film itself is not dense, the reaction product generated during the process may adhere to the dielectric layer. When the reaction product is fixed to the dielectric layer, there is a problem that the adsorption force is easily changed by changing the dielectric constant of the dielectric layer.
이에, 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 현재, 알루미나 또는 질화 알루미늄 같은 세라믹층의 유전체를 사용하는 정전척이 실현되고 있다.Thus, in order to solve the above-mentioned problems of the prior art, an electrostatic chuck using a dielectric of a ceramic layer such as alumina or aluminum nitride is currently realized.
세라믹 유전층을 제조하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같이, 통상적으로 파우더 형태의 분말에 필요한 성분을 혼합하여 전도성을 향상시키거나 분말의 결합력을 강화시키는 등의 방법으로 소결하여 제조되며, 이 소결체의 중간에는 전기적으로 전극의 역할을 하는 전도성 전극(213)이 삽입된다. 전도성 전극은 얇은 판을 압착하거나 도체 분말을 이용하여 스크린 프린팅 방법으로 인쇄하는 방법 등이 사용된다.In order to manufacture a ceramic dielectric layer, as shown in Figure 2, it is usually prepared by sintering by mixing the necessary ingredients in the powder form powder to improve the conductivity or strengthen the bonding strength of the powder, etc. The conductive electrode 213 which electrically serves as an electrode is inserted into the electrode. As the conductive electrode, a thin plate is pressed or a method of printing by screen printing using conductor powder is used.
또 다른 방법으로는, 파우더 형태의 분말을 얇은 박판 형태로 소성하여 여러개의 박판을 적층하고 그 중간에 상기와 같은 방법으로 전극을 삽입한다. 그 다음, 압착 및 소결하여 만드는 테이프 캐스팅(tape casting)방법 등이 사용되고 있다.In another method, the powder in the form of powder is fired in the form of a thin thin plate to laminate a plurality of thin plates and the electrode is inserted in the same manner as above. Then, a tape casting method made by pressing and sintering is used.
중간에 삽입되는 전극(213)은 외부에 노출되지 않도록 상부(211) 및 하부(212) 세라믹 내에 밀봉된다. 세라믹 판(203)의 하부에는 전기 접촉을 위해 구멍을 내고 납땜 등의 방법으로 세라믹 판(203) 밖으로 도선을 빼내는 도선 연결부(214)로 구성된다.The electrode 213 inserted in the middle is sealed in the upper 211 and lower 212 ceramics so as not to be exposed to the outside. The lower portion of the ceramic plate 203 is composed of a conductor connecting portion 214 that drills holes for electrical contact and pulls the conductor out of the ceramic plate 203 by soldering or the like.
완성된 세라믹 판(203)은 이 판을 지지해 주는 하부전극(도 2에서는 도시 하지 않음)과 접합을 하게 되는데 보통은 세라믹 판(203)과 하부전극 사이에 실리콘 계통의 접착제를 사용하여 열 압착을 통해 접착 하게 된다. 세라믹 판(203)에는 냉각가스 등이 원활하게 흐를 수 있도록 다수의 구멍 및 가스 통로(215)를 상하 좌우에 기하학적으로 설계한다.The completed ceramic plate 203 is bonded to a lower electrode (not shown in FIG. 2) supporting the plate. Usually, the ceramic plate 203 is thermally compressed using a silicone-based adhesive between the ceramic plate 203 and the lower electrode. It is glued through. In the ceramic plate 203, a plurality of holes and gas passages 215 are geometrically designed up, down, left and right so that cooling gas and the like can flow smoothly.
계속해서 종래의 기술을 도 3을 참조하여 설명한다.The prior art will now be described with reference to FIG. 3.
완성된 세라믹 판(303)을 하부전극(304)과 접착시키기 위해 실리콘 계통의 접착제(310)를 경화제와 일정비율로 혼합하여 바르고 특정 압력 및 온도에서 공정을 진행하여 붙이게 된다. 참고로, 접착제(310)는 세라믹 판(303)의 열 팽창계수 및 이 세라믹 판(303)을 고정시키고 지지해주는 하부전극(304)의 열 팽창 계수의 차이를 완화해 줄 수 있는 점성 및 열전도율을 가진다.In order to bond the finished ceramic plate 303 to the lower electrode 304, a silicone-based adhesive 310 is mixed and mixed with a curing agent at a predetermined ratio, and the process is applied at a specific pressure and temperature. For reference, the adhesive 310 has a viscosity and a thermal conductivity that can alleviate the difference between the coefficient of thermal expansion of the ceramic plate 303 and the coefficient of thermal expansion of the lower electrode 304 that fixes and supports the ceramic plate 303. Have
하부전극(304)에는 통상적으로 냉각가스의 흐름을 위해 구멍(318)을 뚫거나 원형 모양의 홈(groove;317)을 파며, 세라믹 판(303)을 하부전극(304)에 접착할 때 이 구멍(318)이나 홈(317)에 실리콘 접착제(310)가 스며들어가는 것을 방지하기 위해 하부전극(304)의 상면에 실리콘 접착제(310)와 유사한 유전율을 가진 필름(316)으로 덮어주어야 하는 공정이 추가되어야 하며, 상기 필름(316)의 두께만큼의 평탄도를 맞추는 문제가 생긴다.The lower electrode 304 typically drills a hole 318 or digs a circular groove 317 for the flow of cooling gas, and when the ceramic plate 303 is attached to the lower electrode 304, In order to prevent the silicon adhesive 310 from penetrating the 318 or the groove 317, a process of covering the upper surface of the lower electrode 304 with a film 316 having a dielectric constant similar to that of the silicone adhesive 310 should be added. And, there arises a problem of matching the flatness as the thickness of the film 316.
이때, 상기 절연 필름(316)으로는 폴리이미드 계통의 고분자 중합체가 이용되는데, 그 이유는, 세라믹 판(303)과 하부전극(304)의 접착이 완료된 이후, 절연 필름(316)을 핀 등을 이용하여 원하는 치수만큼 타공함에 있어서 상기 고분자 중합체가 제작 및 타공 측면에서 유리하기 때문이다.In this case, a polyimide-based polymer polymer is used as the insulating film 316. The reason for this is that after the adhesion of the ceramic plate 303 and the lower electrode 304 is completed, the insulating film 316 may be pinned. This is because the polymer polymer is advantageous in terms of fabrication and perforation in perforation by a desired dimension.
또한, 세라믹 판(303)에 형성된 다수의 구멍들(315)과 하부전극(304)에 형성된 구멍들(318)의 정열을 정확하게 맞추어 접착해야 하는 어려움이 있다. 조금이라도 정렬의 오차기 생기면 냉각가스의 통로(317,318)가 어긋나서 냉각가스의 흐름 변화가 생기게 되어 불균일한 온도 분포가 발생된다. 이로 인해, 프로세스 챔버내에서 공정이 진행되면 웨이퍼(302)의 온도가 불균일해지며, 정전력 또한 불균일하게 되는 문제점이 있다.In addition, there is a difficulty in accurately aligning the alignment of the plurality of holes 315 formed in the ceramic plate 303 and the holes 318 formed in the lower electrode 304. If a slight error occurs in alignment, the passages 317 and 318 of the cooling gas are displaced, resulting in a change in the flow of the cooling gas, resulting in an uneven temperature distribution. For this reason, when the process proceeds in the process chamber, the temperature of the wafer 302 becomes nonuniform, and there is a problem that the electrostatic power is also nonuniform.
이러한 상술한 종래 기술의 문제점을 정리하면 다음과 같다.The above problems of the prior art are summarized as follows.
1. 폴리이미드 필름은 압축이 거의 되지 않기 때문에 필름이 있는 부분과 없는 부분의 접착층이 불균일한 형상이 된다.1. Since polyimide film hardly compresses, the adhesive layer of the part with a film and the part without a film becomes a nonuniform shape.
2. 하부전극의 홈 부분이나 구멍에 실리콘 접착제가 유입되지 않도록 절연 필름을 부분적으로 막아주어야 하는 문제가 있어 제조 공정이 복잡해 지고 오염 문제가 발생한다.2. There is a problem that the insulating film must be partially blocked to prevent the silicone adhesive from flowing into the grooves or holes of the lower electrode, which complicates the manufacturing process and causes the contamination problem.
3. 상술한 문제점 2에서 처럼, 절연 필름을 적층하게 되면 접착층의 전체 면적에서 불균일한 층이 생기게 되어 부분적으로 기공이 생긴다(도 3의 참조번호 X, X1참조).3. As in the above-mentioned problem 2, when the insulating film is laminated, a non-uniform layer is formed in the entire area of the adhesive layer, thereby partially creating pores (see reference numerals X and X1 in FIG. 3).
4. 일반적으로 폴리이미드 필름의 열전도도는 0.16W/m.C이고 실리콘 접착제는 1.26.W/m.C의 열전도도를 갖는 바와 같이, 폴리이미드 절연 필름은 열전도성이 실리콘 만큼 우수하지 못하기 때문에 열 완충 작용면에서 불리하다.4. As a general rule, the thermal conductivity of polyimide film is 0.16W / mC and the silicone adhesive has thermal conductivity of 1.26.W / mC. It is disadvantageous in the sense.
5. 세라믹 판과 하부전극을 정확히 정렬하여 접착시키기 위해서는 열전도율및 압착 상태, 공정 온도 등의 여러가지 변수를 전부 고려하여야 하고 별도의 정열 지그 등이 필요하다.5. In order to precisely align and bond the ceramic plate and the lower electrode, various variables such as thermal conductivity, crimping state, process temperature, etc. should all be taken into consideration and a separate alignment jig is required.
6. 정렬하여야 하는 구멍이나 홈이 많은 경우에는 더욱 더 정렬에서 불량이 날 확률이 높아지고 실리콘 접착제의 냉각가스 구멍 및 홈으로의 유입때문에 오염 문제가 발생한다.6. In the case of many holes or grooves to be aligned, the probability of misalignment is more increased and contamination problems occur due to the inflow of silicon gas into the cooling gas holes and grooves.
7. 세라믹 판 내의 도선 연결부도 실리콘 접착제에 의해 오염이 되면 전극 연결이 잘 안되므로 전기적으로 단선의 염려가 있다.7. If the wire connection part in the ceramic plate is contaminated with silicone adhesive, the electrode connection is not good, so there is a fear of electrical disconnection.
따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결 또는 경감시키고자 하는 것이다.Accordingly, the present invention seeks to solve or alleviate the problems of the prior art described above.
도 1은 종래의 정전척 구조를 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional electrostatic chuck structure.
도 2는 다른 종래의 정전척 구조를 도시하는 단면도.2 is a cross-sectional view showing another conventional electrostatic chuck structure.
도 3은 또 다른 종래의 정전척 구조를 도시하는 단면도.3 is a cross-sectional view showing another conventional electrostatic chuck structure.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 구조를 도시하는 단면도.4 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck structure according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부전극에 형성된 홈을 도시하는 평면도.5 is a plan view showing a groove formed in the lower electrode according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부전극에 형성된 홈을 도시하는 평면도.6 is a plan view showing a groove formed in the lower electrode according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 *Brief description of symbols for the main parts of the drawings
403: 세라믹 판 404: 하부전극403: ceramic plate 404: lower electrode
410: 실리콘 접착제 411: 상판410: silicone adhesive 411: top plate
412: 하판 413: 전극412: lower plate 413: electrode
본 발명의 일 특징에 따르면, 본 발명에 따른 정전척은, 하부전극 및 상기 하부전극 상에 접착된 세라믹 판으로 구성되며, 상기 세라믹 판 내부에 판형상의 전극을 포함하는 정전척으로서, 상기 하부전극의 상면에 형성된 돌출부들과, 상기 세라믹 판의 하면에 형성된 홈들을 포함하며, 상기 돌출부들은 상기 홈들에 정확하게 끼워지는 질 수 있는 크기 및 형상인 것을 특징으로 한다.According to one feature of the invention, the electrostatic chuck according to the present invention is composed of a lower electrode and a ceramic plate adhered on the lower electrode, the electrostatic chuck including a plate-shaped electrode inside the ceramic plate, the lower electrode And protrusions formed on an upper surface of the grooves and grooves formed on a lower surface of the ceramic plate, wherein the protrusions are sized and shaped to be accurately fitted into the grooves.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 돌출부들은 디스크 형태의 원통(예컨대, 618)형이거나 상기 하부전극의 원형을 따라 형성된 원형상(예컨대, 722)이며, 상기 홈부들은 상기 돌출부들에 형성된 원통 및 원형상과 동일한 크기 및 형상인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the protrusions are cylindrical (eg 618) shaped like a disc or circular (eg 722) formed along the circle of the lower electrode, the grooves are cylindrical and It is characterized by the same size and shape as the circular shape.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면,상기 하부전극의 돌출부들과 세라믹 판의 하면에 형성된 홈들에는 접착제가 도포되지 않는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the adhesive is not applied to the protrusions of the lower electrode and the grooves formed on the lower surface of the ceramic plate.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 하부전극과 세라믹 판의 접착은 실리콘 계통의 접착제를 이용하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the lower electrode is bonded to the ceramic plate is characterized in that using a silicone-based adhesive.
본 발명의 또 다른 특징에 다르면, 상기 세라믹 판의 하면에 형성된 홈은 가공 분말을 이용한 블라스트 방법을 채용하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the groove formed on the lower surface of the ceramic plate is characterized in that the blast method using the processed powder is adopted.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 전극은 텅스텐 또는 몰리브덴 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the electrode is characterized in that any one of tungsten or molybdenum.
본 발명의 또 다른 특징에 다르면, 상기 전극은 알루미나 질화물이 5~20% 함유된 몰리브덴인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the electrode is characterized in that the molybdenum containing 5 to 20% alumina nitride.
이하, 본 발명의 구성을 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the structure of this invention is demonstrated with reference to drawings.
먼저 도 4를 참조하면, 세라믹 판(403)을 정전척으로 사용하는 본 발명에 따른 정전척은 정전척을 지지하고 고정시키는 하부전극(404)이 있으며, 그 위에 세라믹 판(403)이 놓여진다. 종래의 기술과 마찬가지로 세라믹 판(303) 내부에는 전도성 전극(313)이 중간에 삽입되어 있다. 여기서, 전도성 전극(313)의 모양은 사용하고자 하는 정전척(303)의 기능 및 냉각 가스의 흐름에 따라 여러가지 형태로 제작될 수 있다.Referring first to FIG. 4, the electrostatic chuck according to the present invention using the ceramic plate 403 as an electrostatic chuck has a lower electrode 404 for supporting and fixing the electrostatic chuck, on which a ceramic plate 403 is placed. . As in the prior art, the conductive electrode 313 is inserted in the middle of the ceramic plate 303. Here, the shape of the conductive electrode 313 may be manufactured in various forms according to the function of the electrostatic chuck 303 to be used and the flow of the cooling gas.
도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 전극(513)의 모양은 스크린 프린팅 방식을 이용하여 제작한다. 전극의 재질로는 바람직하게는 스크린 프린팅이 가능한 텅스텐 또는 몰리브덴 중 어느 하나이며, 전극으로 몰리브덴을 사용할 경우 알루미나 질화물이 5~20% 함유된 몰리브덴을 사용한다. 전극을 선택할 때에는 선택된 세라믹과의 열팽창 계수, 선팽창 계수 및 수축율 등을 고려하여 선택하여야 한다. 그렇지 않으면 세라믹 판 제작 시 소결작업 동안 균열 및 파손의 우려가 상당히 존재하여 불량율을 증가시키는 원인이 된다. 특히, 100℃ 이상의 고온에서 적용하는 정전척이나 -30℃이하의 저온에서 적용하는 정전척에 있어서는 사용상 심각한 문제 발생의 소지가 있다. 또한, 반복적인 열수축 및 팽창에 따른 스트레스에 의해 정전척의 수명이 단축되는 문제도 안고 있다.As shown in FIG. 5, the shape of the conductive electrode 513 is manufactured by using a screen printing method. The material of the electrode is preferably any one of tungsten or molybdenum capable of screen printing. When molybdenum is used as the electrode, molybdenum containing 5 to 20% of alumina nitride is used. The electrode should be selected in consideration of the coefficient of thermal expansion, linear expansion and shrinkage with the selected ceramic. Otherwise, there is a significant risk of cracking and breakage during sintering during the manufacture of ceramic plates, which leads to increased failure rates. In particular, in the electrostatic chuck applied at a high temperature of more than 100 ℃ or a low temperature of -30 ℃ or less there is a serious problem in use. In addition, there is a problem that the life of the electrostatic chuck is shortened by the stress caused by repeated heat shrink and expansion.
다시 도 4를 참조하면, 전도성 전극(413)을 세라믹 판(403) 사이에 샌드위치 형태로 삽입하기 위하여, 세라믹 판(403)의 상판(411) 및 하판(412)을 스프레이 드라이 방식과 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 제작한다. 즉, 스프레이 드라이 방식 및 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 상판(411) 및 하판(412)을 제조하고, 하판(412) 상에 전도성 전극(413)을 형성시킨 다음 상판(411)을 그 위에 형성하여 샌드위치 형태로 제조한다. 이렇게 제조된 세라픽 판(403)은 하부전극(404)과 접착하게 되는데, 상기 세라믹 판(403)과 하부전극(404)를 접착하는 접착제로는 실리콘 계통의 접착제(410)를 사용한다. 실리콘 계통의 접착제를 사용한 이유는 열팽창 계수 및 수축율이 다른 2개의 다른 물질 사이에서 열적 스트레스 완충 역할을 하여야 하기 때문이다.Referring back to FIG. 4, in order to insert the conductive electrode 413 in the form of a sandwich between the ceramic plates 403, the upper plate 411 and the lower plate 412 of the ceramic plate 403 are spray-dried and tape casting methods. Produce using That is, the upper plate 411 and the lower plate 412 are manufactured by using a spray drying method and a tape casting method, the conductive electrode 413 is formed on the lower plate 412, and then the upper plate 411 is formed thereon to form a sandwich. Prepare in form. The manufactured ceramic plate 403 is bonded to the lower electrode 404. As the adhesive for bonding the ceramic plate 403 and the lower electrode 404, a silicone-based adhesive 410 is used. The reason for using silicone-based adhesives is that they must act as a thermal stress buffer between two different materials with different coefficients of thermal expansion and shrinkage.
계속해서 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 세라믹 판 타입의 정전척은 하부전극(404)의 상면의 일부가 돌출되어 있는 구조로 되어 있다. 즉, 본 발명에서는 실리콘 접착제(410)가 냉각가스 구멍(418)이나 홈(317; 도 3참조)에 침투되는 것을근본적으로 제거하기 위해 하부전극(404)의 냉각가스 구멍부(418)를 위로 돌출시켜 하부전극 돌출부(419)를 제작한다. 돌출부(419)는 하부전극(404)과 일체형으로 제작하며, 세라믹 판(403)의 하부에는 하부전극의 돌출부와 대응하도록 적정한 크기 및 깊이로 가공한다. 세라믹 판(403)의 가공 방법은 일종의 스퍼터(sputter) 에치 방식인 알루미나 분말을 이용한 블라스트(blaster)방법을 사용한다. 하부전극 돌출부(419)의 모서리는 작업의 용이성 및 끼워맞춤시의 정열을 위해 라운딩을 주어 가공한다. 또한, 하부전극 돌출부들(419,420)은 실리콘 접착제가 도포되는 부분보다 더 높게 구성된다. 즉, 하부전극의 돌출부들과 세라믹 판의 하면에 형성된 홈들에는 접착제가 도포되지 않도록 구성한다. 그 이유는, 실리콘 접착제가 냉각가스 구멍 및 홈 내부에 들어가 오염문제를 발생시키는 것을 방지하도록 하기 위해서이다.4, the ceramic plate type electrostatic chuck of the present invention has a structure in which a part of the upper surface of the lower electrode 404 protrudes. That is, in the present invention, the cooling gas hole 418 of the lower electrode 404 is upwardly removed to fundamentally remove the silicone adhesive 410 from penetrating the cooling gas hole 418 or the groove 317 (see FIG. 3). The lower electrode protrusion 419 is manufactured by protruding. The protruding portion 419 is manufactured integrally with the lower electrode 404, and the lower portion of the ceramic plate 403 is processed to an appropriate size and depth to correspond to the protruding portion of the lower electrode. The processing method of the ceramic plate 403 uses the blast method using the alumina powder which is a kind of sputter etching method. The corners of the lower electrode protrusions 419 are rounded and machined for ease of operation and alignment during fitting. In addition, the lower electrode protrusions 419 and 420 are configured to be higher than the portion to which the silicone adhesive is applied. That is, the adhesive is not applied to the protrusions of the lower electrode and the grooves formed on the lower surface of the ceramic plate. The reason is to prevent the silicone adhesive from entering the cooling gas holes and grooves and causing contamination problems.
세라믹 판(403)의 내부에 삽입되어 있는 전도성 전극(413)과 도선을 연결하기 위한 도선연결 돌출부(420)를 형성하여, 실리콘 접착제(410)의 오염을 방지하도록 하였다. 또한, 세라믹 판(403)의 하부면에는 하부전극의 돌출부들(419,420)과 일치하도록 홈을 형성한다.A conductive line connecting protrusion 420 for connecting the conductive electrode 413 inserted into the ceramic plate 403 and the conductive line is formed to prevent contamination of the silicone adhesive 410. In addition, a groove is formed in the lower surface of the ceramic plate 403 to coincide with the protrusions 419 and 420 of the lower electrode.
도 4에는, 하부전극 돌출부(419)와 도선연결 돌출부(420)가 하부전극(404)의 가장자리에 형성되어 있지만, 상기 돌출부들(419,420)은 필요에 따라 위치를 바꾸어 가공하는 것이 가능하다는 것은 본 발명의 통상의 지식을 가진자들에게 명백할 것이다. 여기서, 상기 하부전극 돌출부(419)는 주로 냉각가스의 통로로 사용된다.In FIG. 4, although the lower electrode protrusion 419 and the lead connecting protrusion 420 are formed at the edges of the lower electrode 404, it can be seen that the protrusions 419 and 420 can be processed by changing positions as necessary. It will be apparent to those of ordinary skill in the art. Here, the lower electrode protrusion 419 is mainly used as a passage of the cooling gas.
상기 하부전극 돌출부(419)의 모양은 도 5에 도시된 바와 같이, 보통 디스크 형태의 원통(518)으로 제작한다. 다른 실시예에서는 도 6에 도시된 바와 같이, 하부전극(604)의 원을 따라 홈을 파는 경우는 그 홈을 따라 원형상(622)으로 돌출시킨다. 상술한 실시예들에 따라, 세라믹 판(403)에서는 냉각가스 통로를 하부전극(504) 상면의 다수의 홈들(518) 또는 하부전극(604)의 테두리 홈들(622) 및 직선 홈들(623)과 일치하도록 구멍을 뚫어 제작한다.The shape of the lower electrode protrusion 419 is made of a cylinder 518 in the form of a normal disk, as shown in FIG. In another embodiment, as shown in FIG. 6, when a groove is dug along a circle of the lower electrode 604, it protrudes in a circular shape 622 along the groove. According to the above-described embodiments, the ceramic plate 403 includes a plurality of grooves 518 on the upper surface of the lower electrode 504 or edge grooves 622 and straight grooves 623 of the lower electrode 604. Make a hole to match.
계속해서 도 4를 참조하여, 본 발명에 대해 더 구체적으로 설명한다.4, the present invention will be described in more detail.
세라믹 판(403)은 세라믹 파우더를 이용하여 구성되고, 그 성분으로는 알루미나 또는 질화 알루미늄 또는 단결정의 사파이어 등을 사용하여 제작된다. 전도성 전극(413)의 위치는 세라믹 판(403)의 상판(411)과 하판(412)의 중간에 삽입한다. 그 이유는, 일반적으로 정전력은 세라믹 유전층의 유전상수 및 대향면적에 비례하며, 인가접압에는 자승만큼 비례하는 것으로 알려져 있지만, 인가전압을 너무 높히면 세라믹 유전층이 파괴되는 우려가 있기 때문이다.The ceramic plate 403 is comprised using ceramic powder, and is manufactured using alumina, aluminum nitride, sapphire of single crystal, etc. as the component. The position of the conductive electrode 413 is inserted between the upper plate 411 and the lower plate 412 of the ceramic plate 403. This is because, in general, the electrostatic force is proportional to the dielectric constant and the counter area of the ceramic dielectric layer, and is known to be proportional to the square of the applied contact voltage. However, if the applied voltage is too high, the ceramic dielectric layer may be destroyed.
전극이 삽입되고 그 하면에 홈이 형성된 세라믹 판(403)과 하부전극(404)을 정렬시키는 방법은, 하부전극 돌출부(419)와 도선연결 돌출부(420)를 세라믹 판(403)의 하면에 형성된 홈들과 일치하도록 정렬시키기만 하면 된다.The method of aligning the ceramic plate 403 and the lower electrode 404 in which the electrode is inserted and the groove is formed on the lower surface thereof includes forming the lower electrode protrusion 419 and the wire connecting protrusion 420 on the lower surface of the ceramic plate 403. Just align it with the grooves.
실리콘 접착제(410)를 하부전극(404) 상에 도포하는 방법은 스크린 프린팅 방식을 이용하며, 실리콘 접착제(401)의 열전달을 좋게 하기 위해 실리콘 내부에는 금속성의 작은 알갱이 필러(filler)를 집어 넣어 비열을 향상시키는 것을 사용한다. 이 때, 하부전극 돌출부(419) 및 도선연결 돌출부(420) 내에 실리콘 접착제(410)가 들어가지 않도록 도포한다.The method of applying the silicone adhesive 410 on the lower electrode 404 uses a screen printing method, and in order to improve heat transfer of the silicone adhesive 401, a small metallic filler is inserted into the silicon to heat Use to improve it. At this time, the silicone adhesive 410 is coated so as not to enter the lower electrode protrusion 419 and the wire connection protrusion 420.
도선 연결선(421)과 전도성 전극(413)을 전기적으로 연결하는 방법은 전도성전극판(413)과 도선 연결선(412)을 용접 또는 납땜 방식을 이용하는 방법이 있다. 이렇게 연결한 다음, 이 상태에서 일정한 압력을 세라믹 정전척(403)에 가한 상태에서 온도를 이용해 실리콘 접착제(410)를 응고시킨다. 응고시 온도는 100~150℃ 를 사용하며 분위기는 기포 등을 원활히 제거하고 오염을 방지하도록 진공상태로 유지한다. 이렇게 함으로써, 전체 접착면에 대해 균일한 층이 형성되며 정확한 정렬이 이루어진다.The conductive line 421 and the conductive electrode 413 may be electrically connected to each other by a welding or soldering method of the conductive electrode plate 413 and the conductive line 412. After this connection, the silicon adhesive 410 is solidified using the temperature in a state where a constant pressure is applied to the ceramic electrostatic chuck 403 in this state. When coagulation, the temperature is 100 ~ 150 ℃ and the atmosphere is kept in vacuum to smoothly remove bubbles and prevent contamination. In this way, a uniform layer is formed over the entire adhesive surface and an accurate alignment is achieved.
상술한 구성에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the above configuration, the following effects can be obtained.
1. 열과 압력에 의해 실리콘 접착제를 응고시킬 때, 세라믹 판의 홈들과 하부전극의 돌출부들을 기계적으로 정확하게 끼워 맞출 수 있기 때문에, 세라믹 판과 하부전극의 정렬이 완벽하게 된다.1. When the silicone adhesive is solidified by heat and pressure, the ceramic plate can be perfectly aligned with the lower electrode because the grooves of the ceramic plate and the protrusions of the lower electrode can be mechanically precisely fitted.
2. 종래 기술에서 행하던, 하부전극의 홈 부분이나 구멍에 실리콘 접착제의 유입을 방지하기 위해 절연 필름을 사용하던 방식을 사용하지 않기 때문에, 접착층 내의 불균일한 형상을 방지하고 부분적 기공도 발생되지 않는다.2. Since the conventional method does not use the method of using the insulating film to prevent the inflow of the silicone adhesive into the groove portion or the hole of the lower electrode, it prevents the uneven shape in the adhesive layer and no partial pore is generated.
3. 하부전극 돌출부들이 실리콘 접착제가 도포되는 부분부다 더 높기 때문에, 실리콘 접착제에 의한 냉각가스 구멍 및 홈 내부의 오염 문제가 해결된다.3. Since the lower electrode protrusions are higher than the portion to which the silicone adhesive is applied, the problem of contamination of the cooling gas holes and grooves by the silicone adhesive is solved.
4. 열 완충 작용 및 접착성을 위해 금속 필러가 함유된 실리콘 접착제만 사용하므로 양호하고 균일한 열전도성을 유지하는 것이 가능하다.4. It is possible to maintain good and uniform thermal conductivity because only silicone adhesive containing metal filler is used for heat buffering action and adhesion.
5. 세라믹 판과 하부전극을 정확히 정렬시키기 위해 별도의 지그가 필요 없으므로 제조 공법이 단순하다.5. The manufacturing method is simple because no separate jig is needed to align the ceramic plate and the lower electrode correctly.
6. 세라믹 판 내의 도선 연결부도 실리콘 접착제에 의해 오염이 없으므로 접촉 불량 및 납땜 불량에 의한 단선의 우려가 없다.6. There is no risk of disconnection due to poor contact or poor soldering, since the conductor connection in the ceramic plate is also free from contamination by silicone adhesive.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030015006A KR100951613B1 (en) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | The Electrostatic Chuck having grooves on the lower side of a ceramic plate and projecting portions on the upper side of a lower electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030015006A KR100951613B1 (en) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | The Electrostatic Chuck having grooves on the lower side of a ceramic plate and projecting portions on the upper side of a lower electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040080140A true KR20040080140A (en) | 2004-09-18 |
| KR100951613B1 KR100951613B1 (en) | 2010-04-09 |
Family
ID=37364886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030015006A KR100951613B1 (en) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | The Electrostatic Chuck having grooves on the lower side of a ceramic plate and projecting portions on the upper side of a lower electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100951613B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6583897B1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-10-02 | ▲らん▼海精研股▲ふん▼有限公司 | Method for manufacturing ceramic electrostatic chuck |
| KR102288530B1 (en) * | 2021-01-26 | 2021-08-10 | 주식회사 미코세라믹스 | Electro Static Chuck and Manufacturing Method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3251762B2 (en) * | 1994-03-28 | 2002-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Method of forming joint and method of joining members of processing apparatus |
| US6530994B1 (en) * | 1997-08-15 | 2003-03-11 | Micro C Technologies, Inc. | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing |
| JP2000190209A (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Ibiden Co Ltd | Manufacture for work holding block |
| JP2001254067A (en) * | 2000-01-07 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroconductive adhesive and connecting structure therewith |
-
2003
- 2003-03-11 KR KR1020030015006A patent/KR100951613B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100951613B1 (en) | 2010-04-09 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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