KR102288530B1 - Electro Static Chuck and Manufacturing Method thereof - Google Patents

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KR102288530B1
KR102288530B1 KR1020210010682A KR20210010682A KR102288530B1 KR 102288530 B1 KR102288530 B1 KR 102288530B1 KR 1020210010682 A KR1020210010682 A KR 1020210010682A KR 20210010682 A KR20210010682 A KR 20210010682A KR 102288530 B1 KR102288530 B1 KR 102288530B1
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Abstract

The present invention relates to an electrostatic chuck and a manufacturing method thereof. The electrostatic chuck of the present invention includes: a base plate having a gas flow path including a first gas hole for supplying a cooling gas; an insulating plate fixed on the base plate and for chucking and dechucking a substrate to be processed, in which the insulating plate has a second gas hole communicating with the first gas hole; and a spacer disposed between the base plate and the insulating plate at a position where the first gas hole and the second gas hole meet, wherein the spacer is surrounded by a bonding material outside the spacer for bonding the base plate and the insulating plate, and the size of the diameter of the through hole inside the spacer is larger than the diameter size of the gas hole of the insulating plate. Therefore, machining burrs or chipping in physical machining are minimized.

Description

정전척 및 그 제조 방법{Electro Static Chuck and Manufacturing Method thereof}Electrostatic Chuck and Manufacturing Method thereof

본 발명은 정전척에 관한 것으로서, 특히, 냉각 가스홀이 보호되는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck, and more particularly, to an electrostatic chuck in which a cooling gas hole is protected and a method of manufacturing the same.

반도체 소자나 디스플레이 소자는 화학기상증착(Chemical vapor deposition, CVD) 공정, 물리기상증착(Physical vapor deposition, PVD) 공정, 이온주입 공정(Ion implantation), 식각 공정(Etch process) 등의 반도체 공정을 통해 유전체층 및 금속층을 포함하는 다수의 박막층들을 유리 기판, 플렉서블 기판 또는 반도체 웨이퍼 기판 등에 적층 및 패턴하여 제조된다. 이러한 반도체 공정들을 수행하기 위한 챔버 장치에는 유리 기판, 플렉서블 기판 및 반도체 웨이퍼 기판 등과 같은 다양한 기판을 지지하며, 특히 정전기력을 이용하여 해당 기판을 고정시키기 위한 정전척(Electro Static Chuck, ESC)이 구비된다.Semiconductor devices and display devices are manufactured through semiconductor processes such as chemical vapor deposition (CVD) process, physical vapor deposition (PVD) process, ion implantation process, and etching process. It is manufactured by laminating and patterning a plurality of thin film layers including a dielectric layer and a metal layer on a glass substrate, a flexible substrate, or a semiconductor wafer substrate. A chamber apparatus for performing these semiconductor processes supports various substrates such as a glass substrate, a flexible substrate, and a semiconductor wafer substrate, and in particular, an electrostatic chuck (ESC) for fixing the substrate using an electrostatic force is provided. .

이와 같은 정전척은, 외부의 냉각 가스를 이용하여 정전척 플레이트 상의 기판을 균일하게 냉각시키기 위하여, 베이스 플레이트와 그에 접합되는 정전척 플레이트가 소정의 냉각 구조를 갖는다. 일반적으로 베이스 플레이트에 구비된 냉각 가스 유로가 정전척 플레이트에 구비된 가스 홀과 소통되도록 냉각 구조가 구비된다. 또한, 이러한 베이스 플레이트의 가스 유로와 정전척 플레이트의 가스 홀 사이에 관통 홀을 갖는 스페이서가 구비되어, 베이스 플레이트와 정전척 플레이트를 액상 접합제를 이용하여 접합하는 공정에서 가스 홀로 접합제가 침투하는 것을 방지하도록 한다.In such an electrostatic chuck, a base plate and an electrostatic chuck plate bonded thereto have a predetermined cooling structure in order to uniformly cool a substrate on the electrostatic chuck plate using an external cooling gas. In general, a cooling structure is provided such that the cooling gas flow path provided in the base plate communicates with the gas hole provided in the electrostatic chuck plate. In addition, a spacer having a through hole is provided between the gas flow path of the base plate and the gas hole of the electrostatic chuck plate to prevent the bonding agent from penetrating into the gas hole in the process of bonding the base plate and the electrostatic chuck plate using a liquid bonding agent. to prevent

이와 같은 베이스 플레이트의 가스 유로로 소통 가능하도록 배치된 스페이서의 관통 홀과 정전척 플레이트의 가스 홀을 미리 가공한 후 접합하는 방법은 홀들의 정렬이 용이하지 않다는 문제점이 있다. 또한, 베이스 플레이트와 정전척 플레이트 사이의 필요한 위치에 스페이서를 배치하고 접합한 후 정전척 플레이트와 스페이서를 관통하는 홀을 가공할 수도 있지만, 드릴 날장의 한계가 있고, 가공유나 연마제 또는 세라믹 칩핑(chipping) 등이 홀 자체를 막아 가스 유량을 떨어뜨릴 수 있을 뿐만 아니라 공정 상의 파티클 소스가 되거나 아킹을 일으킬 수 있는 문제점이 있다. 이외에도, 가공되지 않은 스페이서나 필름을 정전척 플레이트의 가스 홀 위치에 부착하고 접착제 도포 후 베이스 플레이트와 접합하는 방법은, 정전척 플레이트의 가스 홀을 통해 그보다 작은 직경의 드릴로 스페이서/필름에 홀을 가공할 때, 스페이서/필름의 홀이 가스 홀 보다 작아질 수밖에 없어 유량 손실이 있으며, 가공 버(burr)의 발생으로 위와 같은 파티클 소스가 되거나 아킹을 일으킬 수도 있는 문제점이 여전이 존재한다.The method of pre-processing the through-holes of the spacer disposed to communicate with the gas flow path of the base plate and the gas holes of the electrostatic chuck plate and then bonding the holes has a problem in that the holes are not easily aligned. In addition, a spacer may be disposed at a required position between the base plate and the electrostatic chuck plate and a hole passing through the electrostatic chuck plate and the spacer may be machined after bonding, but there is a limitation in the length of the drill bit, and machining oil, abrasives, or ceramic chipping ), etc. block the hole itself, thereby reducing the gas flow rate, as well as becoming a particle source in the process or causing arcing. In addition, in the method of attaching an unprocessed spacer or film to the position of the gas hole of the electrostatic chuck plate and bonding it to the base plate after applying adhesive, drill a hole in the spacer/film with a smaller diameter drill through the gas hole of the electrostatic chuck plate. During processing, there is a flow loss because the hole of the spacer/film is inevitably smaller than the gas hole, and there is still a problem that may become a particle source as above or cause arcing due to the generation of a processing burr.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 가스 홀 내부 및 단부에　드릴 등에 의한 물리적 가공에서의 가공 버(burr)나 칩핑(chipping)이 최소화된 클린(clean)한 가스 홀을 갖는 정전척을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to minimize processing burrs or chipping in the physical processing by drilling inside and at the end of the gas hole. An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck having a clean gas hole.

또한, 베이스 플레이트와 정전척 플레이트의 접합 시에 액상 접합 물질이 가스홀로 침투하는 것이 방지되는 스페이서의 홀이 물리적 가공이 아닌 화학적 용해를 통해 형성되고 배치되는 정전척 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrostatic chuck in which a hole of a spacer that prevents a liquid bonding material from penetrating into a gas hole when the base plate and the electrostatic chuck plate is bonded is formed and disposed through chemical dissolution rather than physical processing.

먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 정전척은, 냉각 가스 공급을 위한 제1 가스 홀을 포함하는 가스 유로를 갖는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트 상에 고정되고, 가공 대상 기판을 척킹 및 디척킹하기 위한 절연 플레이트로서, 상기 제1 가스 홀과 소통하는 제2 가스 홀을 가지는 상기 절연 플레이트; 및 상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트 사이에 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀이 만나는 위치에 배치된 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서는, 상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트를 접합하기 위한 상기 스페이서 외측의 접합 물질에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 절연 플레이트의 가스 홀의 직경 크기 이상이다.First, to summarize the features of the present invention, an electrostatic chuck according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes: a base plate having a gas flow path including a first gas hole for supplying a cooling gas; an insulating plate fixed on the base plate for chucking and dechucking a substrate to be processed, the insulating plate having a second gas hole communicating with the first gas hole; and a spacer disposed between the base plate and the insulating plate at a position where the first gas hole and the second gas hole meet, wherein the spacer is disposed outside the spacer for bonding the base plate and the insulating plate. of the bonding material, and the diameter of the through hole inside the spacer is greater than or equal to the diameter of the gas hole of the insulating plate.

상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 베이스 플레이트의 제1 가스 홀의 직경 크기 이상일 수 있다.A diameter of the through hole inside the spacer may be greater than or equal to a diameter of the first gas hole of the base plate.

상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀의 소통이, 물리적 가공 없이 상기 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질의 화학적 제거를 통해 이루어짐으로써, 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀의 내부 및 단부에　물리적 가공에서 보다 가공 버(burr)나 칩핑(chipping)을 저감할 수 있다.Communication between the first gas hole and the second gas hole is achieved through chemical removal of the sacrificial material filled in the through hole inside the spacer without physical processing, so that the inside and the end of the first gas hole and the second gas hole Processing burrs and chipping can be reduced compared to physical processing.

상기 정전척의 제조에서, 상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트를 접합하는 공정 시에 상기 접합 물질의 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀로의 침투 방지를 위해 상기 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질이 포함되며, 상기 접합 후에 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀이 소통되도록 상기 희생물질은 액상의 제거 용제에 의해 제거되어 상기 스페이서가 남아 있게 된다. In the manufacturing of the electrostatic chuck, a sacrificial material filled in the through hole inside the spacer to prevent penetration of the bonding material into the first gas hole and the second gas hole during the bonding process of the base plate and the insulating plate and the sacrificial material is removed by a liquid removal solvent so that the first gas hole and the second gas hole communicate after the bonding, so that the spacer remains.

그리고, 본 발명의 다른 일면에 따른 정전척의 제조 방법은, 상부 절연 플레이트 및 하부 베이스 플레이트를 포함하는 정전척의 제조 방법에 있어서, 냉각 가스 공급을 위한 제1 가스 홀을 포함하는 가스 유로를 갖는 상기 하부 베이스 플레이트를 제공하는 단계; 상기 하부 베이스 플레이트 상의 상기 제1 가스 홀 위치에 희생마개가 위치하도록 상기 희생마개를 제공하는 단계; 상기 제1 가스 홀에 대응되는 제2 가스 홀을 구비하는 상기 상부 절연 플레이트를 상기 제2 가스 홀이 상기 희생마개 위치에 정렬되도록 상기 하부 베이스 플레이트 상에 부착하는 단계; 및 상기 희생마개의 최소한 일부를 제거하여 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀을 연통하는 단계를 포함한다.And, according to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic chuck including an upper insulating plate and a lower base plate, wherein the lower part has a gas flow path including a first gas hole for supplying a cooling gas. providing a base plate; providing the sacrificial stopper so that the sacrificial stopper is positioned at the position of the first gas hole on the lower base plate; attaching the upper insulating plate having a second gas hole corresponding to the first gas hole on the lower base plate such that the second gas hole is aligned with the sacrificial stopper position; and removing at least a portion of the sacrificial stopper to communicate the first gas hole and the second gas hole.

상기 절연 플레이트는, 전극층을 포함하는 정전척 플레이트 또는 전극층이 포함되지 않은 세라믹 시트를 포함한다.The insulating plate may include an electrostatic chuck plate including an electrode layer or a ceramic sheet not including an electrode layer.

상기 희생마개는 절연체 스페이서 및 상기 절연체 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질을 포함하고, 상기 연통하는 단계는, 상기 희생물질을 용해시켜 제거하는 단계를 포함한다.The sacrificial cap includes an insulator spacer and a sacrificial material filled in the through hole inside the insulator spacer, and the communicating includes dissolving and removing the sacrificial material.

상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 절연 플레이트의 제2 가스 홀의 직경 크기 이상일 수 있다.A diameter of the through hole inside the spacer may be greater than or equal to a diameter of the second gas hole of the insulating plate.

상기 스페이서 외측의 모양은, 원형 또는 다각형을 포함한다.The shape of the outer side of the spacer includes a circle or a polygon.

상기 희생물질은, 감광제를 포함한다.The sacrificial material includes a photosensitizer.

상기 감광제는 건조된 습식 감광액 또는 건식 감광필름을 포함한다.The photosensitizer includes a dried wet photoresist or a dry photosensitive film.

상기 희생물질은, 폴리머 물질을 포함한다.The sacrificial material includes a polymer material.

본 발명에 따른 정전척에 따르면, 가스 홀 내부 및 단부에　드릴 등에 의한 물리적 가공에서 보다 가공 버(burr)나 칩핑(chipping)이 최소화된 클린(clean)한 가스 홀을 갖는 정전척을 제공할 수 있다. According to the electrostatic chuck according to the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck having a clean gas hole in which machining burrs or chipping are minimized compared to physical machining by drilling, etc. inside and at the end of the gas hole. there is.

또한, 본 발명에 따른 정전척의 제조 방법에 따르면, 스페이서에 의해 액상 접합 물질이 가스 홀로 침투하는 것을 효과적으로 방지하며, 스페이서의 홀이 화학적 용해를 통해 형성됨으로써 스페이서 홀의 직경이 가스 홀의 직경 이상으로 형성 가능하여 유량 손실을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 클린(clean)한 가스 홀의 형성이 가능하여 가공 버(burr)나 칩핑(chipping) 등 파티클 소스의 발생을 최소화할 수 있다.In addition, according to the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present invention, the liquid bonding material is effectively prevented from penetrating into the gas hole by the spacer, and the spacer hole is formed through chemical dissolution so that the diameter of the spacer hole is greater than the diameter of the gas hole Thus, it is possible not only to prevent flow rate loss, but also to form a clean gas hole, thereby minimizing the generation of particle sources such as processing burrs and chipping.

또한, 물리적 가공을 위한 드릴 등의 가공 툴이 사용되지 않으므로, 정전척 플레이트의 가스 홀로 가공 툴의 진입 시에 발생할 수 있는 제품의 손상이나 가공 툴의 파손 등에 의한 막힘 등의 불량 또한 제거되어 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, since a processing tool such as a drill for physical processing is not used, defects such as product damage or clogging caused by damage to the processing tool that may occur when the gas hole processing tool of the electrostatic chuck plate enters are also eliminated, thereby reducing the yield. can be improved

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는 첨부도면은, 본 발명에 대한 실시예를 제공하고 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)에 대한 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 절연체 스페이서(41)의 제작을 설명하기 위한 도면이다.
도 2b는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 희생마개(40)를 베이스 플레이트(200) 상에 배치하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.
도 2c는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 희생마개(40) 주위 외측으로 형성한 접합 물질에 의한 접착층(311) 형성 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.
도 2d는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)를 부착하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.
도 2e는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 절연체 스페이서(41) 내측의 희생물질(42)을 용해에 의해 제거하여 관통공을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.
도 2f는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정에 의해, 베이스 플레이트(200)로부터 절연체 스페이서(41) 관통공을 거쳐 정전척 플레이트(300) 상면까지 유체 소통이 이루어진 구조를 나타내는, 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included as part of the detailed description to help the understanding of the present invention, provide embodiments of the present invention and, together with the detailed description, explain the technical spirit of the present invention.
1 is a cross-sectional view for explaining a structure of an electrostatic chuck 100 according to an embodiment of the present invention.
2A is a view for explaining the fabrication of the insulator spacer 41 of the present invention.
FIG. 2B is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of disposing the sacrificial stopper 40 on the base plate 200 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 according to the present invention.
FIG. 2C is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of forming an adhesive layer 311 using a bonding material formed outwardly around the sacrificial stopper 40 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 according to the present invention.
FIG. 2D is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of attaching the base plate 200 and the ceramic sheet 313 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 according to the present invention.
FIG. 2E is a view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of forming a through hole by dissolving the sacrificial material 42 inside the insulator spacer 41 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 of the present invention. It is an enlarged drawing.
FIG. 2F illustrates a structure in which fluid communication is made from the base plate 200 through the insulator spacer 41 through-hole to the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 by the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 of the present invention. It is an enlarged view of part AA of

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 대해서 자세히 설명한다. 이때, 각각의 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타낸다. 또한, 이미 공지된 기능 및/또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이하에 개시된 내용은, 다양한 실시 예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분을 중점적으로 설명하며, 그 설명의 요지를 흐릴 수 있는 요소들에 대한 설명은 생략한다. 또한 도면의 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니며, 따라서 각각의 도면에 그려진 구성요소들의 상대적인 크기나 간격에 의해 여기에 기재되는 내용들이 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, the same components in each drawing are denoted by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of already known functions and/or configurations will be omitted. The content disclosed below will focus on parts necessary for understanding operations according to various embodiments, and descriptions of elements that may obscure the gist of the description will be omitted. Also, some components in the drawings may be exaggerated, omitted, or schematically illustrated. The size of each component does not fully reflect the actual size, so the contents described herein are not limited by the relative size or spacing of the components drawn in each drawing.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시 예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다. In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the content throughout this specification. The terminology used in the detailed description is for the purpose of describing embodiments of the present invention only, and should not be limiting in any way. Unless explicitly used otherwise, expressions in the singular include the meaning of the plural. In this description, expressions such as “comprising” or “comprising” are intended to indicate certain features, numbers, steps, acts, elements, some or a combination thereof, one or more other than those described. It should not be construed to exclude the presence or possibility of other features, numbers, steps, acts, elements, or any part or combination thereof.

또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms, and the terms are for the purpose of distinguishing one component from other components. used only as

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)에 대한 구조를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a structure of an electrostatic chuck 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은, 하부의 베이스 플레이트(200) 및 상부의 정전척 플레이트(300)(또는 절연 플레이트)를 포함한다. 상기 정전척(100)은 원형 타입인 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 타원형, 사각형 등 다른 모양으로 설계될 수도 있다. Referring to FIG. 1 , the electrostatic chuck 100 according to an embodiment of the present invention includes a lower base plate 200 and an upper electrostatic chuck plate 300 (or an insulating plate). The electrostatic chuck 100 is preferably a circular type, but may be designed in other shapes, such as an oval or a square, in some cases.

베이스 플레이트(200)는 복수의 금속층들로 이루어진 다층 구조물(multi-layer structure)로 형성될 수 있다. 이들 금속층들은 브레이징(brazing) 공정, 웰딩(welding) 공정 또는 본딩(bonding) 공정 등을 통해 접합될 수 있다. 정전척 플레이트(300)는 베이스 플레이트(200) 상에 고정되며, 이는 소정의 고정수단이나 접착 수단을 이용하여 베이스 플레이트(200) 상에 고정될 수 있다. 베이스 플레이트(200)와 정전척 플레이트(300)는 별도로 제작되어 접합될 수도 있으며, 경우에 따라서는 베이스 플레이트(200)의 상면에 직접 정전척 플레이트(300)의 구조물을 형성하는 것도 가능하다. The base plate 200 may be formed as a multi-layer structure including a plurality of metal layers. These metal layers may be joined through a brazing process, a welding process, a bonding process, or the like. The electrostatic chuck plate 300 is fixed on the base plate 200 , which may be fixed on the base plate 200 using a predetermined fixing means or an adhesive means. The base plate 200 and the electrostatic chuck plate 300 may be separately manufactured and joined, and in some cases, it is also possible to directly form the structure of the electrostatic chuck plate 300 on the upper surface of the base plate 200 .

정전척 플레이트(300)는 절연층(310), 절연층(310) 상의 전극층(320), 전극층(320) 상의 유전체층(330)을 포함할 수 있다. 하기하는 바와 같이, 베이스 플레이트(200)에 세라믹 시트(313)를 부착할 수도 있고, 절연층(310), 전극층(320), 유전체층(330)을 포함하는 정전척 플레이트(300)가, 베이스 플레이트(200)와 부착되는 것도 가능하다. 따라서, 세라믹 시트(313) 또는 정전척 플레이트(300)를 '절연 플레이트'라 하기로 한다. The electrostatic chuck plate 300 may include an insulating layer 310 , an electrode layer 320 on the insulating layer 310 , and a dielectric layer 330 on the electrode layer 320 . As described below, the ceramic sheet 313 may be attached to the base plate 200 , and the electrostatic chuck plate 300 including the insulating layer 310 , the electrode layer 320 , and the dielectric layer 330 is the base plate. It is also possible to be attached to (200). Accordingly, the ceramic sheet 313 or the electrostatic chuck plate 300 will be referred to as an 'insulating plate'.

절연층(310)은 접착층(311) 및 세라믹 시트(313) 등을 포함할 수 있다. 절연층(310)은 세라믹 재질로 이루어진다. 일 실시 예로, 절연층(310)은 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 산화물(SiO2), 바륨 산화물(BaO), 아연 산화물(ZnO), 코발트 산화물(CoO), 주석 산화물(SnO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, YAP 등의 재질 중 선택되는 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 절연층(310)은 베이스 플레이트(200)의 상면에 위와 같은 세라믹 시트(313)의 부착 공정 등을 수행하여 형성할 수 있다(경우에 따라 세라믹 재질로 용사 코팅도 가능). 이와 같이 형성된 절연층(310)은 베이스 플레이트(200)와 전극층(320) 사이를 절연하는 기능을 수행한다. The insulating layer 310 may include an adhesive layer 311 and a ceramic sheet 313 . The insulating layer 310 is made of a ceramic material. In one embodiment, the insulating layer 310 is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), barium oxide ( BaO), zinc oxide (ZnO), cobalt oxide (CoO), tin oxide (SnO 2 ), zirconium oxide (ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, YAP, etc. may be made of one material selected from the material. The insulating layer 310 may be formed by performing the above-described process of attaching the ceramic sheet 313 to the upper surface of the base plate 200 (in some cases, thermal spray coating with a ceramic material is also possible). The insulating layer 310 formed in this way functions to insulate between the base plate 200 and the electrode layer 320 .

여기서, 정전척 플레이트(300)와 절연층(310)의 세라믹 시트(313)를 구분하여 설명하지만, 이들은 모두 절연 플레이트에 해당한다. Here, although the electrostatic chuck plate 300 and the ceramic sheet 313 of the insulating layer 310 are separately described, they all correspond to insulating plates.

전극층(320)은 전도성 금속 재질로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 전극층(320)은 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 좀 더 바람직하게는 텅스텐(W)으로 형성될 수 있다. 전극층(320)은 용사 코팅 공정 또는 스크린 프린트 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 전극층(320)은 약 1.0㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖는다. 예를 들어, 바람직하게는 스크린 프린트 공정으로 전극층(320)을 형성할 경우 1.0 ~ 30㎛의 두께, 용사 코팅 공정으로 전극층(320)을 형성할 경우 30 ~ 100㎛의 두께가 적용될 수 있다. 다만, 전극층(320)의 두께가 1.0㎛ 미만 등으로 너무 얇은 층을 형성하는 것은 어려우므로 바람직하지 않으며, 또한 이때에는 해당 전극층 내의 기공률 및 기타 결함으로 인하여 저항 값이 증가하게 되고 상기 저항 값의 증가에 따라 정전 흡착력이 저하되는 현상이 발생할 수 있므로 바람직하지 못하다. 또한, 전극층(320)의 두께가 100㎛를 초과하는 등 너무 두꺼우면, 아킹(arcing) 현상이 발생할 수 있어 바람직하지 못하다. 따라서, 전극층(320)의 두께는 약 1.0㎛ 내지 100㎛의 범위에서 적절한 값을 갖도록 적용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성된 전극층(320)은 유전체층(330)의 상부에 놓이는 기판(미도시)을 로딩할 때 바이어스를 받아 정전기력을 발생시켜 척킹을 제어할 수 있다. 기판(미도시)을 언로딩할 때에는 전극층(320)에 반대의 바이어스를 인가하여 방전이 이루어지도록 함으로써 디척킹이 이루어진다. The electrode layer 320 may be made of a conductive metal material. As an example, the electrode layer 320 may be formed of at least one of silver (Ag), gold (Au), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), and titanium (Ti), more preferably may be formed of tungsten (W). The electrode layer 320 may be formed using a thermal spray coating process or a screen printing process. The electrode layer 320 has a thickness of about 1.0 μm to 100 μm. For example, preferably, a thickness of 1.0 to 30 μm may be applied when the electrode layer 320 is formed by a screen printing process, and a thickness of 30 to 100 μm may be applied when the electrode layer 320 is formed by a thermal spray coating process. However, the thickness of the electrode layer 320 is not preferable because it is difficult to form a layer that is too thin, such as less than 1.0 μm. Also, in this case, the resistance value increases due to the porosity and other defects in the electrode layer, and the resistance value increases. This is not preferable because a phenomenon in which the electrostatic adsorption force may be lowered may occur. In addition, if the thickness of the electrode layer 320 is too thick, such as exceeding 100 μm, arcing may occur, which is not preferable. Accordingly, the thickness of the electrode layer 320 is preferably applied to have an appropriate value in the range of about 1.0 μm to 100 μm. The electrode layer 320 thus formed may receive a bias when loading a substrate (not shown) placed on the dielectric layer 330 to generate an electrostatic force to control chucking. When the substrate (not shown) is unloaded, dechucking is performed by applying an opposite bias to the electrode layer 320 to cause discharge.

유전체층(330)은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 일 실시 예로, 유전체층(330)은 상술한 절연층(310)과 동일한 재질인 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 산화물(SiO2), 바륨 산화물(BaO), 아연 산화물(ZnO), 코발트 산화물(CoO), 주석 산화물(SnO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, YAP 등의 재질 중 선택되는 하나의 물질로 이루어질 수 있다. The dielectric layer 330 may be made of a ceramic material. In one embodiment, the dielectric layer 330 is the same material as the insulating layer 310, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), Selection of materials such as silicon oxide (SiO 2 ), barium oxide (BaO), zinc oxide (ZnO), cobalt oxide (CoO), tin oxide (SnO 2 ), zirconium oxide (ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, YAP, etc. It can be made of a single material.

유전체층(330)은 절연층(310) 및 전극층(320)의 상면에 위와 같은 세라믹 재질로 용사 코팅, 세라믹 시트의 부착 공정 등을 수행하여 형성할 수 있다. 이와 같이 형성된 유전체층(330)은 전극층(320)에 의해 정전기력이 형성되도록 유전체의 기능을 수행할 수 있다.The dielectric layer 330 may be formed on the upper surfaces of the insulating layer 310 and the electrode layer 320 by thermal spraying coating and attaching the ceramic sheet with the ceramic material as described above. The dielectric layer 330 formed in this way may perform a dielectric function so that an electrostatic force is formed by the electrode layer 320 .

반도체 공정을 위한 챔버 내부에 상기 정전척(100)이 장착된 경우, 외부의 냉각 가스를 이용하여 정전척 플레이트(300) 상의 기판(예, 유리 기판, 플렉서블 기판 및 반도체 웨이퍼 기판 등)을 균일하게 냉각시키기 위하여, 베이스 플레이트(200)에는 냉각 가스의 흐름을 위한 통로를 제공하는 가스 유로(15)가 형성되어 있으며, 정전척 플레이트(300)에는 상기 가스 유로(15)와 유체 소통하여 유전체층(330) 상부로 냉각 가스를 분출하기 위한 복수의 가스 홀들(30)이 형성되어 있다. 가스 홀들(30)은 직경 0.1~1mm로 형성될 수 있다. When the electrostatic chuck 100 is mounted inside a chamber for a semiconductor process, a substrate (eg, a glass substrate, a flexible substrate, a semiconductor wafer substrate, etc.) on the electrostatic chuck plate 300 is uniformly applied using an external cooling gas. In order to cool the base plate 200 , a gas flow path 15 providing a passage for the flow of cooling gas is formed, and the electrostatic chuck plate 300 is in fluid communication with the gas flow path 15 and a dielectric layer 330 . ) A plurality of gas holes 30 for ejecting the cooling gas to the upper portion are formed. The gas holes 30 may be formed to have a diameter of 0.1 to 1 mm.

도 1과 같이, 예를 들어, 베이스 플레이트(200)는 냉각 가스 공급을 위해 내부에 적절한 패턴으로 가스 홀(31)과 유체 소통하는 냉각 가스 유로(15)를 가지며, 냉각 가스 유로(15)는 본 발명의 절연체 스페이서(41)의 관통공을 통해 정전척 플레이트(300)의 냉각 가스 홀들(30)과 유체 소통이 이루어져, 냉각 가스 홀들(30)로부터 냉각 가스를 분출해 정전척 플레이트(300) 상의 기판을 균일하게 냉각시킬 수 있도록 한다. 이때의 냉각 가스로는 주로 헬륨 가스(He)가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 정전척 플레이트(300)의 냉각 가스 홀들(30)은 설계에 따라 적절한 수로 이루어질 수 있다. 1 , for example, the base plate 200 has a cooling gas flow path 15 in fluid communication with the gas hole 31 in an appropriate pattern therein for supplying cooling gas, and the cooling gas flow path 15 includes Fluid communication is made with the cooling gas holes 30 of the electrostatic chuck plate 300 through the through hole of the insulator spacer 41 of the present invention, and the cooling gas is ejected from the cooling gas holes 30 to the electrostatic chuck plate 300 . Allows the substrate to be cooled uniformly. At this time, the cooling gas may be mainly helium gas (He), but is not necessarily limited thereto. The cooling gas holes 30 of the electrostatic chuck plate 300 may be formed in an appropriate number according to design.

정전척(100) 하부의 중심부 구멍(290)을 통해 구비되는 소정의 전극 로드(291)로부터 전극층(320)에 바이어스가 인가됨으로써, 척킹과 디척킹이 이루어질 수 있다. 냉각 가스 홀들(30)은, 설계에 따라 전극층(320)을 이루는 소정의 전극 패턴들 사이에 골고루 형성될 수 있으며, 냉각 가스 유로(15)로부터 정전척 플레이트(300) 상면까지 관통공을 통해 유체 소통이 이루어지도록 형성될 수 있다. By applying a bias to the electrode layer 320 from a predetermined electrode rod 291 provided through the central hole 290 under the electrostatic chuck 100 , chucking and dechucking may be performed. The cooling gas holes 30 may be uniformly formed between predetermined electrode patterns constituting the electrode layer 320 according to a design, and a fluid from the cooling gas flow path 15 to the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 passes through the through holes. It can be formed so that communication can take place.

특히, 본 발명의 정전척(100)에서는, 베이스 플레이트(200)의 가스 유로(15)와 유체 소통되는 베이스 플레이트(200)의 가스 홀(31) 위치에 희생마개(40)를 배치한 후 그 주위 외측으로 형성한 접착층(311) 접합 물질(예, 액상 접합제)에 의해 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 접합한다. 상기 접합 후 희생마개(40)의 내측 희생물질(도 2a의 42 참조)이 액상의 제거 용제에 의해 제거되고 스페이서(41)만 남겨 희생물질(42) 부분에 관통공을 형성함으로써, 냉각 가스 유로(15)로부터 절연체 스페이서(41)의 관통공(홀)을 거쳐 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)을 통해 정전척 플레이트(300)의 상면까지 유체 소통이 이루어지도록 할 수 있다. In particular, in the electrostatic chuck 100 of the present invention, after disposing the sacrificial stopper 40 at the position of the gas hole 31 of the base plate 200 in fluid communication with the gas passage 15 of the base plate 200 , the The base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or insulating plate) are bonded to each other by a bonding material (eg, a liquid bonding agent) formed on the outside of the adhesive layer 311 . After the bonding, the inner sacrificial material (see 42 in FIG. 2A ) of the sacrificial cap 40 is removed by the liquid removal solvent and only the spacer 41 is left to form a through hole in the sacrificial material 42 , so that the cooling gas flow path Fluid communication may be made from 15 to the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 through the through hole (hole) of the insulator spacer 41 and the gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 .

이와 같이, 본 발명에서는 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 접합과정에서 희생마개(40)는 액상 접합제가 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 유로(15)와 정전척 플레이트(300) 상면 사이의 가스 홀(30)로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 있고, 상기 접합 후 희생되어 제거되는 관통공 부분의 직경이 가스 홀(30) 및 가스 홀(31)의 직경 이상으로 형성 가능하여 유량 손실을 방지할 수 있을 뿐만아니라, 클린(clean)한 가스 홀의 형성이 가능하여 드릴 등에 의한 물리적 상의 가공 버(burr)나 칩핑(chipping) 등의 파티클 소스의 발생을 최소화할 수 있다.As described above, in the present invention, in the process of bonding the base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or the insulating plate), the sacrificial cap 40 is formed of a liquid bonding agent between the cooling gas flow path 15 of the base plate 200 and the electrostatic chuck. Penetration into the gas hole 30 between the upper surfaces of the plate 300 can be effectively prevented, and the diameter of the through hole part that is sacrificed and removed after bonding is formed to be greater than or equal to the diameter of the gas hole 30 and the gas hole 31 . It is possible to prevent flow rate loss and to minimize the generation of particle sources such as mechanical processing burrs or chipping by drilling because clean gas holes can be formed.

즉, 본 발명의 정전척(100)은, 위와 같은 희생마개(40)를 이용한 베이스 플레이트(200)와 절연 플레이트(300/313)의 접합 및 희생물질(42)의 제거 공정을 통해, 베이스 플레이트(200)와 절연 플레이트(300/313) 사이에 제1 가스 홀(31)과 제2 가스 홀(30)이 만나는 위치에 배치된 스페이서(41)를 포함하게 된다. 스페이서(41)는, 베이스 플레이트(200)와 절연 플레이트(300/313)를 접합하기 위한 스페이서(41) 외측의 접합 물질(311)에 의해 둘러싸여 있다. 여기서, 스페이서(41) 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 절연 플레이트(300/313)의 제2 가스 홀(30)의 직경 크기 이상이며, 베이스 플레이트(200)의 제1 가스 홀(30)의 직경 크기 이상인 것이 바람직하다. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present invention, the base plate 200 and the insulating plate 300/313 are bonded to each other and the sacrificial material 42 is removed using the sacrificial stopper 40 as described above. A spacer 41 disposed at a position where the first gas hole 31 and the second gas hole 30 meet between the 200 and the insulating plate 300/313 is included. The spacer 41 is surrounded by a bonding material 311 outside the spacer 41 for bonding the base plate 200 and the insulating plate 300/313 to each other. Here, the diameter of the through hole inside the spacer 41 is greater than or equal to the diameter of the second gas hole 30 of the insulating plate 300 / 313 , and the diameter of the first gas hole 30 of the base plate 200 . It is preferable to be larger than the size.

이와 같이 본 발명에서는 베이스 플레이트(200)의 제1 가스 홀(31) 및 정전척 플레이트(300)의 제2 가스 홀(30)의 소통이, 물리적 가공 없이 스페이서(41) 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질의 화학적 제거를 통해 이루어짐으로써, 제1 가스 홀(31)과 제2 가스 홀(30)의 내부 및 단부에　물리적 가공에서 보다 가공 버(burr)나 칩핑(chipping)의 양이나 크기를 저감하여 최소화할 수 있게 된다. As described above, in the present invention, the communication between the first gas hole 31 of the base plate 200 and the second gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 is filled in the through hole inside the spacer 41 without physical processing. By chemical removal of the sacrificial material, the amount or size of processing burrs or chipping is reduced in the inner and end portions of the first gas hole 31 and the second gas hole 30 than in physical processing. so it can be minimized.

이하 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 본 발명의 정전척(100)의 제조 방법에 대하여 좀 더 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 2F .

도 2a는 본 발명의 절연체 스페이서(41)의 제작을 설명하기 위한 도면이다.2A is a view for explaining the fabrication of the insulator spacer 41 of the present invention.

도 2a를 참조하면, 먼저, 본 발명의 정전척(100)을 제조하기 위하여, 먼저, 희생마개(40)를 준비한다. 예를 들어, 내측 관통 홀을 갖는 링 형태의 절연체 스페이서(41)를 준비하고, 그 내측의 관통 홀에 희생물질(42)로 충진하여 준비한다. Referring to FIG. 2A , first, in order to manufacture the electrostatic chuck 100 of the present invention, a sacrificial stopper 40 is prepared. For example, a ring-shaped insulator spacer 41 having an inner through hole is prepared, and the inner through hole is filled with a sacrificial material 42 .

절연체 스페이서(41) 외측의 모양은, 원형의 링 형태 또는 다각형(사각형, 오각형, 육각형 등)으로 제작될 수 있다. 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀의 직경 크기는 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 가스 홀(30)의 직경 크기 또는 그 이상일 수 있다. 또한, 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀의 직경 크기는 베이스 플레이트(200)의 가스 홀(31)의 직경 크기 또는 그 이상일 수 있다. 절연체 스페이서(41)는, 세라믹 재질, 즉, 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 산화물(SiO2), 바륨 산화물(BaO), 아연 산화물(ZnO), 코발트 산화물(CoO), 주석 산화물(SnO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, YAP 등의 재질 중 선택되는 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The shape of the outside of the insulator spacer 41 may be a circular ring shape or a polygonal shape (square, pentagon, hexagon, etc.). The diameter of the through hole inside the insulator spacer 41 may be greater than or equal to the diameter of the gas hole 30 of the ceramic sheet 313 (or insulating plate). In addition, the diameter of the through hole inside the insulator spacer 41 may be greater than or equal to the diameter of the gas hole 31 of the base plate 200 . The insulator spacer 41 is made of a ceramic material, that is, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), barium. Oxide (BaO), zinc oxide (ZnO), cobalt oxide (CoO), tin oxide (SnO 2 ), zirconium oxide (ZrO2), Y2O3, YAG, YAM, may be made of one material selected from materials such as YAP. .

절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀에 채워지는 희생물질(42)은, 액상 제거 용제에 의해 제거될 수 있는 다양한 재질로 이루어질 수 있다. 먼저, 희생물질(42)은, 감광제일 수 있다. 예를 들어, 희생물질(42)은, 습식 감광액(photoresist)의 건조 형태를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀에 습식 감광액(photoresist)을 채우고 오븐에서 건조시켜 경화시킨다. 이후 도 2e 과정에서 희생물질(42)인 습식 감광액 (photoresist)은 소정의 액상 제거 용제 (예, 탄산수소칼륨(KHCO3),　탄산수소나트륨(NaHCO3),　탄산나트륨(Na2C03),　수산화나트륨(NaOH) 등의 수산화 수용액 0.1~10 몰%)를 이용하여 용해시켜 제거될 수 있다. 또는, 희생물질(42)은, 건식 감광필름의 충진 형태를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀 위에 건식 감광필름을 놓고 압력을 가하여 건식 감광필름이 충진되도록 할 수 있다. 이후 도 2e 과정에서 희생물질(42)인 건식 감광필름은 위와 같은 액상 제거 용제 등을 이용하여 용해시켜 제거될 수 있다. The sacrificial material 42 filled in the through hole inside the insulator spacer 41 may be made of various materials that can be removed by a liquid removal solvent. First, the sacrificial material 42 may be a photosensitizer. For example, the sacrificial material 42 may include a dry form of a wet photoresist. For example, a wet photoresist is filled in the through hole inside the insulator spacer 41 and dried in an oven to be cured. Thereafter, in the process of FIG. 2E , the wet photoresist as the sacrificial material 42 is used with a predetermined liquid removal solvent (eg, potassium hydrogen carbonate (KHCO3), 　sodium hydrogencarbonate (NaHCO3), 　sodium carbonate (Na2C03), 　sodium hydroxide (NaOH), etc. It can be removed by dissolving it using an aqueous hydroxide solution of 0.1 to 10 mol%). Alternatively, the sacrificial material 42 may include a filling form of a dry photosensitive film. For example, a dry photosensitive film may be placed on the through hole inside the insulator spacer 41 and pressure may be applied to fill the dry photosensitive film. Thereafter, in the process of FIG. 2E , the dry photosensitive film, which is the sacrificial material 42 , may be removed by dissolving it using the liquid removal solvent as described above.

또는, 희생물질(42)은, 폴리머 물질의 충진 형태를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀 또는 상부에　폴리머 물질로서, PVA(폴리비닐알콜)과 같은 다이아조 분해 반응이 가능한 방향족 폴리아미드(아민화합물 또는 알킬렌 옥사이드 화합물,　카프로락탐 등이 포함)　물질을 필름,　분말,　또는 페이스트 형태로 충진하며, 필요시 비누화시킨 후 몰드에 원하는 형상으로 경화하여 충진되도록 할 수 있다.　이후 도　2e　과정에서 희생물질(42)은 액상 제거 용제로서 물이나 에탄올,　에테르,　벤젠 등의 용액을 이용하여 용해시켜 제거될 수 있다.Alternatively, the sacrificial material 42 may include a filling form of a polymer material. For example, an aromatic polyamide (amine compound or alkylene oxide compound, caprolactam, etc.) capable of a diazo decomposition reaction such as PVA (polyvinyl alcohol) as a polymer material in the through hole or upper part of the insulator spacer 41 is used. Including) 　 material is filled in the form of film, 　 powder, 　 or paste. Thereafter, in the process of Figure 2e, the sacrificial material 42 may be removed by dissolving it using water or a solution such as ethanol, ether, or benzene as a liquid removal solvent.

여기서, 이와 같은 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀에 희생물질(42)을 충진한 형태가 희생마개(40)로서 역할을 할 수 있게 된다. Here, the form in which the sacrificial material 42 is filled in the through hole inside the insulator spacer 41 can serve as the sacrificial stopper 40 .

도 2b는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 희생마개(40)를 베이스 플레이트(200) 상에 배치하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.FIG. 2B is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of disposing the sacrificial stopper 40 on the base plate 200 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 according to the present invention.

도 2b를 참조하면, 도 2a와 같이 상기 희생마개(40)를, 베이스 플레이트(200)의 가스 유로(15)와 유체 소통하는 가스 홀(31) 위치에 배치한다. Referring to FIG. 2B , as shown in FIG. 2A , the sacrificial stopper 40 is disposed at a position of the gas hole 31 in fluid communication with the gas flow path 15 of the base plate 200 .

즉, 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 공급을 위한 가스 유로(15)와 유체 소통되는 위치로서(가스 유로(15)는 베이스 플레이트(200) 내부에서 여러 갈래의 경로를 형성할 수 있음), 베이스 플레이트(200) 내의 유로(15)와 유체 소통되는 가스홀(31)의 수직 위치 상에, 희생마개(40)가 배치되며, 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)과 수직 연장선 상의 베이스 플레이트(200)의 가스홀(31)은, 도 2e 과정에서 희생물질(42)이 제거됨으로써 절연체 스페이서(41)의 관통공을 통해 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)과 유체 소통된다. That is, as a position in fluid communication with the gas flow path 15 for supplying the cooling gas of the base plate 200 (the gas flow path 15 may form multiple paths inside the base plate 200), the base A sacrificial stopper 40 is disposed on a vertical position of the gas hole 31 in fluid communication with the flow path 15 in the plate 200 , and a base on a vertical extension line with the gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 . The gas hole 31 of the plate 200 is in fluid communication with the gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 through the through hole of the insulator spacer 41 as the sacrificial material 42 is removed in the process of FIG. 2E . .

도 2c는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 희생마개(40) 주위 외측으로 형성한 접합 물질(예, 액상 접합제)에 의한 접착층(311) 형성 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.FIG. 2C is an AA of FIG. 1 for explaining a process of forming an adhesive layer 311 by a bonding material (eg, a liquid bonding agent) formed outwardly around the sacrificial stopper 40 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 of the present invention. It is an enlarged view of a part.

도 2c를 참조하면, 위와 같이 베이스 플레이트(200) 상의 가스 홀(30) 위치에, 상기 희생마개(40)가 배치된 상태에서, 베이스 플레이트(200) 상에 접착층(311)을 위한 세라믹 재질 등의 접합 물질을 도포한다. 접합 물질은 액상 또는 페이스트 형태일 수 있다. 이때 상기 희생마개(40) 상면에는 접합 물질이 도포되지 않는 것이 바람직하고, 상기 희생마개(40) 주위 외측으로 절연체 스페이서(41) 높이 이상으로 접착층(311) 접합 물질이 형성되도록 할 수 있다. Referring to FIG. 2C , in a state in which the sacrificial stopper 40 is disposed at the gas hole 30 on the base plate 200 as above, a ceramic material for the adhesive layer 311 on the base plate 200 , etc. of bonding material is applied. The bonding material may be in liquid or paste form. In this case, it is preferable that a bonding material is not applied to the upper surface of the sacrificial stopper 40 , and the bonding material for the adhesive layer 311 may be formed outside the sacrificial stopper 40 at a height higher than the insulator spacer 41 .

이와 같은 접착층(311) 접합 물질의 도포 공정에서, 상기 희생마개(40)는 액상 접합제가 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 홀(31)와 정전척 플레이트(300) 상면 사이의 가스 홀(30)로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 있다. In the process of applying the bonding material for the adhesive layer 311 as described above, the sacrificial cap 40 is formed by the liquid bonding agent in the gas hole 30 between the cooling gas hole 31 of the base plate 200 and the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 . can effectively prevent penetration.

도 2d는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)를 부착하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다. 여기서, 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)를 부착하는 예를 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 절연층(310), 전극층(320), 유전체층(330)을 포함하는 정전척 플레이트(300)가, 베이스 플레이트(200)와 부착되는 것도 가능하다. 따라서, 세라믹 시트(313) 또는 정전척 플레이트(300)는 '절연 플레이트'에 해당한다. FIG. 2D is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of attaching the base plate 200 and the ceramic sheet 313 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 according to the present invention. Here, an example of attaching the base plate 200 and the ceramic sheet 313 will be described, but the present invention is not limited thereto, and the electrostatic chuck plate 300 including the insulating layer 310 , the electrode layer 320 , and the dielectric layer 330 . ) may be attached to the base plate 200 . Accordingly, the ceramic sheet 313 or the electrostatic chuck plate 300 corresponds to an 'insulation plate'.

도 2d를 참조하면, 위와 같이 절연체 스페이서(41) 주위 외측으로 접착층(311) 접합 물질이 형성된 상태에서, 그 위에 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 배치한후 압착하여, 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30) 위치의 상기 희생마개(40)가 그대로 묻히는 상태로 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 접합시킨다. 이때, 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 가스 홀(30) 위치와 베이스 플레이트(200)의 가스 홀(31) 위치가 정렬되도록 베이스 플레이트(200) 상에 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 부착한다. 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)에는 미리 가스 홀(30)이 형성되어 있으며, 베이스 플레이트(200)의 가스 홀(31)과 수직 연장선 상에 배치될 수 있도록 가스 홀(30)이 미리 설계되고 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2D , in a state in which the bonding material for the adhesive layer 311 is formed on the outside around the insulator spacer 41 as above, a ceramic sheet 313 (or an insulating plate) is disposed thereon and then compressed, followed by an electrostatic chuck plate ( The base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or insulating plate) are bonded to each other in a state where the sacrificial stopper 40 at the gas hole 30 position of the 300 is buried as it is. At this time, the ceramic sheet 313 (or insulation) on the base plate 200 so that the position of the gas hole 30 of the ceramic sheet 313 (or the insulating plate) and the position of the gas hole 31 of the base plate 200 are aligned. plate) is attached. A gas hole 30 is previously formed in the ceramic sheet 313 (or an insulating plate), and the gas hole 30 is designed in advance to be disposed on a vertical extension line with the gas hole 31 of the base plate 200 . and can be formed.

이와 같은 접착층(311) 접합 물질의 도포 후의 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 접합 공정에서도, 상기 희생마개(40)는 액상 접합제가 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 홀(31)와 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. Even in the bonding process of the base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or insulating plate) after the bonding material for the adhesive layer 311 is applied, the sacrificial cap 40 is formed by the liquid bonding agent being the cooling gas of the base plate 200 . Penetration into the hole 31 and the gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 can be effectively prevented.

도 2e는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정 중 상기 희생마개(40)의 희생물질(42)을 제거하여 관통공을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다.FIG. 2E is an enlarged view of portion AA of FIG. 1 for explaining a process of forming a through hole by removing the sacrificial material 42 of the sacrificial stopper 40 during the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 of the present invention. .

도 2e를 참조하면, 위와 같이 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 가스 홀(30)과 베이스 플레이트(200)의 가스 홀(31) 위치가 정렬되도록 베이스 플레이트(200) 상에 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 부착한 후에, 베이스 플레이트(200)의 가스 유로(15)(또는 세라믹 시트(313)의 가스 홀(30))로 용액(45)을 주입하여 절연체 스페이서(41) 내측의 희생물질(42)이 용해되어 제거되도록 한다.Referring to FIG. 2E , the ceramic sheet ( 313) (or the insulating plate) is attached, the solution 45 is injected into the gas flow path 15 of the base plate 200 (or the gas hole 30 of the ceramic sheet 313) to form the insulator spacer 41 The inner sacrificial material 42 is dissolved and removed.

위에서도 기술한 바와 같이, 희생물질(42)인 습식 감광액(photoresist)이나 건식 감광필름은 위와 같은 액상 제거 용제 등을 주입하여 용해시켜 제거될 수 있다. 희생물질(42)인 폴리머 물질은 액상 제거 용제로서 물이나 에탄올,　에테르,　벤젠 등의 용액을 주입하여 용해시켜 제거될 수 있다. As described above, the wet photoresist or dry photoresist film, which is the sacrificial material 42 , may be removed by dissolving it by injecting the liquid removal solvent as described above. The polymer material serving as the sacrificial material 42 may be removed by dissolving it by injecting water or a solution such as ethanol, ether, or benzene as a liquid removal solvent.

도 2f는 본 발명의 정전척(100)의 제조 공정에 의해, 베이스 플레이트(200)로부터 절연체 스페이서(41)의 내측 관통공(홀)을 거쳐 정전척 플레이트(300) 상면까지 유체 소통이 이루어진 구조를 나타내는, 도 1의 AA 부분에 대한 확대 도면이다. 도 2f와 같이, 위와 같이 희생물질(42)이 제거되면, 희생마개(40)의 해당 부분이 관통공을 형성함으로써, 냉각 가스 유로(15)로부터 절연체 스페이서(41) 관통공(홀)을 거쳐 정전척 플레이트(300) 상면까지 유체 소통이 이루어질 수 있다. FIG. 2F shows a structure in which fluid communication is achieved from the base plate 200 through the inner through-hole (hole) of the insulator spacer 41 to the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 by the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 of the present invention. It is an enlarged view of part AA of FIG. As shown in FIG. 2F , when the sacrificial material 42 is removed as above, the corresponding portion of the sacrificial cap 40 forms a through hole, so that the cooling gas flow path 15 passes through the through hole (hole) of the insulator spacer 41 . Fluid communication may be achieved up to the upper surface of the electrostatic chuck plate 300 .

이와 같이, 도 2a 내지 도 2f와 같은 공정을 거쳐, 상기 희생마개(40)의 희생물질(42)이 제거되어 있으며, 스페이서(41) 주위 외측으로 형성한 접착층(311) 접합 물질(예, 액상 접합제)에 의해 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 접합한 구조물이 획득된다. In this way, through the same process as in FIGS. 2A to 2F , the sacrificial material 42 of the sacrificial cap 40 is removed, and the bonding material (eg, liquid phase) of the adhesive layer 311 formed outside the spacer 41 . A structure in which the base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or an insulating plate) are joined by a bonding agent) is obtained.

다음에, 도 1과 같이, 접착층(311) 및 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)를 포함하는 절연층(310) 위에는 냉각 가스 홀(30)을 피하여 적절한 위치에 전극층(320)이 형성되고, 그 위에 유전체층(330)이 형성될 수 있다. 이는 상기 절연 플레이트로서, 절연층(310), 전극층(320), 유전체층(330)을 포함하는 정전척 플레이트(300)가, 베이스 플레이트(200)와 접합되지 않은 경우에 해당한다. Next, as shown in FIG. 1, on the insulating layer 310 including the adhesive layer 311 and the ceramic sheet 313 (or insulating plate), the electrode layer 320 is formed at an appropriate position avoiding the cooling gas hole 30, and , a dielectric layer 330 may be formed thereon. This corresponds to a case in which the electrostatic chuck plate 300 including the insulating layer 310 , the electrode layer 320 , and the dielectric layer 330 as the insulating plate is not bonded to the base plate 200 .

이에 따라, 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 홀(31)은 본 발명의 상기 희생마개(40)의 제거부분, 즉, 절연체 스페이서(41)의 관통공을 통해, 정전척 플레이트(300)의 냉각 가스 홀들(30)과 유체 소통이 이루어져, 냉각 가스 홀들(30)로부터 냉각 가스를 분출해 정전척 플레이트(300) 상의 기판을 균일하게 냉각시킬 수 있도록 한다.Accordingly, the cooling gas hole 31 of the base plate 200 cools the electrostatic chuck plate 300 through the removal portion of the sacrificial cap 40 of the present invention, that is, the through hole of the insulator spacer 41 . Fluid communication with the gas holes 30 is made to eject a cooling gas from the cooling gas holes 30 to uniformly cool the substrate on the electrostatic chuck plate 300 .

이상에서, 측 관통 홀을 갖는 링 형태의 절연체 스페이서(41) 내측의 관통 홀에 희생물질(42)로 충진된 희생마개를 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않음은 물론이다. 예컨대, 본 발명의 제조 방법에서는 스페이서와 분리된 상태로 존재하면서 희생물질로 이루어지는 희생마개가 사용될 수 있다. 이 경우에도 마찬가지로 희생물질로 이루어지는 희생마개는 접합 시 액상 접합제의 침투를 방지하며 제거 후에는 세라믹 시트(또는 절연 플레이트)의 가스 홀과 베이스 플레이트의 가스 홀이 연통되게 할 수 있다. In the above, the sacrificial cap filled with the sacrificial material 42 in the through hole inside the ring-shaped insulator spacer 41 having the side through hole has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, in the manufacturing method of the present invention, a sacrificial stopper made of a sacrificial material while being separated from the spacer may be used. Likewise in this case, the sacrificial stopper made of the sacrificial material prevents penetration of the liquid bonding agent during bonding, and after removal, the gas hole of the ceramic sheet (or insulating plate) and the gas hole of the base plate may communicate with each other.

상술한 바와 같이, 베이스 플레이트(200)와 세라믹 시트(313)(또는 절연 플레이트)의 접합과정에서 상기 희생마개(40)는 액상 접합제가 베이스 플레이트(200)의 냉각 가스 홀(31)와 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 상기 희생마개(40)의 관통공이 화학적 용해를 통해 형성됨으로써 스페이서(41) 관통공의 직경이 가스 홀(30)의 직경 이상으로 형성 가능하여 유량 손실을 방지할 수 있을 뿐만아니라, 클린(clean)한 가스 홀의 형성이 가능하여 드릴 등에 의한 물리적 가공에서 보다 가공 버(burr)나 칩핑(chipping) 등의 파티클 소스의 발생을 최소화할 수 있다.As described above, in the bonding process between the base plate 200 and the ceramic sheet 313 (or the insulating plate), the sacrificial cap 40 is formed using a liquid bonding agent between the cooling gas hole 31 of the base plate 200 and the electrostatic chuck. Penetration into the gas hole 30 of the plate 300 can be effectively prevented, and since the through hole of the sacrificial stopper 40 is formed through chemical dissolution, the diameter of the through hole of the spacer 41 is that of the gas hole 30 . Since it can be formed with a diameter larger than that, it is possible to prevent flow loss, and it is possible to form a clean gas hole, so particle sources such as processing burrs and chipping are generated more than in physical processing by a drill or the like. can be minimized.

또한, 본 발명의 정전척(100) 제종 방법에서는, 물리적 가공을 위한 가공 툴이 사용되지 않으므로, 정전척 플레이트(300)의 가스 홀(30)로 가공 툴의 진입 시에 발생할 수 있는 제품의 손상이나 가공 툴의 파손 등에 의한 막힘 등의 불량 또한 제거되어 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present invention, since a processing tool for physical processing is not used, product damage that may occur when the processing tool enters the gas hole 30 of the electrostatic chuck plate 300 . In addition, defects such as clogging due to breakage of processing tools and the like are also removed, thereby improving the yield.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with specific matters such as specific components and limited embodiments and drawings, but these are provided to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments. , various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and all technical ideas with equivalent or equivalent modifications to the claims as well as the claims to be described later are included in the scope of the present invention. should be interpreted as

정전척(100)
베이스 플레이트(200)
정전척 플레이트(300)
세라믹 시트(313)
전극층(320)
희생마개(40)
절연체 스페이서(41)
희생물질(42)Electrostatic Chuck (100)
base plate (200)
electrostatic chuck plate (300)
Ceramic Sheet(313)
electrode layer 320
Sacrificial Cap(40)
Insulator Spacer (41)
sacrificial material (42)

Claims (17)

냉각 가스 공급을 위한 제1 가스 홀을 포함하는 가스 유로를 갖는 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트 상에 고정되고, 가공 대상 기판을 척킹 및 디척킹하기 위한 절연 플레이트로서, 상기 제1 가스 홀과 소통하는 제2 가스 홀을 가지는 상기 절연 플레이트; 및
상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트 사이에 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀이 만나는 위치에 배치된 스페이서를 포함하고,
상기 스페이서는, 상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트를 접합하기 위한 상기 스페이서 외측의 접합 물질에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 절연 플레이트의 제2 가스 홀의 직경 크기 이상이며,
상기 스페이서는, 상기 제1 가스 홀을 통한 용제의 주입에 의해 상기 관통 홀의 위치에 미리 채워진 희생 물질이 화학적으로 제거된 해당 위치의 상기 관통 홀을 통해, 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀의 연통이 이루어지도록 사용되기 위한, 정전척.a base plate having a gas flow path including a first gas hole for supplying a cooling gas;
an insulating plate fixed on the base plate for chucking and dechucking a substrate to be processed, the insulating plate having a second gas hole communicating with the first gas hole; and
a spacer disposed between the base plate and the insulating plate at a position where the first gas hole and the second gas hole meet;
the spacer is surrounded by a bonding material outside the spacer for bonding the base plate and the insulating plate, and a diameter of a through hole inside the spacer is greater than or equal to a diameter of a second gas hole of the insulating plate;
The spacer may be formed between the first gas hole and the second gas hole through the through hole at the position where the sacrificial material previously filled in the through hole is chemically removed by the injection of the solvent through the first gas hole. An electrostatic chuck to be used to establish communication. 제1항에 있어서,
상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 베이스 플레이트의 제1 가스 홀의 직경 크기 이상인 정전척.According to claim 1,
A diameter of the through hole inside the spacer is greater than or equal to a diameter of the first gas hole of the base plate. 제1항에 있어서,
상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀의 소통이, 물리적 가공 없이 상기 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질의 화학적 제거를 통해 이루어짐으로써, 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀의 내부 및 단부에　물리적 가공에서 보다 가공 버(burr)나 칩핑(chipping)을 저감하는 정전척.According to claim 1,
Communication between the first gas hole and the second gas hole is achieved through chemical removal of the sacrificial material filled in the through hole inside the spacer without physical processing, so that the inside and the end of the first gas hole and the second gas hole An electrostatic chuck that reduces machining burrs and chipping compared to physical machining. 제1항에 있어서,
상기 정전척의 제조에서, 상기 베이스 플레이트와 상기 절연 플레이트를 접합하는 공정 시에 상기 접합 물질의 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀로의 침투 방지를 위해 희생마개가 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀이 연통하는 위치에 제공되며,
상기 접합 후에 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀이 소통되도록 상기 희생마개의 최소한 일부를 제거하여 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀을 연통한 뒤 상기 스페이서로서 남아있는 정전척.According to claim 1,
In manufacturing the electrostatic chuck, a sacrificial stopper is provided to prevent penetration of the bonding material into the first gas hole and the second gas hole during a process of bonding the base plate and the insulating plate to the first gas hole and the second gas hole. 2 gas holes are provided in communication positions,
After the bonding, at least a portion of the sacrificial cap is removed so that the first gas hole and the second gas hole communicate with each other to communicate the first gas hole and the second gas hole, and the electrostatic chuck remains as the spacer. 제4항에 있어서,
상기 희생마개는 절연체인 상기 스페이서 및 상기 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질을 포함하여 구성되고,
상기 희생마개의 최소한 일부 제거는 상기 희생물질을 용해하여 상기 스페이서만 남는 정전척.5. The method of claim 4,
The sacrificial cap includes the spacer that is an insulator and a sacrificial material filled in the through hole inside the spacer,
The removal of at least a portion of the sacrificial plug dissolves the sacrificial material so that only the spacer remains. 제1항에 있어서,
상기 스페이서 외측의 모양은, 원형 또는 다각형을 포함하는 정전척.According to claim 1,
The outer shape of the spacer may include a circular shape or a polygonal shape. 제5항에 있어서,
상기 희생물질은, 감광제를 포함하는 정전척.6. The method of claim 5,
The sacrificial material includes an electrostatic chuck including a photosensitizer. 제7항에 있어서,
상기 감광제는 건조된 습식 감광액 또는 건식 감광필름을 포함하는 정전척.8. The method of claim 7,
The photosensitive agent includes a dried wet photoresist or a dry photosensitive film. 제5항에 있어서,
상기 희생물질은, 폴리머 물질을 포함하는 정전척.6. The method of claim 5,
The sacrificial material includes an electrostatic chuck including a polymer material. 상부 절연 플레이트 및 하부 베이스 플레이트를 포함하는 정전척의 제조 방법에 있어서,
냉각 가스 공급을 위한 제1 가스 홀을 포함하는 가스 유로를 갖는 상기 하부 베이스 플레이트를 제공하는 단계;
상기 하부 베이스 플레이트 상의 상기 제1 가스 홀 위치에 희생마개가 위치하도록 상기 희생마개를 제공하는 단계;
상기 제1 가스 홀에 대응되는 제2 가스 홀을 구비하는 상기 상부 절연 플레이트를 상기 제2 가스 홀이 상기 희생마개 위치에 정렬되도록 상기 하부 베이스 플레이트 상에 부착하는 단계; 및
상기 희생마개의 최소한 일부를 제거하여 상기 제1 가스 홀과 상기 제2 가스 홀을 연통하는 단계
를 포함하는 정전척의 제조 방법.A method of manufacturing an electrostatic chuck comprising an upper insulating plate and a lower base plate, the method comprising:
providing the lower base plate having a gas flow path including a first gas hole for supplying a cooling gas;
providing the sacrificial stopper so that the sacrificial stopper is positioned at the position of the first gas hole on the lower base plate;
attaching the upper insulating plate having a second gas hole corresponding to the first gas hole on the lower base plate such that the second gas hole is aligned with the sacrificial cap; and
removing at least a portion of the sacrificial stopper to communicate the first gas hole and the second gas hole
A method of manufacturing an electrostatic chuck comprising a. 제10항에 있어서,
상기 절연 플레이트는, 전극층을 포함하는 정전척 플레이트 또는 전극층이 포함되지 않은 세라믹 시트를 포함하는 정전척의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The method of manufacturing an electrostatic chuck, wherein the insulating plate includes an electrostatic chuck plate including an electrode layer or a ceramic sheet not including an electrode layer. 제10항에 있어서,
상기 희생마개는 스페이서 및 상기 스페이서 내측의 관통 홀에 채워진 희생물질을 포함하고,
상기 연통하는 단계는, 상기 희생물질을 용해시켜 제거하는 단계
를 포함하는 정전척의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The sacrificial cap includes a spacer and a sacrificial material filled in the through hole inside the spacer,
The communicating step may include dissolving and removing the sacrificial material.
A method of manufacturing an electrostatic chuck comprising a. 제12항에 있어서,
상기 스페이서 내측의 관통 홀의 직경 크기는, 상기 절연 플레이트의 제2 가스 홀의 직경 크기 이상인 정전척의 제조 방법.13. The method of claim 12,
A diameter of the through hole inside the spacer is greater than or equal to a diameter of the second gas hole of the insulating plate. 제12항에 있어서,
상기 스페이서 외측의 모양은, 원형 또는 다각형을 포함하는 정전척의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The outer shape of the spacer may include a circular shape or a polygonal shape. 제12항에 있어서,
상기 희생물질은, 감광제를 포함하는 정전척의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The sacrificial material includes a photosensitive agent. 제15항에 있어서,
상기 감광제는 건조된 습식 감광액 또는 건식 감광필름을 포함하는 정전척의 제조 방법.16. The method of claim 15,
The method for manufacturing an electrostatic chuck, wherein the photosensitive agent includes a dried wet photoresist or a dry photosensitive film. 제12항에 있어서,
상기 희생물질은, 폴리머 물질을 포함하는 정전척의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The sacrificial material may include a polymer material.
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