KR20040072761A - 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법 및 이를 이용한전계방출형 표시소자 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조 제조공정은, 평판형 립의 표면에 포토레지스트(photo resist)을 코팅하고 패터닝하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공을 식각하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에서 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 전자빔 통과공 내부에 산과 열에 강한 고분자를 채워 건조시키는 단계와; 상기 평판형 립의 표면을 연마하여 평탄화하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에 게이트전극을 코팅하는 단계와; 상기 게이트전극의 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 단계와; 상기 게이트전극의 표면에 산을 이용하여 게이트 홀을 식각하는 단계와; 상기 전자빔 통과공에 채워져 있던 고분자 및 포토레지스트를 제거시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 제조공정을 단순화시킬 수 있어서 작업효율을 증가시키는 효과를 갖게되고, 평판형 립을 사용하여 에미터와 게이트전극 사이 거리를 일정하게 유지할 수 있게 되어 결국 균일한 구동전압을 얻게 되어 디스플레이 제품의 균일한 휘도를 발휘할 수 있게되는 효과가 있다.

Description

립/게이트전극 일체형 구조 제조방법 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자 제조방법{Manufacturing process of Unification Rib/Gate and Manufacturing process of FED}

본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)에 관한 것으로서, 특히 전계방출형 표시소자의 전압을 인가하는 게이트와 립(rib)을 일체형으로 형성하여 제조공정을 단순화하고 에미터와 게이트간의 거리를 일정하게 유지시켜 구동전압을 균일하게 조절시킬 수 있도록 한 전계방출형 표시소자에 관한 것이다.

일반적으로, 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있는 전계방출형 표시소자(FED)는 비자발광인 LCD에 비하여 자발광의 특성으로 인하여 화질이 CRT 정도로 매우 우수하고, CRT와 유사한 전자선을 이용하기 때문에 동작속도도 매우 빠른 특성을 지니고 있어 LCD의 경량 박형의 장점과 더불어 CRT수준의 성능을 가진 차세대 AV급 평판 디스플레이로 많은 주목을 받고 있다.

또한, 시야각이 넓고, 한 서브 픽셀에 수백 개에서 수천 개의 전자방출 소자가 만들어져 있기 때문에 수명이 길고, 소비전력도 LCD보다 낮거나 같은 수준으로 차세대 디스플레이로서 상당히 유리한 위치를 점유하고 있다.

상기와 같은 전계방출형 표시소자의 기본 원리는 진공관과 같은 3극 튜브지만 열 음극(Hot cathode)을 이용하지 않고, 첨예한 에미터(emitter)에 고전계(electric field)를 집중하여 양자역학적인 터널링(tunnelling) 효과에 의하여 전자를 방출시키는 냉 음극(cold cathode)를 이용하고 있다.

이렇게 하여 방출된 전자를 양극/음극간의 인가전압으로 가속시킨 후, 이를 양극에 형성된 형광체막에 충돌시킴으로서 발광이 이루어지게 된다.

도 1은 종래의 전계방출형 표시소자의 분해상태를 보인 개략 사시도이다.

동 도면에서 보여지는 바와 같이, 종래의 전계방출형 표시소자는 기판(11) 상에 스퍼터링이나 증착법에 의해 도전성 물질을 코팅하여 형성한 캐소드전극(12)과, 상기 캐소드전극(12) 위에 전자방출물질을 도포시켜 형성한 에미터(13)와, 전자방출량을 조절하는 게이트전극(22)과, 상기 게이트전극(22)과 에미터(13)와의 간격을 유지하기 위한 립(rib)(21)과, 방출된 전자가 형광체(31)을 때려 빛을 발광시키는 아노드부(30)로 구성된다.

또한, 게이트전극(22)에 가해진 전압에 의해 캐소드(12)로부터 전자가 방출되며 방출된 전자가 아노드부(30)에 있는 형광체(31)와 충돌하여 빛을 발하는 형태이다.

이때, 상기 게이트전극(22)와 에미터(13))간의 거리에 의해 구동전압이 결정되며 간격이 가까울수록 구동전압은 감소하게 된다.

상기와 같은 구성으로 이루어지는 전계방출형 표시소자를 제작하기 위한 기본공정은 우선, 소다라임 글래스를 모재로 하는 기판(11) 위에 Cr, Al, Cu, Au, Ag, Pt등의 도전체 재료를 증착법(evaporation)이나 스퍼터링(sputtering), 화학증착(CVD), 또는 스크린 프린팅법 등을 이용하여 도포한 다음 사진 식각법이나 기타 방법으로 패턴을 형성하여 캐소드(12)를 형성시키고, 그 위에 다시 탄소 나노튜브 등과 같은 전자방출재료를 직접 성장시키거나 프린팅법으로 도포하여 에미터(13)를 형성한다.

상기 에미터(13)를 형성하게 되는 탄소 나노튜브는 직경이 수십 나노미터에서 수백 나노미터의 크기로서 튜브팁의 예리한 형상으로 인하여 적은 전압에서도 전자가 쉽게 방출하는 경향을 가지고 있다.

그리고, 상기 캐소드전극(12)과 에미터(13)를 형성한 후에 일정높이 이격시켜 게이트전극(22)을 형성하게 되는데, 이때 상기 게이트전극(22)과 에미터(13) 사이의 적정간격을 조절하기 위하여 립(rib)(21)을 형성하게 된다.

상기 립(21)은 절연체 재질로서, 직접 프린팅을 하거나 또는 일정한 두께로 성형되어진 립(21)을 직접 삽입시키게 된다.

그러나, 상기와 같이 립(21)을 직접 기판(11)에 프린팅 할 경우에는 프린팅의 특성상 정밀도의 저하로 인하여 균일한 높이를 확보하기 어렵게 되고, 이로 인해서 구동게이트 전압을 안정적으로 유지할 수 없게 되는 문제점을 갖게 된다.

또한, 립(21)을 성형하여 별개로 삽입하는 경우에도 제조공정의 어려움과 별도의 게이트전극을 설치해야 하므로 공정상의 어려움이 따르게 된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 일정한 두께의 마이크로 글래스에 일정개소 전자빔 통과공을 형성시키고, 상부에 게이트전극을 패터닝하여 일체화되도록 함으로써, 균일한 구동전압을 얻게 되어 휘도 특성이 향상되고, 제조공정을 단순화할 수 있도록 하는 전계방출형 표시소자의 립/게이트전극 일체형 구조를 제공하는데 목적이 있다.

도 1은 종래의 전계방출형 표시소자의 분해상태를 보인 개략 사시도.

도 2는 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조를 보인 개략사시도.

도 3은 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조의 제조공정도.

도 4는 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조의 다른 제조공정도.

도 5는 본 발명에 따른 일실시 예를 보인 개략도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

11: 기판 12: 캐소드전극

13: 에미터 21: 립

22: 게이트전극 22a: 게이트 홀

30: 아노드부 31: 형광체

32: 아노드 전극 120: 립/게이트전극 일체형 구조

121: 평판형 립 121a: 전자빔 통과공

122: 게이트전극 122a: 게이트 홀

127: 고분자 PR: 포토레지스트

140: 립/그리드전극 일체형 구조 141: 평판형 립

141a: 전자빔 통과공 141b: MgO박막

142: 그리드전극 142a: 그리드 홀

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법은, 평판형 립의 표면에 포토레지스트(photo resist)를 코팅하고 패터닝하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공을 식각하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에서 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 전자빔 통과공 내부에 산과 열에 강한 고분자를 채워 건조시키는 단계와; 상기 평판형 립의 표면을 연마하여 평탄화하는 단계와; 상기 평판형 립의 표면에 게이트전극을 코팅하는 단계와; 상기 게이트전극의 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 단계와; 상기 게이트전극의 표면에 산을 이용하여 게이트 홀을 식각하는 단계와; 상기 전자빔 통과공에 채워져 있던 고분자 및 포토레지스트를 제거시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

그리고, 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법의 또 다른 특징으로는, 평판형 립의 표면에 게이트전극을 코팅하는 단계와; 상기 게이트전극 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝 하는 단계와; 상기 게이트전극 표면에 산 용액을 사용하여 게이트 홀을 식각 하는 단계와; 상기 게이트전극 표면에서 PR을 제거하는 단계와; 상기 평판형 립의 이면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝 하는 단계와; 상기 평판형 립의 이면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공을 식각하는 단계와; 상기 평판형 립의 이면에서 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조를 보인 개략 사시도 이다.

동 도면에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조(120)는 전자빔 통과공(121a)이 일정개소에 형성되도록 한 평판형 립(121)과, 상기 평판형 립(121) 상부 면에 전자방출량을 조절하도록 된 게이트전극(122)을 스퍼터링이나 증착법에 의해 코팅하여 일체화하는 구성으로 이루어진다.

상기 평판형 립(121)은 마이크로 글래스 재질을 사용하고, 일정개소에 전자빔 통과공(121a)이 형성된다.

그리고, 상기 게이트전극(122)은 전자빔 통과공(121a)과 대면되는 위치에 다수의 게이트의 홀(122a)들이 형성되어진다.

상기와 같은 구성으로 이루어지는 립/게이트전극 일체형 구조(120)는 에미터(미도시)와 게이트전극(122)의 간격을 일정하게 유지시킬 수 있어 구동전압을 균일하게 하여 휘도를 향상시킴과 동시에, 평판형 립(121)과 게이트전극(122)을 일체화함으로써, 제조공정을 단순화할 수 있게 된다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조의 제조공정에 대해 자세히 설명한다.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조전극의 제조공정도를 나타낸 것으로서, 일체형 구조를 만들기 위한 두 가지 다른 방법을 이용한 제조공정을 보인다.

상기 도 3의 (a)~(i)에서 보여지는 바와 같이 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조의 제조공정은, 우선, 평판형 립(121)의 표면에 포토레지스트(PR1)를 코팅하고 패터닝하는 제 1 단계(a)와; 상기 평판형 립(121)의 표면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공(121a)을 식각하는 제 2 단계(b)와; 상기 평판형 립(121)의 표면에서 포토레지스트(PR1)를 제거하는 제 3 단계(c)와; 상기 전자빔 통과공(121a) 내부에 산과 열에 강한 특성을 갖는 고분자(127)를 채워 건조시키는 제 4 단계(d)와; 상기 평판형 립(121)의 표면의 고분자를 연마하여 평탄화하는 제 5 단계(e)와; 상기 평판형 립(121)의 표면에 게이트전극(122)을 코팅하는 제 6 단계(f)와; 상기 게이트전극(122)의 표면에 포토레지스트(PR2)를 코팅하고 패터닝하는 제 7 단계(g)와; 상기 게이트전극(122)의 표면에 산을 이용하여 게이트 홀(122a)을 식각하는 제 8 단계(h)와; 상기 전자빔 통과공(121a)에 채워져 있던 고분자(127) 및 포토레지스트(PR2)를 제거시키는 제 9 단계(i)를 포함하여 이루어진다.

상기 평판형 립(121)은 마이크로 글래스 또는 세라믹 재질로 이루어진다.

그리고, 상기 평판형 립(121)의 전자빔 통과공(121a)에 채워지는 고분자(127)의 재질로는 폴리이미드 등이 사용된다.

또한, 상기 게이트전극(122)의 재료는 Cr, Al, Cu, Ni, Au, Ag, Pt, Nb 등의도전체를 사용하게된다.

도 4의 (a)~(g)는 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조의 다른 제조공정을 나타낸 것으로서, 평판형 립(121)의 표면에 게이트전극(122)을 코팅하는 제 1 단계(a)와; 상기 게이트전극(122) 표면에 포토레지스트(PR3)를 코팅하고 패터닝 하는 제 2 단계(b)와; 상기 게이트전극(122) 표면에 산 용액을 사용하여 게이트 홀(122a)을 식각 하는 제 3 단계(c)와; 상기 게이트전극(122) 표면에서 포토레지스트(PR3)를 제거하는 제 4 단계(d)와; 상기 평판형 립(121)의 이면에 포토레지스트(PR4)를 코팅하고 패터닝 하는 제 5 단계(e)와; 상기 평판형 립(121)의 이면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공(121a)을 식각하는 제 6 단계(f)와; 상기 평판형 립(121)의 이면에서 포토레지스트(PR4)를 제거하는 제 7 단계(g)를 포함하여 이루어진다.

상기 게이트전극(122)은 산 용액에 강한 Au, Pt 등의 재료를 사용하고 그에 맞는 에칭용액을 이용하여 게이트 홀(122a)을 형성시킨다.

상기와 같은 제조고정에 의해 완성된 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조(120)는 하기 도 5내지 도8에서 보여지는 바와 같이 다양한 형태의 전계방출형 표시소자를 구현하게 된다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 립/게이트전극 일체형 구조를 이용한 전계방출형 표시소자에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.

도 5는 본 발명에 따른 일실시 예를 보인 개략도로서, 일체형 게이트전극을 이용하여 삼 전극형태의 전계방출형 표시소자를 구현한 것이다.

동 도면에서 보여지는 바와 같은 전계방출형 표시소자는 우선, 기판(111) 상에 스퍼터링이나 증착법에 의해 캐소드전극(112)을 형성한다.

그리고, 상기 캐소드전극(112) 위에 전자방출물질을 도포시켜 에미터(113)를 형성한다.

이후, 상기 에미터(113) 상부에 전자빔 통과공(121a)이 위치되도록 립/게이트전극 일체형 구조(120)를 적층한다.

그리고, 상기 립/게이트전극 일체형 구조(120)를 통과한 전자가 형광체(131)에 부딪쳐 빛을 발광하도록 된 아노드부(130)를 포함하여 구성된다.

그리고, 상기 아노드부(130)는 아노드 전극(132)과, 상기 아노드 전극(132) 저면에 형성되어 전자빔과 충돌하여 빛을 발광시키도록 된 형광체(131)로 구성된다.

상기와 같은 구성으로 이루어지는 전계방출형 표시소자는 글래스 재질의 기판(111) 상에 캐소드전극(112)이 코팅되고, 상기 캐소드전극(112) 상에 전자방출 물질인 탄소나노 튜브를 직접 형성시키거나 프린팅하여 에미터(113)를 형성하도록 된다.

그리고, 상기 에미터(113)가 형성된 캐소드전극(112) 위에 본 발명의 립/게이트전극 일체형 구조(120)을 적층시켜 균일한 높이를 유지할 수 있도록 하는 삼 전극형태의 전계방출형 표시소자를 형성하게 된다.

본 발명은 전자빔 통과공이 일정개소에 형성되도록 한 평판형 립과, 상기 평판형 립 상부 면에 전자방출량을 조절하도록 된 게이트전극을 스퍼터링이나 증착법에 의해 코팅하여 립/게이트전극 일체형 구조를 제공하게 됨으로써, 제조공정을 단순화시킬 수 있어서 작업효율을 증가시키는 효과를 갖게되고, 평판형 립을 사용하여 에미터와 게이트전극 사이 거리를 일정하게 유지할 수 있게 되어 결국 균일한 구동전압을 얻게 되어 디스플레이 제품의 균일한 휘도를 발휘할 수 있게되는 효과가 있다.

Claims (17)

1. 전자방출재료가 도포된 캐소드, 전자를 인출하고 조절하는 게이트, 그리고 형광체가 도포된 아노드로 구성된 전계방출형 디스플레이 소자에 있어서,

   상기 게이트 전극과 에미터와 게이트의 간격을 유지하는 립을 일체화시키도록 하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 게이트 전극재료는 Cr, Ni, Al, Au, Ag, Pt, Nb등의 전도성재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터와 게이터의 간격을 유지하는 재료는 마이크로 글래스 또는 세라믹 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 일체형 구조의 제조공정 중에 폴리이미드와 같은 고분자 재료를 글래스 홀에 메꿔 게이트 막을 코팅하도록 된 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조.
5. 제 1항에 있어서,

   MgO등이 원뿔형태의 홀에 코팅된 마이크로 글래스 위에 인출전극을 일체화 시킨 구조체를 이용하여 4전극형태의 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조.
6. 전계방출형 표시소자에 있어서,

   평판형 립의 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 단계와;

   상기 평판형 립의 표면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공을 식각하는 단계와;

   상기 평판형 립의 표면에서 포토레지스트를 제거하는 단계와;

   상기 전자빔 통과공 내부에 산과 열에 강한 고분자를 채워 건조시키는 단계와;

   상기 평판형 립의 표면을 연마하여 평탄화하는 단계와;

   상기 평판형 립의 표면에 게이트전극을 코팅하는 단계와;

   상기 게이트전극의 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 단계와;

   상기 게이트전극의 표면에 산을 이용하여 게이트 홀을 식각하는 단계와;

   상기 전자빔 통과공에 채워져 있던 고분자 및 포토레지스트를 제거시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 게이트전극의 재료는 Cr, Ni, Al, Au, Ag, Pt, Nb 등의 전도성이 있는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법.
8. 제 6항에 있어서,

   상기 평판형 립의 재료는 마이크로 글래스 또는 세라믹 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법.
9. 제 6항에 있어서,

   상기 평판형 립의 전자빔 통과공에 고분자 재료를 메꾸고 난 후 표면에 게이트전극이 코팅되도록 하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법.
10. 제 6항에 있어서,

    상기 평판형 립은 에미터와 대응되는 면에 전자빔 통과공이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조 제조방법.
11. 전계방출형 표시소자에 있어서,

    평판형 립의 표면에 게이트전극을 코팅하는 단계와;

    상기 게이트전극 표면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝 하는 단계와;

    상기 게이트전극 표면에 산 용액을 사용하여 게이트 홀을 식각 하는 단계와;

    상기 게이트전극 표면에서 포토레지스트를 제거하는 단계와;

    상기 평판형 립의 이면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝 하는 단계와;

    상기 평판형 립의 이면에 산 용액을 사용하여 전자빔 통과공을 식각하는 단계와;

    상기 평판형 립의 이면에서 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 립/게이트전극 일체형 구조의 제조방법.
12. 기판 상에 스퍼터링이나 증착법에 의해 캐소드전극을 형성하는 단계와;

    상기 캐소드전극 위에 전자방출물질을 도포시켜 에미터를 형성하는 단계와;

    상기 에미터 상부에 전자빔 통과공이 위치되도록 립/게이트전극 일체형 구조를 적층하는 단계와;

    상기 립/게이트전극 일체형 구조를 통과한 전자가 부딪쳐 빛을 발광시키도록 하는 아노드부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
13. 기판 상에 스퍼터링이나 증착법에 의해 캐소드전극을 형성하는 단계와;

    상기 캐소드전극 위에 전자방출물질을 도포시켜 에미터를 형성하는 단계와;

    상기 에미터 상부에 전자빔 통과공이 위치되도록 립/게이트전극 일체형 구조를 적층하는 단계와;

    상기 립/게이트전극 일체형 구조의 상면에 립/그리드전극 일체형 구조를 적층하는 단계와;

    상기 립/그리드전극 일체형 구조를 통과한 전자가 부딪쳐 빛을 발광시키도록 하는 아노드부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
14. 기판 상에 일정깊이 식각홈을 형성하는 단계와;

    상기 식각홈에 스퍼터링이나 증착법에 의해 캐소드전극을 형성하는 단계와;

    상기 캐소드전극 위에 전자방출물질을 도포시켜 에미터를 형성하는 단계와;

    상기 에미터 상부에 게이트 홀이 위치되도록 립/게이트전극 일체형 구조를 뒤집어 적층하는 단계와;

    상기 립/게이트전극 일체형 구조를 통과한 전자가 부딪쳐 빛을 발광시키는 아노드부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
15. 기판 상에 일정깊이 식각홈을 형성하는 단계와;

    상기 식각홈에 스퍼터링이나 증착법에 의해 캐소드전극을 형성하는 단계와;

    상기 캐소드전극 위에 전자방출물질을 도포시켜 에미터를 형성하는 단계와;

    상기 에미터 상부에 게이트 홀이 위치되도록 립/게이트전극 일체형 구조를뒤집어 적층하는 단계와;

    상기 립/게이트전극 일체형 구조의 상면에 립/그리드전극 일체형 구조를 적층하는 단계와;

    상기 립/그리드전극 일체형 구조를 통과한 전자가 부딪쳐 빛을 발광시키도록 하는 아노드부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
16. 제 13항 내지 제15항에 있어서,

    상기 립/그리드전극 일체형 구조는 평판형 립의 일정개소에 원뿔 형태의 전자빔 통과공이 형성되고, 상기 평판형 립 표면에 도전성 재질의 그리드전극을 코팅하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.
17. 제 16항에 있어서,

    상기 원뿔 형태의 전자빔 통과공 내면에 2차 전자방출계수가 높은 MgO박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자의 제조방법.