KR20040070753A

KR20040070753A - 반도체 공정용 가스세정장치

Info

Publication number: KR20040070753A
Application number: KR1020030006942A
Authority: KR
Inventors: 김태훈
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2003-02-04
Filing date: 2003-02-04
Publication date: 2004-08-11
Also published as: KR100501525B1

Abstract

본 발명은 반도체 공정용 가스세정장치에 관한 것이다.

본 발명의 가스스크러버는, 내부에 히터튜브가 설치되고 상부 외측으로 가스유입구가 설치된 버닝챔버와; 상기 버닝챔버의 하부로 연결되는 내부에 흡수재가 설치되고, 일측면에 노즐과, 타면에 가스배출구, 하면에 물배출구가 설치된 습식챔버와; 상기 가스배출구와 연결되는 배기관 상에 설치되어 물과 가스를 분리하는 수액분리기로; 구성되는 것을 특징으로 한다. 따라서 가스배출구의 배기관 상에 수액분리기를 설치함으로써, 베이퍼화된 유해가스가 배출되는 것을 방지하여 배기관의 잦은 교체를 방지하여 경제적인 이득을 가져오는 효과가 있다.

Description

반도체 공정용 가스세정장치{GAS SCRUBBER DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}

본 발명은 반도체 제조 공정에서 사용하는 가스세정장치에 관한 것으로써, 반도체 생산 장비에서 배출되는 폐가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 공정에서 베이퍼화되는 유해가스가 배출되는 것을 방지한 반도체 공정용 가스세정장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 부품의 제조공정, 각종 산업 현장에서 발생되어 배출되는 폐가스가 소정농도 이하로서 정화되지 않은 상태로 대기중으로 방출되는 경우 심각한 대기 및 환경오염을 초래하게 되므로, 이러한 폐가스는 가스 스크러버 방식을 이용하여 세정하고 있다.

이 때, 가스 스크러버는 여러 가지의 유해가스중 수용성 가스들을 물에 용해시켜 처리하는 습식타입(wet type gasscrubber), 가연성 가스를 연소시켜 처리하는 버닝타입(burning type gas scrubber), 히터에 의해 폐가스를 직접 산화시키며, 산화가스에 살수기를 이용하여 분사시킴에 따라 산화가스에 함유된 파우더(power)를 분리시키는 습식 및 버닝타입, 흡착제를 이용하여 VAN DER WAALS의 힘으로 유해한 가스를 제거하는 흡착방식, 촉매방식 등이 사용되어지고 있다.

여기서 도 1은 종래의 반도체 공정용 가스세정장치에서 습식 및 버닝타입의 가스스크러버를 개략적으로 도시한 구성도이다.

가스스크러버(1)는 상부에 버닝챔버(20)와 하부에 습식챔버(30)로 크게 구성된다.

버닝챔버(20)의 상측에는 가스가 유입되는 가스유입구(22)가 설치되고, 내부에는 히터튜브(24)가 설치된다. 그리고 버닝튜브(20)의 하부로 습식챔버(30)가 설치된다.

습식챔버(30)는 일측에 물이 분사되는 노즐(32)이 설치되고, 타측면에는 가스가 배출되는 가스배출구(34)와, 하면에 물이 배출되는 물배출구(36)가 설치된다.

가스배출구(34)에는 배기관(35)이 연결 설치된다.

그리고 습식챔버(30)의 내부에는 물과 반응하여 수용성 가스를 걸러내는 흡수재(38)가 설치된다.

작동은, 버닝챔버(20)에서 가스유입구(22)로 유입된 가스를 히터튜브(24)에서 700℃ 이상으로 가열하여 태우고, 태워지지 않은 수용성 가스는 습식챔버(30)로 이동된다. 습식챔버(30)에서는 노즐(32)에서 유입되는 물과 가스를 흡수재(38)에서 걸러내어 물은 물배출구(36)로 빠지고, 가스는 가스배출구(34)로 배출된다.

그러나 버닝챔버에서 가열된 가스가 습식챔버를 거치면서 다량의 베이퍼(vapor)를 발생시켜 배기가스와 함께 배출된다. 이는 가스배출구으로 이어지는 배기관의 부식으로 잦은 교체를 하여야 하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 바와 같은 결점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 베이퍼화된 유해가스가 배출되는 것을 방지하여 배기관의 잦은 교체를 방지한 반도체 공정용 가스세정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 습식 및 버닝타입의 가스스크러버가 구비된 반도체 공정용 가스세정장치에 있어서; 상기 가스스크러버는, 내부에 히터튜브가 설치되고 상부 외측으로 가스유입구가 설치된 버닝챔버와; 상기 버닝챔버의 하부로 연결되는 내부에 흡수재가 설치되고, 일측면에 노즐과, 타면에 가스배출구, 하면에 물배출구가 설치된 습식챔버와; 상기 가스배출구와 연결되는 배기관 상에 설치되어 물과 가스를 분리하는 수액분리기로; 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치를 제공한다.

본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

도 1은 종래의 반도체 공정용 가스세정장치의 개략적인 구성도이고,

도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 가스세정장치의 구성도이고,

도 3은 본 발명에 따른 수액분리기의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 가스스크러버 20 : 버닝챔버

22 : 가스유입구 24 : 히터튜브

30 : 습식챔버 32 : 노즐

34 : 가스배출구 35 : 배기관

36 : 물배출구 38 : 흡수재

40 : 수액분리기 42 : 냉각챔버

43 : 냉각수유입구 44 : 냉각수배출구

45 : 고정브레이드 46 : 모터

47 : 회동축 48 : 회동브레이드

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 가스세정장치의 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 수액분리기의 단면도이다.

종래와 동일 부품에 대해서는 동일 번호를 부여하였다,

도 2에 도시된 바와 같이 반도체 공정용 가스세정장치에서 습식 및 버닝타입의 가스스크러버(1)는 버닝챔버(20)와 습식챔버(30), 수액분리기(40)로 크게 구성된다.

가스스크러버(1)의 내측 상부에 위치하는 버닝챔버(20)는 외부로 돌출되어 가스가 유입되는 가스유입구(22)가 상면에 설치되고, 내부에는 700℃로 가스를 가열하는 히터튜브(24)가 설치된다.

그리고 버닝챔버(20)의 하부로 설치되는 습식챔버(30)는 일측에 물이 분사되는 노즐(32)이 설치되고, 타측면에는 가스가 배출되는 가스배출구(34)와, 하면에 물이 배출되는 물배출구(36)가 설치된다. 그리고 습식챔버(30)의 내부에는 물과 반응하여 물과 가스를 걸러내는 흡수재(38)가 설치된다.

여기서 본 발명의 특징에 따라 가스배출구(34)와 연결되는 배기관(35)상에 수액분리기(40)가 설치된다. 또한 수액분리기(40)의 하부로 이어지는 배기관(35)은 물배출구(36)와 연통한다.

수액분리기(40)는 냉각수가 순환을 이룰 수 있도록 원통면 전체를 감싸는 2중의 냉각챔버(42)가 설치되고, 냉각챔버(42)의 하면에 냉각수유입구(43)와 냉각수배출구(44)가 형성된다.

그리고 냉각챔버(42)의 내주면을 따라 일정 간격 이격된 다수개의 고정브레이드(45)가 설치되고, 냉각챔버(42)와 일체의 고정브레이드(45)는 수직면으로도 다수개 설치되어 냉각챔버(42)와 연통된다. 고정브레이드(45)는 상방으로 대략 15°로 향하도록 설치된다.

그리고 냉각챔버(42)의 내부 공간에 회동축(47)이 설치된다. 회동축(47)은 외부 일단에 모터(46)가 설치되고, 회동축(47) 상에는 원주상과 수직 방향으로 다수개의 회동브레이드(48) 설치된다. 회동브레이드(48)는 하방으로 대략 15°로 향하게 설치되며, 대응하는 고정브레이드(45)의 사이사이에 위치하도록 설치된다.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 공정용 가스세정장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

버닝챔버(20)에서 가스유입구(22)로 유입된 가스를 히터튜브(24)에서 700℃ 이상으로 가열하여 태우고, 태워지지 않은 수용성 가스는 습식챔버(30)로 이동된다. 습식챔버(30)에서는 노즐(32)에서 유입되는 물과 반응하여 흡수재(38)에서 수용성 가스를 분리하게 된다. 분리된 물은 물배출구(36)로 빠지고, 가스는 가스배출구(34)로 배출된다. 이 때 습식챔버(30)를 거치면서 다량의 베이퍼를 함유한 배기가스는 배기관(35)의 수액분리기(40)를 거치게 된다.

수액분리기(40)의 냉각수유입구(43)를 통하여 유입된 냉각수는 냉각챔버(42)를 순환하여 냉각수배출구(44)로 배출된다. 이 때 냉각수는 각 고정브레이드(45)로도 순환되며, 동시에 모터(46)에 의한 회동축(47)도 회동브레이드(48)와 같이 회동한다.

상기와 같이 고정브레이드(45)의 사이에 위치하여 서로 반대 방향의 각도를 가지는 회동브레이드(48)의 회동은 각 브레이드 사이로 베이퍼화된 배기가스가 머물게 된다. 따라서 고정브레이드(45)에 머무는 시간이 길어진 수용성의 가스는 냉각되어 액체 상태로 변환된다.

액화된 물은 물배출관(36)과 합류된 배기관(35)을 통하여 배출되며, 가스도 배기관(35)을 통하여 배출된다.

따라서, 수액분리기(40)로 하여 베이퍼를 함유한 배기가스를 물과 가스로 분리하여 배출함으로서, 배기관의 부식을 방지한다.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시 예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 공정용 가스세정장치는, 가스배출구의 배기관 상에 수액분리기를 설치함으로써, 베이퍼화된 유해가스가 배출되는 것을 방지하여 배기관의 잦은 교체를 방지하여 경제적인 이득을 가져오는 효과가 있다.

Claims

습식 및 버닝타입의 가스스크러버가 구비된 반도체 공정용 가스세정장치에 있어서;

상기 가스스크러버는,

내부에 히터튜브가 설치되고 상부 외측으로 가스유입구가 설치된 버닝챔버와;

상기 버닝챔버의 하부로 연결되는 내부에 흡수재가 설치되고, 일측면에 노즐과, 타면에 가스배출구, 하면에 물배출구가 설치된 습식챔버와;

상기 가스배출구와 연결되는 배기관 상에 설치되어 물과 가스를 분리하는 수액분리기로; 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.
제 1 항에 있어서,

상기 수액분리기는, 냉각수가 순환되도록 원통형 내측면 전체에 설치되고, 하면에 냉각수유입구와 냉각수배출구가 형성된 냉각챔버와; 상기 냉각챔버의 내주면에 일정 간격 이격 설치된 다수개의 고정브레이드와;

상기 냉각챔버의 내부 공간에 설치되어 일단의 모터에 의하여 회동하는 회동축과; 상기 회동축의 원주상에 다수개 설치되는 회동브레이드로; 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.
제 1 항에 있어서,

상기 고정브레이드는 상방으로 대략 15°로 향하게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.
제 1 항에 있어서,

상기 회동브레이드는 하방으로 대략 15°로 향하게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.
제 1 항에 있어서,

상기 회동브레이드는 상기 고정브레이드의 사이사이에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.
제 1 항에 있어서,

상기 수액분리기의 하부로 연결된 배기관에 물배출구가 합류하여 서로 연통 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스세정장치.