KR20040056174A - Non-conductive adhesive composition including silicon intermediate for flip-chip interconnection - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A nonconductive adhesive composition containing a silicone intermediate for flip-chip bonding is provided, to improve adhesion reliance, weather resistance, moisture resistance, smear fastness, thermal stability and adhesive strength. CONSTITUTION: The nonconductive adhesive composition comprises 100 parts by weight of an insulating adhesive resin pretreated for removing moisture and volatile impurities; 1-80 parts by weight of a nonconductive filter for improving a thermal stability by lowering a thermal expansion coefficient; and 1-20 parts by weight of a silicone intermediate. Preferably the silicone intermediate is a low molecular weight intermediate having a hydroxyl group, is represented by the formula 1, and has an average molecular weight of 1,000-2,000 and a OH content of 3-5 %, wherein R is a hydrocarbon group of C1-C30.

Description

실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물{Non-conductive adhesive composition including silicon intermediate for flip-chip interconnection}Non-conductive adhesive composition including silicon intermediate for flip-chip interconnection

본 발명은 플립 칩(flip chip) 본딩용 비도전성 접착제에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비솔더 범프(bump)를 갖는 IC, LSI 등의 반도체 소자를 금속 전극이 표면에 형성된 기판에 전기적, 기계적으로 접속하는 경우, 특히 플립 칩 실장하는 경우에 적합한 비도전성 접착제 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-conductive adhesive for flip chip bonding, and more particularly to a semiconductor device such as an IC or LSI having a non-solder bump on an substrate on which a metal electrode is formed. The present invention relates to a nonconductive adhesive composition suitable for connecting, in particular for flip chip mounting.

리드프레임, 유리 또는 에폭시 기판 등 금속 전극이 표면에 형성된 회로기판에 IC, LSI 등의 반도체 소자를 전기적, 기계적으로 연결시키는 방법으로서, 플립 칩 본딩(flip-chip bonding) 기술에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 플립 칩 본딩에 있어서, 기판과 반도체 소자를 접착하는 접착제로는 도전성 접착제 또는 비도전성 접착제가 사용되고 있다. 도전성 접착제는 도전성 입자와 절연 접착제 수지를 혼합한 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive)와 등방성 도전 접착제(isotropic conductive adhesive)로 구분된다. 한편, 비도전성 접착제는 반도체 소자와 기판을 물리적으로 접착하는 기능만을 하며, 이들의 전기적 접속은 반도체 소자에 형성된 스터드 범프와 기판 전극이 직접 연결되어 이루어진다. 이와 같은 비도전성 접착제는 고가의 도전성 입자를 포함하지 않으므로, 제조비용이 저렴한 장점이 있다.As a method of electrically and mechanically connecting semiconductor devices such as IC and LSI to a circuit board on which a metal electrode such as a lead frame, glass or epoxy substrate is formed on the surface, research on flip-chip bonding technology has been actively conducted. ought. In flip chip bonding, a conductive adhesive or a non-conductive adhesive is used as an adhesive for bonding a substrate and a semiconductor element. The conductive adhesive is classified into an anisotropic conductive adhesive and an isotropic conductive adhesive in which conductive particles and an insulating adhesive resin are mixed. On the other hand, the non-conductive adhesive has only a function of physically bonding the semiconductor element and the substrate, and their electrical connection is made by directly connecting the stud bump and the substrate electrode formed on the semiconductor element. Since such a non-conductive adhesive does not contain expensive conductive particles, there is an advantage that the manufacturing cost is low.

도 1은 이와 같은 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩을 수행하기 위해서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 소정 간격으로 접속단자(10)가 형성된 기판(12)의 상부에 주사기(14)를 이용하여 페이스트상의 비도전성 접착제(16)를 도포한다. 다음으로, 반도체칩(20)의 전극(22) 상에 형성된 금(Au) 스터드 범프(24)와 기판(12)에 형성된 접속단자(10)의 간격을 조절한 다음, 반도체칩(20)과 기판(12)을 가열, 압착하면, 비도전성 수지 접착제(16)의 경화가 이루어지며, 반도체칩(20)과 기판(12)이 전기적, 물리적으로 접속된다.1 is a view for explaining a process of flip chip bonding using such a non-conductive adhesive. In order to perform flip chip bonding by using a non-conductive adhesive, as shown in FIG. 1, first, a paste-like non-figure is formed by using a syringe 14 on an upper portion of a substrate 12 on which connection terminals 10 are formed at predetermined intervals. The malleable adhesive 16 is applied. Next, the distance between the gold (Au) stud bump 24 formed on the electrode 22 of the semiconductor chip 20 and the connection terminal 10 formed on the substrate 12 is adjusted, and then the semiconductor chip 20 and When the substrate 12 is heated and pressed, the non-conductive resin adhesive 16 is cured, and the semiconductor chip 20 and the substrate 12 are electrically and physically connected.

이와 같이, 반도체칩과 기판을 접착하는 수지 접착제는 특히 고온에서 접착제 내부 또는 연결 부분에 포함된 수분, 휘발성 불순물 등이 급격히 기화 팽창하지 않아야 한다. 만일 수지 접착제가 고온에서 기화하면, 접착부에 크랙이 발생하고, 이는 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 원인이 된다. 또한, 반도체칩과 기판을 접착하는 종래의 수지 접착제는 일반적으로 수분에 민감하기 때문에, 시간이 경과함에 따라 수분 흡수로 인하여 접속신뢰성, 내후성, 접착강도 등이 저하될 뿐 만 아니라, 열적 안정성이 나쁜 단점이 있다.As such, the resin adhesive that bonds the semiconductor chip and the substrate should not rapidly evaporate, especially at high temperatures, moisture, volatile impurities, etc. contained in the adhesive or in the connection portion. If the resin adhesive vaporizes at a high temperature, cracks occur in the bonding portion, which causes a decrease in the reliability of the semiconductor device. In addition, conventional resin adhesives for bonding semiconductor chips and substrates are generally sensitive to moisture, and as a result, moisture absorption results in poor connection reliability, weather resistance, adhesive strength, and poor thermal stability. There are disadvantages.

따라서 본 발명의 목적은 접속 신뢰성, 내후성, 내습성, 내수성, 열적안정성, 접착강도 등 물리적 특성이 양호한 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a non-conductive adhesive composition for flip chip bonding having good physical properties such as connection reliability, weather resistance, moisture resistance, water resistance, thermal stability, and adhesive strength.

본 발명의 다른 목적은 높은 신뢰성을 가지고 반도체칩과 기판을 접착할 수있을 뿐만 아니라, 경제적으로 제조할 수 있는 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a non-conductive adhesive composition for flip chip bonding, which can not only bond a semiconductor chip and a substrate with high reliability, but also can be economically manufactured.

도 1은 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩하는 과정을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a process of flip chip bonding using a non-conductive adhesive.

도 2는 플립 칩 본딩 과정에서 접착제 조성물을 개재한 반도체칩과 기판에 적용되는 압력 및 온도 조건을 예시하는 그래프.2 is a graph illustrating pressure and temperature conditions applied to a semiconductor chip and a substrate via an adhesive composition during flip chip bonding.

도 3은 본 발명의 일 실시예 및 종래 기술에 따른 비도전성 접착제를 사용한 경우에 있어서, 고온 및 고습 조건에서 반도체칩과 기판 사이의 접속저항의 변화를 도시한 그래프.3 is a graph showing a change in connection resistance between a semiconductor chip and a substrate in a high temperature and high humidity conditions in the case of using a non-conductive adhesive according to an embodiment of the present invention and the prior art.

도 4는 본 발명의 일 실시예 및 종래 기술에 따른 비도전성 접착제를 사용한 경우에 있어서, 열충격 조건에서 반도체칩과 기판 사이의 접속저항의 변화를 도시한 그래프.4 is a graph showing a change in connection resistance between a semiconductor chip and a substrate under thermal shock conditions in the case of using a non-conductive adhesive according to one embodiment of the present invention and the prior art.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 공정을 수행한 절연성 접착제 수지; 열팽창 계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 비도전성 필러; 및 실리콘 중간체를 포함하는 비도전성 접착제 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여, 상기 비도전성 필러의 함량은 1 내지 80 중량부이며, 상기 실리콘 중간체의 함량은 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 상기 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서, 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%인 것이 바람직하다. 또한 상기 전처리 공정은 진공 조건 및 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 절연성 접착제 수지를 가열하여 수행될 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention is an insulating adhesive resin having a pretreatment process for removing moisture and volatile impurities; A non-conductive filler for lowering the coefficient of thermal expansion to improve thermal stability; And a non-conductive adhesive composition comprising a silicone intermediate. Here, with respect to 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, the content of the non-conductive filler is 1 to 80 parts by weight, the content of the silicon intermediate is preferably 1 to 20 parts by weight, the silicon intermediate has a low molecular weight having a hydroxyl group. As an intermediate of, the average molecular weight is 1000 to 2000, the amount of hydroxyl group (OH content) is preferably 3 to 5%. In addition, the pretreatment process may be performed by heating the insulating adhesive resin for 30 minutes to 2 hours at vacuum conditions and 100 to 150 ℃.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 절연성 접착제 수지, 비도전성 필러 및 실리콘 중간체를 포함하며, 필요에 따라 커플링제, 경화제 및/또는 경화촉진제를 더욱 포함할 수 있다.The nonconductive adhesive composition according to the present invention includes an insulating adhesive resin, a nonconductive filler and a silicone intermediate, and may further include a coupling agent, a curing agent and / or a curing accelerator, as necessary.

본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물에 사용되는 절연성 접착제 수지로는 열경화성, 열가소성, 광경화성 수지를 광범위하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는비스페놀-A 에폭시 수지 등의 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 스티렌 수지, 스티렌-부타디엔 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 아미드계 수지, 아크릴레이트계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 에틸렌-비닐 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 수지, 아크릴계 수지 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이와 같은 절연성 접착제 수지는 진공 조건에서 가열 등의 방법으로 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 과정을 거치는 것이 바람직하다. 상기 전처리 과정은 수분 및 휘발성 불순물을 제거할 수 있는 한, 그 조건을 특히 한정하지 않지만, 저압, 바람직하게는 실질적으로 진공 조건에서, 약 100℃ 이상의 온도, 바람직하게는 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 가열하여 전처리를 수행할 수 있다. 이때 상기 전처리 온도가 100℃ 미만이거나 전처리 시간이 30분 미만인 경우에는 접착제 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물을 충분히 제거할 수 없으며, 전처리 온도가 150℃를 초과하거나 전처리 시간이 2시간을 초과하는 경우에는 더 이상의 불순물 제거 효과를 얻을 수 없고, 수지의 열화를 초래하거나 경제적으로 불리할 뿐이다. 또한 상기 절연성 접착제 수지에는 로진, 터빈 수지, 구 마로인딘 수지 등으로 대표되는 점착제, 노화 방지제, 커플링제, 경화제, 경화촉진제 등의 통상의 첨가제를 첨가하여 사용할 수도 있다.As the insulating adhesive resin used in the nonconductive adhesive composition according to the present invention, thermosetting, thermoplastic, and photocurable resins can be widely used. Preferably, epoxy resins such as bisphenol-A epoxy resins, modified epoxy resins, styrene resins, Styrene-butadiene resin, urethane resin, phenol resin, amide resin, acrylate resin, polyimide resin, polyetherimide resin, ethylene-vinyl resin, acrylonitrile butadiene rubber, silicone resin, acrylic resin and the like alone or mixed Can be used. Such insulating adhesive resin is preferably subjected to a pretreatment process of removing moisture and volatile impurities by a method such as heating under vacuum conditions. The pretreatment process does not particularly limit the conditions as long as it can remove moisture and volatile impurities, but at low pressure, preferably substantially vacuum conditions, at a temperature of about 100 ° C. or higher, preferably 100 to 150 ° C., 30 The pretreatment can be carried out by heating for minutes to 2 hours. In this case, when the pretreatment temperature is less than 100 ° C. or when the pretreatment time is less than 30 minutes, water and volatile impurities cannot be sufficiently removed from the adhesive resin, and when the pretreatment temperature exceeds 150 ° C. or the pretreatment time exceeds 2 hours, The above impurity removal effect cannot be obtained, resulting in deterioration of the resin or economic disadvantage. Moreover, the said adhesive adhesive resin can also use and add usual additives, such as an adhesive represented by rosin, a turbine resin, a gumarodine resin, an antioxidant, a coupling agent, a hardening | curing agent, and a hardening accelerator.

본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 유기물인 접착제 수지와 유리, 금속 등과 같은 무기물간의 접착력을 증진시키기 위한 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 커플링제로는 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (2-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyltrimethoxysilane), 3-글리시딜옥시프로필 메틸디에톡시실란 (3-glycidyloxypropyl methyldiethoxysilane) 등의 실란 화합물 및 티탄 화합물을 사용할 수 있으며, 그 사용량은 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 3 내지 5 중량부인 것이 바람직하다. 상기 커플링제의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 3중량부 미만인 경우에는 접착제 수지와 무기물이 충분히 접착되지 않을 우려가 있으며, 5 중량부를 초과하는 경우 커플링제의 접착력 증진효과가 더 이상 배가되지 않는다.The non-conductive adhesive composition according to the present invention may include a coupling agent for enhancing the adhesive force between the organic adhesive resin and inorganic materials such as glass, metal, and the like. As the coupling agent, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (2- (3,4-epoxy cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane) Silane compounds such as 3-glycidyloxypropyl methyldiethoxysilane and titanium compounds may be used, and the amount thereof is preferably 3 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the insulating adhesive resin. When the amount of the coupling agent is less than 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, there is a fear that the adhesive resin and the inorganic material may not be sufficiently adhered. When the amount of the coupling agent exceeds 5 parts by weight, the effect of improving the adhesive strength of the coupling agent is no longer doubled. Do not.

상기 경화제 및/또는 경화촉진제는 상기 절연성 접착제 수지의 경화를 촉진시키기 위한 것으로서, 이미다졸계, 산무수물계, 아민계 경화제 등의 통상적인 경화제를 사용할 수 있고, 그 사용량은 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 10 내지 50 중량부인 것이 바람직하다. 상기 경화제 및/또는 경화촉진제의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 10 중량부 미만인 경우에는 접착제 수지의 경화가 충분히 이루어지지 않아, 접착력, 신뢰성 등의 물성이 저하되는 문제가 있으며, 50 중량부를 초과하면 보관안정성이 저하되는 문제가 있다.The curing agent and / or curing accelerator is for promoting the curing of the insulating adhesive resin, and may be used a conventional curing agent such as imidazole-based, acid anhydride-based, amine-based curing agent, the amount is 100 parts by weight of insulating adhesive resin It is preferably from 10 to 50 parts by weight. When the amount of the curing agent and / or curing accelerator is less than 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, curing of the adhesive resin is not sufficiently performed, resulting in a problem of deterioration of physical properties such as adhesive strength and reliability. If it exceeds, there exists a problem that storage stability falls.

본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물에 포함되는 비도전성 필러는 접착제 조성물의 열팽창계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 것으로서, 상기 목적을 달성하는 한, 특별한 제한 없이 공지된 다양한 필러가 사용될 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 비도전성 필러로는 질화붕소, 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 질화알루미늄, 탄화규소, 활석, 탄산칼슘 등을 예시할 수 있으며, 바람직하게는 이들 중 접착성이 우수하고 이온불순물이 적은 산화규소, 산화알루미늄 등을 사용한다. 비도전성 필러의 형상은 플레이크상, 구상, 부정 형상 등일 수 있고, 균일한 분산성을 고려하면, 페이스트상 접착제인 경우에는 필러의 평균 입경이 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 필름상 접착제인 경우에는 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 비도전성 필러의 배합량은 접착성, 작업성 등의 측면에서, 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 l내지 80중량부가 바람직하고, 상기 중량 범위 내에서 필러의 함량을 다양하게 조절하여 접착제 조성물의 열팽창 계수를 조절할 수 있다. 상기 비도전성 필러의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 1 중량부 미만인 경우에는 접착제 조성물의 열적 안정성이 저하될 우려가 있고, 80 중량부를 초과하는 배합의 경우 고점도이기 때문에 제조 및 취급이 곤란하다.The non-conductive filler included in the non-conductive adhesive composition according to the present invention is to improve the thermal stability by lowering the coefficient of thermal expansion of the adhesive composition, as long as the above object is achieved, various known fillers may be used without particular limitation. Examples of non-conductive fillers that can be used in the present invention include boron nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, aluminum nitride, silicon carbide, talc, calcium carbonate, and the like, and among them, adhesiveness is preferable. Silicon oxide, aluminum oxide, etc. which are excellent and are low in ionic impurities are used. The shape of the non-conductive filler may be flaky, spherical, irregular, or the like. In view of uniform dispersibility, in the case of a paste adhesive, the average particle diameter of the filler is preferably 50 μm or less, and in the case of a film adhesive, the filler It is preferable that the average particle diameter of is 10 micrometers or less. In terms of adhesiveness, workability, etc., the compounding amount of the non-conductive filler is preferably from about 80 parts by weight to 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, and the thermal expansion coefficient of the adhesive composition is variously controlled by adjusting the content of the filler within the above weight range. Can be adjusted. When the amount of the non-conductive filler is less than 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, there is a concern that the thermal stability of the adhesive composition may be lowered, and in the case of the blending exceeding 80 parts by weight, it is difficult to manufacture and handle. .

본 발명에 사용되는 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%이며, 바람직하게는 하기 화학식 1의 구조를 가진다.The silicon intermediate used in the present invention is a low molecular weight intermediate having a hydroxyl group, and has an average molecular weight of 1000 to 2000, an amount of hydroxyl group (OH content) of 3 to 5%, and preferably has the structure of Chemical Formula 1 below.

상기 화학식 1에서, 실리콘 중간체의 치환기 R은 30개 이하의 탄소수를 갖는 탄화수소기(hydrocarbon radical)로서, 예를 들면, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(isopropyl), 부틸(butyl) 등의 알킬(alkyl)류와 비닐(vinyl), 아릴(allyl), 헥세닐(hexenyl), 부테닐(butenyl), 3-옥테닐(3-octenyl) 등의 알케닐(alkenyl)류, 프로피닐(propynyl), 헵티닐(heptynyl), 부티닐(butynyl)등의 알키닐(alkynyl)류, 1-펜텐-3-이닐(1-penten-3-ynyl), 데시닐(decynyl) 등의 알키닐(alkynyl)류, 사이클로부틸(cyclobutyl), 사이클로펜틸(cyclopentyl), 사이클로헥실(cyclohexyl)등의 고리지방족(cycloaliphatic)류, 페닐(phenyl), 토릴(tolyl), 자이닐(xylyl) 등의 아릴(aryl)류, 헵틸(hepthyl), 벤질(benzyl)등의 아랄킬(aralkyl)류 등일 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 실리콘 중간체는 상업적으로 얻을 수 있으며, 예를 들면, 다우 코닝(DOW CORNING)사의 상품명: Z-6018 (OH content 3.9%, 평균분자량=1600, 치환기 R = 페닐 또는 프로필)을 상기 실리콘 중간체로서 사용할 수 있다.In Formula 1, the substituent R of the silicon intermediate is a hydrocarbon radical having 30 or less carbon atoms, for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl Alkyls such as butyl, alkenyl such as vinyl, aryl, hexenyl, butenyl, butenyl, and 3-octenyl Alkynyls, such as propynyl, heptynyl, butynyl, 1-penten-3-ynyl, and decinyl Alkynyls such as alkynyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cycloaliphatic compounds such as phenyl, tolyl and xylyl Aryl such as aryl, aralkyl such as heptyl, benzyl, and the like. Silicone intermediates that can be used in the present invention can be obtained commercially, for example, the trade name of DOW CORNING Corporation: Z-6018 (OH content 3.9%, average molecular weight = 1600, substituent R = phenyl or propyl). It can be used as the silicon intermediate.

상기 실리콘 중간체는 수산화기를 가지고 있으므로, 하기 반응식 1과 같은반응을 통하여 광범위한 종류의 유기물 수지(organic resin) 및 단량체(monomer)와 반응한다. 따라서 상기 실리콘 중간체를 접착제 조성물에 포함시키면, 접착제 조성물의 열적 안정성과 내후성이 증가하게 된다.Since the silicon intermediate has a hydroxyl group, it reacts with a wide range of organic resins and monomers through a reaction as in Scheme 1 below. Therefore, incorporating the silicone intermediate into the adhesive composition increases the thermal stability and weather resistance of the adhesive composition.

≡Si-OH + HO-C≡ → ≡Si-O-C≡ + H2O≡Si-OH + HO-C≡ → ≡Si-OC≡ + H 2 O

상기 실리콘 중간체의 사용량은 절연성 접착제 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하며, 만일 상기 중간체의 사용량이 1 중량부 미만이면 내습성, 내열성의 상승효과가 극히 미미하게 되고, 상기 중간체의 사용량이 20 중량부를 초과하면 수지 접착제의 물성이 저하될 우려가 있다.The amount of the silicone intermediate is preferably 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the insulating adhesive resin, and if the amount of the intermediate is less than 1 part by weight, the synergistic effect of moisture resistance and heat resistance may be extremely small. When the amount of use exceeds 20 parts by weight, the physical properties of the resin adhesive may be lowered.

본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 상기 성분들을 함유하는 것으로서, 필름(film) 또는 페이스트(paste)상으로 제조되어 반도체칩과 기판의 접착에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물 페이스트를 제조하기 위해서는 먼저, 절연성 접착제 수지를 진공상태에서 가열하여, 예를 들면 약 120℃에서 1시간 동안 진공을 걸어, 수지 내에 포함되어 있는 수분 및 휘발성 불순물들을 제거한다. 수분 및 휘발성 불순물이 제거된 절연성 접착제 수지에 비도전성 필러 입자 및 실리콘 중간체를 투입하고 균일하게 혼합한다. 이때 필요에 따라 커플링제, 경화제, 경화촉진제 등을 첨가할 수 있다. 상기 혼합 과정은 고체 성분을 균일하게 분산시키고, 고점도의 조성물을 균일하게 혼합하여야 하므로, 3-롤밀(3-roll mill) 또는 유성믹서(Planetary mixer) 등을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 혼합된 비도전성 접착제 조성물을, 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 주사기(14)에 담아, Au, Cu 등의 금속 스터드 범프(stud bump), Ni, Cu, Au 범프(24) 등이 형성된 반도체칩(20)과 기판(22)의 접착에 사용한다. 이때 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물을 기판과 반도체칩의 사이에 개재시킨 후, 예를 들면 도 2에 도시된 바와 같은 압력 및 온도 조건에서 접착제 조성물을 경화시킴으로서, 기판 상에 반도체칩을 실장할 수 있다.The non-conductive adhesive composition according to the present invention contains the above components, and may be prepared in a film or paste and used for bonding a semiconductor chip and a substrate. In order to prepare the non-conductive adhesive composition paste according to the present invention, first, the insulating adhesive resin is heated in a vacuum state, for example, by vacuum at about 120 ° C. for 1 hour to remove moisture and volatile impurities contained in the resin. do. The non-conductive filler particles and the silicon intermediate are added to the insulating adhesive resin from which moisture and volatile impurities have been removed, and mixed uniformly. At this time, a coupling agent, a curing agent, a curing accelerator, or the like may be added as necessary. Since the mixing process uniformly disperses the solid components and uniformly mixes the high viscosity composition, it is preferable to use a 3-roll mill or a planetary mixer. The non-conductive adhesive composition thus mixed is, for example, contained in a syringe 14, as shown in FIG. 1, to allow metal stud bumps such as Au and Cu, Ni, Cu, and Au bumps 24 to be used. It is used for bonding the semiconductor chip 20 and the substrate 22 on which the back is formed. At this time, the non-conductive adhesive composition according to the present invention is interposed between the substrate and the semiconductor chip, and then, for example, by curing the adhesive composition under pressure and temperature conditions as shown in FIG. Can be.

이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[실시예 1]Example 1

먼저, 액상 비스페놀-A 에폭시 수지(YD-128, 국도화학)를 110℃에서 1시간 정도 진공을 걸어, 수지 내에 포함되어 있는 수분, 휘발성 불순물 등을 제거하는 전처리 공정을 수행한다. 전처리된 수지 100중량부에, 비도전성 필러로서 산화규소(실리카) 10중량부를 투입하고, 3-롤밀을 이용하여 균일하게 분산, 혼합한 다음, 첨가제로서 수산화기를 갖는 실리콘 중간체(Hydroxy-functional silicon, DOW CORNING사, Z-6018) 5중량부, 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란((CH3O)3SiCH2CH2CH2OCH2CHOCH 3 : DOW CORNING사, Z-6040) 커플링제 0.5중량부 및아민계 경화제(AJINOMOTO, PN-23) 20중량부를 넣고, 다시 3-롤밀을 이용하여 충분히 혼합하여 열경화성 비전도성 접착제 수지를 조액하였다. 제조된 비도전성 수지 접착제 페이스트를 주사기에 넣어 플립칩 본딩에 사용하였다.First, a liquid bisphenol-A epoxy resin (YD-128, Kukdo Chemical) is vacuumed at 110 ° C. for about 1 hour to perform a pretreatment step of removing water, volatile impurities, and the like contained in the resin. To 100 parts by weight of the pretreated resin, 10 parts by weight of silicon oxide (silica) was added as a non-conductive filler, uniformly dispersed and mixed using a 3-roll mill, and then a silicon intermediate having a hydroxyl group as an additive (Hydroxy-functional silicon, DOW CORNING, Z-6018) 5 parts by weight, 3-glycidoxypropyltrimethoxy silane ((CH 3 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CHOCH 3 : DOW CORNING, Z-6040) coupling agent 0.5 weight part and 20 weight part of amine-type hardening | curing agents (AJINOMOTO, PN-23) were put, it fully mixed again using the 3-roll mill, and the thermosetting non-conductive adhesive resin was prepared. The prepared non-conductive resin adhesive paste was placed in a syringe and used for flip chip bonding.

[실시예 2]Example 2

상기 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 20중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.A nonconductive resin adhesive paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that 20 parts by weight of the silicon intermediate having the hydroxyl group was used.

[비교예 1]Comparative Example 1

상기 비스페놀-A 액상 에폭시 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물 제거를 위한 전처리 공정을 수행하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.A nonconductive resin adhesive paste was prepared in substantially the same manner as in Example 1, except that the pretreatment process for removing moisture and volatile impurities from the bisphenol-A liquid epoxy resin was not performed.

[비교예 2]Comparative Example 2

상기 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.A nonconductive resin adhesive paste was prepared in substantially the same manner as in Example 1, except that the silicone intermediate having the hydroxyl group was not used.

상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 비전도성 접착제를 FR-4기판(125㎛ 피치)에 도포하고 칩의 금(Au) 스터드 범프(범프수: 296개)와 간격을 맞춘 후, 도 2와 같은 조건으로 가열, 압착하여, 비전도성 접착제를 경화시킴으로서, 범프를 상호 접속하였다. 이렇게 제조된 시편의 접속 저항치를 측정하여, 그 결과를 표 1에 나타내었으며, 또한 고온 고습 조건(85℃, 85% RH 에서 1000시간 방치) 및 열충격 조건(-55℃ 및 125℃ 각 30분씩, 500회 반복)에서 접속저항치의 변화를 측정하여, 신뢰성을 시험하였으며, 그 결과를 표 1, 도 3 및 4에 각각 나타내었다. 도 4에서 진한 실선은 온도를 나타내고, 흐린 실선은 압력을 나타낸다.After applying the non-conductive adhesive prepared according to the above Examples and Comparative Examples on the FR-4 substrate (125㎛ pitch) and aligned with the gold (Au) stud bump (number of bumps: 296) of the chip, Figure 2 and The bumps were interconnected by heating and pressing under the same conditions to cure the nonconductive adhesive. The connection resistance values of the specimens thus prepared were measured, and the results are shown in Table 1, and the high temperature and high humidity conditions (1000 hours at 85 ° C, 85% RH) and the thermal shock conditions (-55 ° C and 125 ° C for 30 minutes each) The change in the connection resistance value was measured at 500 repeats) to test the reliability, and the results are shown in Tables 1, 3 and 4, respectively. In FIG. 4, the dark solid line represents the temperature and the dim solid line represents the pressure.

수지 전처리여부Pretreatment of resin 실리콘 중간체함량 (중량부)Silicon intermediate content (parts by weight) 접속저항(Ω)Connection resistance (Ω) 초기Early 고온고습시험 후After high temperature and humidity test 차이(△)Difference (△) 열충격시험 후After thermal shock test 차이(△)Difference (△) 실시예 1Example 1 OO 55 2.82.8 3.03.0 0.20.2 3.33.3 0.50.5 실시예 2Example 2 OO 2020 2.82.8 3.13.1 0.30.3 3.33.3 0.50.5 비교예 1Comparative Example 1 XX 55 2.92.9 3.53.5 0.60.6 4.74.7 1.81.8 비교예 2Comparative Example 2 OO XX 2.82.8 4.14.1 1.31.3 3.63.6 0.80.8

표 1, 도 3 및 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 초기접속 저항치의 경우 실시예와 비교예가 유사하나, 시편을 고온, 고습 환경에 방치시킨 후에는 비교예 2의 저항치가 현저히 증가함을 알 수 있다. 또한 수분 및 휘발성 불순물을 제거하지 않은 수지를 사용한 비교예 1의 경우, 열충격 시험결과 접속저항치가 크게 증가함을 알 수 있고, 또한 비교예 2의 저항치도 실시예에 비해 증가함을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 비도전성 접착제는 절연성 접착제 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리를 수행하고, 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 첨가함으로서, 내습성, 내후성 및 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 열적 안정성이 뛰어난 신뢰성 있는 범프간 접속을 형성할 수 있음을 알 수 있다.As can be seen from Table 1, Fig. 3 and Fig. 4, the initial connection resistance value is similar to the Example and Comparative Example, but after the specimen is left in a high temperature and high humidity environment, the resistance value of Comparative Example 2 is significantly increased. Can be. In addition, in the case of Comparative Example 1 using a resin that did not remove the moisture and volatile impurities, it can be seen that the connection resistance value is significantly increased as a result of the thermal shock test, and also the resistance value of Comparative Example 2 is also increased compared to the Example. Therefore, the non-conductive adhesive of the present invention performs a pretreatment to remove moisture and volatile impurities from the insulating adhesive resin, and by adding a silicon intermediate having a hydroxyl group, not only excellent moisture resistance, weather resistance and heat resistance, but also excellent thermal stability It can be seen that the connection between the bumps can be formed.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따라 수분 및 휘발성 불순물이 제거된 절연성 접착제 수지를 사용하고, 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 혼합하여 비도전성 수지 접착제를 제조하면, 고온에서 수분 및 휘발성 불순물의 유출에 의한 크랙현상을 방지하여 열적 안정성을 높일 수 있다. 또한, 실리콘 중간체가 수지와 반응하여 수지의 열적 안정성, 내습성 및 내후성이 증가됨으로 인하여, 수분 흡수에 의한 접착 강도의 약화를 방지하여 범프간 접속신뢰성을 높여주는 한편, 내열성을 부여하여, 접촉 저항치의 편차가 극히 작다. 또한 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 고가의 도전 입자들을 포함하지 않으므로 저 비용으로 칩을 실장할 수 있다.As described above, if the non-conductive resin adhesive is prepared by using an insulating adhesive resin from which moisture and volatile impurities have been removed according to the present invention, and a silicon intermediate having a hydroxyl group is mixed, cracks due to the outflow of moisture and volatile impurities at high temperatures are obtained. The thermal stability can be improved by preventing the phenomenon. In addition, since the silicone intermediate reacts with the resin to increase the thermal stability, moisture resistance, and weather resistance of the resin, it prevents the adhesive strength from being absorbed by water absorption, thereby improving connection reliability between bumps, and providing heat resistance, thereby providing contact resistance. The deviation of is extremely small. In addition, since the non-conductive adhesive composition according to the present invention does not include expensive conductive particles, the chip can be mounted at low cost.

Claims (5)

수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 공정을 수행한 절연성 접착제 수지; 열팽창 계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 비도전성 필러; 및 실리콘 중간체를 포함하는 비도전성 접착제 조성물.An insulating adhesive resin which has undergone a pretreatment step of removing water and volatile impurities; A non-conductive filler for lowering the coefficient of thermal expansion to improve thermal stability; And a silicone intermediate. 제1항에 있어서, 상기 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 상기 비도전성 필러의 함량은 1 내지 80 중량부이며, 상기 실리콘 중간체의 함량은 1 내지 20 중량부인 비도전성 접착제 조성물.The non-conductive adhesive composition of claim 1, wherein the content of the non-conductive filler is 1 to 80 parts by weight, and the content of the silicon intermediate is 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the insulating adhesive resin. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서 하기 화학식으로 표현되며, 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%인 것인 비도전성 접착제 조성물.The non-conductive adhesive according to claim 1, wherein the silicon intermediate is represented by the following formula as a low molecular weight intermediate having a hydroxyl group, and has an average molecular weight of 1000 to 2000, and an amount of hydroxyl group (OH content) of 3 to 5%. Composition. 상기 화학식에서, 치환기 R은 30개 이하의 탄소수를 갖는 탄화수소기이다.In the above formula, the substituent R is a hydrocarbon group having up to 30 carbon atoms. 제1항에 있어서, 상기 전처리 공정은 진공 조건 및 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 절연성 접착제 수지를 가열하여 수행되는 것인 비도전성 접착제 조성물.The non-conductive adhesive composition of claim 1, wherein the pretreatment process is performed by heating the insulating adhesive resin for 30 minutes to 2 hours at vacuum conditions and 100 to 150 ° C. 제1항에 있어서, 상기 절연성 접착제 수지는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 스티렌 수지, 스티렌-부타디엔 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 아미드계 수지, 아크릴레이트계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 에틸렌-비닐 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 수지, 아크릴계 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 비도전성 접착제 조성물.The method of claim 1, wherein the insulating adhesive resin is epoxy resin, modified epoxy resin, styrene resin, styrene-butadiene resin, urethane resin, phenol resin, amide resin, acrylate resin, polyimide resin, polyetherimide resin, A non-conductive adhesive composition selected from the group consisting of ethylene-vinyl resins, acrylonitrile butadiene rubbers, silicone resins, acrylic resins and mixtures thereof.
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