KR20040051552A

KR20040051552A - 열 수송 장치, 열 수송 장치의 제조 방법 및 전자디바이스

Info

Publication number: KR20040051552A
Application number: KR1020030090138A
Authority: KR
Inventors: 도노사키미네히로; 오오미모토스케; 가토에이사쿠; 야지마마사카즈; 야지마다카시
Original assignee: 소니 가부시끼 가이샤
Priority date: 2002-12-12
Filing date: 2003-12-11
Publication date: 2004-06-18
Also published as: CN1507038A; US20050092466A1; US20100200200A1; CN100466240C; JP2004190977A

Abstract

본 발명은 소형화나 박형화에 알맞은 열 수송 장치의 제조에 있어서 잔존 가스의 발생을 방지하는 것이다. 열 수송 장치(1)에 있어서, 작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력을 발생하는 위크부 또는 기상 또는 액상의 작동 유체가 흐르는 유로의 표면에 이온 주입, 열산화, 수증기산화 등으로 피복 처리를 실시한다. 이에 따라 잔존 가스, 특히 수소의 발생을 방지할 수 있다.

Description

열 수송 장치, 열 수송 장치의 제조 방법 및 전자 디바이스 {HEAT TRANSPORT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 열 수송 장치나 전자 디바이스(계산용 디바이스나 촬상용 디바이스 등)의 열 수송 기구에 있어서, 유로 등에 잔류하는 잔존 가스 대책의 기술에 관한 것이다.

방열이나 냉각용 전열관(heat pipe)형 디바이스에서는 응축부에 체류하는 산소나 수소 등의 가스를 저감시키기 위한 대책으로서, 표면산화 등의 방법이 알려져 있다(예를 들어 특허문헌1, 특허문헌2를 참조).

또, 최근의 전자 디바이스 기술 및 마이크로머신(micromachine) 기술의 발달에 의해, 소형의 디바이스를 작성하는 것이 가능하게 되어, 반도체 제조 프로세스 등을 이용한, 소위 MEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems) 기술이 착안되어 있다. 그리고, 이 MEMS 기술을 열 수송 장치에 이용하는 연구가 행해지고 있다. 이 배경에는 소형화에 의해 고성능의 전자 기기에 알맞은 열원의 냉각 시스템이 요구되어 있는 것 및 처리 속도 등의 성능 향상이 현저한 CPU(중앙처리장치) 등의 디바이스에서 발생하는 열을 효율적으로 방열시킬 필요성 등을 들 수 있다.

캐필러리 펌프 루프(CPL: Capillary pumped loops)를 이용한 구성에서는 예를 들면, 증발부에서 냉매를 기화시킴으로써 대상물의 열을 빼앗는 동시에, 기화한 냉매를 응축부에서 액체로 되돌리는 사이클이 반복된다(예를 들어 비특허문헌1 참조).

(특허문헌1)

일본 특개평9-273882호 공보(도 1, 도 2)

(특허문헌2)

일본 특개평11-304381호 공보(도 2, 도 3)

(비특허문헌1)

1999년 4월 미국 Society of Automotive Engineers, Inc. 발간, AerospacePower Systems Conference Proceedings의 p.341, p.233-238, Jeffrey Kirshberg, Dorian Liepmann, Kirk L. Yerkes의 「Micro-Cooler for Chip-Level Temperature Control」

그러나, 종래의 장치에서는 하기와 같은 문제가 있다.

예를 들면, 실리콘 기판을 드라이에칭하여, 증발부 위크나 응축부(콘덴서), 유로의 홈 등을 형성한 부재와, 파이렉스(등록상표) 유리에 유로의 홈 등의 패턴을 에칭으로 형성한 부재를 양극 접합한 후, 물을 작동액으로 하여 감압 밀봉한 구성의 디바이스에 있어서, 증발부에 발열부(열원)를 장착하여 CPL 원리에 따라서 동작시키면, 위크, 유로, 응축부의 실리콘 기판 상부 부분이 변색되어 잔존 가스가 발생하고, 포화증기압이 상승하는 현상이 인지되고, 이것이 열 수송에 지장을 초래하여 디바이스의 성능이 저하되거나 파손 등의 원인이 될 우려가 생긴다.

이 잔존 가스의 발생을 저감시키기 위한 유효한 방법이 없는 것이 문제이며, 또, 전열관 등에서 이용되는 방법을 그대로 답습하여 MEMS 기술을 구사한 소형 디바이스에 적용할 수는 없다(예를 들어 장치 크기의 제약을 받는다).

따라서, 본 발명은 소형화나 박형화에 알맞은 열 수송 장치나 전자 디바이스의 열 수송 기구에 있어서, 잔존 가스의 발생을 방지하는 것을 과제로 한다.

도 1은 본 발명에 관한 열 수송 장치의 기본 구성예를 나타내는 개념도이다.

도 2는 본 발명에 관한 열 수송 장치의 기본 구성의 별도 실시예를 나타내는 개념도이다.

도 3은 양극 접합 후에 표면 처리를 행하는 방법의 설명도이다.

도 4는 양극 접합 후에 표면 처리를 행하는 방법의 별도 실시예를 나타내는 설명도이다.

도 5는 양극 접합 전에 표면 처리를 행하는 방법의 공정도이다.

도 6은 표면 연마 및 재처리 공정을 생략한 방법의 공정도이다.

도 7은 접합용 시트를 이용한 방법을 나타내는 공정도이다.

본 발명은 작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력(毛細管力)을 발생하는 위크(wick)부 또는 기상 또는 액상의 작동 유체가 흐르는 유로의 표면에, 잔존 가스(수소 등)의 발생을 방지하기 위한 피복 처리를 실시한 것이다.

따라서, 본 발명에 의하면, 표면의 피복 처리에 의해 잔존 가스가 발생하지 않도록 하거나, 또는 발생량을 저감시킬 수 있다.

본 발명은 복수의 기판을 접합하여 구성되는 본체부를 구비하고, 각 기판에는 위크부(작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력을 발생하는 부분)나, 작동 유체가 흐르는 유로가 형성된 구성을 가지는 열 수송 장치 및 전자 디바이스에 관한 것이다. 예를 들면, 상변화 순환형 열 수송을 이용한 방열, 냉각 시스템 등에 적절하다. 컴퓨터 등의 정보 처리 장치나 휴대형 기기 등에의 적용에서는 열원이 되는 여러 가지 디바이스(예를 들면, CPU나 촬상 디바이스, 발광 디바이스, 소형 하드디스크 드라이브나 광학식 미디어의 드라이브 등에 사용되는 구동 모터, 또는 열적으로 엄격한 조건이 부과되는 액추에이터 등)의 방열 구조나 냉각 구조에 사용하는 것으로, 소형화, 박형화, 고효율화를 실현하는 것이 가능하다.

또, 본 발명에 관한 열 수송 장치의 제조 방법은 위크부나 유로의 내면에 이온 주입 등으로 피복 처리를 실시하는 것으로 잔존 가스의 발생을 방지하기 위한 표면 처리 방법을 제공하는 것이다.

도 1 및 도 2는 열 수송 장치의 기본 구성예를 나타내는 개념도이다. 또한, 여기서「열 수송 장치」에는 발열체로부터 나오는 열을 작동 유체 등으로 전열하기 위한 장치(본체부)가 포함되지만, 넓은 의미로는 발열체나 냉각 수단 또는 방열 수단, 온도 제어 장치 등을 포함한 장치 시스템 전체를 의미하는 것으로 한다.

도 1에 나타낸 예에서 열 수송 장치(1)는 액상의 작동 유체가 증발되는 증발부(2)(증발기부) 및 기상의 작동 유체가 응축되는 응축부(3)(콘덴서부)를 구비하고 있다. 즉, 큰 열 수송량을 얻기 위해서는, 작동액의 증발에 의해서 점선으로 나타내는 발열부(열원)로부터 열을 빼앗음으로써 열을 흡수하는 증발부(2) 및 증발 후에 기체로서 존재하는 기상의 작동 유체를 액체로 상변화시키기 위한 응축부(3)를 구비한 CPL 구조가 바람직하다.

또한, 증발부(2)나 응축부(3)는 작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력을 발생하는 구조(소위 위크)를 가지고 있다(홈, 메쉬, 소결 금속 등이 이용된다). 본 예에서는 위크로서 홈형의 형태가 이용되고 있다. 또, 도면에는 설명의 편의상, 증발부(2)와 응축부(3)를 각각 하나씩 나타내고 있지만, 본 발명의 적용에 있어서, 양자의 수가 1대1로 한정되는 것이 아니고, 어떤 응축부에 대하여 복수의 증발부를 설치하거나, 어떤 증발부에 대하여 복수의 응축부를 설치하는 각종 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.

열 수송 장치(1)는 증발부(2)와 응축부(3)를 잇는 유로로서, 액상의 작동 유체가 흐르는 액상로(4)와, 기상의 작동 유체가 흐르는 기상로(5)를 구비하고 있다. 액상로(4)나 기상로(5)로는 튜브나 파이프, 홈, 채널 등을 들 수 있다.

또한, 도면에는 가장 간단한 구성으로서 액상, 기상의 각 유로를 하나씩 설치하고 있지만, 물론 복수의 유로를 이용하더라도 상관없다.

도 2에 나타내는 열 수송 장치(6)는 위크부(7)와 무단(無端)형의 유로(8)를 구비하고, 액상의 작동 유체가 순환되는 루프형의 구성으로 되어 있다. 또한, 유로(8)의 도중에 수송 펌프를 설치한 구성 등이 알려져 있다.

도 1이나 도 2의 구성에서 사용되는 작동 유체로는 예를 들면, 물, 에탄올, 메탄올, 프로판올(이성체를 포함함), 에틸에테르, 에틸렌글리콜, 플루오리너트(fluorinert), 암모니아 등을 들 수 있다.

어떠한 형태에서도, 복수의 기판을 접합한 장치 본체부를 가지는 경우에는 기판 중 어느 하나에 유로를 구성하는 홈이나, 위크부를 구성하는 미소한 요철 등이 형성된다.

예를 들면, 실리콘 기판과 유리 기판(내열 유리)을 접합한 구성에 있어서, 물을 작동 유체로 이용하여 열 수송 장치를 동작시킨 경우에, 상기 한 바와 같이 증발부 등의 위크부나 유로 등이 형성된 실리콘 기판 상부 부분이 변색되어 미량의 잔존 가스가 발생하는 현상이 일어날 수 있다.

실리콘 기판의 산화에 관해서는 분석장치(EDX)를 이용하여 산화부분을 분석한 바, 통상의 자연 산화막 이상으로 피복된 산화막(SiO₂)이 형성되어 있는 것이 측정되었다. 또, 장치(열 수송 디바이스)를 동작시킨 후에 발생하는 가스에 관해서는 수중 치환법으로 잔존 가스를 회수하여 질량분석을 한 결과, 수소인 것이 밝혀졌다. 즉, 유리 기판으로부터 나오는 나트륨(Na) 등의 알칼리 성분이 물과 반응하여 수소가 발생하고, 또, 산소에 의해 실리콘이 산화되는 것으로 추정된다.

따라서, 본 발명에서는 위크부나 유로의 표면에 질화 또는 산화 또 탄화 등에 의하여 피복 처리를 실시함으로써 잔존 가스(특히 수소)의 발생을 방지한다. 또한, 표면 장력 등을 고려한 경우, (1) 질화, (2) 산화, (3) 탄화에 관해서는 이순서로 바람직하지만, 이들에 한정되지 않고 각종 표면 처리 방법을 이용할 수 있다.

장치 본체부를 구성하는 복수의 기판은 양극 접합이나 열 융착 등에 의해 결합된다.

예를 들면, 드라이에칭(DRIE) 장치를 이용하여 실리콘 기판에 홈 폭 30㎛(미크론), 깊이 100㎛ 정도의 위크부나, 깊이 200㎛ 정도의 응축부 등이 가공된다. 또, 내열 유리를 이용한 기판에는 깊이 200㎛, 폭 50㎛ 정도의 유로 패턴이 샌드블라스트에 의해 가공된다.

이 2매의 가공 부품의 접합에는 마이크로머신 기술에서 상용되는 양극 접합이 사용된다. 즉, 각 부품의 면(경면(鏡面))을 맞붙여, 실리콘 기판측에 -500V를 인가하고, 유리 기판 측을 접지(GND)하여, 소정의 온도(400 내지 450℃) 하에서 수분간에 걸쳐 가열하고, 파이렉스(등록상표) 유리로부터 나오는 나트륨 이온에 의해 접합을 완료한다.(이 Na 이온과 물의 반응에 의한 수소 발생이 문제가 된다.)

열 수송 장치의 제조 방법에 있어서, 잔존 가스를 발생시키지 않기 위한 방책에 관해서는, 예를 들면, 하기에 나타내는 형태를 들 수 있다.

(I) 복수의 가공 부품을 양극 접합하는 경우에 있어서, 위크부 또는 유로의 표면에 피복 처리(질화, 산화, 탄화 등의 표면 처리)를 실시하는 형태.

(II) 복수의 가공 부품을 양극 접합 이외의 방법, 예를 들어 열 융착 등에 의해 접합하는 형태.

또한, 형태 (I)에 관해서는 또한, 하기의 형태를 들 수 있다.

(I-1) 복수의 가공 부품을 양극 접합한 후에, 위크부 또는 유로의 표면에 피복 처리를 실시하는 형태.

(I-2) 복수의 가공 부품을 양극 접합하기 전에, 위크부 또는 유로의 표면에 피복 처리를 실시하는 형태.

먼저, 형태 (I-1)에 대해 도 3 및 도 4를 이용하여 설명한다.

도 3에 있어서, 좌측에 도시한 도면은 가공 부품에 대해 표면 처리 전의 상태를 나타내고, 그 우측에 표면 처리 후의 상태를 나타낸다.

본 예에 있어서, 가공 부품(9)은 2매의 기판(9A, 9B)을 이용하여 구성되고, 2층 구조로 되어 있다. 예를 들면, 기판(9A)이 실리콘 기판으로 되고, 좌측 하단의 평면도에 개략적으로 나타낸 바와 같이 증발부(10)나 응축부(11), 유로(12, 12)를 구성하는 홈이나 요철 등이 형성되어 있다. 또, 기판(9B)이 유리 기판으로 되고, 유로의 홈 패턴 등이 형성된다(도시는 생략한다).

기판(9A) 및 기판(9B)을 양극 접합한 후의 공정에서, 작동액(냉매)의 주입구(13, 13)를 2개소 설치하여, 이들에 파이프(14, 14)를 각각 접속하고 표면 산화 처리를 위한 장치(15)에 접속한다.

장치(15)로는, 예를 들어 증기 발생기 및 순환 기구를 가지는 장치, 또는 과산화수소수 순환 장치 등이 사용되고, 이들을 이용하여 산화 처리가 행하여진다(고온, 고압의 수증기에 의한 산화나 과산화수소수에 의한 산화 등).

예를 들면, 파이프(14, 14) 중 한 쪽 파이프로부터 유로나 위크부에 장치(15)로부터의 고압력 10기압 이상, 400℃ 이상의 수증기를 보내고, 다른 쪽의파이프로부터 배기된 수증기를 장치(15)로 끌어들임으로써 수증기를 순환시키고, 이에 의해 유로 등의 표면을 산화시킨다. 이렇게 함으로써, 위크부나 유로의 덮개 부분 등의 산화 어닐링이 행하여진다. 또한, 작동액을 주입구(13, 13)로부터 가공 부품(9)의 내부에 공급한 후, 각 주입구가 덮개 등으로 폐쇄된다.

또, 수증기를 이용한 어닐링에 의한 산화에 관해서는 도 4에 나타낸 바와 같이 수조와 그 가열 수단을 이용한 장치(16)를 이용할 수도 있다. 즉, 본 예에서는 파이프를 사용하지 않고 작동액의 주입구로부터 수증기를 보내 위크부나 유로 등에 순환시킨다.

주입구(13, 13)를 개방한 상태의 가공 부품(9)을 밀폐 용기(17) 내에 설치된 메쉬(망)(18) 상에 배치하여, 수조(19)의 물을 히터 등의 가열 수단(20)으로 가열하고, 400℃ 이상의 수증기를 발생시킴으로써 도 3의 경우와 동일한 효과를 가지고 산화 어닐링을 행할 수 있다. 본 예에서는 장치(16)가 비교적 간단한 구성이 된다.

다음에, 상기 형태 (I-2)에 대해, 도 5 및 도 6을 이용하여 설명한다. 또한, 유리 기판과 실리콘 기판의 양극 접합 전에 표면의 피복 처리를 행하는 방법은 양극 접합 후에 표면의 피복 처리를 행하는 방법에 비하여 잔존 가스가 양적으로 적은 것을 알 수 있다(유리로부터 나트륨의 누출이 적기 때문).

도 5는 양극 접합 전에 위크부나 유로 등을 형성하는 부분에 산화, 질화, 탄화 등 피복 처리를 실시하는 방법의 작업예를 나타낸 것이며, 하기의 공정을 경유하여 2매의 기판이 가공된다.

(1) 실리콘 기판의 드라이에칭 가공

(2) 표면 처리

(3) 표면 연마

(4) 표면 처리

(5) 유리 기판의 표면 처리 등

(6) 양극 접합

먼저, (1)에서는 실리콘 기판(21A)을 드라이에칭으로 가공하여, 홈이나 요철 등을 형성한다.

그리고, (2)에 있어서, 이온 주입, 열산화, 수증기산화 등에 의해 위크부의 벽면이나 유로 내면 등에 표면 처리를 행한다. 또한, 기판 전체면에 표면 처리를 행하는 방법과, 마스크를 이용하여 범위를 선택하여 표면 처리를 행하는 방법이 있다.

다음에, (3)에서는 그 표면을 드라이에칭이나 플라즈마 처리 등으로 연마한다. 그리고, (4)에서 마스크(22)를 이용하여 다시 표면 처리를 행한다(연마에 의해 제거된 표층 부분을 피복한다). 예를 들면, 위크부의 상면이나 유로의 덮개 부분 등을 마스크(22)를 사용하여 선택적으로 이온 주입으로 표면 처리함으로써, 원하는 부분(위크부나 유로 등의 형성 부분)에만 피복 처리를 실시할 수 있다.

또한, 이온 주입을 행하는 경우의 장치에 관해서는 통상의 반도체 장치용으로도 PBII(Plasma Based Ion Implantation)용으로도 사용 가능하다(플라즈마를 베이스로 하는 전방위형 이온 주입법에서는 복잡한 형상을 갖는 부분의 표면 개질이가능하여, 저가이고 생산성이 우수하다). 주입하는 에너지에 관해서는 표면에서의 양이 중요하기 때문에, 기판 등의 깊이 방향에서, 예를 들어 10KeV(킬로전자볼트) 이상, 200KeV 이하의 이온 에너지를 사용하여 표면 처리하는 것이 바람직하다. 또, 주입하는 이온에 관해서는 산소, 질소, 탄소(메탄) 등의 가스 이온을 이용하는 것이 좋다.

(5)에서는 유리 기판(21B)(내열 유리)에 대하여, 예를 들어 마스크 처리를 행한 후, 접합면을 보호하여, 이산화규소(SiO₂) 등의 박막을 증착 처리한다.

그리고, (6)에서는 (5)에서 처리한 유리 기판(21B)과, (4)에서 표면 처리된 실리콘 기판(21A)이 양극 접합에 의해서 접합된다.

또한, 열산화 등으로는 1회째의 표면 처리에서 실리콘 기판(21A)의 한쪽 면 전체가 표면 처리되어, 그 상태로는 후의 양극 접합에 지장을 초래하기 때문에, 표면 연마 후에 다시 표면 처리를 행하고 있으나, 실리콘 기판(21A) 중 마스크를 이용하여 필요한 부분만을 표면 처리한 뒤에, (3), (4)를 생략하여 (5)로 진행되어 (6)에서 접합을 행해도 된다.

예를 들면, 도 6에서는 표면 연마 및 재처리 공정을 생략하기 때문에, 하기에 나타내는 공정을 경유하여 기판이 가공된다.

(1) 폴리이미드계의 시트(23)(예를 들면, 0.125t)의 캡톤(du Pont 사의 상표) 시트 등)과, 올레핀 열가소 시트(24)를 준비하여 양자를 열 압착한 시트(25)를 제작하는 공정.

(2) (1)에서 제작한 시트(25)에 UV(자외선-YAG 레이저 등으로 펀칭 가공을 실시하고, 접합면 보호용 마스크 시트(26)를 제작하는 공정.

(3) 실리콘 기판(27A)에 드라이에칭 가공하여 홈 등을 형성하는 공정.

(4) (3)에서 가공된 실리콘 기판(27A)에 대하여, 그 가공면에 (2)에서 제작한 마스크 시트(26)를 상온에서 가압착하는 공정.

(5) 산소, 질소, 탄소 등의 이온 주입을 행하는 공정(20KeV 이하로 펄스 주입한다).

(6) 마스크 시트(26)를 유기 용제, 예를 들면, 아세톤, 이소프로필알코올, 에탄올 속에서 벗겨내고, 나머지를 플라즈마 애싱 등으로 완전히 제거하는 공정.

(7) 유리 기판(내열 유리)(27B)을 실리콘 기판(27A)에 양극 접합하는 공정.

본 예에서는 (1) 및 (2)에서의 마스크 시트(26)의 작성을 필요로 하지만, 이온 주입에 의한 1회의 표면 처리이면 된다.

또한, 도 6에는 (3), (4) 및 (6), (7)에 나타내는 각 공정에서, 기판의 평면도 및 파선으로 절단한 단면도를 함께 나타내고 있다.

다음에, 양극 접합을 행하지 않는 형태 (II)에 대해, 도 7을 이용하여 설명한다. 그 공정은 하기에 나타낸 바와 같다.

(1) 실리콘 기판(28A)에 드라이에칭에 의해 홈 가공을 행하는 공정.

(2) 표면 처리를 행하는 공정(이온 주입, 열산화, 수증기산화 등).

(3) 폴리이미드계의 열가소 시트를 UV-YAG 레이저 등으로 가공(천공)하는 공정.

(4) (3)에서 작성한 접합용 시트(29)를 실리콘 기판(28A) 상에 탑재하여, 드라이에칭에 의해 가공된 홈 패턴에 위치 맞춤하는 공정.

(5) (4)의 접합용 시트(29)의 위에서 유리 부품(28B)을 실리콘 기판(28A)에 대하여 탑재하는 공정.

(6) 진공 프레스 장치를 이용하여, 접합용 시트(29)에 의해 열 융착하는 접합 공정(예를 들면, 10^-3Pa의 진공 환경 하에서, 3.92×10⁶Pa(=40㎏/㎠) 정도의 압력을 대상물에 걸어, 10분간 330℃ 정도에서 프레스를 행함으로써 접합이 완료함).

단, 유리부품(28B)의 재질로는 선팽창 계수가 실리콘과 대략 동일하거나 가까운 것, 예를 들어 선팽창 계수가 3∼4×10^-6정도의 B₂O₃단성분계 유리나 오하라 HCD-1(오하라사의 상표) 등을 사용해야 하고, 무알칼리 유리가 바람직하다.

또, 접합용 시트로는 예를 들면, 열 융착형 폴리이미드 필름「유피렉스VT」(우베흥산 주식회사의 상표) 시트 등을 사용할 수 있다.

이상 기재한 것으로부터 명확히 나타난 바와 같이 제1항, 제6항, 제10항에 관한 발명에 의하면, 위크부나 유로의 표면에 피복 처리를 실시함으로써 잔존 가스의 발생을 방지하거나 가스 발생량을 저감시킬 수 있다. 따라서 잔존 가스에 기인하는 폐해(성능 저하 등)를 방지할 수 있다.

제2항이나 제7항에 관한 발명에 의하면, 질화 또는 산화 또는 탄화에 의해, 위크부나 유로의 표면 처리를 행함으로써 잔존 가스의 발생을 억제할 수 있다.

제3항이나 제8항에 관한 발명에 의하면, 가공 부품끼리의 결합력을 충분히 얻을 수 있어 안정된 접합이 실현된다.

제4항이나 제9항에 관한 발명에 의하면, 양극 접합을 이용하지 않기 때문에 잔존 가스, 특히 수소의 발생을 방지할 수 있다.

제5항에 관한 발명에 의하면, 실리콘이나 유리(내열 유리 등)를 기재(基材)로 하는 부품이나 기판을 접합하는 경우에 잔존 가스에 의한 영향을 저감시킬 수 있다.

Claims

작동 유체를 환류(還流)시키기 위해서 모세관력(毛細管力)을 발생하는 위크(wick)부 또는 기상 혹은 액상의 작동 유체가 흐르는 유로가 형성된 복수의 가공 부품이 접합된 구성을 구비한 열 수송 장치에 있어서,

상기 위크부 또는 상기 유로의 표면에 잔존 가스의 발생을 방지하기 위한 피복 처리가 실시되어 있는 열 수송 장치.
제1항에 있어서,

상기 위크부 또는 상기 유로의 표면이 질화 또는 산화 또는 탄화에 의해 피복 처리되어 있는 열 수송 장치.
제1항에 있어서,

상기 복수의 가공 부품이 양극 접합되어 있는 열 수송 장치.
제1항에 있어서,

상기 복수의 가공 부품이 열 가소성의 접합용 시트를 이용하여 열 융착에 의해 결합되어 있는 열 수송 장치.
제1항에 있어서,

상기 복수의 가공 부품을 구성하는 실리콘과 유리가 접합되어 있는 열 수송 장치.
작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력을 발생하는 위크부, 또는 기상 혹은 액상의 작동 유체가 흐르는 유로가 형성된 복수의 가공 부품이 접합된 구성을 구비한 열 수송 장치의 제조 방법에 있어서,

상기 위크부 또는 상기 유로의 표면에 피복 처리를 실시하여 잔존 가스의 발생을 방지하는 열 수송 장치의 제조 방법.
제6항에 있어서,

상기 위크부 또는 상기 유로의 표면을 질화 또는 산화 또는 탄화에 의해 피복 처리하는 열 수송 장치의 제조 방법.
제6항에 있어서,

상기 복수의 가공 부품을 양극 접합에 의해 결합하는 열 수송 장치의 제조 방법.
제6항에 있어서,

상기 복수의 가공 부품의 사이에 열 가소성의 접합용 시트를 개재시켜 열 융착에 의해 가공 부품을 결합시키는 열 수송 장치의 제조 방법.
발열부의 열 수송 기구로서, 작동 유체를 환류시키기 위해서 모세관력을 발생하는 위크부 또는 기상 혹은 액상의 작동 유체가 흐르는 유로가 형성된 복수의 가공 부품이 접합된 구성을 가지는 전자 디바이스에 있어서,

상기 위크부 또는 상기 유로의 표면에 잔존 가스의 발생을 방지하기 위한 피복 처리가 실시되어 있는 전자 디바이스.