KR20040050635A - Apparatus for sucking substrate and method of monitoring warpage using the same - Google Patents

Apparatus for sucking substrate and method of monitoring warpage using the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for sucking a substrate and a method for monitoring warpage using the same are provided to be capable of continuously monitoring warpage under a predetermined process and stably sucking the substrate. CONSTITUTION: An apparatus for sucking the substrate is provided with a substrate chuck(100) having a plurality of vacuum suction ports(150a,150b,150c) and a sensor part. At this time, the sensor part includes a plurality of sensors(160a,160b,160c) installed at each vacuum suction port for detecting the intensity of vacuum force of the vacuum suction port. The substrate adsorbing apparatus further includes a display part(170) connected with the sensors for displaying the degree of warpage according to the results supplied from the sensors.

Description

기판 흡착 장치 및 이를 이용한 기판의 휨 현상 판별방법{APPARATUS FOR SUCKING SUBSTRATE AND METHOD OF MONITORING WARPAGE USING THE SAME}Substrate adsorption device and method for judging warpage of substrate using same {APPARATUS FOR SUCKING SUBSTRATE AND METHOD OF MONITORING WARPAGE USING THE SAME}

본 발명은 기판 흡착 장치 및 이를 이용한 기판의 휨 현상 판별 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 이송 및 회전용 기판 흡착 장치 및 이를 이용한 기판의 휨 현상 판별 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate adsorption device and a method of determining warpage of a substrate using the same, and more particularly, to a substrate adsorption device for transporting and rotating a substrate and a method of determining warpage of a substrate using the same.

반도체 소자는 수많은 공정을 수행하여 제조된다. 따라서, 반도체 소자 제조공정 초기에는 가공되지 않은 순수한 웨이퍼가 기판으로서 제공되지만, 공정을 거듭하면서 상기 웨이퍼 상에는 다층의 막이 형성되고 상기 막에 대한 가공이 반복적으로 수행된다. 또한, 제조공정에 의해 상기 웨이퍼 상에 막 또는 패턴이 형성될 때마다, 원하는 특성을 갖는지에 대한 측정(measurement) 및 불량의 발생 여부에 대한 검사(inspection)의 과정을 필수적으로 수행하여야 한다.Semiconductor devices are manufactured by performing a number of processes. Thus, although an unprocessed pure wafer is provided as a substrate at the beginning of the semiconductor device manufacturing process, a multilayer film is formed on the wafer as the process is repeated, and the processing for the film is repeatedly performed. In addition, whenever a film or a pattern is formed on the wafer by a manufacturing process, it is necessary to carry out a process of measuring whether or not having a desired characteristic and inspecting whether or not a defect occurs.

즉, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 장비를 사용하게 되는데, 각 장비에서 장비로 웨이퍼를 이동시키거나, 장비 내에서도 웨이퍼를 빈번하게 이동 및 회전시키게 된다. 이때, 상기 척(chuck) 또는 스테이지(stage) 등은 웨이퍼를 안착한 채로 매우 빠른 속도로 움직이므로 상기 웨이퍼를 단단히 고정시키는 것은 매우 중요하다. 일본 공개특허공보 평11-111825(Kim et. al)에 웨이퍼용 척이 개시되어 있다.That is, in order to manufacture a semiconductor device, a variety of equipments are used, and the wafers are moved from each equipment to the equipment, or the wafer is frequently moved and rotated even within the equipment. At this time, since the chuck or the stage moves at a very high speed while the wafer is seated, it is very important to firmly fix the wafer. Japanese Laid-Open Patent Publication No. 11-111825 (Kim et. Al) discloses a chuck for a wafer.

일반적으로 상기 척 및 스테이지는 진공(vacuum)을 이용하여 상기 웨이퍼를 고정시킨다. 상기 척 또는 스테이지를 통해 제공되는 진공은 웨이퍼의 강도를 고려하여 매우 미약한 정도로 제공되므로, 낮은 진공으로 웨이퍼를 효과적으로 고정시키기 위해서는 상기 척 또는 스테이지와 웨이퍼가 미세하게 밀착되어야 한다. 그러나, 반도체 제조 공정이 진행됨에 따라 초기에는 우수한 편평도를 유지하던 웨이퍼에 반복되는 공정으로 인해 휘어지는 현상(warpage)이 발생한다. 따라서, 상기 웨이퍼는 상기 척 또는 스테이지에 밀착되지 못하고, 상기 웨이퍼와 척 또는 스테이지 사이의 들뜬 공간으로 진공이 세는 현상이 발생한다.In general, the chuck and the stage use a vacuum to fix the wafer. Since the vacuum provided through the chuck or the stage is provided to a very slight degree in consideration of the strength of the wafer, the chuck or the stage and the wafer must be finely adhered to effectively fix the wafer at a low vacuum. However, as the semiconductor manufacturing process proceeds, warpage occurs due to the repeated process on the wafer, which initially maintained excellent flatness. Therefore, the wafer is not in close contact with the chuck or the stage, and a phenomenon in which the vacuum is counted into the excited space between the wafer and the chuck or the stage occurs.

상기 휨 현상(warpage)은 웨이퍼의 크기가 증가할수록 가중된다. 고집적의 반도체 소자를 빠른 시간에 제조하기 위해서는 웨이퍼의 단위 면적 당 생산량을 증가시켜야 하므로 웨이퍼의 크기는 점점 증가하는 추세이며, 이미 12인치(inch) 웨이퍼가 생산되고 있는 실정이다.The warpage is weighted as the size of the wafer increases. In order to manufacture high-density semiconductor devices in a short time, the amount of wafers must be increased per unit area, and thus the size of the wafer is gradually increasing, and 12-inch wafers are already being produced.

웨이퍼가 휘는 휨 현상이 발생한 웨이퍼를 상기 척 또는 스테이지에 장착하고 진공을 제공하면, 미세하게 진공이 세는 경우에도 상기 척 또는 스테이지는 진공 형성 실패로 인식하여 오류 판정을 한다. 상기 오류 판정은 설비 자체에 이상이 발생하였을 경우를 대비한 것으로서 원천적으로 설비에 문제가 발생하여 진공을 상기 척 또는 스테이지에 공급하지 못하는 경우에 나타나야 한다. 그러나, 휨 현상으로 인해서도 오류가 인식되어 오류 발생 빈도가 증가된다.When the wafer having the warpage phenomenon occurs in the chuck or the stage and the vacuum is provided, the chuck or the stage recognizes the failure of vacuum formation and makes an error determination even when the vacuum is fine. The error determination is made in case of an abnormality in the equipment itself, and should be shown when a problem occurs in the equipment at the source and the vacuum cannot be supplied to the chuck or the stage. However, errors are also recognized due to warpage, which increases the frequency of error occurrence.

상기 휨 현상은 그 정도에 따라 공정을 진행할 수 있는 가능성이 달라진다. 즉, 휨 현상이 크지 않아 일부분이 기판에 흡착될 수 있는 경우에는 공정을 진행할수 있다. 그러나, 상기 휨 현상은 별도의 공정으로 판별하여야 한다.The warpage phenomenon varies depending on the extent to which the process can proceed. In other words, if the warpage is not large enough to adsorb a portion of the substrate, the process can be performed. However, the warpage phenomenon should be determined by a separate process.

일반적으로, 웨이퍼의 휨 현상은 스트레스 게이지(stress gauge)와 같은 장비를 이용하여 주기적으로 또는 문제 발생 시마다 측정한다. 그러나, 상기 장비를 이용하는 것은 정상적인 공정 흐름과는 별도로 공정을 추가해야 하므로 측정 시간 및 웨이퍼 이송으로 인해 공정 시간이 지연된다.In general, warpage of a wafer is measured periodically or whenever a problem occurs using equipment such as a stress gauge. However, the use of such equipment requires adding a process separately from the normal process flow, which delays processing time due to measurement time and wafer transfer.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 기판의 휨 상태를 확인하면서 안정적으로 기판을 흡착시키는 기판 흡착 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a substrate adsorption device for stably adsorbing a substrate while checking the warpage state of the substrate.

본 발명의 제2 목적은 실시간으로 기판의 휨 현상을 확인할 수 있는 기판의 휨 현상 판별 방법을 제공하는 것이다.It is a second object of the present invention to provide a method for determining warpage of a substrate which can confirm the warpage of the substrate in real time.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 기판척에 대한 개략적인 평면도이다.1A is a schematic plan view of a substrate chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 기판 흡착 장치의 모식도이다.1B is a schematic diagram of a substrate adsorption device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판의 휨 현상 판별방법에 대한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of determining warpage of a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 기판의 휨 현상을 나타낸 단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a warpage phenomenon of a substrate for explaining an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판척110 : 반지름 방향100: substrate chuck 110: radial direction

120 : 제1 영역125 : 제1 영역의 경계120: first region 125: boundary of the first region

130 : 제2 영역135 : 제2 영역의 경계130: second region 135: boundary of the second region

140 : 제3 영역150a : 제1 진공 흡입구140: third region 150a: first vacuum suction port

150b : 제2 진공 흡입구150c : 제3 진공 흡입구150b: second vacuum inlet 150c: third vacuum inlet

160a : 제1 센서160b : 제2 센서160a: first sensor 160b: second sensor

160c : 제3 센서170 : 표시부160c: third sensor 170: display unit

300 : 제1기판310 : 기판척300: first substrate 310: substrate chuck

320 : 제2기판330 : 제3기판320: second substrate 330: third substrate

340 : 제4기판340: fourth substrate

상기 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공을 제공하는 복수개의 진공 흡입구가 구비된 복수개의 진공 제공 영역이 정의된 기판척, 상기 각 진공 제공 영역에 개별적으로 구비되어 진공 형성 여부를 감지하는 복수개의 센서로 이루어진 센서부 및 상기 센서부로부터 인식한 진공 형성 여부를 각 진공 영역 별로 표시하여 기판의 휨 정도를 표시하는 표시부를 구비한다.In order to achieve the first object, the present invention provides a substrate chuck having a plurality of vacuum providing regions provided with a plurality of vacuum suction ports for providing a vacuum, and individually provided in each of the vacuum providing regions to detect whether a vacuum is formed. A sensor unit comprising a plurality of sensors and a display unit for displaying the degree of warpage of the substrate by displaying whether the vacuum is recognized by the sensor unit for each vacuum region.

상기 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하여 복수개의 진공 제공 영역들이 정의된 기판척에 기판을 장착하는 단계, 상기 진공 제공 영역들 중 적어도 중심 영역 및 가장자리 영역의 진공 흡입구들을 통해 진공을 제공하는 단계, 상기 진공 제공 영역별로 진공 흡입구들에 기판이 흡착되는지의 여부를 감지하는 단계 및 상기 진공 제공 영역별로 감지된 기판 흡착 여부에 의해 휨 현상을 판별하는 단계를 포함한다.In order to achieve the second object, the present invention provides a method for fabricating a substrate on a substrate chuck in which a plurality of vacuum providing regions including a central region and an edge region are defined. Providing a vacuum through the vacuum inlets, detecting whether the substrate is adsorbed to the vacuum inlets by the vacuum providing areas, and determining a bending phenomenon by whether the substrate is detected by the vacuum providing areas. do.

이와 같이 진공 흡입구를 복수개의 진공 제공 영역에 걸쳐 형성하고 영역별로 진공 형성 여부를 감지함으로써, 기판 휨 현상을 공정 진행 중에 판별할 수 있는 능력을 향상시킬 수 있으며 공정 시간을 단축시킬 수 있다.As such, by forming a vacuum suction port over a plurality of vacuum providing regions and detecting whether vacuum is formed for each region, the ability to discriminate the substrate warpage phenomenon during the process can be improved and the process time can be shortened.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

기판 흡착 장치는 진공을 제공하는 복수개의 진공 흡입구가 구비된 복수개의 진공 제공 영역이 정의된 기판척을 구비한다. 이때, 상기 기판척은 중심을 기준으로 구분된 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하는 것으로서, 이동 또는 회전할 수 있다.The substrate adsorption apparatus has a substrate chuck in which a plurality of vacuum providing regions are provided with a plurality of vacuum suction ports for providing a vacuum. In this case, the substrate chuck includes a center region and an edge region separated based on the center, and may move or rotate.

상기 각각의 진공 제공 영역에 구비되어 진공을 제공하는 복수개의 진공 흡입구들이 구비된다. 상기 진공 흡입구들은 진공 제공 영역별로 진공 배관에 연결되거나 개별적으로 진공 배관에 연결된다.A plurality of vacuum inlets provided in the respective vacuum providing areas to provide a vacuum are provided. The vacuum inlets are connected to the vacuum pipe for each vacuum providing area or individually to the vacuum pipe.

상기 각 진공 제공 영역에 개별적으로 구비되어 진공 형성 여부를 감지하는 복수개의 센서로 이루어진 센서부를 구비하며, 상기 센서부로부터 인식한 진공 형성 여부를 각 진공 영역 별로 표시하여 기판의 휨 정도를 표시하는 표시부를 구비한다.A display unit configured to be provided in each of the vacuum providing regions individually and configured of a plurality of sensors to detect whether a vacuum is formed, and a display unit to display the degree of warpage of the substrate by displaying whether the vacuum is recognized by the sensor unit for each vacuum region; It is provided.

기판 흡착 장치의 기판의 휨 현상 판별 방법은 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하여 복수개의 진공 제공 영역들이 정의된 기판척에 기판을 장착하고, 상기 진공 제공 영역들 중 적어도 중심 영역 및 가장자리 영역의 진공 흡입구들을 통해진공을 제공한다. 상기 진공 제공 영역별로 진공 흡입구들에 기판이 흡착되는지의 여부를 감지한다. 상기 진공 제공 영역별로 감지된 기판 흡착 여부에 의해 휨 현상을 판별한다.A method of determining a warpage phenomenon of a substrate of a substrate adsorption apparatus includes mounting a substrate on a substrate chuck in which a plurality of vacuum providing regions including a central region and an edge region are defined, and a vacuum suction port of at least the central region and the edge region of the vacuum providing regions. To provide vacuum. It is detected whether the substrate is adsorbed to the vacuum inlets by the vacuum providing area. The warpage phenomenon is determined by whether the substrate is detected by the vacuum providing region.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 기판척에 대한 개략적인 평면도이다.1A is a schematic plan view of a substrate chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 기판을 안착시킬 수 있는 기판척(100)은 상기 기판척의 중심축을 기준으로 반지름 방향(110)으로 복수개의 영역이 구분된다. 상기 복수개의 영역은 적어도 상기 기판의 중심부를 포함하는 중심 영역 및 상기 기판의 가장자리를 포함하는 가장자리 영역을 포함한다. 즉, 상기 중심축으로부터 반지름 방향으로 일정 거리만큼 중심부를 포함하는 영역을 제1 영역(120)이라고 정의하고, 상기 제1 영역의 경계(125)를 시작으로 상기 반지름 방향으로 다시 일정 거리만큼의 영역을 제2 영역(130), 상기 제2 영역의 경계(135)부터를 제3 영역(140)이라고 정의한다. 이때, 제3 영역은 기판의 가장자리 영역이며, 기판의 크기 등을 고려하여 상기 영역의 개수는 다양하게 구비할 수 있다. 이와 같은 과정으로 상기 기판척(100)에 복수개의 영역을 정의한다. 이때, 상기 기판척은 설치되는 장비에 따라 이송 또는 회전한다.Referring to FIG. 1A, a plurality of regions are divided in a radial direction 110 based on a central axis of the substrate chuck 100 on which a substrate may be seated. The plurality of regions includes a central region including at least a central portion of the substrate and an edge region including an edge of the substrate. That is, an area including the central portion by a predetermined distance in the radial direction from the central axis is defined as the first region 120, and the region by the predetermined distance again in the radial direction starting from the boundary 125 of the first region. The second region 130 is defined as the third region 140 from the boundary 135 of the second region. In this case, the third region may be an edge region of the substrate, and the number of regions may be provided in various ways in consideration of the size of the substrate. In this manner, a plurality of regions are defined in the substrate chuck 100. At this time, the substrate chuck is transported or rotated according to the installed equipment.

상기 구분된 각 진공 제공 영역에는 복수개의 진공 흡입구가 구비된다. 예컨대, 각 진공 흡입구는 중심을 기준으로 제1 영역의 제1 진공 흡입구(150a), 제2 영역의 제2 진공 흡입구(150b) 및 제3 영역의 제3 진공 흡입구(150c)로 구분되어 기판척(100) 전체에 걸쳐 균일하게 배치된다.Each of the divided vacuum providing regions is provided with a plurality of vacuum suction ports. For example, each vacuum inlet may be divided into a first vacuum inlet 150a in a first region, a second vacuum inlet 150b in a second region, and a third vacuum inlet 150c in a third region, based on a center thereof. It is arrange | positioned uniformly throughout 100.

도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 기판 흡착 장치의 모식도이다.1B is a schematic diagram of a substrate adsorption device according to an embodiment of the present invention.

도 1b를 참조하면, 각 진공 제공 영역의 진공 흡입구들은 진공 배관과 연결되고 상기 진공 배관들은 센서부와 연결된다. 상기 센서부는 복수개의 센서로 이루어지며, 각 진공 제공 영역마다 하나의 센서를 구비하여 진공 흡입구들의 진공 형성 여부를 감지한다. 상기 감지된 진공 형성 여부에 대한 데이터는 표시부(170)에 의해 표시된다. 예컨대, 제1 진공 흡입구(150a)들은 제1 센서(160a)에 의해 감지되며, 제2 진공 흡입구(150b)들은 제2 센서(160b)에 의해서, 제3 진공 흡입구(150c)들은 제3 센서(160c)에 의해 감지된다. 상기 감지된 데이터들은 표시부(170)에 각각 표시된다. 필요에 따라서는 각 진공 흡입구마다 센서를 개별적으로 설치할 수 있다. 상기 센서부를 지난 배관들은 진공 펌프(미도시)에 연결된다.Referring to FIG. 1B, the vacuum inlets of each vacuum providing area are connected to a vacuum pipe and the vacuum pipes are connected to a sensor unit. The sensor unit includes a plurality of sensors, and includes one sensor for each vacuum providing area to detect whether or not a vacuum suction port is formed. Data about whether the detected vacuum is formed is displayed by the display unit 170. For example, the first vacuum inlets 150a are sensed by the first sensor 160a, the second vacuum inlets 150b are detected by the second sensor 160b, and the third vacuum inlets 150c are identified by the third sensor ( 160c). The detected data are displayed on the display unit 170, respectively. If necessary, a sensor may be individually installed for each vacuum inlet. Pipes past the sensor unit are connected to a vacuum pump (not shown).

따라서, 각 진공 제공 영역별로 진공 흡입 여부를 파악할 수 있다.Therefore, it is possible to determine whether the vacuum is sucked for each vacuum providing area.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판의 휨 현상 판별방법에 대한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of determining warpage of a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판척에 기판을 안정적으로 안착되도록 장착한다.(S200) 상기 기판이 안착된 기판척의 각 진공 제공 영역에 형성된 진공 흡입구로 진공을 제공하여 기판을 고정시킨다.(S210) 상기 기판척에 제공되는 진공 정도는 각 영역의 진공 흡입구에 균일하게 제공되며, 필요에 따라서는 영역별로 진공도에 차등을 주어 제공할 수 있다.Referring to FIG. 2, a substrate is mounted on a substrate chuck so as to be stably seated. (S200) The substrate is fixed to a vacuum suction port formed in each vacuum providing region of the substrate chuck on which the substrate is seated. The degree of vacuum provided to the substrate chuck is uniformly provided at the vacuum suction ports of each region, and may be provided by differentially providing the degree of vacuum for each region as necessary.

상기 진공 흡입구들에 의해 기판이 기판척에 흡착되는지의 여부를 센서부에의해 감지한다.(S220)It is detected by the sensor unit whether the substrate is adsorbed to the substrate chuck by the vacuum suction holes (S220).

상기 각 영역별로 진공 흡입구에 기판이 밀착되었는지의 여부를 표시부에 의해 판별하여 휨 현상을 판별한다.(S230)The display unit determines whether or not the substrate is in close contact with the vacuum suction port for each of the regions, and determines the warpage phenomenon (S230).

기판의 휨 현상 판별기준Criteria for discriminating warpage of substrate

기판의 휨 현상 판별은 각 진공 제공 영역에 구비된 센서부들이 감지한 데이터를 표시부에 나타낸 개별적인 표시의 조합에 의해 이루어진다. 이에 따라, 기판의 휨 현상이 어느 정도 발생하였는지를 판별한다. 이때, 상기 기판척에 가동되는 진공 제공 영역은 적어도 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함한다.Determination of the warping phenomenon of the substrate is performed by the combination of the individual displays on the display unit, the data detected by the sensor units provided in the respective vacuum providing regions. As a result, the degree of warpage of the substrate is determined. At this time, the vacuum providing region movable to the substrate chuck includes at least a central region and an edge region.

이하, 중심 및 가장자리 진공 제공 영역이 가동된 기판척을 예시하여 4가지 경우에 대한 휨 현상 판별기준을 설명한다.Hereinafter, the warpage phenomenon determination criteria for the four cases will be described by exemplifying the substrate chuck on which the center and edge vacuum providing regions are operated.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 기판의 휨 현상을 나타낸 단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a warpage phenomenon of a substrate for explaining an embodiment of the present invention.

* 기판이 편평한 경우* Substrate is flat

도 3a를 참조하면, 제1기판(300)이 기판척(310)에 밀착되므로 진공이 제공되었을 때, 중심 영역의 센서 및 가장자리 영역의 센서는 모두가 기판을 흡착하는 것으로 감지한다.Referring to FIG. 3A, when the first substrate 300 is in close contact with the substrate chuck 310, when a vacuum is provided, both the sensor in the center region and the sensor in the edge region sense that the substrate adsorbs the substrate.

* 휨 현상으로 기판 가장자리가 들린 경우* Board edge is lifted due to warpage

도 3b를 참조하면, 제2기판(320)의 중앙 영역은 기판척(310)에 밀착되고, 제2기판(320)의 가장자리 영역은 기판척(310)으로부터 들려 있는 상태이다. 따라서, 진공이 제공되었을 때, 중앙 센서의 경우에는 흡착된 것으로 감지하지만, 가장자리 센서의 경우에는 진공이 형성되지 않은 것으로 판별한다.Referring to FIG. 3B, the center region of the second substrate 320 is in close contact with the substrate chuck 310, and the edge region of the second substrate 320 is lifted from the substrate chuck 310. Thus, when a vacuum is provided, it is sensed that it is adsorbed in the case of the central sensor, but it is determined that no vacuum is formed in the case of the edge sensor.

* 휨 현상으로 기판 중앙이 들린 경우* If the center of the board is lifted due to warpage

도 3c를 참조하면, 제3기판(330)의 가장자리 영역은 기판척(310)에 밀착되고, 제3기판(330)의 중앙 영역은 기판척(310)으로부터 들려 있는 상태이다. 따라서, 진공이 제공되었을 때, 중앙 센서의 경우에는 진공이 형성되지 않은 것으로 판별하지만, 가장자리 센서의 경우에는 기판이 흡착된 것으로 감지한다.Referring to FIG. 3C, the edge region of the third substrate 330 is in close contact with the substrate chuck 310, and the center region of the third substrate 330 is lifted from the substrate chuck 310. Thus, when a vacuum is provided, it is determined that no vacuum is formed in the case of the central sensor, but in the case of the edge sensor, it is sensed that the substrate is adsorbed.

* 기판 전체에 휨 현상이 발생한 경우* When warpage occurs on the whole board

도 3d 및 도 3e를 참조하면, 제4기판(340)이 전체적으로 휘어진 상태이므로 방향이 다른 단면에 따라 기판척(310)과 밀착되는 영역도 모두 다르다. 따라서, 진공이 제공되어도 기판은 중앙 센서 및 가장자리 센서 모두에 진공이 형성되지 않는 것으로 감지된다. 상기 제4기판(340)의 일부 편평한 부분이 몇몇의 진공 흡입구에 편평하게 맞닿을 수는 있으나, 상기 각 영역의 진공 흡입구들은 하나의 배관에 의해 진공이 제공되므로 상기 제4기판(340)과 맞닿지 않은 부분의 진공 흡입구에 의해 진공이 유실되어 상기 제4기판(340)을 고정할 수 없다.3D and 3E, since the fourth substrate 340 is bent as a whole, the areas in which the fourth substrate 340 is in close contact with the substrate chuck 310 are different according to different cross-sections. Thus, even if a vacuum is provided, the substrate is sensed that no vacuum is formed in both the central sensor and the edge sensor. Some flat portions of the fourth substrate 340 may flatly contact some vacuum inlets, but the vacuum inlets of each region may be in contact with the fourth substrate 340 because a vacuum is provided by a single pipe. The vacuum is lost by the vacuum suction port of the non-contacting portion, and thus the fourth substrate 340 cannot be fixed.

C1C1 C2C2 C3C3 C4C4 중심center ×× ×× 가장자리edge ×× ×× 판별Discrimination 정상normal 정상normal 정상normal 오류error

C1: 기판이 편평한 경우C1: substrate is flat

C2: 휨 현상으로 기판 가장자리가 들린 경우C2: Board edge is lifted due to warpage

C3: 휨 현상으로 기판 중앙이 들린 경우C3: Lifting the center of the board due to warpage

C4: 기판 전체에 휨 현상이 발생한 경우C4: Warpage occurs on the entire board

o: 기판이 기판척에 밀착되어 진공이 형성된 상태o: The substrate is in close contact with the substrate chuck and a vacuum is formed

×: 기판이 기판척 상에 들떠 있어 진공이 형성되지 않은 상태X: substrate is on a substrate chuck and no vacuum is formed

표 1을 참조하면, 기판이 편평한 경우에는 중심 및 가장자리의 센서에 모두 진공이 형성되는 것으로 감지하므로 계속적으로 공정을 진행할 수 있다.Referring to Table 1, when the substrate is flat, it detects that a vacuum is formed in both the center and the edge sensor, so that the process can be continuously performed.

휨 현상으로 기판 가장자리가 들린 경우에는 가장자리 센서는 기판이 흡착되지 못하는 것으로 감지하나, 중앙에 형성된 진공 흡입구에 의해 기판이 기판척에 고정되므로 계속적으로 공정을 진행할 수 있다.When the edge of the substrate is lifted due to the bending phenomenon, the edge sensor detects that the substrate cannot be adsorbed, but the process is continuously performed because the substrate is fixed to the substrate chuck by a vacuum suction port formed at the center.

휨 현상으로 기판 중앙이 들린 경우에는 중앙 센서는 기판이 흡착되지 못하는 것으로 감지하나, 가장자리에 형성된 진공 흡입구에 의해 기판이 기판척에 고정되므로 계속적으로 공정을 진행할 수 있다.When the center of the substrate is lifted due to the bending phenomenon, the central sensor detects that the substrate cannot be adsorbed, but the process is continuously performed because the substrate is fixed to the substrate chuck by a vacuum suction port formed at an edge thereof.

기판 전체에 휨 현상이 발생한 경우에는 중앙 및 가장자리 센서 모두에서 기판이 흡착되지 못하는 것으로 감지하므로, 공정을 계속적으로 진행할 수 없다. 이 경우에는 기판의 휨 현상을 감지하는 동시에 오류로 판별한다.In the case where the warpage occurs in the entire substrate, the substrate cannot be adsorbed by both the center and edge sensors, and thus the process cannot continue. In this case, the warpage of the substrate is detected and discriminated as an error.

즉, 기판척의 각 진공 제공 영역 중 적어도 하나의 진공 제공 영역에 진공이 형성되면 기판을 고정시킬 수 있으며, 정상적으로 공정을 진행할 수 있다. 또한, 각 진공 제공 영역별로 진공이 형성되지 않은 영역을 감지할 수 있으므로 실시간으로 기판의 휨 현상 정도를 감지할 수 있다. 따라서, 기판 휨 현상을 공정 진행 중에 계속적으로 관찰할 수 있을 뿐 아니라, 휨 현상 발생 부분을 판별할 수 있다.또한, 기판의 휨 현상에 기인한 오류 발생 빈도를 감소시킬 수 있다.That is, when a vacuum is formed in at least one vacuum providing area of each vacuum providing area of the substrate chuck, the substrate may be fixed and the process may be normally performed. In addition, since the area where no vacuum is formed can be detected for each vacuum providing area, the degree of warpage of the substrate can be detected in real time. Therefore, not only the substrate warpage phenomenon can be continuously observed during the process but also the warpage occurrence part can be discriminated. In addition, the frequency of error occurrence due to the warpage phenomenon of the substrate can be reduced.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기판척에 형성되는 진공 흡입구를 복수개의 영역에 걸쳐 형성한다. 상기 기판척에 기판을 장착하고 진공을 제공하였을 때, 상기 각 영역별로 진공 형성 여부의 표시 조합에 의해 기판의 휨 현상을 판별한다.이와 같이 진공 흡입구를 복수개의 영역에 걸쳐 형성하고 영역별로 진공 형성 여부를 감지함으로써, 기판의 휨 현상 정도의 판별 능력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 기판의 휨 현상을 공정 진행 중에 계속적으로 관찰할 수 있으므로, 기판의 휨 현상을 판별하기 위해 기판을 외부로 유출하여 공정 시간이 지연되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 기판의 휨 현상으로 발생할 수 있는 오류의 빈도를 감소시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, a vacuum suction port formed in the substrate chuck is formed over a plurality of regions. When the substrate is mounted on the substrate chuck and a vacuum is provided, the warpage phenomenon of the substrate is determined by the display combination of whether or not a vacuum is formed for each of the regions. Thus, a vacuum suction port is formed over a plurality of regions and vacuum is formed for each region. By detecting whether or not, the ability to discriminate the degree of warpage of the substrate can be improved. Therefore, since the warpage phenomenon of the substrate can be continuously observed during the process, it is possible to prevent the substrate from flowing out to delay the process time to determine the warpage phenomenon of the substrate. In addition, it is possible to reduce the frequency of errors that may occur due to the warpage of the substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

Claims (6)

진공을 제공하는 복수개의 진공 흡입구가 구비됨으로서 복수개의 진공 제공 영역이 정의된 기판척;A substrate chuck having a plurality of vacuum providing regions defined by a plurality of vacuum inlets for providing a vacuum; 상기 진공 제공 영역 각각에 개별적으로 구비됨으로서 상기 진공 영역 별로 진공 형성 여부를 감지하는 복수개의 센서로 이루어진 센서부; 및A sensor unit including a plurality of sensors provided in each of the vacuum providing regions to detect whether a vacuum is formed for each of the vacuum regions; And 상기 센서부로부터 인식한 각 진공 영역별 진공 형성 여부에 의해 기판의 휨 정도를 표시하는 표시부를 구비하는 기판 흡착 장치.And a display unit for displaying the degree of warpage of the substrate depending on whether a vacuum is formed for each vacuum region recognized by the sensor unit. 제1항에 있어서, 상기 기판척은 중심을 기준으로 구분된 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 흡착 장치.The apparatus of claim 1, wherein the substrate chuck comprises a center region and an edge region separated based on a center of the substrate chuck. 제1항에 있어서, 상기 기판척은 이동 또는 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 흡착 장치.The substrate adsorption apparatus of claim 1, wherein the substrate chuck is moved or rotated. 제1항에 있어서, 상기 진공 흡입구들은 진공 제공 영역별로 진공 배관에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 흡착 장치.The substrate adsorption apparatus of claim 1, wherein the vacuum suction ports are connected to a vacuum pipe for each vacuum providing area. 제1항에 있어서, 상기 진공 흡입구들은 개별적으로 진공 배관에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 흡착 장치.The apparatus of claim 1, wherein the vacuum inlets are individually connected to a vacuum pipe. 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하는 복수개의 진공 제공 영역들이 정의된 기판척에 기판을 장착하는 단계;Mounting a substrate on a substrate chuck in which a plurality of vacuum providing regions including a center region and an edge region are defined; 상기 진공 제공 영역들 중 적어도 중심 영역 및 가장자리 영역의 진공 흡입구들을 통해 진공을 제공하는 단계;Providing a vacuum through vacuum inlets of at least a central region and an edge region of the vacuum providing regions; 상기 진공 제공 영역별로 진공 흡입구들에 기판이 흡착되는지의 여부를 감지하는 단계; 및Detecting whether the substrate is adsorbed to the vacuum inlets by the vacuum providing region; And 상기 진공 제공 영역별로 감지된 기판 흡착 여부에 의해 휨 현상을 판별하는 단계를 포함하는 기판의 휨 현상 판별 방법.And determining a warpage phenomenon by the adsorption of the substrate sensed by the vacuum providing regions.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744183B1 (en) * 2006-02-16 2007-08-01 삼성전자주식회사 Apparatus and method for manufacturing display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JPH1167882A (en) * 1997-08-22 1999-03-09 Nikon Corp Substrate suction device/method
KR20000065522A (en) * 1999-04-06 2000-11-15 윤종용 Apparatus for sucking semiconductor wafer using vacuum chuck
KR20010090997A (en) * 2000-04-10 2001-10-22 윤종용 Multi-touch point vacuum chuck system applying to semiconductor fabrication equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JPH1167882A (en) * 1997-08-22 1999-03-09 Nikon Corp Substrate suction device/method
KR20000065522A (en) * 1999-04-06 2000-11-15 윤종용 Apparatus for sucking semiconductor wafer using vacuum chuck
KR20010090997A (en) * 2000-04-10 2001-10-22 윤종용 Multi-touch point vacuum chuck system applying to semiconductor fabrication equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744183B1 (en) * 2006-02-16 2007-08-01 삼성전자주식회사 Apparatus and method for manufacturing display device

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