KR20040049968A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 액정표시장치는, 게이트 라인, 게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성된 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각된 것을 특징으로 하며,
본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법은, 게이트 라인, 게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성되는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 보호막 위에 포토레지스트가 도포되는 단계와; 상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 상기 포토레지스트가 회절 노광되는 단계와; 상기 회절 노광된 영역이 식각되어 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 제거되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트불량을 개선함으로써 액정표시장치의 생산 수율을 향상시키는 장점이 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Device and fabrication method of thereof}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 게이트 라인 단차 영역 일부에 회절 노광을 통해 홀을 형성하고 상기 영역에 존재하는 데이터 금속 잔막을 제거하는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(CRT: Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 있다.
이에 따라, 표시 면적이 크더라도 그 두께가 얇아서 어느 장소에서든지 쉽게 사용할 수 있는 박막형 평판 표시 장치가 개발되었고, 점점 브라운관 표시 장치를 대체하고 있다. 특히, 액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부를 나타내는 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 도 1을 참조하면, 종래의 액티브 매트릭스형 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(6)와 서브 칼러필터(8)를 포함하는 칼라필터(7) 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P) 및 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭 소자(T)로서의 박막트랜지스터 및 데이터 라인(15), 게이트 라인(13)이 형성된 하부기판으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)을 어레이 기판이라고도 하며, 상기 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 형성되며, 또한 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 교차하여 정의되는 영역이 상기 화소영역(P)이 되는 것이다.
여기서 상기 게이트 라인(13)은 상기 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극(16)을 구동하는 펄스전압을 전달하며, 상기 데이터 라인(15)은 상기 박막트랜지스터(T)의 소스전극(19)을 구동하는 신호전압을 전달하는 수단이다. 이 때, 상기 게이트 전극(16)의 신호에 의해 임의의 소스 전극(19)에 액정을 구동할 수 있는 전압이 인가되고, 나머지에는 액정 구동전압보다 작은 전압이 인가된다면, 액정 구동전압이 인가된 화소만 동작을 할 것이다.
즉, 상기 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는 스위칭 소자로서의 박막트랜지스터(T)와 상, 하판 전극 즉, 공통전극(18) 및 화소전극(17) 사이의 액정(14)의 존재로 인해 형성되는 캐패시터, 보조 캐패시터, 게이트 라인(13) 및 데이터 라인(15)을 구비한다.
또한, 상기 액정 표시 장치의 구동에 있어서는, 먼저 게이트 전극(16)에 일정한 전압이 인가되면 박막트랜지스터(T)가 턴 온(turn on)되고, 이 시간 동안에 화상에 관한 정보를 가진 데이터 신호가 상기 박막트랜지스터(T)를 통해 액정(14)에 인가되며, 이 때, 캐패시터인 액정부분은 충전되는데, 이상적인 경우 액정(14)에 충전된 총전하량은 게이트가 턴 오프(turn off)되어 다음 신호가 들어올 때까지유지가 된다.
액정전압 즉, 공통전극(18)과 화소전극(17) 사이의 전압은 현실적으로 액정표시장치에서 발생되는 다수의 캐패시턴스의 존재로 인하여만큼의 변동이 있으며,는 근사적으로 다음의 식에 의하여 표현된다.
여기서,는 액정전압의 변동량, Cgd는 게이트전극(16)과 드레인전극(20)의 중첩으로 존재하는 기생축적용량, CLC는 화소용량, 그리고 Cst는 스토리지 캐패시터의 축적용량 및는 게이트전압의 차이를 나타내며, 이와 같은즉, 액정전압의 변동량은 액정전압의 왜곡을 발생시키기 때문에 플리커(flicker)의 주요원인이 된다.
이에 따라, 상기를 작게 하기 위해서는 스토리지 캐패시터의 축적용량 Cst를 증가시키는 것이 유리하며, 따라서 스토리지 캐패시터는 액정이 데이터 신호를 안정적으로 유지시키도록 하기 위해 필요한 것이다.
여기서, 액정 표시 장치에 형성되는 상기 스토리지 캐패시터는 충전을 위한 전극을 사용하는 방식에 따라 온 컴먼(on common) 방식과 온 게이트(on gate) 방식으로 구분될 수 있다.도 2는 종래의 온 게이트 방식의 스토리지 캐패시터를 구비하는 액정표시장치의 평면구조를 나타낸 것이다.
단, 도 2는 도 1에서의 하판 즉, 어레이 기판의 소정 부분으로 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)와, 이러한 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15) 및 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 교차하여 정의되는 영역이 상기 화소영역(P)의 일부에 대한 도면이다.
도 2를 참조하면, 종래의 온 게이트 방식의 스토리지 캐패시터에 있어 축적용량을 증가시키기 위해 n-1번째 게이트 라인(13)의 일부와 이에 중첩되는 n번째 화소전극(17')의 일부를 n번째 화소의 스토리지 캐패시터용 전극으로 사용하지 않고, 상기 n-1번째 게이트 라인 상부에 형성된 게이트 절연막 위에 n번째 화소전극(17')과 연결되는 보조전극(24)을 형성한다.
이는 종래의 스토리지 커패시터의 경우 n-1번째 게이트 라인(13)과 n번째 화소전극(17')을 스토리지 커패시터의 전극들로 이용하기 때문에 게이트 절연막과 보호막이 유전막이 되나, 상기 게이트 절연막 상에 상기 n번째 화소전극(17')과 연결되는 보조전극(24)을 형성할 경우에는 상기 보조전극(24)이 형성된 부분에는 보조전극(24)과 상기 n-1번째 게이트 라인(13)이 스토리지 캐패시터의 전극들이 되기 때문에 게이트 절연막 만을 유전막으로 사용하여 유전막의 두께를 감소시킴으로써 상기 전극들의 간격이 줄어들어 스토리지 캐패시터의 축적용량을 증가시킬 수 있기 때문이다.도 3a 내지 도 3c는 도2의 특정부분(A-A', B-B', C-C')에 대한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 이는 상기 스토리지 캐패시터의 단면으로서, 기판(30) 상에 게이트 전극을 포함하는 게이트 라인(13)이 형성되어 있고, 게이트 라인(13)을 포함하는 기판(30)의 노출된 면에 게이트 절연막(25)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 게이트 절연막(25) 상에는 데이터 라인을 이루는 데이터 금속으로 형성된 보조전극(24)이 형성되어 있다. 또한, 상기 보조전극(24)을 보호막(26)이 덮고 있으며, 보호막(26)에는 보조전극의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성되어 있고, 상기 콘택홀을 통하여 화소전극(17')이 보조전극(24)과 연결되면서 보호막(26) 상에 형성되어 있다.
이를 통해 앞서 설명한 바와 같이 유전막의 두께를 감소시킴으로써 상기 전극들의 간격이 줄어들어 스토리지 캐패시터의 축적용량을 증가시키게 되는 것이다.
그러나, 상기와 같은 구조는 게이트 라인의 단차를 따라 형성되는 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터의 보조전극 간의 데이터 금속 잔막에 의한 쇼트 불량이 발생될 수 있는 단점을 가지고 있다.
도 3b은 상기 게이트 라인의 단차를 따라 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 상기 데이터 라인(15) 및 스토리지 캐패시터의 보조전극(24)을 형성하는 데이터 금속(ex. 몰리브덴(Mo))은 상기 게이트 전극(13)을 보호하는 게이트 절연막(25) 상에 증착되고, 그 후 상기 데이터 라인(15) 및 보조전극(24)의 형상으로 패터닝 되는데, 이 때 상기 패터닝이 상기 게이트 라인(13)의 단차 영역에 대해서는 완전히 이루어 지지 않아 상기 데이터 금속이 상기 게이트 라인(13)의 단차를 따라 그 잔막(32)이 형성되는 경우가 발생된다.
또한, 도 3c는 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 사이의 게이트 라인에 대한 단면도이다.
도 3c를 참조하면, 도 3b에서 설명한 바와 같이 상기 게이트 라인(13)의 단차 영역을 따라 데이터 금속의 잔막(32)이 형성됨을 알 수 있다. 즉, 상기 게이트 라인(13)이 형성되고, 그 위에 이를 보호하는 게이트 절연막(25)이 형성되며, 상기 게이트 절연막(25) 위에 데이터 라인(도 3b의 15) 및 스토리지 캐패시터의 보조전극(도 3b의 24) 등이 형성되는데, 상기 게이트 라인(13)의 단차가 형성된 영역에 대해서는 상기 데이터 라인(도 3b의 15)과 스토리지 캐패시터의 보조전극(도 3b의 24) 간에 데이터 금속이 완전히 제거되지 못하고 잔막(32)이 잔존하게 되어 결국 이를 통해 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트가 발생되는 것이다.
이와 같이 상기 데이터 금속이 상기 게이트 라인의 단차를 따라 그 잔막(32)이 형성되는 경우에는 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 사이에 쇼트가 발생되며, 이러한 쇼트가 발생되면 상기 스토리지 캐패시터에 의해 일정 시간동안 안정적으로 유지되어야 하는 데이터 신호가 상기 데이터 라인으로 흘러나가게 되는 단점이 발생된다.
본 발명은 게이트 라인의 단차 영역에 대해 회절노광을 이용하여 게이트 절연막 상에 존재하는 데이터 금속 잔막을 제거함으로써, 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트불량을 개선하는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부를 나타내는 분해 사시도.
도 2는 종래의 온 게이트 방식의 스토리지 캐패시터를 구비하는 액정표시장치의 평면구조를 나타낸 도면.
도 3a 내지 도 3c는 도2의 특정부분(A-A', B-B', C-C')에 대한 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 액정표시장치의 평면구조를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
13 : 게이트 라인15 : 데이터 라인
24 : 보조전극25 : 게이트 절연막
26 : 보호막층30 : 기판
32 : 잔막34 : 특정영역
36 : 포토레지스트38 : 할프톤 부(H/T부)
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 액정표시장치는, 게이트 라인,게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성된 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 특정 영역이라 함은 상기 데이터 라인과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극 사이 하부에 존재하는 게이트 라인의 단차가 형성된 영역임을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법은, 게이트 라인, 게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성되는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 보호막 위에 포토레지스트가 도포되는 단계와; 상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 상기 포토레지스트가 회절 노광되는 단계와; 상기 회절 노광된 영역이 식각되어 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 제거되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 특정 영역이라 함은 상기 데이터 라인과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극 사이 하부에 존재하는 게이트 라인의 단차가 형성된 영역임을 특징으로 한다.
또한, 상기 잔존한 포토레지스트가 제거되고, 상기 보호막 위에 화소전극이 형성되는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 제거됨에 의해 상기 특정 영역에 잔존하는 데이터 금속이 제거되며, 상기 데이터 금속은 상기 데이터 라인 및 스토리지 캐패시터의 보조전극을 이루는 금속임을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트불량을 개선함으로써 액정표시장치의 생산 수율을 향상시키는 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 의한 액정표시장치의 평면구조를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 이는 도 2에 도시된 종래의 온 게이트(on gate) 방식의 스토리지 캐패시터를 구비하는 액정표시장치와 그 구성이 유사함을 알 수 있다.
즉, 도 4는 도 1에서의 하판, 곧 어레이 기판의 소정 부분을 도시한 것으로 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)와, 상기 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15) 및 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 교차하여 정의되는 영역으로 화소영역(P)을 나타내는 도면이다.
또한, 본 발명에 있어서도 스토리지 캐패시터의 축적용량을 증가시키기 위해 n-1번째 게이트 라인(13)의 일부와 이에 중첩되는 n번째 화소전극(17')의 일부를 n번째 화소의 스토리지 캐패시터용 전극으로 사용하지 않고, 상기 n-1번째 게이트 라인 상부에 형성된 게이트 절연막 위에 n번째 화소전극(17')과 연결되는 스토리지 캐패시터용 보조전극(24)을 형성하며, 이를 통해 게이트 절연막 만을 유전막으로 사용하여 유전막의 두께를 감소시킴으로써 상기 전극들의 간격이 줄어들어 스토리지 캐패시터의 축적용량을 증가시킨다.
이 때, 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극(24)은 상기 데이터 라인(15) 및 상기 박막트랜지스터의 구성요소인 소스/ 드레인 전극을 이루는 금속과 동일한 금속으로 이루어진다. 즉, 상기 금속(예컨데 몰리브덴(Mo))이 게이트 절연막 상에 스퍼터링 방식 등에 의해 증착되고, 증착된 상기 금속층이 상기 데이터 라인(15), 보조전극(24), 소스/ 드레인 전극이 형성되도록 패터닝 됨으로써 각각의 데이터 라인(15), 보조전극(24), 소스/ 드레인 전극이 형성되는 것이다.
여기서, 본 발명에 의한 액정표시장치가 도 2에 도시된 종래의 액정표시장치와 가장 구별되는 점은 상기 게이트 라인(13)의 단차부 특정 영역(34)에 대해 상기 특정 영역(34) 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각된다는 점이다. 또한, 상기 특정 영역(34)이라 함은 상기 데이터 라인(15)과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극(24) 사이 하부에 존재하는 게이트 라인(13)의 단차가 형성된 영역임을 말한다.
본 발명에 의한 액정표시장치는 상기 특정 영역(34) 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각 됨으로써, 상기 게이트 라인(13)의 단차를 따라 데이터 라인(15) 등을 이루는 데이터 금속의 잔막이 형성됨에 의해 상기 데이터 라인(15)과 스토리지 캐패시터(24) 사이에 쇼트가 발생되는 것을 억제할 수 있는 것이다.
즉, 상기 증착된 데이터 금속층의 패터닝이 상기 게이트 라인(13)의 단차부에 제대로 형성되지 않아 상기 게이트 라인(13)의 단차부를 따라 그 잔막이 형성된다 할 지라도, 상기와 같이 특정 영역(34)에 대한 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각 됨으로써, 식각된 영역에 존재하는 금속 잔막이 제거되므로 결국 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트가 방지되는 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
단, 도 5는 도 4의 특정부분(D-D', E-E')에 대한 단면도이다.
먼저 기판(30) 상에 알루미늄 또는 알루미늄 함금 등의 저항이 낮은 금속을 증착하여 제 1금속층을 형성하고, 상기 제 1금속층을 식각하여 게이트 라인(13) 및 게이트 전극 등을 형성한다. (a)
상기 제 1금속층은 게이트 라인(13) 및 게이트 전극을 형성하기 위한 것이며, 상기 제 1금속층에 알루미늄과 같이 저항이 낮은 금속을 사용하는 이유는 게이트 라인(13)을 스토리지 캐패시터의 하부전극으로 사용할 경우 상기 게이터 라인(13)의 시정수가 증가하게 되기 때문에, 저항이 높은 탄탈(Ta)이나 크롬(Cr)보다는 저항이 낮은 알루미늄 등을 사용함으로서 시정수를 감소시킬 수 있기 때문이다.
다음으로는 상기 게이트 라인(13) 등이 형성된 기판(30) 위에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)과 같은 무기 절연물질 즉, 게이트 절연막(25)을 형성한다. (b)
그 다음 상기 게이트 절연막(25) 위에 데이터 라인(15), 스토리지 캐패시터용 보조전극(24), 박막트랜지스터의 소스/ 드레인 전극을 이루는 제 2금속층을 형성한다. 이러한 상기 제 2금속층으로는 탄탈(Ta), 텅스텐(Wo), 안티몬(Sb)과 같은 고융점을 갖는 금속을 이용하며, 상기 제 2금속층을 노광 마스크 등을 이용하여 패터닝/ 식각함으로써 상기 데이터 라인(15), 스토리지 캐패시터용 보조전극(24) 등이 형성된다.
단, 이 때 상기 게이트 라인(13)의 단차부에 형성되는 상기 데이터 라인(15) 및 스토리지 캐패시터용 보조전극(24)에 대해서는 상기 게이트 라인(13)의 단차 영역를 따라 상기 데이터 라인(15) 등을 이루는 데이터 금속 즉, 제 2금속층의 잔막(32)이 형성된다. (c)
즉, 상기 게이트 라인(13)의 단차가 형성된 영역에 대해서는 상기 데이터 라인(15)과 스토리지 캐패시터의 보조전극(24) 간에 데이터 금속이 완전히 제거되지 못하고 잔막(32)이 잔존하게 되어 결국 이를 통해 상기 데이터 라인(15)과 스토리지 캐패시터용 보조전극(24)간의 쇼트가 발생된다.
또한, 도시되지 않았지만 상기 박막트랜지스터 영역에 있어서는 상기 게이트 절연막 위에 순수 아몰퍼스(amorphous) 실리콘과 같은 진성반도체 물질과, n+ 또는 p+형 불순물이 첨가된 반도체물질이 상기 제 2금속층이 형성되기 전에 형성됨으로써 상기 박막트랜지스터 영역 내에서 액티브층 및 오믹콘택층을 이루게 된다.
다음으로 상기 데이터 라인(15) 및 보조전극(24) 등이 형성된 기판(30)의 전면에 절연물질을 증착하여 보호막층(26)(passivation layer)을 형성한다. (d)
그 다음 상기 보호막층(26) 위에 포토레지스트(38)를 도포하고, 상기 게이트라인의 단차부 특정 영역(34)에 대해 상기 특정 영역(34) 상부에 형성된 상기 포토레지스트에 대해 회절 노광시킨다.(e)
여기서, 상기 특정 영역(34)이라 함은 상기 데이터 라인(15)과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극(24) 사이 하부에 존재하는 게이트 라인(13)의 단차가 형성된 영역임을 말한다.
또한, 상기 특정 영역(34) 상부에 형성된 포토레지스트(36)에 대해 회절 노광을 하는 것은 회절 패턴이 형성된 노광 마스크를 통하여 이루어 지며, 상기 회절 패턴이 형성된 영역을 통과하는 빛은 그 세기가 다소 약해지므로 상기 특정 영역에 대해서 전체적으로 도포된 포토레지스트의 두께를 상대적으로 차이가 나게 한다. 즉, 상기 특정 영역의 상부의 포토레지스트가 상기 회절 노광에 의해 일부 제거된 상태가 되는 것이다. 이와 같이 포토레지스트의 두께가 상대적을 작은 부분을 Half Tone부(38)(이하 H/T)이라 한다.
다음으로 상기 H/T영역(38)의 포토레지스트(36)를 애싱(ashing)공정을 통하여 제거하며, 제거된 H/T영역(38)에 대해 건식 식각(Dry etching) 공정을 거침으로써 상기 영역의 보호막(26) 및 게이트 절연막(25)의 일부가 제거된다. (f)
또한, 상기 보호막(26) 및 게이트 절연막(25) 일부가 제거되면 잔존한 포토레지스트(36)가 제거되며, 그 후 상기 보호막(26) 위에 화소전극이 패터닝되어 형성된다. 이 때 상기 화소전극은 박막트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 접촉된다.
이와 같이 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막(26) 및 게이트 절연막 (25)일부가 식각 됨으로써, 상기 게이트 라인(13)의 단차를 따라 상기 데이터 라인(15)과 스토리지 캐패시터용 보조전극(24) 사이 형성된 데이터 금속의 잔막(32)의 일부가 제거되며, 이에 의해 상기 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 사이의 쇼트가 억제된다.
즉, 상기 증착된 데이터 금속층의 패터닝이 상기 게이트 라인(13)의 단차부에 제대로 형성되지 않아 상기 게이트 라인(13)의 단차부를 따라 그 잔막(32)이 형성된다 할 지라도, 상기와 같이 특정 영역(34)에 대한 보호막(26) 및 게이트 절연막(25) 일부가 식각 됨으로써, 식각된 영역에 존재하는 금속 잔막(32)이 제거되므로 결국 상기 데이터 라인(15)과 스토리지 캐패시터용 보조전극(24) 간의 쇼트가 방지되는 것이다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 데이터 라인과 스토리지 캐패시터 간의 쇼트불량을 개선함으로써 액정표시장치의 생산 수율을 향상시키는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 게이트 라인, 게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성된 액정표시장치에 있어서,
    상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 식각된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 특정 영역이라 함은 상기 데이터 라인과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극 사이 하부에 존재하는 게이트 라인의 단차가 형성된 영역임을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 게이트 라인, 게이트 절연막, 데이터 라인 및 스토리지 캐피시터용 보조전극, 보호막이 순차적으로 형성되는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 보호막 위에 포토레지스트가 도포되는 단계와,
    상기 게이트 라인의 단차부 특정 영역에 대해 상기 특정 영역 상부에 형성된 상기 포토레지스트가 회절 노광되는 단계와,
    상기 회절 노광된 영역이 식각되어 상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 제거되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 특정 영역이라 함은 상기 데이터 라인과 상기 스토리지 캐패시터용 보조전극 사이 하부에 존재하는 게이트 라인의 단차가 형성된 영역임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 잔존한 포토레지스트가 제거되고, 상기 보호막 위에 화소전극이 형성되는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 특정 영역 상부에 형성된 보호막 및 게이트 절연막 일부가 제거됨에 의해 상기 특정 영역에 잔존하는 데이터 금속이 제거되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 데이터 금속은 상기 데이터 라인 및 스토리지 캐패시터의 보조전극을 이루는 금속임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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