KR20040045697A - Chip stack package using insulation wire - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chip stack package using an insulation wire is provided to be capable of improving working efficiency and preventing the electrical contact between wires, or the wire and a semiconductor chip. CONSTITUTION: A chip stack package is provided with a board(31) having a circuit pattern(32), a bottom chip(34) attached on the board by using the first adhesive(33), the first insulation wire(37) for electrically connecting the bonding pad(34a) of the bottom chip with the circuit pattern of the board, and a top chip(36) attached on the bottom chip by using the second adhesive(35). The chip stack package further includes the second insulation wire for electrically connecting the bonding pad(36a) of the top chip with the circuit pattern of the board, an encapsulating part(38) for selectively enclosing the resultant structure, and a plurality of solder balls(39) attached on the lower surface of the board for being electrically connected with the outer circuit.

Description

절연 와이어를 이용한 칩 스택 패키지{Chip stack package using insulation wire}Chip stack package using insulation wire}

본 발명은 칩 스택 패키지에 관한 것으로, 특히, 작업 효율성을 높이면서 몰딩 공정시의 와이어 스위핑에 기인하는 와이어간 또는 와이어와 칩간의 쇼트 발생이 방지되도록 한 칩 스택 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip stack package, and more particularly, to a chip stack package which prevents short circuits between wires or wires and chips due to wire sweeping during a molding process while increasing work efficiency.

전기/전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 패키지를 실장하기 위한 많은 기술들이 제안 및 연구되고 있다. 그런데, 패키지는 하나의 칩이 탑재되는 것을 기본으로 하기 때문에 용량 증가에 한계가 있다.As the performance of electrical / electronic products is advanced, many technologies for mounting a larger number of packages on a limited size substrate have been proposed and studied. However, since the package is based on one chip mounted, there is a limit to capacity increase.

여기서, 메모리 칩의 용량 증대, 즉, 고집적화를 이룰 수 있는 방법으로는 한정된 공간 내에 보다 많은 수의 셀을 제조해 넣는 기술이 일반적으로 알려져 있다. 그런데, 이와 같은 방법은 정밀한 미세 선폭을 요구하는 등, 고난도의 공정 기술과 많은 개발 시간을 필요로 한다. 따라서, 보다 용이하게 고집적화를 이룰 수 있는 방법으로서 스택킹(stacking) 기술이 개발되었고, 현재 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.Here, as a method of increasing the capacity of the memory chip, that is, high integration, a technique of manufacturing a larger number of cells in a limited space is generally known. However, such a method requires a high level of process technology and a lot of development time, such as requiring a precise fine line width. Therefore, a stacking technology has been developed as a method of achieving high integration more easily, and researches on this are being actively conducted.

반도체 업계에서 말하는 스택킹이란, 적어도 2개 이상의 반도체 칩을 스택하여 메모리 용량을 배가시키는 기술이다. 이러한 스택킹 기술에 의하면, 2개의 64M DRAM급 칩을 스택하여 128M DRAM급으로 구성할 수 있고, 또한, 2개의 128M DRAM급 칩을 스택하여 256M DRAM급으로 구성할 수 있다. 게다가, 스택킹 기술에 의하면, 실장 밀도 및 실장 면적 사용의 효율성 측면에서 잇점을 갖는다.Stacking as used in the semiconductor industry is a technique of stacking at least two or more semiconductor chips to double the memory capacity. According to such a stacking technology, two 64M DRAM chips can be stacked to form a 128M DRAM class, and two 128M DRAM chips can be stacked to be 256M DRAM class. In addition, the stacking technique has advantages in terms of mounting density and efficiency of mounting area use.

상기 2개의 반도체 칩을 스택하는 방법으로는 스택된 2개의 칩을 하나의 패키지 내에 내장시키는 방법과 패키징된 2개의 패키지를 스택하는 방법이 있으며, 효율면에서는 하나의 패키지 내에 2개의 칩을 내장시킨 칩 스택 패키지가 더 우수하다.The stacking method of the two semiconductor chips includes a method of embedding two stacked chips in one package and a method of stacking two packaged packages. In terms of efficiency, two chips are embedded in one package. The chip stack package is better.

도 1은 전술한 칩 스택 패키지의 일예를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of the chip stack package described above.

도시된 바와 같이, 센터 패드형의 바텀 칩(4)은 패드 형성면이 아래를 향하는 페이스 다운 타입(face down type)으로 회로패턴(2)을 구비하면서 패드 형성부에 대응해서 홀이 구비된 기판(1) 상에 접착제(3)에 의해 부착되어 있고, 센터 패드형의 탑 칩(6)은 패드 형성면이 위를 향하는 페이스 업 타입(face up type)으로 상기 바텀 칩(4)의 하부면 상에 접착제(5)에 의해 부착되어 있다.As shown, the center pad type bottom chip 4 includes a circuit pattern 2 in a face down type in which a pad formation surface faces downward, and a substrate having holes corresponding to the pad formation portion. The top chip 6 of the center pad type, which is attached to the top surface 1 by an adhesive 3 on the bottom surface, is a face up type in which a pad forming surface faces upwards, and a lower surface of the bottom chip 4. It is attached by the adhesive agent 5 on it.

또한, 상기 바텀 칩(4)의 본딩패드(4a)와 기판(1)의 회로패턴(2)은 홀을 관통하여 금속 와이어(7)에 의해 전기적으로 연결되어져 있고, 상기 탑 칩(6)의 본딩패드(6a)와 기판(1)의 회로패턴(2) 또한 금속 와이어(7)에 의해 전기적으로 연결되어져 있다.In addition, the bonding pad 4a of the bottom chip 4 and the circuit pattern 2 of the substrate 1 are electrically connected to each other by a metal wire 7 through a hole. The bonding pad 6a and the circuit pattern 2 of the substrate 1 are also electrically connected by the metal wire 7.

그리고, 상기 바텀 칩(4)과 탑 칩(6) 및 금속 와이어(7)를 포함한 기판(1)의 상부면 및 기판(1)의 홀은 봉지제(8)로 밀봉되어 있으며, 상기 기판(1)의 하부면에는 외부 회로와 전기적으로 접속되는 솔더 볼(9)이 부착되어져 있다.The top surface of the substrate 1 including the bottom chip 4, the top chip 6, and the metal wire 7 and the holes of the substrate 1 are sealed with an encapsulant 8, and the substrate ( The lower surface of 1) has a solder ball 9 electrically connected to an external circuit.

그러나, 전술한 종래의 스택 칩 패키지는 바텀 칩과 탑 칩이 각각 페이스 다운 타입과 페이스 업 타입으로 배치되기 때문에 그 제조시에 작업성이 떨어지며,이에 따라, 장비 투자 비용이 많이 소요된다. 즉, 각 칩들의 부착시에 서로 다른 장비가 사용되어야 하고, 아울러, 와이어 본딩시 히터 블럭(heater block) 및 클램프(clamp)가 각각 1개씩 더 필요하므로, 장비 투자 비용이 증가된다.However, the above-mentioned conventional stack chip package is inferior in workability at the time of its manufacture because the bottom chip and the top chip are disposed in the face down type and the face up type, respectively, and therefore, the equipment investment cost is high. That is, different equipment must be used when attaching each chip, and additionally, one heater block and one clamp are required for wire bonding, thereby increasing the equipment investment cost.

또한, 전술한 종래의 스택 칩 패키지는 몰딩 공정시에 와이어 스위핑(wire sweeping)이 일어남으로써 와이어들간 또는 와이어와 칩간에 접촉이 발생될 수 있으며, 이는 전기적 누설로 이어져 제품의 품질 저하를 야기한다. 이러한 현상은 각 칩에서의 본딩패드들간의 피치가 미세해짐에 따라 더욱 심각할 것으로 예상된다.In addition, in the above-described conventional stack chip package, wire sweeping may occur during the molding process, so that contact between wires or between wires and chips may occur, which leads to electrical leakage, resulting in deterioration of product quality. This phenomenon is expected to be more serious as the pitch between bonding pads in each chip becomes finer.

도 2는 몰딩시의 와이어 스위핑에 의해 칩과 와이어간의 접촉이 일어난 상태를 보여주는 사진이다.2 is a photograph showing a state in which contact between the chip and the wire occurs by the wire sweeping during molding.

보여지는 바와 같이, 와이어(12)가 칩(11)의 가장자리와 접촉되었음을 볼 수 있으며, 따라서, 전기적 누설(electrical leakage)가 발생될 것으로 예상된다.As can be seen, it can be seen that the wire 12 is in contact with the edge of the chip 11, and therefore electrical leakage is expected to occur.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 작업 효율을 높이면서 몰딩시의 와이어 스위핑에 기인된 와이어들간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉이 방지되도록 한 칩 스택 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, to provide a chip stack package to prevent electrical contact between the wires or the wire and the chip due to the wire sweeping during molding while improving the work efficiency. There is a purpose.

도 1은 종래의 칩 스택 패키지를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional chip stack package.

도 2는 칩과 와이어간의 접촉이 일어난 상태를 보여주는 사진.2 is a photograph showing a state in which contact between the chip and the wire occurs.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 칩 스택 패키지를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a chip stack package according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 절연 와이어를 도시한 도면.4 shows an insulated wire according to the invention.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 칩 스택 패키지의 제조 공정도.5a to 5e are manufacturing process diagrams of the chip stack package according to the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 칩 스택 패키지들을 도시한 단면도.6 and 7 are cross-sectional views illustrating chip stack packages according to other embodiments of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

31 : 기판 32 : 회로패턴31 substrate 32 circuit pattern

33,35 : 접착제 34 : 바텀 칩33,35: adhesive 34: bottom chip

34a,36a : 본딩패드 36 : 탑 칩34a, 36a: bonding pad 36: top chip

37 : 절연 와이어 37a : 전도성 금속37: insulated wire 37a: conductive metal

37b : 절연체 38 : 봉지제37b: insulator 38: encapsulant

39 : 솔더 볼 40 : 마운트 스테이지39: solder ball 40: mount stage

50 : 마운트 헤드 60 : 이방성 도전 필름50: mount head 60: anisotropic conductive film

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 회로패턴을 구비한 기판; 상기 기판 상에 제1접착제에 의해 페이스 업 타입으로 부착되는 바텀 칩; 상기 바텀 칩의 본딩패드와 기판의 회로패턴간을 전기적으로 연결하는 제1절연 와이어; 상기 제1절연 와이어를 포함한 상기 바텀 칩 상에 제2접착제에 의해 페이스 업 타입으로 부착되는 탑 칩; 상기 탑 칩의 본딩패드와 기판의 회로패턴간을 전기적으로연결하는 제2절연 와이어; 상기 바텀 칩 및 탑 칩과 제1 및 제2절연 와이어를 포함한 기판의 상부면을 밀봉하는 봉지제; 및 상기 기판의 하부면에 부착되어 외부 회로와 전기적으로 접속되는 솔더 볼을 포함하는 칩 스택 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a substrate having a circuit pattern; A bottom chip attached to the substrate in a face up type by a first adhesive; A first insulating wire electrically connecting the bonding pad of the bottom chip and the circuit pattern of the substrate; A top chip attached to the bottom chip including the first insulating wire in a face up type by a second adhesive; A second insulating wire electrically connecting between the bonding pad of the top chip and the circuit pattern of the substrate; An encapsulant for sealing an upper surface of the substrate including the bottom chip, the top chip, and the first and second insulating wires; And a solder ball attached to a lower surface of the substrate and electrically connected to an external circuit.

여기서, 상기 바텀 칩 및 탑 칩은 센터 패드형 또는 가장자리 패드형 칩 모두가 적용 가능하다.Here, the bottom chip and the top chip may be applicable to both a center pad type or an edge pad type chip.

상기 제1 및 제2절연 와이어는 전도성 금속이 절연체로 감싸진 구조이며, 상기 전도성 금속은 금, 구리 또는 니켈 중 어느 하나이고, 상기 절연체는 폴리이미드 또는 폴리우레탄이다.The first and second insulating wires have a structure in which a conductive metal is wrapped with an insulator, and the conductive metal is any one of gold, copper, or nickel, and the insulator is polyimide or polyurethane.

본 발명에 따르면, 칩과 기판간의 전기적 연결을 절연 와이어로 행함으로써, 바텀 칩을 페이스 업 타입으로 배치시킬 수 있어 작업 효율성을 높일 수 있고, 또한, 몰딩시의 와이어간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉 발생을 방지할 수 있다.According to the present invention, by making the electrical connection between the chip and the substrate with an insulated wire, the bottom chip can be arranged in a face-up type, thereby improving work efficiency, and furthermore, the electrical contact between the wire or the wire and the chip during molding. It can prevent occurrence.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 칩 스택 패키지를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a chip stack package according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 칩 스택 패키지는 종래의 그것과 비교해서 센터 패드형인 바텀 칩(34)과 탑 칩(36)이 기판(31) 상에 모두 페이스 업 타입으로 스택된 구조를 갖는다.As shown, the chip stack package of the present invention has a structure in which the center chip type bottom chip 34 and the top chip 36 are stacked on the substrate 31 in a face up type as compared with the conventional one.

또한, 각 칩(24, 26)의 본딩패드(34a, 36a)와 기판(21)의 회로패턴(32)은 절연 와이어(37)로 연결된다. 즉, 본딩패드(34a, 36a)와 회로패턴(32)간의 전기적 연결은 전형적인 금속 와이어로 이루어지는 것이 아니라, 도 4에 도시된 바와 같이, 금, 구리 및 니켈 등과 같은 전도성 금속(37a)이 폴리이미드 및 폴리우레탄과 같은 절연체(37b)로 감싸져 있는 절연 와이어(37)로 이루어진다.In addition, the bonding pads 34a and 36a of each chip 24 and 26 and the circuit pattern 32 of the substrate 21 are connected by an insulated wire 37. That is, the electrical connection between the bonding pads 34a and 36a and the circuit pattern 32 is not made of a typical metal wire, but as shown in FIG. 4, the conductive metal 37a such as gold, copper, nickel, and the like is polyimide. And an insulated wire 37 wrapped with an insulator 37b such as polyurethane.

보다 자세하게, 본 발명의 칩 스택 패키지에 있어서, 바텀 칩(24)은 패드 형성면이 위를 향하는 페이스 업 타입으로 회로패턴(32)을 구비한 기판(31) 상에 접착제(33)에 의해 부착되고, 탑 칩(36) 또한 패드 형성면이 위를 향하는 페이스 업 타입으로 접착제(35)에 의해 상기 바텀 칩(34) 상에 부착된다. 그리고, 상기 바텀 칩(34)과 탑 칩(36)의 본딩패드들(34a, 36a)은 절연 와이어(37)에 의해 기판(31)의 회로패턴(32)과 전기적으로 연결된다. 아울러, 바텀 칩(34) 및 탑 칩(36)과 절연 와이어(37)를 포함한 기판(31)의 상부면을 몰딩 공정을 통해 봉지제(38)로 밀봉된다. 게다가, 기판(31)의 하부면에는 외부 회로와 전기적으로 접속되는, 즉, 실장 수단으로서 기능하는 솔더 볼(39)이 부착된다.More specifically, in the chip stack package of the present invention, the bottom chip 24 is attached by the adhesive 33 on the substrate 31 having the circuit pattern 32 in the face up type with the pad formation surface facing upward. The top chip 36 is also attached on the bottom chip 34 by the adhesive 35 in a face up type with a pad forming surface facing upward. In addition, the bonding pads 34a and 36a of the bottom chip 34 and the top chip 36 are electrically connected to the circuit pattern 32 of the substrate 31 by the insulating wire 37. In addition, the top surface of the substrate 31 including the bottom chip 34, the top chip 36, and the insulating wire 37 is sealed with the encapsulant 38 through a molding process. In addition, a solder ball 39 is attached to the lower surface of the substrate 31, which is electrically connected to an external circuit, that is, functions as a mounting means.

이와 같은 본 발명의 칩 스택 패키지는 각 칩의 본딩패드들과 기판 회로패턴간의 전기적 연결이 절연 와이어에 이루어지기 때문에, 몰딩 공정시, 비록 와이어 스위핑이 일어나더라도, 와이어간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉은 발생되지 않는다.In the chip stack package of the present invention, since the electrical connection between the bonding pads of each chip and the substrate circuit pattern is made on the insulated wire, even during wire sweeping, even if wire sweeping occurs, the electrical contact between the wires or between the wires and the chips is performed. Does not occur.

아울러, 본딩패드와 회로패턴간의 전기적 연결이 절연 와이어에 의해 이루어진 것과 관련해서, 바텀 칩을 페이스 업 타입으로 부착하였더라도, 상기 바텀 칩의 패드 형성면 상에 부착되는 전기적으로 절연된 접착제의 두께를 충분히 두껍게 하는 경우, 이러한 바텀 칩 상에의 탑 칩의 부착도 용이하게 이룰 수 있다.In addition, in relation to the electrical connection between the bonding pad and the circuit pattern made by the insulated wire, even if the bottom chip is attached in the face up type, the thickness of the electrically insulated adhesive adhered to the pad forming surface of the bottom chip is sufficient. In the case of thickening, attachment of the top chip onto such a bottom chip can be easily achieved.

결국, 본 발명의 칩 스택 패키지는 바텀 칩 및 탑 칩 모두가 페이스 업 타입으로 배치하기 때문에 작업 효율성 면에서 종래의 그것 보다 잇점을 가지며, 그리고, 절연 와이어의 사용에 따라 몰딩시의 와이어 스위핑에 기인하는 전기적 누설 발생 또한 효과적으로 예방할 수 있다.As a result, the chip stack package of the present invention has an advantage over the conventional one in terms of work efficiency because both the bottom chip and the top chip are disposed in the face-up type, and due to the wire sweeping during molding according to the use of the insulated wire. The occurrence of electrical leakage can also be effectively prevented.

한편, 상기한 절연 와이어는, 자세하게 설명하지는 않았지만, 전도성 금속이 절연체에 의해 피복되는 형태로 제조될 수 있으며, 또한, 전도성 금속 와이어의 형성 이후에 절연체를 분산시키는 방식으로 제조될 수도 있다.Meanwhile, although not described in detail, the insulation wire may be manufactured in a form in which the conductive metal is covered by the insulator, and may also be manufactured by dispersing the insulator after formation of the conductive metal wire.

이하에서는 전술한 본 발명의 실시예에 따른 칩 스택 패키지의 제조 공정을 간략하게 설명하도록 한다.Hereinafter, a brief description of a manufacturing process of the chip stack package according to an embodiment of the present invention described above.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 칩 스택 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 여기서, 전 공정들은 바람직하게 개별 칩이 아닌 스트립 단위로 진행되지만, 이에 대해서는 도시하지 않는다.5A through 5E are cross-sectional views illustrating a chip stack package manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the whole processes are preferably carried out in strip units, not individual chips, but are not shown.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 회로패턴(32)을 구비한 기판(31)을 마운트 스테이지(40)에 올려 놓은 상태에서 기판(31) 상에 전기적으로 절연된 접착제(33)를 바른다. 그런다음, 상기 접착제(33) 상에 센터 패드형의 바텀 칩(34)을 패드 형성면이 위를 향하도록 배치시킨 후, 마운트 헤드(40)의 열과 압력을 이용해서 상기 기판(31) 상에 바텀 칩(34)을 부착시킨다.First, as shown in FIG. 5A, the electrically insulated adhesive 33 is applied onto the substrate 31 in a state where the substrate 31 having the circuit pattern 32 is placed on the mount stage 40. Then, a center pad-shaped bottom chip 34 is disposed on the adhesive 33 so that the pad forming surface faces upward, and then the heat and pressure of the mount head 40 are used on the substrate 31. The bottom chip 34 is attached.

다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 전도성 금속이 절연체로 감싸진 구조의 절연 와이어(37)로 기판(31)의 회로패턴(32)과 바텀 칩(34)의 본딩패드(34a)간을 전기적으로 연결시킨다.Next, as shown in FIG. 5B, an insulating wire 37 having a structure in which a conductive metal is wrapped with an insulator is disposed between the circuit pattern 32 of the substrate 31 and the bonding pad 34a of the bottom chip 34. Electrically connected

이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 절연 와이어(37)를 포함한 바텀 칩(34) 상에 후속에서 상기 절연 와이어가(37)가 탑 칩에 의해 눌려지지 않을 정도의 충분한 두께로 재차 전기적으로 절연된 접착제(35)를 바른다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, again on the bottom chip 34 including the insulation wire 37, the insulation wire 37 is electrically insulated again to a sufficient thickness such that the insulation wire 37 is not pressed by the top chip. Apply the adhesive (35).

계속해서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 접착제(35) 상에 센터 패드형의 탑 칩(36)을 패드 형성면이 위를 향하도록 배치시킨 후, 마운트 헤드(도시안됨)의 열과 압력을 이용해서 상기 탑 칩(36)을 바텀 칩(34) 상에 부착시킨다. 그런다음, 절연 와이어(37)를 이용해서 상기 탑 칩(36)의 본딩패드(36a)와 기판(31)의 회로패턴(32)을 상호 연결시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, the center pad type top chip 36 is disposed on the adhesive 35 so that the pad forming surface faces upward, and then the heat and pressure of the mount head (not shown) are removed. The top chip 36 is attached onto the bottom chip 34 by using the same. Then, the bonding pads 36a of the top chip 36 and the circuit pattern 32 of the substrate 31 are interconnected using the insulating wire 37.

그리고나서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 바텀 칩(34) 및 탑 칩(36)과 절연 와이어(37)를 포함한 기판(31)의 상부면을 몰딩 공정을 통해 봉지제(38)로 밀봉한다. 이때, 전술한 바와 같이, 절연 와이어가 적용된 것과 관련해서 와이어 스위핑이 일어나더라도 와이어들간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉은 일어나지 않는다. 이어서, 몰딩 자재에 대한 스트레스 제거 및 추가적인 화학 반응을 돕기 위해 높은 온도에서 열을 가하는 포스트 몰딩 큐어(post molding cure) 공정을 행한다.Then, as shown in FIG. 5E, the top surface of the substrate 31 including the bottom chip 34 and the top chip 36 and the insulating wire 37 is sealed with the encapsulant 38 through a molding process. . At this time, as described above, even if wire sweeping occurs with respect to the application of the insulating wire, electrical contact between the wires or the wire and the chip does not occur. A post molding cure process is then performed that heats at high temperatures to aid in stress relief and further chemical reaction to the molding material.

이후, 도시하지는 않았으나, 기판의 하부면에 솔더 볼을 부착한 후, 리플로우(reflow) 및 플럭스 클리닝(flux cleaning) 공정을 수행하고, 그런다음, 스트립 단위로 제조된 칩 스택 패키지들을 개별 단위로 절단함으로써, 도 3에 도시된 바와 같은 본 발명의 칩 스택 패키지를 완성한다.Subsequently, although not shown, the solder balls are attached to the lower surface of the substrate, followed by a reflow and flux cleaning process, and then the chip stack packages manufactured in strip units are individually By cutting, the chip stack package of the present invention as shown in FIG. 3 is completed.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 칩 스택 패키지를 도시한 단면도이다. 여기서는 전술한 본 발명의 실시예에 따른 칩 스택 패키지와 상이한부분에 대해서만 설명하도록 한다.6 to 8 are cross-sectional views illustrating chip stack packages according to other embodiments of the present invention. Here, only the parts different from the chip stack package according to the embodiment of the present invention will be described.

도 6은 바텀 칩으로서 센터 패드형이 아닌 가장자리 패드형의 칩이 적용된 예의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of an example in which an edge pad type chip is used as a bottom chip and not a center pad type type.

도 7은 바텀 칩이 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive film : 이하, ACF)에 의해 기판 상에 페이스 다운 타입으로 접착되고, 그리고, 기판의 회로패턴과 전기적으로 연결된 예의 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of an example in which a bottom chip is bonded in a face-down type on a substrate by an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as an ACF) and electrically connected to a circuit pattern of the substrate.

이 실시예에 따르면, 바텀 칩(34)이 페이스 다운 타입으로 배치되는 반면 탑 칩(36)은 페이스 업 타입으로 배치되는 것으로 인해 장비 투자 비용이 증가될 수 있으나, 상기 바텀 칩(34)의 부착 및 전기적 연결이 ACF(60)에 의해 이루어지므로, 실질적으로 장비 투자 비용은 증가되지 않는다.According to this embodiment, although the bottom chip 34 is disposed in the face down type while the top chip 36 is disposed in the face up type, the equipment investment cost may be increased, but the attachment of the bottom chip 34 is performed. And since the electrical connection is made by the ACF 60, the equipment investment costs are not substantially increased.

한편, 도시하지는 않았으나, 상기 절연 와이어는 전형적인 TSOP(Thin Small Outline Package)의 제조시에도 적용 가능하며, 이 경우에도 몰딩시의 와이어 스위핑에 의한 와이어들간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉은 발생되지 않는다.On the other hand, although not shown, the insulated wire can be applied in the manufacture of a typical thin small outline package (TSOP), even in this case, no electrical contact between wires or wires and chips by wire sweeping during molding.

이상에서와 같이, 본 발명은 칩의 본딩패드와 기판의 회로패턴간을 전도성 금속이 절연체에 의해 감싸진 절연 와이어로 이룸으로써, 바텀 칩과 탑 칩 모두를 페이스 업 타입으로 배치시킬 수 있으며, 이에 따라, 작업 효율성을 높일 수 있음은 물론 장비 투자 비용의 증가를 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the bottom pad and the top chip can be disposed in a face-up type by forming an insulating wire between the bonding pads of the chip and the circuit pattern of the substrate by an insulated wire wrapped by an insulator. As a result, the efficiency of the work can be improved and the cost of equipment investment can be prevented.

또한, 본 발명은 절연 와이어를 적용함으로써 후속하는 몰딩 공정에서 와이어 스위핑에 의해 와이어들간 또는 와이어와 칩간의 전기적 접촉을 방지할 수 있으며, 그래서, 전기적 누설을 방지할 수 있어 제조 수율 및 품질 향상을 얻을 수 있다.In addition, the present invention can prevent the electrical contact between the wires or the wire and the chip by the wire sweeping in the subsequent molding process by applying the insulated wire, so that the electrical leakage can be prevented to obtain the production yield and the quality improvement Can be.

기타, 본 발명은 그 요지가 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes in the range which does not deviate from the summary.

Claims (4)

회로패턴을 구비한 기판;A substrate having a circuit pattern; 상기 기판 상에 제1접착제에 의해 페이스 업 타입으로 부착되는 바텀 칩;A bottom chip attached to the substrate in a face up type by a first adhesive; 상기 바텀 칩의 본딩패드와 기판의 회로패턴간을 전기적으로 연결하는 제1절연 와이어;A first insulating wire electrically connecting the bonding pad of the bottom chip and the circuit pattern of the substrate; 상기 제1절연 와이어를 포함한 상기 바텀 칩 상에 제2접착제에 의해 페이스 업 타입으로 부착되는 탑 칩;A top chip attached to the bottom chip including the first insulating wire in a face up type by a second adhesive; 상기 탑 칩의 본딩패드와 기판의 회로패턴간을 전기적으로 연결하는 제2절연 와이어;A second insulating wire electrically connecting the bonding pad of the top chip to a circuit pattern of the substrate; 상기 바텀 칩 및 탑 칩과 제1 및 제2절연 와이어를 포함한 기판의 상부면을 밀봉하는 봉지제; 및An encapsulant for sealing an upper surface of the substrate including the bottom chip, the top chip, and the first and second insulating wires; And 상기 기판의 하부면에 부착되어 외부 회로와 전기적으로 접속되는 솔더 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지.And a solder ball attached to the lower surface of the substrate and electrically connected to an external circuit. 제 1 항에 있어서, 상기 바텀 칩 및 탑 칩은 센터 패드형 또는 가장자리 패드형 칩인 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지.The chip stack package of claim 1, wherein the bottom chip and the top chip are center pad type or edge pad type chips. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연 와이어는 전도성 금속이 절연체로 감싸진 구조인 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지.The chip stack package of claim 1, wherein the first and second insulating wires have a structure in which a conductive metal is surrounded by an insulator. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 금속은 금, 구리 및 니켈로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나이고, 상기 절연체는 폴리이미드 또는 폴리우레탄인 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지.The chip stack package of claim 1, wherein the conductive metal is any one selected from the group consisting of gold, copper, and nickel, and the insulator is polyimide or polyurethane.
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