KR20040045626A - A device for coating the silicon wafer with wax - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 상부면에 왁스를 도포시키는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for applying wax to an upper surface of a silicon wafer.
종래의 일반적인 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼를 장착ㆍ고정하는 웨이퍼 척(chuck)(10)과 웨이퍼 척(10)을 지지하면서 회전시키는 회전 지지대(20)와, 웨이퍼 척(10)의 상부에 장착ㆍ고정된 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 분사된 왁스(wax)를 배출시키는 왁스 배출구(31)가 형성된 외부 케이스(30)로 구성되어진다.A wax coating apparatus of a conventional general silicon wafer, as shown in FIG. 1, rotates while supporting a wafer chuck 10 and a wafer chuck 10 for mounting and fixing a silicon wafer. And an outer case 30 in which a wax discharge port 31 for discharging wax injected on the upper surface of the silicon wafer W mounted and fixed on the wafer chuck 10 is formed.
이는 실리콘 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(10)에 장착ㆍ고정시킨 후, 회전 지지대(20)를 고속으로 회전시키면서 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면 중심부에 왁스(wax)를 분사한다. 이 때, 회전 지지대(20)에 의하여 실리콘 웨이퍼(W)는 약 300rpm 정도의 회전 속도로 회전되는 상태에서 그 상부면에 왁스(wax)가 분사되므로, 실리콘 웨이퍼(W) 상의 원심력으로 인하여 왁스(wax)는 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에서 방사형을 그리면서 실리콘 웨이퍼(W)의 가장 자리 쪽으로 흘러가게 된다. 이 때, 실리콘 웨이퍼(W)를 약 20 초 동안 회전시키게 되면 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 펴져 있는 왁스(wax)가 실리콘 웨이퍼(W) 상부 공간의 공기 유동에 의하여 증발하게 되며, 이에 따라 왁스(wax)가 건조되면서 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 왁스 도포 막(M)이 형성되는 것이다. 그리고, 실리콘 웨이퍼(W)의 회전에 따라 가장 자리로 흘러나오는 왁스(wax)는 외부 케이스의 하부에 형성된 왁스 배출구(31) 쪽으로 배출된다.This causes the silicon wafer W to be mounted and fixed to the wafer chuck 10, and then wax is injected into the center of the upper surface of the silicon wafer W while rotating the rotation support 20 at high speed. At this time, since the wax is sprayed on the upper surface of the silicon wafer W while the silicon wafer W is rotated at a rotational speed of about 300 rpm, the wax ( The wax flows toward the edge of the silicon wafer W while drawing a radial shape at the top surface of the silicon wafer W. At this time, if the silicon wafer (W) is rotated for about 20 seconds, the wax (wax) that is spread on the upper surface of the silicon wafer (W) is evaporated by the air flow in the upper space of the silicon wafer (W), accordingly As the wax is dried, the wax coating film M is formed on the upper surface of the silicon wafer W. Then, the wax (wax) flowing to the edge according to the rotation of the silicon wafer (W) is discharged toward the wax discharge port 31 formed in the lower portion of the outer case.
그러나, 이러한 종래의 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 왁스(wax)를 실리콘 웨이퍼의 상부면에 분사하면서 실리콘 웨이퍼(W)를 회전시키게 되므로, 실리콘 웨이퍼(W)의 상부 공간에 형성되는 공기 흐름은 불규칙한 흐름을 가지는 와류 공기 흐름(fW)으로 형성된다.However, the wax coating apparatus of the conventional silicon wafer rotates the silicon wafer W while spraying wax on the top surface of the silicon wafer, as shown in FIG. The air stream formed in the upper space is formed by a vortex air stream f W having an irregular flow.
이에 따라 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면을 따라 펴지는 왁스(wax)는 와류 공기 흐름(fW)의 영향을 받으면서 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면을 따라 방사형을 그리면서 실리콘 웨이퍼(W)의 가장 자리로 흘러가게 된다.Accordingly, the wax spreading along the upper surface of the silicon wafer W is radially along the upper surface of the silicon wafer W while being affected by the vortex air flow f W. It goes to the edge.
이 때, 와류 공기 흐름(fW)은 왁스(wax) 내의 수분 증발을 불균일하게 만들고, 이에 따라 왁스(wax)가 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면의 각 영역에 따라 불균일하게 건조된다. 결국 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 형성된 왁스 도포 막(M)은 불균일한 두께로 형성되며, 또한 왁스 도포 막(M)의 평탄도가 떨어지게 되는 것이다.At this time, the vortex air stream f W makes the evaporation of moisture in the wax uneven, so that the wax is unevenly dried along each region of the upper surface of the silicon wafer W. As a result, the wax coating film M formed on the upper surface of the silicon wafer W is formed to have an uneven thickness, and the flatness of the wax coating film M is lowered.
그리고, 종래의 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치는 실리콘 웨이퍼의 상부 공간에 불순물 유입을 차단하기 위한 아무런 장치가 되어 있지 않음으로, 여러 가지 불순물로부터의 오염을 방지 할 수 없다는 문제점이 있는 것이다.In addition, the wax coating apparatus of the conventional silicon wafer does not have any device for blocking the inflow of impurities into the upper space of the silicon wafer, there is a problem that can not prevent contamination from various impurities.
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 상부면에 균일한 두께를 가지며, 평탄도가 우수한 왁스 도포 막을 형성시키고, 또한, 왁스 도포 막 형성 공정에서 실리콘 웨이퍼의 표면에 불순물의 오염을 방지 할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치를 제공하려는것이다.The present invention provides a wax of a silicon wafer having a uniform thickness on the top surface of the silicon wafer, forming a wax coating film having excellent flatness, and preventing contamination of impurities on the surface of the silicon wafer in the wax coating film forming process. To provide an application device.
이를 위한 본 발명인 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치는 실리콘 웨이퍼를 장착ㆍ고정시키는 웨이퍼 척(wafer chuck)과, 상기 웨이퍼 척에 결합 설치되어 상기 웨이퍼 척을 지지ㆍ회전시키는 회전 지지대와, 상기 웨이퍼 척에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼의 상부면 중심부로 왁스를 분사하는 왁스 분사관과, 상기 왁스 분사관을 중심으로 상기 실리콘 웨이퍼의 면적보다 크거나 같은 지름의 원통 내부에 다수의 공기 흐름관이 형성되어 상기 실리콘 웨이퍼의 상부면과 일정 거리 이격되어 설치된 층류 형성기와, 상기 웨이퍼 척에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼의 상부면으로 분사된 왁스를 장치의 하부로 배출시키는 왁스 배출구가 형성된 외부 케이스를 포함하여 이루어진다. 그리고, 상기 층류 형성기를 승ㆍ하강시키고, 상기 웨이퍼 척의 상부 공간에서 상기 층류 형성기를 90°내지 180°회전시키는 실린더가 상기 층류 형성기에 결합 설치된 것이 바람직하다.A wax coating apparatus for a silicon wafer according to the present invention for this purpose includes a wafer chuck for mounting and fixing a silicon wafer, a rotation support coupled to the wafer chuck to support and rotate the wafer chuck, and mounted to the wafer chuck. A wax injection tube for injecting wax into the center of the upper surface of the fixed silicon wafer, and a plurality of air flow tubes are formed inside a cylinder having a diameter greater than or equal to the area of the silicon wafer, centering on the wax injection tube; And a laminar flow generator provided spaced apart from the upper surface of the wafer by a predetermined distance, and an outer case having a wax discharge port for discharging the wax injected to the upper surface of the silicon wafer mounted and fixed to the wafer chuck to the bottom of the apparatus. And it is preferable that the cylinder which raises and lowers the said laminar flow former, and rotates 90 degrees-180 degrees of the said laminar flow former in the upper space of the said wafer chuck is attached to the said laminar flow former.
상기 층류 형성기는 상기 웨이퍼 척에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼의 상부면으로부터 30 내지 70㎜ 이격되어 설치되고, 상기 층류 형성기를 형성하는 다수의 공기 흐름관은 그 길이를 200 내지 300 ㎜로 형성된 것이 바람직하다.The laminar flow former is installed at a distance of 30 to 70 mm from an upper surface of the silicon wafer mounted and fixed to the wafer chuck, and a plurality of air flow tubes forming the laminar flow former are preferably formed to have a length of 200 to 300 mm. Do.
또, 상기 층류 형성기를 형성하는 다수의 공기 흐름관은 그 각각의 상부에 공기 필터가 설치된 것이 바람직하며, 이 때, 상기 층류 형성기를 형성하는 다수의 공기 흐름관은 상기 공기 필터를 제외한 길이가 50 내지 70㎜로 형성된 것이 더욱 바람직하다.In addition, it is preferable that a plurality of air flow tubes forming the laminar flow formers are provided with air filters on their respective upper portions, and at this time, the plurality of air flow tubes forming the laminar flow formers have a length of 50 except for the air filters. It is more preferable that it is formed to -70 mm.
도 1은 종래의 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a wax coating apparatus of a conventional silicon wafer.
도 2는 종래의 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치에서 발생하는 와류 유동의 개략도.2 is a schematic diagram of vortex flow occurring in a wax coating apparatus of a conventional silicon wafer.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예의 개략적인 단면도.3 and 4 are schematic cross-sectional views of embodiments of the present invention.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예의 상면도.5 and 6 are top views of embodiments of the present invention.
도 7은 본 발명에 의해 형성되는 왁스 도포 막의 시간 경과에 따른 표면 높이 변화 그래프.Figure 7 is a graph of the surface height change over time of the wax coating film formed by the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 웨이퍼 척 20 : 회전 지지대10: wafer chuck 20: rotary support
30 : 외부 케이스 31 : 왁스 배출구30: outer case 31: wax outlet
40 : 왁스 분사관 50 : 층류 형성기40: wax injection tube 50: laminar flow former
51 : 공기 흐름관 60 : 실린더51: air flow tube 60: cylinder
70 : 왁스 주입 노즐70: wax injection nozzle
W : 실리콘 웨이퍼 M : 왁스 도포 막W: Silicon Wafer M: Wax Coating Film
wax : 왁스 f : 왁스 흐름wax: wax f: wax flow
fW: 와류 공기 흐름 fL: 층류 공기 흐름f W : vortex air flow f L : laminar air flow
L1, L2 : 공기 주입관의 길이 D : 실리콘 웨이퍼와 층류 형성기의 간격L1, L2: length of air inlet tube D: gap between silicon wafer and laminar flow former
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
본 발명인 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼를 장착ㆍ고정시키는 웨이퍼 척(wafer chuck)(10)과, 웨이퍼 척(10)에 결합 설치되어 웨이퍼 척(10)을 지지ㆍ회전시키는 회전 지지대(20)와, 웨이퍼 척(10)에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사된 왁스를 장치의 하부로 배출시키는 왁스 배출구(31)가 형성된 외부 케이스(30)와, 웨이퍼 척(10)에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면 중심부로 왁스(wax)를 분사하는 왁스 분사관(40)과, 왁스 분사관(40)을 중심으로 실리콘 웨이퍼(W)의 면적보다 크거나 같은 지름의 원통 내부에 다수의 공기 흐름관(51)이 형성되고 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면과 일정 거리 이격되어 설치된 층류 형성기(50)를 포함한다. 여기에서 미설명 도면 부호 70은 왁스 주입 노즐로서 왁스 분사관(40)의 상단부에 결합 설치되어 왁스 분사관(40)으로 왁스(wax)를 주입하게 된다.As shown in FIG. 3, the wax coating apparatus of the silicon wafer of this invention is equipped with the wafer chuck 10 which mounts and fixes a silicon wafer, and is attached to the wafer chuck 10, and the wafer chuck 10 is carried out. The outer case is provided with a rotary support 20 for supporting and rotating the wax, and a wax outlet 31 for discharging wax injected into the upper surface of the silicon wafer W mounted and fixed to the wafer chuck 10 to the bottom of the apparatus. 30, a wax injection tube 40 for injecting wax into the center of the upper surface of the silicon wafer W mounted and fixed to the wafer chuck 10, and a silicon centering around the wax injection tube 40 A plurality of air flow tubes 51 are formed in a cylinder having a diameter greater than or equal to the area of the wafer W, and include a laminar flow generator 50 provided to be spaced apart from the upper surface of the silicon wafer W by a predetermined distance. Here, reference numeral 70 denotes a wax injection nozzle coupled to the upper end of the wax injection tube 40 to inject wax into the wax injection tube 40.
따라서, 본 발명은 실리콘 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(10)에 장착ㆍ고정시킨 후, 회전 지지대(20)로 실리콘 웨이퍼(W)를 고속으로 회전(약 300rpm)시키면서 왁스 분사관(40)을 통하여 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면 중심부로 왁스(wax)를 분사한다. 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 분사된 왁스(wax)는 실리콘 웨이퍼(W)의 회전에 따라서 실리콘 웨이퍼(W)의 가장 자리 쪽으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 방사형을 그리면서 흐르게 된다.Therefore, in the present invention, after mounting and fixing the silicon wafer W to the wafer chuck 10, the wax jet tube 40 is rotated while the silicon wafer W is rotated at a high speed (about 300 rpm) by the rotation support 20. Wax is sprayed to the center of the upper surface of the silicon wafer (W) through. Wax sprayed on the upper surface of the silicon wafer W flows radially toward the edge of the silicon wafer W, as shown in FIG. 5, as the silicon wafer W rotates.
이 때, 층류 형성기(50)를 형성하는 공기 흐름관(51)을 통하여 유입되는 공기 흐름은 일정한 규칙적인 흐름을 가지는 층류 공기 흐름(fL)으로 형성되어 실리콘웨이퍼(W)의 상부면으로 흐르게 된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면을 따라 흐르는 왁스(wax)는 층류 공기 흐름(fL)의 영향으로 실리콘 웨이퍼(W)의 전체면을 따라 균일하게 건조된다. 즉, 층류 공기 흐름(fL)의 영향으로 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 도포되는 왁스(wax)는 균일하게 건조됨으로서, 균일한 두께의 왁스 도포 막(M)을 형성하게 되며, 또한, 왁스 도포 막(M)의 평탄도가 향상될 수 있는 것이다.At this time, the air flow flowing through the air flow pipe 51 forming the laminar flow former 50 is formed into a laminar air flow f L having a constant regular flow to flow to the upper surface of the silicon wafer W. do. Accordingly, the wax flowing along the upper surface of the silicon wafer W is uniformly dried along the entire surface of the silicon wafer W under the influence of the laminar air flow f L. That is, the wax applied to the upper surface of the silicon wafer W under the influence of the laminar air flow f L is uniformly dried, thereby forming a wax coating film M having a uniform thickness. The flatness of the wax coating film M can be improved.
여기에서, 층류 형성기(50)를 승ㆍ하강시키고, 웨이퍼 척(10)의 상부 공간에서 층류 형성기(50)를 90°내지 180°회전시키는 실린더(60)가 층류 형성기(50)에 결합 설치되어, 도 6에 도시된 바와 같이 층류 형성기(50)를 실리콘 웨이퍼(W)의 상부 공간에서 회전(rot) 이동시키는 것이 바람직하다.Here, the cylinder 60 which raises and lowers the laminar flow former 50 and rotates the laminar flow former 50 90 degrees-180 degrees in the upper space of the wafer chuck 10 is attached to the laminar flow former 50, 6, it is preferable to rotate the laminar flow generator 50 in the upper space of the silicon wafer W. As shown in FIG.
그리고, 층류 형성기(50)는 웨이퍼 척(10)에 장착ㆍ고정되는 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 30 내지 70㎜ 이격(D)되어 설치되는 것이 바람직하다. 이는 층류 형성기(50)와 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면과의 간격(D)을 적정한 거리로 유지함으로서, 층류 형성기(50)로부터 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면으로 유입되는 층류 공기 흐름(fL)이 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 도포된 왁스(wax)를 균일하게 건조시키는 효과를 극대화시킬 수 있는 것이다.The laminar flow former 50 is preferably provided at a distance of 30 to 70 mm from the upper surface of the silicon wafer W to be mounted and fixed to the wafer chuck 10. This maintains the distance D between the laminar flow generator 50 and the top surface of the silicon wafer W at an appropriate distance, thereby allowing the laminar air flow f to flow from the laminar flow generator 50 to the top surface of the silicon wafer W. L ) is to maximize the effect of uniformly drying the wax (wax) applied to the upper surface of the silicon wafer (W).
또, 층류 형성기(50)를 형성하는 다수의 공기 흐름관(51)은 그 길이(L1)를 200 내지 300 ㎜로 형성됨으로서, 공기 흐름관(51)을 통과하는 공기 흐름이 안정적이고 규칙적인 흐름을 가지는 층류가 형성되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the plurality of air flow pipes 51 forming the laminar flow former 50 have a length L1 of 200 to 300 mm, so that the air flow through the air flow pipe 51 is stable and regular flow. It is desirable to form a laminar flow having
또한, 층류 형성기(50)를 형성하는 다수의 공기 흐름관(51)은 그 각각의 상부에 공기 필터(52)가 설치되어, 공기 흐름관(51)으로 유입되는 공기 흐름에 포함되어 있는 오염 물질을 제거하는 것이 바람직하다.In addition, the plurality of air flow pipes 51 forming the laminar flow former 50 has air filters 52 installed on the upper portions thereof, and contaminants included in the air flow flowing into the air flow pipes 51. It is desirable to remove.
그리고, 층류 형성기(50)를 형성하는 다수의 공기 흐름관(51)에 공기 필터(52)를 설치하였을 경우에는 공기 필터(52)를 제외한 공기 흐름관의(51) 길이(L2)가 50 내지 70㎜로 형성됨으로서, 공기 필터(52)를 통과하여 공기 흐름관(51)으로 유입되는 공기 흐름을 층류 공기 흐름(fL)으로 형성 할 수 있다. 이는 공기 필터(52)를 통과한 공기 흐름은 비교적 짧은 길이(L2)의 공기 흐름관(51)을 통과하더라도 층류화가 가능하기 때문이다.When the air filters 52 are installed in the plurality of air flow pipes 51 forming the laminar flow former 50, the length L2 of the air flow pipes 51 except for the air filter 52 is 50 to 50. By forming 70 mm, the air flow flowing through the air filter 52 into the air flow pipe 51 can be formed into a laminar air flow f L. This is because the air flow passing through the air filter 52 can be laminarized even though it passes through the air flow pipe 51 having a relatively short length (L2).
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명인 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 왁스를 도포시킬 경우, 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 도포되는 왁스 도포 막(M)의 두께는 다음 수학식 1과 같은 상관 관계를 가지며 형성된다.When wax is applied to the upper surface of the silicon wafer W by using the wax coating apparatus of the silicon wafer of the present invention having the above-described configuration, the wax coating film M applied to the upper surface of the silicon wafer W Is formed to have a correlation as shown in Equation 1 below.
여기에서 hf는 왁스 도포 막(M)의 두께를 의미하고, ω는 실리콘 웨이퍼(W)의 회전 각속도, ρ는 왁스(wax)의 용액 밀도, υ는 왁스(wax)의 점성, t는 왁스 도포 공정의 시간을 나타낸다.Where hf is the thickness of the wax coating film M, ω is the rotational angular velocity of the silicon wafer W, ρ is the solution density of the wax, υ is the viscosity of the wax, and t is the wax coating. Indicate the time of the process.
따라서, 왁스 도포 막(M)의 두께는 실리콘 웨이퍼(W)의 회전 각속도(ω), 왁스(wax)의 용액 밀도(ρ), 왁스(wax)의 점성 및 왁스 도포 공정 시간(t)과 밀접한 관련을 가지면서 형성된다. 특히, 여기에서 본 발명은 층류 형성기(50)를 통하여 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면으로 층류 공기 흐름(fL)을 형성시켜 와류에 의한 영향을 제거하였으므로, 왁스 도포 막(M)의 두께(hf)가 상기 수학식1의 결과가 거의 동일한 결과를 얻을 수 있는 것이다.Therefore, the thickness of the wax coating film M is close to the rotational angular velocity ω of the silicon wafer W, the solution density of the wax, the viscosity of the wax, and the wax coating process time t. Formed with relevance Particularly, in the present invention, since the laminar air flow f L is formed on the upper surface of the silicon wafer W through the laminar flow former 50 to remove the influence of the vortex, the thickness of the wax coating film M hf) is such that the result of Equation 1 is almost the same.
이에 본 발명에 의하여 실리콘 웨이퍼(W)의 상부면에 왁스 도포 막(M)을 형성시킨 결과 왁스 도포 공정 시간(t)에 따른 왁스 도포 막(M)의 두께 특성을 살펴보면 도 7과 같이 나타난다. 즉, 왁스 도포 막(M) 형성의 초기 단계에서는 실리콘 웨이퍼(W)의 중심부를 기준으로 가장 자리로 가면서 물결 무늬 모양으로 불균일 두께를 나타내지만, 실리콘 웨이퍼(W)의 회전과 함께 약 0.5초간 진행하였을 때, 점차로 균일한 도포 막을 형성하며, 약 1.5 내지 2.5 초 동안 진행하였을 때에는 왁스 도포 막(M)의 두께가 거의 균일하게 나타난다는 것을 알 수 있다.As a result of forming the wax coating film M on the upper surface of the silicon wafer W according to the present invention, the thickness characteristics of the wax coating film M according to the wax coating process time t are shown as shown in FIG. 7. That is, in the initial stage of forming the wax coating film (M), the non-uniform thickness is shown as a wavy pattern while going to the edge of the silicon wafer (W), but proceeds for about 0.5 seconds with the rotation of the silicon wafer (W) In this case, gradually forming a uniform coating film, it can be seen that the thickness of the wax coating film (M) is almost uniform when the process is performed for about 1.5 to 2.5 seconds.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the claims It belongs to the scope of the present invention.
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 상부면에 균일한 두께를 가지며, 평탄도가 우수한 왁스 도포 막을 형성시키고, 또한, 왁스 도포 막 형성 공정에서 실리콘 웨이퍼의 표면에불순물의 오염을 방지 할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 왁스 도포 장치를 제공하였다.The present invention provides a wax of a silicon wafer having a uniform thickness on the upper surface of the silicon wafer, and forming a wax coating film having excellent flatness and also preventing contamination of impurities on the surface of the silicon wafer in the wax coating film forming process. An application device was provided.
Claims (6)
Priority Applications (1)
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| KR1020020073457A KR20040045626A (en) | 2002-11-25 | 2002-11-25 | A device for coating the silicon wafer with wax |
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2002
- 2002-11-25 KR KR1020020073457A patent/KR20040045626A/en not_active Application Discontinuation
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