KR20040044788A - Gas connection device for a semiconductor processing - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 가공용 가스 연결장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas connection device for semiconductor processing.
일반적으로 알려진 바와 같이 반도체 가공(제조) 공정에 사용되는 반응가스는 유해가스(Toxic Gas)로서, 상기 유해가스는 인체에 매우 유독함과 아울러 금속을 쉽게 부식시키는 성질을 가지고 있으므로 사용후에는 유해가스를 퍼지(Purge)시켜야 하는 것이다. 상기 유해가스의 퍼지는 통상적으로 질소가스(N2Gas)를 이용하는 것으로서, 상기 질소가스를 반응가스 탱크의 입구 및 반응가스 배관에 공급하여 퍼지하는 것이다.As is generally known, the reaction gas used in the semiconductor processing (manufacturing) process is a toxic gas, which is very toxic to the human body and easily corrodes metals. Purge should be. The purge of the noxious gas is generally using nitrogen gas (N 2 Gas), and the nitrogen gas is supplied to the inlet of the reaction gas tank and the reaction gas pipe to purge.
상기한 반응가스를 퍼지시키기 위한 가스 연결장치는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 유해가스가 저장된 반응가스 탱크(1)와, 상기 반응가스 탱크(1)의 유출구에 고정된 실린더(3)와, 상기 실린더(3)의 연결부(5)에 결합됨과 아울러 노즐(7)이 끼워지는 커넥터(9)와, 상기 노즐(7)의 후단측에 연결됨과 아울러 도시하지 않은 질소가스 탱크와 연결되는 퍼지가스 배관(11)과, 상기 노즐(7)에 수직으로 연결되어 반도체 가공 공정 라인(미도시) 및 밴트배관(미도시)측으로 분기되게 하는 반응가스 배관(13)으로 구성된 것이다.As shown in FIGS. 1 and 2, a gas connecting device for purging the reaction gas includes a reaction gas tank 1 in which noxious gas is stored, and a cylinder 3 fixed to an outlet of the reaction gas tank 1. ), A connector 9 coupled to the connecting portion 5 of the cylinder 3 and fitted with a nozzle 7, and connected to a rear end side of the nozzle 7 and to a nitrogen gas tank (not shown). It is composed of a purge gas pipe 11 and a reaction gas pipe 13 which is vertically connected to the nozzle 7 and branched to a semiconductor processing process line (not shown) and a vent pipe (not shown).
상기 연결부(5)에 커넥터(9)를 결합하면 실린더(3)를 통해 반응가스 탱크(1)의 반응가스가 노즐(7) 및 반응가스 배관(13)을 통하여 반도체 가공 공정 라인으로 누설되지 않으면서 공급되는 것이고, 상기 퍼지가스 배관(11)에 존재하는 밸브(미도시)를 오픈시키면 질소가스가 퍼지가스 배관(11)과 노즐(7) 및 반응가스 배관(13)을 경유(분기)하여 밴트배관으로 이동되게 됨으로써 퍼지가 이루어지는 것이다.When the connector 9 is coupled to the connecting portion 5, the reaction gas of the reaction gas tank 1 does not leak through the cylinder 3 to the semiconductor processing process line through the nozzle 7 and the reaction gas pipe 13. When the valve (not shown) present in the purge gas pipe 11 is opened, nitrogen gas passes through the branch through the purge gas pipe 11, the nozzle 7, and the reaction gas pipe 13. The purge is made by being moved to the vent pipe.
상기 반응가스 탱크(1)에 수용된 유해가스를 사용한 경우에는 반응가스 탱크(1)를 교체하여야 하는 것으로서, 상기 반응가스 탱크(1)의 연결부(5)와노즐(7)의 커넥터(9)를 분리시키기 전 노즐(7) 및 반응가스 배관(13)에 존재하는 유해가스를 퍼지시키기 위하여 퍼지가스 배관(11)을 통하여 질소가스가 공급되게 하는 것이다. 상기 퍼지가스 배관(11)을 통해 일정 시간 동안 질소가스가 공급되게 한 후 연결부(5)에서 커넥터(9)를 분리시켜 반응가스 탱크(1)의 교체를 실시하는 것이다.When the harmful gas contained in the reaction gas tank 1 is used, the reaction gas tank 1 needs to be replaced, and the connector 9 of the nozzle 7 and the connector 5 of the reaction gas tank 1 are replaced. The nitrogen gas is supplied through the purge gas pipe 11 to purge the harmful gas existing in the nozzle 7 and the reaction gas pipe 13 before the separation. After nitrogen gas is supplied through the purge gas pipe 11 for a predetermined time, the connector 9 is separated from the connection part 5 to replace the reaction gas tank 1.
미설명 부호 15는 가스 이동홀이다.Reference numeral 15 is a gas movement hole.
그러나 상기한 반도체 가공용 가스 연결장치는, 노즐(7)의 후미측에 연결된 퍼지가스 배관(11) 및 반응가스 배관(13)이 직접적으로 연통되게 형성되어 있기 때문에 퍼지가스 배관(11)을 통해 공급되는 퍼지가스가 노즐(7)의 선단측인 실린더(3)의 내측으로 도달되지 못하게 되고, 상기 실린더(3)의 내측으로 도달되지 못한 퍼지가스는 반응가스 배관(13)을 통해 밴트배관으로 이동되는 것이며, 상기와 같이 퍼지 작업시에 노즐(7)의 선단 및 실린더(3)의 내측으로 퍼지가스가 완전하게 도달되지 못하게 되면서 커넥터(9) 분리후 유해가스로 인한 안전성 문제가 발생하는 문제점이 있었다.However, the gas connecting device for semiconductor processing is supplied through the purge gas pipe 11 because the purge gas pipe 11 and the reaction gas pipe 13 connected to the rear side of the nozzle 7 are directly connected. The purge gas may not reach the inside of the cylinder 3, which is the tip side of the nozzle 7, and the purge gas, which does not reach the inside of the cylinder 3, moves to the vant pipe through the reaction gas pipe 13. As described above, the purge gas does not completely reach the front end of the nozzle 7 and the inside of the cylinder 3 during the purging operation, and there is a problem that safety problems due to harmful gases occur after the connector 9 is separated. there was.
본 발명은 상기한 문제점을 시정하여, 반응가스 탱크 교체시에 퍼지 작업이 완전하게 이루어질 수 있도록 한 반도체 가공용 가스 연결장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas connection device for semiconductor processing which corrects the above problems and enables a purge operation to be completed when the reaction gas tank is replaced.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반응가스 탱크의 실린더에 결합됨과 아울러 노즐이 끼워진 커넥터와, 상기 노즐의 후방에 연결된 퍼지가스 배관과, 상기 노즐의 후미측과 퍼지가스 배관의 전방측에 수직방향으로 연결 형성된 반응가스 배관으로 구성된 반도체 가공용 가스 연결장치에 있어서, 상기 노즐의 가스 이동홀에 퍼지가스 배관이 연장되어 설치되는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention is coupled to the cylinder of the reaction gas tank, the nozzle is fitted, the purge gas pipe connected to the rear of the nozzle, the rear side of the nozzle and the front side of the purge gas pipe In the gas processing device for semiconductor processing comprising a reaction gas pipe formed in a vertical direction, the purge gas pipe is installed to extend in the gas movement hole of the nozzle.
도 1은 종래의 것의 개략도,1 is a schematic view of a conventional one,
도 2는 종래의 것의 요부 확대 단면도,2 is an enlarged sectional view of a main portion of a conventional one;
도 3은 본 발명의 실시예의 개략도,3 is a schematic diagram of an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 실시예의 요부 확대 단면도이다.4 is an enlarged sectional view showing main parts of an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명><Description of the code used in the main part of the drawing>
1: 반응가스 탱크3: 실린더1: reaction gas tank 3: cylinder
5: 연결부7: 노즐5: connection part 7: nozzle
9: 커넥터11: 퍼지가스 배관9: connector 11: purge gas piping
13: 반응가스 배관15: 가스 이동홀13: reaction gas pipe 15: gas moving hole
본 발명은 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 반응가스 탱크(1)의 상측에 고정된 실린더(3)의 연결부(5)에 분리 가능하게 결합됨과 아울러 노즐(7)이 중심측으로 끼워진 커넥터(9)와, 상기 노즐(7)의 후방에 연결되어 도시하지 않은 밸브 오픈시 퍼지가스가 공급되게 하는 퍼지가스 배관(11)과, 상기 노즐(7)의 후미측과 퍼지가스 배관(11)의 전방측에 수직방향으로 연결 형성되어 반응가스가 도시하지 않은 반도체 가공 공정 라인 및 밴트배관(미도시)으로 밸브(미도시) 전환을 통해 공급되게 하는 반응가스 배관(13)으로 구성된 반도체 가공용 가스 연결장치에 있어서, 상기 노즐(7)의 중심측으로 형성된 가스 이동홀(15)에 퍼지가스 배관(11)이 연장되어 설치되는 것이다.3 and 4, the connector is detachably coupled to the connecting portion 5 of the cylinder 3 fixed on the upper side of the reaction gas tank 1, and the nozzle 7 is fitted to the center side connector. (9), a purge gas pipe (11) connected to the rear of the nozzle (7) to supply purge gas at the time of opening of a valve (not shown), the rear side of the nozzle (7) and the purge gas pipe (11). Semiconductor processing gas consisting of a reaction gas pipe (13) is formed in the vertical direction connected to the front side of the reaction gas supplied to the semiconductor processing process line (not shown) and the valve (not shown) by switching the valve (not shown) In the connection device, the purge gas pipe 11 extends and is installed in the gas movement hole 15 formed toward the center of the nozzle 7.
상기 가스 이동홀(15)의 내주연과 퍼지가스 배관(11)의 외주연 사이에 간극이 형성되게 설치되는 것으로서, 상기 가스 이동홀(15)의 내주연과 퍼지가스 배관(11)의 외주연 사이에 간극이 형성됨으로써 반응가스 및 퍼지가스가 반응가스 배관(13) 및 밴트배관으로 이동되는 것이고, 상기 가스 이동홀(15)의 단부측인 퍼지가스 배관(11)의 접합부분에 웰딩(Welding) 작업을 하여 반응가스 및 퍼지가스의 누설을 방지하는 것이다.The gap is formed between the inner circumferential edge of the gas shift hole 15 and the outer circumferential edge of the purge gas pipe 11, and the inner circumferential edge of the gas shift hole 15 and the outer circumferential edge of the purge gas pipe 11 are formed. By forming a gap therebetween, the reaction gas and the purge gas are moved to the reaction gas pipe 13 and the vent pipe, and are welded to the junction of the purge gas pipe 11, which is an end side of the gas moving hole 15. To prevent leakage of reaction gas and purge gas.
상기 퍼지가스 배관(11)은 노즐(7)의 가스 이동홀(15)로 인서트됨과 동시에가스 이동홀(15) 선단측과 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 상호 일치되게 배치되는 것이고, 상기 가스 이동홀(15)의 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출되게 설치할 수도 있으며, 상기 가스 이동홀(15)의 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출되지 않게 설치할 수도 있는 것이다.The purge gas pipe 11 is inserted into the gas moving hole 15 of the nozzle 7 and at the same time the distal end side of the gas moving hole 15 and the distal end side of the purge gas pipe 11 are arranged to correspond to each other. The tip side of the purge gas pipe 11 may be installed to protrude from the tip end side of the gas moving hole 15 so that the tip side of the purge gas pipe 11 does not protrude from the tip side of the gas moving hole 15. It can also be installed.
상기 가스 이동홀(15) 선단측과 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 상호 일치되게 배치되는 경우에는, 실린더(3)를 통해 반응가스 공급시에 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)으로 반응가스가 안정적으로 공급되는 것이고, 퍼지가스를 통한 퍼지작업이 이루어질 때는 퍼지가스가 퍼지가스 배관(11)의 선단측에 도달됨과 동시에 실린더(3) 내벽면 및 가스 이동홀(15)의 선단측을 선회한 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)을 경유하여 밴트배관으로 위치되는 것이다.When the front end side of the gas movement hole 15 and the front end side of the purge gas pipe 11 are arranged to coincide with each other, the inner circumference of the gas movement hole 15 and the purge gas when the reaction gas is supplied through the cylinder 3 are provided. The reaction gas is stably supplied to the reaction gas pipe 13 through the outer circumference of the pipe 11, and when the purge operation is performed through the purge gas, the purge gas reaches the front end side of the purge gas pipe 11 and at the same time. After turning the inner wall surface of the cylinder 3 and the tip side of the gas moving hole 15, the band is passed through the reaction gas pipe 13 through the inner periphery of the gas moving hole 15 and the outer periphery of the purge gas pipe 11. It is located in the pipe.
상기 가스 이동홀(15) 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출된 경우에는, 실린더(3)를 통해 반응가스 공급시에 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)으로 반응가스가 안정적으로 공급되는 것이고, 퍼지가스를 통한 퍼지 작업이 이루어질 때는 퍼지가스가 퍼지가스 배관(11)의 선단측에 도달됨과 동시에 실린더(3) 내벽면을 선회한 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)을 경유하여 밴트배관으로 위치되는 것이다.When the front end side of the purge gas pipe 11 protrudes from the front end side of the gas moving hole 15, the inner circumference of the gas moving hole 15 and the purge gas pipe 11 at the time of supplying the reaction gas through the cylinder 3. The reaction gas is stably supplied to the reaction gas pipe 13 through the outer circumference. When the purge operation is performed through the purge gas, the purge gas reaches the front end side of the purge gas pipe 11 and the cylinder 3 After turning the inner wall surface, it is positioned as the vent pipe via the reaction gas pipe 13 between the inner periphery of the gas moving hole 15 and the outer periphery of the purge gas pipe 11.
상기 가스 이동홀(15) 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출되지 않은 경우에는, 실린더(3)를 통해 반응가스 공급시에 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)으로 반응가스가 안정적으로 공급되는 것이고, 퍼지가스를 통한 퍼지 작업이 이루어질 때는 퍼지가스가 퍼지가스 배관(11)의 선단측에 도달됨과 동시에 가스 이동홀(15)의 선단측을 선회한 후 실린더(3) 내벽면으로 이동하여 추가적인 선회과정이 이루어진 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이를 통해 반응가스 배관(13)을 경유하여 밴트배관으로 위치되는 것이다.When the front end side of the purge gas pipe 11 does not protrude from the front end side of the gas moving hole 15, the inner circumference of the gas moving hole 15 and the purge gas pipe at the time of supplying the reaction gas through the cylinder 3 ( 11) The reaction gas is stably supplied to the reaction gas pipe 13 through the outer circumference, and when the purge operation is performed through the purge gas, the purge gas reaches the front end side of the purge gas pipe 11 and moves at the same time. After turning the tip side of the hole 15 and then moving to the inner wall surface of the cylinder 3 to perform an additional turning process, the reaction gas pipe (between the inner periphery of the gas moving hole 15 and the outer periphery of the purge gas pipe 11) It is positioned as a vent pipe via 13).
이상과 같은 본 발명은 반응가스 탱크 교체시에 퍼지 작업이 완전하게 이루어질 수 있도록 하는 것으로서, 노즐(7)의 중심측으로 형성된 가스 이동홀(15)에 퍼지가스 배관(11)이 설치됨과 아울러 상기 가스 이동홀(15)과 퍼지가스 배관(11) 사이에 적정 간격이 형성되게 하는 것이다.The present invention as described above is to ensure that the purge operation is completed when the reaction gas tank replacement, the purge gas pipe 11 is installed in the gas moving hole 15 formed to the center side of the nozzle 7 and the gas An appropriate interval is formed between the moving hole 15 and the purge gas pipe 11.
그리고 상기 가스 이동홀(15)의 선단측에 퍼지가스 배관(11)의 선단을 동일 선상으로 설치하거나, 퍼지가스 배관(11)의 선단을 돌출 또는 돌출되지 않게 설치하는 것이다.And the front end of the purge gas pipe 11 is installed in the same line on the front end side of the gas movement hole 15, or the front end of the purge gas pipe 11 is provided so as not to protrude or protrude.
상기와 같이 설치한 후 반도체 가공 공정 라인으로 반응가스 탱크(1)의 반응가스를 공급하는 경우에는, 상기 반응가스가 실린더(3) 내측을 통해 노즐(7)의 선단측으로 이동되고, 상기 노즐(7)의 선단측에 위치된 반응가스는 퍼지가스 배관(11)과 가스 이동홀(15) 사이를 경유하여 반응가스 배관(13)으로 이동되며, 상기 반응가스 배관(13)으로 이동된 반응가스는 반도체 가공 공정 라인으로 위치되어 그 기능을 수행하는 것이다.In the case where the reaction gas of the reaction gas tank 1 is supplied to the semiconductor processing line after the installation as described above, the reaction gas is moved to the front end side of the nozzle 7 through the inside of the cylinder 3, and the nozzle ( Reaction gas located at the front end side of 7) is moved to the reaction gas pipe 13 via the purge gas pipe 11 and the gas moving hole 15, and the reaction gas moved to the reaction gas pipe 13 Is located in the semiconductor processing line to perform its function.
상기 반응가스 탱크(1)의 반응가스가 소진되어 반응가스 탱크(1)를 교체하여야 하는 경우에는, 퍼지가스 배관(11)의 밸브를 오픈하여 퍼지가스 공급을 통한 퍼지 작업이 이루어지게 하는 것으로서, 상기 밸브를 오픈함과 동시에 퍼지가스가 퍼지가스 배관(11)을 통해 실린더(3) 내측으로 위치되는 것이고, 상기 실린더(3) 내측으로 위치된 퍼지가스는 선회후 퍼지가스 배관(11)과 가스 이동홀(15) 사이를 경유하여 반응가스 배관(13)으로 이동되며, 상기 반응가스 배관(13)으로 이동된 퍼지가스는 밸브의 안내에 따라 밴트배관으로 위치되는 것이다.When the reaction gas of the reaction gas tank 1 is exhausted and the reaction gas tank 1 needs to be replaced, the valve of the purge gas pipe 11 is opened to purge the gas through the purge gas supply. The purge gas is located inside the cylinder 3 through the purge gas pipe 11 at the same time as the valve is opened, and the purge gas located inside the cylinder 3 is rotated after the purge gas pipe 11 and the gas. The purge gas is moved to the reaction gas pipe 13 via the moving holes 15, and the purge gas moved to the reaction gas pipe 13 is positioned in the vent pipe according to the guide of the valve.
상기한 퍼지 작업이 이루어질 때 가스 이동홀(15) 선단측과 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 동일 선상으로 형성된 경우에는, 퍼지가스가 실린더(3) 내벽면을 타격함과 아울러 가스 이동홀(15)의 선단측을 동시에 선회한 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이로 이동하면서 퍼지 작업하는 것이다.When the tip side of the gas transfer hole 15 and the tip side of the purge gas pipe 11 are formed in the same line when the purge operation is performed, the purge gas strikes the inner wall surface of the cylinder 3 and the gas transfer hole. After turning the tip side of (15) at the same time, it purges while moving between the inner periphery of the gas movement hole 15 and the outer periphery of the purge gas piping 11.
그리고 가스 이동홀(15) 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출 형성된 경우에는, 퍼지가스가 실린더(3) 내벽면을 우선적으로 선회한 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이로 이동하면서 퍼지 작업하는 것이다.When the tip side of the purge gas pipe 11 protrudes from the tip end side of the gas moving hole 15, the purge gas preferentially turns the inner wall surface of the cylinder 3, and then the inner circumference and purge of the gas moving hole 15. It purges while moving between the outer periphery of the gas piping 11.
또한 가스 이동홀(15) 선단측보다 퍼지가스 배관(11)의 선단측이 돌출되지 않게 형성된 경우에는, 퍼지가스가 가스 이동홀(15)의 선단측을 선회한 후 실린더(3) 내벽면으로 이동하여 2차적인 선회과정이 이루어지고, 상기 2차적인 선회과정이 이루어진 후 가스 이동홀(15) 내주연과 퍼지가스 배관(11) 외주연 사이로 이동하면서 퍼지 작업하는 것이다.In addition, when the tip side of the purge gas pipe 11 is formed so as not to protrude from the tip end side of the gas moving hole 15, the purge gas turns to the inner wall surface of the cylinder 3 after turning the tip side of the gas moving hole 15. The secondary turning process is made by moving, and after the secondary turning process is performed, the purging operation is performed while moving between the inner circumferential edge of the gas moving hole 15 and the outer circumferential edge of the purge gas pipe 11.
이상과 같이 본 발명은 반응가스 탱크의 실린더 연결부에 노즐 및 커넥터가 결합됨과 아울러 상기 노즐의 후미에 퍼지가스 배관 및 반응가스 배관이 설치되는 것으로서, 상기 노즐 내측의 가스 이동홀로 퍼지가스 배관을 인서트시켜 설치함으로써 퍼지가스가 실린더 내벽면 및 노즐의 선단측에 위치된 후 가스 이동홀 및 반응가스 배관을 경유하여 밴트배관으로 위치되게 되어 안정적인 퍼지 작업이 이루어지는 것이다.As described above, in the present invention, a nozzle and a connector are coupled to a cylinder connecting portion of a reaction gas tank, and a purge gas pipe and a reaction gas pipe are installed at the rear of the nozzle, and the purge gas pipe is inserted into the gas moving hole inside the nozzle. As a result, the purge gas is positioned on the inner wall surface of the cylinder and the tip side of the nozzle, and then, the gas purge gas is positioned through the gas moving hole and the reaction gas pipe.
그리고 상기 가스 이동홀의 내주연과 퍼지가스 배관의 외주연 사이에 간극이 형성되게 설치됨으로써 반응가스 및 퍼지가스의 이동이 원활하게 이루어지는 것이고, 상기 가스 이동홀 선단측과 퍼지가스 배관의 선단측이 상호 일치되게 설치됨으로써 실린더 내벽면과 퍼지가스 배관의 선단측 퍼지가 동시에 이루어지는 것이다.In addition, a gap is formed between the inner circumference of the gas shift hole and the outer circumference of the purge gas pipe so that the reaction gas and the purge gas can be smoothly moved. By coinciding with each other, the cylinder inner wall surface and the front end side purge of the purge gas pipe are simultaneously performed.
한편, 상기 가스 이동홀 선단측보다 퍼지가스 배관의 선단측이 돌출되게 설치된 경우에는 실린더 내벽면의 퍼지 작업이 우선적으로 실시되고, 상기 가스 이동홀 선단측보다 퍼지가스 배관의 선단측이 돌출되지 않게 설치된 경우에는 퍼지가스 배관의 출구측인 가스 이동홀 선단측을 우선적으로 퍼지한 후 추가적인 퍼지 작업이 이루어짐으로써 안전사고의 발생을 원천적으로 차단할 수 있는 것이다.On the other hand, when the tip side of the purge gas pipe is installed to protrude from the tip side of the gas moving hole, the purge operation of the inner wall of the cylinder is preferentially performed, so that the tip side of the purge gas pipe does not protrude from the tip of the gas moving hole. In the case of the installation, the purge gas is preferentially purged at the tip side of the gas moving hole, which is an outlet side of the purge gas pipe, and then additional purging is performed to prevent the occurrence of a safety accident.
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2002
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