KR20040025181A - Dielectric submount for laser diode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트에 관한 것으로서, 특히 레이저 다이오드의 패키지의 구성에 있어, 레이저 다이오드 칩과 히트 싱크사이의 와이어 본딩 공정없이 서브마운트에 전기적 도전특성을 부여하여 와이어 본딩을 생략하면서 오픈 불량을 방지할 수 있는 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric submount for a laser diode, and in particular, in the construction of a package of a laser diode, an electrical conductive property is given to the submount without the wire bonding process between the laser diode chip and the heat sink, and the wire bonding is omitted while the wire bonding is omitted. The present invention relates to a dielectric submount for a laser diode capable of preventing defects.
일반적으로 전기적 에너지를 광 에너지로 바꿔주는 소자인 반도체 레이저 다이오드에서는 전기적 에너지가 에너지 변환 효율에 따라 일부는 열 형태로 소실된다. 이러한 열을 보다 효율적으로 전도하고 소실 시켜주며 열에 따른 반도체 레이저 다이오드 칩의 변형에 맞추어 스트레스를 완화시키는 역할을 해주는 것이 서브마운트이다.In general, in the semiconductor laser diode, a device that converts electrical energy into optical energy, some of the electrical energy is lost in the form of heat according to the energy conversion efficiency. Submounts conduct heat more efficiently and dissipate and relieve stress in response to heat deformation of semiconductor laser diode chips.
현재까지 서브마운트로서 이용될 수 있는 물질이 가져야 할 특성은 높은 열전도도와 반도체 레이저 다이오드 칩과 비슷한 열팽창계수 등이다.To date, materials that can be used as submounts should have high thermal conductivity and a coefficient of thermal expansion similar to that of semiconductor laser diode chips.
그러므로 SiC, BeO, AlN 등과 같이 높은 열전도도를 가지며 낮은 전기전도도를 띠는 유전체 물질이나 Si, 다이아몬드 등과 같은 물질을 일반적으로 많이 이용하고 있다.Therefore, dielectric materials having high thermal conductivity and low electrical conductivity, such as SiC, BeO, AlN, and the like, and materials such as Si and diamond are generally used.
도 1은 일반적인 레이저 다이오드 패키지의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드의 스템(101)은, 상기 스템(101) 위에 부착되는 히트 싱크(104)와, 상기 히트 싱크(104)위에 형성되고 Si나 BeO와 같이 열을 잘 흡수하는 매질로 이루어진 서브마운트(102)와, 상기 서브마운트(102)위에 형성되는 레이저 다이오드 칩(103)를 포함하여 구성된다.1 is a view schematically showing the configuration of a general laser diode package. As shown here, the stem 101 of the laser diode is a heat sink 104 attached to the stem 101 and a medium formed on the heat sink 104 and absorbing heat well such as Si or BeO. And a laser diode chip 103 formed on the submount 102.
여기서, 상기 레이저 다이오드 칩(103)과 상기 서브마운트(102)와 상기 히트 싱크(104)는 각각 전도성 솔더에 의해 부착된다.Here, the laser diode chip 103, the submount 102 and the heat sink 104 are each attached by conductive solder.
그리고, 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 상부는 마이너스 단자에 전기적으로 본딩 와이어에 의해 연결되고, 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 하부는 플러스 단자인 상기 히트 싱크(104)에 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결된다.The upper portion of the laser diode chip 103 is electrically connected to a negative terminal by a bonding wire, and the lower portion of the laser diode chip 103 is electrically connected to the heat sink 104 by a bonding wire. Connected.
이외에도, 상기 레이저 다이오드 뒷면에서 나오는 레이저 빔을 감지하는 포토 다이오드가 스템위에 장착되고 마이너스 단자에 전기적으로 연결되어 있다.In addition, a photodiode for sensing the laser beam from the back of the laser diode is mounted on the stem and electrically connected to the negative terminal.
여기서, 상기 서브마운트(102)는 구동시 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 열이 상기 히트 싱크(104)로 빠져나가도록 하여 레이저 다이오드의 온도를 방열시킨다.Here, the submount 102 causes the heat of the laser diode chip 103 to escape to the heat sink 104 during heat dissipation, thereby dissipating the temperature of the laser diode.
즉, 상기 서브마운트(102)는 상기 레이저 다이오드 칩(103)과 상기 히트 싱크(104) 상호간의 방열작용을 촉진하는 동시에 그 상호간을 전기적인 절연체의 역할을 겸한다.That is, the submount 102 promotes heat dissipation between the laser diode chip 103 and the heat sink 104 and also serves as an electrical insulator.
따라서, 상기 서브마운트(102)는 열적 및 전기적으로 안정된 특성을 갖는 것이 필요하다.Thus, the submount 102 needs to have thermally and electrically stable characteristics.
도 2는 종래에 따른 서브마운트의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 상기 서브마운트(102)는 유전 기판(201)과, 상기 유전 기판(201)의 상하면에 형성되어 와이어 본딩을 고려한 상측, 하측 금속층 (203a,203b)과, 상기 유전 기판(201)과 상기 상측, 하측 금속층(203a,203b)을 접착시키는 접착층(202a,202b)과, 상기 상측 금속층(203a)에 상기 레이저 다이오드 칩의 하부도전층과 접착시키는 상측 솔더층(204a)과, 상기 레이저 다이오드 칩의 상부도전층에 본딩 와이어되어 상기 히트 싱크에 각각 전기적으로 접촉되어 있는 것이다.2 is a view schematically showing a structure of a conventional submount. As shown therein, the submount 102 is formed on the dielectric substrate 201, the upper and lower surfaces of the dielectric substrate 201, and upper and lower metal layers 203a and 203b in consideration of wire bonding, and the dielectric substrate ( 201), adhesive layers 202a and 202b for adhering the upper and lower metal layers 203a and 203b, upper solder layers 204a for adhering the lower conductive layer of the laser diode chip to the upper metal layer 203a, Bonded wires are connected to the upper conductive layer of the laser diode chip to electrically contact the heat sinks.
상기 서브마운트(102)는 유전체 물질은 대개 높은 전기비저항을 갖는 전기적 절연체이나 실제 부품 내의 회로상에서는 도전체로서의 특성을 요구하는 경우가 많다.The submount 102 often requires a dielectric material to be characterized as an electrical insulator having a high electrical resistivity or a conductor on a circuit in an actual component.
따라서, 종래에 따른 전기적 절연 특성을 갖는 유전체 서브마운트는 도전특성이 필요한 경우 반도체 레이저 다이오드 조립 공정에 추가적으로 와이어 본딩 공정을 필요로 하였다. 이런 추가적인 와이어 본딩 공정은 와이어와 다른 부위간의 쇼트 불량, 오픈 불량, 공정 시간 연장, 와이어 소모 등의 문제를 야기 시킬 수 있다.Therefore, the conventional dielectric submount having electrical insulation characteristics requires a wire bonding process in addition to the semiconductor laser diode assembly process when a conductive characteristic is required. This additional wire bonding process can cause problems such as short defects between the wire and other parts, open defects, extended process time, and wire consumption.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 레이저 다이오드의 패키지의 구성에 있어, 레이저 다이오드 칩과 히트 싱크사이의 와이어 본딩 공정없이 서브마운트에 전기적 도전특성을 부여하여 와이어 본딩으로 인한 쇼트 불량을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 공정단축 등을 할 수 있는 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and in the construction of a package of a laser diode, a short due to wire bonding is given to the submount without providing a wire bonding process between the laser diode chip and the heat sink. It is an object of the present invention to provide a dielectric submount for a laser diode that can prevent defects and shorten processes.
도 1은 일반적인 레이저 다이오드 패키지의 구성을 개략적으로 도시한 도면.1 is a view schematically showing the configuration of a typical laser diode package.
도 2는 종래에 따른 서브마운트의 구조를 개략적으로 도시한 도면.2 is a view schematically showing a structure of a conventional submount.
도 3는 본 발명에 따른 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트 구조의 일 실시예 개략적으로 도시한 도면.Figure 3 schematically illustrates one embodiment of a dielectric submount structure for a laser diode according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 서브마운트의 또 다른 실시 예의 구조를 도시한 도면.4 illustrates the structure of another embodiment of a submount in accordance with the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
101 --- 스템 102 --- 서브마운트101 --- Stem 102 --- Submount
103 --- 레이저 다이오드 칩 104 --- 힛트 싱크103 --- Laser Diode Chip 104 --- Bolt Sink
201, 301, 401 --- 유전 기판201, 301, 401 --- dielectric substrate
202a, 202b, 302a, 302b, 302c, 402a, 402b, 402c, 402d --- 접착층202a, 202b, 302a, 302b, 302c, 402a, 402b, 402c, 402d --- adhesive layer
203a, 203b, 303a, 303b, 303c, 403a, 403b, 403c, 403d --- 금속층203a, 203b, 303a, 303b, 303c, 403a, 403b, 403c, 403d --- metal layer
204a, 204b, 304a, 304b, 404a, 404b --- 솔더층204a, 204b, 304a, 304b, 404a, 404b --- solder layer
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레이저 다이오드용 유전체서브마운트는,In order to achieve the above object, the laser diode dielectric submount according to the present invention,
유전 기판의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층과;An adhesive layer formed on the upper side, the lower side, and the side surfaces of the dielectric substrate;
상기 유전 기판의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층위에 형성된 금속층과;A metal layer formed on an adhesive layer formed on upper, lower, and side surfaces of the dielectric substrate;
상기 상측, 하측에 형성된 금속층위에 형성된 솔더층을 포함하여 구성되는 점에 그 특징이 있다.It is characterized by including a solder layer formed on the metal layer formed on the upper side, the lower side.
여기서, 특히 상기 접착층과 상기 금속층을 서브마운트의 좌측과 우측면에 모두 형성하는 점에 그 특징이 있다.In particular, the adhesive layer and the metal layer are characterized in that they are formed on both the left and right sides of the submount.
여기서, 특히 상측에 형성되는 상기 솔더층의 패턴의 면적을 넓게 형성하는 점에 그 특징이 있다.In particular, the feature is that the area of the pattern of the solder layer formed on the upper side is broadly formed.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트방법은,In order to achieve the above object, the laser diode dielectric submount method according to the present invention,
유전 기판의 상측, 하측, 측면에 접착층을 형성하는 단계와;Forming an adhesive layer on top, bottom, and side surfaces of the dielectric substrate;
상기 유전 기판의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층위에 각각 금속층을 형성하는 단계와;Forming metal layers on adhesive layers formed on upper, lower, and side surfaces of the dielectric substrate;
상기 상측, 하측에 형성된 금속층위에 솔더층을 형성하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.It is characterized in that it comprises the step of forming a solder layer on the metal layer formed on the upper side, the lower side.
이와 같은 본 발명에 의하면, 레이저 다이오드의 패키지의 구성에 있어, 레이저 다이오드 칩과 히트 싱크사이의 와이어 본딩 공정없이 서브마운트에 전기적 도전특성을 부여하여 와이어 본딩을 생략하면서 오픈 불량을 방지할 수 있다.According to the present invention, in the configuration of the laser diode package, open defects can be prevented while omission of wire bonding by providing electrical conductivity to the submount without the wire bonding process between the laser diode chip and the heat sink.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
여기서, 상기 도 1을 참조로 설명하기로 한다. 이에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드의 스템(101)은, 상기 스템(101) 위에 부착되는 히트 싱크(104)와, 상기 히트 싱크(104)위에 형성되고 SiC, BeO, AlN, Diamond와 같이 열을 잘 흡수하는 매질로 이루어진 서브마운트(102)와, 상기 서브마운트(102)위에 형성되는 레이저 다이오드 칩(103)를 포함하여 구성된다.Here, it will be described with reference to FIG. As shown therein, the stem 101 of the laser diode is formed on the heat sink 104 attached to the stem 101 and the heat sink 104 and heats like SiC, BeO, AlN, Diamond. And a laser diode chip 103 formed on the submount 102 and a submount 102 formed of a well absorbing medium.
여기서, 상기 레이저 다이오드 칩(103)과 상기 서브마운트(102)와 상기 히트 싱크(104)는 각각 전도성 솔더층에 의해 부착된다.Here, the laser diode chip 103, the submount 102 and the heat sink 104 are each attached by a conductive solder layer.
그리고, 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 상부는 마이너스 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 하부는 플러스 단자인 상기 히트 싱크(104)에 전기적으로 연결된다.In addition, an upper portion of the laser diode chip 103 is electrically connected to a negative terminal, and a lower portion of the laser diode chip 103 is electrically connected to the heat sink 104 which is a plus terminal.
이외에도, 상기 레이저 다이오드 뒷면에서 나오는 레이저 빔을 감지하는 포토 다이오드가 상기 스템(101)위에 장착되고 마이너스 단자에 전기적으로 연결되어 있다.In addition, a photodiode for sensing a laser beam from the back of the laser diode is mounted on the stem 101 and electrically connected to a negative terminal.
여기서, 상기 레이저 다이오드와의 전기적으로 연결시키는 것은 상기 서브마운트에 의해 연결된다.Here, the electrical connection with the laser diode is connected by the submount.
또한, 상기 서브마운트(102)는 구동시 상기 레이저 다이오드 칩(103)의 열이 상기 히트 싱크(104)로 빠져나가도록 하여 상기 레이저 다이오드의 온도를 방열시킨다.In addition, the submount 102 causes the heat of the laser diode chip 103 to escape to the heat sink 104 when being driven to dissipate the temperature of the laser diode.
즉, 상기 서브마운트(102)는 상기 레이저 다이오드 칩(103)과 상기 히트 싱크(104) 상호간의 방열작용을 촉진하는 동시에 그 상호간을 전기적으로 연결하는도전체 역할을 겸한다.That is, the submount 102 serves as a conductor for promoting heat dissipation between the laser diode chip 103 and the heat sink 104, and electrically connecting the submount 102 to each other.
도 3는 본 발명에 따른 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트 구조의 일 실시예 개략적으로 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 유전 기판(301)의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층(302a,302b,302c)과; 상기 유전 기판(301)의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층(302,302b,302c)위에 형성된 금속층(303a,303b,303c)과; 상기 상측, 하측에 형성된 금속층(303a,303b)위에 형성된 솔더층(304)을 포함하여 이루어진다.3 is a schematic view of one embodiment of a dielectric submount structure for a laser diode according to the present invention. As shown therein, adhesive layers 302a, 302b, and 302c formed on the upper side, the lower side, and the side surfaces of the dielectric substrate 301; Metal layers 303a, 303b and 303c formed on adhesive layers 302, 302b and 302c formed on the top, bottom and side surfaces of the dielectric substrate 301; The solder layer 304 is formed on the upper and lower metal layers 303a and 303b.
상기와 같은 구성을 갖는 서브마운트의 공정방법은, 먼저 유전 기판(301)의 상측, 하측, 측면에 접착층을 형성하는 단계가 수행된다(S301). 여기서, 상기 유전 기판(301)의 상측과 하측의 접착층(302a,302b)을 형성시킨 후, 상기 좌측 또는 우측면에 접착층(302c)을 형성시킨다.In the method of processing a submount having the above configuration, first, an adhesive layer is formed on the top, bottom, and side surfaces of the dielectric substrate 301 (S301). Here, after the upper and lower adhesive layers 302a and 302b of the dielectric substrate 301 are formed, the adhesive layer 302c is formed on the left or right side of the dielectric substrate 301.
한편, 상기 접착층(302a,302b,302c)은 먼저 한 번의 접착층을 형성하고 난 후, 다시 상기 형성된 접착층위에 다시 한번 다른 물질로 접착층을 형성하게 된다. 이는 상기 유전 기판(301)과 금속층(303a,303b,303c)을 접착하기 위한 것으로 물성의 특성상 서로 접착이 잘 이루어지도록 하기 위함이다.Meanwhile, the adhesive layers 302a, 302b, and 302c first form one adhesive layer, and then form another adhesive layer on the formed adhesive layer once again. This is to bond the dielectric substrate 301 and the metal layers 303a, 303b, and 303c so that the dielectric substrate 301 and the metal layers 303a, 303b, and 303c are well adhered to each other due to their properties.
그리고, 상기 유전 기판의 상측, 하측, 측면에 형성된 접착층 (302a,302b,302c)위에 각각 금속층(303)을 형성하는 단계가 수행된다(S302). 여기에서도 상기 접착층(303)을 형성하는 것과 같이 상측과 하측에 먼저 금속층 (303a,303b)을 형성하고, 좌측 또는 우측에 금속층(303c,303d)을 형성시킨다.Then, the step of forming the metal layer 303 on the adhesive layer (302a, 302b, 302c) formed on the upper, lower, and side surfaces of the dielectric substrate (S302). Here, as in the case of forming the adhesive layer 303, the metal layers 303a and 303b are first formed on the upper side and the lower side, and the metal layers 303c and 303d are formed on the left side and the right side.
이어서, 상기 상측, 하측에 형성된 금속층(303a,303b)위에 솔더층(304a,403b)을 각각 형성하는 단계가 수행된다(S303). 여기서, 상기 상측의 솔더층(304a)은 레이저 다이오드와 접착시키기 위한 것이며, 하측의 솔더층(304b)은 상기 히트 싱크와의 접착시키기 위해 형성된다.Subsequently, the steps of forming the solder layers 304a and 403b on the upper and lower metal layers 303a and 303b are performed (S303). Here, the upper solder layer 304a is for bonding with the laser diode, and the lower solder layer 304b is formed for bonding with the heat sink.
도 4는 본 발명에 따른 서브마운트의 또 다른 실시 예의 구조를 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 서브마운트의 좌측 및 우측면 모두 금속층 (403c,403d)을 형성하여 보다 더 도전 특성을 갖도록 한다.4 is a diagram illustrating a structure of another embodiment of a submount according to the present invention. As shown therein, both left and right sides of the submount form metal layers 403c and 403d to have more conductive characteristics.
또한, 상기 상부 솔더층(404a)의 패턴을 면적을 보다 더 넓게하여 상기 레이저 다이오드의 접착이 잘 이루어지도록 한다.In addition, the pattern of the upper solder layer 404a is made larger so that the adhesion of the laser diode is achieved.
따라서, 상기와 같이 구성된 도전체의 서브마운트는 레이저 다이오드와의 별도의 본딩 와이어가 없이도 전기적으로 연결되어 본딩 와이어로 인한 쇼트 불량 방지와 공정 시간 단축을 할 수 있다.Therefore, the submount of the conductor configured as described above may be electrically connected without a separate bonding wire to the laser diode to prevent short defects due to the bonding wire and to shorten the process time.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트는, 레이저 다이오드의 스템의 구성에 있어, 레이저 다이오드 칩과 히트 싱크사이의 와이어 본딩 공정없이 서브마운트에 전기적 도전특성을 부여하여 와이어 본딩을 생략하면서 오픈 불량을 방지할 수 있다.As described above, the dielectric submount for a laser diode according to the present invention, in the configuration of the stem of the laser diode, provides electrical bonding properties to the submount without wire bonding process between the laser diode chip and the heat sink to provide wire bonding. Omitting it can prevent open defect.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947238A (en) * | 1988-05-23 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Submount for semiconductor laser element |
| JPH05243690A (en) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPH06326210A (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Sub-mount for optical semiconductor element |
| KR20020047881A (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 엘지전자 주식회사 | sub-mount and method for assembling laser diode using the same |
-
2002
- 2002-09-18 KR KR1020020057025A patent/KR20040025181A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947238A (en) * | 1988-05-23 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Submount for semiconductor laser element |
| JPH05243690A (en) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPH06326210A (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Sub-mount for optical semiconductor element |
| KR20020047881A (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 엘지전자 주식회사 | sub-mount and method for assembling laser diode using the same |
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