KR20040024536A - 극한 자외선 리소그래피를 위한 투영 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명의 EUV 광학 투영 시스템은 이미지(IM, IM', IM") 상에 물체 (OB, OB', OB")를 이미지화하기 위한 적어도 여섯개의 반사면으로 구성된다. 본 발명의 시스템은 물체 (OB, OB', OB")로부터 이미지(IM, IM', IM")로의 광학 경로를 따라 두 번째 거울 (M2, M2', M2")과 세 번째거울 (M3, M3', MY)사이의 중간 이미지(IMI, IMI', IMI")를 형성하여, 첫 번째 광학 그룹(G1, G1', G1")인 첫 번째 거울 (Ml I Ml', Ml")과 두 번째 거울 (M2, M2' M2") 및 두 번째 광학 그룹(G2, G2', G2")인 세 번째 거울 (M3, M3', M3") 및 네 번째 거울 (M4, M4', M4"), 다섯 번째 거울 (M5, M6', M5") 및 여섯 번째 거울 (M6, M6'1 M6")을 이룬다. 시스템은 또한 물체 (OB)로부터 이미지(IM)로의 광학 경로를 따라 첫 번째 거울 (Ml)과 두 번째 거울 (M2) 사이에 위치한 개구 차단부 (APE)를 포함한다. 두 번째 거울 (M2)은 바람직하게는 오목거울이고 세 번째거울 (M3)은 바람직하게는 볼록거울이다. 6개의 반사면 각각은 중심 필드점으로부터 15˚, 바람직하게는 13˚의 투사각으로 주광선 (CR)을 수용한다. 시스템은 바람직하게는 이미지(IM)에서 0.18보다 큰 개구수를 갖는다. 시스템은 바람직하게는 주광선 (CR)이 두 번째 거울 (M2)과 세 번째 거울 (M3) 사이에 전파되는 동안 광축 (OA)으로 집중되도록 구성된다.

Description

극한 자외선 리소그래피를 위한 투영 시스템{PROJECTION SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY}

스텝 및 스캔 모두에서 널리 사용되는 DUV(deep UV) 투영 인쇄 시스템은 현재의 반도체 산업의 요구를 만족할 수 있을 것이다. 차세대 포토리소그래피 인쇄 시스템은 스텝 및 스캔 인쇄 기술에서, 부드러운 X-선 또는 약 11 내지 15nm의 극한 자외선 파장을 갖는 노광을 사용할 것이다. 이들 차 세대 시스템은 70 nm 이하 집적회로 디자인 룰을 만족하기 위한 충분한 개구수를 필요로 한다. 또한, 이들 광리소그래피 시스템은 시간당 웨이퍼가 충분히 커서 공정이 경제적으로 이루어지도록 스캔 방향에서 큰 필드의 뷰가 필요하다.

리소그래피 시스템의 이론적 분해도는 하기 식으로 표시된다:

R = k₁λ/NA

상기 식에서, k1은 리소그래피 공정의 고유 파라미터, λ은 입사광의 파장, 및 NA는 시스템의 상 측면 개구수이다.

EUV리지스트는 0.5의 kl-팩터를 유지하고 개구수 0.20을 가지고, EUV 투영 시스템 이론적인 분리도는 k = 13.4 nm에서 약 30 nm이다. 본 발명에서 스텝 및 스캔 기술을 위한 EUV 리소그래피를 위한 모든 반사 투영 시스템은 큰 개구수 (0.20 내지 0.30) 및 큰 필드 (2 내지 3 mm)가 필요하다는 것을 인식하였다( International Sematech's International Technology Roadmap for Semiconductors (1999) 참조).

마이크로리소그래피용 4-거울 시스템은 예컨대 US 5,315,629호 또는 6,226,346 호에 각각 공지되어 있다. 그러나, 이러한 시스템은 디자인 룰을 얻기에 충분히 큰 NA 상에서 오차를 보정하는데 필요한 자유도가 부족하다. 6,226,346 호 특허는 6-거울 투영 시스템을 사용하여 0.14 (50 nm 디자인 룰) 이하의 개구 수에서 오차를 보정할 수 있다고 기술한다. 그러나, 필요한 수준의 리소그래피를 위한 파면 보정을 가능하게 하려면 링 필드의 폭은 감소되어야 한다. '346 특허는 링 필드가 1. 5 mm 내지 1.0 mm로 감소되고 개구수는 0.10 내지 0.12로 증가한다고 기재한다. '346 특허의 두 번째 구현예에서의 스캐일링은 링 필드가 0.5 mm로 감소되고 개구수가 0.14로 증가되어야 한다. 이 링 필드 폭의 감소는 전체 투영 장치의 처리량을 감소시킨다.

미국 특허 제 6.072,852호에 기재된 것과 같은 5-거울 시스템은 필드 의존 오차를 보정할 충분한 자유도를 가지고 필드 폭 (> 1.5 mm)상에서 개구수가 0.20을초과할 수 있다. 최소한의 반사 수로 EUV 리소그래피에 특정한 장점을 가지긴 하지만, 무한정의 평행 스캔을 개발할 필요가 있는 새 방향에 문제를 일으킨다. 현존 스캐닝 정책대로 마스크와 이미지의 무한정의 평행 스캔이 가능한 시스템을 "펼치기" 위해서는 추가의 거울이 투영 시스템에 삽입되어야 한다.

6 이상의 반사를 사용하는 단파장 투영 리소그래피를 위한 광학시스템은 특허 문헌에 기재되어 있다. 초기 시스템으로는 미국 특허 제 5,071,240호가 있고 "구형 반사장치를 사용하고 중간 이미지를 생성하는 반사 광학 이미지화 장치"에 관한 것이다. '240 특허는 구형 거울을 사용하는 6-거울 전반사 축소 시스템"에 관한 것이다. 이 특정 구현예는 세쌍의 거울과 포지티브/네거티브(P/N) 및 네거티브/포지티브(N/P) 조합을 이용하여 평평한 필드 조건을 얻는 것이다. 이 특허의 발명자는 또한 평평한 필드 조건(0 PetzVaI 합)은 첫 번째 거울 쌍과 마지막 거울 쌍 사이에 중간 이미지를 이용하는 시스템에 의해 얻어진다고 기술한다. 이 특허 는 개구 차단부를 함께 갖는 볼록한 두 번째 거울을 사용한다. 구현예로부터 '240 특허가 각 거울 표면의 작은 투사각이 10 nm 근방에서 작동하는 반사코팅에 적합하다는 것을 알 수 있다.

'240 특허의 구현예가 그 목적을 이루기는 했으나, 이 실시예들은 극한 자외선 파장에서의 최신 리소그래피에는 적합하지 않다. 우선, 시스템이 매우 길고 (~ 3000 mm) 기계적인 안정성에 문제가 있다. 두번째로, 현대의 반도체 리소그래피 인쇄 시스템에 필요한 이미지를 이미지화하는데 부적절하다. 마지막으로, 개구수가 작아(0.05 이하) 30nm 디자인 룰에 맞지 않는다.

최근에, 광학 투영 제조 시스템은 EUV 리소그래피에 특히 적합한 최소한 6개의 반사경을 갖는 큰 개구수를 사용한다. 그러한 시스템 가운데 하나가 미국특허 제 5,815,310호이며, "큰 개구수의 링 필드 광학 투영 제조 시스템"에 관한 것이다. '310 특허에서, 발명자는 EUV 조사에 사용하기 위한 6-거울 링 필드 시스템에 대해 기재하고 있다. 각 거울은 비구면이고 공통의 광축을 공유한다. 이 특정 구현예는 0.25의 개구수를 가지고 0.6 이하의 k1값으로 30nm 리소그래피가 가능하다. '310 특허는 세 번째 및 네 번째 거울 사이에 중간 이미지가 위치하는 PNPPNP 및 PPPPNP 구성을 제안한다. 이 구현예는, 긴 쌍으로부터 짧은 쌍까지 오목거울, 볼록거울, 오목거울, 오목거울, 볼록거울 및 오목거울로, 또는 축약해서 PNPPNP로 구성된다. '310 특허는 PNPPNP 및 PPPPNP 파워 분포가 30nm 디자인 룰을 얻을 수 있다고 기재한다.

'310 특허에 공지된 EUV 구현예는 몇가지 문제점이 있는데, 그 하나는 각 거울 표면의 투사각이 크고 특히 거울 M2와 M3가 크다는 것이다. 몇 경우, 거울 상의 주어진 위치에서 투사각이 20도를 초과한다. 평균 투사각 및 주어진 위치에서 각의 분포가 모두 임계 치수에 악영향을 줄수 있는 EUV 다층 코팅에 기인한 확대 및 상 영향을 일으키기에 충분하다.

리소그래피를 위한 두가지의 다른 전-반사 투영 시스템이 미국 특허 제 5,686,7.28호에 "투영 리소그래피 시스템 및 전-반사 광학 장치의 사용방법" 이라는 제목으로 게시되어 있다. '728 특허는 약 0.50의 개구수를 갖는 8-거울 투영 시스템과 0.45의 개구수를 갖는 6-거울 투영 시스템을 게시하고 100 nm 이상의 파장에 사용하도록 하고 있다. 두 시스템은 축소비율 5배로 작동한다. '310 특허의 시스템과 마찬가지로, 이들 시스템은 호상 필드 내에서 우수한 광학 보정 생성 리소그래피 성능을 나타내는 환형 구역을 갖는다. 이 시스템이 DUV 리소그래피를 위해 디자인되고 그 목적에 좋기는 하지만 , 이 구현예는 매우 나쁜 EUV 투영 시스템을 만들게 된다. 개구수가 0.50 내지 0.25로 감소할지라도, 마스크를 포함하는 모든 거울에서의 투사각이 매우 크기 때문에 Mo/Si 또는 Mo/Be 다층에 모두 부적합하다. 또한, 거울을 따라 비구면 이탈 및 비구면 경사가 EUV 파장보다 커서 그러한 비구면 거울이 EUV 리소그래피를 위한 정확도를 가지고 측정될 수 있는지 의문시된다.

이러한 점을 감안할때 '728 특허는 EUV 파장에서 전-반사 투영 시스템에 사용하기는 어렵고 그 용도가 더 긴 DUV 파장에 상요하는 것으로 한정된다 하겠다.

EUV 리소그래피를 위한 또 다른 투영 시스템이 미국 특허 제 6,033,079 호에 게시되어 있다. '079 특허의 제목은 "극한 자외선 리소그래피를 위한 큰 개구수 링 필드 투영 시스템 "이고 두개의 구현예가 제시되어 있다. '079 특허의 첫 번째 구현예는, 긴 쌍으로부터 짧은 쌍으로, 오목거울, 오목거울, 볼록거울, 오목거울, 볼록거울, 및 오목거울(PPNPNP)로 배열된다. '079 특허의 두 번째 구현예는, 긴 쌍으로부터 짧은 쌍으로, 오목거울, 볼록거울, 볼록거울, 오목거울, 볼록거울, 및 오목거울 (PNNPNP)로 배열된다. .

'079 특허는 두개의 PPNPNP 및 PNNPNP 재이미지화 구성이 모두 네 번째 거울과 다섯 번째 거울 사이에 위치한 중간 이미지 형성에 바람직하다고 게시한다. '240 및 '310특허와 유사하게,'079 특허는 두 번째 거울에서 개구 차단부를 사용하고 주광선은 두 번째 거울 이후 광축으로부터 벗어나게 된다.

'079 특허는 볼록한 세 번째거울이 저처 비점수차에서 큰 감소를 가능하게 한다고 게시한다. 이 광 파워의 특별한 배열은 큰 투사각 또는 극히 큰 비구면 이탈없이 높은 수준의 오차 보정을 가능하게 한다. 두 구현예에 대해, 모든 비구면 이탈은 15 ㎛m 이하이고 최고 10㎛이하이다. '240 특허와 마찬가지로, '079 특허는 반사 표면 각각에 낮은 투사각을 사용하는 EUV와 관한 것이다. PPNPNP 및 PNNPNP 파워 배열은 낮은 투사각을 얻게 하고 단순하고 효과적인 EUV 거울 코팅을 가능하게 한다. 낮은 투사각은 코팅으로 유도되는 확대 변형을 최소화하고 코팅-유도된 상 또는 광학 경로 차 (OPD) 변형을 최소화시키며, 일반적으로 광학시스템의 감도 내성을 낮춘다. 이들 팩터는 초점과 노출의 변형 존재하에 투과율과 CD 균일성을 향상시킨다

선행 기술의 투영 광학시스템이 여러가지 적용에 바람직하기는 하지만, 모든 용도에 적합하도록 최적화되거나 디자인되지 못하였다. 따라서, 50nm 이하의 분리도를 가지고 비교적 넓은 필드에서 사용가능한 극한 자외선 (EUV) 또는 부드러운 x-선 파장 영역을 위한 투영 광학시스템이 필요하게 되었다.

본 발명은 극한 자외선 (EUV) 리소그래피, 특히 두 광학 그룹으로 배열된 6개의 거울을 포함하는,투영 시스템에 관한 것이다.

도 1은 첫 번째 구현예의 EUV 광학 투영 시스템의 평면도.

도 2는 대물에서 바람직한 구현에에 따른 정확한 링 필드의 기하를 나타낸 개략도.

도 3은 두 번째 구현예의 EUV 광학 투영 시스템의 평면도.

도4 는 세 번째 구현예의 EUV 광학 투영 시스템의 평면도.

상기 관점에서, 물체를 이미지화하기 위한 6개 이상의 반사면을 갖는 EUV 광학투영 시스템을 제공한다. 시스템은 물체로부터 이미지로 광학경로를 따라 두번째 거울과 세번째 거울사이에 중간 이미지를 형성하여, 첫번째 광학그룹인 첫번째 거울과 두번째 거울, 및 두번째 광학그룹인 세번째 거울과 네번째 거울, 다섯번째 거울과 여섯번째 거울이 형성되도록 구성된다. 두 번째 거울은 오목거울이고, 세 번째 거울은 볼록거울이다.

시스템은 또한 물체로부터 이미지로 광학경로를 따라 첫번째 거울과 두번째 거울사이에 위치한 개구 차단부를 포함한다.

이 개구 차단부는 각 첫번째 거울과 두번째 거울사이에 위치할 수 있다.

시스템은 또한 중심 필드 점으로부터 주광선이 두 번째 거울과 세 번째 거울사이에 전파되는 동안은 광축을 향해 집중되거나 광축에 거의 평행으로 전파되도록 구성된다. 첫 번째 거울은 세 번째 거울보다는 물체에 가까이 위치한다.

시스템은 또한 중심 필드 점으로부터 주광선이 두 번째 거울과 세 번째거울 사이에 전파되는 동안은 광축을 벗어나도록 구성된다. 세 번째 거울은 첫 번째 거울울보다는 물체에 가까이 위치한다.

첫 번째 거울은 바람직하게는 오목거울이고, 네 번째 거울은 바람직하게는 오목거울이고, 다섯 번째 거울은 바람직하게는 볼록거울이며 여섯 번째 거울은 바람직하게는 오목거울이다.

물체와 이미지 사이의 거리는 1500 mm 이하, 바람직하게는 1200 mm 이하이다.

시스템은 바람직하게는 0 보다 큰 이미지에서의 개구수를 갖는다. 6개의 각 반사면은 바람직하게는 15°이하의 투사각으로 중심 필드 점으로부터 주 광선을 수용하고, 제 5 및 제 6 반사면은 11°이하, 바람직하게는 9° 이하의 투사각으로 중심 필드 점으로부터 주 광선을 수용한다.

시스템은 바람직하게는 0.017λ, 0.017λ 내지 0.011λ의 RMS 파면 에러를 갖는다.

하기 인용문헌은 상기 배경기술에서 게시된 문헌외에 본 발명의 구현예의 상세한 설명을 위해, 하기 바람직한 구현예에서 기술하지 않은 다른 요소나 면들을 게시하기 위한 참고문헌으로 삽입된다. 하기 구현예의 응용을 위해 이들 참고문헌은 단독으로 또는 둘 이상의 조합이 사용될 수 있다. 여기에 배경으로 인용된 다른 특허, 특허 출원 및 특허가 아닌 참고문헌 및 그 비평 들도 바람직한 구현예의 상세한 설명을 위한 참고문헌으로 하기 문헌들과 함께 삽입될 수 있다.

미국특허 제 5,063,586 호, 51071,240 호, 5,078,502 호, 5,153,898 호, 5,212,588 호, 5,220,590 호, 5,315,629 호, 5,353,322 호, 5,410,434 호, 5,686,728 호, 5,805,365 호, 5,815,731 호, 5, 956,192호, 5,973,982 호, 6,033,079 호, 6,014,252 호, 6,188,513 호, 6,183,909 호, 6,072,852 호, 6,142,641호, 6,226,346호, 6,255,661호 및 6,262,836 호; 유럽 특허 출원 제 0 816 892 Al 및 0 779 528 A; 및

"Design of Reflective Relay for soft x-ray Lithography", J. M. Rodgers, T.E.Jewell, International Lens Design Conference, 1990;

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광학투영 시스템에 관한 세 구현예를 설명한다.

첫번째 구현예

도 1은 첫 번째 구현예의 EUV 광학 투영 시스템의 평면도이다. 표 1과 표 2를 함께 참조하여 이 구현예를 설명한다. 빛은 물체, 예를 들어 반사마스크 또는 조명 시스템의 망선에 충돌하여 오목거울 Ml으로 향하게 되어 거울 Ml으로부터 반사되고 거울 Ml과 M2사이에 위치한 개구 차단부 APE를 통과하게 된다. 이 개구 차단부 APE는 첫 번째 오목거울 Ml과 두번째 오목거울 M2로부터 일정거리에 위치한다. 조명이 오목거울 M2로부터 반사된 후, 빛은 볼록거울 M3에 가까운 중간 이미지 IMI에 초점을 갖게 된다. 거울 M3로부터 조명은 M4로 향하게 되어 빛이 거의 평행하게 되고 볼록거울 거울 M5로 향하게 된다. 거울 M5로부터 반사된 빛은 오목거울 M6로 충돌하고(주광선은 광축 (OA)에 평행하다) 이미지 IM 상에 초점을 맺는다. 반도체 웨이퍼는 일반적으로 이미지 IM에 배열된다. 오목거울 광학 표면은 포지티브 광 파워((P)를 가지고 볼록거울 광학 표면은 네거티브 광 파워(N)를 가지므로, 본 발명의 구현예는 PPNPNP 구성으로 특정된다.

이 광학 시스템을 특정하는데는 여러가지 방법이 있으나, 한가지 일반적인 방법은 시스템을 두개의 그룹 Gl과 G2로 나누는 것이다. 물체 OB에서 시작하여, 첫 번째 그룹 Gl은 오목거울 쌍 Ml과 M2로 구성된다. 이 그룹은 거울 M2와 거울 M3 사이에 약 8배로 확대된 중간이미지 IMl를 형성한다. 남은 네개의 거울들(볼록거울 M3, 오목거울 M4, 볼록거울 M5 및 오목거울 M6는 두 번째 이미지 그룹 G2를 구성한다. 이 두 번째 그룹 G2는 약 3배 확대로 작동되고 이미지IM에서 물체 OB의 4배의 축소를 가져오게 된다(축소비율은 절대적인 확대값의 역).

도 1의 첫 번째 구현예의 광학 처방이 표 1 및 표 2에 기재되어 있다. 비구면 거울 표면은 표에서 A(l)-A(6)로 라벨링되어 있고 A(1)은 거울 M1에, A(2)는 거울 M2에 상응하며, 나머지도 마찬가지다. 네 개의 부가적인 표면이 물체 OB와 이미지 IM을 갖는 구현예를 완성하고, 리소그래피 장치에 마스크와 웨이퍼가 배열된다. 또한 개구 차단부 APE와 중간 이미지IMI의 위치를 위해 표면 지정이 이루어진다.

표면 지정 후, 곡률 정점 반경과 광학 표면 사이의 정점 공간을 열거하는 두개의 추가적인 엔트리가 있다. 이 구현예에서, 각 표면은 회전 대칭 원뿔 표면이고 고차원의 변형을 갖게된다. 이 비구면 프로파일은 K, A, B, C, D, 및 E값에 의해 독특하게 정해진다. 각 거울은 4차, 6차, 8차, 10차, 및 12차 변형을 갖는다. z-축(z)을 향한 비구면의 휨(12차를 통한)은 하기 식으로 나타내어진다.

상기 식에서 h는 원형 좌표; c는 표면(1/R)의 정점 곡률; A, B, C, D, 및 E 는 각각 4차, 6차, 8차, 10차, 및 12차 변형 계수이다. 이 계수는 표 2에 기재되어 있다.

첫 번째 구현예의 광학시스템은 극한 자외선(EUV) 또는 부드러운 X-선 파장으로 조명하는 링 필드 포맷을 투영하도록 디자인되어 있다. 물체 OB 에서 개구수 NAO 는 0.050 라디안이고; 4배 축소에서 이것은 이미지 IM에서 0.20의 개구수 NA에 상응한다. 물체 0B에서 링 필드 21이 도 2에 도시되어 있다. 비구면 거울의 각정점을 포함하는 광축으로부터 118 mm에 중심을 두고 있다. 이 고리형 필드는 114에서 122 mm로 연장되어 8mm의 폭 23을 갖는 아치형 슬릿을 형성한다. 링 필드 21의 높이 25는 스캔 방향 27에 수직이고 104mm가 된다. 중심 필드점은 부호 29로 표시된다. 4배 축소에서, 이 링 필드는 이미지에서 스캔 방향으로 2.0 mm 폭이 된다.

광 파워의 분포와 개구 차단부 APE의 위치에 의해, 디자인이 EUV 또는 부드러운 X-선 다층 코팅에 적합하도록 각을 조절할 수 있다. 중심 필드점 29으로부터 주광선 CR을 측정하면, 이 시스템은 2.9°내지 12.5°의 매우 낮은 투사각도를 나타낸다. 중심 필드점 29로부터의 주광선 투사각은 물체: 5.2°; Ml: 6.5°; M2: 5.0°; M3: 12.5°; M4: 5.6°; M5: 8.6°; 및 M6: 2.9°이다. 이 낮은 투사각은 EUV 리소그래피를 가능하게 하는 결정적인 요소인데, 그 이유는 (1) 리소그래피 성능에 악영향을 주는 다층 유도 확대 및 상 에러를 최소화하고(2) 횡으로 나누어진 코팅 프로파일의 사용에 지나치게 의존하지 않는 단순한 코팅 디자인을 가능하게 하기 때문이다. 나쁜 디자인의 경우(즉, 투사각을 최소하는 것이 실패하는 경우), 이들 다층-유도된 확대 및 상 에러는 임계 치수(CD) 에러를 유도하여 쉽게 공칭 라인 깊이의 20%가 넘게 되고 , 시스템의 제품 적용이 불가능하게 된다.

낮은 투사각 외에, 바람직한 시스템은 낮은 피크의 비구면 이탈을 갖는 거울을 사용하여 또한 EUV 리소그래피를 가능하게 한다. 거울 Ml에 포함된 최대 피크 이탈은 25.0㎛이다. 다른 거울은 0.5 ㎛ 내지 14 ㎛ 범위의 이탈을 갖는 저-위험 비구면 렌즈이다. 거울 표면의 낮은 비구면 이탈은 눌 렌즈나 컴퓨터 생성 홀로그램(CGH) 없이 가시광선 도량형 시험을 용이하게 하여, 높은 정확도의 표면 형상 시험 을 가능하게 한다. 큰 이탈을 갖는 비구면 거울은 생산이 불가능한데, 그것은 리소그래피 성능을 실현하는데 필요한 정확도를 측정할 수 없기 때문이다.

표 3은 도 1의 PPNPNP 구성의 성능을 요약한 것이다.

표 3은 이 첫 번째 구현예가 30 nm (kl 팩터가 약 0.5라고 가정)의 분리도를 갖는 리소그래피 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다. 개구 차단부 APE의 위치는 강하고 오목한 두 번째 거울 M2로부터의 3차 비점수차 분포가 매우 작게 만들어지도록 선택된다. 첫 번째 거울 Ml으로부터의 강하게 수정된 비점수차 분포는 Ml 상의 비구면 이탈로부터 오게되고 M3/M4 조합에 의해 보완된다. 비구면이 없는 시스템을 구려한다면, 개구 차단부 APE의 위치는 첫 번째 거울 Ml과 두 번째 거울 M2 로부터의 변형 분포와 3차원 코마를 효과적으로 맞추게 된다. 쌍곡선 프로파일이 첫 번째 거울에 부가되어 다수의 수정된 구상 분포 , 코마 분포, 및 비점수차 분포를 이루게 되고, 우수한 오차 보정으로 잔류 파면 에러 (이상적인 기준 구로부터의 이탈)을 극히 작게 한다. 즉, 오차 보정 및 생성 오차 보완은 복합 RMS 파면 에러를 단지 0.0125λ(0.17 nm)로 감소시키고, 정적 변형의 동시 보정이 필드를 따라 2 nm 이하가 되게 한다.

도 1의 시스템은 개구수나 필드 어느쪽으로도 스캐일되는 이 광학투영 시스템은 또 다른 장점을 갖는다. 예를 들어, 더 큰 개구수는 공중 이미지에서 변조를 향상시켜 3Onm 분리를 가능하게 된다. 단순 스캐일링 실험의 결과는 이 구현예 가 용이하게 그러한 더 큰 개구수의 스캐일링을 지지한다는 것을 보여준다. 변조 없이 , 개구수 0.24에서 복합 제곱근 평균 제곱 (RIVIS) 파면 에러의 분석이 이루어졌고, 표 2에 기재된 값은 20% 증가되었음을 나타낸다. 복합 RMS 파면 에러는 0.0287λ (0.38 nm)로 나타났고, 이 레벨은 리소그래피 품질의 이미지를 유지할 수 있는 수준이다.

도 2를 참조하여, 리소그래피 장치가 가동되는 시간당 웨이퍼수(WPH)가 증가될 수 있도록 스캔 방향으로의 가시 영역을 증가시키는 것이 바람직하다. 단위시간당 더 넓은 호상 슬릿을 가지고 더 넓은 면적이 인쇄될 수 있다는 것이다. 다른 단순 스캐일링 시험의 결과는 이 구현예가 필드 넓이를 용이하게 증가시키도록 한다는 것을 보여준다. 변조없이, 3 mm 넓이 호상 슬릿 상에 이루어진 복합 RMS 파면 에러 분석이 이루어졌고, 표 2에서 나타난 값은 50% 증가를 보여준다. 복합 RMS 파면 에러는 0.0285λ(0.38 nm)로 나타났고, 이 레벨은 리소그래피 품질의 이미지를 유지할 수 있는 수준이다.

두 번째 구현예.

두 번째 구현예에서, PPNPNP 구성으로 배열된 6개의 거울을 포함하는 극한 자외선(EUV) 광학 투영 시스템이 게시된다. 도 3에 두 번째 구현예의 평면도가 도시되어 있다. 파장 13.4nm에서의 EUV 리소그래피를 위한 PPNPNP 구성으로 디자인되어 있다. 첫 번째 구현예와 마찬가지로, 시스템은 재이미지화되고, '310 및 '079의 구현예와 달리, 중간 IMI'가 두 번째 거울 쌍 앞에 위치한다. 이 예에서, 중간 이미지 IMI'는 거울 M2' 와 M3' 사이에 위치하여 거울 M5'를 가로지르는 투사각을 낮추도록 한다. 이 구조는 또한 거울 Ml', M2' M4', 및 M6'상에 낮은 평균 투사각을 갖도록 해준다. 이러한 낮은 투사각은 우수한 다층 적합성을 유지하는데 유리하다. 개구 차단부 APE' 는 Ml'과 M2'사이에 위치하고 각 거울에서 예를 들어 200 mm 이상의 간격을 두고 있다.

첫 번째 구현예에서 설명된 것에 부가하여, 두 번째 구현예는 세 번째거울 M3'가 첫 번째 거울 Ml'의 물체 쪽에 위차할 수 있음을 나타낸다 (즉, 첫 번째 거울 Ml' 보다 물체 OB'에 더 가까이 위치). 이것은 선행기술에서 세 번째 거울이 첫 번째 거울에 가까이 위치하거나('079특허) 첫 번째 거울의 이미지 면 상에 위치해애 한다('310특허)는 선행기술과는 완전히 다른 것이다. 거울 M3'의 위치는 물체 면 OB 로부터 이미지 면 IM 까지의 전체 길이(전체 트랙 길이)를 250 mm까지 줄일 수 있게 한다. 전체 트랙 길이의 감소는 세 번째 거울의 위치를 첫 번째 거울 Ml'의 이미지면으로부터 첫 번째 거울 Ml'의 물체면으로 이동시키는 것에 의해 이루어졌고 그에 따라 거울 Ml'과 거울 M6'사이의 거리가 줄어들었다. 이것은 또한 세 번째 거울 M3'의 직경을 첫 번째 거울 Ml'이나 두 번째 거울 M2'보다 작게 하는 것을 가능하게 한다. 이 변화는 두 번째 거울 M2'로부터 반사시 주광선의 각 조건에도 영향을 미친다. 선향기술에서는 중심 필드점으로부터의 주광선은 두 번째 거울 ('310 특허, '079 특허, 등.)로부터의 반사 이후 광축을 벗어나야 한다고 되어 있으나, 이제는 주광선 CR' 이 광축 OA'에 대해 보다 평행하게 되었다. 두 번째 구현예에서, 주광선 CR'는 광축 OA'에 평행으로 만들어진다.

이 주광선 각의 변화는 오차 보정에도 영향을 주어 파면의 제르니케(Zernike)변형에 나타나는 잔류 오차가 첫 번째 구현예와 다르다.

두 번째 구현예의 광학 처방이 표 4 및 표 5에 나타나 있다. 비구면 거울 거울 표면은 표에서 A(l)-A(6)로 라벨링되어 있고 A(1)은 거울 M1'에, A(2)는 거울 M2'에 상응하며, 나머지도 마찬가지다.

첫 번째 구현예와 마찬가지로, 물체 OB'는 링필드에 4배 축소된 이미지 IM' 로 투영된다(주광선은 이미지IM'에서 광축 OA'에 평행). 이 구현예가 13.4 nm의 파장에서 리소그래피 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다. 첫 번째 구현예와 비교할 때, 두 번째 구현예도 이미지 IM'에서 0.20의 개구수를 사용할 수 있고 스캔 방향으로 2 mm 넓이의 필드를 투영할 수 있다. 각 거울에서의 투사각이 비교적 작기 때문에 시스템은 반사 다층 코팅에 적합하다. 중심 필드점 29'로부터 주광선 CR'을 측정한 경우 투사각은 3.9°내지 14.6°이다. 중심 필드점 29'로부터 주광선 CR'에 대한 정확한 주광선 투사각은 다음과 같다: OB: 5.6°; Ml: 7.2°; M2: 4.4°; M3: 14.6°; M4: 8.8°; M5: 9.7°및 M6: 3.9°. 이 낮은 투사각은 EUV 리소그래피를 가능하게 하는 결정적인 요소인데, 그 이유는 리소그래피 성능에 악영향을 주는 다층 유도 확대 및 상 에러를 최소화하기 때문이다.

필드를 가로지르는 복합 RMS 파면 에러는 0.0131λ(0. 1 8 nm)이고 최상 필드 점에서는 0.0095λ(0.13nm)에서부터 최악인 경우 0.0157λ(0.21 nm)까지의 범위를 갖는다. 주광선의 뒤틀림은 필르들 따라 1nm 이하로 감소되었다. 보완된 파면, 실질적으로 없는 광선의 뒤틀림으로 인해 이 시스템은 부드러운 x-선 또는 극한 자외선 파장에서 현대적인 리소그래피에 적합하다.

도 3의 시스템은 개구수나 필드 어느쪽으로도 스캐일되는 이 광학투영 시스템은 또 다른 장점을 갖는다. 예를 들어, 더 큰 개구수는 공중 이미지에서 변조를 향상시켜 3Onm 분리를 가능하게 된다. 단순 스캐일링 실험의 결과는 이 구현예 가 용이하게 그러한 더 큰 개구수의 스캐일링을 지지한다는 것을 보여준다. 변조 없이 , 개구수 0.22에서 복합 제곱근 평균 제곱 (RIVIS) 파면 에러의 분석이 이루어졌고 , 표 4에 기재된 값은 10% 증가되었음을 나타낸다. 복합 RMS 파면 에러는 0.027λ (0.36 nm)로 나타났고, 이 레벨은 리소그래피 품질의 이미지를 유지할 수 있는 수준이다.

다른 단순 스캐일링 시험의 결과는 이 구현예가 필드 넓이를 용이하게 증가시키도록 한다는 것을 보여준다. 변조없이, 3 mm 넓이 호상 슬릿 상에 이루어진 복합 RMS 파면 에러 분석이 이루어졌고, 표 6에서 나타난 값은 50% 증가를 보여준다. 복합 RMS 파면 에러는 0.028λ(0.38 nm)로 나타났고, 이 레벨은 리소그래피 품질의 이미지를 유지할 수 있는 수준이다.

세 번째 구현예.

세 번째 구현예는 도 4에 도시되어 있다 첫 번째 및 두 번째 구현예와 마찬가지로, 이 시스템은 재이미지화 PPNPNP 구성을 사용하고 첫 번째 거울 Ml" 과 두 번째 거울 M2" 사이에 위치한 개구 차단부 APE"를 갖는다. 또, 첫 번째 및 두 번째 구현예와 마찬가지로, 중간 이미지 IMI" 는 두 번째 거울 M2" 와 세 번째 거울 M3" 사이에 위치한다. 두 번째 구현예와 비슷하게, 세 번째 거울 M3"는 첫 번째 거울의 물체면에 위치한다. 이 구현예는, 두 번째 거울 M2로부터의 반사 후에 중심필드점 29"으로부터의 주광선 CR"이 광축 OA"을 향해 집중된다는 점에서 두 번째 구현예와 다르며 특별한 장점을 지닌 투영 시스템을 형성한다.

도 4의 세 번째 구현예의 광학 처방은 표 7에 기재되어 있다. 표 7에는 곡률곡률의 정점 반경과 광축을 따라 이들 거울 사이의 분리가 나타나 있다. 각 거울은 비구면으로 표에서 A(l)-A(6)로 라벨링되어 있고 있고 A(1)은 거울 M1"에, A(2)는 거울 M2"에 상응하며, 나머지도 마찬가지다. 식 (1)에 따른 비구면 표면 변형이 표 8에 나타나 있다. 표 9의 정보와 함께 구현예의 실시예를 기술한다.

첫 번째 두가지의 구현예와 마찬가지로, 물체 OB", 예를 들어 반사마스크 또는 망선의 패턴은 링 필드 포맷에서 4배 축소된 이미지 IM"로 투영된다(주광선은 이미지에서 광축과 평행). 이미지에 일반적으로 반도체 웨이퍼가 배열된다. 표 6 은 13.4 nm에서 리소그래피 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다. 비교를 위해, 세 번째 구현예도 이미지IM'에서 0.20의 개구수를 사용할 수 있고 스캔 방향으로 2 mm 넓이의 필드를 투영할 수 있다. 각 거울에서의 투사각이 비교적 작기 때문에 시스템은 반사 다층 코팅에 적합하다. 중심 필드점 29"로부터 주광선 CR"을 측정한 경우 투사각은 3.9°내지 13.9°이다. 중심 필드점 29'로부터 주광선 CR'에 대한 정확한 주광선 투사각은 다음과 같다: OB": 6.6°; Ml: 8.0°; M2: 4.4°; M3: 13.9°; M4: 8.6°; M5: 9.6° 및 M6: 3.9°. 이 낮은 투사각은 EUV 리소그래피를 가능하게 하는 결정적인 요소인데, 그 이유는 리소그래피 성능에 악영향을 주는 다층 유도 확대 및 상 에러를 최소화하기 때문이다.

필드를 가로지르는 복합 RMS 파면 에러는 0.0203λ(0. 27 nm)이고 최상 필드점에서는 0.0148λ(0.20nm)에서부터 최악인 경우 0.0243λ(0.33 nm)까지의 범위를 갖는다. 주광선의 뒤틀림은 필르들 따라 1nm 이하로 감소되었다. 보완된 파면, 실질적으로 없는 광선의 뒤틀림으로 인해 이 시스템은 부드러운 x-선 또는 극한 자외선 파장에서 현대적인 리소그래피에 적합하다.

디자인은 두 번째 구현예와 마찬가지로, 개구수 또는 필드로 스캐일된다.

상기의 첫 번째-세 번째 구현예의 광학 시스템은 EUV 리소그래피에 바람직한 투영 시스템인 것을 알 수 있다. 이들 구현예가 13.4 nm에 특정해서 기술되었으나, 이 파장에 한정되는 것은 아니며, 전자기 스펙트럼의 부드러운 x-선 영역 에 존재하는 적합한 코팅 재료를 제공하는, 짧거나 더 긴 파장에도 적용이 가능하다.

표 1. 첫 번째 구현예

구성요소 번호	곡률 반경 정점	두께(mm)	유리
물체 OB	무한대	806.775
A(1)	-1997.63	-328.184	REFL
개구 차단부 APE	무한대	-399.404
A(2)	1148.069	649.7918	REFL
중간이미지 IMI	무한대	132.9323
A(3)	486.7841	-277.569	REFL
A(4)	660.9159	890.6587	REFL
A(5)	393.8628	-476.472	REFL
A(6)	580.3377	501.472	REFL
이미지 IM

표 2. 비구면 제조

비구면	K	A	B	C	D	E
A(1)	-9.1388E+01	5.4676E-10	7.0301E-15	-1.4409E-19	2.1657E-25	5.5712E-30
A(2)	-6,4930E-01	3.7924E-11	3.2952E-18	-1.1462E-21	8.4115E-26	-4.9020E-30
A(3)	-2.3288E-01	3.3571E-10	1.8240E-14	-1.9218E-19	-4.2667E-23	2.9468E-27
A(4)	-6.4180E-03	3.9345E-11	1.8257E-16	-6.9023E-22	1.3692E-26	-6.2042E-32
A(5)	1.5857E+00	-1.7764E-09	7.7970E-14	-1.2619E-18	5.4017E-22	-3.8012E-26
A(6)	8.9884E-02	-4.2455E-12	1.4898E-17	1.4824E-22	-7.0550E-28	6.6775E-32

표 3. 첫번째 구현예의 성능

측정 기준	성능
파장	13.4nm
개구수(이미지)	0.20
링필드 포맷(이미지)i.반경ii.넓이iii.현	30.0mm2.0mm26.0mm
감소율(수)	4:1
전체 길이(mm)	1500mm
RMS 파면 에러(파장@λ=13.4nm)i.복합ii.범위	0.0125λ0.0076λ-0.0167λ
주광선 뒤틀림(max)	1.9nm
출구 동공 위치	무한대
개구부를 따르는 최대한의 비구면 이탈i.M1ii.M2iii.M3iv.M4v.M5vi.M6	25.0μm0.5μm1.4μm14.0μm3.0μm3.8μm

표 4. 두 번째 구현예

구성요소 번호	곡률 반경 정점	두께(mm)	유리
물체 OB	무한대	786.7828
A(1)	-1522.9647	-275.3849	REFL
개구 차단부 APE	무한대	-461.3979
A(2)	922.8035	452.3057	REFL
중간이미지 IMI	무한대	95.0000
A(3)	273.0204	-218.5016	REFL
A(4)	511.1320	834.1959	REFL
A(5)	434.1472	-326.2172	REFL
A(6)	440.9571	363.2172	REFL
이미지 IM

표 5. 비구면 제조

비구면	K	A	B	C	D	E
A(1)	-6.5661E-04	3.6028E+01	2.7656E-09	1.3237E-14	5.6475E-20	1.4711E-23
A(2)	1.0837E-03	-3.0142E+00	3.2384E-10	-6.8499E-16	-1.8748E-20	1.0985E-24
A(3)	3.6637E-03	1.9328E+00	-1.6611E-08	-4.9082E-13	2.9169E-17	-3.8673E-21
A(4)	1.9564E-03	-1.2442E-01	-1.0927E-11	2.7712E-16	-2.0608E-21	3.6395E-26
A(5)	2.3034E-03	8.5377E+00	-6.9001E-09	-2.2929E-13	-8.9645E-18	-2.1791E-21
A(6)	2.2678E-03	1.4526E-01	3.2069E-11	3.3003E-16	5.1329E-21	-1.7296E-25

표 6. 두 번째 구현예의 성능

측정 기준	성능
파장	13.4nm
개구수(이미지)	0.20
링필드 포맷(이미지)i.반경ii.넓이iii.현	30.0mm2.0mm26.0mm
감소율(수)	4:1
전체 길이(mm)	1250
RMS 파면 에러(파장@λ=13.4nm)i.복합ii.범위	0.0131λ0.0095λ-0.0157λ
주광선 뒤틀림(max)	0.9nm
출구 동공 위치	무한대
개구부를 따르는 최대한의 비구면 이탈i.M1'ii.M2'iii.M3'iv.M4'v.M5'vi.M6'	18.0μm6.2μm8.7μm28.0μm7.0μm7.0μm

표 7. 세 번째 구현예

구성요소 번호	곡률 반경 정점	두께(mm)	유리
물체 OB	무한대	708.2375
A(1)	-1351.9353	-222.3328	REFL
개구 차단부 APE	무한대	-435.9047
A(2)	801.1198	389.5537	REFL
중간이미지 IMI	무한대	85.9324
A(3)	257.6903	-223.6826	REFL
A(4)	508.9915	827.9429	REFL
A(5)	434.7744	-321.5090	REFL
A(6)	436.7586	358.5090	REFL
이미지 IM

표 8. 비구면 제조

비구면	K	A	B	C	D	E
A(1)	-7.3968E-04	1.8042E+00	2.2388E-09	4.0136E-15	6.8479E-19	-1.2865E-22
A(2)	1.2483E-03	-2.6267E+00	4.4819E-10	-1.7571E-15	5.8143E-20	-3.7874E-24
A(3)	3.8806E-03	-8.5604E-01	2.2165E-08	-6.7204E-12	1.1406E-15	-1.0131E-19
A(4)	1.9647E-03	-7.7387E-02	-3.8053E-11	-1.2483E-15	2.8880E-20	-3.4746E-25
A(5)	2.3000E-03	8.3687E+00	-6.1944E-09	-1.9683E-13	-1.6280E-17	4.8296E-21
A(6)	2.2896E-03	1.3269E-01	5.6594E-11	5.5533E-16	-1.1978E-21	7.3097E-25

표 9. 세 번째 구현예의 성능

측정 기준	성능
파장	13.4nm
개구수(이미지)	0.20
링필드 포맷(이미지)i.반경ii.넓이iii.현	30.0mm2.0mm26.0mm
전체 길이(mm)	1156
감소율(수)	4:1
RMS 파면 에러(파장@λ=13.4nm)i.복합ii.범위	0.0203λ0.0148λ-0.0243λ
주광선 뒤틀림(max)	1.5nm
출구 동공 위치	무한대
개구부를 따르는 최대한의 비구면 이탈i.M1'ii.M2'iii.M3'iv.M4'v.M5'vi.M6'	17.3μm6.4μm9.7μm32.2μm6.7μm6.7μm

본 발명의 EUV 광학 투영 시스템은 반도체 산업에 유용하다.

Claims (31)

1. 이미지(IM, IM', IM") 상에 물체 (OB, OB', OB")를 이미지화하기 위한 적어도 여섯개의 반사면으로 구성되는 EUV 광학 투영 시스템에 있어서, 상기 시스템은 물체 (OB, OB', OB")로부터 이미지(IM, IM', IM")로의 광학 경로를 따라 두 번째 거울 (M2, M2', M2")과 세 번째거울 (M3, M3', MY)사이의 중간 이미지(IMI, IMI', IMI")를 형성하여, 첫 번째 광학 그룹(G1, G1', G1")인 첫 번째 거울 (Ml I Ml', Ml")과 두 번째 거울 (M2, M2' M2") 및 두 번째 광학 그룹(G2, G2', G2")인세 번째 거울 (M3, M3', M3") 및 네 번째 거울 (M4, M4', M4"), 다섯 번째 거울 (M5, M6', M5") 및 여섯 번째 거울 (M6, M6'1 M6")을 이루고, 상기 두 번째 거울 (M2, M2', M2") 은 오목거울이며 상기 세 번째 거울 (M3, M3', M3")은 볼록거울인 것을 특징으로 하는 EUV 광학 투영 시스템.
2. 제 1 항에 있어서, 상기물체 (OB, OB', OB")로부터 상기 이미지(IM, IM', IM")로의 상기 광학 경로를 따라 상기 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml")과 상기두 번째 거울 (M2, M2', M2")사이에 위치한 개구 차단부(APE, APE', APE")를 더 포함하는 것 특징으로 하는 시스템.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 개구 차단부 (APE, APE', APE") 는 상기 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml") 상에 위치하지 않으며, 상기 개구 차단부 (APE,APF, APE")는 상기 두 번째 거울 (M2, M2', M2")상에 위치하지 않는 것을 특징으로 하는 시스템.
4. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 광축 (OA")은 물체 면과 이미지 면 사이에 정해지고, 상기 시스템은 중심 필드 점(29)으로부터 주광선(CR")이 상기 두 번째 거울 (M2")과 상기 세 번째 거울 (M3") 사이에 전파되는 동안은 상기 광축 (OA")을 향해 집중되는 것으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 광축 (OA')은 물체 면과 이미지 면 사이에 정해지고, 상기 시스템은 중심 필드 점(29)으로부터 주광선(CR')이 상기 두 번째 거울 (M2')과 상기 세 번째 거울 (M3') 사이에 전파되는 동안은 상기 광축(OA')에 거의 평향으로 전파되는 것으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템.
6. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세 번째 거울 (M3', M3")은 상기 물체 (OB', OB")로부터 상기 이미지(IM', IM")로의 광학 경로를 따라 상기 첫 번째 거울 (Ml', Ml")보다 상기 물체 (OB', OB")에 더 가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 광축 (OA)은 물체 면과 이미지 면 사이에 정해지고, 상기 시스템은 중심 필드 점(29)으로부터 주광선(CR)이 상기 두 번째 거울 (M2)과 상기 세 번째 거울 (M3) 사이에 전파되는 동안은 상기 광축 (OA)으로부터 벗어나는 것으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템.
8. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첫 번째 거울 (Ml)은 상기 물체 (OB)로부터 상기 이미지(IM)로의 광학 경로를 따라 상기 세 번째 거울 (M3)보다 상기 물체 (OB)에 더 가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
9. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml ")은 오목거울, 상기 네 번째 거울 (M4, M4', M4")은 오목거울, 상기 다섯 번째 거울 (M5, MSI M5")은 볼록거울이고 상기 여섯 번째 거울 (M6, M6'1 M6")은 오목거울인 것을 특징으로 하는 시스템.
10. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 6개의 반사면 각각은 상기 물체 (OB, OB', OB")와 상기 이미지(IM, IM', IM") 사이에 위치하고, 상기 물체 (OB, OB', OB")와 상기 이미지(IM, IM', IM")사이의 거리는 1500 mm 이하인 것을 특징으로 하는 시스템.
11. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 6개의 반사면 각각은 상기 물체 ( OB")와 상기 이미지(IM") 사이에 위치하고, 상기 물체 (OB")와 상기 이미지(IM")사이의 거리는 1200 mm 이하인 것을 특징으로 하는 시스템.
12. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시스템 이미지(IM, IM', IM")에서 0.18보다 큰 개구수를 갖는 것을 특징으로 하는 시스템.
13. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 6개의 반사면 각각은 중심 필드점 (29)으로부터 15˚, 바람직하게는 13˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하는 것을 특징으로 하는 시스템.
14. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 6개의 반사면 각각은 중심 필드점 (29)으로부터 11˚, 바람직하게는 9˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하는 것을 특징으로 하는 시스템.
15. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시스템은 0.017λ 이하의 RMS 파면 에러를 갖는 것을 특징으로 하는 시스템.
16. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기시스템은 0.017λ 내지 0.011λ사이의 RMS 파면 에러를 갖는 것을 특징으로 하는 시스템.
17. 이미지(IM, IM', IM") 상에 물체 (OB, OB', OB")를 이미지화하기 위한 적어도 여섯개의 반사면으로 구성되는 EUV 광학 투영 시스템에 있어서, 상기 시스템은 물체 (OB, OB', OB")로부터 이미지(IM, IM', IM")로의 광학 경로를 따라 두 번째 거울 (M2, M2', M2")과 세 번째거울 (M3, M3', MY)사이의 중간 이미지(IMI, IMI', IMI")를 형성하여, 첫 번째 광학 그룹(G1, G1', G1")인 첫 번째 거울 (Ml I Ml', Ml")과 두 번째 거울 (M2, M2' M2") 및 두 번째 광학 그룹(G2, G2', G2")인 세 번째 거울 (M3, M3', M3") 및 네 번째 거울 (M4, M4', M4"), 다섯 번째 거울 (M5, M6', M5") 및 여섯 번째 거울 (M6, M6'1 M6")을 이루고, 6개의 반사면 각각은 중심 필드점 (29)으로부터 15˚, 바람직하게는 13˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하고, 상기 시스템은 이미지(IM, IM', IM")에서 0.18보다 큰 개구수를 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 광학 투영 시스템.
18. 제 17 항에 있어서, 6개의 반사면 중 다섯개는 중심 필드점 (29)으로부터 11˚, 바람직하게는 9˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하는 것을 특징으로 하는 시스템.
19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 광축 (OA")은 물체 면과 이미지 면 사이에 정해지고, 상기 시스템은 중심 필드 점(29)으로부터 주광선(CR")이 상기 두 번째 거울 (M2")과 상기 세 번째 거울 (M3") 사이에 전파되는 동안은 상기 광축 (OA")을 향해 집중되는 것으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템.
20. 제 17 항 내지 제 19 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 세 번째 거울 (M3', M3")은 상기 물체 (OB', OB")로부터 상기 이미지(IM', IM")로의 광학 경로를 따라 상기 첫 번째 거울 (Ml', Ml")보다 상기 물체 (OB', OB")에 더 가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
21. 제 17 항 내지 제 19 항 중의 어느 한 항에 있어서, 광축 (OA)은 물체 면과 이미지 면 사이에 정해지고, 상기 시스템은 중심 필드 점(29)으로부터 주광선(CR)이 상기 두 번째 거울 (M2)과 상기 세 번째 거울 (M3) 사이에 전파되는 동안은 상기 광축 (OA)으로부터 벗어나는 것으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템.
22. 제 17 항 내지 제 21 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 첫 번째 거울 (Ml)은 상기 물체 (OB)로부터 상기 이미지(IM)로의 광학 경로를 따라 상기 세 번째 거울 (M3)보다 상기 물체 (OB)에 더 가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
23. 제 17 항 내지 제 22 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 두 번째 (M2, M2', M2") 거울은 오목거울이고, 상기 세 번째 거울 (M3, MSI MF)은 볼록거울인 것을 특징으로 하는 시스템.
24. 제 17 항 내지 제 23 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 6개의 반사면 각각은 상기 물체(OB, OB', OB")와 상기 이미지(IM, IM', IM") 사이에 위치하고, 상기물체 (OB, OB', OB")와 상기 이미지(IM, IM', IM")사이의 거리는 1500 mm 이하인 것을 특징으로 하는 시스템.
25. 제 17 항 내지 제 24 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 6개의 반사면 각각은 상기 물체 ( OB")와 상기 이미지(IM") 사이에 위치하고, 상기 물체 (OB")와 상기 이미지(IM")사이의 거리는 1200 mm 이하인 것을 특징으로 하는 시스템.
26. 이미지(IM, IM', IM") 상에 물체 (OB, OB', OB")를 이미지화하기 위한 적어도 여섯개의 반사면과, 상기 물체 (OB, OB', OB")로부터 상기 이미지(IM, IM', IM")로의 광학 경로(28)을 따라 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml")과 두 번째 거울 (M2, M2', M2") 사이에 위치한 개구 차단부 (APE, APE', APE")를 포함하고, 상기 두 번째 거울 (M2, M2', M2")은 오목거울이고 상기 세 번째 거울 (M3, M3', M3")는 볼록거울인 것을 특징으로 하는 광학투영 시스템.
27. 제 26 항에 있어서, 상기 개구 차단부 (APE, APE', APE") 는 상기 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml") 상에 위치하지 않으며, 상기 개구 차단부 (APE, APF, APE")는 상기 두 번째 거울 (M2, M2', M2")상에 위치하지 않는 것을 특징으로 하는 시스템.
28. 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서, 6개의 반사면 각각은 중심 필드점 (29)으로부터 15˚, 바람직하게는 13˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하는 것을 특징으로 하는 시스템.
29. 제 26 항 내지 제 28 항 중의 어느 한 항에 있어서, 6개의 반사면 중 다섯개는 중심 필드점 (29)으로부터 11˚, 바람직하게는 9˚의 투사각으로 주광선 (CR, CR', CR")을 수용하는 것을 특징으로 하는 시스템.
30. 이미지(IM, IM', IM") 상에 물체 (OB, OB', OB")를 이미지화하기 위한 적어도 여섯개의 반사면과, 상기 물체 (OB, OB', OB")로부터 상기 이미지(IM, IM', IM")로의 광학 경로(28)을 따라 첫 번째 거울 (Ml, Ml', Ml")과 두 번째 거울 (M2, M2', M2") 사이에 위치한 개구 차단부 (APE, APE', APE")를 포함하고, 상기 시스템 은 중심 필드점 (29)으로부터의 주광선 (CR")이 상기 두 번째 거울 (M2")과 세 번째거울(M3")사이에 전파되는 동안은 상기 광축 (OA)에 집중되는 것을 특징으로 하는 EUV 광학투영 시스템.
31. 제 30 항에 있어서, 상기 세 번째 거울 (MY)은 상기 물체 (OB")로부터 상기 이미지(IM")로의 상기 광학 경로를 따라 상기첫 번째 거울 (Ml") 보다 상기물체 (OB")에 더가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.