KR20040022580A - Susceptor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 내부로 반도체 제조공정을 위한 밀폐된 반응영역을 가지는 챔버(chamber)에 설치되어, 처리대상물인 웨이퍼(wafer)를 지지 및 가열하는 서셉터(susceptor)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a susceptor that is installed in a chamber having a closed reaction region for a semiconductor manufacturing process and supports and heats a wafer to be processed. susceptor).
근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.In recent years, with the development of science, the field of new materials, which enables the development and processing of new materials, has been rapidly developed, and the development achievements of this new material field are the driving force behind the development of the semiconductor industry.
반도체 소자란, 기판인 웨이퍼(wafer) 상면에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 등의 처리공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 이들 공정은 통상 밀폐된 반응용기인 챔버(chamber)에서 진행된다.A semiconductor device is a large scale integration (LSI) that is realized through a process of depositing and patterning a plurality of thin films on an upper surface of a wafer, which is a substrate. Proceed in the chamber (chamber) that is the reaction vessel.
이에 챔버에는 처리대상물인 웨이퍼를 파지하는 서셉터(susceptor)가 설치된다.In the chamber, a susceptor for holding a wafer to be processed is provided.
한편, 챔버 내에서 진행되는 반도체 제조공정에 있어서, 대상물인 웨이퍼의 온도제어는 완성된 반도체소자의 균일도(Uniformity), 선폭(critical), 프로파일(profile)이나 재현성(repeatability) 등에 중요한 영향을 미친다.On the other hand, in the semiconductor manufacturing process performed in the chamber, the temperature control of the wafer, which is an object, has an important influence on the uniformity, line width, profile or repeatability of the completed semiconductor device.
따라서 서셉터 내부에는 웨이퍼의 가열을 위한 히터가 실장된다.Therefore, a heater for heating the wafer is mounted inside the susceptor.
도 1은 일반적인 반도체 제조용 서셉터(30)의 구조를 간략하게 도시한 단면도로서, 상면에 안착되는 웨이퍼(1)를 지지할 수 있도록 챔버(미도시) 내로 수평하게 설치되는 판(plate) 상의 서셉터몸체(30a)와, 이 서셉터몸체(30a)를 지지하는 파이프(pipe) 형상의 서셉터지지관(30b)을 포함한다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a susceptor 30 for manufacturing a semiconductor in general, and standing on a plate installed horizontally into a chamber (not shown) to support a wafer 1 seated on an upper surface thereof. And a susceptor support tube 30b having a pipe shape for supporting the susceptor body 30a.
이때 서셉터몸체(30a) 내에는 발열 가능한 히터(heater : 32)가 실장되어 반도체 제조공정 중 웨이퍼(1)를 가열하게 되는데, 일반적으로 외부의 전력에 의하여 구동되는 전기발열 히터가 사용된다.In this case, a heat-generating heater 32 is mounted in the susceptor body 30a to heat the wafer 1 during the semiconductor manufacturing process. An electric heating heater driven by external power is generally used.
또 서셉터지지관(30b)은 챔버 일면을 관통함으로서 챔버 내로 위치되는 일단 및 외부로 노출되는 타단을 포함하는 파이프 형상으로, 일끝단은 서셉터몸체(30a) 배면에 결합되고, 타끝단은 판 상의 서셉터리드(30c)로 폐변된다.In addition, the susceptor support tube 30b has a pipe shape including one end positioned in the chamber and the other end exposed to the outside by penetrating one surface of the chamber, one end of which is coupled to the rear surface of the susceptor body 30a, and the other end of the plate is plated. It is closed by the susceptible 30c of the stomach.
또한 서셉터몸체(30a) 내에 실장된 히터(32)의 구동을 위해 챔버 외부로 전원공급장치(P)가 구비되는데, 히터(32)와 전원공급장치가 연결될 수 있도록 서셉터몸체(30a) 배면으로부터 삽입되어 히터(32)와 통전되는 적어도 두 개 이상의 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)과, 외부의 전원공급장치와 연결되어 서셉터리드(30c)에 관통 삽입되는 다수의 제 1 및 제 2 연결단자(86, 88)를 포함한다.In addition, the power supply device (P) is provided to the outside of the chamber for driving the heater 32 mounted in the susceptor body (30a), the back of the susceptor body (30a) so that the heater 32 and the power supply device can be connected At least two or more first and second terminals 82 and 84 inserted from and energized by the heater 32, and a plurality of first and second through and inserted into the susceptor 30c in connection with an external power supply; Second connection terminals 86 and 88 are included.
그리고 이들 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)과 제 1 및 제 2 연결단자(86, 88)를 각각 연결하는 제 1 및 제 2 파워라인(90a, 90b)을 포함한다.And first and second power lines 90a and 90b connecting the first and second terminals 82 and 84 and the first and second connection terminals 86 and 88, respectively.
정리하면, 일반적인 서셉터(30)는 히터(32)가 실장된 상태로 챔버 내에 수평하게 설치되는 판 상의 서셉터몸체(30a)와, 상기 히터(32)와 통전되도록 서셉터몸체(30a) 배면에 각각 삽입되는 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)과, 일단이 챔버 내로 인입되어 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)을 내부에 수용하면서 서셉터몸체(30a) 배면에 일 끝단이 결합되는 파이프 형상의 서셉터지지관(30b)과, 이의 외부로 노출된 타끝단을 폐변하는 서셉터리드(30c)와, 이 서셉터리드(30c)에 관통 삽입되는 제 1 및 제 2 연결단자(86, 88)와, 서셉터지지관(30b)의 내부로 제 1 및 제 2 연결단자(86, 88)와 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)을 연결하는 제 1 및 제 2 파워라인(90a, 90b)을 포함한다.In summary, the general susceptor 30 has a plate-shaped susceptor body 30a which is horizontally installed in the chamber with the heater 32 mounted thereon, and a rear surface of the susceptor body 30a so as to be energized with the heater 32. One end is inserted into the first and second terminals 82 and 84, and one end is introduced into the chamber to receive the first and second terminals 82 and 84 therein, while the one end is provided on the rear surface of the susceptor body 30a. A pipe-shaped susceptor support tube 30b to be coupled, a susceptor 30c for closing the other end exposed to the outside thereof, and first and second connection terminals inserted through the susceptor 30c. First and second power connecting the first and second connecting terminals 86 and 88 and the first and second terminals 82 and 84 to the inner side of the susceptor support tube 30b. Lines 90a and 90b.
따라서 외부의 전원공급장치(P)는 서셉터리드(30c) 배면에서 제 1 및 제 2 연결단자(68, 88)를 통해 히터(32)로 전력을 공급한다.Therefore, the external power supply P supplies power to the heater 32 through the first and second connection terminals 68 and 88 at the rear surface of the susceptible 30c.
그러나 일반적인 서셉터(30)는 서셉터지지관(30b)과 서셉터몸체(30a)의 결합방법에 따라 몇 가지 문제점을 보이는데, 이를 설명하기 앞서 이의 원인이 되는 반도체 제조공정의 특수성에 대하여 간단히 설명한다.However, the general susceptor 30 shows some problems depending on how the susceptor support tube 30b and the susceptor body 30a are coupled. Before describing this, briefly describe the specificity of the semiconductor manufacturing process that causes the susceptor 30. do.
통상의 반도체 제조공정은 챔버 내에 설치된 서셉터몸체(30a) 상에 웨이퍼(1)를 안착시킨 후 챔버를 밀폐하여 반응영역을 정의하고, 이어 반응영역 내로 각종 반응성 가스를 유입시킨다. 그리고 챔버 내에서 발생되는 기체물질간의 화학반응을 통해 웨이퍼(1)를 처리한다.In the conventional semiconductor manufacturing process, the wafer 1 is seated on the susceptor body 30a installed in the chamber, and then the chamber is sealed to define a reaction zone, and then various reactive gases are introduced into the reaction zone. The wafer 1 is processed through a chemical reaction between gaseous substances generated in the chamber.
이때 사용되는 반응성 가스로는 식각용 가스나 부식성 가스, 산화성 가스 또는 증착성 가스등이 사용된다.At this time, the reactive gas used is an etching gas, a corrosive gas, an oxidizing gas, or a deposition gas.
또한 기체물질간의 화학반응속도를 가속화하기 위해 챔버 내의 반응영역은 진공 또는 고온 등의 특수한 환경이 조성되고, 이는 매우 엄격하게 제어될 필요가 있다.In addition, in order to accelerate the chemical reaction rate between the gaseous substances, a special environment such as vacuum or high temperature is formed in the reaction zone in the chamber, which needs to be very strictly controlled.
따라서 서셉터몸체(30a) 배면과 서셉터지지관(30b) 일끝단을 결합하는 방법으로, 통상의 연결방법인 볼트 및 너트 등의 결합수단을 사용하거나 또는 서셉터몸체(30a) 배면에 서셉터지지관(30b) 일끝단을 수용할 수 있는 삽입단을 설치한 후, 이에 서셉터지지관(30b) 일끝단을 끼워넣는 억지끼움방법 등이 고려될 수 있다.Therefore, the method of coupling the rear end of the susceptor body (30a) and one end of the susceptor support tube (30b), using a coupling means such as bolts and nuts which is a common connection method or the susceptor on the back of the susceptor body (30a) After installing an insertion end that can accommodate one end of the support tube 30b, an interference fit method of fitting one end of the susceptor support tube 30b to this may be considered.
이 결합방법을 사용할 경우 서셉터몸체(30a) 배면과 서셉터지지관(30b) 일 끝단 사이에 일정정도의 유격이 발생될 수 있고, 앞서 언급한 반도체 제조공정의 특수성을 감안한다면 서셉터지지관(30b)의 타끝단과 이를 폐변하는 서셉터리드(30c)는 유격없는 긴밀한 결합이 이루어져야만 외부의 불순물 또는 기체물질이 챔버 내로 유입되는 것을 방지할 수 있다.If this coupling method is used, a certain amount of play may occur between the rear surface of the susceptor body 30a and one end of the susceptor support tube 30b, and in view of the specificity of the semiconductor manufacturing process mentioned above, the susceptor support tube The other end of the 30b and the susceptible 30c closing the same may be prevented from introducing foreign impurities or gaseous substances into the chamber only by close coupling without gaps.
따라서 서셉터지지관(30b) 내부는 챔버의 반응영역과 동일한 환경을 가진다.Therefore, the susceptor support tube 30b has the same environment as the reaction zone of the chamber.
이 경우 서셉터몸체(30a)와 서셉터지지관(30b)의 조립 및 분해가 용이한 장점과, 서셉터몸체(30a)와 서셉터지지관(30b)을 서로 다른 재질로 구성할 수 있다.In this case, the assembly and disassembly of the susceptor body 30a and the susceptor support tube 30b is easy, and the susceptor body 30a and the susceptor support tube 30b may be formed of different materials.
그러나 챔버 내의 각종 반응성 가스가 서셉터지지관(30b) 내로 유입될 수 있고, 이들 가스에 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)과, 제 1 및 제 2 파워라인(90a, 90b)이 노출될 경우 부식되어 파손되거나 단락되는 현상이 빈번하게 관찰된다. 이는 더 나아가 결국 히터(32)의 제어를 불가능하게 한다.However, various reactive gases in the chamber may be introduced into the susceptor support tube 30b, and the first and second terminals 82 and 84 and the first and second power lines 90a and 90b are exposed to these gases. If this happens, it is frequently observed to be corroded, broken or shorted. This further makes it impossible to control the heater 32 eventually.
이에 또 다른 방법으로 서셉터몸체(30a)와 서셉터지지관(30b)을 서로 동일한 재질로 일체화시켜 제조하거나 또는 실링(sealing) 등을 사용하여 유격없이 결합하는 방법이 있다.In another method, the susceptor body 30a and the susceptor support tube 30b may be manufactured by integrating the same material with each other, or may be coupled without gaps using a sealing or the like.
이때 이들을 동일재질로 구성하는 이유는 서셉터몸체(30a)가 고온으로 상승될 경우, 서셉터몸체(30a)와 서셉터지지관(30b)이 상이한 재질이면 열팽창율이 틀려 유격이 발생할 수 있기 때문이다.In this case, the reason why these materials are made of the same material is that when the susceptor body 30a is elevated to a high temperature, if the susceptor body 30a and the susceptor support tube 30b are different materials, a gap may occur due to a different thermal expansion rate. to be.
반면 서셉터지지관(30b) 타끝단을 폐변하는 서셉터리드(30c)는 내부 요소의 교체 또는 수리가 가능하도록 분리 가능하게 결합되는데, 전술한 볼트 및 너트 등의 통상의 결합수단 또는 억지끼움 등의 방법이 사용될 수 있다.On the other hand, the susceptor 30c, which closes the other end of the susceptor support tube 30b, is detachably coupled to allow replacement or repair of an internal element, and conventional coupling means such as bolts and nuts or interference fits. Can be used.
이는 서셉터지지관(30b) 내부를 외부와 동일한 환경으로 조성하는 방법인데, 이 경우 제 1 및 제 2 터미널(82, 84)과 제 1 및 제 2 파워라인(90a, 90b)의 손상 가능성을 감소하는 장점을 가진다.This is a method for forming the inside of the susceptor support tube 30b in the same environment as the outside, in which case the possibility of damage to the first and second terminals 82 and 84 and the first and second power lines 90a and 90b may be reduced. Has the advantage of decreasing.
그러나 대기에 노출된 제 1 및 제 2 파워라인(90a, 90b)의 저항이 증가하여 히터(32)를 정밀하게 제어하기가 어렵고, 서셉터지지관(30b)을 서셉터몸체와 동일한 소재로 구성해야만 하는 단점을 가진다. 이때 서셉터몸체(30a)는 통상 고가의 그래파이트 또는 ALN(Aluminum Nitride) 등으로 구성되므로 제조비용을 상승시키게 된다.However, since the resistance of the first and second power lines 90a and 90b exposed to the atmosphere increases, it is difficult to precisely control the heater 32, and the susceptor support tube 30b is made of the same material as the susceptor body. Has the disadvantage of having to. At this time, since the susceptor body 30a is usually composed of expensive graphite or ALN (Aluminum Nitride), the manufacturing cost is increased.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 서셉터지지관 내부의 터미널 및 파워라인을 신뢰성 있게 보호함은 물론, 이들의 교체 또는 수리 작업을 용이하게 진행할 수 있으며, 특히 챔버 내부 환경을 해치지 않으면서 서셉터 수명을 연장시킬 수 있는, 보다 개선된 반도체 제조용 서셉터를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, it is possible to reliably protect the terminals and power lines inside the susceptor support tube, as well as to facilitate the replacement or repair of them, in particular to harm the environment inside the chamber It is an object of the present invention to provide an improved susceptor for semiconductor manufacturing that can extend the life of the susceptor without.
도 1은 일반적인 서셉터의 개략적인 구조를 간략하게 도시한 단면도1 is a cross-sectional view schematically showing a schematic structure of a general susceptor
도 2는 본 발명에 따른 서셉터의 개략적인 구조를 간략하게 도시한 단면도2 is a cross-sectional view schematically showing a schematic structure of a susceptor according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 또 다른 구조의 서셉터의 개략적인 구조를 간략하게 도시한 단면도3 is a sectional view schematically showing a schematic structure of a susceptor of yet another structure according to the present invention;
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1 : 웨이퍼130 : 서셉터1: wafer 130: susceptor
130a : 서셉터몸체130b : 서셉터지지대130a: susceptor body 130b: susceptor support
130c : 서셉터리드132 : 히터130c: susceptible 132: heater
182 , 184 : 제 1 및 제 2 터미널182, 184: first and second terminals
186, 188 : 제 1 및 제 2 연결단자186 and 188: first and second connection terminals
190a, 190b : 제 1 및 제 2 파워라인190a, 190b: first and second power lines
202 : 보호튜브220 : 가스공급관202: protective tube 220: gas supply pipe
P : 전원공급장치P: Power Supply
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼(wafer)의 처리를 위한 반응영역이 정의된 챔버(chamber)에 부설되고, 히터(heater)가 실장된 상태로 상기 반응영역 내로 수평하게 배열되어 상면에 웨이퍼를 안착시켜 지지 및 가열하는 판(plate) 상의 서셉터몸체와, 일끝단이 상기 서셉터몸체 배면에 결합되고 타단이 상기 챔버 외부로 노출되는 파이프(pipe) 형상의 서셉터지지대와, 상기 서셉터지지대의 타끝단을 폐변하는 서셉터리드를 포함하는 서셉터로서, 상기 서셉터지지대 내부로 상기 서셉터몸체 배면을 관통하여 상기 히터와 통전되는 적어도 두 개 이상의 터미널(terminal)과; 폐변된 타끝단과, 상기 터미널을 내부에 수용하도록 상기 서셉터지지대 내에 위치되어 상기 서셉터몸체 배면에 결합되는 일끝단을 가지는 파이프 형상의 보호튜브와; 외부의 전원공급장치와 연결되는 다수의 연결단자와; 상기 터미널과 상기 연결단자를 각각 연결하는 파워라인을 포함하는 서셉터를 제공한다. 이때 상기 보호튜브의 타단은 상기 서셉터리드를 관통하여 외부로 노출되고, 상기 연결단자는 각각 상기 폐변된 보호튜브의 타끝단에 관통 설치되는 것을 특징으로 한다. 또는 상기 보호튜브의 타단은 상기 서셉터지지대 내에 위치하고, 상기 연결단자는 상기 서셉터리드에 관통 설치되며, 상기 히팅라인은 상기 폐변된 보호튜브의 타단을 관통하여 상기 터미널과 상기 연결단자를 각각 연결하는 것을 특징으로 한다. 또는 상기 보호튜브의 타끝단은 상기 서셉터리드에 의하여 폐변되고, 상기 연결단자는 상기 서셉터리드 및 상기 폐변된 보호튜브 타끝단에 관통 설치되는 것을 특징으로 하며, 특히 특히 외부로부터 상기 폐변된 보호튜브 타끝단을관통하여 상기 보호튜브 내로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때 상기 보호튜브는 상기 서셉터 몸체와 동일재질을 사용하여 일체형으로 제조되는 것을 특징으로 하며, 외부로부터 상기 폐변된 보호튜브 타끝단을 관통하여 상기 보호튜브 내로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바, 이하 첨부된 도면을 통해 본 발명의 올바른 실시예를 설명한다.In order to achieve the above object, the present invention is a reaction zone for processing a wafer is placed in a defined chamber, and a heater is mounted and horizontally arranged in the reaction zone. A susceptor body on a plate for supporting and heating the wafer on the upper surface, a pipe-shaped susceptor support having one end coupled to the rear surface of the susceptor body and the other end exposed to the outside of the chamber; A susceptor including a susceptor for closing the other end of the susceptor support, the susceptor including at least two terminals passing through the back of the susceptor body and energizing the heater; A pipe-shaped protective tube having a closed other end and one end positioned in the susceptor support to receive the terminal therein and coupled to the rear surface of the susceptor body; A plurality of connection terminals connected to an external power supply; It provides a susceptor including a power line connecting the terminal and the connection terminal, respectively. At this time, the other end of the protective tube is exposed to the outside through the susceptive, the connection terminal is characterized in that the penetrating through the other end of the closed protective tube, respectively. Alternatively, the other end of the protective tube is located in the susceptor support, the connecting terminal is installed through the susceptor, and the heating line passes through the other end of the closed protective tube to connect the terminal and the connecting terminal, respectively. Characterized in that. Or the other end of the protective tube is closed by the susceptive, and the connection terminal is installed through the other end of the susceptible and the closed protective tube, in particular the closed protection from the outside. And a gas supply pipe for supplying an inert gas into the protective tube through the other end of the tube. At this time, the protective tube is characterized in that the integral material is manufactured using the same material as the susceptor body, and further comprises a gas supply pipe for supplying an inert gas into the protective tube through the other end of the closed protective tube from the outside The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 서셉터(130)의 구조를 개략적으로 도시한 단면도로서, 챔버(미도시) 내부로 수평하게 배열되어 자신의 상면에 안착되는 웨이퍼(1)를 지지하는 판 상의 서셉터몸체(130a)와, 이 서셉터몸체(130a)를 지지하는 서셉터지지관(130b)을 포함한다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the susceptor 130 according to the present invention. The susceptor on the plate supporting the wafer 1 seated on its upper surface horizontally arranged into a chamber (not shown) is shown in FIG. A body 130a and a susceptor support tube 130b for supporting the susceptor body 130a are included.
이때 서셉터몸체(130a) 내에는 발열가능한 히터(132)가 실장되어 공정진행 중 웨이퍼(1)를 가열하고, 서셉터몸체(130a)를 지지하는 서셉터지지관(130b)은 챔버 내로 인입되는 일단 및 외부로 노출된 타단을 가지도록 챔버 일면을 관통하는 파이프 형상을 가지는 바, 이의 일끝단은 서셉터몸체(130a) 배면에 결합되고, 외부로 노출된 타 끝단은 판 형상의 서셉터리드(130c)로 폐변된다.At this time, a heat generating heater 132 is mounted in the susceptor body 130a to heat the wafer 1 during the process, and the susceptor support tube 130b supporting the susceptor body 130a is introduced into the chamber. It has a pipe shape penetrating one side of the chamber to have one end and the other end exposed to the outside, one end thereof is coupled to the back of the susceptor body (130a), the other end exposed to the outside is a plate-shaped susceptive ( 130c).
또한 서셉터몸체(130a) 내에 실장된 히터(132)를 구동시키기 위해 챔버 외부로 전원공급장치(P)가 구비되는데, 이를 히터(132)와 연결시키기 위해 서셉터지지관(130b) 내부로 서셉터몸체(130a) 배면으로부터 삽입되어 히터(132)와 각각 통전되는 적어도 두 개 이상의 터미널과, 외부의 전원공급장치와 연결되는 다수의 연결단자를 포함한다.In addition, a power supply device P is provided to the outside of the chamber to drive the heater 132 mounted in the susceptor body 130a, and is connected into the susceptor support tube 130b to connect it with the heater 132. At least two terminals inserted from the back of the acceptor body 130a and energized with the heater 132, respectively, and a plurality of connection terminals connected to an external power supply device.
이에 도면에는 각각 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)과, 제 1 및 제 2 연결단자(186, 188)가 도시되어 있다. 그리고 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)과 제 1 및 제 2 연결단자(186, 188)는 각각 제 1 및 제 2 파워라인 (190a, 190b)을 통해 연결된다.Accordingly, the first and second terminals 182 and 184 and the first and second connection terminals 186 and 188 are illustrated in the drawing. The first and second terminals 182 and 184 and the first and second connection terminals 186 and 188 are connected through the first and second power lines 190a and 190b, respectively.
이때 본 발명에 따른 서셉터(130)에 있어서, 특히 서셉터몸체(130a)와 서셉터지지관(130b)을 서로 상이한 재질로 구성할 수 있는데, 이의 결합방법으로는 비록 도시하지는 않았지만 볼트와 너트 등의 결합수단을 사용하거나 또는 서셉터몸체(130a) 배면에 서셉터지지관(130b) 일끝단을 일부 수용할 수 있는 원형의 홈을 설치한 후, 여기에 서셉터지지관(130b)을 억지끼움하여 결합할 수 있다.In this case, in the susceptor 130 according to the present invention, in particular, the susceptor body 130a and the susceptor support tube 130b may be made of different materials, but as a coupling method, although not shown, bolts and nuts After using a coupling means such as or installing a circular groove that can partially accommodate one end of the susceptor support tube 130b on the rear surface of the susceptor body 130a, the susceptor support tube 130b is restrained therein. Can be fitted together.
또한 서셉터지지관(130b) 타끝단을 폐변하는 서셉터리드(130c) 역시 그 결합상태를 유지할 수 있다면 방법에 제한을 두지 않는 바, 결국 본 발명에 따른 서셉터(130)는 서셉터지지관(130b) 내부로 반응성 가스 또는 외부의 기체물질이 유입/ 유출될 수 있는 구조를 가지고 있다.In addition, if the susceptor 130c for closing the other end of the susceptor support tube 130b is also able to maintain the combined state, the method is not limited thereto. In the end, the susceptor 130 according to the present invention is a susceptor support tube. 130b has a structure in which a reactive gas or an external gaseous substance may be introduced / exited into the interior.
따라서 목적에 따라 서셉터지지관(130b) 일끝단 상에 서셉터몸체(130a)를 단순 안착시키는 것도 가능하며, 서셉터리드(130c) 역시 서셉터지지관(130b)과 일정정도의 유격을 가지도록 결합될 수 있다. 이에 볼트와 너트를 사용하는 일반적인 고정방법 또는 억지끼움 등의 다양한 방법이 사용될 수 있을 것이다.Therefore, it is possible to simply seat the susceptor body 130a on one end of the susceptor support tube 130b according to the purpose, and the susceptor 130c also has a certain amount of play with the susceptor support tube 130b. Can be combined. This may be used a variety of methods, such as a general fixing method using a bolt and nut or interference fit.
이때 특히 본 발명은 서셉터지지관(130b) 내부의 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)과 파워라인(190a, 190b) 등을 보호하기 위해 보호튜브(202)가 포함되는 것을 특징으로 하는 바, 이는 바람직하게는 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)을 내부에 수용하도록 서셉터지지대(130b) 내에 위치되어 서셉터몸체(130a) 배면에 결합되는 일끝단과, 서셉터리드(130c)에 의해 폐변되는 타끝단을 포함하는 파이프 형상일 수 있다.In this case, the present invention is characterized in that the protective tube 202 is included to protect the first and second terminals 182 and 184 and the power lines 190a and 190b in the susceptor support tube 130b. Bar, which is preferably positioned at the end of the susceptor support 130b to be coupled to the rear surface of the susceptor body 130a to receive the first and second terminals 182 and 184 therein, and the susceptible 130c. It may be a pipe shape including the other end is closed by).
따라서 제 1 및 제 2 연결단자(186, 188)는 각각 서셉터리드(130c) 및 보호튜브(202)의 폐변된 타 끝단을 관통하도록 설치될 수 있고, 이들 연결단자(186, 188)는 보호튜브(202) 내에서 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)과 각각 제 1 및 제 2 히팅라인(190a, 190b)을 통해 연결될 수 있다.Accordingly, the first and second connection terminals 186 and 188 may be installed to penetrate the other closed ends of the susceptible 130c and the protection tube 202, respectively, and these connection terminals 186 and 188 may be protected. The tube 202 may be connected to the first and second terminals 182 and 184 through the first and second heating lines 190a and 190b, respectively.
또한 이 보호튜브(202)의 재질로는 서셉터몸체(130a)와 동일재질을 선택하여 일체형으로 구성할 수 있고, 또는 이와 상이한 재질을 선택할 수 있는데, 특히 바람직하게는 서셉터리드(130c) 및 보호튜브(202)의 타끝단을 관통하여 보호튜브(202) 내로 불활성 가스를 유입하는 가스공급관(220)을 더욱 포함할 수 있다. 따라서 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)과 제 1 및 제 2 히팅라인(190a, 190b)이 외부기체에 노출되지 않도록 보호튜브(202)가 차단하고, 특히 서로 다른 재질을 사용할 경우 가스공급관(220)을 통해 보호튜브(202) 내로 He 또는 Ar 등의 불활성 가스를 유입시킴으로서, 외부의 기체물질이 보호튜브(202) 내로 침투되는 것을 신뢰성 있게 차단한다.In addition, as the material of the protective tube 202, the same material as that of the susceptor body 130a may be selected to be integrally formed, or a different material may be selected. Particularly preferably, the susceptor 130c and It may further include a gas supply pipe 220 penetrates the other end of the protective tube 202 to introduce an inert gas into the protective tube 202. Therefore, the protection tube 202 is blocked so that the first and second terminals 182 and 184 and the first and second heating lines 190a and 190b are not exposed to the external gas, and in particular, when using different materials, the gas supply pipe By introducing an inert gas such as He or Ar into the protective tube 202 through the 220, the external gaseous substance is reliably blocked from penetrating into the protective tube 202.
그리고 보호튜브(202) 내에 실장되는 제 1 및 제 2 터미널(182, 184) 및 제 1 및 제 2 파워라인(190a, 190b)을 교체 또는 수리할 필요가 있을 경우 보호튜브(202)의 타 끝단을 폐변하는 서셉터리드(130c) 만을 분리하여 손쉽게 작업할 수 있게 한다.And the other end of the protection tube 202 when it is necessary to replace or repair the first and second terminals 182 and 184 and the first and second power lines 190a and 190b mounted in the protection tube 202. It is easy to work by separating only the susceptible (130c) to close the.
도 3은 본 발명에 따른 서셉터(130)의 또 다른 구조를 도시한 것으로, 특히 도 2와 동일한 역할을 하는 요소에 대해서는 동일부호를 부여하여 중복된 설명을 생략한다.3 illustrates another structure of the susceptor 130 according to the present invention. In particular, elements having the same role as those of FIG.
이를 전술한 도 2와 비교할 경우 보호튜브(202)의 타단이 서셉터리드(130c)를 관통하여 외부로 노출된 점이 상이하다 할 수 있다.Compared with FIG. 2 described above, the other end of the protective tube 202 penetrates through the susceptible 130c and may be different from the point exposed to the outside.
이 경우 가스공급관(220) 및 제 1 및 제 2 연결단자(186, 188)는 각각 보호튜브(202)의 타끝단에 관통될 수 있고, 가스공급관(220)은 보호튜브 (202)내로 불활성 가스를 유입하여 외부기체의 침투를 방지하며, 제 1 및 p제 2 연결단자(186, 188)와 제 1 및 제 2 터미널(182, 184)을 연결하는 제 1 및 제 2 히팅라인(190a, 190b)은 보호튜브(202) 내로 포함됨은 전술한 도 2와 동일하다.In this case, the gas supply pipe 220 and the first and second connection terminals 186 and 188 may penetrate the other end of the protection tube 202, respectively, and the gas supply pipe 220 may be an inert gas into the protection tube 202. The first and second heating lines 190a and 190b connecting the first and p second connection terminals 186 and 188 and the first and second terminals 182 and 184 to prevent penetration of an external gas by introducing ) Is included in the protective tube 202 is the same as FIG.
즉, 도 3에 도시한 구조는 본 발명에 따른 보호튜브(202)가 일정정도 변형될 수 있음을 예시하는 것으로, 별도의 도면을 제시하지는 않았지만, 이와 달리 보호튜브(202) 타끝단이 서셉터지지관(130b) 내부에 위치하도록 서셉터지지관(130b) 내로 완전히 수용되는 것도 가능하다.That is, the structure shown in FIG. 3 illustrates that the protection tube 202 according to the present invention may be deformed to a certain degree, and although not shown in the drawing, the other end of the protection tube 202 is susceptor. It is also possible to be completely accommodated into the susceptor support tube 130b to be located inside the support tube 130b.
이 경우 역시 가스공급관(220)과 제 1 및 제 2 연결단자(186, 188)는 각각 서셉터리드(130c)를 경유하여 폐변된 보호튜브(202) 타끝단에 관통 설치될 수 있음은 동일하다 할 것이다.In this case, the gas supply pipe 220 and the first and second connection terminals 186 and 188 may be installed through the other end of the protective tube 202, which is closed via the susceptor 130c, respectively. something to do.
다시 말해 일반적인 서셉터(130)에는 서로 다른 기능을 수행하는 다수의 구조물이 추가될 수 있고, 이에 따라 본 발명에 다른 보호튜브(202)는 설계상 변형이 있을 수 있는 바, 전술한 몇 가지의 서로 다른 구조는 본 발명의 예시로서, 본 발명은 이에 한정되지 않음은 당업자에게는 자명한 사실일 것이다.In other words, the general susceptor 130 may be added to a plurality of structures to perform different functions, according to the present invention, the other protection tube 202 may be modified in the design bar, as described above It will be apparent to those skilled in the art that different structures are examples of the invention and the invention is not so limited.
본 발명은 일반적인 서셉터에 있어서, 서셉터지지관의 내부로 실장된 상태로 터미널을 수용하는 보호튜브를 제공함으로서 보다 개선된 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 보호튜브를 채용함에 따라 서셉터몸체와 서셉터지지관의 결합에 다소의 유격이 존재하여도 터미널과 파워라인은 보호될 수 있으며, 이에 서셉터지지관과 서셉터를 서로 상이한 재질로 구성할 수 있는 비용절감의 장점을 가지고 있다.According to the present invention, a more improved effect can be obtained by providing a protective tube for accommodating a terminal in a state where the susceptor support tube is mounted in a general susceptor. That is, by employing a protective tube according to the present invention, even if there is some play in the coupling of the susceptor body and the susceptor support tube, the terminal and the power line can be protected, so that the susceptor support tube and the susceptor are mutually It has the advantage of cost reduction that can be made of different materials.
또한 본 발명은 보호튜브 내로 불활성 가스를 유입시키는 가스공급관을 더욱 포하는 바, 이를 통해 터미널 및 파워라인의 수명을 연장시키는 것이 가능하며 보다 개선된 반도체 제조공정을 구현할 수 있다.In addition, the present invention further includes a gas supply pipe for introducing an inert gas into the protection tube, and thus, it is possible to extend the life of the terminal and the power line and to implement an improved semiconductor manufacturing process.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100728400B1 (en) * | 2005-06-23 | 2007-06-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Joining construction in mounting table apparatus, processing apparatus and method for protecting discharge between electric supply wires in mounting table apparatus |
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2002
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