KR100203744B1 - Semiconductor manufacture device - Google Patents

Semiconductor manufacture device Download PDF

Info

Publication number
KR100203744B1
KR100203744B1 KR1019960033229A KR19960033229A KR100203744B1 KR 100203744 B1 KR100203744 B1 KR 100203744B1 KR 1019960033229 A KR1019960033229 A KR 1019960033229A KR 19960033229 A KR19960033229 A KR 19960033229A KR 100203744 B1 KR100203744 B1 KR 100203744B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tube
end cap
support bar
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019960033229A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980014302A (en
Inventor
김덕용
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019960033229A priority Critical patent/KR100203744B1/en
Publication of KR19980014302A publication Critical patent/KR19980014302A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100203744B1 publication Critical patent/KR100203744B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 확산로에 포함된 수정 튜브의 입구를 밀폐하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡과, 상기 엔드캡의 중심에 연결되어 상기 엔드캡을 지지하는 지지바와, 상기 지지바의 일단에 설치된 엔드캡과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판과, 상기 지지바의 타단에 설치된 너트와, 상기 방열판과 상기 너트의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서,상기 서스튜빙은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡과 상기 지지바 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지하는 것을 포함한다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for sealing the inlet of the crystal tube included in the diffusion path, an end cap for sealing the inlet of the tube, a support bar connected to the center of the end cap for supporting the end cap, A heat sink installed at a distance from the end cap installed at one end of the support bar to prevent heat from flowing out of the tube, a nut installed at the other end of the support bar, and a spring provided between the heat sink and the nut. A semiconductor manufacturing apparatus having a suspending installed to enclose, wherein the suspending includes a hole formed through a surface thereof to prevent the spring from being corroded by a gas introduced between the end cap and the support bar. It includes.

이와 같은 장치에 의해서, 종래 반도체 제조 장치에서는 튜브에서 서스튜빙으로 세어 나온 가스가 밖으로 나가지 못하고 서스튜빙 내부에 정체되었던 것을, 본 발명은 서스튜빙에 홀을 가공하여 새어나온 가스가 서스튜빙 내부에 정체되지 않고 바로 기체 상태로 빠져나갈 수 있도록 한다. 따라서, 스프링의 부식을 방지하고 석영류의 깨짐을 방지하여, 균일한 작동을 유지하고 가스 누수로 인한 작업 불량 및 장치의 보수로 인한 작업 라인의 중단을 없앨 수 있다.With such a device, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, the gas counted by the tube from the tube does not go out but stagnates inside the tubing. In the present invention, the gas leaked by processing holes in the tubing is stagnated inside the tubing. To get out of the air immediately. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the spring and to prevent the breakage of the quartz, so that it is possible to maintain uniform operation and to eliminate work defects due to gas leakage and interruption of the work line due to maintenance of the device.

Description

반도체 제조 장치(a semiconductor device fabrication apparatus)A semiconductor device fabrication apparatus

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼 가공 공정이 수행되는 확산로에 포함된 수정 튜브의 입구를 밀폐하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus for sealing an inlet of a quartz tube included in a diffusion path in which a wafer processing process is performed.

금속 공정에 사용되는 확산로는 네가지 부분으로 되어 있다. 즉, 가스량 조절기와 산화 소스를 포함하는 반응 소스 캐비닛과, 수정 튜브 또는 실리콘 카바이드 튜브 등의 반응실과, 그리고 반응실을 가열하는 가열 부분과, 웨이퍼를 장착하는 웨이퍼 홀더로 이루어져 있다. 이때 반응실 튜브의 입구를 밀폐하기 위한 것으로 캔딜레버의 반도체 제조 장치가 있다.The diffusion furnace used in the metal process has four parts. That is, it consists of a reaction source cabinet including a gas amount regulator and an oxidation source, a reaction chamber such as a quartz tube or silicon carbide tube, a heating portion for heating the reaction chamber, and a wafer holder for mounting a wafer. At this time, there is a semiconductor manufacturing apparatus of the cantilever to seal the inlet of the reaction chamber tube.

도 1에는 종래 반도체 제조 장치의 구성이 개략적으로 도시되어 있다.1 schematically illustrates a configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

도 1에서, 참조번호 10은 엔드캡(end-cap)이고, 참조번호 12는 방열판이고, 참조번호 14는 버퍼링(buffering)이며, 참조번호16은 지지바이다. 그리고, 참조번호 18은 쿼츠튜빙(quartz tubbing)이고, 참조번호 20은 보트로더(boat loader)이고, 참조번호 22는 튜빙바(tubbing bar)이며, 참조번호 24는 서스튜빙(sus-tubbing)이고, 참조번호 26은 스프링(spring)이고, 참조번호 28은 너트(nut)를 나타내고 있다.In Fig. 1, reference numeral 10 is an end cap, reference numeral 12 is a heat sink, reference numeral 14 is buffering, and reference numeral 16 is a support bar. Reference numeral 18 denotes quartz tubbing, reference numeral 20 denotes a boat loader, reference numeral 22 denotes a tubing bar, reference numeral 24 denotes sus-tubbing, , Reference numeral 26 denotes a spring, and reference numeral 28 denotes a nut.

상술한 바와 같은 구성을 갖는 반도체 제조 장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the semiconductor manufacturing apparatus having the configuration as described above is as follows.

도 1를 참조하면, 확산로의 튜브에 웨이퍼를 위치시키기 위하여 상기 보트로더(14)는 모터에 의하여 튜브 방향으로 이동한다. 이때 상기 서스튜빙(24)은 상기 보트로더(14)와 연결되어 있으므로 상기 보트로더(14)의 이동과 같이 튜브 방향으로 이동한다. 상기 서스튜빙(24)의 이동으로 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 엔드캡(10)도 튜브 방향으로 이동하여, 상기 엔드캡(10)이 튜브의 입구를 밀폐한다.Referring to Figure 1, the boat loader 14 is moved in the tube direction by a motor to position the wafer in the tube of the diffusion path. At this time, since the sustubing 24 is connected to the boat loader 14, the sustubing 24 moves in the tube direction as the boat loader 14 moves. The quartz tubing 18 and the end cap 10 also move in the tube direction by the movement of the sustubing 24, so that the end cap 10 seals the inlet of the tube.

그런데, 상술한 반도체 제조 장치는 캔딜레버의 구조를 가지고 있다. 그래서 상기 엔드캡(10)이 튜브 입구에 밀착시 중심의 작은 어긋남이나 밀착부의 불균일한 접촉이 발생한다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 종래에는 상기 서스튜빙(30)에 스프링(26)을 설치하므로써, 상기 엔드캡(10)을 튜브 입구에 밀착시킬 수 있었다.By the way, the above-mentioned semiconductor manufacturing apparatus has a structure of a cantilever. Thus, when the end cap 10 is in close contact with the tube inlet, a small shift in the center or uneven contact of the close contact part occurs. In order to solve such a problem, the end cap 10 can be brought into close contact with the tube inlet by installing a spring 26 in the sustub 30.

상술한 동작에 의하여, 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 제조 장치는 튜브에 밀착된다.By the above operation, the semiconductor manufacturing apparatus is in close contact with the tube as shown in FIG.

그러나, 상술한 바와 같은 반도체 제조 장치에 의하면, 튜브 내에서 소스(source) 반응으로 생긴 가스가 튜브 외부로 유출되는 과정에서 상기 쿼츠튜빙(18)을 따라서 상기 서스튜빙(24) 안으로 유입된다. 그리고 유입된 가스는 공기와 반응하고 끈끈한 액으로 변해서 상기 서스튜빙(24)의 내부를 오염시킨다.However, according to the semiconductor manufacturing apparatus as described above, the gas generated by the source reaction in the tube flows into the susturb 24 along the quartz tubing 18 in the process of flowing out of the tube. The introduced gas reacts with the air and turns into a sticky liquid to contaminate the inside of the sustubing 24.

이로 인해, 상기 서스튜빙(24) 내의 상기 스프링(26)이 부식될 뿐만 아니라, 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 튜빙바(22) 등의 파손을 유발하여 결국 반도체 제조 공정이 중단되는 심각한 문제점이 발생된다.As a result, not only the spring 26 in the suspension 24 is corroded, but also a serious problem that causes breakage of the quartz tubing 18 and the tubing bar 22 and the like, and thus the semiconductor manufacturing process is stopped. Is generated.

본 발명은, 확산로 튜브 내에서 소스 반응으로 생긴 가스가 서스튜빙 안으로 유입되었을 때, 정체되지 않고 밖으로 내보낼 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus which can be discharged out without stagnation when a gas generated by a source reaction in a diffusion tube tube is introduced into the sustubing.

도 1은 종래 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;1 is a view schematically showing a configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus;

도 2는 종래 반도체 제조 장치의 동작 후의 모습을 보여주는 도면;2 is a view showing a state after operation of a conventional semiconductor manufacturing apparatus;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 서스튜빙을 보여주는 사시도;3 is a perspective view showing suspending according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.4 schematically illustrates a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 엔드캡, 12 : 방열판, 14 : 버퍼링, 16 : 지지바, 18 : 쿼츠튜빙, 20 : 보트로더, 22 : 튜빙바, 26 : 스프링, 30 : 서스튜빙10: end cap, 12: heat sink, 14: buffering, 16: support bar, 18: quartz tubing, 20: boat loader, 22: tubing bar, 26: spring, 30: sustubing

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 제3도 및 도 4에 의거하여 상세히 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 4를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 제3도에서 나타낸 라운드형의 홀이 가공된 서스튜빙을 포함하고 있다. 이러한 장치에 의해서, 가스에 의한 스프링과 석영류의 부식 및 파손을 제거할 수 있다.Referring to FIG. 4, a semiconductor manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention includes a suspending in which a round hole shown in FIG. 3 is processed. By such a device, it is possible to eliminate corrosion and breakage of the spring and quartz by the gas.

도 4에 있어서, 도 1에 도시된 반도체 제조 장치의 구성 요소와 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.In FIG. 4, the same reference numerals are given together about the components which perform the same function as the components of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 보여주고 있다.4 shows a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 튜브 내에 웨이퍼를 위치시키는 보트로더(14)와, 튜브의 입구를 밀폐하는 원형의 엔드캡(10)과, 상기 엔드캡(10)의 중심에 연결되어 상기 엔드캡(10)을 지지하는 지지바(16)와, 상기 엔드캡(10) 앞에 위치하고 상기 지지바(16)의 끝단부에서 상기 지지바(16)와 체결하는 너트(28a)와, 상기 지지바(16)에 연결되고 상기 엔드캡(10) 후방의 일정한 거리에 위치하여 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판(12)과, 상기 지지바(16)의 표면을 감싸고 상기 엔드캡(10)과 상기 방열판(12) 사이에 위치한 쿼츠튜빙(18)과, 상기 상기 지지바(16)의 표면을 감싸고 상기 방열판(12) 다음에 위치하며 상기 지지바(16)와 평행한 튜빙바(22)와, 상기 지지바(16)를 중심으로 하고 상기 튜빙바(22) 다음에 위치하여 상기 엔드캡(10)이 튜브와 밀착하도록 하는 스프링(26)과, 상기 방열판(12) 다음에 위치하고 상기 지지바(16)를 감싸고 있는 상기 튜빙바(22)와 상기 스프링(26)을 감싸는 서스튜빙(30)과, 상기 지지바(16)를 중심으로 상기 서스튜빙(30) 후방에 위치하여 상기 서스튜빙(30)과 체결되는 너트(28c)를 포함하고, 상기 서스튜빙(30)은 그 표면에 관통하여 형성된 홀로 상기 엔드캡(10)과 상기 지지바(16)를 통하여 유입된 가스를 배출하는 것을 갖는다.4, the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, the boat loader 14 for placing the wafer in the tube, the circular end cap 10 for sealing the inlet of the tube, and the end cap ( 10 is connected to the center of the support bar 16 for supporting the end cap 10, and positioned in front of the end cap 10 to fasten with the support bar 16 at the end of the support bar 16 A heat sink 12 connected to the nut 28a and the support bar 16 and positioned at a constant distance behind the end cap 10 to prevent heat from flowing out of the tube; and the support bar 16. The surface of the end cap 10 and the quartz tubing 18 located between the heat sink 12 and the surface of the support bar 16 and surrounds the surface of the heat sink 12 and positioned next to the support bar ( A tubing bar 22 that is parallel to 16 and the end of the support bar 16 and positioned next to the tubing bar 22. A spring 26 which allows the cap 10 to be in close contact with the tube, and a tubing bar 22 disposed after the heat sink 12 and enclosing the support bar 16 and suspending the spring 26. 30 and a nut 28c positioned behind the support bar 16 and engaged with the support 30, and the support 30 is provided on the surface thereof. It has a through-hole formed to discharge the gas introduced through the end cap 10 and the support bar 16.

상술한 바와 같은 구성을 갖는, 반도체 제조 장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the semiconductor manufacturing apparatus having the configuration as described above is as follows.

먼저, 확산로의 튜브에 웨이퍼를 위치시키기 위하여 상기 보트로더(14)는 모터에 의하여 튜브 방향으로 이동한다. 이때 상기 서스튜빙(24)은 상기 보트로더(14)와 연결되어 있으므로 상기 보트로더(14)의 이동과 같이 튜브 방향으로 이동한다. 여기에서 상기 서스튜빙(24)과 방열판(12) 그리고 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 엔드캡(10)은 모두 상기 지지바(16) 위에서 전·후 이동이 가능하다.First, the boat loader 14 is moved in the tube direction by a motor to position the wafer in the tube of the diffusion path. At this time, since the sustubing 24 is connected to the boat loader 14, the sustubing 24 moves in the tube direction as the boat loader 14 moves. Here, the sustubing 24, the heat sink 12, and the quartz tubing 18 and the end cap 10 are both moved forward and backward on the support bar 16.

그러므로 상기 서스튜빙(24)이 상기 보트로더(14)에 의하여 튜브 방향으로 이동하면 이동하면, 상기 지지바(16) 위에서 전·후 이동이 가능한 구성 요소들은 모두 튜브 방향으로 이동하게 되고, 상기 엔드캡(10)은 튜브의 입구에 밀착되게 된다.Therefore, when the sustubing 24 moves in the tube direction by the boat loader 14, all the components that can move forward and backward on the support bar 16 are moved in the tube direction, and the end The cap 10 is in close contact with the inlet of the tube.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡과, 상기 엔드캡의 중심에 연결되어 상기 엔드캡을 지지하는 지지바와, 상기 지지바의 일단에 설치된 엔드캡과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판과, 상기 지지바의 타단에 설치된 너트와, 상기 방열판과 상기 너트의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서,상기 서스튜빙은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡과 상기 지지바 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, an end cap for sealing the inlet of the tube, a support bar connected to the center of the end cap to support the end cap, and an end cap installed at one end of the support bar A semiconductor having a heat sink installed at a predetermined distance from the tube to prevent heat from flowing out of the tube, a nut installed at the other end of the support bar, and a suspension installed to surround a spring provided between the heat sink and the nut. In the manufacturing apparatus, the suspension comprises a hole formed through the surface of the spring to prevent corrosion of the spring by the gas introduced between the end cap and the support bar.

이 장치에 있어서, 상기 홀은 라운드형이다.In this device, the hole is round.

이 장치에 있어서, 상기 홀은 적어도 하나 이상 형성된다.In this apparatus, at least one hole is formed.

본 발명에 의하면, 홀을 가공한 서스튜빙은 튜브에서 유입된 가스가 정체되지 않고 밖으로 빠지도록 한다.According to the present invention, the hole-processing sustubing allows the gas introduced in the tube to fall out without stagnation.

종래의 반도체 제조 장치에 의하면, 튜브에서 서스튜빙으로 새어 나온 가스가 밖으로 나가지 못하고 서스튜빙 내부에 정체되어 스프링이 부식되고, 서스튜빙이 파손되는 문제점이 발생되었다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 서스튜빙에 홀을 가공하여 새어나온 가스가 서스튜빙 내부에 정체되지 않고 바로 기체 상태로 빠져나갈 수 있도록 한다.According to the conventional semiconductor manufacturing apparatus, the gas leaked out from the tube to the sustubing does not go out, but stagnates inside the suspending, causing the spring to corrode and breaking the sustubing. The present invention for solving this problem, so that the gas leaked by processing a hole in the sustubing can be immediately escaped to the gas state without stagnation in the inside of the suspension.

따라서, 스프링의 부식을 방지하고 석영류의 깨짐을 방지하여, 균일한 작동을 유지할 수 있고, 아울러 가스 누수로 인한 작업 불량 및 장치의 보수로 인한 작업 라인의 중단을 없앨 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the spring and to prevent the breakage of the quartz, to maintain a uniform operation, and also to eliminate work defects due to gas leakage and interruption of the work line due to maintenance of the device.

Claims (3)

튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡(10)과, 상기 엔드캡(10)의 중심에 연결되어 상기 엔드캡(10)을 지지하는 지지바(16)와, 상기 지지바(16)의 일단에 설치된 엔드캡(10)과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판(12)과, 상기 지지바(16)의 타단에 설치된 너트(28c)와, 상기 방열판(12)과 상기 너트(28c)의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙(30)을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 서스튜빙(30)은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡(10)과 상기 지지바(16) 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.An end cap 10 sealing the inlet of the tube, a support bar 16 connected to the center of the end cap 10 to support the end cap 10, and installed at one end of the support bar 16. A heat sink 12 provided at a predetermined distance from the end cap 10 to prevent heat from flowing out of the tube; a nut 28c provided at the other end of the support bar 16; and the heat sink 12. In the semiconductor manufacturing apparatus having a sustubing (30) provided to surround a spring provided between the nut and the nut (28c), the sustubing (30) comprises a hole formed through the surface of the end cap (10) And the spring is prevented from being corroded by the gas introduced through the support bar (16). 제1항에 있어서, 상기 홀은 라운드형인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the hole is round. 제1항에 있어서, 상기 홀은 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus of claim 1, wherein at least one hole is formed.
KR1019960033229A 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor manufacture device KR100203744B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960033229A KR100203744B1 (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor manufacture device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960033229A KR100203744B1 (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor manufacture device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980014302A KR19980014302A (en) 1998-05-25
KR100203744B1 true KR100203744B1 (en) 1999-06-15

Family

ID=19469223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960033229A KR100203744B1 (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor manufacture device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100203744B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101715656B1 (en) 2016-12-29 2017-03-13 최병준 A jig assembly for diffuser machining

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101715656B1 (en) 2016-12-29 2017-03-13 최병준 A jig assembly for diffuser machining

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980014302A (en) 1998-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5423942A (en) Method and apparatus for reducing etching erosion in a plasma containment tube
AU644775B2 (en) Method and apparatus for temperature treatment of semiconductor materials
KR100728400B1 (en) Joining construction in mounting table apparatus, processing apparatus and method for protecting discharge between electric supply wires in mounting table apparatus
US6283175B1 (en) Enveloping device and vertical heat-treating apparatus for semiconductor process system
US6669784B2 (en) Gas processing apparatus for object to be processed
KR20110052610A (en) Vertical heat treatment apparatus and heat treatment method
KR100267419B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2000243747A (en) Substrate preparing apparatus
KR100203744B1 (en) Semiconductor manufacture device
JPH1032099A (en) High power type micro wave plasma applicator
JP2502470B2 (en) Heat treatment furnace
KR20010056330A (en) Apparatus for fabricating a semiconductor device
KR20040007560A (en) Method and device for doping, diffusion and oxidation of silicon wafers under reduced pressure
JP2001223258A (en) Wafer holding device
JP2601830B2 (en) Heat treatment equipment
KR20040022580A (en) Susceptor
JP3785247B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR100234534B1 (en) Apparatus for fixing cover plate of semiconductor diffusion system
KR0168349B1 (en) Lpcvd apparatus
KR19990006786A (en) Gas treatment device of the object
KR20070006462A (en) Flange of a vertical furnace
KR100630373B1 (en) Gas reaction chamber for preventing particles sticking on a semiconductor wafer
KR200269069Y1 (en) Cooling gas supply device of plasma etching system
KR200177068Y1 (en) Bell-shaped furnace for low pressure chemical vapor deposit ion equipment
KR20000004561A (en) Semiconductor device manufacturing apparatus having shaft and fixing plate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
N231 Notification of change of applicant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120227

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130125

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee