JP2006319175A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法に使用されるCVD装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and is used, for example, in a heat treatment apparatus (furnace) such as a CVD apparatus, a diffusion apparatus, an oxidation apparatus, and an annealing apparatus used in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC). Related to effective.
ICの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )や酸化シリコンおよびポリシリコン等のCVD膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成されている。
In an IC manufacturing method, a CVD film such as silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide, or polysilicon is formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed. A batch type vertical hot wall type low pressure CVD apparatus is widely used.
A batch type vertical hot wall type low pressure CVD apparatus (hereinafter referred to as a CVD apparatus) is composed of an inner tube into which a wafer is loaded and an outer tube surrounding the inner tube, and a process tube installed in a vertical shape and a process tube. A gas supply pipe for supplying a film forming gas as a processing gas to the processed chamber, an exhaust pipe for evacuating the processing chamber, a heater unit installed outside the process tube to heat the processing chamber, and a boat elevator A seal cap that opens and closes the furnace port of the processing chamber, and a boat that is vertically installed on the seal cap and holds a plurality of wafers. The plurality of wafers are vertically aligned by the boat. In this state, the processing chamber is loaded from the bottom furnace port (boat loading) and sealed. With the furnace port closed by the cap, the film forming gas is supplied to the processing chamber from the gas supply pipe, and the processing chamber is heated by the heater unit so that the CVD film is deposited on the wafer. It is configured.
従来のこの種のCVD装置においては、ヒータユニットはセラミックファイバ等の断熱材が使用されて円筒形状に形成された断熱槽の内周面に、抵抗発熱体(珪化モリブデン、Fe−Cr−Al合金等)が敷設されて構成されているのが、一般的である。例えば、特許文献1参照。
抵抗発熱体は安価で、かつ、酸化雰囲気で使用することができるので、CVD装置に広く使用されている。
しかしながら、抵抗発熱体は断熱槽の内部において溶接によって電気的に接続されて一体的に配線されているために、抵抗発熱体が断線した場合には、抵抗発熱体だけを交換することはきわめて困難である。
Since the resistance heating element is inexpensive and can be used in an oxidizing atmosphere, it is widely used in CVD apparatuses.
However, since the resistance heating element is electrically connected and integrally wired by welding inside the heat insulating tank, it is extremely difficult to replace only the resistance heating element when the resistance heating element is disconnected. It is.
本発明の目的は、発熱体を容易に交換することができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which a heating element can be easily replaced.
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体の被保持部は前記ヒータユニットへこのヒータユニットの内側から取り付け取り外し可能なブロックに固定されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
(2)基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体の被保持部は前記ヒータユニットへこのヒータユニットの内側から取り付け取り外し可能であり、前記発熱体の設置位置を調整する機能を備えたブロックに固定されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
Representative inventions disclosed in the present application are as follows.
(1) It includes a processing chamber for processing a substrate, and a heater unit having a heating element laid in a cylindrical heat insulating tank closed at the upper end surrounding the processing chamber,
The heating element is formed in an L shape, and a plurality of heating elements are laid coaxially on the inner periphery of the heat insulating tank, and the held portions of the heating elements are attached to and removed from the heater unit from the inside of the heater unit. A substrate processing apparatus configured to be fixed to a possible block.
(2) a processing chamber for processing the substrate, and a heater unit having a heating element laid in a cylindrical heat insulating tank closed at the upper end surrounding the processing chamber,
The heating element is formed in an L shape, and a plurality of heating elements are laid coaxially on the inner periphery of the heat insulating tank, and the held portions of the heating elements are attached to and removed from the heater unit from the inside of the heater unit. A substrate processing apparatus, which is configured to be fixed to a block having a function of adjusting an installation position of the heating element.
前記した手段によれば、L字形状の発熱体の被保持部を径方向に内向きに抜き出すことにより、所望の発熱体をヒータユニットから取り外すことができるので、発熱体の交換を簡単に施工することができる。 According to the above-mentioned means, since the desired heating element can be removed from the heater unit by extracting the held portion of the L-shaped heating element inward in the radial direction, the heating element can be easily replaced. can do.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、図1、図2および図3に示されているように、本発明に係る基板処理装置はICの製造方法における成膜工程を実施するCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)10として構成されている。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3, the substrate processing apparatus according to the present invention is a CVD apparatus (batch type vertical hot wall type) for performing a film forming process in an IC manufacturing method. (Low pressure CVD apparatus) 10.
図1、図2および図3に示されたCVD装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて筐体2に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えている。プロセスチューブ11は互いに同心円に配置されたアウタチューブ12とインナチューブ13とから構成されている。
アウタチューブ12は後記する発熱体の熱線(赤外線や遠赤外線等)を透過する材料の一例である石英(SiO2 )が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。
インナチューブ13は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ13の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を実質的に形成している。インナチューブ13の下端開口はウエハを出し入れするための炉口15を実質的に構成している。したがって、インナチューブ13の内径は取り扱うウエハの最大外径(例えば、直径300mm)よりも大きくなるように設定されている。
The
The
The
アウタチューブ12とインナチューブ13との間の下端部は、略円筒形状に構築されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16はアウタチューブ12およびインナチューブ13の交換等のために、アウタチューブ12およびインナチューブ13にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド16がCVD装置の筐体2に支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられた状態になっている。
The lower end portion between the
The
アウタチューブ12とインナチューブ13との隙間によって排気路17が、図3に示されているように、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。図1に示されているように、マニホールド16の側壁の上部には排気管18の一端が接続されており、排気管18は排気路17の最下端部に連通した状態になっている。
排気管18の他端には、圧力コントローラ21によって制御される排気装置19が接続されており、排気管18の途中には圧力センサ20が接続されている。圧力コントローラ21は圧力センサ20からの測定結果に基づいて排気装置19をフィードバック制御するように構成されている。
As shown in FIG. 3, the
An exhaust device 19 controlled by a
マニホールド16の下方にはガス導入管22がインナチューブ13の炉口15に連通するように接続されており、ガス導入管22にはガス流量コントローラ24によって制御される原料ガス供給装置および不活性ガス供給装置(以下、ガス供給装置という。)23が接続されている。ガス導入管22によって炉口15に導入されたガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。
A gas introduction pipe 22 is connected below the
マニホールド16には下端開口を閉塞するシールキャップ25が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ25はマニホールド16の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体2の待機室3に設備されたボートエレベータ26によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
ボートエレベータ26はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ26のモータ27は駆動コントローラ28によって制御されるように構成されている。シールキャップ25の中心線上には回転軸30が挿通されて回転自在に支承されており、回転軸30は駆動コントローラ28によって制御されるモータ29によって回転駆動されるように構成されている。
A
The
回転軸30の上端にはボート31が垂直に立脚されて支持されている。
ボート31は上下で一対の端板32、33と、両端板32と33との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材34とを備えており、三本の保持部材34には多数の保持溝35が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。
ボート31は三本の保持部材34の保持溝35間にウエハ1を挿入されることにより、複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
ボート31と回転軸30との間には断熱キャップ部36が配置されている。断熱キャップ部36はボート31をシールキャップ25の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート31の下端を炉口15の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
断熱キャップ部36の上側には下側サブヒータユニット37が設置されており、下側サブヒータユニット37はボート31に保持されたウエハ1を下側から加熱するように構成されている。
A
The
The
A heat insulating
A
図1および図2に示されているように、プロセスチューブ11の外側にはヒータユニット50の断熱槽51が設置されている。ヒータユニット50の断熱槽51はCVD装置の筐体2に垂直に支持されている。
ヒータユニット50の断熱槽51とプロセスチューブ11との間には冷却ガスとしての冷却エアを流通させる冷却エア通路41が、プロセスチューブ11を全体的に包囲するように形成されている。
断熱槽51の下端部には冷却エアを冷却エア通路41に供給する給気管42が、複数箇所(例えば、10箇所)に接続されており、給気管42に供給された冷却エアは冷却エア通路41の全周に拡散するようになっている。
断熱槽51の天井壁の中央部には冷却エアを冷却エア通路41から排出する排気口43が開設されており、排気口43には排気装置に接続された排気路(図示せず)が接続されている。断熱槽51の天井壁の排気口43の下側には、排気口43と連通するバッファ部44が大きく形成されており、バッファ部44の底面における周辺部にはサブ排気口45が複数個、バッファ部44と冷却エア通路41とを連絡するように開設されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
Between the
An air supply pipe 42 for supplying cooling air to the cooling
An
図1、図2および図3に示されているように、冷却エア通路41には冷却ガスとしての冷却エアを冷却エア通路41に供給するノズル46が複数本、周方向に等間隔に配置されて垂直方向に延在するように敷設されており、各ノズル46には複数個の噴射口47が冷却エアを断熱槽51の中心に向けて半径方向へ噴射するようにそれぞれ開設されている。
ノズル46には送風機や流量調整弁および圧力調整弁等から構成された冷却エア供給装置48が接続されており、冷却エア供給装置48は冷却エア制御コントローラ49によって制御されるように構成されている。複数本のノズル46からの冷却エアの噴射量を冷却エア供給装置48によって制御することにより、冷却エア通路41による冷却能力を調整することができるようになっている。
また、各ノズル46毎に冷却エア供給装置48を設けることにより、冷却エア通路41の冷却能力をゾーン制御することができる。例えば、冷却エア通路41の低温になる側に位置したノズル46群の冷却エアの噴射量をその他の領域に比べて大きくすることにより、冷却エア通路41を全体的に均一に冷却することができる。
さらに、断熱槽51の天井面の下側には天井ノズル46Aが蛇行状に敷設されており、天井ノズル46Aには複数個の噴射口47Aが冷却エアを垂直方向下向きに噴射するように開設されている。
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, a plurality of
A cooling air supply device 48 including a blower, a flow rate adjustment valve, a pressure adjustment valve, and the like is connected to the
Further, by providing the cooling air supply device 48 for each
Further, a
図1、図2および図3に示されているように、ヒータユニット50の断熱槽51は、熱容量が可及的に小さくなるように構成されている。すなわち、断熱槽51は容器52と、断熱材層53と、筒部リフレクタ(反射板)54および天井リフレクタ(反射板)55と、冷却水配管56とから構成されている。
断熱槽51の容器52はステンレス鋼等の薄板が使用されて天井壁が閉塞した円筒形状に構築されている。断熱材層53はセラミックファイバ等の断熱材が容器52に全体的に内張りされて天井壁が閉塞した円筒形状に構築されている。
なお、断熱材層53に断熱材を設けずに空隙とするようにしてもよい。断熱材を設けないことにより、断熱材分の熱容量を減らすことができる。特に、処理室内の温度を下げるように温度制御する際、断熱材に残っている熱量により、温度が下がりにくくなることを防ぐことができる。
断熱材層53の内周には円筒形状に形成された筒部リフレクタ54が、プロセスチューブ11と同心円に設置されている。断熱材層53の天井面には円板形状に形成された天井リフレクタ55がプロセスチューブ11と同心円に設置されている。筒部リフレクタ54および天井リフレクタ55はいずれも、例えば、ステンレス鋼板に石英(SiO2 )をコーティングして形成された材料のように耐酸化性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れた材料によって構築されている。
筒部リフレクタ54および天井リフレクタ55の外面には冷却水配管56が敷設されており、冷却水配管56は筒部リフレクタ54および天井リフレクタ55を300℃以下に冷却するように設定されている。
リフレクタ54、55は300℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、リフレクタ54、55を300℃以下に冷却することにより、リフレクタ54、55の耐久性を向上させることができるとともに、リフレクタ54、55の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽51の内部の温度を低下させる際に、リフレクタ54、55を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, the
The
In addition, you may make it make it a space | gap without providing a heat insulating material in the heat insulating
A
A cooling
When the
筒部リフレクタ54および天井リフレクタ55は熱を断熱槽51の内側方向に充分に反射させることができるので、断熱槽51はリフレクタ54、55またはリフレクタを兼用する容器52のみによって構成してもよい。
Since the
図1〜図3に示されているように、ヒータユニット50の断熱材層53と筒部リフレクタ54との間には、プロセスチューブ11内を加熱する発熱体としてのL管形カーボンランプヒータ60が複数本、図7に示されているように、周方向に等間隔に配置されて同心円に設備されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, an L-tube
L管形カーボンランプヒータ(以下、L形ヒータという。)60は、図4に示されているように構成されている。
L形ヒータ60は石英(SiO2 )が使用されて横断面形状が略8字形状に形成された封入管61を備えており、封入管61の一端部は8字の二つの円の中心線の結線と直角方向にL字形状に屈曲されている。封入管61の一端部(以下、垂直側端部という。)には、封止部62が形成されており、封入管61の他端部(以下、水平側端部という。)には被保持部63が形成されている。
なお、封入管61の垂直側端部が形成された長管における上端部付近および下端部付近には、一対の位置決め突起61a、61aが水平側端部の方向へそれぞれ突出するように設けられている。
An L tube type carbon lamp heater (hereinafter referred to as an L type heater) 60 is configured as shown in FIG.
The L-shaped
A pair of
封入管61の内部にはアルゴンガスが封入されており、封入管61の8字の一対の丸管の内部には一対のヒータ素線64、64がそれぞれ封入されている。ヒータ素線64はカーボン線材がテープ形状に形成されている。
ヒータ素線64の封止部62側の端部には保持具65が固着されている。一対のヒータ素線64、64の保持具65、65にはモリブデン(Mo)からなる保持棒66が挿通されており、保持棒66の両端は封入管61内の封止部62の付近に没設された一対の保持穴67、67にそれぞれ係合されている。
したがって、一対のヒータ素線64、64の一端は封入管61の一対の丸管の内部においてそれぞれ保持された状態になっている。そのため、一対のヒータ素線64、64同士が接触し短絡したりするのを防止することができる。
また、封止部62にはヒータ素線64が敷設されていない状態になっているので、非発熱ゾーンになっている。
Argon gas is sealed inside the sealed
A
Accordingly, one end of each of the pair of
Further, since the
一対のヒータ素線64、64の他端部には一対のスプリング68、68の一端がそれぞれ係止されており、一対のスプリング68、68の他端部にはモリブデンからなる一対の保持具69、69の一端部が直交するようにそれぞれ挿通されている。一対の保持具69、69の他端部は封入管61の水平側端部に形成された被保持部63にそれぞれ挿入されている。したがって、一対のヒータ素線64、64は封入管61の一対の丸管の内部において、スプリング68、68の引張力を付勢された状態でそれぞれ保持されていることになる。
このようにして、ヒータ素線64は封入管61の一対の丸管の内部においてスプリング68の引張力を付勢された状態でそれぞれ保持されているために、ヒータ素線64が封入管61の内面に接触するのを防止することができ、また、ヒータ素線64の熱による伸縮をスプリング68、68の伸長によって吸収することができる。
ちなみに、スプリング68の部分は非発熱ゾーンになっている。
One end of a pair of
In this way, since the
Incidentally, the portion of the
一対の保持具69、69の被保持部63、63に挿入された端部には、モリブデンからなる一対の端子部材70、70の一端部がそれぞれ固着されており、一対の端子部材70、70の他端部は被保持部63の屈曲部と反対側の端部に形成された封止部71に挿通されている。被保持部63の封止部71の端部にはカプラ72が形成されている。
L形ヒータ60の被保持部63は横断面形状が8字形状に形成されているので、横断面形状の外形は横長の略長方形形状になっている。この長方形形状の被保持部63は、横断面形状の外形が円形の場合に比べて、保持し易い形状になっている。
One end portions of a pair of
Since the held
図1に示されているように、各L形ヒータ60の一対の端子部材70、70には、ヒータ駆動装置73がカプラ72を介して電気的に接続されている。
各L形ヒータ60において、ヒータ駆動装置73の電力は一方の端子部材70から一方のヒータ素線64に供給され、垂直側端部の保持棒66を経由して他方のヒータ素線64に供給され、他方の端子部材70に流れるようになっている。
As shown in FIG. 1, a
In each L-shaped
図1に示されているように、ヒータ駆動装置73は温度コントローラ74によって制御されるように構成されている。
図3に示されているように、ヒータユニット50の筒部リフレクタ54とアウタチューブ12との間には、複数本のカスケード熱電対75が周方向に等間隔に配されて垂直方向に敷設されている。複数本のカスケード熱電対75は長さがそれぞれ異なっており、それらの上端部が断熱槽51に固定されて垂直に吊り下げられた状態になっている。
複数本のカスケード熱電対75はヒータユニット50の異なった位置の温度をそれぞれ計測し、それらの測定点の計測結果を温度コントローラ74にそれぞれ送信するようになっている。
温度コントローラ74はカスケード熱電対75からの計測温度によってヒータ駆動装置73をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ74はヒータ駆動装置73の目標温度とカスケード熱電対75の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
また、温度コントローラ74は複数本のカスケード熱電対75の各測定点の計測温度に基づいてL形ヒータ60群をゾーン制御するように構成されている。
As shown in FIG. 1, the
As shown in FIG. 3, a plurality of
The plurality of
The
Further, the
なお、図2に示されているように、断熱槽51の天井面の下側における中央部には直管形カーボンランプヒータ(以下、直管ヒータという。)76が複数本、互いに平行で両端を揃えられて敷設されており、直管ヒータ76群はボート31に保持されたウエハ1群をプロセスチューブ11の上方から加熱するように構成されている。
直管ヒータ76はL形ヒータ60と同様に構成されている。直管ヒータ76もヒータ駆動装置73に接続されており、温度コントローラ74によって制御されるように構成されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of straight tube type carbon lamp heaters (hereinafter referred to as straight tube heaters) 76 are parallel to each other at both ends at the central portion below the ceiling surface of the
The
図2および図7に示されているように、複数本のL形ヒータ60はヒータユニット50において上下に複数本ずつ分配されており、上下に分配された複数本のL形ヒータ60の水平側端部である被保持部63がヒータユニット50の上下端部に配置されたL形ヒータ保持装置80によって保持されることにより、上下に分配された複数本のL形ヒータ60はヒータユニット50にそれぞれ着脱可能に取り付けられている。
なお、図7において、Uはアッパ発熱ゾーン、Cはセンタ発熱ゾーン、Lはロア発熱ゾーンをそれぞれ示しており、ORはオーバラップ部を示している。
As shown in FIGS. 2 and 7, the plurality of L-shaped
In FIG. 7, U represents an upper heat generation zone, C represents a center heat generation zone, L represents a lower heat generation zone, and OR represents an overlap portion.
上下のL形ヒータ保持装置80は均等に構成されているので、その構成は下側のL形ヒータ保持装置80について図5および図6に即して説明する。
L形ヒータ保持装置80は円形リング形状に形成されたサポートリング81を備えており、図5に示されているように、サポートリング81は筒部リフレクタ54の下端部に同心円に配置されて固定されている。
サポートリング81の内周面には複数個の保持穴82が周方向に等間隔に配されて、それぞれ法線方向に延在するように没設されている。保持穴82は略直方体の穴形状に形成されており、保持穴82の底壁にはL形ヒータ60のカプラ72を挿通する挿通孔83が横長の長方形に開設されている。
保持穴82はブロック85を取り付け取り外し可能に保持するように構成されており、保持穴82の挿通孔83の開口縁辺部はブロック85の外側端面の一部に係合するように設定されている。また、保持穴82の底壁の一対の下隅部には、ブロック85を固定するための一対の雌ねじ孔84、84がそれぞれ水平に形成されている。
Since the upper and lower L-shaped
The L-shaped
A plurality of holding
The holding
図6に示されているように、ブロック85は長方形の枠形状に形成されており、図5に示されているように、保持穴82に保持穴82の内周側開口から嵌入する寸法に設定されている。ブロック85の一対の下隅部には一対の挿通孔86、86がそれぞれ水平に開設されており、両挿通孔86、86にはブロック85を固定するための一対の止めねじ部材87、87が挿通されて、保持穴82の雌ねじ孔84、84にそれぞれねじ込まれるようになっている。
As shown in FIG. 6, the
ブロック85の上側枠部片には一対の雌ねじ孔88、88がそれぞれ垂直に延在するように形成されており、両雌ねじ孔88、88には一対の止めねじ部材89、89がそれぞれ螺入されるようになっている。両雌ねじ孔88、88に螺入された状態において、両止めねじ部材89、89の下端には上側押さえ板90が当接されるようになっている。
ブロック85の下側枠部片には三本の雌ねじ孔91、91、91がそれぞれ垂直に延在するように形成されており、各雌ねじ孔91には各調整ねじ部材92がそれぞれ螺入されるようになっている。雌ねじ孔91に螺入された状態において、三本の調整ねじ部材92、92、92の上端には下側押さえ板93が当接されるようになっており、三本の調整ねじ部材92、92、92のねじ込み量を調整することにより、下側押さえ板93は水平面を構成するようになっている。
A pair of female screw holes 88 and 88 are formed in the upper frame portion of the
Three female screw holes 91, 91, 91 are formed in the lower frame portion of the
次に、以上のように構成されたL形ヒータ保持装置80によるL形ヒータ60の被保持部63の取り付け手順について説明する。
L形ヒータ60をサポートリング81に取り付けるに際しては、ヒータユニット50の外部において、L形ヒータ60の被保持部63がブロック85に図6に示されているように予め装着される。
まず、雌ねじ孔91に螺入された状態において、三本の調整ねじ部材92、92、92の上端間に下側押さえ板93が架橋され、三本の調整ねじ部材92、92、92のねじ込み量を調整することにより、下側押さえ板93の水平面が出される。
L形ヒータ60の被保持部63がブロック85の枠内に挿入され、その下面が下側押さえ板93の上面に当接されるとともに、被保持部63の上面に上側押さえ板90が当接される。このとき、被保持部63の外形は横長の略長方形形状に形成されているので、上側押さえ板90は被保持部63にがたつきなく載置した状態になる。
この後に、一対の雌ねじ孔88、88に一対の止めねじ部材89、89がねじ込まれると、L形ヒータ60の被保持部63は上側押さえ板90と下側押さえ板93との間で押さえ付けられるために、ブロック85はL形ヒータ60の被保持部63に相対的に固定された状態になる。このとき、被保持部63の外形は横長の略長方形形状に形成されているので、被保持部63は上側押さえ板90と下側押さえ板93との間でがたつきなく強固に固定された状態になる。
その後、カプラ72を介して端子部材70、70とヒータ駆動装置73とを接続するため、挿通孔83にヒータユニット50の外側から内側へヒータ駆動装置73と接続されたケーブルを挿通し、端子部材70、70と結線するようにしておく。
Next, a procedure for attaching the held
When the L-shaped
First, in a state of being screwed into the
The held
Thereafter, when the pair of
Thereafter, in order to connect the
このようにしてL形ヒータ60の被保持部63に固定されたブロック85は、図5に示されているように、サポートリング81の保持穴82にヒータユニット50の内周側から嵌入される。保持穴82の奥まで嵌入されると、ブロック85の外側端面は挿通孔83の開口縁辺部に係合し、L形ヒータ60のカプラ72は挿通孔83から外部に突き出した状態になる。
その際、ヒータ駆動装置73に結線された前述のケーブルは、挿通孔83からヒータユニット50の内側から外側に押し戻すようにする。
その後、止めねじ部材87がブロック85の挿通孔86に挿通されて、保持穴82の雌ねじ孔84にそれぞれねじ込まれることにより、ブロック85が保持穴82に締結される。この締結により、L形ヒータ60の被保持部63がヒータユニット50にサポートリング81およびブロック85を介して取り付け取り外し可能に固定された状態になる。
The
At that time, the cable connected to the
Thereafter, the
ところで、本実施の形態においては、L形ヒータ60群のうちに所謂球切れ等の不良が発見された場合には、次のようにして、L形ヒータ60を交換することができる。
まず、交換したいL形ヒータ60のブロック85とサポートリング81の保持穴82との固定を、一対の止めねじ部材87、87の保持穴82の雌ねじ孔84、84との締結を解除することにより、解除する。
続いて、固定を解除したブロック85をサポートリング81の保持穴82からヒータユニット50の内側方向に引き抜くことにより、交換したいL形ヒータ60をブロック85ごとヒータユニット50の内側空間に取り外す。
以上のようにして球切れのL形ヒータ60が外されたL形ヒータ保持装置80の保持穴82には、新規のL形ヒータ60が前述した手順によって取り付けられる。
By the way, in this embodiment, when a defect such as so-called ball breakage is found in the L-shaped
First, the
Subsequently, by pulling out the fixed
As described above, the new L-shaped
ところで、L形ヒータ60の水平側端部である被保持部63とヒータ素線64が敷設された封入管61の長管側との直角度(垂直度)が悪い場合には、L形ヒータ60が筒部リフレクタ54またはアウタチューブ12に接触する危惧がある。筒部リフレクタ54に接触した場合には、筒部リフレクタ54の酸化を引き起こす危惧がある。他方、アウタチューブ12に接触した場合には、アウタチューブ12の着脱が困難になる。さらに、L形ヒータ60の本体が筒部リフレクタ54に接触すると、冷却水配管56によって冷却されている筒部リフレクタ54の影響により、L形ヒータ60が温度低下を引き起こしてしまう。
しかし、本実施の形態においては、三本の調整ねじ部材92、92、92のねじ込み量を調整して、下側押さえ板93の水平面を出すことにより、サポートリング81の保持穴82とブロック85との間でL形ヒータ60の垂直度を吸収することができるので、L形ヒータ60が筒部リフレクタ54またはアウタチューブ12に接触するのを防止することができる。
さらに、L形ヒータ60には位置決め突起61aが設けてあり、位置決め突起61aを筒部リフレクタ54に突き当てて調整することにより、L形ヒータ60と筒部リフレクタ54との距離を所定の距離に保つことができ、L形ヒータ60の本体と筒部リフレクタ54との接触を防止することができる。
つまり、本実施の形態によれば、L形ヒータ60が筒部リフレクタ54やアウタチューブ12に接触することによる弊害の発生を未然に防止することができる。
By the way, when the perpendicularity (verticality) between the held
However, in the present embodiment, the holding holes 82 of the
Further, the L-shaped
That is, according to the present embodiment, it is possible to prevent the occurrence of harmful effects caused by the L-shaped
また、L形ヒータ60の被保持部63と封入管61の長管側とが捩じれている場合には、隣合うL形ヒータ60、60同士が接触したり接近しすぎたりする危惧がある。隣合うL形ヒータ60、60同士が接触したり接近しすぎたりすると、L形ヒータ60が取り付けが不能になったり、L形ヒータ60群の位置関係に疎密が形成されるために、ウエハ1に加熱斑紋が発生したりする。
しかし、本実施の形態においては、三本の調整ねじ部材92、92、92のねじ込み量を調整して、下側押さえ板93の水平面を出すことにより、サポートリング81の保持穴82とブロック85との間でL形ヒータ60の捩じれ具合を吸収することができるので、隣合うL形ヒータ60、60同士が接触したり重なり合ったりするのを防止することができる。
つまり、本実施の形態によれば、L形ヒータ60が取り付けが不能になったり、L形ヒータ60群の位置関係に疎密が形成されるのを未然に防止することができる。
Further, when the held
However, in the present embodiment, the holding holes 82 of the
In other words, according to the present embodiment, it is possible to prevent the L-shaped
次に、以上の構成に係るCVD装置によるICの製造方法の成膜工程を説明する。 Next, a film forming process of the IC manufacturing method using the CVD apparatus having the above configuration will be described.
図1に示されているように、予め指定された枚数のウエハ1がボート31に装填されると、ウエハ1群を保持したボート31はシールキャップ25がボートエレベータ26によって上昇されることにより、インナチューブ13の処理室14に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ25に支持されたままの状態で処理室14に存置される。上限に達したシールキャップ25はマニホールド16に押接することにより、プロセスチューブ11の内部をシールした状態になる。
As shown in FIG. 1, when a predetermined number of wafers 1 are loaded into the
続いて、プロセスチューブ11の内部が排気管18によって排気されるとともに、L形ヒータ60群および直管ヒータ76群によって温度コントローラ74のシーケンス制御の目標温度に加熱される。
L形ヒータ60群および直管ヒータ76群の加熱によるプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度と、L形ヒータ60群および直管ヒータ76群のシーケンス制御の目標温度との誤差は、カスケード熱電対75の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。
また、ボート31がモータ29によって回転される。
Subsequently, the inside of the process tube 11 is exhausted by the
The error between the actual temperature rise inside the process tube 11 due to the heating of the L-shaped
Further, the
プロセスチューブ11の内圧および温度、ボート31の回転が全体的に一定の安定した状態になると、プロセスチューブ11の処理室14には原料ガスがガス供給装置23によってガス導入管22から導入される。
ガス導入管22によって導入された原料ガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。
処理室14を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ1に接触することによる熱CVD反応により、ウエハ1にはCVD膜が形成される。
ちなみに、窒化珪素(Si3 N4 )が成膜される場合の処理条件の一例は、次の通りである。
処理温度は700〜800℃、原料ガスとしてのSiH2 Cl2 の流量は0.1〜0.5SLM(スタンダード・リットル毎分)、NH3 の流量は0.3〜5SLM、処理圧力は20〜100Paである。
When the internal pressure and temperature of the process tube 11 and the rotation of the
The raw material gas introduced by the gas introduction pipe 22 flows through the
When flowing through the
Incidentally, an example of processing conditions when silicon nitride (Si 3 N 4 ) is formed is as follows.
The processing temperature is 700 to 800 ° C., the flow rate of SiH 2 Cl 2 as a raw material gas is 0.1 to 0.5 SLM (standard liter per minute), the flow rate of NH 3 is 0.3 to 5 SLM, and the processing pressure is 20 to 100 Pa.
所定の処理時間が経過すると、処理ガスの導入が停止された後に、窒素ガス等のパージガスがプロセスチューブ11の内部にガス導入管22から導入されるとともに、冷却エアがノズル46群、天井ノズル46Aおよび給気管42から供給されてサブ排気口45、バッファ部44および排気口43から排気されることにより、冷却エア通路41に流通される。
冷却エア通路41における冷却エアの流通により、ヒータユニット50の全体が冷却されるために、プロセスチューブ11の温度は大きいレート(速度)をもって急速に下降することになる。この際、断熱槽51は熱容量が通例に比べて小さく設定されているので、急速に冷却することができる。
After a predetermined processing time has elapsed, after the introduction of the processing gas is stopped, a purge gas such as nitrogen gas is introduced into the process tube 11 from the gas introduction pipe 22, and cooling air is supplied to the
Since the
処理室14の温度が所定の温度に下降すると、シールキャップ25に支持されたボート31はボートエレベータ26によって下降されることにより、処理室14から搬出(ボートアンローディング)される。
When the temperature of the
以降、前記作用が繰り返されることにより、CVD装置10によってウエハ1に対する成膜処理が実施されて行く。
Thereafter, the film forming process is performed on the wafer 1 by the
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) L形に形成した発熱体であるL形ヒータを複数本、ヒータユニットの内周において同軸に敷設するとともに、これらL形ヒータの水平側端部である被保持部をヒータユニットに取り付け取り外し可能に保持することにより、ヒータユニットのL形ヒータの被保持部の保持を解除することによって、L形ヒータを断熱槽から容易に取り外すことができるので、球切れ(断線)のL形ヒータの交換を簡単に施工することができる。 1) Multiple L-shaped heaters, which are heating elements formed in an L-shape, are laid coaxially on the inner circumference of the heater unit, and the held portion, which is the horizontal end of these L-shaped heaters, is attached to and removed from the heater unit. Since the L-shaped heater can be easily removed from the heat insulation tank by releasing the holding of the held portion of the L-shaped heater of the heater unit by holding it as possible, Replacement can be done easily.
2) L形ヒータの水平側端部である被保持部をL形ヒータ保持装置によってヒータユニットの内側方向に抜き差し自在に保持することにより、L形ヒータをヒータユニットの内側方向に抜き出すことができるので、一人の作業者でもL形ヒータのヒータユニットへの取り付け作業および取り外し作業を実施することができ、ヒータユニットに対するメンテナンス作業時間を短縮することができる。その結果、CVD装置ひいてはICの製造方法の成膜工程のスループットを向上させることができる。 2) By holding the held portion, which is the horizontal end of the L-shaped heater, so that it can be inserted and removed in the inner direction of the heater unit by the L-shaped heater holding device, the L-shaped heater can be extracted in the inner direction of the heater unit. Therefore, even one worker can perform the work of attaching and detaching the L-shaped heater to the heater unit, and the maintenance work time for the heater unit can be shortened. As a result, it is possible to improve the throughput of the film forming process of the CVD apparatus, and thus the IC manufacturing method.
3) L形ヒータの水平側端部である被保持部に予め装着したブロックをサポートリングの保持穴にヒータユニットの内側から嵌入し、ヒータユニットの内側から止めねじ部材によって螺入して止め着けることにより、L形ヒータのヒータユニットへの取付作業を一人で実施することができるので、取付作業の能率を高めることができる。 3) Insert a block that is pre-mounted on the held portion, which is the horizontal end of the L-shaped heater, from the inside of the heater unit into the holding hole of the support ring, and then screw it in from the inside of the heater unit with a set screw member. As a result, the attachment work of the L-shaped heater to the heater unit can be carried out by one person, so that the efficiency of the attachment work can be increased.
4) L形ヒータの水平側端部である被保持部とヒータ素線が敷設された封入管との直角度をサポートリングの保持穴とブロックとの間で吸収することにより、L形ヒータが胴部リフレクタまたはアウタチューブに接触したり、隣合うL形ヒータ同士が接触したり重なり合ったりするのを防止することができるので、それらによる弊害の発生を未然に防止することができる。 4) By absorbing the squareness between the held part, which is the horizontal end of the L-shaped heater, and the enclosing tube where the heater element wire is laid between the holding hole of the support ring and the block, the L-shaped heater Since it is possible to prevent the body part reflector or the outer tube from coming into contact with each other and the adjacent L-shaped heaters from coming into contact with each other or overlapping each other, it is possible to prevent the occurrence of harmful effects.
5) L形ヒータを横断面形状が略8字形状になるように形成することにより、L形ヒータの一対の端子部材をL形ヒータの水平側端部に纏めることができるので、L形ヒータの水平側端部である被保持部を片持ち支持することができる。 5) By forming the L-shaped heater so that the cross-sectional shape is approximately eight-shaped, the pair of terminal members of the L-shaped heater can be gathered at the horizontal end of the L-shaped heater. The held portion, which is the horizontal side end portion, can be cantilevered.
6) L形ヒータを横断面形状が略8字形状になるように形成することにより、L形ヒータの水平側端部である被保持部を片持ち支持する場合であっても機械的強度を確保することができるので、伝導率に少なからず影響するL形ヒータの封入管の厚さを薄く設定することができ、L形ヒータの加熱効率を高めることができる。 6) By forming the L-shaped heater so that the cross-sectional shape is approximately 8-shaped, the mechanical strength can be increased even when the held portion, which is the horizontal end of the L-shaped heater, is cantilevered. Since it can be ensured, the thickness of the encapsulating tube of the L-shaped heater, which has a considerable influence on the conductivity, can be set thin, and the heating efficiency of the L-shaped heater can be increased.
7) また、L形ヒータを横断面形状が略8字形状になるように形成することにより、L形ヒータのヒータユニットの径方向の大きさ(厚さ)を小さく設定することができるので、プロセスチューブとの間隔を小さく設定することができ、L形ヒータの加熱効率をより一層高めることができる。 7) In addition, by forming the L-shaped heater so that the cross-sectional shape is substantially 8-shaped, the size (thickness) in the radial direction of the heater unit of the L-shaped heater can be set small. The interval with the process tube can be set small, and the heating efficiency of the L-shaped heater can be further increased.
8) L形ヒータの被保持部を横断面形状が略8字形状になるように形成することにより、被保持部の横断面形状の外形が円形の場合に比べて、L形ヒータの被保持部が保持し易い形状になるので、L形ヒータを再現性よく適正に保持することができる。
例えば、L形ヒータを交換した際に、交換後のL形ヒータの保持姿勢が交換前と変更した場合には、当該L形ヒータのウエハに対する加熱具合が変更してしまうために、ウエハの膜厚や膜厚分布に悪影響が及んでしまう。このような悪影響を回避するために、L形ヒータの保持姿勢を調整し直したり、交換後のL形ヒータの保持姿勢に対応して成膜条件を調整し直したりすると、手間が浪費されてしまう。
しかし、L形ヒータを再現性よく適正に保持することができれば、このような悪影響の発生や手間の浪費を回避することができる。
8) By forming the held portion of the L-shaped heater so that the cross-sectional shape is substantially 8-shaped, the L-shaped heater is held compared to the case where the cross-sectional shape of the held portion is circular. Since the portion has a shape that can be easily held, the L-shaped heater can be appropriately held with good reproducibility.
For example, when the L-shaped heater is replaced and the holding posture of the replaced L-shaped heater is changed from before the replacement, the heating condition of the L-shaped heater with respect to the wafer is changed. The thickness and film thickness distribution will be adversely affected. In order to avoid such an adverse effect, if the holding posture of the L-shaped heater is adjusted again, or if the film forming conditions are adjusted again in accordance with the holding posture of the L-shaped heater after replacement, labor is wasted. End up.
However, if the L-shaped heater can be properly held with good reproducibility, such adverse effects and waste of time can be avoided.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、L形ヒータの被保持部と封入管との直角度を適度に確保することができる場合には、調整ねじ部材や下側押さえ板は省略してもよい。
この場合においても、ヒータユニットの外においてL形ヒータの被保持部にブロックを装着した後に、装着したブロックをサポートリングの保持穴に嵌入することにより、L形ヒータのヒータユニットへの取付作業をヒータユニットの内側から実施することができるので、取付作業の能率を高めることができる。
For example, when the perpendicularity between the held portion of the L-shaped heater and the enclosing tube can be appropriately secured, the adjusting screw member and the lower pressing plate may be omitted.
Even in this case, after mounting the block on the held portion of the L-shaped heater outside the heater unit, the mounted block is fitted into the holding hole of the support ring, so that the mounting operation of the L-shaped heater to the heater unit can be performed. Since it can implement from the inside of a heater unit, the efficiency of an attachment operation | work can be improved.
L形ヒータの被保持部とブロックとの間にシールリングを挟設することにより、L形ヒータの取付精度を高めることができるとともに、ヒータユニットの冷却エア通路の気密性能を高めることができる。 By sandwiching the seal ring between the held portion of the L-shaped heater and the block, the mounting accuracy of the L-shaped heater can be improved, and the airtight performance of the cooling air passage of the heater unit can be improved.
L形ヒータとしては、カーボンランプヒータを使用するに限らず、他のランプヒータや抵抗体ヒータを使用してもよい。 The L-shaped heater is not limited to a carbon lamp heater, and other lamp heaters or resistor heaters may be used.
前記実施の形態においては、CVD装置について説明したが、酸化・拡散装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。 Although the CVD apparatus has been described in the above embodiment, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses such as an oxidation / diffusion apparatus and an annealing apparatus.
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 The substrate to be processed is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
1…ウエハ(基板)、2…筐体、3…待機室、10…CVD装置(基板処理装置)、11…プロセスチューブ、12…アウタチューブ、13…インナチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気路、18…排気管、19…排気装置、20…圧力センサ、21…圧力コントローラ、22…ガス導入管、23…ガス供給装置、24…ガス流量コントローラ、25…シールキャップ、26…ボートエレベータ、27…モータ、28…駆動コントローラ、29…モータ、30…回転軸、31…ボート、32、33…端板、34…保持部材、35…保持溝、36…断熱キャップ部、37…下側サブヒータユニット、41…冷却エア通路、42…給気管、43…排気口、44…バッファ部、45…サブ排気口、46、46A…ノズル、47、47A…噴射口、48…冷却エア供給装置、49…冷却エア制御コントローラ、50…ヒータユニット、51…断熱槽、52…容器、53…断熱材層、54…筒部リフレクタ(反射板)、55…天井リフレクタ、56…冷却水配管、60…L形ヒータ(L管形カーボンランプヒータ、発熱体)、61…封入管、61a…位置決め突起、62…封止部、63…被保持部、64…ヒータ素線(発熱体)、65…保持具、66…保持棒、67…保持穴、68…スプリング、69…保持具、70…端子部材、71…封止部、72…カプラ、73…ヒータ駆動装置、74…温度コントローラ、75…カスケード熱電対、76…直管ヒータ(直管形カーボンランプヒータ)、80…L形ヒータ保持装置、81…サポートリング、82…保持穴、83…挿通孔、84…雌ねじ孔、85…ブロック、86…挿通孔、87…止めねじ部材、88…雌ねじ孔、89…止めねじ部材、90…上側押さえ板、91…雌ねじ孔、92…調整ねじ部材、93…下側押さえ板。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Housing | casing, 3 ... Standby chamber, 10 ... CVD apparatus (substrate processing apparatus), 11 ... Process tube, 12 ... Outer tube, 13 ... Inner tube, 14 ... Processing chamber, 15 ... Furnace 16: Manifold, 17 ... Exhaust passage, 18 ... Exhaust pipe, 19 ... Exhaust device, 20 ... Pressure sensor, 21 ... Pressure controller, 22 ... Gas introduction pipe, 23 ... Gas supply device, 24 ... Gas flow rate controller, 25 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Seal cap, 26 ... Boat elevator, 27 ... Motor, 28 ... Drive controller, 29 ... Motor, 30 ... Rotating shaft, 31 ... Boat, 32, 33 ... End plate, 34 ... Holding member, 35 ... Holding groove, 36 ... Insulation cap part, 37 ... lower sub heater unit, 41 ... cooling air passage, 42 ... air supply pipe, 43 ... exhaust port, 44 ... buffer part, 45 ... sub exhaust port, 46, 46A ... Slurry, 47, 47A ... injection port, 48 ... cooling air supply device, 49 ... cooling air control controller, 50 ... heater unit, 51 ... heat insulation tank, 52 ... container, 53 ... heat insulation material layer, 54 ... cylindrical reflector (reflection) Plate), 55 ... ceiling reflector, 56 ... cooling water piping, 60 ... L-shaped heater (L-tube carbon lamp heater, heating element), 61 ... encapsulating tube, 61a ... positioning projection, 62 ... sealing part, 63 ... covered Holding part, 64 ... heater element wire (heating element), 65 ... holding tool, 66 ... holding rod, 67 ... holding hole, 68 ... spring, 69 ... holding tool, 70 ... terminal member, 71 ... sealing part, 72 ...
Claims (1)
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体の被保持部は前記ヒータユニットへこのヒータユニットの内側から取り付け取り外し可能なブロックに固定されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing a substrate, and a heater unit having a heating element laid in a cylindrical heat insulating tank closed at the upper end surrounding the processing chamber,
The heating elements are formed in an L-shape, and a plurality of the heating elements are laid coaxially on the inner periphery of the heat insulating tank, and the held portions of the heating elements are attached to and removed from the heater unit from the inside of the heater unit. A substrate processing apparatus configured to be fixed to a possible block.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194584A (en) * | 2006-01-16 | 2007-08-02 | Tera Semicon Corp | Heating method and heating system for batch-type reaction chamber |
JP2009124005A (en) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Sukegawa Electric Co Ltd | Soaking high-speed elevator pit |
US7700054B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-04-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet |
CN104388908A (en) * | 2014-11-29 | 2015-03-04 | 洛阳康耀电子有限公司 | Magnetron sputtering deposition vacuum chamber wall temperature-control heater and application method thereof |
KR20200021284A (en) * | 2018-08-20 | 2020-02-28 | (주)건양아이티티 | Car interior materials fold-back machine with heater assembled by detaching cover |
-
2005
- 2005-05-13 JP JP2005141027A patent/JP2006319175A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194584A (en) * | 2006-01-16 | 2007-08-02 | Tera Semicon Corp | Heating method and heating system for batch-type reaction chamber |
JP4502987B2 (en) * | 2006-01-16 | 2010-07-14 | 株式会社テラセミコン | Batch reaction chamber heating system |
US7700054B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-04-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet |
JP2009124005A (en) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Sukegawa Electric Co Ltd | Soaking high-speed elevator pit |
CN104388908A (en) * | 2014-11-29 | 2015-03-04 | 洛阳康耀电子有限公司 | Magnetron sputtering deposition vacuum chamber wall temperature-control heater and application method thereof |
CN104388908B (en) * | 2014-11-29 | 2017-12-29 | 洛阳康耀电子有限公司 | A kind of magnetron sputtering plating vacuum chamber wall body temperature control heating device and application process |
KR20200021284A (en) * | 2018-08-20 | 2020-02-28 | (주)건양아이티티 | Car interior materials fold-back machine with heater assembled by detaching cover |
KR102091870B1 (en) * | 2018-08-20 | 2020-03-20 | (주)건양아이티티 | Car interior materials fold-back machine with heater assembled by detaching cover |
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