KR20040013969A - Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display - Google Patents
Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040013969A KR20040013969A KR1020020047121A KR20020047121A KR20040013969A KR 20040013969 A KR20040013969 A KR 20040013969A KR 1020020047121 A KR1020020047121 A KR 1020020047121A KR 20020047121 A KR20020047121 A KR 20020047121A KR 20040013969 A KR20040013969 A KR 20040013969A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- organic
- anode
- light emitting
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Abstract
Description
본 발명은 유기 이엘(Electro Luminescence Display : EL) 소자의 전극 제작방법에 관한 것으로, 특히 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용하여 탑 에미션(emission) 방식에서의 전극 제작방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode fabrication method of an organic EL (Electro Luminescence Display) device, and more particularly to an electrode fabrication method of a top emission method using nickel, a high work function material, as an anode will be.
통상적으로, 유기 EL 디스플레이는 능동 구동형 자체 발광 소자로 낮은 전압에서도 구동 가능하여 전력소모량이 적으며 발광효율이 높아 고화질의 데이터를 제공하고, 데이터 응답속도가 빨라 완벽한 동화상을 구현할 수 있으며, 시야각 제한이 없어 어느 위치에서도 화면의 내용을 볼 수 있는 차세대 디스플레이다.In general, organic EL displays are active-driven self-luminous devices that can be driven even at low voltages, providing low-power consumption and high luminous efficiency, providing high quality data, and providing fast moving images, resulting in perfect moving images, and limited viewing angles. It is a next-generation display that can see the contents of the screen from any location.
이러한, 능동 구동형 유기 EL 디스플레이는 광시야각, 초고속 응답속도 등의 장점으로 인하여 소형에서 대형에 이르기까지 어떠한 동화상 표시매체로서도 손색이 없으며, 백라이트가 필요 없어 박막 형태로 제작 가능함에 따라 평판 디스플레이에 적합하며, 저온에서 제작이 가능하기 때문에 저가격화에 유리하다.These active-driven organic EL displays are suitable for flat panel displays because they can be manufactured in a thin film form without any backlight as they do not have any kind of moving picture display media from small to large due to the advantages of wide viewing angle and ultra-fast response speed. In addition, since it can be manufactured at low temperature, it is advantageous to lower the price.
또한, 능동 구동형 유기 EL 디스플레이는 고해상도, 저소비전력에 유리하여 각광받고 있는 것으로, 도 1은 유기 이엘(EL) 소자의 발광 방향에 따라 탑 에미션(top emission) 방식과 바텀 에미션(bottom emission) 방식으로 구분되어 도시된 도면이고, 발광 방향에 따라 탑 에미션(top emission) 방식과 바텀 에미션(bottom emission) 방식으로 구분된다.In addition, active-drive type organic EL displays are attracting attention due to their high resolution and low power consumption. FIG. 1 shows a top emission method and a bottom emission method according to the emission direction of an organic EL element. The drawing is divided into a) method, and is classified into a top emission method and a bottom emission method according to the emission direction.
즉, 탑 에미션 방식은 빛이 기판의 반대 방향으로 향하는 방식을 말하며, 바텀 에미션 방식은 빛이 기판 방향으로 발광된 빛이 기판을 통해 나오는 방식을 의미한다.That is, the top emission method refers to a method in which light is directed in the opposite direction of the substrate, and the bottom emission method refers to a method in which light emitted in the direction of the substrate is emitted through the substrate.
다시 말해서, 바텀 에미션 방식은 빛이 기판 방향으로 향하기 때문에 실제 빛을 내는 화소 면적(개구율)이 트랜지스터의 개수, 배선 폭, 저장용량 등 화소의 디자인에 따라 달라지며, 따라서 균일한 발광을 위해선 적어도 3∼4개 이상의 트랜지스터가 필요한 유기 EL에 있어서 개구율은 매우 작아 질 수밖에 없다. 그러므로, 해상도가 증가할수록 구동 전압 및 전류의 증가가 커지며, 구동 전압 및 전류의 증가는 디스플레이 패널의 소비전력 증가 및 수명의 감소를 가져온다.In other words, in the bottom emission method, since the light is directed toward the substrate, the actual pixel area (aperture ratio) that emits light depends on the design of the pixel such as the number of transistors, the wiring width, and the storage capacity. In an organic EL requiring three to four or more transistors, the aperture ratio is inevitably small. Therefore, as the resolution increases, the increase of the driving voltage and the current increases, and the increase of the driving voltage and the current leads to an increase in power consumption and a reduction in the lifespan of the display panel.
반면에, 탑 에미션 방식은 빛의 방향이 기판의 반대 방향으로 향하기 때문에 빛을 내는 화소 면적이 화소 디자인에 따라 크게 달라지지 않아 소비전력 및 수명 측면에서 바텀 에미션 방식에 비해 훨씬 유리하다.On the other hand, the top emission method is much more advantageous than the bottom emission method in terms of power consumption and lifespan because the light emitting pixel area does not vary greatly depending on the pixel design since the direction of light is directed toward the opposite direction of the substrate.
그러나, 탑 에미션 방식의 유기 EL 소자는 빛이 기판의 방향과 반대 방향으로 향해야하기 때문에 양극 전극으로 불투명한 금속 전극인 금(Au)과 플래티늄(Pt) 혹은 알루미늄(Al)이 사용되며, 음극 전극으로 빛을 투과하며 전기를 통하는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 전도성 산화막을 사용한다.However, in the top emission type organic EL device, since light must be directed in a direction opposite to the direction of the substrate, gold (Au), platinum (Pt), or aluminum (Al), which are opaque metal electrodes, are used as the anode electrode. A transparent conductive oxide film such as indium tin oxide (ITO), which transmits light through the electrode and is electrically used, is used.
이와 같이, 양극 전극으로 사용되는 Pt 및 Au는 도 2에 도시된 바와 같이, 일함수가 크기 때문에 정공의 주입이 용이하여 소자 특성이 좋으나, 가격이 비싸고습식 및 건식 식각이 어려우며, 산화막이나 규소막을 통한 확산이 빠르기 때문에 화소를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 특성에 악영향을 주는 문제점이 있으며, 또한, 양극 전극 중 Al은 가격이 싸고 공정이 용이하지만 일함수가 작아 정공의 주입이 용이치 않아 소자 특성이 저하되는 문제점이 있다.As shown in FIG. 2, Pt and Au used as the anode electrode have a good work characteristic because of easy work of injecting holes due to a large work function, but are expensive and difficult to wet and dry etch. Due to the fast diffusion through, there is a problem in that it adversely affects the characteristics of the thin film transistor for driving the pixel.Al also, Al of the anode electrode is cheap and easy to process, but because of its small work function, it is not easy to inject holes. There is a problem of deterioration.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용하여 탑 에미션(Top emission) 방식에서 유기 EL 소자의 전극 제작방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems described above, the object of which is to fabricate an electrode of an organic EL device in a top emission method using a nickel (Nickel), a high work function material as an anode material In providing a method.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 유기 EL 소자의 전극 제작방법은 유리 기판 상에 양극 물질인 니켈(Nickel)을 증착하여 포토리소그라피 공정을 통해 애노드(양극(+)) 전극의 패턴을 형성하는 단계; 애노드 전극 패턴을 형성한 후, 전극 패턴 상에 정공 주입층으로 사용할 수 있는 물질(PEDT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sultponated acid))을 도포하는 단계; PEDT:PSS 물질이 도포된 상태에 고분자/저분자 유기 발광층을 도포하는 단계; 고분자/저분자 유기 발광층 상에 전자 주입 극박막 및 투명 전도층을 이중층으로 캐소드(음극(-)) 전극의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Electrode fabrication method of the organic EL device in the present invention for achieving the above object is to form a pattern of the anode (anode (+)) electrode through a photolithography process by depositing nickel (Nickel) as the anode material on a glass substrate step; After forming the anode electrode pattern, applying a material (PEDT: Pos (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sultponated acid) (PEDT) that can be used as a hole injection layer on the electrode pattern; Applying a polymer / low molecular weight organic light emitting layer to a PEDT: PSS material; And forming a pattern of a cathode (cathode) electrode as a double layer on the polymer / low molecular weight organic light emitting layer by using an electron injection ultra thin film and a transparent conductive layer.
도 1은 유기 이엘(EL) 소자의 발광 방향에 따라 탑 에미션(top emission) 방식과 바텀 에미션(bottom emission) 방식으로 구분되어 도시된 도면이고,FIG. 1 is a diagram divided into a top emission method and a bottom emission method according to an emission direction of an organic EL device.
도 2는 유기 EL 소자에서 Pt 및 Au 금속 전극의 식각 특성을 도시한 도면이며,2 is a diagram illustrating etching characteristics of Pt and Au metal electrodes in an organic EL device,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자에서 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용하여 탑 에미션(Top emission) 방식에서의 전극 제작 과정을 도시한 도면이며,3A to 3D are diagrams illustrating an electrode fabrication process using a top emission method using nickel, which is a high work function material, as an anode material in an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도층 및 Nickel를 이용한 이중층 구조의 양극 구조를 도시한 도면이며,4 is a view showing a bipolar structure of a bi-layer structure using a conductive layer and Nickel according to another embodiment of the present invention,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용할 경우의 전류-전압 특성을 도시한 도면이며,FIG. 5 is a diagram showing current-voltage characteristics when nickel, a high work function material, is used as an anode material according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 유기 EL 소자에서 Nickel 금속 전극의 식각 특성을 도시한 도면이다.6 is a view showing etching characteristics of a Nickel metal electrode in the organic EL device according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : 유리 기판 20 : 애노드(예로, 양극(+)) 전극의 패턴DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass substrate 20 Pattern of an anode (for example, anode (+)) electrode
20-1 : 전도층 30 : PEDT:PSS 물질20-1: conductive layer 30: PEDT: PSS material
40 : 고분자/저분자 유기 발광층 50-1 : 전자 주입 극박막40: polymer / low molecular organic light emitting layer 50-1: electron injection ultra-thin film
50-2 : 투명 전도층50-2: transparent conductive layer
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 유기 EL 소자에서 고일함수 물질인니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용하여 탑 에미션(Top emission) 방식에서의 전극 제작 과정을 도시한 도면이다.3A to 3D are diagrams illustrating an electrode fabrication process using a top emission method using nickel, which is a high work function material, as an anode material in the organic EL device according to the present invention.
즉, 도 3a를 참조하면, 유리 기판(10) 상에 양극 물질인 니켈(Nickel)을 증착하여 포토리소그라피 공정을 통해 애노드(예로, 양극(+)) 전극의 패턴(20)을 형성한다. 여기서, 유리 기판(10) 대신에 플라스틱 기판(10) 상에 전극의 패턴(20)을 형성할 수도 있다.That is, referring to FIG. 3A, nickel (Nickel), which is an anode material, is deposited on the glass substrate 10 to form a pattern 20 of an anode (eg, anode (+)) electrode through a photolithography process. Here, the pattern 20 of the electrode may be formed on the plastic substrate 10 instead of the glass substrate 10.
다음으로, 도 3b와 같이, 애노드 전극 패턴(20)을 형성한 후, 전극 패턴(20) 상에 정공 주입 및 전극 표면의 개질을 위해 정공 주입층으로 사용할 수 있는 물질(PEDT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sultponated acid))(30)을 도포한다.Next, as shown in FIG. 3B, after the anode electrode pattern 20 is formed, a material that can be used as a hole injection layer for hole injection and modification of the electrode surface on the electrode pattern 20 (PEDT: PSS (Poly ( 3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sultponated acid)) (30).
PEDT:PSS 물질(30)이 도포된 상태에서, 도 3c에 도시된 바와 같이, PEDT:PSS 물질(30) 상에 고분자 유기 발광층(40)을 이베퍼레이션, 스핀 코팅, 잉크젯 방법을 이용하여 전면 또는 선택 영역에 도포한다. 여기서, 고분자 유기 발광층(40) 대신에 저분자 유기 발광층(40)을 도포할 수도 있으며, 특히 스핀 코팅 방법을 이용하여 도포할 경우, 100℃의 진공 상태에서 건조한다.In the state where the PEDT: PSS material 30 is applied, the polymer organic light emitting layer 40 is coated on the PEDT: PSS material 30 using an evaporation, spin coating, or inkjet method as shown in FIG. 3C. Or to a selected area. Here, the low molecular weight organic light emitting layer 40 may be applied instead of the high molecular weight organic light emitting layer 40. In particular, when the spin coating method is applied, the low molecular weight organic light emitting layer 40 may be dried in a vacuum at 100 ° C.
마지막으로, 고분자/저분자 유기 발광층(40) 상에 저 일함수를 갖는 투명 전자 주입층으로 알루미늄(Al), 리튬(Li), 리튬 플로라이드(LiF), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag)인 전자 주입 극박막(50-1)과, 전기 전도도가 좋은 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide)인 투명 전도층(50-2)을 이중층으로 캐소드(예로, 음극(-)) 전극의 패턴을 형성한다.Lastly, a transparent electron injection layer having a low work function on the polymer / low molecular organic light emitting layer 40 includes aluminum (Al), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg), calcium (Ca), A cathode (for example, a cathode) electrode is formed by using a double layer of an electron injection ultrathin film 50-1, which is silver (Ag), and a transparent conductive layer 50-2, which is ITO (IZO) or indium zinc oxide (IZO) having good electrical conductivity. Form a pattern.
한편, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도층 및 Nickel를 이용한 이중층 구조의 양극 구조를 도시한 도면으로서, 상술한 도 3a의 과정에서 애노드 전극 패턴을 형성할 때, Al, 구리(Cu), Al-alloy, ITO의 전도층(20-1)과 니켈(Nickel)(20)을 이중층으로 애노드 전극 패턴을 형성하는 구조를 나타낸다.On the other hand, Figure 4 is a diagram showing the anode structure of the double layer structure using a conductive layer and Nickel according to another embodiment of the present invention, when forming the anode electrode pattern in the process of Figure 3a, Al, copper (Cu ), An Al-alloy, ITO conductive layer 20-1 and nickel (Nickel) 20 is a double layer to form an anode electrode pattern.
그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용할 경우의 전류-전압 특성을 도시한 도면으로서, 니켈(Nickel)을 양극 물질을 사용할 경우, ITO, Al에 비해 낮은 구동 전압에도 동일한 전류의 소자 특성을 갖는 반면에, Pt의 양극 물질을 사용할 경우, 니켈(Nickel)의 양극 물질을 사용할 경우에 비해 보다 낮은 구동 전압에도 동일한 전류를 갖는 소자 특성이지만 Pt의 양극 물질은 가격이 비싸고 습식 및 건식 식각이 어렵다는 특성이 있다.FIG. 5 is a diagram illustrating current-voltage characteristics when nickel, which is a high work function material, is used as an anode material, according to an embodiment of the present invention. When nickel is used as an anode material, ITO, Compared with Al, the device has the same current characteristics at lower driving voltages, whereas Pt anode material has the same current at lower drive voltages than the nickel anode material. Anode material is expensive and difficult to wet and dry etching.
이와 같이, 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용함에 따라 도 6에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자에서 Nickel 금속 전극의 식각 특성이 향상되어 소자 특성이 향상됨을 보여주고 있다.As described above, as nickel (Nickel), which is a high work function material, is used as the anode material, as shown in FIG. 6, the etching characteristics of the Nickel metal electrode are improved in the organic EL device, thereby improving device characteristics.
상기와 같이 설명한 본 발명은 고일함수 물질인 니켈(Nickel)을 양극 재료로 사용하여 탑 에미션(emission) 방식에서 유기 EL 소자의 전극 제작을 수행함에 따라 알루미늄(Al) 또는 ITO의 양극 물질에 비해 정공 주입 특성이 향상되어 소자 특성이 향상되며, Pt 또는 Au에 비해 가격이 저렴하며 건식 및 습식 식각에 용이하다는 효과가 있다.As described above, the present invention uses nickel as a high work function material as an anode material to fabricate an electrode of an organic EL device in a top emission method, compared to an anode material of aluminum or ITO. The hole injection characteristics are improved, and thus the device characteristics are improved, and the price is lower than that of Pt or Au, and it is easy to dry and wet etching.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020047121A KR20040013969A (en) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020047121A KR20040013969A (en) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040013969A true KR20040013969A (en) | 2004-02-14 |
Family
ID=37321228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020047121A KR20040013969A (en) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20040013969A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100708647B1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Electroluminescence display device |
KR100721562B1 (en) * | 2004-12-03 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting device having cathode of magnesium-calcium layer and fabrication method of the same |
US8076733B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-12-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device having an organic thin film transistor and method of manufacturing the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR890015643A (en) * | 1988-03-11 | 1989-10-30 | 미다 가쓰시게 | Light emitting device |
JPH06248260A (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-06 | Ricoh Co Ltd | Electroluminescent element |
JPH08104867A (en) * | 1994-08-08 | 1996-04-23 | Hoechst Japan Ltd | Organic electroluminescent element |
KR100374433B1 (en) * | 1995-04-28 | 2003-06-09 | 훽스트 악티엔게젤샤프트 | Device for detecting wire defects in the wiring board |
-
2002
- 2002-08-09 KR KR1020020047121A patent/KR20040013969A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR890015643A (en) * | 1988-03-11 | 1989-10-30 | 미다 가쓰시게 | Light emitting device |
JPH06248260A (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-06 | Ricoh Co Ltd | Electroluminescent element |
JPH08104867A (en) * | 1994-08-08 | 1996-04-23 | Hoechst Japan Ltd | Organic electroluminescent element |
KR100374433B1 (en) * | 1995-04-28 | 2003-06-09 | 훽스트 악티엔게젤샤프트 | Device for detecting wire defects in the wiring board |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100708647B1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Electroluminescence display device |
KR100721562B1 (en) * | 2004-12-03 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting device having cathode of magnesium-calcium layer and fabrication method of the same |
US8569945B2 (en) | 2004-12-03 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device having cathode including a magnesium-calcium layer and method for fabricating the same |
US8076733B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-12-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device having an organic thin film transistor and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100700004B1 (en) | Both-sides emitting organic electroluminescence display device and fabricating Method of the same | |
US7663147B2 (en) | Display apparatus and fabricating method thereof | |
US7906898B2 (en) | Organic light emitting device with increased luminescence | |
US7911128B2 (en) | Organic electroluminescence display device having anode and drain sealing structure and a method for fabricating thereof | |
US9740073B2 (en) | Complex display device | |
US10164207B2 (en) | Organic light-emitting device and method for manufacturing same | |
US6524884B1 (en) | Method for fabricating an organic electroluminescene device having organic field effect transistor and organic eloectroluminescence diode | |
JP2004518994A (en) | Display device | |
US6483123B1 (en) | Organic electroluminescent device having organic field effect transistor and organic light-emitting diode and method for fabricating the same | |
US20100215838A1 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent device | |
US20190245021A1 (en) | Electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
KR100805270B1 (en) | Flexible organic light emitting diode using transparent organic based electrode and method for manufacturing this | |
US7023131B2 (en) | Active matrix organic light emitting display and method of forming the same | |
KR102612801B1 (en) | Optoelectronic device, flat display and optoelectronic device manufacturing method using the same | |
KR20040013969A (en) | Method for fabricating an electrode in organic electro luminescence display | |
KR100782938B1 (en) | an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same | |
KR20050079097A (en) | Organic electro-luminescent display device and method therefor | |
US11690241B2 (en) | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer | |
KR101318745B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display Device And Fabricating Method Thereof | |
JP2005259469A (en) | Organic electroluminescence display device | |
JP2004152595A (en) | Display apparatus | |
US20080090014A1 (en) | Organic light emitting display having light absorbing layer and method for manufacturing same | |
KR100488428B1 (en) | Organic Electro Luminescent Display Device, and Method for Manufacturing the same | |
JP2004119342A (en) | Organic el stack type organic switching element and organic el display | |
KR101097789B1 (en) | Organic electroluminescence device having muti-electroluminescence layer and method for rabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |