KR101318745B1 - Organic Electro Luminescence Display Device And Fabricating Method Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

본 발명의 유기 전계발광표시소자의 유기발광층은 상기 제1 전극 위에 형성된 정공 관련층과; 상기 제2 전극 아래에 위치하는 전자 관련층과; 상기 정공 관련층과 전자 관련층 사이에 위치하며 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 구비한다. 상기 무기 나노 입자는 SiO2, TiO4, ZnO 중 어느 하나를 포함한다. 상기 무기 나노 입자는 상기 발광층에 0.1~5wt%의 중량비로 첨가된다. 상기 무기 나노 입자 각각은 1~10 ㎚ 사이의 직경을 갖는다.The organic light emitting layer of the organic electroluminescent display device of the present invention comprises a hole related layer formed on the first electrode; An electron related layer positioned below the second electrode; The light emitting layer is disposed between the hole related layer and the electron related layer and is interspersed with inorganic nanoparticles. The inorganic nanoparticles include any one of SiO 2 , TiO 4 , and ZnO. The inorganic nanoparticles are added to the light emitting layer in a weight ratio of 0.1 to 5 wt%. Each of the inorganic nanoparticles has a diameter between 1 and 10 nm.

Description

유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법{Organic Electro Luminescence Display Device And Fabricating Method Thereof} Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof {Organic Electro Luminescence Display Device And Fabricating Method Thereof}

도 1은 종래의 유기 전계발광표시소자의 하나의 유기발광셀 및 발광원리를 나타내는 도면. 1 is a view showing one organic light emitting cell and a light emitting principle of a conventional organic electroluminescent display device.

도 2는 종래 발광층 내에서의 전자와 정공의 이동경로를 모식화한 도면. 2 is a diagram schematically illustrating a movement path of electrons and holes in a conventional light emitting layer.

도 3은 본 발명에 따른 유기 전계발광표시소자를 나타내는 도면. 3 is a view showing an organic electroluminescent display device according to the present invention.

도 4는 도 3에서의 하나의 유기발광셀 및 발광층을 구체적으로 나타내는 도면. 4 is a view illustrating in detail one organic light emitting cell and a light emitting layer of FIG. 3.

도 5는 절연물질의 나노 입자 주변으로 전자 및 정공이 유입된 형상을 모식화한 도면. FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a shape in which electrons and holes are introduced around nanoparticles of an insulating material. FIG.

도 6은 금속 나노 입자 주변으로 전자 및 정공이 유입된 형상을 모식화한 도면. FIG. 6 is a view schematically illustrating a shape in which electrons and holes are introduced around metal nanoparticles. FIG.

도 7은 본 발명에서의 발광층 내에서의 발광현상을 모식화한 도면. 7 is a view schematically illustrating the light emission phenomenon in the light emitting layer in the present invention.

도 8은 본원발명에 따른 유기전계발광표시소자의 제조방법을 단계적으로 나타내는 순서도.8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention in stages.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>         <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2,102 : 기판 4,104 : 제1 전극(애노드전극) 2,102 substrate 4,104 first electrode (anode electrode)

10,110 : 유기전계발광층 12,112 : 제2 전극(캐소드 전극) 10,110: organic light emitting layer 12,112: second electrode (cathode electrode)

180 : 무기 나노 입자 128 : 패키징 판 180: inorganic nanoparticles 128: packaging plate

126 : 실런트 114 ; 박막 트랜지스터 어레이부 126: sealant 114; Thin film transistor array unit

172 : 게터 10a,110a : 전자 주입층172: getter 10a, 110a: electron injection layer

10b,110b : 전자 수송층 10c,110c : 발광층 10b, 110b: electron transport layer 10c, 110c: light emitting layer

10d,110d : 정공 수송층 10e,110e : 정공 주입층 10d, 110d: hole transport layer 10e, 110e: hole injection layer

본 발명은 유기 전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 발광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent display device capable of improving luminous efficiency and a method of manufacturing the same.

최근들어, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 PDP"라 함) 및 일렉트로 루미네센스(Electro-luminescence:이하 "EL "이라 함)표시장치 등이 있다. 이와 같은 평판표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하 는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube (CRT), have been developed. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (hereinafter referred to as PDPs), and electroluminescence. Nessence ("EL") display devices, etc. There are active researches to improve the display quality of such a flat panel display device and attempt to enlarge the screen.

이들 중 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체공정을 이용하기 때문에 대화면화에 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있고, 편광필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다. Among these PDPs, PDPs are attracting attention as a display device that is most advantageous for large screen size but large screen size because of simple structure and manufacturing process, but it has disadvantage of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. On the other hand, an active matrix LCD having a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) as a switching element has a disadvantage in that it is difficult to large screen due to the semiconductor process and consumes a lot of power due to the backlight unit. , Optical prism sheet, diffusion plate, etc. are characterized by high optical loss and narrow viewing angle.

이에 비하여, EL소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 무기전계발광소자는 유기전계발광소자에 비하여 전력소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며 R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 없다. 반면에, 유기전계발광소자는 수십 볼트의 낮은 직류 전압에서 구동됨과 아울러, 빠른 응답속도를 가지고, 고휘도를 얻을 수 있으며 R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판 디스플레이소자에 적합하다. On the other hand, EL devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices according to the material of the light emitting layer. The EL devices are self-luminous devices that emit light by themselves, and have a high response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle. In comparison with the organic light emitting device, the inorganic light emitting device has a high power consumption and cannot obtain high luminance, and cannot emit various colors of R, G, and B. On the other hand, the organic light emitting diode is driven at a low DC voltage of several tens of volts, has a fast response speed, obtains high luminance, and emits various colors of R, G, and B, which is suitable for next-generation flat panel display devices. .

도 1은 종래의 유기 EL표시소자의 하나의 유기발광셀(EL셀) 및 유기발광셀(EL셀)의 발광원리를 나타내는 도면이다.1 is a view showing the light emission principle of one organic light emitting cell (EL cell) and organic light emitting cell (EL cell) of a conventional organic EL display device.

도 1에 도시된 유기발광셀(EL셀)은 제1 전극(또는 애노드전극)(4)과 제2 전극(또는 캐소드전극)(12) 사이에 형성된 유기발광층(10)을 포함하고, 유기발광층(10)에는 전자주입층(10a), 전자 수송층(10b), 발광층(10c), 정공 수송층(10d), 정공 주입층(10e)이 구비한다. The organic light emitting cell (EL cell) illustrated in FIG. 1 includes an organic light emitting layer 10 formed between the first electrode (or anode electrode) 4 and the second electrode (or cathode electrode) 12, and the organic light emitting layer The electron injection layer 10a, the electron transport layer 10b, the light emitting layer 10c, the hole transport layer 10d, and the hole injection layer 10e are provided at 10.

정공주입층(10e)은 정공의 농도를 조절하고 정공 수송층(10d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(4)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다. The hole injection layer 10e controls the concentration of holes and the hole transport layer 10d controls the movement speed of the holes so that holes generated in the first electrode 4 can be easily injected into the light emitting layer 10c. .

전자주입층(10a) 및 전자수송층(10b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(12)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다.The electron injection layer 10a and the electron transport layer 10b serve to easily inject electrons generated from the second electrode 12 into the light emitting layer 10c by adjusting the concentration and speed of the electrons.

발광층(10c)은 광을 발생시키는 기능을 주로 하지만 전자 혹은 정공을 운반하는 기능도 함께 한다. 발광층(10c)은 필요에 따라 발광물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. The light emitting layer 10c mainly functions to generate light, but also serves to transport electrons or holes. The light emitting layer 10c may be a light emitting material used alone or a light emitting material doped in a host material.

이러한 유기발광셀(EL셀)의 제1 전극(4)과 제2 전극(12) 사이에 전압이 인가되면, 제2 전극(12)으로부터 발생된 전자(e-)는 전자 주입층(10a) 및 전자 수송층(10b)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동된다, 또한, 제1 전극(4)으로 부터 발생된 정공(H+)은 정공 주입층(10d) 및 정공 수송층(10d)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층(10c)에서는 전자 수송층(10b)과 정공 수송층(10d)으로부터 공급되어진 전자(e-)와 정공(H+)이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 되고, 이 빛은 제1 전극(4)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다. When a voltage is applied between the first electrode 4 and the second electrode 12 of the organic light emitting cell (EL cell), electrons e generated from the second electrode 12 are transferred to the electron injection layer 10a. And a hole H + generated from the first electrode 4 through the electron transport layer 10b, through the hole injection layer 10d and the hole transport layer 10d. Go to 10c). Accordingly, in the light emitting layer 10c, light is generated by collision and recombination of electrons (e ) and holes (H + ) supplied from the electron transporting layer 10b and the hole transporting layer 10d, and the light is generated by the first electrode. Through (4), it is emitted to the outside and an image is displayed.

한편, 종래의 유기발광층(110)들은 모두 유기물로 이루어진다. 유기물들에 형성되는 결정립계(grain boundary)로 인하여 전자(e-)와 정공(H+)의 이동이 저항을 받게 된다. 즉, 유기물 자체의 저항성으로 인하여 전자(e-)와 정공(H+)이 저항을 받게 됨으로써 도 2에 도시된 바와 같이 많은 양의 전자(e-)와 정공(H+)이 서로 재결합하지 못하고 발광층(10c)을 통과하게 된다. 따라서, 유기발광셀(EL셀)의 발광효율이 저하된다. On the other hand, the conventional organic light emitting layer 110 is all made of an organic material. The grain boundary formed in the organic materials causes the movement of electrons (e ) and holes (H + ) to be resisted. That is, due to the resistance of the organisms themselves electron (e -) a large amount of electron (e -), as is the hole (H +) in Fig. 2 by being subjected to resistance and a hole (H +) are unable to recombine with each other Passes through the light emitting layer 10c. Therefore, the luminous efficiency of the organic light emitting cell (EL cell) is reduced.

본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법을 제공한다. The present invention provides an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, which can improve luminous efficiency.

본 발명의 유기 전계발광표시소자의 유기발광층은 상기 제1 전극 위에 형성된 정공 관련층과; 상기 제2 전극 아래에 위치하는 전자 관련층과; 상기 정공 관련층과 전자 관련층 사이에 위치하며 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 구비한다.
상기 무기 나노 입자는 SiO2, TiO4, ZnO 중 어느 하나를 포함한다.
상기 무기 나노 입자는 상기 발광층에 0.1~5wt%의 중량비로 첨가된다.
상기 무기 나노 입자 각각은 1~10 ㎚ 사이의 직경을 갖는다.
The organic light emitting layer of the organic electroluminescent display device of the present invention comprises a hole related layer formed on the first electrode; An electron related layer positioned below the second electrode; The light emitting layer is disposed between the hole related layer and the electron related layer and is interspersed with inorganic nanoparticles.
The inorganic nanoparticles include any one of SiO 2 , TiO 4 , and ZnO.
The inorganic nanoparticles are added to the light emitting layer in a weight ratio of 0.1 to 5 wt%.
Each of the inorganic nanoparticles has a diameter between 1 and 10 nm.

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상기 유기 전계발광표시소자의 제조방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 위에 정공 관련층을 형성하는 단계와; 상기 정공 관련층 위에 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층 위에 전자 관련층을 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing the organic electroluminescent display device includes forming a first electrode on a substrate; Forming an organic emission layer on the first electrode; Forming a second electrode on the organic light emitting layer, and forming the organic light emitting layer comprises: forming a hole related layer on the first electrode; Forming a light emitting layer interspersed with inorganic nanoparticles on the hole related layer; Forming an electron related layer on the light emitting layer.

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상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 8. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 유기EL소자를 나타내는 도면이다. 3 is a view showing an organic EL device according to the present invention.

도 3에 도시된 유기EL표시소자는 투명한 기판(102)의 상부에 형성된 박막트랜지스터(T) 어레이부(114)와, 상기 박막트랜지스터(T) 어레이부(114) 상에 형성되며 유기발광셀(EL셀)이 매트릭스 형태로 배열된 유기EL어레이(150)가 형성된다. 유기발광셀(EL셀)은 제1 전극(또는 애노드전극)(104), 유기 발광층(110) 및 제 2 전극(또는 캐소드전극)(112)으로 구성된다. The organic EL display device illustrated in FIG. 3 is formed on the thin film transistor (T) array unit 114 formed on the transparent substrate 102 and the thin film transistor (T) array unit 114 and is formed on the organic light emitting cell ( An organic EL array 150 in which the EL cells are arranged in a matrix form is formed. The organic light emitting cell (EL cell) includes a first electrode (or anode electrode) 104, an organic light emitting layer 110, and a second electrode (or cathode electrode) 112.

유기EL어레이(150)의 유기물은 수분 및 산소에 쉽게 열화되는 특성을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 봉지(Encapsulation) 공정이 실시됨으로써 유기EL어레이(150)가 형성된 기판(102)과 패키징 판(128)이 실런트(126)를 통해 합착된다. The organic material of the organic EL array 150 has a property of being easily degraded by moisture and oxygen. In order to solve this problem, an encapsulation process is performed to bond the substrate 102 and the packaging plate 128 on which the organic EL array 150 is formed through the sealant 126.

패키징 판(128)은 유기EL소자의 발광시 발생하는 열을 방출함과 아울러 외력이나 대기중의 산소 및 수분으로부터 유기EL어레이(150)를 보호하게 된다. The packaging plate 128 emits heat generated when the organic EL element emits light and protects the organic EL array 150 from external force or oxygen and moisture in the atmosphere.

게터(getter)(172)는 패키징 판(128)의 일부가 식각된 후 식각된 부분에 채워지고 반투막(125)에 의해 고정된다. The getter 172 is filled in the etched portion after a portion of the packaging plate 128 is etched and fixed by the semipermeable membrane 125.

도 4는 도 3에 도시된 유기EL표시소자의 유기발광셀(EL셀)을 구체적으로 도 시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating in detail an organic light emitting cell (EL cell) of the organic EL display device illustrated in FIG. 3.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광셀(EL셀)은 제1 전극(또는 애노드전극)(104)과 제2 전극(또는 캐소드전극)(112) 사이에 형성된 유기발광층(110)을 포함하고, 유기발광층(110)에는 전자주입층(110a), 전자 수송층(110b), 무기 나노입자(180)들이 첨가된 발광층(110c), 정공 수송층(110d), 정공 주입층(110e)이 구비한다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting cell (EL cell) according to the present invention includes an organic light emitting layer 110 formed between a first electrode (or anode electrode) 104 and a second electrode (or cathode electrode) 112. The organic light emitting layer 110 includes an electron injection layer 110a, an electron transport layer 110b, an emission layer 110c to which inorganic nanoparticles 180 are added, a hole transport layer 110d, and a hole injection layer 110e. do.

정공주입층(110e)은 정공의 농도를 조절하고 정공 수송층(110d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(104)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(110c)에 주입되게 하는 역할을 한다. The hole injection layer 110e controls the concentration of holes and the hole transport layer 110d controls the movement speed of the holes so that holes generated in the first electrode 104 can be easily injected into the light emitting layer 110c. .

전자주입층(110a) 및 전자수송층(110b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(112)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(110c)에 주입되게 하는 역할을 한다. The electron injection layer 110a and the electron transport layer 110b serve to easily inject electrons generated from the second electrode 112 into the light emitting layer 110c by adjusting the concentration and speed of the electrons.

제1 전극(104)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명전도성 물질로 형성되며 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 등이 포함될 수도 있다. The first electrode 104 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and gold (Au), platinum (Pt), and copper (Cu). Etc. may be included.

정공주입층(110e)은 주로 코퍼프탈로시아나인(Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10 ~ 30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. The hole injection layer 110e is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm.

정공수송층(110d)은 주로 N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine(NPD) 를 증착함으로써 형성된다. 이때, 정공수송층은 약 30 ~ 60 nm의 두께를 가지게 된다. The hole transport layer 110d is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD). At this time, the hole transport layer has a thickness of about 30 ~ 60 nm.

전자수송층(10b)은 Alq3 등의 금속착체 화합물들이 사용되며, 약 20 ~ 50 nm의 두께를 가지도록 증착된다. The electron transport layer 10b is made of metal complex compounds such as Alq 3 and is deposited to have a thickness of about 20 to 50 nm.

전자주입층(10a)은 약 30 ~ 60 nm의 두께를 가지도록 알칼리 금속 유도체를 증착함으로써 형성된다. The electron injection layer 10a is formed by depositing an alkali metal derivative to have a thickness of about 30 to 60 nm.

발광층(110c)은 광을 발생시키는 기능을 주로 하지만 전자 혹은 정공을 운반하는 기능도 함께 한다. The light emitting layer 110c mainly functions to generate light, but also serves to transport electrons or holes.

이러한, 발광층(110c)은 필요에 따라 발광물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. 예를 들어, tris-(8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)와 같은 호스트에 N-methylquinacridone(MQD)와 같은 물질을 도핑함으로써 형성된다. 이에 더하여, 본원발명에서의 발광층(110c)은 무기 나노(nano) 입자(180)를 더 포함한다. 여기서, 무기 나노 입자(180)는 발광층(110c)의 중량을 100wt%라 할 때 0.1~5wt% 정도의 중량비로 발광층(110c)에 첨가되며, 도 4에 도시된 바와 같이 발광층(110c) 내에서 고르게 산재되어 있다. 이러한, 무기 나노 입자(180)는 제1 전극(104)에서의 전자와 제2 전극에서의 정공 간의 재결합을 촉진시킴으로써 전자와 정공간의 재결합율을 증가시킨다. 그 결과, 유기발광셀의 발광효율이 향상될 수 있게 된다. As such, the light emitting layer 110c may use a light emitting material alone or a light emitting material doped in a host material as necessary. For example, it is formed by doping a material such as N-methylquinacridone (MQD) into a host such as tris- (8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq 3 ). In addition, the light emitting layer 110c according to the present invention further includes inorganic nanoparticles 180. Herein, the inorganic nanoparticles 180 are added to the light emitting layer 110c at a weight ratio of about 0.1 to 5wt% when the weight of the light emitting layer 110c is 100wt%, and as shown in FIG. 4, in the light emitting layer 110c. Spread evenly The inorganic nanoparticles 180 increase the recombination rate of electrons and the positive space by promoting recombination between electrons in the first electrode 104 and holes in the second electrode. As a result, the luminous efficiency of the organic light emitting cell can be improved.

이를 도 5 및 도 6을 참조하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail with reference to FIGS. 5 and 6 as follows.

먼저, 본원발명에서의 무기 나노 입자(180)는 절연무기물질이나 금속이 이용될 수 있다. First, the inorganic nanoparticles 180 of the present invention may be an insulating inorganic material or a metal.

도 5는 무기 나노 입자(180)로 절연무기물질인 산화실리콘(SiO2)가 이용되는 경우 전자와 정공이 산화실리콘(SiO2) 입자 주위로 집중됨을 모식화한 도면이다.FIG. 5 is a view schematically illustrating that electrons and holes are concentrated around silicon oxide (SiO 2 ) particles when an inorganic inorganic material silicon oxide (SiO 2 ) is used as the inorganic nanoparticles 180.

산화실리콘(SiO2)은 무기절연물질로 소정의 유전율을 가지게 됨으로써 산화실리콘(SiO2) 입자를 사이에 두고 전자(e-)와 정공(H+)이 충전될 수 있게 된다. 이러한 원리에 따라 산화실리콘(SiO2) 입자 주변에서는 많은 양의 전자(e-)와 정공(H+)들이 집중할 수 있게 됨으로써 전자(e-) 정공(H+)의 재결합 확율이 높아지게 된다. Since silicon oxide (SiO 2 ) has a predetermined dielectric constant as an inorganic insulating material, electrons (e ) and holes (H + ) may be charged with the silicon oxide (SiO 2 ) particles interposed therebetween. In the peripheral silicon oxide (SiO 2) particles in accordance with this principle, a large amount of the electron (e -) and holes (H +) are able to focus being electron (e -), the greater the recombination probability of the hole (H +).

도 6은 무기 나노 입자(180)로서 TiO4, ZnO 등의 금속 입자가 이용되는 경우 전자(e-) 정공(H+)이 금속 입자로 집중됨을 모식화한 도면이다. FIG. 6 is a view schematically illustrating that electrons (e ) holes (H + ) are concentrated to metal particles when metal particles such as TiO 4 and ZnO are used as the inorganic nanoparticles 180.

금속결합은 자유전자 바닷속에 금속 원자의 양이온이 떠 있는 것과 같은 상태로서 자유전자와 양이온 사이의 정전기적 인력에 의해 전체를 결합시키는 작용을 한다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이 금속입자 내에는 다수의 자유전자(-)와 양이온(+)이 위치하게 됨과 아울러 양이온(+)과 전자(e-) 사이의 정전기적 인력과, 자유전자(-)와 정공(H+) 사이에 정전기적 인력이 작용할 수 있게 된다. 그 결과, 금속입자 주변에는 많은 양의 정공과 전자가 집중될 수 있게 됨으로써 도 7에 도시된 바와 같이 발광층(110c) 내에서의 전자(e-) 정공(H+)의 재결합이 증가하여 유기발광셀의 발광효율이 향상될 수 있게 된다. A metal bond is a state in which a cation of a metal atom floats in a sea of free electrons, and functions to bind the whole by the electrostatic attraction between the free electron and the cation. Accordingly, as shown in FIG. 6, a plurality of free electrons (-) and cations (+) are located in the metal particles, as well as the electrostatic attraction between the cations (+) and the electrons (e ), and the free electrons ( Electrostatic attraction can act between-) and hole (H + ). As a result, a large amount of holes and electrons can be concentrated around the metal particles, thereby increasing recombination of electrons (e ) holes (H + ) in the light emitting layer 110c, as shown in FIG. 7. The luminous efficiency of the cell can be improved.

이와 같이, 본원발명에 따른 유기EL표시장치는 발광층(110c) 내에 무기 나노 입자(180)를 산재시킴에 따라 종래 비해 전자(e-)와 정공(H+)간의 재결합 확율을 증가시켜 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다. As such, the organic EL display device according to the present invention increases the probability of recombination between electrons (e ) and holes (H + ) as compared to the prior art by scattering inorganic nanoparticles 180 in the light emitting layer 110c. It can be improved.

이하, 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 유기EL표시소자의 제조방법에 대해 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, a method of manufacturing an organic EL display device according to the present invention will be described with reference to FIG. 8.

먼저, 능동형 유기EL표시소자의 경우에는 기판 위에 신호라인, 박막 트랜지스터(T) 등을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이부가 형성된다.(S10) First, in an active organic EL display device, a thin film transistor array unit including a signal line, a thin film transistor T, and the like is formed on a substrate (S10).

박막 트랜지스터(T) 어레이부(114)가 형성된 기판(102) 상에 아르곤(Ar) 플라즈마를 이용한 스퍼터링 등의 증착방법, 노즐코팅, 스핀코팅, 롤 프린팅 방식 등을 이용하여 금속투명도전성물질이 증착된 후 포토리쏘그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 제1 전극(104)이 형성된다.(S20) A metal transparent conductive material is deposited on the substrate 102 on which the thin film transistor (T) array unit 114 is formed using a deposition method such as sputtering using an argon (Ar) plasma, a nozzle coating, a spin coating, a roll printing method, or the like. After that, the first electrode 104 is formed by patterning the photolithography process and the etching process.

여기서, 박막 트랜지스터(T) 어레이부(114)에는 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 및 폴리 실리콘(Poly-Si) 중 적어도 하나가 이용되고, 제1 전극(104)의 투명도전성물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명전도성 물질로 형성되며 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 등이 포함될 수 도 있다. Here, at least one of amorphous silicon (a-Si) and polysilicon (Poly-Si) is used for the thin film transistor (T) array unit 114, and ITO (Indium) is used as the transparent conductive material of the first electrode 104. Tin oxide, indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO) are formed of a transparent conductive material, and may include gold (Au), platinum (Pt), copper (Cu), and the like.

여기서, 수동형 유기EL표시소자에서는 박막 트랜지스터 어레이부(114)가 구 비되지 않으므로 수동형 유기EL표시소자를 형성하는 경우에는 기판(102) 위에 직접 제1 전극(104)이 형성된다. In the passive organic EL display device, since the thin film transistor array unit 114 is not provided, the first electrode 104 is formed directly on the substrate 102 when the passive organic EL display device is formed.

제1 전극(104)이 형성된 기판(102) 상에 저분자 화합물인 경우에는 진공증착법, 고분자 화합물의 경우에는 노즐코팅, 스핀 코팅(Spin Coating), 잉크젯 프린팅 방식, 롤 프린팅 방식 등을 이용하여 정공주입층(110e)(S32) 및 정공수송층(110d)(S34), 무기 나노 입자(180)가 첨가된 발광층(108c)(S36) 및 전자수송층(110b)(S38) 및 전자주입층(110a)(S40)이 순차적으로 적층된다. 이에 따라, 제1 전극(104)이 형성된 기판(102) 상에 유기발광층(110)이 형성된다.(S30) On the substrate 102 on which the first electrode 104 is formed, hole injection is performed using a vacuum deposition method in the case of a low molecular compound, a nozzle coating, a spin coating, an inkjet printing method, a roll printing method, or the like in the case of a polymer compound. Layers 110e (S32) and hole transport layers 110d (S34), light emitting layers 108c (S36) and electron transport layers 110b (S38) and electron injection layers 110a (to which inorganic nanoparticles 180 are added) ( S40) are sequentially stacked. As a result, the organic light emitting layer 110 is formed on the substrate 102 on which the first electrode 104 is formed.

여기서, 무기 나노 입자(180)가 첨가된 발광층(108c)은 발광물질이 저분자 화합물인 경우 무기 나노 입자 파우더 및 발광물질을 각각 마련하고, 진공증착법을 이용하여 발광물질을 증착시킴과 동시에 무기 나노 입자 파우더를 증발시킴으로써 무기 나노 입자(180)가 산재된 발광층(108c)을 형성할 수 있게 된다.Herein, when the light emitting material is a low molecular compound, the light emitting layer 108c to which the inorganic nanoparticles 180 are added is provided with the inorganic nanoparticle powder and the light emitting material, respectively, and the inorganic nanoparticles are deposited at the same time using the vacuum deposition method. By evaporating the powder, it is possible to form the light emitting layer 108c interspersed with the inorganic nanoparticles 180.

또한, 발광물질이 고분자 화합물인 경우에는 무기 나노 입자 파우더를 고분자 화합물 용액에 혼합한 후 코팅, 스핀 코팅(Spin Coating), 잉크젯 프린팅 방식, 롤 프린팅 방식 등을 이용하여 형성한다. In addition, when the light emitting material is a high molecular compound, the inorganic nanoparticle powder is mixed with the high molecular compound solution, and then formed by coating, spin coating, inkjet printing, roll printing, or the like.

무기 나노입자(180)는 산화실리콘(SiO2) 등의 무기 절연물질 또는 TiO4, ZnO 등의 금속물질이 이용되며, 무기 나노입자 각각은 1~10 ㎚ 사이의 직경을 갖는다.The inorganic nanoparticles 180 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or a metal material such as TiO 4 or ZnO. Each of the inorganic nanoparticles may have a diameter of 1 to 10 nm.

유기발광층(110)이 형성된 기판(102) 상에 일함수가 낮은 금속물질이 스퍼터링 등에 의해 증착됨으로써 제2 전극(100)이 형성된다.(S50) The second electrode 100 is formed by depositing a metal material having a low work function by sputtering or the like on the substrate 102 on which the organic light emitting layer 110 is formed (S50).

여기서, 일함수가 낮은 금속전극으로는 Al, Li, Ca, Mg, Ba 등이 이용될 수 있다. Here, Al, Li, Ca, Mg, Ba, etc. may be used as the metal electrode having a low work function.

한편, 이와 같은 무기 나노 입자(180)이 첨가되어 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광층(110c)은 수동 유기EL표시소자에도 이용될 수 있으며 하부 발광방식 유기EL소자 뿐만 아니라, 상부 발광방식 유기EL소자 및 수동 유기EL소자에도 이용될 수 있다.On the other hand, the light emitting layer (110c) is added to the inorganic nanoparticles 180 to improve the luminous efficiency can be used in the passive organic EL display device, as well as the bottom emission organic EL device, the top emission organic EL device And passive organic EL devices.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계발광소자 및 그 제조방법은 발광층 내에 무기 나노 입자를 산재시킴에 따라 전자와 정공간의 재결합 확율이 증가됨으로써 발광효율이 향상된다.As described above, the organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention improve the luminous efficiency by increasing the probability of recombination of electrons and constant space as the inorganic nanoparticles are scattered in the light emitting layer.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

Claims (14)

기판 상에서 유기발광층을 사이에 두고 위치하는 제1 및 제2 전극으로 구성되는 유기발광셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 유기 전계발광표시소자에 있어서,In an organic electroluminescent display device in which organic light emitting cells composed of first and second electrodes positioned on an substrate with an organic light emitting layer interposed therebetween are arranged in a matrix form. 상기 유기발광층은 The organic light emitting layer is 상기 제1 전극 위에 형성된 정공 관련층과; A hole related layer formed on the first electrode; 상기 제2 전극 아래에 위치하는 전자 관련층과; An electron related layer positioned below the second electrode; 상기 정공 관련층과 전자 관련층 사이에 위치하며 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 구비하고,A light emitting layer interposed between the hole related layer and the electron related layer and interspersed with inorganic nanoparticles, 상기 무기 나노 입자는 SiO2, TiO4, ZnO 중 어느 하나를 포함하고, The inorganic nanoparticles include any one of SiO 2 , TiO 4 , ZnO, 상기 무기 나노 입자는 상기 발광층에 0.1~5wt%의 중량비로 첨가되고, The inorganic nanoparticles are added to the light emitting layer in a weight ratio of 0.1 to 5wt%, 상기 무기 나노 입자 각각은 1~10 ㎚ 사이의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자. And each of the inorganic nanoparticles has a diameter of between 1 and 10 nm. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판과 상기 유기발광셀들 사이에 위치하는 박막 트랜지스터 어레이부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자. And a thin film transistor array unit positioned between the substrate and the organic light emitting cells. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 정공 관련층은 정공 주입층 및 정공 수송층으로 구분되고, 상기 전자 관련층은 전자 주입층 및 전자 수송층으로 구분되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자. And the hole related layer is divided into a hole injection layer and a hole transport layer, and the electron related layer is divided into an electron injection layer and an electron transport layer. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode on the substrate; 상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계와; Forming an organic emission layer on the first electrode; 상기 유기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, Forming a second electrode on the organic light emitting layer, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는 Forming the organic light emitting layer 상기 제1 전극 위에 정공 관련층을 형성하는 단계와; Forming a hole related layer on the first electrode; 상기 정공 관련층 위에 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 형성하는 단계와;Forming a light emitting layer interspersed with inorganic nanoparticles on the hole related layer; 상기 발광층 위에 전자 관련층을 형성하는 단계를 포함하고,Forming an electron related layer on the light emitting layer, 상기 무기 나노 입자는 SiO2, TiO4, ZnO 중 어느 하나를 포함하고, The inorganic nanoparticles include any one of SiO 2 , TiO 4 , ZnO, 상기 무기 나노 입자는 상기 발광층에 0.1~5wt%의 중량비로 첨가되고, The inorganic nanoparticles are added to the light emitting layer in a weight ratio of 0.1 to 5wt%, 상기 무기 나노 입자 각각은 1~10 ㎚ 사이의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법.The inorganic nanoparticles each have a diameter of between 1 ~ 10 nm manufacturing method of an organic electroluminescent display device. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 형성하는 단계는Forming the light emitting layer interspersed with the inorganic nanoparticles is 상기 무기 나노 입자 파우더를 마련하는 단계와;Preparing the inorganic nanoparticle powder; 발광물질을 마련하는 단계와;Providing a light emitting material; 진공증착법을 이용하여 상기 발광물질을 상기 정공관련층 위에 증착시킴과 동시에 무기 나노 입자 파우더를 상기 상기 정공관련층 상에 증발시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법.And depositing the light emitting material on the hole related layer using a vacuum deposition method and simultaneously evaporating inorganic nanoparticle powder on the hole related layer. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 무기 나노 입자가 산재된 발광층을 형성하는 단계는Forming the light emitting layer interspersed with the inorganic nanoparticles is 상기 무기 나노 입자 파우더를 마련하는 단계와;Preparing the inorganic nanoparticle powder; 발광물질 용액을 마련하는 단계와;Preparing a light emitting material solution; 상기 무기 나노 입자 파우더를 상기 발광물질 용액에 혼합하는 단계와;Mixing the inorganic nanoparticle powder with the light emitting material solution; 상기 무기 나노 입자 파우더가 혼합된 상기 발광물질을 상기 정공관련층 위에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 유기 전계발광표시소자의 제조방법.And coating the light emitting material mixed with the inorganic nanoparticle powder on the hole related layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 박막 트랜지스터 어레이부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법. And forming a thin film transistor array unit positioned between the substrate and the first electrode. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 정공 관련층은 정공 주입층 및 정공 수송층으로 구분되고, 상기 전자 관련층은 전자 주입층 및 전자 수송층으로 구분되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법.The hole related layer is divided into a hole injection layer and a hole transport layer, the electron related layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent display device, characterized in that divided into an electron injection layer and an electron transport layer.
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