KR20040007230A - An SMA connector - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An SMA(Superplastic Metal Alloy) connector is provided to minimize the RF loss by fixing an insulator by a conductive element, the step structure of the insulator and an insertion slip. CONSTITUTION: An SMA connector includes an insulator formed of teflon, and a body part and a central conductive element plated with gold for maximizing the RF characteristics of the conductive materials. The body part serves as a ground. The central conductive part is positioned in the center of the connector. The connector is surrounded by the insulator in the body part. A taper fixes the insulator and the central conductive element. A step transition part is formed in the connection part between the conductive element and the taper. The taper is connected to a center signal part at a side.

Description

에스엠에이 커넥터{An SMA connector}SM Connector {An SMA connector}

본 발명은 초고주파용 초가소성 금속 합금(SMA: superplastic metal alloy) 커넥터에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency superplastic metal alloy (SMA) connector.

최근 통신 기술의 발전과 통신 시장의 확대에 따라 정보통신의 고속화 및 사용 주파수의 상향 조정 등으로 상용 대역이 점차 고주파화 되어가고 있다. 일례로 무선 LAN은 5.8 GHz를 사용하고 있으며, 기존의 유선 방송인 CATV를 무선 CATV로 대치하는 기술인 LMDS(Local Multipoint Distribution Service) 같은 경우는 K-band인 24 ∼ 25 GHz를 사용하고 있다. 또한 위성 통신으로 사용되는 대역인 X-band(8 GHz ∼ 12.5 GHz)와 Ku-band(12.5 GHz ∼ 18 GHz)가 대두되고 있는 현실이다. 이에 따라 미국, 일본 및 유럽 등의 국가들을 중심으로 초고주파 대역의 제품 개발에 박차를 가하고 있다. 이렇듯 점차 상용 대역이 높아짐에 따라 그에 맞는 RF 커넥터의 개발이 중요시 되고 있지만 기존의 RF 커넥터는 일자형 외곽 도체, 일자형 유전체를 사용함으로써 생산이 간편하고, 생산 단가가 낮은 반면, 외곽 압력 고정 방식(barb captured contact)을 사용함으로써 외곽 도체에 구멍을 형성하고, 그로 인해 외곽 도체의 연속성을 방해하게 되어 RF 손실을 발생하는 원인을 제공하게 된다. 또한 초고주파 영역의 커넥터에서 사용되는 방법 중 에폭시 삽입에 의한 고정 방법을 사용하는데 이 방법은 커넥터의 측면에 구멍을 만들어 에폭시를 주입하는 방법으로서 에폭시가 주입되는 부분 또한 임피던스 정합을 위해 도체의 두께를 달리하는 등 제작 공정에 따른 복잡성을 가중, 생산 단가의 상승을 가져왔을 뿐만 아니라 초고주파용 SMA 커넥터를 설계하는데 많은 애로점을 야기시켰다. 따라서 이러한 문제점을 개선함과 동시에 보다 높은 대역에서 사용가능한 SMA 커넥터가 개발필요성이 점증하고 있다.Recently, due to the development of communication technology and the expansion of the communication market, commercial bands are gradually increasing in frequency due to the high speed of information communication and the upward adjustment of the use frequency. For example, a wireless LAN uses 5.8 GHz, and in the case of a local multipoint distribution service (LMDS), which replaces a conventional cable broadcasting CATV with a wireless CATV, a K-band of 24 to 25 GHz is used. In addition, X-band (8 GHz to 12.5 GHz) and Ku-band (12.5 GHz to 18 GHz), which are bands used for satellite communication, are emerging. As a result, we are spurring the development of products in the ultra-high frequency band, mainly in the United States, Japan and Europe. As the commercial band is gradually increased, the development of RF connectors is becoming important. However, conventional RF connectors are simple to produce by using straight outer conductors and straight dielectrics, and have low production costs, while using barb captured The use of contacts creates holes in the outer conductors, thereby disrupting the continuity of the outer conductors, providing a source of RF losses. In addition, a method of fixing by inserting epoxy is used among the methods used in the connector of the ultra-high frequency region. This method is to inject epoxy by making a hole in the side of the connector, and the part where the epoxy is injected also has a different conductor thickness for impedance matching. In addition to increasing the complexity of the manufacturing process, such as the increase in production costs, it also caused a lot of difficulties in designing SMA connectors for high frequency. Therefore, while improving these problems, there is a growing need for the development of SMA connectors that can be used in higher bands.

도 1은 종래의 저주파용 JACK 타입 RF 커넥터의 male과 female부를 나타낸다. 도면에서 (a)는 male부를 (b)는 female부를 나타내고 있으며 고주파용 커넥터와는 구조적으로 많은 차이를 나타낸다. 도 2는 종래의 고주파용 커넥터의 단면도를 나타낸다.1 shows male and female portions of a conventional low frequency JACK type RF connector. In the figure, (a) shows a male part and (b) shows a female part, and shows a large difference in structure from the high-frequency connector. 2 is a sectional view of a conventional high frequency connector.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 낮은 주파수에서 처럼 높은 주파수에서 동일한 특성을 얻기 위해 계단형 구조의 커넥터 외곽 도체를 제공하고, 그에 따라 임피던스 정합을 하기 위해 PTFE 유전체 또한 외곽 커넥터와 일치하도록 계단형 구조의 초고주파용 SMA 커넥터를 제공하는 것을 제 1 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the above-mentioned problems of the prior art, and provides a connector outer conductor of a stepped structure to obtain the same characteristics at high frequencies as at low frequencies, and thus a PTFE dielectric for impedance matching. It is also a first object of the present invention to provide an SMA connector having a stepped structure to match the outer connector.

본 발명은, 주파수가 높아질수록 불연속 부분에 대해 더욱 민감하기 때문에 외곽 도체의 불연속에 의한 RF 손실을 감소시키기 위하여 taper를 이용한 고정방법을 이용하여 제조 공정의 단순화 및 RF 성능을 개선시키는 기술을 제공하는 것을 제 2 목적으로 한다.The present invention provides a technique for simplifying the manufacturing process and improving RF performance by using a fixing method using a taper to reduce the RF loss due to discontinuity of the outer conductor because the frequency is more sensitive to the discontinuous portion. It is a second object.

본 발명은, 높은 주파수에서 양호한 응답 특성을 얻기 위해 step 구조의 커넥터 외곽 도체를 제공하고, 그에 따라 임피던스 정합을 하기 위해 유전체 또한 외곽 커넥터와 일치하도록 다단의 스텝 구조를 이용한 광대역 특성의 초구주파용 SMA 커넥터를 제공하는 것을 제 3 목적으로 한다.The present invention provides a connector outer conductor of a step structure to obtain good response characteristics at a high frequency, and accordingly, a broadband SMA for wideband characteristics using a multi-step structure to match the dielectric and the outer connector for impedance matching. It is a third object to provide a connector.

본 발명은, 높은 주파수에서의 양호한 응답 특성을 얻기 위해 step 과 slot 구조의 커넥터 외곽 도체를 사용하는 기술과, 그에 따라 임피던스 정합을 하기 위해 유전체 또한 외곽 커넥터와 일치하도록 슬롯과 스텝구조를 이용한 광대역 특성의 초고주파용 SMA 커넥터를 제공하는 것을 제 4 목적으로 한다.The present invention provides a technique for using a connector outer conductor of a step and slot structure to obtain good response characteristics at a high frequency, and thus a broadband characteristic using a slot and step structure to match a dielectric and an outer connector for impedance matching. A fourth object of the present invention is to provide an ultra high frequency SMA connector.

본 발명은, 낮은 주파수에서와 같은 동일한 특성을 얻기 위해 계단형 구조의 커넥터 외곽 도체를 사용하는 기술과, 그에 따라 임피던스 매칭을 하기 위해 PTFE 유전체 또한 외곽 커넥터와 일치하도록 도체에 슬릿을 삽입한 SMA 커넥터를 제공하는 것을 제 5 목적으로 한다.The present invention provides a technique of using a stepped connector outer conductor to obtain the same characteristics as at a low frequency, and thus an SMA connector in which a slit is inserted into the conductor so that the PTFE dielectric also matches the outer connector for impedance matching. To provide a fifth object.

본 발명은, 외곽 도체의 불연속에 의한 RF 손실을 감소시키기 위하여 삽입 슬릿(inserted slit)을 이용한 고정방법을 이용하여 제조 공정의 단순화 및 RF 성능 개선시키는 기술을 제공하는 것을 제 6 목적으로 한다.It is a sixth object of the present invention to provide a technique for simplifying the manufacturing process and improving RF performance by using a fixing method using an inserted slit to reduce RF loss due to discontinuity of the outer conductor.

본 발명은, 낮은 주파수에서와 같은 동일한 특성을 얻기 위해 유전체 분리에의한 공기층 삽입으로 유전체 손실을 개선하고, 계단형 구조의 커넥터 외곽 도체를 사용함으로써 보다 놓은 주파수에서 동작하는 기술을 제공하고, 그에 따라 임피던스 정합을 하기 위해 PTFE 유전체 또한 외곽 커넥터와 일치하도록 중심도체와 외곡도체 사이에 공기층을 삽입한 초고주파용 SMA 커넥터를 제공하는 것을 제 7 목적으로 한다.The present invention provides a technique for improving dielectric loss by inserting air layers by dielectric separation to obtain the same characteristics as at low frequencies, and operating at higher frequencies by using stepped connector outer conductors, Accordingly, a seventh object of the present invention is to provide an ultra-high frequency SMA connector in which an air layer is inserted between the center conductor and the outer conductor so that the PTFE dielectric also matches the outer connector for impedance matching.

외곽 도체의 불연속에 의한 RF 손실을 감소시키기 위하여 유전체와 공기층에서의 임피던스 정합에 따른 중심 도체의 직경 변화를 이용한 고정방법을 이용하여 제조 공정의 단순화 및 보다 높은 RF 동작 특성을 개선시키는 기술을 제공하는 것을 제 8 목적으로 한다.In order to reduce the RF loss due to discontinuity of the outer conductor, a method of simplifying the manufacturing process and improving RF operation characteristics by using a fixing method using a change in diameter of the center conductor according to impedance matching in the dielectric and air layer is provided. The eighth object.

본 발명의 다른 목적과 장점은 하기된 발명의 상세한 설명을 읽고 첨부된 도면을 참조하면 보다 명백해질 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the invention and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 일반적인 저주파용 JACK 타입 커넥터의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional low frequency JACK type connector.

도 2는 종래의 일반적인 고주파용 커넥터의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a conventional general high frequency connector.

도 3은 본 발명에 따른 초고주파용 SMA 타입 커넥터의 바람직한 일 실시예이다.Figure 3 is a preferred embodiment of the ultra-high frequency SMA type connector according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 중심도체에 step을 이용한 초고주파용 SMA 타입 커넥터의 바람직한 일 실시예의 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view of a preferred embodiment of the ultra-high frequency SMA type connector using a step in the center conductor according to the present invention.

도 5는 도 4의 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실의 그래프.5 is a graph of insertion loss and return loss of the connector of FIG.

도 6은 본 발명에 따른 중심도체에 slot 과 step을 이용한 초고주파용 SMA 타입 커넥터의 바람직한 일 실시예의 단면도이다.Figure 6 is a cross-sectional view of a preferred embodiment of the ultra-high frequency SMA type connector using a slot and step in the center conductor according to the present invention.

도 7은 도 6의 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실의 그래프.7 is a graph of insertion loss and return loss of the connector of FIG.

도 8은 본 발명에 따른 도체에 슬릿(slit)이 삽입된 SMA 커넥터의 바람직한 일 실시예의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of one preferred embodiment of an SMA connector with a slit inserted in the conductor according to the present invention.

도 9는 도 8의 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실의 그래프.9 is a graph of insertion loss and return loss of the connector of FIG. 8;

도 10은 도 8의 커넥터의 정재파비 그래프.10 is a standing wave ratio graph of the connector of FIG. 8;

도 11은 본 발명에 따른 공기가 삽입된 타입의 SMA 커넥터의 바람직한 일 실시예의 단면도이다.11 is a cross-sectional view of a preferred embodiment of an SMA connector of the air inserted type according to the present invention.

도 12는 도 11의 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실의 그래프.12 is a graph of insertion loss and return loss of the connector of FIG.

도 13은 도 8의 커넥터의 정재파비 그래프.13 is a standing wave ratio graph of the connector of FIG. 8;

< 실시예 1: 초고주파용 에스엠에이 커넥터 {A microwave SMA connector} ><Example 1: Microwave SMA Connector {A microwave SMA connector}>

이하 본 발명의 바람직한 일 실시예를 나타내는 도 3을 참조하여 본 발명에 의한 RF 특성을 개선한 마이크로파용 SMA 커넥터에 대해 설명한다.Hereinafter, a microwave SMA connector with improved RF characteristics according to the present invention will be described with reference to FIG. 3, which shows a preferred embodiment of the present invention.

본 발명에 의한 RF 특성을 개선한 마이크로파용 SMA 커넥터의 특성 임피던스는 중심 도체 즉 중심 신호선의 두께와 절연체의 두께의 비로 구해진다. 따라서 본 발명에 따라 제작된 초고주파용 SMA 커넥터의 특성임피던스는 50 Ω으로 설계되는것이 바람직하다. 절연체는 테프론(teflon)이 바람직하고, 몸체와 중심 도체는 각각 금으로 도금 처리하여 도체에 따른 RF 특성을 최대화하는 것이 바람직하다.The characteristic impedance of the microwave SMA connector with improved RF characteristics according to the present invention is obtained by the ratio of the thickness of the center conductor, that is, the center signal line and the thickness of the insulator. Therefore, the characteristic impedance of the ultra-high frequency SMA connector manufactured according to the present invention is preferably designed to be 50 Ω. Preferably, the insulator is teflon, and the body and the center conductor are each plated with gold to maximize RF characteristics according to the conductor.

본 발명에 의해 제작된 커넥터의 몸체는 RF 특성상 접지(ground)의 역할을 하게 된다. 또한 테이퍼(taper)는 절연체인 유전체와 중심 도체를 고정하는 역할을 하며 그 길이는 수학식 1과 같은 관계를 유지해야 한다.The body of the connector manufactured by the present invention serves as a ground in the RF characteristics. In addition, the taper serves to fix the dielectric, which is an insulator, and the center conductor, and its length must maintain the relationship as shown in Equation (1).

여기서 l: 테이퍼 길이Where l: taper length

: 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장이다. : The wavelength of the largest frequency that can pass through the connector.

도 3에서 계단모양의 스텝 천이(step transition)부분은 RF 특성을 개선하기 위하여 사용된 것으로서 본 실시예에서는 특성임피던스가 50 Ω이 되게 설계되었으며 몸체의 스텝 천이부와 중심 도체의 스텝 천이부 사이의 거리는 수학식 2의 관계를 만족시켜야 한다. 도 3에서 중심 도체의 스텝 천이부는 테이퍼의 오른쪽 끝부분에서 시작하여 중심 도체가 이루는 단면에 의하여 형성되는 계단 모양의 부분이다. 본 실시예에서 테이퍼의 단면이 사다리꼴 모양을 이루는 것이 특징이다. 그리고 스텝 천이부가 1단으로 이루어진 것도 특징이다. 본 발명에 따른 커넥터의 중심에는 도체가 있고 그 외주면에는 절연체가 감싸고 있고 최외각에는 커넥터 몸체부(body)가 있다. 스텝 천이부는 상기 몸체부의 안쪽과 중심 도체가 테이퍼와 연결되는 부분에 형성된다. 테이퍼의 왼쪽에는 센터 시그널(center signal)부가 연결된다.In FIG. 3, the step transition part of the step shape is used to improve the RF characteristic. In this embodiment, the characteristic impedance is designed to be 50 Ω, and the step transition part of the body and the step transition part of the center conductor are shown. The distance must satisfy the relationship of equation (2). In FIG. 3, the step transition portion of the center conductor is a stepped portion formed by a cross section formed by the center conductor starting from the right end of the taper. In this embodiment, the cross section of the taper is characterized by a trapezoidal shape. In addition, the step transition portion is characterized by consisting of one stage. In the center of the connector according to the invention there is a conductor, the outer circumferential surface of the insulator is wrapped, the outermost is the connector body (body). The step transition portion is formed at a portion where the inner side of the body portion and the center conductor are connected to the taper. The center signal is connected to the left side of the taper.

여기서 h: 몸체의 스텝 천이와 중심 도체의 스텝천이 사이의 거리이다.Where h is the distance between the step transition of the body and the step transition of the central conductor.

본 실시예에서 SMA 커넥터는 cutoff주파수가 12 GHz 일 때 특성임피던스 및 삽입손실, 그리고 전압정재파비(VSWR: Voltage Standing Wave Ratio)는 상기 cutoff 주파수에서 최적화 되도록 하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, it is preferable that the SMA connector has a characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio (VSWR) when the cutoff frequency is 12 GHz so as to be optimized at the cutoff frequency.

< 실시예 2: 다단 스텝 구조를 이용한 광대역 응답 특성을 갖는 초고주파용 에스엠에이 커넥터(A microwave SMA connector using multistep structure with broad bandwidth response characteristics) ><Example 2: A microwave SMA connector using multistep structure with broad bandwidth response characteristics>

본 발명의 다른 실시예인 다단 스텝 구조를 이용한 RF 특성이 개선된 광대역 응답 특성을 갖는 초고주파용 에스엠에이 커넥터를 도 4를 참조하여 설명한다. 이 실시예는 실시예 1과는 달리 스텝 천이부가 다단으로 형성된다. 도 4의 실시예에서는 몸체부쪽에 3단 스텝의 천이부가 형성되어 있고, 이와 대응하여 중심 도체부쪽에도 3단 스텝의 천이부가 형성되어 있다. 이 실시예에서는 테이퍼가 실시예 1에 비해 상대적으로 크기가 작은 것이 특징이다. 본 실시예에서는 실시예 1과 같은 부분에 대해서는 별도로 반복하여 설명하지 않는다.An ultra-high frequency SM connector having an improved RF characteristic using a multi-step structure, which is another embodiment of the present invention, will be described with reference to FIG. 4. In this embodiment, unlike the first embodiment, the step transition portion is formed in multiple stages. In the embodiment of Fig. 4, the three-step transition part is formed on the body side, and the three-step transition part is also formed on the center conductor part. In this embodiment, the taper is relatively small in size compared with the first embodiment. In the present embodiment, the same parts as in the first embodiment will not be repeatedly described.

본 발명에 의한 RF 특성을 개선한 마이크로파용 SMA 커넥터의 특성 임피던스도 중심 도체 즉 중심 신호선의 두께와 절연체의 두께의 비로 구해진다. 따라서 본 발명으로 제작된 커넥터의 특성임피던스는 50 Ω으로 설계되는 것이 바람직하다. 그리고 절연체로는 테프론이 바람직하며, 몸체와 중심 도체는 각각 금으로 도금 처리하여 도체에 따른 RF 특성을 최대화하는 것이 바람직하다.The characteristic impedance of the SMA connector for microwaves with improved RF characteristics according to the present invention is also determined by the ratio of the thickness of the center conductor, that is, the center signal line and the thickness of the insulator. Therefore, the characteristic impedance of the connector manufactured by the present invention is preferably designed to be 50 Ω. Teflon is preferably used as the insulator, and the body and the center conductor are plated with gold, respectively, to maximize RF characteristics according to the conductor.

본 발명에 의해 제작된 두 개의 커넥터의 몸체는 RF 특성상 접지의 역할을 한다. 또한 테이퍼는 절연체인 유전체와 중심 도체를 고정시키는 역할을 하며 그 길이는 역시 상기 수학식 1에 의해 구해지는 것이 바람직하다.The bodies of the two connectors manufactured by the present invention serve as grounding due to RF characteristics. In addition, the taper serves to fix the dielectric and the center conductor, which is an insulator, and the length thereof is preferably obtained by Equation 1 above.

스텝 천이 부분은 RF 특성을 개선하기 위하여 사용된 것으로 특성 임피던스가 50 Ω이 되도록 하는 것이 바람직하고, 몸체의 스텝 천이부와 중심 도체의 스텝천이부 사이의 거리 범위는 상기 수학식 2를 만족하는 것이 바람직하다.The step transition portion is used to improve the RF characteristics, and the characteristic impedance is preferably 50 Ω, and the distance range between the step transition portion of the body and the step transition portion of the center conductor satisfies Equation 2 above. desirable.

본 발명에 의한 도 4의 실시예는 중심 도체를 다단의 스텝(step)을 이용하여, 특성 임피던스 정합과 우수한 고주파 응답 특성을 얻기 위해 각 스텝의 길이를 조절하여 고주파 특성에 맞게 최적화 시켜 기존의 구조에 비해 월등하게 향상된 RF 특성을 얻을 수 있다. 이 커넥터를 디자인하는 데는 여러가지 도구를 사용할 수 있으나 본 실시예에서는 Agilent사의 3D Simulator인 HFSS 5.6을 사용하였으며, 그 이유는 이 시뮬레이터는 유한요소법(FEM: Finite Element Method)방식을 사용한 시뮬레이션 도구로서 다른 소프트웨어 보다 시간은 오래 걸리나 수동소자인 경우 매우 정확하다는 장점이 있기 때문이다. 도 5에는 상기 소프트웨어를 사용하여 도 4의 커넥터에 대해 수행된 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 5로부터 커넥터의 삽입손실은 18 GHz 까지 약 -0.24 dB 이상의 특성을 나타내고 있으며, VSWR은 18 GHz까지 약 1.03 : 1 의 비율을 유지함을 보여준다.In the embodiment of FIG. 4 according to the present invention, the center conductor is optimized using a multi-step step to optimize the high-frequency characteristics by adjusting the length of each step to obtain characteristic impedance matching and excellent high-frequency response characteristics. Compared to the above, the RF characteristic can be obtained much better. Various tools can be used to design this connector, but in this embodiment, HFSS 5.6, Agilent's 3D simulator, is used because it is a simulation tool using Finite Element Method (FEM). This is because it takes longer but it is very accurate for passive devices. FIG. 5 shows simulation results performed on the connector of FIG. 4 using the software. 5 shows that the insertion loss of the connector is about -0.24 dB or more up to 18 GHz, and VSWR maintains a ratio of about 1.03: 1 up to 18 GHz.

초고주파 대역에서는 미세한 길이의 변화에도 그 응답 특성이 변하기 때문에, 광대역 응답을 갖는 초고주파 커넥터의 개발은, 단순히 스텝을 삽입함으로써 RF 특성이 향상되는 것이 아니라, 각 스텝을 최적화 할 수 있는 설계기술이 요구된다.In response to changes in minute lengths in the ultra-high frequency band, the response characteristics change. Therefore, the development of an ultra-high frequency connector having a wideband response requires a design technique that can optimize each step, rather than improving RF characteristics by simply inserting a step. .

따라서 본 발명에 따른 SMA 커넥터는 cutoff 주파수가 18 GHz 이며 특성임피던스, 삽입손실, 그리고 VSWR이 상기 cutoff 주파수에서 최적화 되도록 하는 것이 바람직하다.Therefore, the SMA connector according to the present invention preferably has a cutoff frequency of 18 GHz and the characteristic impedance, insertion loss, and VSWR are optimized at the cutoff frequency.

< 실시예 3: 슬롯과 스텝구조를 이용한 광대역 특성의 초고주파용 에스엠에이 커넥터(A microwave SMA connector using slot and step structure with broad bandwidth) ><Example 3: A microwave SMA connector using slot and step structure with broad bandwidth>

이하 도 6을 참조하여 본 발명에 의한 RF 특성을 개선한 광대역 응답특성을 갖는 마이크로파용 SMA 커넥터에 대해 설명한다.Hereinafter, a microwave SMA connector having a broadband response characteristic with improved RF characteristics according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.

본 발명에 의한 RF 특성을 개선한 마이크로파용 SMA 커넥터의 특성 임피던스는 중심 도체 즉 중심 신호선의 두께와 절연체의 두께의 비로 구해진다. 따라서 본 실시예에 따른 커넥터의 특성임피던스는 50 Ω가 되도록 하고, 절연체로는 테프론(teflon)을 사용하며, 몸체와 중심 도체는 각각 금으로 도금 처리하여 도체에 따른 RF 특성을 최대화하는 것이 바람직하다.The characteristic impedance of the microwave SMA connector with improved RF characteristics according to the present invention is obtained by the ratio of the thickness of the center conductor, that is, the center signal line and the thickness of the insulator. Therefore, the characteristic impedance of the connector according to the present embodiment is 50 Ω, Teflon is used as the insulator, and the body and the center conductor are each plated with gold to maximize RF characteristics according to the conductor. .

본 발명에 의해 제작된 두 개의 커넥터의 몸체는 RF 특성상 접지의 역할을한다. 또한 테이퍼는 절연체인 유전체와 중심 도체를 고정시키는 역할을 하며 그 길이는 상기 수학식 1의 조건을 만족시키는 것이 바람직하다.The body of the two connectors manufactured in accordance with the present invention is not to act as a RF ground nature. In addition, the taper serves to fix the dielectric and the center conductor, which is an insulator, and its length preferably satisfies the condition of Equation 1 above.

그리고 스텝 천이 부분은 RF 특성을 개선하기 위하여 사용된 것으로서 특성 임피던스가 50 Ω이 되도록 하는 것이 바람직하고, 몸체의 스텝 천이부와 중심 도체의 스텝천이부 사이의 거리는 수학식 2를 만족시키도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the step transition portion is used to improve the RF characteristic, and the characteristic impedance is preferably 50 Ω, and the distance between the step transition portion of the body and the step transition portion of the central conductor satisfies Equation 2. desirable.

도 6에서 보듯이 본 실시예의 커넥터는 중심도체가 둘 이상의 다단계 스텝과 임피던스 차등 변화를 이용하기 위한 슬롯(slot)으로 구성되어 있으며, 스텝과 슬롯을 고주파 특성에 맞게 최적화 시켜 주므로 기존의 커넥터 구조에 비해 월등하게 향상된 RF 특성이 나타난다.As shown in Figure 6, the connector of the present embodiment is composed of a slot for the center conductor to use two or more multi-step steps and impedance differential change, and optimizes the step and the slot for high frequency characteristics. Compared with the improved RF characteristics.

본 실시예의 특징은 도 6에서 보면 몸체부와 중심 도체부의 스텝 천이부가 다단으로 되어 있고 테이퍼의 왼쪽에 슬롯이 형성된 것이다. 그리고 중심 도체부에서 테이퍼와 스텝 천이부 사이가 다른 실시예의 경우보다 거리가 다소 멀다는 것이 특징이다.The characteristic of the present embodiment is that the step transition portion of the body portion and the center conductor portion in Fig. 6 is multistage and slots are formed on the left side of the taper. In addition, the distance between the taper and the step transition in the center conductor is slightly longer than in the other embodiments.

도 7로부터 커넥터의 삽입손실은 18 GHz 까지 약 -0.25 dB 이상의 특성을 나타내고 있고, VSWR은 18 GHz 까지 약 1.03 : 1 의 비율을 유지하고 있음을 보여준다. 이는 이 분야에서 세계 최정상급 성능을 나타낸다.7 shows that the insertion loss of the connector is about -0.25 dB or more up to 18 GHz, and VSWR maintains a ratio of about 1.03: 1 up to 18 GHz. This represents the world's best performance in this area.

초고주파 대역에서는 미세한 길이의 변화에도 그 응답 특성이 변하기 때문에, 광대역 응답을 갖는 초고주파 커넥터의 개발은, 단순히 스텝과 슬롯을 삽입함으로써 RF 특성이 향상되는 것이 아니라, 각 스텝과 슬롯을 최적화 할 수 있어야 한다. 본 실시예는 이러한 조건을 모두 만족시킨다.In the microwave band, since the response characteristics change even with a small change in length, the development of a microwave connector with a broadband response should optimize each step and slot instead of simply improving the RF characteristics by simply inserting a step and a slot. . This embodiment satisfies all of these conditions.

본 발명의 SMA 커넥터는 cutoff 주파수가 18 GHz가 되도록 하고, 특성임피던스, 삽입손실 그리고 VSWR이 상기 cutoff 주파수에서 최적화되도록 하는 것이 바람직하다.The SMA connector of the present invention preferably has a cutoff frequency of 18 GHz and the characteristic impedance, insertion loss and VSWR are optimized at the cutoff frequency.

< 실시예 4: 도체에 슬릿을 삽입한 에스엠에이 커넥터(A microwave SMA connector with inserted slit in conductor ><Example 4: A microwave SMA connector with inserted slit in conductor>

이하 도 8을 참조하여 본 발명에 의한 Ku-Band용 마이크로파 SMA 커넥터에 대해 설명한다.Hereinafter, a microwave SMA connector for Ku-Band according to the present invention will be described with reference to FIG. 8.

본 발명에 의한 Ku-Band용 마이크로파 SMA 커넥터의 특성 임피던스는 중심 도체 즉 중심 신호선의 두께와 절연체의 두께의 비로 구해진다. 또한 RF 분야에서의 부품 기기들은 전력 전송과 손실이 가장 적은 임피던스인 50Ω 으로 하는 것이 바람직하다. 그리고 모든 RF 부품에 사용되는 SMA 타입의 커넥터 또한 임피던스 정합을 위해 50Ω으로 고정시키는 것이 바람직하다. 따라서 본 발명에 따른 커넥터의 특성임피던스는 50Ω으로 설계된. 절연체로는 테프론(teflon, 유전율 2.08)을 사용하고 몸체와 중심 도체는 각각 금으로 도금 처리하여 도체에 따른 RF 특성을 최대화하는 것이 바람직하다.The characteristic impedance of the microwave SMA connector for Ku-Band according to the present invention is obtained by the ratio of the thickness of the center conductor, that is, the center signal line and the insulator. It is also desirable for component devices in the RF field to be 50Ω, which is the impedance with the lowest power transmission and loss. In addition, the SMA type connectors used for all RF components should be fixed to 50Ω for impedance matching. Thus the characteristic impedance of the connector according to the invention is designed to be 50Ω. It is preferable to use Teflon (dielectric constant 2.08) as the insulator and to plate the body and the center conductor with gold respectively to maximize the RF characteristics according to the conductor.

도 8을 보면 본 실시예에서는 상기 스텝 천이부가 일단으로 되어 있고(다단으로 하는 것도 가능함) 슬롯이 형성되어 있으나 다른 실시예들과는 달리 테이퍼가 형성되어 있지 않은 것이 특징이다.Referring to FIG. 8, in the present exemplary embodiment, the step transition portion has one end (possibly multiple stages), and a slot is formed, but unlike the other embodiments, the taper is not formed.

본 발명에 따른 커넥터의 몸체는 RF 특성상 그라운드의 역할을 한다. 그리고도체에 삽입된 슬릿은 유전체와 중심 도체의 고정을 하는 역할과 삽입 손실 및 정재파비의 특성을 개선하는 역할을 하며, 슬릿(slit)의 두께, 깊이 및 길이는 일정한 값을 유지해야 한다. 스텝 천이 부분은 RF 특성을 개선하기 위하여 사용된 것으로서 특성임피던스가 50Ω이 되도록 하고 몸체의 스텝 천이부와 중심 도체의 스텝천이부 사이는 일정한 길이를 유지하는 것이 바람직하다.The body of the connector according to the invention serves as a ground in the RF characteristics. The slit inserted into the conductor serves to fix the dielectric and the center conductor, and to improve the characteristics of insertion loss and standing wave ratio, and the thickness, depth and length of the slit must be kept constant. The step transition portion is used to improve the RF characteristic, so that the characteristic impedance is 50Ω, and it is desirable to maintain a constant length between the step transition portion of the body and the step transition portion of the center conductor.

본 발명에 따른 SMA 커넥터의 차단 주파수를 18 GHz 로 하고 특성임피던스, 삽입손실 그리고 전압정재파비는 차단 주파수에서 최적화 되도록 하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실을 나타낸 그래프가 도 9에 도시되어 있고, 본 실시예에 따른 커넥터의 정재파비를 나타낸 그래프가 도 10에 도시되어 있다.It is preferable that the cutoff frequency of the SMA connector according to the present invention be 18 GHz, and that the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio are optimized at the cutoff frequency. A graph showing the insertion loss and the reflection loss of the connector of this embodiment is shown in FIG. 9, and a graph showing the standing wave ratio of the connector according to this embodiment is shown in FIG. 10.

< 실시예 5: 중심도체와 외곽 도체 사이에 공기층을 삽입한 초고주파용 에스엠에이 커넥터(A mocrowave SMA connector with inserted air between center and outside conductors) ><Example 5: A mocrowave SMA connector with inserted air between center and outside conductors>

이하 도 11을 참조하여 본 발명에 의한 공기층을 삽입한 K-Band용 마이크로파 SMA 커넥터에 대해 설명한다.Hereinafter, a microwave SMA connector for a K-Band having an air layer according to the present invention will be described with reference to FIG. 11.

본 발명에 의한 공기층을 삽입한 K-Band용 마이크로파 SMA 커넥터의 특성 임피던스는 중심 도체 즉 중심 신호선의 두께와 절연체의 두께의 비로 구해진다. 또한 RF 분야에서의 부품 기기들을 전력 전송과 손실이 가장 적은 임피던스인 50Ω 으로 설계하는 것이 바람직하다. 그리고 모든 RF 부품에 사용되는 SMA 타입의 커넥터 또한 임피던스 매칭을 위해 50Ω 으로 고정시키는 것이 바람직하다. 따라서 본 발명에 따라 제작된 커넥터의 특성임피던스는 50Ω으로 설계된다. 그리고 절연체로는 테프론(teflon, 유전율 2.08)을 사용하고, 몸체와 중심 도체는 각각 금으로 도금 처리하여 도체에 따른 RF 특성을 최대화하는 것이 바람직하다. 또한 두 유전체, 테프론 사이에 공기층(Air, 유전율 1)이 삽입된 곳에서는 임피던스 매칭에 따른 중심도체의 직경이 변화하게 되고 이의 특성임피던스도 50Ω으로 설정하는 것이 바람직하다.The characteristic impedance of the microwave SMA connector for the K-Band incorporating the air layer according to the present invention is obtained by the ratio of the thickness of the center conductor, that is, the center signal line and the insulator. It is also desirable to design component devices in the RF field with 50Ω, which is the impedance with the lowest power transmission and loss. In addition, the SMA type connectors used for all RF components should be fixed to 50Ω for impedance matching. Therefore, the characteristic impedance of the connector manufactured according to the present invention is designed to be 50Ω. Teflon (2.08) is used as the insulator, and the body and the center conductor are each plated with gold to maximize RF characteristics according to the conductor. In addition, where the air layer (Air, dielectric constant 1) is inserted between the two dielectrics and Teflon, the diameter of the center conductor is changed according to impedance matching, and its characteristic impedance is preferably set to 50Ω.

도 11에서 보면 본 실시예에서는 스텝 천이부에 하나의 천이부만 형성되어 있고(다단으로 형성하는 것도 가능함), 테이퍼가 없으며, 유전체 사이에 공기층을 삽입한 것이 특징이다. 그리고 특히 스텝 천이부는 공기층과 접하고 있는 것이 특징이다.Referring to Fig. 11, in this embodiment, only one transition portion is formed in the step transition portion (it may be formed in multiple stages), there is no taper, and an air layer is inserted between dielectrics. In particular, the step transition portion is in contact with the air layer.

본 발명에 의해 제작된 커넥터의 몸체는 RF 특성상 접지의 역할을 한다. 그리고 두 유전체 사이에 삽입된 공기층은 유전체와 중심 도체, 외곽 도체의 고정을 하는 역할과 삽입 손실 및 정재파비의 특성을 개선하는 역할을 하며 그 고정의 역할은 중심 도체의 공기층 부분에 따른 직경에 의해 고정된다. 또한 스텝 천이 부분은 RF 특성을 개선하기 위하여 사용된 것으로 특성임피던스가 50이 되도록 하는 것이 바람직하고, 몸체의 스텝 천이부와 중심 도체의 스텝 천이부 사이의 거리를 일정하게 유지하는 것이 바람직하다.The body of the connector manufactured by the present invention serves as a ground in the RF characteristics. The air layer inserted between the two dielectrics serves to fix the dielectric, the center conductor and the outer conductor, and to improve the characteristics of the insertion loss and the standing wave ratio, and the fixing role is determined by the diameter along the air layer portion of the center conductor. It is fixed. In addition, the step transition portion is used to improve the RF characteristic, and the characteristic impedance is preferably 50, and it is preferable to maintain a constant distance between the step transition portion of the body and the step transition portion of the center conductor.

본 발명에 따른 SMA 커넥터의 차단 주파수를 26.5 GHz 로 하고, 특성임피던스, 삽입손실 그리고 전압정재파비를 상기 차단 주파수에서 최적화 되도록 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the cutoff frequency of the SMA connector according to the present invention is 26.5 GHz, and the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio are optimized at the cutoff frequency.

도 12는 본 실시예 커넥터의 삽입 손실 및 반사 손실의 그래프를 나타내고, 도 13은 커넥터의 정재파비 그래프를 나타낸다.Fig. 12 shows a graph of insertion loss and return loss of the connector of this embodiment, and Fig. 13 shows a standing wave ratio graph of the connector.

이처럼 본 발명은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있으며 상기 발명의 상세한 설명에서는 그에 따른 특별한 실시예에 대해서만 기술하였다. 하지만 본 발명은 상기 발명의 상세한 설명에서 언급된 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.As such, the present invention may be variously modified and may take various forms, and only the specific embodiments thereof are described in the detailed description of the present invention. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms mentioned in the detailed description of the invention, but rather includes all modifications, equivalents, and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It should be understood to do.

본 발명으로부터 기대되는 효과는 다음과 같다.The effects expected from the present invention are as follows.

첫째, 본 발명에서는 기존 커넥터의 일자형 외곽 도체, 일자형 유전체를 사용하므로 생산이 간편하고 생산 단가가 낮아지고, 외곽 도체 및 유전체의 계단형 구조 및 테이퍼를 이용한 유전체 고정 방법을 통해 외곽 압력 고정 방식을 사용함으로써 발생되는 RF 손실을 최소화 할 수 있다.First, the present invention uses a straight outer conductor, a straight dielectric of the existing connector, the production is simple and the production cost is low, the outer pressure fixing method using a dielectric fixing method using a stepped structure and taper of the outer conductor and dielectric The RF loss caused by this can be minimized.

둘째, 본 발명에서는 외곽 도체 및 유전체의 계단형 구조 및 삽입 슬릿을 이용한 유전체 고정 방법을 통해 외곽 압력 고정 방식을 사용함으로써 발생되는 RF 손실을 최소화 할 수 있다.Second, the present invention can minimize the RF loss generated by using the outer pressure fixing method through the dielectric fixing method using the stepped structure and the insertion slit of the outer conductor and the dielectric.

셋째, 본 발명에서는 두 유전체 사이에 공기층을 삽입함과 동시에 외곽 도체 및 유전체의 계단형 구조를 이용한 유전체 고정 방법을 통해 외곽 압력 고정 방식을 사용함으로써 발생되는 RF 손실을 최소화 할 수 있다.Third, in the present invention, the RF loss generated by using the outer pressure fixing method through the dielectric fixing method using the stepped structure of the outer conductor and the dielectric while inserting an air layer between the two dielectrics can be minimized.

Claims (44)

접지 역할을 하는 몸체부;A body part serving as a ground; 상기 몸체부 안쪽에 위치하는 중심 도체부;A center conductor portion located inside the body portion; 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에 위치하는 소정의 유전율을 갖는 절연체;An insulator having a predetermined dielectric constant located between the body portion and the central conductor portion; 상기 몸체부에 형성되는 제 1 스텝 천이부;A first step transition portion formed in the body portion; 상기 중심 도체부와 상기 절연체를 고정시키고 RF 특성을 개선하기 위해 상기 중심 도체부에 형성되는 테이퍼; 및A taper formed in the center conductor portion to fix the center conductor portion and the insulator and improve RF characteristics; And 상기 제 1 스텝 천이부에 대응하여 중심 도체에 형성되어 RF 특성을 개선하는 제 2 스텝 천이부를 포함하여 이루어지는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.And a second step transition portion formed in a center conductor corresponding to the first step transition portion to improve RF characteristics. 제 1 항에 있어서, 상기 테이퍼의 길이은가 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장일 때The length of the taper of claim 1 silver Is the wavelength of the largest frequency that can pass through the connector 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.Microwave SMA connector, characterized in that determined by the relational formula of. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 스텝 천이부의 특성 임피던스는 50인 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.The method of claim 1 or 2, wherein the characteristic impedance of the step transition unit is 50 SMA connector for microwave which is characterized by being. 제 3 항에 있어서, 상기 커넥터의 cutoff 주파수는 12 GHz 대역까지의 저손실을 갖도록 설정되는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.4. The SMA connector of claim 3 wherein the cutoff frequency of the connector is set to have a low loss up to a 12 GHz band. 제 4 항에 있어서, 상기 커넥터의 특성 임피던스, 삽입손실 및 전압정재파비는 상기 cutoff 주파수에서 최적화되는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.5. The SMA connector of claim 4 wherein the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio of the connector are optimized at the cutoff frequency. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부와 제 2 스텝 천이부 사이의 거리는The method of claim 2, wherein the distance between the first step transition and the second step transition Is 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.Microwave SMA connector, characterized in that determined by the relational formula of. 제 1 항에 있어서, 상기 절연체는 테프론인 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwave according to claim 1, wherein the insulator is Teflon. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체부와 중심 도체는 금으로 도금처리되는 것이 특징인, 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwave according to claim 1, wherein the body portion and the center conductor are plated with gold. 접지 역할을 하는 몸체부;A body part serving as a ground; 상기 몸체부 안쪽에 위치하는 중심 도체부;A center conductor portion located inside the body portion; 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에 위치하는 소정의 유전율을 갖는 절연체;An insulator having a predetermined dielectric constant located between the body portion and the central conductor portion; 상기 몸체부에 다단으로 형성되는 제 1 스텝 천이부;A first step transition part formed in the body part in multiple stages; 상기 중심 도체부와 상기 절연체를 고정시키고 RF 특성을 개선하기 위해 상기 중심 도체부에 형성되는 테이퍼; 및A taper formed in the center conductor portion to fix the center conductor portion and the insulator and improve RF characteristics; And 상기 제 1 스텝 천이부에 대응하여 중심 도체에 다단으로 형성되어 RF 특성을 개선하는 제 2 스텝 천이부를 포함하여 이루어지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.And a second step transition portion formed in multiple stages in the center conductor corresponding to the first step transition portion to improve RF characteristics. 제 9 항에 있어서, 상기 테이퍼의 길이은가 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장일 때10. The method of claim 9, wherein the length of the taper silver Is the wavelength of the largest frequency that can pass through the connector 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.Broadband characteristics microwave SMA connector, characterized in that determined by the relationship. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 스텝 천이부의 특성 임피던스는 50인 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.11. The method of claim 9 or 10, wherein the characteristic impedance of the step transition portion is 50 The SMA connector for microwaves of broadband characteristics characterized by being. 제 11 항에 있어서, 상기 커넥터의 cutoff 주파수는 18 GHz 대역까지의 저손실을 갖도록 설정되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.12. The SMA connector for microwave according to claim 11, wherein the cutoff frequency of the connector is set to have a low loss up to 18 GHz band. 제 12 항에 있어서, 상기 커넥터의 특성 임피던스, 삽입손실 및 전압정재파비는 상기 cutoff 주파수에서 최적화되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.13. The SMA connector of claim 12, wherein the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio of the connector are optimized at the cutoff frequency. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부와 제 2 스텝 천이부 사이의 거리는11. The method of claim 10, wherein the distance between the first step transition and the second step transition Is 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.Broadband characteristics microwave SMA connector, characterized in that determined by the relationship. 제 9 항에 있어서, 상기 절연체는 테프론인 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.10. The SMA connector of claim 9, wherein the insulator is Teflon. 제 9 항에 있어서, 상기 몸체부와 중심 도체는 금으로 도금처리되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.10. The SMA connector of claim 9, wherein the body portion and the center conductor are plated with gold. 접지 역할을 하는 몸체부;A body part serving as a ground; 상기 몸체부 안쪽에 위치하는 중심 도체부;A center conductor portion located inside the body portion; 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에 위치하는 소정의 유전율을 갖는 절연체;An insulator having a predetermined dielectric constant located between the body portion and the central conductor portion; 상기 몸체부에 다단으로 형성되는 제 1 스텝 천이부;A first step transition part formed in the body part in multiple stages; 상기 중심 도체부와 상기 절연체를 고정시키고 RF 특성을 개선하기 위해 상기 중심 도체부에 형성되는 테이퍼;A taper formed in the center conductor portion to fix the center conductor portion and the insulator and improve RF characteristics; 상기 제 1 스텝 천이부에 대응하여 중심 도체에 다단으로 형성되어 RF 특성을 개선하는 제 2 스텝 천이부; 및A second step transition part formed in multiple stages on a central conductor corresponding to the first step transition part to improve RF characteristics; And 상기 중심 도체부에 형성되는 슬롯을 포함하여 이루어지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.Broadband characteristics microwave SMA connector, characterized in that it comprises a slot formed in the center conductor portion. 제 17 항에 있어서, 상기 테이퍼의 길이은가 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장일 때18. The method of claim 17 wherein the length of the taper silver Is the wavelength of the largest frequency that can pass through the connector 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.Broadband characteristics microwave SMA connector, characterized in that determined by the relationship. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 스텝 천이부의 특성 임피던스는 50인 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.19. The method of claim 17 or 18, wherein the characteristic impedance of the step transition portion is 50 The SMA connector for microwaves of broadband characteristics characterized by being. 제 19 항에 있어서, 상기 커넥터의 cutoff 주파수는 18 GHz 대역까지의 저손실을 갖도록 설정되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.20. The SMA connector of claim 19, wherein the cutoff frequency of the connector is set to have a low loss up to 18 GHz band. 제 20 항에 있어서, 상기 커넥터의 특성 임피던스, 삽입손실 및 전압정재파비는 상기 cutoff 주파수에서 최적화되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.21. The SMA connector of claim 20, wherein the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio of the connector are optimized at the cutoff frequency. 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부와 제 2 스텝 천이부 사이의 거리는19. The method of claim 18, wherein the distance between the first step transition and the second step transition Is 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.Broadband characteristics microwave SMA connector, characterized in that determined by the relationship. 제 17 항에 있어서, 상기 절연체는 테프론인 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.18. The SMA connector of claim 17, wherein the insulator is Teflon. 제 17 항에 있어서, 상기 몸체부와 중심 도체는 금으로 도금처리되는 것이 특징인, 광대역 특성의 마이크로파용 SMA 커넥터.18. The SMA connector of claim 17, wherein the body portion and the center conductor are plated with gold. 접지 역할을 하는 몸체부;A body part serving as a ground; 상기 몸체부 안쪽에 위치하는 중심 도체부;A center conductor portion located inside the body portion; 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에 위치하는 소정의 유전율을 갖는 절연체;An insulator having a predetermined dielectric constant located between the body portion and the central conductor portion; 상기 몸체부에 다단으로 형성되는 제 1 스텝 천이부;A first step transition part formed in the body part in multiple stages; 상기 중심 도체부와 상기 절연체를 고정시키고 삽입 손실 및 정재파비의 특성을 개선하기 위해 상기 중심 도체부에 삽입되는 슬릿;A slit inserted into the center conductor portion to fix the center conductor portion and the insulator and to improve characteristics of insertion loss and standing wave ratio; 상기 제 1 스텝 천이부에 대응하여 중심 도체에 다단으로 형성되어 RF 특성을 개선하는 제 2 스텝 천이부; 및A second step transition part formed in multiple stages on a central conductor corresponding to the first step transition part to improve RF characteristics; And 상기 중심 도체부에 형성되는 슬롯을 포함하여 이루어지는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.Ku-Band microwave SMA connector, characterized in that it comprises a slot formed in the central conductor portion. 제 25 항에 있어서, 상기 테이퍼의 길이은가 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장일 때26. The length of claim 25, wherein the taper silver Is the wavelength of the largest frequency that can pass through the connector 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.SMA connector for Ku-Band microwave, characterized by the relational formula of Ku-Band. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 스텝 천이부의 특성 임피던스는 50인 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.27. The method of claim 25 or 26, wherein the characteristic impedance of the step transition portion is 50 SMA connector for microwave for Ku-Band characterized by being. 제 25 항에 있어서, 상기 커넥터의 cutoff 주파수는 18 GHz 대역까지의 저손실을 갖도록 설정되는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.26. The SMA connector of claim 25, wherein the cutoff frequency of the connector is set to have a low loss of up to 18 GHz band. 제 26 항에 있어서, 상기 커넥터의 특성 임피던스, 삽입손실 및 전압정재파비는 상기 cutoff 주파수에서 최적화되는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.27. The SMA connector of claim 26, wherein the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio of the connector are optimized at the cutoff frequency. 제 26 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부와 제 2 스텝 천이부 사이의 거리는27. The method of claim 26, wherein the distance between the first step transition and the second step transition Is 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.SMA connector for Ku-Band microwave, characterized by the relational formula of Ku-Band. 제 25 항에 있어서, 상기 절연체는 테프론인 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.26. The SMA connector of claim 25, wherein the insulator is Teflon. 제 25 항에 있어서, 상기 몸체부와 중심 도체는 금으로 도금처리되는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.26. The microwave SMA connector for Ku-Band according to claim 25, wherein the body portion and the center conductor are plated with gold. 제 25 항에 있어서, 상기 슬릿의 두께, 깊이 및 길이는 일정한 값을 갖는 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.26. The SMA connector of claim 25, wherein the thickness, depth, and length of the slit have a constant value. 제 25 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부 및 제 2 스텝 천이부의 스텝 간격이 일정한 것이 특징인, Ku-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwaves according to claim 25, wherein the step spacing of the first step transition portion and the second step transition portion is constant. 외곽 도체로서 접지 역할을 하는 몸체부;A body part serving as a grounding conductor as an outer conductor; 상기 몸체부 안쪽에 위치하는 중심 도체부;A center conductor portion located inside the body portion; 상기 몸체부에 다단으로 형성되는 제 1 스텝 천이부;A first step transition part formed in the body part in multiple stages; 상기 제 1 스텝 천이부에 대응하여 중심 도체에 다단으로 형성되어 RF 특성을 개선하는 제 2 스텝 천이부;A second step transition part formed in multiple stages on a central conductor corresponding to the first step transition part to improve RF characteristics; 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에 위치하는 소정의 유전율을 갖는 제 1 절연체; 및A first insulator having a predetermined dielectric constant located between the body portion and the central conductor portion; And 상기 몸체부와 중심 도체부 사이에서 상기 제 1 및 제 2 스텝 천이부에 대응하는 부분에 위치하여 상기 제 1 절연체를 커넥터의 좌우측으로 분리하고 상기 제 1 절연체, 중심 도체 및 몸체부를 고정하고 삽입 손실 및 정재파비의 특성을 개선하며 소정의 유전율을 갖는 제 2 절연체를 포함하며,Located between the body portion and the center conductor portion corresponding to the first and second step transitions, the first insulator is separated into the left and right sides of the connector, and the first insulator, the center conductor and the body portion are fixed, and the insertion loss And a second insulator for improving the characteristics of the standing wave ratio and having a predetermined dielectric constant, 상기 중심 도체부와 상기 제 1 절연체 및 제 2 절연체를 임피던스 정합에 의해 고정시키는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.SMA connector for the K-Band microwave, characterized in that for fixing the center conductor portion, the first insulator and the second insulator by impedance matching. 제 35 항에 있어서, 상기 테이퍼의 길이은가 커넥터를 통과할 수 있는 주파수 가운데 가장 큰 주파수의 파장일 때36. The length of claim 35, wherein the taper silver Is the wavelength of the largest frequency that can pass through the connector 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwaves for K-Band, characterized by the relational formula of K-Band. 제 35 항 또는 제 36 항에 있어서, 상기 스텝 천이부의 특성 임피던스는 50인 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.37. The characteristic impedance of the step transition unit according to claim 35 or 36, SMA connector for microwave for K-Band characterized by being. 제 35 항에 있어서, 상기 커넥터의 cutoff 주파수는 18 GHz 대역까지의 저손실을 갖도록 설정되는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.36. The SMA connector of claim 35 wherein the cutoff frequency of the connector is set to have a low loss up to 18 GHz band. 제 36 항에 있어서, 상기 커넥터의 특성 임피던스, 삽입손실 및 전압정재파비는 상기 cutoff 주파수에서 최적화되는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.37. The SMA connector of claim 36, wherein the characteristic impedance, insertion loss, and voltage standing wave ratio of the connector are optimized at the cutoff frequency. 제 36 항에 있어서, 상기 제 1 스텝 천이부와 제 2 스텝 천이부 사이의 거리는The method of claim 36, wherein the distance between the first step transition and the second step transition Is 의 관계식에 의해 정해지는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwaves for K-Band, characterized by the relational formula of K-Band. 제 35 항에 있어서, 상기 절연체는 테프론인 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.36. The SMA connector of claim 35, wherein the insulator is Teflon. 제 35 항에 있어서, 상기 몸체부와 중심 도체는 금으로 도금처리되는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.The SMA connector for microwaves according to claim 35, wherein the body portion and the center conductor are plated with gold. 제 35 항에 있어서, 상기 제 2 절연체는 공기인 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.36. The SMA connector of claim 35, wherein the second insulator is air. 제 35 항에 있어서, 상기 제 1 절연체가 삽입된 부분의 중심 도체의 직경과 제 2 절연체가 삽입된 부분의 중심 도체의 직경은 임피던스 정합에 따라 서로 다르게 설정되는 것이 특징인, K-Band용 마이크로파용 SMA 커넥터.36. The microwave of claim 35, wherein a diameter of the center conductor of the portion where the first insulator is inserted and a diameter of the center conductor of the portion where the second insulator is inserted are set differently according to impedance matching. SMA connector.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040036021A (en) * 2002-10-23 2004-04-30 (주)기가레인 PCB Coaxial Connector
WO2006006747A1 (en) * 2004-07-10 2006-01-19 Gigalane Co., Ltd. Right angle coaxial connector mountable on pcb
KR100880713B1 (en) * 2007-01-09 2009-02-02 (주)기가레인 Right angle coaxial connector mountable on pcb
KR100946178B1 (en) * 2006-09-05 2010-03-08 주식회사 에이스테크놀로지 Radio frequency connector
WO2010050760A2 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 (주)에이스테크놀로지 Miniaturized dc breaker
KR101491857B1 (en) * 2008-10-31 2015-02-10 주식회사 에이스테크놀로지 DC Blocking Device Having Small Size

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101269374B1 (en) 2012-03-13 2013-05-29 울산대학교 산학협력단 High frequency connector assembly

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040036021A (en) * 2002-10-23 2004-04-30 (주)기가레인 PCB Coaxial Connector
WO2006006747A1 (en) * 2004-07-10 2006-01-19 Gigalane Co., Ltd. Right angle coaxial connector mountable on pcb
US7540771B2 (en) 2004-07-10 2009-06-02 Gigalane Co., Ltd Right angle coaxial connector mountable on PCB
KR100946178B1 (en) * 2006-09-05 2010-03-08 주식회사 에이스테크놀로지 Radio frequency connector
KR100880713B1 (en) * 2007-01-09 2009-02-02 (주)기가레인 Right angle coaxial connector mountable on pcb
WO2010050760A2 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 (주)에이스테크놀로지 Miniaturized dc breaker
WO2010050760A3 (en) * 2008-10-31 2010-08-05 (주)에이스테크놀로지 Miniaturized dc breaker
US8847701B2 (en) 2008-10-31 2014-09-30 Ace Technologies Corporation Miniaturized DC breaker
KR101491857B1 (en) * 2008-10-31 2015-02-10 주식회사 에이스테크놀로지 DC Blocking Device Having Small Size

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