KR20040003166A - 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 마이크로 렌즈를 통해 투과되는 빛 중 색 필터에 해당되는 색만을 투과시킬 수 있도록 하는 두께와 굴절률로 코딩되어 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성하거나, 또는 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성함으로써, 광 투과율을 증가시켜 이미지 센서의 효율을 증가시키며, 또한 각 필터별로 색 분리가 정밀해져 색 선명도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반사 방지막을 이용한 씨모스(complementary metal-oxidesemiconductor : CMOS) 이미지 센서에 관한 것으로, 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성하거나, 또는 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성하여 색의 선명도를 향상시킬 수 있도록 하는 이미지 센서에 관한 것이다.
통상적으로, CMOS 이미지 센서는 도 1에 도시된 바와 같이, 명암만으로 된 흑백 이미지로 이 흑백 이미지를 색 이미지로 만들기 위한 색 필터(color filter)(30)와, 광 집적도를 향상시키기 위한 마이크로 렌즈(10)와, 그리고 평탄화층(20, 40)과, 그리고, 색 필터(30)를 통과한 빛을 수광하는 광 감지 센서(50)로 구분된다.
여기서, 색 필터(30)는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)의 빛을 사용하는 원색 필터와, 각각의 보색에 해당하는 시안(Cyan), 마젠타(Magenta), 엘로우(Yellow), 청색(Green)을 이용하는 보색 필터로 구분된다.
이중, 원색 필터는 마이크로 렌즈(10)에서 빛을 집광하여 들어온 빛을 색 필터(30)에서 선택적으로 투과시키는데, 즉 적색은 적색 파장의 빛만, 녹색은 녹색 파장의 빛만, 청색은 청색 파장의 빛을 투과시키며, 그 빛은 광 감지 센서(50)에 의해 감지된다.
그러나, 마이크로 렌즈(10) 또는 각 레이어(layer) 경계면에서 일정량의 빛이 반사되어 광 감지 센서로의 빛의 양이 줄어들어 이미지 센서의 감광도(photo sensitivity)가 줄어들고 색 필터(30)는 염료가 첨가된 레지스트를 이용하는데 그 것만으로는 색 선명도를 향상하는데 한계가 있다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성하거나, 또는 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성하여 색의 선명도를 향상시킬 수 있도록 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서는 마이크로 렌즈를 통해 투과되는 빛 중 색 필터에 해당되는 색만을 투과시킬 수 있도록 하는 두께와 굴절률로 코딩되어 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성시켜 이미지 센서의 투과율 및 광 집적도를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래 씨모스 이미지 센서를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서를 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 3개의 매질 내를 빛이 투과하도록 하는 반사 방지막을 도시한 도면이며
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성된 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 마이크로 렌즈 20,40 : 평탄화층
25 : 반사 방지막 30 : 색 필터
50 : 광 감지 센서 60 : 색 필터 자체의 반사 방지막
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서를 도시한 도면으로서, 마이크로 렌즈(10)와, 평탄화층(20)과, 반사 방지막(25)과, 색 필터(30)를 포함한다.
마이크로 렌즈(10)는 광 집적도를 향상시키기 위한 것으로, 입사되는 광을 집적하여 평탄화층(20)을 통해 반사 방지막(25)으로 투과시킨다.
그러면, 반사 방지막(25)은 도 3에 도시된 바와 같이, 3개의 매질 내를 통해 빛이 투과하는 것으로, 두께 d=이고, 굴절률일 경우, n0와 n1사이의반사율은 "0"이 되어 100% 투과하게 된다. 즉, 색 필터(30)에서 반사되는 빛의 양을 감소시켜 집광력을 높이고, 마이크로 렌즈(10)를 통해 투과되는 빛 중 색 필터(30)에 해당되는 색만을 투과시킬 수 있도록 하는 두께와 굴절률로 코딩되어 평탄화층(20)과 색 필터(30) 사이에 형성되어 있다.
즉, 상술한 두께에 있어서, 색 필터(30)내 적색 필터에 해당되는 반사 방지막(25)의 두께는 620㎚/(4n red)이고, 녹색 필터에 해당되는 반사 방지막(25)의 두께는 530㎚/(4n green)이며, 청색 필터에 해당되는 반사 방지막(25)의 두께는 420㎚/(4n blue)이다.
그리고, 상술한 굴절률에 있어서, 색 필터(30)내 적색 필터에 해당되는 굴절률은이고, 녹색 필터에 해당되는 굴절률은이며, 청색 필터에 해당되는 굴절률은이다.
다음으로, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성된 도면으로서, 색 필터에 반사 방지막의 조건을 포함시켜 제작한 이미지 센서이다.
즉, 각 파장에 해당되는 파장만 투과하도록 두께 및 굴절률을 형성하는 것으로, 먼저, 색 필터 자체의 반사 방지막(60)중 적색 필터에 해당되는 두께는 620㎚/(4n red)이고, 녹색 필터에 해당되는 두께는 530㎚/(4n green)이며, 청색 필터에 해당되는 두께는 420㎚/(4n blue)이다.
그리고, 상술한 굴절률에 있어서, 색 필터 자체의 반사 방지막(60)중 적색필터에 해당되는 굴절률은이고, 녹색 필터에 해당되는 굴절률은이며, 청색 필터에 해당되는 굴절률은이다.
그러므로, 본 발명은 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성하거나, 또는 색 필터 자체가 반사 방지막의 조건을 갖도록 구성함으로써, 광 투과율을 증가시켜 이미지 센서의 효율을 증가시키며, 또한 각 필터별로 색 분리가 정밀해져 색 선명도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (6)
- 씨모스(complementary metal-oxide semiconductor : CMOS) 이미지 센서에 있어서,마이크로 렌즈를 통해 투과되는 빛 중 색 필터에 해당되는 색만을 투과시킬 수 있도록 하는 두께와 굴절률로 코딩되어 평탄화층과 색 필터 사이에 반사 방지막을 형성시켜 상기 이미지 센서의 투과율 및 광 집적도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 3개의 매질 내를 통해 빛이 투과되도록 하는 것으로, 상기 색 필터내 적색 필터에 해당되는 반사 방지막의 두께는 620㎚/(4n red)이고, 녹색 필터에 해당되는 반사 방지막의 두께는 530㎚/(4n green)이며, 청색 필터에 해당되는 반사 방지막의 두께는 420㎚/(4n blue)인 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 색 필터내 적색 필터에 해당되는 굴절률은굴절률은이고, 녹색 필터에 해당되는 굴절률은이며, 청색 필터에 해당되는굴절률은인 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 색 필터 자체에 반사 방지막 조건을 갖도록 포함시켜 제작한 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 색필터 자체의 반사 방지막 중 적색 필터에 해당되는 두께는 620㎚/(4n red)이고, 녹색 필터에 해당되는 두께는 530㎚/(4n green)이며, 청색 필터에 해당되는 두께는 420㎚/(4n blue)인 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 색 필터 자체의 반사 방지막 중 적색 필터에 해당되는 굴절률은이고, 녹색 필터에 해당되는 굴절률은이며, 청색 필터에 해당되는 굴절률은인 것을 특징으로 하는 반사 방지막을 이용한 씨모스 이미지 센서.
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
KR100710203B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-04-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
US7297570B2 (en) * | 2004-07-15 | 2007-11-20 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
KR100790225B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100902595B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3060642B2 (ja) * | 1991-09-12 | 2000-07-10 | 富士ゼロックス株式会社 | イメージセンサ |
KR940010361A (ko) * | 1992-10-21 | 1994-05-26 | 문정환 | 고체 촬상 장치 |
JPH0786545A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sony Corp | 固体撮像装置の反射防止膜の形成方法 |
KR100329782B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-03-25 | 박종섭 | 광감도 개선을 위한 이미지센서 제조방법 |
KR20010058998A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 광감도를 개선하기 위한 이미지센서의 제조 방법 |
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2002
- 2002-06-29 KR KR1020020037531A patent/KR100551375B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7297570B2 (en) * | 2004-07-15 | 2007-11-20 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
KR100710203B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-04-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
KR100790225B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US7892628B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-02-22 | Crosstek Capital, LLC | Image sensor and method for manufacturing the same |
US8287948B2 (en) | 2005-12-26 | 2012-10-16 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
US8344469B2 (en) | 2005-12-26 | 2013-01-01 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
US8846433B2 (en) | 2005-12-26 | 2014-09-30 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
KR100902595B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
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