KR20040002492A - Composition for Forming Insulating Interlayers by Ink Jet Method and Process for Forming Insulating Interlayers - Google Patents

Composition for Forming Insulating Interlayers by Ink Jet Method and Process for Forming Insulating Interlayers Download PDF

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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

PURPOSE: To provide a composition which satisfies various performances required as an interlayer insulating film, such as adhesion, surface hardness, transparency, heat-, light- and solvent resistances and is used for forming an interlayer insulating film by a low-cost ink jet system. CONSTITUTION: The composition comprises (A) a copolymer of (a1) an unsaturated carboxylic acid and/or an unsaturated carboxylic acid anhydride, (a2) an epoxy-containing unsaturated compound and (a3) other olefinic unsaturated compounds, (B) a 1,2-quinonediazide compound and (C) a solvent having >=180°C boiling point under ordinary pressure.

Description

잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물 및 층간 절연막의 형성 방법 {Composition for Forming Insulating Interlayers by Ink Jet Method and Process for Forming Insulating Interlayers}Composition for Forming Insulating Interlayers by Ink Jet Method and Process for Forming Insulating Interlayers}

본 발명은 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 광 디바이스에 사용되는 층간 절연막을 잉크젯 방식에 의해 형성하기 위한 재료로서 바람직한 조성물, 및 잉크젯 방식에 의한 층간 절연막의 형성 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film used for an optical device such as a liquid crystal display device, an integrated circuit device, a solid-state imaging device by an inkjet method, and a method of forming the interlayer insulating film by an inkjet method.

일반적으로, 박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는, 층상으로 배치되는 배선 사이를 절연시키기 위해서 층간 절연막이 설치되어 있다. 층간 절연막을 형성할 때에는, 필요로 하는 패턴 형상의 층간 절연막을 얻기 위한 공정수가 적고, 또한 충분한 평탄성을 갖는 층간 절연막을 얻을 수 있는 특징을 갖는 감방사선성 수지 조성물을 사용하는 포토 리소그래피법이 폭넓게 사용되고 있다.In general, electronic components such as thin film transistors (hereinafter referred to as "TFT") type liquid crystal display elements, magnetic head elements, integrated circuit elements, and solid-state image pickup elements are provided with an interlayer insulating film in order to insulate the wiring arranged in layers. It is. When forming an interlayer insulating film, the photolithographic method using the radiation sensitive resin composition which has the characteristic of being able to obtain the interlayer insulation film which has a small number of processes for obtaining the required pattern shape interlayer insulation film, and has sufficient flatness is used widely. have.

이러한 층간 절연막의 형성 방법으로서는, 종래 TFT 등의 기판 표면상에 스프레이법, 롤러 코팅법, 회전 도포법, 바 도포법 등의 방법으로 도포하고, 프리베이킹에 의해 용매를 제거하여 도포막을 얻은 후, 가열 처리함으로써 목적하는 층간 절연막을 형성하는 방법이 알려져 있다. 그러나, 이들 방법에서는, 층간 절연막 형성에 필요한 수지 조성물량 이상으로, 안정적인 도포를 위해서 다량의 수지 조성물이 필요하다. 따라서, 수지 조성물의 낭비가 많고, 그 때문에 비용이 많이 드는 등의 문제가 있었다.As a method of forming such an interlayer insulating film, a conventional method such as a spray method, a roller coating method, a rotary coating method, a bar coating method, or the like is applied onto a substrate surface such as a TFT, and after removal of the solvent by prebaking to obtain a coating film, The method of forming a target interlayer insulation film by heat processing is known. However, in these methods, a large amount of resin composition is required for stable application | coating beyond the amount of resin composition required for interlayer insulation film formation. Therefore, there was a lot of waste of the resin composition, and therefore, there was a problem such as high cost.

한편, 일본 특허 공개(소)59-75205호 공보, 일본 특허 공개(소)61-245106호 공보, 일본 특허 공개(소)63-235901호 공보 등에는, 잉크젯 헤드를 이용하여 컬러 필터의 착색층을 형성하는 공정을 구비한, 잉크젯 방식의 컬러 필터의 제조 방법이 개시되어 있고, 이 방법에서는 컬러 필터용 수지 조성물의 액적을 토출하는 위치의 제어가 용이하고, 수지 조성물의 낭비도 적기 때문에 제조 비용을 저감할 수 있다는 이점이 있다.On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 59-75205, Japanese Patent Laid-Open No. 61-245106, Japanese Patent Laid-Open No. 63-235901 and the like use a inkjet head to form a colored layer of a color filter. The manufacturing method of the color filter of the inkjet system provided with the process of forming the form is disclosed, In this method, the control of the position which discharges the droplet of the resin composition for color filters is easy, and since the waste of the resin composition is small, manufacturing cost is produced. There is an advantage that can be reduced.

그러나, 이들 공보에서는 전자 소자의 층간 절연막 조성물에 대하여 잉크젯 방식에 적합한 조성에 대한 충분한 고찰이 이루어지지 않았다.However, these publications do not sufficiently consider the composition suitable for the inkjet method for the interlayer insulating film composition of the electronic device.

본 발명은 종래 기술에서의 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 과제는 밀착성, 표면 경도, 투명성, 내열성, 내광성, 내용제성 등의 층간 절연막으로서 요구되는 여러 가지 성능을 만족시킴과 동시에, 저비용의 잉크젯 방식에 의한 제조에 적합한 층간 절연막 형성용 조성물, 및 잉크젯 방식에 의한 층간 절연막의 형성 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of the said situation in the prior art, The subject satisfy | fills the various performance calculated | required as an interlayer insulation film, such as adhesiveness, surface hardness, transparency, heat resistance, light resistance, and solvent resistance, and at the same time low cost inkjet It is to provide a composition for forming an interlayer insulating film suitable for manufacturing by a method, and a method for forming an interlayer insulating film by an inkjet method.

도 1은 층간 절연막의 단면 형상을 나타내는 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram which shows the cross-sectional shape of an interlayer insulation film.

본 발명자들은 잉크젯 방식에 의한 층간 절연막의 제조 과정에서의 거동을 상세하게 검토한 결과, 사용되는 잉크젯 헤드의 클로깅(clogging)을 없애고, 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물의 액적을 양호한 직진성으로 토출할 필요가 있는데, 이를 위해서는 층간 절연막 조성물의 토출시 액적의 건고 속도를 느리게 함과 동시에, 지나치게 빠른 용매의 증산(蒸散)에 의한 액적의 점도 상승도 제어하고, 또한 고형분의 석출을 방지할 필요가 있다는 사실을 알았다.The present inventors have examined in detail the behavior in the manufacturing process of the interlayer insulating film by the inkjet method, and as a result, the clogging of the inkjet head used is eliminated, and the droplets of the composition for forming the interlayer insulating film can be ejected with good straightness. In order to do this, it is necessary to slow down the drying speed of the droplets upon discharging the interlayer insulating film composition, and to control the viscosity rise of the droplets due to excessively rapid solvent evaporation and to prevent the precipitation of solids. I knew it.

본 발명은 상기 사실에 의해 이루어진 것으로, 본 발명에 따르면 상기 과제는The present invention has been made by the above facts, and according to the present invention,

(A) (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 (a3) 그 밖의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체(이하, 「공중합체(A) 」라고 함),(A) Copolymer of (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride, (a2) epoxy group containing unsaturated compound, and (a3) other olefinic unsaturated compound (Hereinafter, "copolymer (A) "),

(B) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및(B) 1,2-quinonediazide compound, and

(C) 상압에서의 비점이 180 ℃ 이상인 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, 잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물에 의해서 달성된다.(C) A composition for forming an interlayer insulating film by an inkjet method, characterized by containing a solvent having a boiling point at atmospheric pressure of 180 ° C or higher.

또한, 본 발명에 따르면 상기 과제는 또한, 적어도 하기 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 층간 절연막의 형성 방법에 의해 달성된다.Moreover, according to this invention, the said subject is also achieved by the formation method of the interlayer insulation film characterized by including at least the following process.

(1) 기판 표면에, 잉크젯 장치에 의해 상기 조성물의 도포막을 형성하는 공정.(1) The process of forming the coating film of the said composition on the surface of a board | substrate with an inkjet apparatus.

(2) 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정.(2) Irradiating at least a part of the formed coating film with radiation.

(3) 현상 공정.(3) Developing process.

이하, 본 발명의 조성물에 사용되는 그 밖의 구성 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the other structural component used for the composition of this invention is demonstrated in detail.

공중합체(A)Copolymer (A)

공중합체(A)는 화합물(a1), 화합물(a2), 화합물(a3) 및 화합물(a4)를 용매 중에서 중합 개시제의 존재하에 라디칼 중합함으로써 제조할 수 있다.The copolymer (A) can be produced by radical polymerization of compound (a1), compound (a2), compound (a3) and compound (a4) in the presence of a polymerization initiator in a solvent.

본 발명에서 사용되는 공중합체(A)는 화합물(a1)로부터 유도되는 구성 단위를, 화합물(a1), 화합물(a2) 및 화합물(a3)으로부터 유도되는 반복 단위의 합계에 대하여 바람직하게는 5 내지 40 중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 30 중량% 함유한다. 이 구성 단위가 5 중량% 미만인 공중합체는 알칼리 수용액에 용해하기 어렵고, 한편 40 중량%를 초과하는 공중합체는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 너무 커지는 경향이 있다. 화합물(a1)로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산; 및 이들 디카르복실산의 무수물;The copolymer (A) used in the present invention preferably has a structural unit derived from compound (a1) with respect to the sum of the repeating units derived from compound (a1), compound (a2) and compound (a3). 40 wt%, particularly preferably 10 to 30 wt%. Copolymers having this structural unit of less than 5% by weight are difficult to dissolve in an aqueous alkali solution, while copolymers exceeding 40% by weight tend to have too high solubility in an aqueous alkali solution. As a compound (a1), For example, Monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; And anhydrides of these dicarboxylic acids;

숙신산 모노[2-(메트)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메트)아크릴로일옥시에틸] 등의 2가 이상의 다가 카르복실산의 모노[(메트)아크릴로일옥시알킬]에스테르류;Mono [(meth) acryloyloxyalkyl] of divalent or more polyvalent carboxylic acid, such as succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] Esters;

ω-카르복시폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등의, 양말단에 카르복실기와 수산기를 갖는 중합체의 모노(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 중에서 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 무수물 등이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수가 용이하다는 점에서 바람직하게 사용된다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용된다.and mono (meth) acrylates of polymers having a carboxyl group and a hydroxyl group at the sock end, such as? -carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate. Among these, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and the like are preferably used in view of copolymerization reactivity, solubility in aqueous alkali solution and easy availability. These are used alone or in combination.

본 발명에서 사용되는 공중합체(A)는 화합물(a2)로부터 유도되는 구성 단위를, 화합물(a1), 화합물(a2) 및 화합물(a3)으로부터 유도되는 반복 단위의 합계에 대하여 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량% 함유한다. 이 구성 단위가 10 중량% 미만인 경우에는, 얻어지는 층간 절연막 또는 절연막의 내열성, 표면 경도가 저하되는 경향이 있고, 한편 70 중량%를 초과하는 경우에는 공중합체의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다.The copolymer (A) used in the present invention preferably has a structural unit derived from compound (a2) with respect to the sum of the repeating units derived from compound (a1), compound (a2) and compound (a3). 70 wt%, particularly preferably 20 to 60 wt%. When this structural unit is less than 10 weight%, there exists a tendency for the heat resistance and surface hardness of the obtained interlayer insulation film or insulating film to fall, and when it exceeds 70 weight%, there exists a tendency for the storage stability of a copolymer to fall.

화합물(a2)로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등이 공중합 반응성 및 얻어지는 광확산 반사막의 내열성, 표면 경도를 높인다는 점에서 바람직하게 사용된다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 이용된다.As the compound (a2), for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, acrylic acid -3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl , o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether and the like. Among these, methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like are copolymerizable and reactive. And the point which raises heat resistance and surface hardness of the light-diffusion reflecting film obtained. These are used alone or in combination.

본 발명에서 사용되는 공중합체(A)는 화합물(a3)으로부터 유도되는 구성 단위를, 화합물(a1), 화합물(a2) 및 화합물(a3)으로부터 유도되는 반복 단위의 합계에 대하여 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 15 내지 50 중량%함유한다. 이 구성 단위가 10 중량% 미만인 경우에는 공중합체(A)의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있고, 한편 70 중량%를 초과하는 경우에는 공중합체(A)가 알칼리 수용액에 용해되기 어려운 경향이 있다.The copolymer (A) used in the present invention preferably has a structural unit derived from the compound (a3) with respect to the sum of the repeating units derived from the compound (a1), the compound (a2) and the compound (a3). 70% by weight, particularly preferably 15 to 50% by weight. When this structural unit is less than 10 weight%, there exists a tendency for the storage stability of a copolymer (A) to fall, and when it exceeds 70 weight%, there exists a tendency for a copolymer (A) to be insoluble in aqueous alkali solution.

화합물(a3)으로서는, 예를 들면 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트 등의 메타크릴산 알킬에스테르; 메틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트 등의 아크릴산 알킬에스테르; 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02.6]데칸-8-일 메타크릴레이트(해당 기술 분야에서 관용명으로 디시클로펜타닐메타크릴레이트라고 함), 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트 등의 메타크릴산 환상 알킬에스테르; 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02.6]데칸-8-일 아크릴레이트(해당 기술 분야에서 관용명으로 디시클로펜타닐아크릴레이트라고 함), 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트 등의 아크릴산 환상 알킬에스테르; 페닐메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트 등의 메타크릴산 아릴에스테르; 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등의 아크릴산 아릴에스테르; 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등의 불포화 디카르복실산 디에스테르;Examples of the compound (a3) include methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate and t-butyl methacrylate; Acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and isopropyl acrylate; Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decane-8-yl methacrylate (commonly known in the art as dicyclopentanyl methacrylate), dicyclo Methacrylic acid cyclic alkyl esters such as fentanyloxyethyl methacrylate and isoboroyl methacrylate; Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decane-8-yl acrylate (commonly known in the art as dicyclopentanyl acrylate), dicyclopentanyloxyethylacrylic Acrylic acid cyclic alkyl esters such as acrylate and isoboroyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate; Acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; Unsaturated dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconic acid;

2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 등의 히드록시알킬에스테르;Hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl methacrylate and 2-hydroxypropyl methacrylate;

비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-hydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-히드록시메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5,6-dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-hydroxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-hydroxymethyl-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔,5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene

5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등의 비시클로 불포화 화합물류; 및Bicyclo unsaturated compounds such as 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene; And

스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드, 벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미도벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미도부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미도카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미도프로피오네이트, N-(9-아크리디닐) 말레이미드 등을 들 수 있다.Styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, acetic acid Vinyl, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, phenylmaleimide, cyclohexylmaleimide, benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N- Succinimidyl-4-maleimidobutylate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3-maleimidopropionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like. Can be mentioned.

이들 중에서 스티렌, t-부틸메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, p-메톡시스티렌, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 1,3-부타디엔, 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드 등이 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 관점에서 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용된다.Among them, styrene, t-butyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, p-methoxy styrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, 1,3-butadiene, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene Phenyl maleimide, cyclohexyl maleimide, etc. are preferable from a copolymerization reactivity and the solubility with respect to aqueous alkali solution. These are used alone or in combination.

본 발명에서 사용되는 공중합체(A)의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면As a preferable specific example of the copolymer (A) used by this invention, for example,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜 공중합체,Styrene / methacrylic acid / methacrylate glycidyl copolymer,

1,3-부타디엔/스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜 공중합체,1,3-butadiene / styrene / methacrylic acid / methacrylic acid glycidyl copolymer,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 메타크릴레이트 공중합체,Styrene / methacrylic acid / methacrylic acid glycidyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/시클로헥실말레이미드 공중합체,Styrene / methacrylic acid / methacrylic acid glycidyl / cyclohexylmaleimide copolymer,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/페닐말레이미드 공중합체,Styrene / methacrylic acid / methacrylate glycidyl / phenylmaleimide copolymer,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 메타크릴레이트/시클로헥실말레이미드 공중합체를 들 수 있고, 이들 중에서도Styrene / methacrylic acid / methacrylic acid glycidyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / cyclohexylmaleimide copolymer, among which

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 메타크릴레이트 공중합체,Styrene / methacrylic acid / methacrylic acid glycidyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer,

스티렌/메타크릴산/메타크릴산 글리시딜/시클로헥실말레이미드 공중합체가 특히 바람직하다.Particular preference is given to styrene / methacrylic acid / glycidyl glycidyl / cyclohexylmaleimide copolymers.

공중합체(A)의 제조에 사용되는 용매로서는, 구체적으로 예를 들면 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류; 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르 아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르 프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류;As a solvent used for manufacture of a copolymer (A), For example, Alcohol, such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran; Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; Diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether and propylene glycol butyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate and propylene glycol butyl ether acetate; Propylene glycol alkyl ether propionates such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate and propylene glycol butyl ether propionate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤류; 및 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록시아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산프로필, 락트산부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산프로필, 3-히드록시프로피온산부틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산프로필, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산프로필, 에톡시아세트산부틸, 프로폭시아세트산메틸, 프로폭시아세트산에틸, 프로폭시아세트산프로필, 프로폭시아세트산부틸, 부톡시아세트산메틸, 부톡시아세트산에틸, 부톡시아세트산프로필, 부톡시아세트산부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산프로필, 2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필, 3-부톡시프로피온산부틸 등의 에스테르류를 들 수 있다.Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; And methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, hydroxyacetic acid Ethyl, butyl hydroxy acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, 3-hydroxypropionate methyl, 3-hydroxypropionate ethyl, 3-hydroxypropionate propyl, 3-hydroxypropionate butyl, 2-hydroxy Methyl oxy-3-methyl butyrate, methyl methoxy acetate, ethyl methoxy acetate, methoxy acetate propyl, butyl acetate, ethoxy acetate methyl, ethoxy acetate, ethoxy acetate propyl, butyl ethoxy acetate, pro Methyl acetate, ethyl propoxy acetate, propyl acetate, propoxy acetate, butyl acetate, methyl butoxy acetate, ethyl butoxy acetate, Propyl butoxy acetate, butyl butoxy acetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, 2-ethoxypropionic acid Ethyl, 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate , 3-methoxy ethyl propionate, 3-methoxy propyl propionate, 3-methoxy propionate, methyl 3-ethoxy propionate, 3-ethoxy propionate, 3-ethoxy propyl propionate, 3-ethoxy propionate, 3-propoxy propionate, 3-propoxy propionate, 3-propoxypropionate, 3-propoxy propionate, 3-butoxypropionate, 3-butoxypropionate, 3-butoxypropion Profile, may be mentioned esters such as butyl propionate, 3-butoxy.

공중합체(A)의 제조에 사용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(tert-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 유기 과산화물; 및 과산화수소를 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 사용하는 경우에는, 과산화물을 환원제와 함께 사용하여 레독스형 개시제로 할 수도 있다.As a polymerization initiator used for manufacture of a copolymer (A), what is generally known as a radical polymerization initiator can be used, For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis- Azo compounds such as (2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxy pivalate, 1,1'-bis- (tert-butylperoxy) cyclohexane; And hydrogen peroxide. When using a peroxide as a radical polymerization initiator, a peroxide can also be used together with a reducing agent to make it a redox type initiator.

본 발명에서 사용되는 공중합체(A)는, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량( 이하, 「Mw」라고 함)이 통상 2×103내지 1×105, 바람직하게는 5×103내지 5×104인 것이 바람직하다. Mw가 2×103미만이면, 얻어지는 피막은 현상성, 잔막율 등이 저하되거나, 또한 패턴 형상, 내열성 등이 떨어지는 경우가 있고, 한편 1×105를 초과하면, 감도가 저하되거나 패터닝 형상이 떨어지는 경우가 있다.As for the copolymer (A) used by this invention, the polystyrene conversion weight average molecular weight (henceforth "Mw") is 2x10 <3> -1 * 10 <5> normally, Preferably it is 5x10 <3> -5 * 10 <4>. Is preferably. If Mw is less than 2 × 10 3 , the resulting film may have low developability, residual film ratio, or the like, and poor pattern shape, heat resistance, and the like. On the other hand, if it exceeds 1 × 10 5 , the sensitivity may be lowered or the patterning shape may be reduced. You may fall.

상기한 바와 같이 본 발명에서 사용되는 공중합체(A)는, 카르복실기 및(또는) 카르복실산 무수물기 및 에폭시기를 가지고, 알칼리 수용액에 대하여 적절한 용해성을 가짐과 동시에, 특별한 경화제를 병용하지 않더라도 가열에 의해 쉽게 경화될 수 있다.As described above, the copolymer (A) used in the present invention has a carboxyl group and / or a carboxylic anhydride group and an epoxy group, has appropriate solubility in an aqueous alkali solution, and is suitable for heating even without using a special curing agent. Can be easily cured.

상기 공중합체(A)를 포함하는 조성물은 층간 절연막의 제조 과정중, 현상 공정에서 현상 잔여물을 발생하지 않고, 또한 막 감소가 없으며, 목적하는 형상을 쉽게 형성할 수 있다.The composition including the copolymer (A) does not generate developing residues in the developing process during the manufacturing process of the interlayer insulating film, and there is no film reduction, and it is possible to easily form a desired shape.

(B) 1,2-퀴논디아지드 화합물(B) 1,2-quinonediazide compound

본 발명에서 사용되는 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물은 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 카르복실산을 생성하는 기능을 갖는 1,2-퀴논디아지드 화합물로, 예를 들면 1,2-벤조퀴논디아지도 술폰산에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르, 1,2-벤조퀴논디아지도 술폰산아미드 및 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산아미드 등을 들 수 있다.(B) 1,2-quinonediazide compound used by this invention is a 1,2-quinonediazide compound which has a function which produces | generates a carboxylic acid by irradiation of radiation, such as an ultraviolet-ray, For example, 1,2 -Benzoquinone diazido sulfonic acid ester, a 1, 2- naphthoquinone diazido sulfonic acid ester, a 1, 2- benzoquinone diazido sulfonic acid amide, a 1, 2- naphthoquinone diazido sulfonic acid amide, etc. are mentioned.

이들의 구체예로서는 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,4,6-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,4,6-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르 등의 트리히드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르;Specific examples of these include 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester and 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone Diazido-5-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid ester of trihydroxy benzophenone, such as naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester;

2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르,2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르 등의 테트라히드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르;2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2 Naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,3 ' Tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid Ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzo Phenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid Ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxy -3'-methoxybenzophenone-1,2-naph 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid ester of tetrahydroxy benzophenone, such as a toquinone diazido-5-sulfonic acid ester;

2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르 등의 펜타히드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르;2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2', 6'-pentahydroxybenzophenone 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid ester of pentahydroxy benzophenone, such as -1, 2- naphthoquinone diazido-5- sulfonic acid ester;

2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르 등의 헥사히드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르;2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,4,6,3 ', 4', 5 ' Hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone Hexahydroxy benzophene, such as diazido-4- sulfonic acid ester and 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxy benzophenone- 1,2-naphthoquinone diazido-5- sulfonic acid ester Discussion 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid ester;

비스(2,4-디히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 비스(p-히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 비스(p-히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 트리(p-히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 트리(p-히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판 -1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르;Bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido -5-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido -5-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido -5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl ) Ethane-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, bis ( 2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyfe Nil) propane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinone diazido-5- Sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 1,1,3- Tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester;

4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄-1,2-나프토퀴논디아지도 -5-술폰산에스테르, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시플라반-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시플라반-1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르 등의 (폴리히드록시페닐)알칸의 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르를 들수 있다.4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 4 , 4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, bis ( 2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)- 2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6,7, 5 ', 6', 7'-hexanol-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5 , 6,7,5 ', 6', 7'-hexanol-1,2-naphthoquinone diazido-5-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydrate Roxyflavan-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinone diazide 5-sulfonic acid ester, such as (poly-hydroxy-phenyl) deulsu 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester of the alkanoic map.

또한, 상기 예시된 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산에스테르류의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지도 술폰산아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산아미드 등도 바람직하게 사용된다.Moreover, the 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid amides which changed the ester bond of the above-mentioned 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid esters to an amide bond, for example, 2,3,4-trihydride Roxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4- sulfonic acid amide etc. are also used preferably.

이들 중에서도 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르 등이 바람직하게 사용되고, 그 중 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논아지도-4-술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르가 특히 바람직하다.Among them, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphtho Quinone diazido-4-sulfonic acid ester, 2,2 ', 4,4'- tetrahydroxy benzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, bis (2, 4- dihydroxy phenyl ) Methane-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] Bisphenol-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinone Diazido-4-sulfonic acid ester is preferably used, among which 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4 ' Tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl ] Ethylidene] bisphenol-1, 2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester is especially preferable.

이들 1,2-퀴논디아지드 화합물은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These 1,2-quinonediazide compounds can be used individually or in combination of 2 or more types.

(B) 1,2-퀴논디아지드 화합물의 사용 비율은, 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 100 중량부, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량부이다.The use ratio of the (B) 1,2-quinonediazide compound is preferably 5 to 100 parts by weight, more preferably 10 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer (A).

이 비율이 5 중량부 미만인 경우에는, 방사선의 조사에 의해 생성되는 산량이 적기 때문에, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차가 작아서 패터닝이 어려워진다. 또한, 에폭시기 반응에 관여하는 산의 양이 적어지기 때문에, 충분한 내열성 및 내용제성이 얻어지지 않는다. 한편, 이 비율이 100 중량부를 초과하는 경우에는, 단시간의 방사선 조사에서는, 미반응의 (B) 성분이 다량으로 잔존하기 때문에 상기 알칼리 수용액으로의 불용화 효과가 너무 높아져 현상하기가 곤란해진다.When this ratio is less than 5 parts by weight, since the amount of acid generated by irradiation of the radiation is small, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion of the radiation to the alkaline aqueous solution serving as the developing solution becomes small, so that patterning becomes difficult. In addition, since the amount of acid involved in the epoxy group reaction decreases, sufficient heat resistance and solvent resistance cannot be obtained. On the other hand, when this ratio exceeds 100 weight part, in a short time irradiation, since unreacted (B) component remains in large quantities, the insolubilization effect to the said aqueous alkali solution becomes high too much and it becomes difficult to develop.

(C) 상압에서의 비점이 180 ℃ 이상인 용매(C) a solvent having a boiling point of at least 180 ° C. at atmospheric pressure

본 발명에서의 용매는 상압(1 기압)에서의 비점(이하, 비점(이하, 간단하게「비점」이라고 함)이 180 ℃ 이상인 용매(이하, 「고비점 용매」라고 함)를 포함한다. 고비점 용매의 비점은 바람직하게는 200 ℃ 이상이다. 또한, 고비점 용매의 비점의 상한은, 잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 제조할 수 있는 한 특별히 제약되지는 않지만, 수지 조성물의 제조 공정 및 층간 절연막의 제조 공정에서의 조작성의 관점에서 보면, 비점이 290 ℃ 이하, 바람직하게는 280 ℃ 이하의, 상온(20 ℃)에서 비교적 저점도의 액체인 고비점 용매가 바람직하다. 따라서, 본 발명에서의 고비점 용매의 바람직한 비점 범위는, 구체적으로 180 내지 290 ℃이고, 더욱 바람직하게는 200 내지 280 ℃이다.The solvent in the present invention includes a solvent (hereinafter referred to as a "high boiling point solvent") having a boiling point (hereinafter referred to as "boiling point") at a normal pressure (1 atm) of 180 ° C or more. The boiling point of the point solvent is preferably 200 ° C. or more, and the upper limit of the boiling point of the high boiling point solvent is not particularly limited as long as the interlayer insulating film can be produced by the inkjet method, but the manufacturing process of the resin composition and the interlayer insulating film From the viewpoint of the operability in the production process of, a high boiling point solvent having a relatively low viscosity liquid at room temperature (20 ° C.) having a boiling point of 290 ° C. or lower, preferably 280 ° C. or lower is preferable. Preferable boiling range of a high boiling point solvent is 180-290 degreeC specifically, More preferably, it is 200-280 degreeC.

고비점 용매로서는, 예를 들면 화학식 R1-O(CH2CH2O)2-R2(단, R1및 R2는 서로 독립적으로 탄소수 2 내지 10의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 디에틸렌글리콜 디알킬에테르계 용매; 화학식 R3-O(CH2CH2O)3-R4(단, R3및 R4는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 트리에틸렌글리콜 디알킬에테르계 용매;As the high boiling point solvent, for example, diethylene represented by the formula R 1 -O (CH 2 CH 2 O) 2 -R 2 (wherein R 1 and R 2 independently represent an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms) Glycol dialkyl ether solvents; Triethylene glycol dialkyl ether solvents represented by formula R 3 -O (CH 2 CH 2 O) 3 -R 4 (wherein R 3 and R 4 independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms);

화학식 R5-O(CH2CH2O)i-R6(단, R5및 R6은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, i는 2 내지 30의 정수임)으로 표시되는 폴리에틸렌글리콜 디알킬에테르계 용매;Polyethylene glycol represented by the formula R 5 -O (CH 2 CH 2 O) i -R 6 (wherein R 5 and R 6 independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, i is an integer of 2 to 30) Dialkyl ether solvents;

화학식 R7-OCH(CH3)CH2O-R8(단, R7및 R8은 서로 독립적으로 탄소수 2 내지 10의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 프로필렌글리콜 디알킬에테르류;Propylene glycol dialkyl ethers represented by the formula R 7 -OCH (CH 3 ) CH 2 OR 8 (wherein R 7 and R 8 independently represent an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms);

에틸렌글리콜 모노이소아밀에테르, 에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르 등의 에틸렌글리콜 모노알킬에테르류:Ethylene glycol monoalkyl ethers, such as ethylene glycol monoisoamyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, and ethylene glycol monophenyl ether:

에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트 등의 에틸렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류;Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monobutyl ether acetate;

디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르류;Diethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether and diethylene glycol mono-n-butyl ether;

디에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르 아세테이트 등의 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류;Diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-propylether acetate and diethylene glycol mono-n-butylether acetate;

에틸렌글리콜 모노페닐에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르 등의 기타 에테르류;Other ethers such as ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, benzyl ethyl ether, dihexyl ether;

프로필렌글리콜 부틸에테르 아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테트류;Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol butyl ether acetate;

1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올 등의 알코올류;Alcohols such as 1-octanol, 1-nonanol and benzyl alcohol;

메틸에틸케톤, 아세토닐아세톤, 이소포론 등의 케톤류;Ketones such as methyl ethyl ketone, acetonyl acetone and isophorone;

카프로산, 카프릴산 등의 카르복실산류;Carboxylic acids such as caproic acid and caprylic acid;

락트산부틸, 벤조산에틸, 벤조산 n-부틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 말레산디-n-부틸, 글리세린트리아세테이트, 푸마르산디-n-부틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸, 프탈산디-n-프로필, 프탈산디-i-프로필, 프탈산디-n-부틸, 살리실산 i-아밀, γ-부티로락톤, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있다.Butyl lactate, ethyl benzoate, n-butyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, di-n-butyl maleate, glycerin triacetate, di-n-butyl fumarate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, di-phthalate Ester solvents such as di-i-propyl phthalate, di-n-butyl phthalate, i-amyl salicylic acid, γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate.

본 발명에 있어서 바람직한 고비점 용매의 구체예로서는,As a specific example of the high boiling point solvent preferable in this invention,

에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디-n-부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜 디메틸에테르, 펜타에틸렌글리콜 디메틸에테르, 헥사에틸렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디-n-부틸에테르, 락트산부틸 등을 들 수 있다.Ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol, propylene glycol butyl ether acetate, diethylene glycol di-n-butyl ether, Tetraethylene glycol dimethyl ether, pentaethylene glycol dimethyl ether, hexaethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol di-n-butyl ether, butyl lactate and the like.

상기 고비점 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The said high boiling point solvent can be used individually or in combination of 2 or more types.

고비점 용매의 사용량은, 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 통상 100 내지 10,000 중량부, 바람직하게는 1,000 내지 10,000 중량부, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000 중량부이다.The use amount of the high boiling point solvent is usually 100 to 10,000 parts by weight, preferably 1,000 to 10,000 parts by weight, more preferably 2,000 to 5,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer (A).

본 발명에 있어서, 고비점 용매를 사용함으로써 하기와 같은 효과를 발휘할 수 있다. 즉,In this invention, the following effects can be exhibited by using a high boiling point solvent. In other words,

(1) 잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성할 때에는, 용매의 증발에 의해 층간 절연막 조성물이 점차적으로 점조해지지만, 용매의 비점이 낮으면 점도 변화의 제어가 곤란하기 때문에, 층간 절연막의 형성 과정의 초기와 말기에서의 토출된 조성물의 변화 정도가 커져 층간 절연막의 형성에 지장을 초래하는 데에 반해, 고비점 용매를 사용함으로써 이 점도 변화를 적당한 범위로 제어할 수 있어 원하는 층간 절연막의 형성이 용이하게 된다.(1) When the interlayer insulating film is formed by the inkjet method, the interlayer insulating film composition gradually becomes viscous by evaporation of the solvent. However, when the boiling point of the solvent is low, it is difficult to control the viscosity change. While the degree of change of the composition discharged in the beginning and the end increases, which hinders the formation of the interlayer insulating film, the use of a high boiling point solvent makes it possible to control the change of the viscosity in an appropriate range so that the formation of the desired interlayer insulating film is easy. Done.

(2) 층간 절연막 조성물을 토출시키는 잉크젯 헤드에서의 조성물의 건고에 의한 클로깅을 방지할 수 있고, 또한 그것에 의해 조성물의 토출시 비행 굴곡도 방지할 수 있으며, 양호한 직진성을 확보할 수 있기 때문에, 층간 절연막 형성용 조성물의 이용 효율 및 층간 절연막 제조 장치의 세정 효율이 향상된다.(2) Since clogging due to dryness of the composition in the inkjet head for discharging the interlayer insulating film composition can be prevented, and flight curvature can also be prevented when discharging the composition, thereby ensuring good straightness. The utilization efficiency of the interlayer insulation film forming composition and the cleaning efficiency of the interlayer insulation film manufacturing apparatus are improved.

또한, 본 발명에서는 상기 고비점 용매의 일부를, 비점이 180 ℃ 미만인 용매(이하, 「저비점 용매」라고 함)로 치환할 수도 있다.In addition, in this invention, a part of said high boiling point solvent can also be substituted by the solvent whose boiling point is less than 180 degreeC (henceforth a "low boiling point solvent").

이러한 저비점 용매로서는, 예를 들면As such a low boiling point solvent, for example

에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜 모노알킬에테르류;Ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether;

메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류;Ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate;

에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르 아세테이트 등의 에틸렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류;Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and ethylene glycol monopropyl ether acetate;

프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류;Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate;

디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 기타 에테르류;Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether and tetrahydrofuran;

프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류;Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether and propylene glycol butyl ether;

프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류;Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate;

메탄올, 에탄올 등의 알코올류;Alcohols such as methanol and ethanol;

톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류;Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 메틸이소아밀케톤 등의 케톤류; 및Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, and methyl isoamyl ketone; And

아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 포름산 n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록시아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산프로필, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산프로필, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산프로필, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산프로필, 프로폭시아세트산메틸, 프로폭시아세트산에틸, 부톡시아세트산메틸, 부톡시아세트산에틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류를 들 수 있다.Methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl formate, isoamyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, 2- Methyl hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate Ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, methyl methoxyacetate, methoxyacetic acid, methoxyacetic acid propyl, methoxy butyl acetate, ethoxyacetic acid Methyl, ethyl ethoxy acetate, ethoxy acetate propyl, methyl propoxy acetate, ethyl propoxy acetate, methyl butoxy acetate, butoxy acetane Ethyl Tate, 2-Methoxypropionate, Ethyl 2-methoxy Propionate, Methyl 2-ethoxypropionate, Ethyl 2-ethoxypropionate, Methyl 2-butoxypropionate, Ethyl 2-butoxypropionate, 3-methoxypropionic acid Methyl, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate Ester, such as these, is mentioned.

이들 중에서 디에틸렌글리콜류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜 알킬아세테이트류, 에스테르류가 바람직하고, 특히 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 락트산메틸, 락트산에틸이 바람직하다.Of these, diethylene glycols, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol alkyl acetates, and esters are preferable, and in particular, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol methyl ether, propylene glycol methyl ether acetate , Propylene glycol ethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl lactate, and ethyl lactate are preferable.

이들 저비점 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These low boiling point solvents can be used individually or in mixture of 2 or more types.

저비점 용매를 사용하는 경우, 그 사용 비율은 고비점 용매와 저비점 용매와의 합계에 대하여 통상 50 중량% 이하, 바람직하게는 30 중량% 이하이다. 이 경우, 저비점 용매의 사용 비율이 50 중량%를 초과하면, 고비점 용매를 사용하는 것에 의한 소기의 효과가 손상될 우려가 있다.When using a low boiling point solvent, the use ratio is 50 weight% or less normally with respect to the sum total of a high boiling point solvent and a low boiling point solvent, Preferably it is 30 weight% or less. In this case, when the use ratio of the low boiling point solvent exceeds 50% by weight, the desired effect by using the high boiling point solvent may be impaired.

<그 밖의 임의 성분><Other optional ingredients>

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 상기 공중합체(A), (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 (C) 고비점 용매 이외에, 필요에 따라서 (D) 에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물, (E) 감열성 산 생성 화합물, (F) 밀착 보조제, 및 (G) 계면 활성제를 함유할 수 있다.In the radiation-sensitive resin composition of the present invention, in addition to the copolymer (A), (B) 1,2-quinonediazide compound, and (C) a high boiling point solvent, two (D) epoxy groups may be added to the molecule as needed. The compound containing the above, (E) thermosensitive acid production compound, (F) adhesion | attachment adjuvant, and (G) surfactant can be contained.

상기 (D) 에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물로서는, 예를 들면 에피코트 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 828(유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등의 비스페놀 A형 에폭시 수지 시판품, 에피코트 807(유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등의 비스페놀 F형 에폭시 수지 시판품, 에피코트 152, 154(유까 쉘 에폭시(주) 제조), EPPN 201, 202(닛본 가야꾸(주) 제조) 등의 페놀 노볼락형 에폭시 수지 시판품, EOCN-102, 103S, 104S, 1020, 1025, 1027(닛본 가야꾸(주) 제조), 에피코트 180S75(유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 시판품, CY-175, 177, 179(시바-가이기 에이.쥐.사 제조), ERL-4234, 4299, 4221, 4206 (U.C.C.사 제조), 쇼다인 509 (쇼와 덴꼬(주) 제조), 앨더라이트 CY-182, 192, 184 (시바-가이기 에이.쥐.사 제조), 에피크론 200, 400 (다이닛본 잉크(주) 제조), 에피코트 871, 872(유까 쉘 에폭시(주) 제조), ED-5661, 5662(세라니즈 코팅(주) 제조) 등의 환식 지방족 에폭시 수지 시판품, 에포라이트 100 MF (교에이샤 가가꾸(주) 제조), 에피올 TMP (닛본 유시(주) 제조) 등의 지방족 폴리글리시딜에테르 시판품을 들 수 있다.As a compound containing 2 or more of said (D) epoxy groups in a molecule | numerator, For example, Bisphenol-A type, such as Epicoat 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 828 (made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.). Commercially available epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin commercially available products such as Epicoat 807 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), epicoat 152, 154 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), EPPN 201, 202 (Nipbon Kayaku Co., Ltd.) Phenol novolac-type epoxy resin commercial products, EOCN-102, 103S, 104S, 1020, 1025, 1027 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and epicoat 180S75 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) Cresol novolak-type epoxy resin commercial item, CY-175, 177, 179 (made by Shiba-Geigi A.R.), ERL-4234, 4299, 4221, 4206 (manufactured by UCC), Shodine 509 (Showa Denko) (Manufactured by Co., Ltd.), Alderite CY-182, 192, 184 (manufactured by Ciba-Geigi A.R.), Epikron 200, 400 (manufactured by Dainippon Ink, Inc.), Epicoat 871, 872 Shell Cyclic aliphatic epoxy resin commercial items, such as epoxy (manufactured by Co., Ltd.), ED-5661, 5662 (manufactured by Ceranis Co., Ltd.), epolite 100 MF (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), epiol TMP (Nippon) Aliphatic polyglycidyl ether commercial items, such as Yushi Corporation make), are mentioned.

이들 화합물 중, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 폴리글리시딜에테르류가 현상성 및 반사 요철의 형상 콘트롤의 관점에서 본 발명에 있어서 바람직하게 사용된다.Among these compounds, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, and aliphatic polyglycidyl ethers are seen from the viewpoint of developing and shape control of reflective irregularities. It is preferably used in the invention.

또한, (D) 에폭시 화합물 이외에, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F의 글리시딜에테르와 같은 화합물도 사용할 수 있다.In addition to the epoxy compound (D), for example, compounds such as glycidyl ether of bisphenol A and bisphenol F can also be used.

이들 (D) 에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물의 첨가량은, 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 100 중량부 이하, 바람직하게는 1 내지 100 중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 50 중량부이다. 에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물을 이러한 범위로 함유하는 조성물로부터 형성된 경화물은, 내열성이나 밀착성이 우수하게 된다. 에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물의 첨가량이 1 중량부보다 적으면, 경화 반응이 충분하게 진행하기 어렵고, 그와 같은 조성물로 형성된 경화막은 내열성, 내용제성이 떨어지는 경우가 있다. 또한, 100 중량부를 넘으면 조성 전체의 연화점이 저하되고, 광 확산 반사막에 사용되는 패턴을 형성할 때의 가열 처리중에 형상을 유지하기가 어렵다는 문제가 발생한다.The addition amount of the compound containing two or more of these (D) epoxy groups in a molecule | numerator is 100 weight part or less with respect to 100 weight part of copolymers (A), Preferably it is 1-100 weight part, More preferably, it is 5-50 weight part It is wealth. The hardened | cured material formed from the composition containing the compound containing two or more epoxy groups in a molecule in this range becomes excellent in heat resistance or adhesiveness. When the addition amount of the compound containing two or more epoxy groups in a molecule | numerator is less than 1 weight part, hardening reaction will not fully advance, and the cured film formed from such a composition may be inferior to heat resistance and solvent resistance. Moreover, when it exceeds 100 weight part, the softening point of the whole composition will fall, and the problem that it is difficult to maintain a shape during the heat processing at the time of forming the pattern used for a light-diffusion reflection film arises.

또한, 상기 공중합체(A)도 「에폭시기를 분자내에 2개 이상 함유하는 화합물」이라고 할 수 있지만, 알칼리 가용성을 갖는다는 점에서 (D) 성분과는 다르다.Moreover, although said copolymer (A) can also be called "a compound containing two or more epoxy groups in a molecule | numerator", it differs from (D) component in the point which has alkali solubility.

상기 (E) 감열성 산 생성 화합물은 내열성이나 경도를 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 그의 구체예로서는 불화 안티몬류를 들 수 있고, 시판품으로서는 선에이드 SI-L80, 선에이드 SI-L110, 선에이드 SI-L150 (이상, 산신 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.The said (E) thermosensitive acid generating compound can be used in order to improve heat resistance and hardness. Specific examples thereof include antimony fluoride, and examples of commercially available products include Sun Aid SI-L80, Sun Aid SI-L110, Sun Aid SI-L150 (above, manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and the like.

(E) 성분의 사용 비율은, 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 20 중량부 이하, 보다 바람직하게는 특히 5 중량부 이하이다.The use ratio of (E) component becomes like this. Preferably it is 20 weight part or less, More preferably, it is 5 weight part or less with respect to 100 weight part of copolymers (A).

이 비율이 20 중량부를 초과하는 경우에는, 석출물이 발생하여 패터닝이 곤란해지는 경우가 있다.When this ratio exceeds 20 weight part, precipitates may arise and patterning may become difficult.

또한, 기체와의 접착성을 향상시키기 위해서 (F) 밀착 보조제를 사용할 수도 있다. 이러한 접착 보조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하게 사용되고, 예를 들면 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 들 수 있다. 구체적으로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아나토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Moreover, in order to improve adhesiveness with a base, (F) adhesion | attachment adjuvant can also be used. As such an adhesion | attachment adjuvant, a functional silane coupling agent is used preferably, For example, the silane coupling agent which has reactive substituents, such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, is mentioned. Specifically, trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Methoxysilane, (beta)-(3, 4- epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned.

이러한 밀착 보조제는, 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 20 중량부 이하, 보다 바람직하게는 10 중량부 이하의 양으로 사용된다. 접착 보조제의 양이 20 중량부를 초과하는 경우에는 현상 잔여물이 쉽게 발생하는 경우가 있다.Such adhesion aid is preferably used in an amount of 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the copolymer (A). When the amount of the adhesive aid exceeds 20 parts by weight, development residues may easily occur.

도포성을 향상시키기 위해 (G) 계면 활성제를 사용할 수 있다. 그 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100 (BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142D, 동 F172,동 F173, 동 F183 (다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 플로우라이드 FC-135, 동 FC-170C, 동 FC-430, 동 FC-431(스미또모 쓰리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145, 동 S-382, 동 SC-101, 동 SC-102, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC-106(아사히 글라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(신아끼다 가세이(주) 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (도레이 실리콘(주) 제조) 등 불소계 및 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다.In order to improve applicability, (G) surfactant can be used. As the commercial item, for example, BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE Co., Ltd.), Megapack F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183 (manufactured by Dainippon Ink Chemical Industries, Ltd.), Flowride FC- 135, copper FC-170C, copper FC-430, copper FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Supron S-112, copper S-113, copper S-131, copper S-141, copper S- 145, East S-382, East SC-101, East SC-102, East SC-103, East SC-104, East SC-105, East SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), F-Top EF301, East 303, copper 352 (manufactured by Shinsei Kasei Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.) Fluorine-based and silicone-based surfactants may be mentioned.

(G) 성분으로서는 그 외에도 폴시옥시에틸렌 라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르, 폴시옥시에틸렌 올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌 아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌 디라우레이트, 폴리옥시에틸렌 디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면 활성제; 오르가노실록산 중합체 KP341 (신에츠 가가꾸 고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 N0.57, 95 (교에이샤 가가꾸(주) 제조) 등을 사용할 수 있다.As the (G) component, in addition, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; Nonionic interfaces, such as polyoxyethylene dialkyl esters, such as polyoxyethylene aryl ethers, such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene dilaurate, and polyoxyethylene distearate Active agent; Organosiloxane polymer KP341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic-acid copolymer polyflow N0.57, 95 (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), etc. can be used.

이들 계면 활성제는 공중합체(A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 5 중량부 이하, 보다 바람직하게는 2 중량부 이하로 사용된다. 계면 활성제의 양이 5 중량부를 초과하는 경우에는, 도포시 막 거침이 쉽게 발생하는 경우가 있다.These surfactants are preferably used in an amount of 5 parts by weight or less, more preferably 2 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the copolymer (A). When the amount of the surfactant exceeds 5 parts by weight, film roughness may easily occur during application.

잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물Composition for forming interlayer insulating film by inkjet method

본 발명의 잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물은, 상기 공중합체(A), (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 (C) 비점이 180 ℃ 이상인 용제, 및임의로 첨가하는 그 밖의 배합제를 균일하게 혼합함으로써 제조된다. 통상, 본 발명의 조성물은 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. 예를 들면, 공중합체(A), (B) 1,2-퀴논디아지드, 및 (C) 비점이 180 ℃ 이상인 용제를 소정의 비율로 혼합함으로써 용액 상태의 감방사선성 수지 조성물을 제조할 수 있다.The composition for forming an interlayer insulation film by the inkjet method of this invention is a solvent which the said copolymer (A), (B) 1,2-quinonediazide compound, and (C) boiling point are 180 degreeC or more, and the arbitrary addition It is manufactured by mixing an external compounding agent uniformly. Usually, the composition of the present invention is dissolved in a suitable solvent and used in solution. For example, the radiation sensitive resin composition of a solution state can be manufactured by mixing a copolymer (A), (B) 1,2-quinone diazide, and (C) boiling point solvent 180 degreeC or more by predetermined ratio. have.

본 발명의 조성물은, 그 사용 목적에 따라 적절한 고형분 농도를 사용할 수 있지만, 예를 들면 고형분 농도 10 내지 40 중량%로 사용할 수 있다.Although the suitable solid content concentration can be used for the composition of this invention according to the use purpose, it can be used, for example in 10 to 40 weight% of solid content concentration.

상기한 바와 같이 하여 제조된 조성물은 공경 0.05 내지 3.0 ㎛, 바람직하게는 공경 0.05 내지 0.2 ㎛의 밀리포아 필터 등을 이용하여 여과 분리한 후, 사용할 수도 있다.The composition prepared as described above may be used after filtration separation using a Millipore filter having a pore size of 0.05 to 3.0 μm, preferably a pore size of 0.05 to 0.2 μm, or the like.

본 발명의 조성물은 하기 방법에 의해 층간 절연막을 형성할 수 있다.The composition of the present invention can form an interlayer insulating film by the following method.

층간 절연막의 형성 방법Method of forming an interlayer insulating film

다음으로, 본 발명의 조성물을 사용하여 본 발명의 층간 절연막을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Next, the method of forming the interlayer insulation film of the present invention using the composition of the present invention will be described.

본 발명의 층간 절연막을 형성하는 방법은, 적어도 하기 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method of forming the interlayer insulation film of this invention is characterized by including the following process at least.

(1) 기판 표면에, 잉크젯 장치에 의해 상기 조성물의 도포막을 형성하는 공정.(1) The process of forming the coating film of the said composition on the surface of a board | substrate with an inkjet apparatus.

(2) 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정.(2) Irradiating at least a part of the formed coating film with radiation.

(3) 현상 공정.(3) Developing process.

(1) 기판 표면에, 잉크젯 장치에 의해 상기 조성물의 도포막을 형성하는 공정(1) A step of forming a coating film of the composition on the substrate surface by an inkjet device

본 발명의 조성물은 바탕 기판 표면에 잉크젯 장치에 의해 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹에 의해 용매를 제거함으로써 도포막을 제조할 수 있다.The composition of this invention can be apply | coated to the surface of a base substrate with an inkjet apparatus, Preferably a coating film can be manufactured by removing a solvent by prebaking.

상기 기판으로서 사용할 수 있는 것으로는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 수지 등의 기판을 사용할 수 있다. 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트, 폴리이미드 및 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물과 같은 수지를 들 수 있다.As what can be used as said board | substrate, board | substrates, such as glass, quartz, a silicone, resin, can be used, for example. As resin, resin, such as a ring-opening polymer of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, and cyclic olefin, and its hydrogenated substance, is mentioned, for example.

프리베이킹의 조건은 각 성분의 종류, 배합 배율 등에 따라 상이하지만, 통상 60 내지 130 ℃에서 0.5 내지 15 분간 정도의 조건이 최적이다.Although the conditions of prebaking differ according to the kind of each component, compounding magnification, etc., the conditions of about 0.5 to 15 minutes are usually optimal at 60-130 degreeC.

프리베이킹 후의 막두께는 층간 절연막 형성용 감방사선성 수지 조성물의 고형분 농도나 도포 조건에 의해 원하는 값으로 할 수 있지만, 0.25 내지 6 ㎛ 정도로 할 수 있다.Although the film thickness after prebaking can be made into a desired value by solid content concentration and application | coating conditions of the radiation sensitive resin composition for interlayer insulation film formation, it can be made into about 0.25-6 micrometers.

(2) 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(2) Irradiating at least a portion of the formed coating film with radiation

다음으로, 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 이 때, 예를 들면 소정의 패턴 마스크를 통해 방사선을 조사함으로써, 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사할 수 있다. 여기에서 사용되는 방사선으로서는, 예를 들면 g 선(파장 436 nm), i 선(파장 365 nm) 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저 등의 원자외선, 싱크로트론 방사선 등의 X선, 전자선 등의 하전 입자선을 들 수 있다. 이들 중에서 g 선 및 i 선이 바람직하다.Next, at least a part of the formed coating film is irradiated with radiation. At this time, radiation can be irradiated to at least a part of the formed coating film, for example by irradiating radiation through a predetermined pattern mask. Examples of the radiation used herein include ultraviolet rays such as g rays (wavelength 436 nm), i rays (wavelength 365 nm), far ultraviolet rays such as KrF excimer lasers, X rays such as synchrotron radiation, and charged particle beams such as electron beams. Can be mentioned. Among these, g line and i line are preferable.

이들 방사선의 노광량은 통상 50 내지 10,000 J/m2, 바람직하게는 100 내지 5,000 J/m2이다.The exposure dose of these radiations is usually 50 to 10,000 J / m 2 , preferably 100 to 5,000 J / m 2 .

(3) 현상 공정(3) developing process

방사선을 조사한 후, 현상액을 사용하여 현상 처리하여 방사선의 조사 부분을 제거함으로써 원하는 패턴을 얻을 수 있다. 여기에서 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 2급 아민류; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 4급 암모늄염 또는 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로-(5.4.0)-7-운데센, 1,5-디아자비시클로-(4.3.0)-5-노난 등의 환상 아민류를 물에 용해시킨 알칼리 수용액이 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 현상액에는 수용성 유기 용매, 예를 들면 메탄올, 에탄올 등의 알코올이나 계면 활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명의 조성물을 용해시키는 각종 유기 용매도 현상액으로서 사용할 수 있다.After irradiation with radiation, a desired pattern can be obtained by developing using a developer to remove the irradiation portion of radiation. As a developing solution used here, For example, inorganic alkalis, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia water; Primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; Tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; Alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline or pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo- (5.4.0) -7-undecene, 1,5- An aqueous alkali solution in which cyclic amines such as diazabicyclo- (4.3.0) -5-nonane is dissolved in water is preferably used. In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added to the developer. Moreover, various organic solvents which melt | dissolve the composition of this invention can also be used as a developing solution.

현상 방법으로서는 패들 현상법, 딥핑법, 요동 침지법 등을 이용할 수 있다.As the developing method, a paddle developing method, a dipping method, a rocking dipping method and the like can be used.

현상 처리 후에, 패터닝된 막에 대하여, 예를 들면 유수(流水) 세정에 의한 린스 처리를 수행할 수도 있다.After the development treatment, the patterned film may be subjected to a rinse treatment, for example, by running water washing.

또한, 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전면에 조사함으로써, 상기 막 중에잔존하는 1,2-퀴논디아지드 화합물의 분해 처리를 수행할 수도 있다.In addition, decomposition of the 1,2-quinonediazide compound remaining in the film may be performed by irradiating the entire surface with radiation by a high pressure mercury lamp or the like.

그 후, 바람직하게는 이 막을 핫 플레이트ㆍ오븐 등의 가열 장치를 이용하여 가열 경화 처리함으로써 원하는 층간 절연막을 형성할 수 있다. 이 경화 처리에서의 가열 온도는, 예를 들면 150 내지 280 ℃로 할 수 있고, 가열 시간은 핫 플레이트 상에서 소성시키는 경우에는 5 내지 30 분간, 오븐 중에서 소성시키는 경우에는 30 내지 90 분간으로 할 수 있다.After that, the desired interlayer insulating film can be preferably formed by heat curing the film using a heating apparatus such as a hot plate or oven. The heating temperature in this hardening process can be 150-280 degreeC, for example, and when it bakes on a hotplate, it can be made into 5 to 30 minutes, and when baking in oven, it can be made into 30 to 90 minutes. .

이와 같이 하여 형성된 층간 절연막은 밀착성, 표면 경도, 투명성, 내열성, 내광성, 내용제성 등을 만족시킨다.The interlayer insulating film thus formed satisfies adhesion, surface hardness, transparency, heat resistance, light resistance, solvent resistance, and the like.

<실시예><Example>

이하 합성예, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Although a synthesis example and an Example are shown to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely, this invention is not limited to a following example.

공중합체(A)의 제조Preparation of Copolymer (A)

이하, 본 발명에 사용되는 공중합체(A)의 제조예를 합성예 1 및 2에 나타내었다.Hereinafter, the manufacture example of the copolymer (A) used for this invention is shown in the synthesis examples 1 and 2.

<합성예 1>Synthesis Example 1

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200 중량부를 투입하였다. 계속해서, 스티렌 25 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 메타크릴산 글리시딜 45 중량부 및 메타크릴산 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 10 중량부를 넣고 질소 치환한 후, 서서히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 5 시간 유지하여 공중합체(A-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 33.0 %이었다. 또한, 공중합체(A-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 6,000이었다.5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. Subsequently, 25 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of methacrylic acid, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 10 parts by weight of methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl were substituted with nitrogen. After that, stirring was slowly started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-1). Solid content concentration of the obtained polymer solution was 33.0%. In addition, the weight average molecular weight (Mw) of copolymer (A-1) was 6,000.

<합성예 2>Synthesis Example 2

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200 중량부를 투입하였다. 계속해서, 스티렌 18 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 메타크릴산 글리시딜 40 중량부 및 시클로헥실말레이미드 22 중량부를 넣고, 질소 치환한 후, 서서히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 5 시간 유지하여 공중합체(A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 33.0 %이었다. 또한, 공중합체(A-2)의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,000이었다.5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. Subsequently, 18 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate and 22 parts by weight of cyclohexylmaleimide were added, and after nitrogen replacement, stirring was gradually started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer (A-2). Solid content concentration of the obtained polymer solution was 33.0%. In addition, the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A-2) was 12,000.

제1 조성물의 제조 및 평가Preparation and Evaluation of the First Composition

<실시예 1><Example 1>

공중합체(A)로서 합성예 1에서 얻어진 공중합체(A-1)을 포함하는 용액(공중합체(A-1) 100 중량부(고형분)에 상당하는 양), 성분(B)로서 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논(1 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산클로라이드(2 몰)과의 축합물(2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르) 30 중량부, 성분(C)로서 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트 800 중량부, 성분(H) 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 15 중량부, 및 성분(G) 계면 활성제로서 SH-28PA(도레이 실리콘(주) 제조) 0.1 중량부를 첨가하고, 또한 고형분 농도가 10 %가 되도록 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르를 첨가한 후, 공경 0.2 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여 제1 조성물을 제조하였다.As a copolymer (A), the solution containing the copolymer (A-1) obtained by the synthesis example 1 (amount corresponded to 100 weight part (solid content) of copolymer (A-1)), and 2,3 as component (B). Condensate of 2,3,4,4'-tetrahydride with 1,4,4'-tetrahydroxybenzophenone (1 mol) and 1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid chloride (2 mol) Oxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester) 30 parts by weight, diethylene glycol monobutyl ether acetate as component (C), 800 parts by weight, γ-glycis as component (H) adhesion aid 15 parts by weight of doxypropyltrimethoxysilane and 0.1 parts by weight of SH-28PA (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.) as component (G) surfactants were added, and diethylene glycol methylethyl ether was added so that the solid content concentration was 10%. After addition, the first composition was prepared by filtration with a Millipore filter having a pore diameter of 0.2 μm.

층간 절연막의 형성Formation of Interlayer Insulator

상기 조성물을, 잉크젯 장치를 이용하여 유리 기판상에 도포한 후, 핫 플레이트상에서 90 ℃, 2 분간 프리베이킹하여 도포막을 형성하였다. 그 후, 5 내지 30 ㎛의 절연막 패턴 마스크를 통해 캐논(주) 제조의 알라이너-PLA-501F로 노광한 후, 테트라메틸암모늄히드록시드 0.4 중량% 수용액으로 25 ℃에서 1 분간 현상하였다. 그 후, 물로 유수 세정하고, 건조하여 웨이퍼상에 패턴을 형성하였다. 이 패턴을 오븐 중에서 220 ℃로 60 분간 더 가열 처리하여 막두께 2.0 ㎛의 절연막 패턴을 형성하였다.After apply | coating the said composition on the glass substrate using the inkjet apparatus, it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film. Then, after exposing with Canon Aliner-PLA-501F through a 5-30 micrometers insulating film pattern mask, it developed for 1 minute at 25 degreeC with the tetramethylammonium hydroxide 0.4weight% aqueous solution. Thereafter, the water was washed with water, dried and a pattern was formed on the wafer. This pattern was further heat-processed at 220 degreeC for 60 minutes in oven, and the insulation film pattern of 2.0 micrometers in film thickness was formed.

(1) 감도의 평가(1) evaluation of sensitivity

상기한 바와 같이 하여 5 내지 30 ㎛의 패턴을 형성할 수 있는 최소 노광량을 조사하였다. 이 값을 표 1에 나타내었다. 이 값이 2,000 J/m2이하일 때, 감방사선성은 양호라고 할 수 있다.The minimum exposure amount which can form the pattern of 5-30 micrometers as mentioned above was investigated. This value is shown in Table 1. When this value is 2,000 J / m <2> or less, it can be said that radiation sensitivity is favorable.

(2) 패턴 단면 형상의 평가(2) Evaluation of pattern cross-sectional shape

패턴의 단면 형상을 주사형 전자 현미경으로 관찰한 결과, 도 1에 나타낸 A 내지 C 중 어느 형상에 해당하는가를 표 1에 나타내었다. A 또는 B와 같이, 패턴 엣지가 순테이퍼형 또는 수직으로 형성된 경우에는, 패턴 형상은 양호라고 하였다.C와 같이 역테이퍼를 보이는 경우에는, 밀착성 등이 문제가 되기 때문에 불량으로 하였다.As a result of observing the cross-sectional shape of the pattern with a scanning electron microscope, Table 1 shows which shape corresponds to A to C shown in FIG. 1. Like A or B, when the pattern edge is formed in the forward tapered shape or vertically, the pattern shape is said to be good. When the reverse taper is shown as in C, the adhesiveness is a problem because it is a problem.

(3) 현상 잔여물의 유무(3) presence or absence of developing residue

유리 기판상에 상기와 동일하게 하여 절연막 패턴을 형성한 후, 이하 2 가지 방법에 의해 현상 잔여물의 유무를 조사하였다.After the insulating film pattern was formed in the same manner to the above on the glass substrate, the presence or absence of the development residue was investigated by the following two methods.

① 그린 램프((주)프나텍사 제조)를 이용하여 육안으로 관찰.① Observe visually using green lamp (manufactured by Pnatech Co., Ltd.).

② 주사형 전자 현미경((주) 히다찌 세이사꾸쇼, 형식「S-4200」)을 사용하여 배율 40,000 배로 관찰.② Observed at 40,000 times magnification using a scanning electron microscope (Hitachi Seisakusho Co., Ltd., model "S-4200").

관찰 결과를 표 1에 나타내었다.The observation results are shown in Table 1.

(4) 내열성의 평가(4) evaluation of heat resistance

상기한 바와 같이 하여 절연막을 형성할 때, 오븐 중에서 230 ℃로 60 분간 가열 처리한 전후의 막두께의 변화율을 표 1에 나타내었다. 이 값의 절대치가 가열 전후로 5 % 이내일 때, 내열성 양호라고 할 수 있다.When forming an insulating film as mentioned above, Table 1 shows the change rate of the film thickness before and behind heat processing at 230 degreeC for 60 minutes in oven. When the absolute value of this value is within 5% before and behind heating, it can be said that heat resistance is favorable.

(5) 내용제성의 평가(5) Evaluation of solvent resistance

상기한 바와 같이 하여 형성된 절연막 패턴을, 70 ℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20 분간 침지시키고, 침지에 의한 막두께 변화율을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 값의 절대치가 5 % 미만인 경우, 내용제성은 양호라고 할 수 있다.The insulating film pattern formed as mentioned above was immersed for 20 minutes in the dimethyl sulfoxide temperature-controlled at 70 degreeC, and the film thickness change rate by immersion was measured. The results are shown in Table 1. When the absolute value of this value is less than 5%, solvent resistance can be said to be favorable.

(6) 잉크젯 도포성의 평가(6) evaluation of inkjet coating property

잉크젯 장치를 이용하여 상기 조성물을, 유리 기판상에 2.0 ㎛의 막두께가되도록 도포한 후, 핫 플레이트상에서 90 ℃, 2 분간 프리베이킹하여 도포막을 형성하였다. 이 도포막의 표면 요철을, 접촉식 막두께 측정 장치 α-스텝(텐콜 제팬(주) 제조)을 이용하여, 측정 길이 2,000 ㎛, 측정 범위 2,000 ㎛×2,000 ㎛, 측정 갯수 n=5로 측정하였다. 각 측정 마다 최고부와 최저부의 고저차(nm) 를 표 1에 나타내었다. 이 값이 500 nm 이하일 때, 잉크젯 도포성은 양호라고 할 수 있다.After using the inkjet apparatus, the said composition was apply | coated so that it might become a film thickness of 2.0 micrometers on a glass substrate, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on a hotplate, and formed the coating film. The surface unevenness | corrugation of this coating film was measured by the contact type film thickness measuring apparatus (alpha) -step (made by Tencol Japan Co., Ltd.) by the measurement length 2,000 micrometers, the measurement range 2,000 micrometers x 2,000 micrometers, and the measurement number n = 5. Table 1 shows the difference between the highest and lowest elevations (nm) for each measurement. When this value is 500 nm or less, it can be said that inkjet coating property is favorable.

(7) 건고 특성의 평가(7) Evaluation of dryness characteristics

고정 바늘형 마이크로실린지(해밀톤 마이크로실린지, 형호 701, 바늘 내경 0.13 mm)에 상기 조성물을 흡인하고, 바늘을 아래로 향하여 마이크로실린지를 수직으로 유지하고, 바늘 앞부분에 상기 조성물을 1 ㎕ 압출시킨 상태로 25 ℃의 실내에서 24 시간 방치한 후 조성물의 상태를 관찰하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 표 1에 있어서, 바늘 앞부분에서 조성물이 건고되어 있지 않으면 양호, 건고되어 바늘 구멍이 막혀 있으면 불량이라고 기재하였다.The composition was aspirated by a fixed needle microsyringe (Hamilton microsyringe, model No. 701, needle inner diameter 0.13 mm), the microsyringe was held vertically with the needle facing downward, and 1 μl of the composition was extruded in front of the needle. The state of the composition was observed after leaving for 24 hours in a room temperature of 25 ℃. The results are shown in Table 1. In Table 1, it is described as good if the composition is not dried at the front of the needle and bad if it is dried and the needle hole is blocked.

<실시예 2, 3, 4, 5><Examples 2, 3, 4, 5>

실시예 1에 있어서, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 종류와 양, 및 그 밖의 용매의 종류를 표 1과 같이 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 조성물 용액을 제조하여 평가하였다.In Example 1, the composition solution was manufactured like Example 1 except having set the kind and quantity of (A) component, (B) component and (C) component, and the kind of other solvent as shown in Table 1. Evaluated.

또한, 표 1에 있어서, 각 성분의 첨가량은 중량부이고, 표 중의 「-」는 해당하는 성분을 첨가하지 않은 것을 나타낸다. (B) 성분, (C) 성분 및 그 밖의 용매의 약칭은 각각 이하의 것을 나타낸다.In addition, in Table 1, the addition amount of each component is a weight part, and "-" in a table | surface shows that the corresponding component was not added. The abbreviation of (B) component, (C) component, and another solvent shows the following, respectively.

B-1: 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논(1 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산클로라이드(2 몰)과의 축합물(2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산에스테르)B-1: Condensate of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone (1 mol) with 1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid chloride (2 mol) (2,3, 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid ester)

B-2: 2,3,4-트리히드록시벤조페논(1 몰)과 1,2-나프토퀴논아지도-4-술폰산에스테르(2.6 몰)과의 축합물(B-2: 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논아지도-4-술폰산에스테르)B-2: Condensate of 2,3,4-trihydroxybenzophenone (1 mol) and 1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester (2.6 mol) (B-2: 2,3 , 4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester)

B-3: 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 (1 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산에스테르(2 몰)과의 축합물B-3: 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1 mol) and 1,2-naphthoquinonedia Condensate with MAP-5-sulfonic acid ester (2 mol)

C-1: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트C-1: diethylene glycol monobutyl ether acetate

C-2: 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트C-2: diethylene glycol monoethyl ether acetate

S-1: 디에틸렌글리콜 디메틸에테르S-1: diethylene glycol dimethyl ether

S-2: 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르S-2: diethylene glycol ethyl methyl ether

<실시예 6, 7><Example 6, 7>

실시예 2에 있어서, (D) 성분을 표 1에 기재된 종류와 첨가량대로 더 첨가한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 조성물 용액을 제조하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.In Example 2, the composition solution was produced and evaluated similarly to Example 2 except having added the component (D) further according to the kind and addition amount of Table 1. The results are shown in Table 1.

또한, (D) 성분의 약칭은 각각 하기의 것을 나타낸다.In addition, abbreviated-name of (D) component shows the following, respectively.

D-1: 교에이샤 가가꾸(주) 제조「에포라이트 100MF」D-1: Epolight 100MF manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.

D-2: 유까 쉘 에폭시(주) 제조「에피코트 828」D-2: Yukata Shell Epoxy Co., Ltd.

<비교예 1, 2><Comparative Examples 1 and 2>

실시예 2에 있어서, (C) 성분을 첨가하지 않고, 대신에 S-1, S-2를 용제로 한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 조성물 용액을 제조하여 평가하였다. 결과는 표 1에 나타내었다.In Example 2, the composition solution was produced and evaluated similarly to Example 2 except not adding (C) component and using S-1 and S-2 as a solvent instead. The results are shown in Table 1.

본 발명에 따르면, 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 광 디바이스에 사용되는 층간 절연막을 잉크젯 방식에 의해 형성하기 위한 재료로서 바람직한 잉크젯 방식 층간 절연막 조성물, 및 잉크젯 방식에 의한 층간 절연막의 형성 방법이 제공된다.According to the present invention, an inkjet interlayer insulating film composition, which is preferable as a material for forming an interlayer insulating film used in an optical device such as a liquid crystal display device, an integrated circuit device, a solid-state imaging device, by an inkjet method, and an interlayer insulating film by an inkjet method Formation methods are provided.

본 발명의 조성물로부터 얻어진 층간 절연막은 밀착성, 표면 경도, 투명성, 내열성, 내광성, 내용제성 등의 층간 절연막으로서 요구되는 여러 가지 성능을 만족시킨다.The interlayer insulation film obtained from the composition of the present invention satisfies various performances required as an interlayer insulation film such as adhesion, surface hardness, transparency, heat resistance, light resistance, solvent resistance, and the like.

Claims (2)

(A) (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 (a3) 그 밖의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체,(A) a copolymer of (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride, (a2) epoxy group-containing unsaturated compound, and (a3) other olefinically unsaturated compound, (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및(B) 1,2-quinonediazide compound, and (C) 상압에서의 비점이 180 ℃ 이상인 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, 잉크젯 방식에 의해 층간 절연막을 형성하기 위한 조성물.(C) A composition for forming an interlayer insulating film by an inkjet method, comprising a solvent having a boiling point at atmospheric pressure of 180 ° C or higher. (1) 기판 표면에, 잉크젯 장치에 의해 제1항에 기재된 조성물의 도포막을 형성하는 공정,(1) forming a coating film of the composition according to claim 1 on the surface of the substrate by an inkjet device; (2) 형성된 도포막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 및(2) irradiating at least a part of the formed coating film with radiation, and (3) 현상 공정(3) developing process 을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 층간 절연막의 형성 방법.Method for forming an interlayer insulating film, characterized in that it comprises at least.
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