KR20040000778A - Liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display is provided to minimize delay deviation of gate pulses supplied to a liquid crystal panel from a driving circuit by differentiating the resistance vale deviation due to the length deviation of gate links or data links. CONSTITUTION: A plurality of gate links(L1,...,Ln) connect signal lines of a liquid crystal panel with pads for supplying signals necessary for the signal lines. An ESD(Electrostatic discharge) circuit line(62) is formed with gate electrodes of thin film transistors. The ESD circuit line crosses the gate links. A common voltage generator or power supply unit(63) applies a common electrode voltage or LCD(Liquid Crystal Display) input power to the ESD circuit line. Overlapped areas of the ESD circuit line with the gate links are different to compensate a wiring resistance value deviation due to length deviation of the gate links. An ESD circuit(61) is connected between the ESD circuit line and the common electrode voltage or LCD input power for protecting the liquid crystal panel from static electricity.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid Crystal Display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 링크부의 길이편차에 의한 저항값편차를 보상할 수 있도록 한 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of compensating for a resistance value variation caused by a length deviation of a link portion.

통상적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; 이하 "LCD"라 한다)는 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로부로 구성된다. 액정패널의 하부기판에는 액정셀들에 공급되는 신호를 각각 절환하기 위한 스위치소자들(즉, TFT어레이)이 구성되어 있다. 이때, 스위치소자의 게이트단자는 게이트 구동부(도시되지 않음)에 접속되어 있으며, 소스단자는 소스 구동부(도시되지 않음)에 각각 접속되어 있다. 또한, 스위치소자의 드레인단자는 화소전극에 접속되어 있다. 한편, 액정패널의 상부기판의 공통전극에는 공통전압(Vcom)이 인가되게 된다. 또한, 두장의 기판(즉, 상부기판 및 하부기판)의 사이에 매트릭스 형태로 배열되어진 액정셀이 마련되어 있다.Typically, a liquid crystal display device (hereinafter referred to as "LCD") is composed of a liquid crystal panel and a driving circuit portion for driving the liquid crystal panel. The lower substrate of the liquid crystal panel is provided with switch elements (that is, TFT arrays) for switching signals supplied to the liquid crystal cells, respectively. At this time, the gate terminal of the switch element is connected to the gate driver (not shown), and the source terminal is connected to the source driver (not shown), respectively. The drain terminal of the switch element is connected to the pixel electrode. The common voltage Vcom is applied to the common electrode of the upper substrate of the liquid crystal panel. In addition, a liquid crystal cell arranged in a matrix form between two substrates (ie, an upper substrate and a lower substrate) is provided.

한편, 구동회로부의 제어에 의해 게이트 구동부는 스캐닝신호를 각각의 게이트라인에 순차적으로 인가하게 된다. 또한, 구동회로부의 제어에 의해 소스 구동부는 영상신호를 데이터라인에 인가하게 된다. 이때, 스캐닝신호에 의해 턴-온된 TFT에 영상신호가 인가되면 영상신호는 소스단자, 드레인단자를 경유하여 화소전극으로 이동하게 된다. 이때, 공통전압(Vcom)이 인가되는 ITO와 영상신호가 인가되는 화소전극 간의 전압차에 의해 액정의 배향방향이 조절되게 된다. 이하, 도 1 및 도 2를 결부하여 종래의 액정표시장치에 대하여 살펴보기로 한다.On the other hand, under the control of the driving circuit unit, the gate driver sequentially applies the scanning signals to the respective gate lines. The source driver applies the image signal to the data line under the control of the driver circuit. At this time, when the image signal is applied to the TFT turned on by the scanning signal, the image signal is moved to the pixel electrode via the source terminal and the drain terminal. At this time, the alignment direction of the liquid crystal is controlled by the voltage difference between the ITO to which the common voltage Vcom is applied and the pixel electrode to which the image signal is applied. Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1을 참조하면, 종래의 액정표시장치는 공통전압 발생부(30)로부터 공통전압(Vcom)이 인가되는 ITO막(20)과, 하부기판(10) 상에 형성되어 ITO막(20)에 공통전압을 전달하는 Ag도트(12)와, Ag도트(12)와 Ag도트(12) 사이에 형성된 정전 손상(Electrostatic Discharge : 이하 "ESD"라 함) 회로배선(14, 16)을 구비한다. 도 1에 도시된 바와 같이 액정패널에는 적어도 2개 이상의 ESD회로배선이 형성되어 있다. 이 경우, Ag도트(12)는 구(Sphere)형상으로 형성되어 전도성을 가지게 되며, 하부기판(10)상의 A, B, C, D 지점에 각각 형성되어 있다. 또한, 공통전압이 인가되도록 Ag도트(12)의 상부에는 ITO막(20)이 배치되어 있다. 여기서, ESD회로(11)는 정전기로부터 액정패널을 보호한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal display according to the related art is formed on the ITO film 20 to which the common voltage Vcom is applied from the common voltage generator 30, and the lower substrate 10. Ag dots 12 for transmitting a common voltage and electrostatic discharge (hereinafter referred to as "ESD") circuit wirings 14 and 16 formed between the Ag dots 12 and the Ag dots 12 are provided. As shown in FIG. 1, at least two ESD circuit wirings are formed in the liquid crystal panel. In this case, the Ag dot 12 is formed in a sphere shape to have conductivity, and is formed at points A, B, C, and D on the lower substrate 10, respectively. In addition, the ITO film 20 is disposed on the Ag dot 12 so that the common voltage is applied. Here, the ESD circuit 11 protects the liquid crystal panel from static electricity.

도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 액정표시장치의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 종래의 액정표시장치는 우선 하부기판(10) 상에는 게이트전극(31), 게이트링크(38) 및 제 1 ESD회로배선(14)이 형성된다. 즉, 하부기판(10) 상의 게이트패드부에는 게이트링크(38)가 형성되고, TFT영역에는 게이트전극(31)이 형성되고, 데이터패드부에는 제 1 ESD회로배선(14)이 형성된다. 이러한, 게이트전극(31), 게이트링크(38) 및 제 1 ESD회로배선(14)은 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등의 금속재질을 사용하여 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the liquid crystal display device taken along the line AA ′ of FIG. 1. Referring to FIG. 2, in the conventional liquid crystal display, a gate electrode 31, a gate link 38, and a first ESD circuit wiring 14 are first formed on the lower substrate 10. That is, the gate link 38 is formed in the gate pad portion on the lower substrate 10, the gate electrode 31 is formed in the TFT region, and the first ESD circuit wiring 14 is formed in the data pad portion. The gate electrode 31, the gate link 38, and the first ESD circuit wiring 14 are deposited using a metal material such as aluminum (Al) or copper (Cu) by a deposition method such as sputtering. It is then formed by patterning.

게이트전극(31), 게이트링크(38) 및 제 1 ESD회로배선(14) 상에는 게이트절연층(32)이 형성된다. 게이트절연층(32)은 게이트링크(38) 및 게이트전극(31)을 덮도록 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx) 등의 절연물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식으로 전면 증착하여 형성된다.The gate insulating layer 32 is formed on the gate electrode 31, the gate link 38, and the first ESD circuit wiring 14. The gate insulating layer 32 is formed by completely depositing an insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) to cover the gate link 38 and the gate electrode 31 by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. Is formed.

TFT 영역의 게이트절연층(32) 상에는 활성층(33) 및 오믹접촉층(34)이 형성된다. 활성층(33) 및 오믹접촉층(34)은 게이트절연층(32) 상에 제 1 및 제 2 반도체층을 적층하고 패터닝함으로써 형성된다. 즉, 활성층(33)은 제 1 반도체층인 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 형성된다. 또한, 오믹접촉층(34)은 제 2 반도체층인 N형 또는 P형의 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된다.The active layer 33 and the ohmic contact layer 34 are formed on the gate insulating layer 32 in the TFT region. The active layer 33 and the ohmic contact layer 34 are formed by stacking and patterning the first and second semiconductor layers on the gate insulating layer 32. That is, the active layer 33 is formed of amorphous silicon which is not doped with impurities, which is the first semiconductor layer. In addition, the ohmic contact layer 34 is formed of amorphous silicon doped with N-type or P-type impurities as the second semiconductor layer at a high concentration.

게이트절연층(32) 상에 소스 및 드레인전극(35, 36), 제 2 ESD회로배선(16) 및 데이터링크(42)가 형성된다. 즉, 제 2 ESD회로배선(16)은 게이트절연층(32)을 사이에 두고 게이트링크(38) 상에 형성되고, 데이터링크(42)는 게이트절연층(32)을 사이에 두고 제 1 ESD회로배선(14) 상에 형성된다.Source and drain electrodes 35 and 36, a second ESD circuit wiring 16, and a data link 42 are formed on the gate insulating layer 32. That is, the second ESD circuit wiring 16 is formed on the gate link 38 with the gate insulating layer 32 interposed therebetween, and the data link 42 has the first ESD with the gate insulating layer 32 interposed therebetween. It is formed on the circuit wiring 14.

소스 및 드레인전극(35, 36), 데이터링크(42) 및 제 2 ESD회로배선(16)은 CVD방법 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 금속층을 전면 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다. 소스 및 드레인전극(35, 36)을 패터닝한 후 게이트전극(31)과 대응하는 부분의 오믹접촉층(34)도 패터닝하여 활성층(33)이 노출된다. 활성층(33)에서 소스 및 드레인전극(35, 36) 사이의 게이트전극(31)과 대응하는 부분은 채널이 된다. 이러한, 소스 및 드레인전극(35, 36), 데이터링크(42) 및 제 2 ESD회로배선(16)은 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)등으로 형성된다.The source and drain electrodes 35 and 36, the data link 42 and the second ESD circuit wiring 16 are formed by depositing and patterning the metal layer on the entire surface by the CVD method or the sputtering method. After patterning the source and drain electrodes 35 and 36, the ohmic contact layer 34 corresponding to the gate electrode 31 is also patterned to expose the active layer 33. The portion of the active layer 33 corresponding to the gate electrode 31 between the source and drain electrodes 35 and 36 becomes a channel. The source and drain electrodes 35 and 36, the data link 42, and the second ESD circuit wiring 16 are formed of chromium (Cr) or molybdenum (Mo).

게이트절연층(32) 상에 보호층(37)이 형성된다. 보호층(37)은 게이트절연층(32)상에 절연물질을 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다. 이러한, 보호층(37)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 등의 무기절연물질 또는 아크릴계(acryl)유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기절연물로 형성된다.The protective layer 37 is formed on the gate insulating layer 32. The protective layer 37 is formed by depositing an insulating material on the gate insulating layer 32 and then patterning the insulating material. The protective layer 37 is formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or an organic insulating material such as acrylic organic compound, BCB (benzocyclobutene) or PFCB (perfluorocyclobutane).

보호층(37) 상에는 드레인접촉홀(44)이 형성된다. 드레인접촉홀(44)이 형성된 보호층(37) 상에 투명전도성물질을 증착한 후 패터닝함으로써 화소전극(40)이 형성된다. 화소전극(40)은 드레인접촉홀(44)을 통해 드레인전극(36)과 전기적으로 접촉된다. 화소전극(40)은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide) 및 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide) 중 어느 하나로 형성된다.The drain contact hole 44 is formed on the protective layer 37. The pixel electrode 40 is formed by depositing and patterning a transparent conductive material on the protective layer 37 having the drain contact hole 44 formed thereon. The pixel electrode 40 is in electrical contact with the drain electrode 36 through the drain contact hole 44. The pixel electrode 40 may be any one of indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide. It is formed as one.

도 3은 액정표시장치의 게이트패드부 또는 데이터패드부를 나타내는 평면도이다.3 is a plan view illustrating a gate pad portion or a data pad portion of a liquid crystal display device.

도 3을 참조하면, 우선 게이트패드부는 게이트링크들(L1, ... , Ln)을 통해 구동 IC로부터 인가되는 스캐닝신호를 액정패널의 게이트라인들에 전달한다. 이를 위해, 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 게이트라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 되는 반면에 동일한 폭 및 두께를 가진다.Referring to FIG. 3, first, the gate pad unit transfers a scanning signal applied from the driving IC to the gate lines of the liquid crystal panel through the gate links L1,..., Ln. To this end, the gate links L1, ..., Ln may have different inclinations depending on their positions in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a gate line having a relatively wide gap. They will have different lengths, while having the same width and thickness.

이로 인하여, 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 걸리는 저항은 그의 길이차에 따라 미세하나마 차이를 가지게 된다. 특히, 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이가 짧은 중심부와 길이가 긴 에지부 간의 저항차가 크게 나타나게 된다. 이와 같이, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이에 따른 저항차를 가짐에 따라 게이트라인들 각각에 인가되는 게이트신호의 지연이 발생됨으로써 수평띠와 같은 휘도차이가 발생되는 문제점이 있다.As a result, the resistances applied to the gate links L1, ..., Ln have a slight difference depending on their length difference. In particular, the resistance difference between the central portion having the shorter length and the longer edge portion of the gate links L1, ..., Ln is large. As such, as the resistance difference according to the length of each of the gate links L1, ..., Ln occurs, a delay of a gate signal applied to each of the gate lines is generated, thereby causing a luminance difference such as a horizontal band. There is this.

이러한 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 신호지연은 저항과 캐패시턴스에 의해 결정된다. 즉, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 ESD회로배선(22)과의 중첩면적이 동일하기 때문에 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과 ESD회로배선(22)과의 캐패시턴스(CS1)는 일정하게 유지되는 반면에 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각의 배선 길이편차에 따라 라인저항값이 중심부와 에지부에서 차이가 발생하기 때문에 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에서 신호지연이 발생하게 된다.The signal delay of each of these gate links L1, ..., Ln is determined by resistance and capacitance. That is, since each of the gate links L1, ..., Ln has the same overlapping area with the ESD circuit wiring 22, the gate links L1, ..., Ln and the ESD circuit wiring 22 are the same. While the capacitance CS1 is maintained constant, the line resistance value varies in the center and the edge part according to the wiring length deviation of each gate link L1, ..., Ln. Delays occur at L1, ..., Ln.

ESD회로배선(22)에는 도시하지 않은 공통전압발생부 또는 전원공급부로부터 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(23)이 인가된다. 또한, ESD회로배선(22)과 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(23) 사이에는 정전기로부터 액정패널을 보호하기 위한 ESD회로(21)가 접속된다.The common electrode voltage or the LCD input power source 23 is applied to the ESD circuit wiring 22 from a common voltage generator or power supply unit (not shown). In addition, an ESD circuit 21 for protecting the liquid crystal panel from static electricity is connected between the ESD circuit wiring 22 and the common electrode voltage or the LCD input power supply 23.

이와 같은 게이트라인의 신호지연으로 인해 아래의 수학식 1과 같이 화소에 인가되는 전압값(ΔVp)이 게이트라인 각각마다 차이를 보이게 된다.Due to the signal delay of the gate line, the voltage value ΔVp applied to the pixel may be different for each gate line as shown in Equation 1 below.

수학식 1에 있어서, 게이트라인에서 신호지연이 발생할 경우에는 Vp(Vgh-Vgl)가 작아지게 되므로 화소에 인가되는 전압값(ΔVp)은 작아지게 된다. 다시 말하여, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이에 따른 저항차로 인한 신호지연은 도 4에 도시된 바와 같이 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 중심부(Center)보다 에지부(Edge)에서 심하게 된다.In Equation 1, when a signal delay occurs in the gate line, Vp (Vgh-Vgl) becomes small, so that the voltage value ΔVp applied to the pixel becomes small. In other words, the signal delay due to the resistance difference according to the length of each gate link (L1, ..., Ln) is the center of each gate link (L1, ..., Ln) as shown in FIG. It is worse at the edge edge than the center.

또한, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)로부터 화소영역에 공급되는 공통전압값(Vcom)은 도 5에 도시된 바와 같이 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 중심부에서는 정극성전압과 부극성전압의 중앙에 맞추어지게 된다. 이로 인해, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 에지부에서의 공통전압값(Vcom)은 도 6에 도시된 바와 같이 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 중심부보다 높게 된다. 따라서, 화소에 인가되는 전압값(ΔVp)이 작은 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 에지부에서의 공통전압값(Vcom)의 레벨이 Vcom' 위치로 상승되어야 정극성전압과 부극성전압의 중앙에 맞추어지게 된다. 즉, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 에지부에서의공통전압값(Vcom)은 실제 맞춰져야 할 전압보다 낮게 설정되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 에지부와 중심부간에 휘도차이가 발생하게 된다.In addition, the common voltage value Vcom supplied to the pixel region from each gate link L1, ..., Ln is the center of each gate link L1, ..., Ln as shown in FIG. In this case, the positive voltage and the negative voltage are centered. As a result, the common voltage value Vcom at the edge of each gate link L1, ..., Ln is the center of each gate link L1, ..., Ln as shown in FIG. Higher. Therefore, the level of the common voltage value Vcom at the edge portion of each of the gate links L1, ..., Ln having a small voltage value ΔVp applied to the pixel must be raised to the position Vcom 'and the positive voltage It is centered on the negative voltage. That is, the common voltage value Vcom at the edge portion of each gate link L1, ..., Ln is set lower than the voltage to be actually matched so that the edge portion of each gate link L1, ..., Ln The luminance difference occurs between the center and the center.

한편, 데이터패드부는 데이터링크부를 통해 구동 IC로부터 인가되는 데이터신호를 액정패널의 데이터라인들에 전달한다. 이를 위해, 데이터링크부는 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 데이터라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 되는 반면에 동일한 폭 및 두께를 가진다.On the other hand, the data pad unit transfers a data signal applied from the driver IC through the data link unit to the data lines of the liquid crystal panel. To this end, the data link unit has different inclinations and different lengths depending on its position in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a data line having a relatively wide gap, while having the same width. And thickness.

이에 따라, 구동IC로부터 각 데이터링크들에 균일하게 공급되는 데이터펄스가 감쇠되거나 지연된다. 따라서, 각 데이터링크들의 에지부와 중심부간의 지연편차로 인해 액정패널에 표시되는 화면에서 휘도 차이가 발생하게 된다.Accordingly, data pulses uniformly supplied to the respective data links from the driving IC are attenuated or delayed. Therefore, the luminance difference occurs in the screen displayed on the liquid crystal panel due to the delay deviation between the edge portion and the center portion of each data link.

따라서, 본 발명의 목적은 링크부의 길이편차에 의한 저항값편차를 보상할 수 있도록 한 액정표시장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of compensating for a resistance value deviation caused by a length deviation of a link portion.

도 1은 종래의 액정표시장치에서 공통전압이 전달되는 과정을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a process of transmitting a common voltage in a conventional liquid crystal display device.

도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 절취한 액정표시장치의 단면을 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the liquid crystal display device taken along the line AA ′ of FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 게이트패드부를 나타내는 평면도.3 is a plan view of the gate pad illustrated in FIG. 2;

도 4는 도 2에 도시된 게이트패드부의 신호편차를 나타내는 파형도.4 is a waveform diagram illustrating a signal deviation of a gate pad unit illustrated in FIG. 2.

도 5는 도 2에 도시된 게이트패드부의 중심부 게이트링크를 통해 화소전극에 공급되는 화소전압을 나타내는 파형도5 is a waveform diagram illustrating a pixel voltage supplied to a pixel electrode through a central gate link of the gate pad part illustrated in FIG. 2.

도 6은 도 2에 도시된 게이트패드부의 에지부 게이트링크를 통해 화소전극에 공급되는 화소전압을 나타내는 파형도6 is a waveform diagram illustrating a pixel voltage supplied to a pixel electrode through an edge gate link of the gate pad portion illustrated in FIG. 2.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 게이트패드부를 나타내는 평면도.7 is a plan view illustrating a gate pad unit according to a first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 게이트패드부를 나타내는 평면도.8 is a plan view illustrating a gate pad part according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 게이트패드부를 나타내는 평면도.9 is a plan view illustrating a gate pad unit according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 게이트패드부를 나타내는 평면도.10 is a plan view illustrating a gate pad unit according to a fourth embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 하부기판12 : Ag도트10: lower substrate 12: Ag dot

14, 16 : ESD회로배선20 : ITO막14, 16: ESD circuit wiring 20: ITO film

22,39,49,62,72,82,92 : ESD회로배선31 : 게이트전극22, 39, 49, 62, 72, 82, 92: ESD circuit wiring 31: gate electrode

32 : 게이트절연층33 : 활성층32: gate insulating layer 33: active layer

34 : 오믹접촉층35 : 소스전극34: ohmic contact layer 35: source electrode

36 : 드레인전극37 : 보호층36 drain electrode 37 protective layer

38 : 게이트링크42 : 데이터링크38: gate link 42: data link

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 표시영역의 신호배선들과 상기 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 패드들을 연결하기 위한 링크들과, 상기 링크들과 교차되며 상기 링크들의 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하도록 상기 링크들과의 중첩면적이 다르게 설정된정전손상(ESD)회로 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention crosses the links with signal lines in the display area and links for connecting pads for supplying a signal for the signal line. And an electrostatic damage (ESD) circuit wiring having a different overlapping area with the links so as to compensate the wiring resistance value difference due to the length deviation of the links.

액정표시장치에서 상기 신호배선은 게이트배선인 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display, the signal wiring is a gate wiring.

액정표시장치에서 상기 신호배선은 데이터배선인 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display, the signal wiring is characterized in that the data wiring.

액정표시장치에서 상기 링크들은 서로 다른 선폭을 갖는 것을 특징으로 한다.In the LCD, the links may have different line widths.

본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 공통전압이 공급되는 정전손상(ESD)회로 배선과, 표시영역의 신호배선들과 상기 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 패드들을 연결하고 상기 정전손상(ESD)회로 배선들과 교차되며 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하기 위하여 상기 정전손상(ESD)회로 배선과의 중첩면적이 다르게 설정된 링크들을 구비하는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display according to the embodiment of the present invention connects an electrostatic damage (ESD) circuit wiring to which a common voltage is supplied, connects signal wirings of a display area and pads for supplying a signal necessary for the signal wiring, and the electrostatic damage ( And a plurality of links crossing the ESD circuit lines and configured to have different overlapping areas with the electrostatic damage (ESD) circuit lines in order to compensate for the difference in the wiring resistance value due to the length deviation.

액정표시장치에서 상기 신호배선은 게이트배선인 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display, the signal wiring is a gate wiring.

액정표시장치에서 상기 신호배선은 데이터배선인 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display, the signal wiring is characterized in that the data wiring.

액정표시장치에서 상기 링크들은 서로 다른 선폭을 갖는 것을 특징으로 한다.In the LCD, the links may have different line widths.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 10.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정표시장치의 게이트패드부를 나타내는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정표시장치는 도시하지 않은 액정패널의 신호배선들과 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결하기 위한 게이트링크들(L1, ... , Ln)과, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각과 교차되며 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하도록 게이트링크들(L1, ... , Ln)과의 중첩면적이 다르게 설정된 ESD회로배선(62)을 구비한다.7 is a plan view illustrating a gate pad part of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention may include gate links for connecting signal wirings of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a signal for signal wiring. Intersect L1, ..., Ln and gate links L1, ..., Ln and compensate for the difference in wiring resistance value due to the length deviation of each gate link L1, ..., Ln. An ESD circuit wiring 62 having a different overlapping area with the gate links L1, ..., Ln is provided.

ESD회로배선(62)은 박막트랜지터의 게이트전극들과 함께 형성된다. ESD회로배선(62)들과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 게이트절연층에 의해 절연된 상태에서 교차하게 된다. 이러한, ESD회로배선(62)에는 도시하지 않은 공통전압발생부 또는 전원공급부로부터 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(63)이 인가된다. 또한, ESD회로배선(62)과 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(63) 사이에는 정전기로부터 액정패널을 보호하기 위한 ESD회로(61)가 접속된다.The ESD circuit wiring 62 is formed together with the gate electrodes of the thin film transistor. The ESD circuit wirings 62 and the respective gate links L1, ..., Ln cross each other in an insulated state by a gate insulating layer (not shown). The common electrode voltage or the LCD input power 63 is applied to the ESD circuit wiring 62 from a common voltage generator or a power supply (not shown). In addition, an ESD circuit 61 for protecting the liquid crystal panel from static electricity is connected between the ESD circuit wiring 62 and the common electrode voltage or the LCD input power source 63.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 액정패널의 게이트라인들과 게이트라인들에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결한다. 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 패드를 통해 도시하지 않은 구동 IC들에 접속된다. 이러한, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 게이트라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 된다.Each gate link L1, ..., Ln connects gate lines of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a necessary signal to the gate lines. Each of the gate links L1, ..., Ln is connected to driver ICs not shown through a pad. Each of the gate links L1, ..., Ln may have different inclinations depending on its position in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a gate line having a relatively wide gap. Will have different lengths.

이로 인하여, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각에 걸리는 저항은 그의 길이차에 따라 미세하나마 차이를 가지게 된다. 특히, 게이트링크들(L1, ... , Ln)의길이가 짧은 중심부와 길이가 긴 에지부 간의 저항차가 크게 나타나게 된다. 따라서, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 균일하게 공급되는 게이트펄스가 감쇠되거나 지연된다.As a result, the resistance applied to each of the gate links L1,..., Ln has a slight difference depending on the length difference thereof. In particular, the resistance difference between the central portion having a shorter length and the longer edge portion of the gate links L1, ..., Ln is large. Therefore, gate pulses uniformly supplied to the respective gate links L1, ..., Ln from the driving IC are attenuated or delayed.

따라서, 각 게이트트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차에 의한 라인저항값을 보상하기 위하여, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과 ESD회로배선(62)과의 중첩면적은 다르게 설정된다. 즉, ESD회로배선(62)의 선폭은 양 끝단에서 중심부로 점차 증가하게 된다. 이 때, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 신호지연은 수학식 2에 나타낸 바와 같은 관계가 있다.Therefore, in order to compensate for the line resistance value due to the length deviation of the gate links L1, ..., Ln, the gate links L1, ..., Ln and the ESD circuit wiring 62 and The overlap area of is set differently. That is, the line width of the ESD circuit wiring 62 gradually increases from both ends to the center portion. At this time, the signal delay of each gate link (L1, ..., Ln) has a relationship as shown in equation (2).

A : 각 게이트링크의 수직 단면적A: Vertical cross section of each gate link

L : 각 게이트링크의 길이L: length of each gate link

S : 각 게이트링크와 ESD회로배선의 교차면적S: Cross area of each gate link and ESD circuit wiring

d : 각 게이트링크와 ESD회로배선간 거리d: distance between each gate link and ESD circuit wiring

ρ: 비저항ρ: resistivity

수학식 2를 이용하여 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 양 끝단에 배치되는 게이트링크들(L1, Ln)의 신호지연은 수학식 3과 같다.The signal delay of the gate links L1 and Ln disposed at both ends of the gate links L1, ..., and Ln using Equation 2 is expressed by Equation 3 below.

수학식 2를 이용하여 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 중심부에 배치되는 게이트링크들(Ln/2)의 신호지연은 수학식 4와 같다.The signal delay of the gate links Ln / 2 disposed at the center of each of the gate links L1, ..., Ln is expressed by Equation 4 using Equation 2.

이와 같이, ESD회로배선(62)의 선폭을 상술한 수학식 2에 따라 증가시키거나 감소시켜 ESD회로배선(62)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 간의 중첩면적을 다르게 설정하여 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차에 의한 저항값편차를 동일하게 보상한다. 즉, 서로 다른 길이를 가지는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각의 저항값을 그대로 유지시키고, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과 ESD회로배선(62)의 중첩면에서의 캐패시턴스값을 변화시키게 된다.In this way, the line width of the ESD circuit wiring 62 is increased or decreased according to Equation 2 described above to set different overlapping areas between the ESD circuit wiring 62 and the gate links L1, ..., Ln. Therefore, the resistance value deviation caused by the length deviation of each gate link L1, ..., Ln is equally compensated. That is, the resistance of each of the gate links L1, ..., Ln having different lengths is kept as it is, and the gate circuits L1, ..., Ln and the ESD circuit wiring 62 of The capacitance value at the overlapping surface is changed.

이에 따라, ESD회로배선(62)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 캐패시턴스가 변화되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이증가에 따른 저항값의 차이를 보상하여 게이트링크들(L1, ... , Ln) 간의 신호지연을 방지하게 된다. 이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치의 게이트패드부와 종래의 게이트패드부의 신호지연을 비교하면 표1과 같다.Accordingly, the capacitances of the ESD circuit wiring 62 and the gate links L1, ..., Ln are changed, so that the difference in resistance value according to the increase in the length of each gate link L1, ..., Ln is caused. To compensate for the signal delay between the gate links (L1, ..., Ln) is prevented. The signal delay of the gate pad unit and the conventional gate pad unit of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention are shown in Table 1 below.

종래의 구조Conventional structure 본 발명의 구조Structure of the present invention 캐패시턴스Capacitance 에지부 = 중심부Edge = Center 에지부 < 중심부Edge <Center 저항값Resistance 에지부 > 중심부Edge> Center 에지부 > 중심부Edge> Center 신호지연Signal delay 에지부 > 중심부Edge> Center 에지부 = 중심부Edge = Center

따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정표시장치에서는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 대한 신호지연의 편차를 최소화함으로써, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 공급되는 게이트펄스의 감쇠 및 지연없이 균일하게 공급할 수 있다.Accordingly, in the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention, the deviation of the signal delay with respect to each of the gate links L1,..., Ln is minimized, so that the gate links L1,... It is possible to supply uniformly without attenuation and delay of the gate pulse supplied to Ln).

한편, 도시하지 않은 데이터패드부에서 각 데이터링크들의 길이편차에 의해 발생되는 저항값편차로 인한 데이터신호의 지연편차를 보상하기 위하여, 상술한 바와 같이 ESD회로배선은 데이터링크들과의 중첩면적이 다르게 형성된다. 즉, 데이터링크들과 교차되게 중첩되는 ESD회로배선의 선폭은 양 끝단에서 중심부로 점진적으로 증가되도록 형성된다. 이에 따라, 각 데이터링크들의 길이차이에 의해 발생되는 저항값편차를 각 데이터링크들과 ESD회로배선과의 캐패시턴스값으로 보상함으로써, 구동IC로부터 각 데이터링크들을 통해 화소셀에 인가되는 데이터펄스의 화소전압값(ΔVp)의 편차를 최소화 할 수 있다.On the other hand, in order to compensate for the delay deviation of the data signal due to the resistance value deviation caused by the length deviation of each data link in the data pad unit (not shown), as described above, the ESD circuit wiring has an overlapping area with the data links. It is formed differently. That is, the line width of the ESD circuit wiring overlapping the data links is formed to gradually increase from both ends to the center. Accordingly, by compensating for the resistance value deviation caused by the difference in length of each data link by the capacitance value between each data link and the ESD circuit wiring, the pixel of the data pulse applied to the pixel cell through the respective data links from the driver IC. The deviation of the voltage value ΔVp can be minimized.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정표시장치의 게이트패드부를 나타내는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정표시장치는 공통전압원으로부터 공통전압이 공급되는 ESD회로배선(72)과, ESD회로배선(72)과 교차하게 중첩되어 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하기 위하여 ESD회로배선(72)과의 중첩면적이 다르게 형성되는 게이트링크들(L1, ... , Ln)을 구비한다.8 is a plan view illustrating a gate pad part of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention overlaps the ESD circuit wiring 72 to which the common voltage is supplied from the common voltage source, and crosses the ESD circuit wiring 72 due to a length deviation. Gate links L1, ..., Ln are formed to have different overlapping areas with the ESD circuit wiring 72 to compensate for the resistance value deviation.

ESD회로배선(72)은 박막트랜지터의 게이트전극들과 함께 형성된다. ESD회로배선(72)들과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 게이트절연층에 의해 절연된 상태가 된다. 이러한, ESD회로배선(72)에는 도시하지 않은 공통전압발생부 또는 전원공급부로부터 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(73)이 인가된다. 또한, ESD회로배선(72)과 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(73) 사이에는 정전기로부터 액정패널을 보호하기 위한 ESD회로(71)가 접속된다.The ESD circuit wiring 72 is formed together with the gate electrodes of the thin film transistor. The ESD circuit wirings 72 and the respective gate links L1, ..., Ln are insulated by a gate insulating layer (not shown). The common electrode voltage or the LCD input power 73 is applied to the ESD circuit wiring 72 from a common voltage generator or power supply (not shown). In addition, an ESD circuit 71 for protecting the liquid crystal panel from static electricity is connected between the ESD circuit wiring 72 and the common electrode voltage or the LCD input power source 73.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 액정패널의 게이트라인들과 게이트라인들에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결한다. 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 패드를 통해 도시하지 않은 구동 IC들에 접속된다. 이러한, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 게이트라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 된다.Each gate link L1, ..., Ln connects gate lines of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a necessary signal to the gate lines. Each of the gate links L1, ..., Ln is connected to driver ICs not shown through a pad. Each of the gate links L1, ..., Ln may have different inclinations depending on its position in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a gate line having a relatively wide gap. Will have different lengths.

이로 인하여, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각에 걸리는 저항은 그의 길이차에 따라 미세하나마 차이를 가지게 된다. 특히, 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이가 짧은 중심부와 길이가 긴 에지부 간의 저항차가 크게 나타나게 된다. 따라서, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 균일하게 공급되는 게이트펄스가 감쇠되거나 지연된다.As a result, the resistance applied to each of the gate links L1,..., Ln has a slight difference depending on the length difference thereof. In particular, the resistance difference between the central portion having the shorter length and the longer edge portion of the gate links L1, ..., Ln is large. Therefore, gate pulses uniformly supplied to the respective gate links L1, ..., Ln from the driving IC are attenuated or delayed.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하기 위하여, ESD회로배선(72)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과의 중첩면적은 다르게 형성된다. 즉, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 양 끝단에 위치하는 게이트링크들(L1, Ln)의 선폭은 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 중심부로 위치하는 게이트링크(Ln/2)의 선폭보다 얇게 된다. 즉, ESD회로배선(72)과 중첩되는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 선폭을 상술한 수학식 2에 따라 중심부 게이트링크(Ln/2)로 갈수록 점차적으로 증가시키게 된다.In order to compensate for the resistance value deviation due to the length deviation of each of the gate links L1, ..., Ln, the overlapped area between the ESD circuit wiring 72 and each of the gate links L1, ..., Ln. Is formed differently. That is, the line widths of the gate links L1 and Ln positioned at both ends of the gate links L1, ..., Ln are located at the center of the gate links L1, ..., Ln. It becomes thinner than the line width of (Ln / 2). That is, the line width of each of the gate links L1, ..., Ln overlapping the ESD circuit wiring 72 is gradually increased toward the center gate link Ln / 2 according to Equation 2 described above.

이에 따라, ESD회로배선(72)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 캐패시턴스가 변화되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이증가에 따른 저항값의 차이를 보상하여 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각의 신호지연을 방지하게 된다.Accordingly, the capacitance of the ESD circuit wiring 72 and the gate links L1, ..., Ln is changed, so that the difference in resistance value according to the increase in the length of each gate link L1, ..., Ln is caused. To compensate for the signal delay of each of the gate links (L1, ..., Ln) is prevented.

따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정표시장치에서는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차로 인한 신호지연의 편차를 최소화함으로써, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 공급되는 게이트펄스의 감쇠 및 지연없이 균일하게 공급할 수 있다.Therefore, in the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention, the deviation of the signal delay due to the length deviation of each of the gate links L1, ..., Ln is minimized, and thus the gate links L1 from the driving IC are minimized. It is possible to supply uniformly without attenuation and delay of the gate pulse supplied to Ln).

한편, 도시하지 않은 각 데이터링크들의 길이편차에 의해 발생되는 저항값편차로 인한 데이터신호의 지연편차를 보상하기 위하여, 상술한 바와 같이 ESD회로배선과 각 데이터링크들과의 중첩면적은 양 끝단에서 중심부에 위치하는 데이터링크로 갈수록 점진적으로 증가되도록 형성된다. 이에 따라, 각 데이터링크들의 길이편차에 의해 발생되는 저항값편차로 인한 데이터신호의 지연편차를 ESD회로배선과의 캐패시턴스값으로 보상함으로써, 구동IC로부터 각 데이터링크들을 통해 화소셀에 인가되는 데이터펄스의 화소전압값(ΔVp)의 편차를 최소화 할 수 있다.On the other hand, in order to compensate for the delay deviation of the data signal due to the resistance value deviation caused by the length deviation of each data link (not shown), as described above, the overlapping area between the ESD circuit wiring and each data link is formed at both ends. It is formed to gradually increase toward the data link located in the center. Accordingly, by compensating the delay deviation of the data signal due to the resistance value deviation caused by the length deviation of each data link to the capacitance value with the ESD circuit wiring, the data pulse applied to the pixel cell through the respective data links from the driver IC. The deviation of the pixel voltage value ΔVp can be minimized.

도 9는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정표시장치의 게이트패드부를 나타내는 평면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정표시장치는 도시하지 않은 액정패널의 신호배선들과 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결하고 길이편차에 의한 저항값을 보상하기 위하여 서로 다른 선폭을 가지는 게이트링크들(L1, ... , Ln)과, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각과 교차되며 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하도록 게이트링크들(L1, ... , Ln)과의 중첩면적이 다르게 설정된 ESD회로배선(82)을 구비한다.9 is a plan view illustrating a gate pad part of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention connects signal wirings of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a signal necessary for signal wiring, and a resistance due to a length deviation. In order to compensate the value, the gate links L1, ..., Ln having different line widths and the gate links L1, ..., Ln intersect with each other, and the respective gate links L1, ... And an ESD circuit wiring 82 having a different overlapping area with the gate links L1, ..., Ln to compensate for the difference in wiring resistance value due to the length deviation of Ln.

ESD회로배선(82)은 박막트랜지터의 게이트전극들과 함께 형성된다. ESD회로배선(82)들과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 게이트절연층에 의해 절연된 상태가 된다. 이러한, ESD회로배선(82)에는 도시하지 않은 공통전압발생부 또는 전원공급부로부터 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(83)이 인가된다. 또한, ESD회로배선(82)과 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(83) 사이에는 정전기로부터 액정패널을 보호하기 위한 ESD회로(81)가 접속된다.The ESD circuit wiring 82 is formed together with the gate electrodes of the thin film transistor. The ESD circuit wirings 82 and the respective gate links L1, ..., Ln are insulated by a gate insulating layer (not shown). The common electrode voltage or the LCD input power source 83 is applied to the ESD circuit wiring 82 from a common voltage generation unit or a power supply unit (not shown). In addition, an ESD circuit 81 for protecting the liquid crystal panel from static electricity is connected between the ESD circuit wiring 82 and the common electrode voltage or the LCD input power source 83.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 액정패널의 신호배선들과 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결한다. 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 구동 IC들에 접속된다. 이러한, 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 게이트라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 된다.Each gate link L1, ..., Ln connects signal wirings of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a signal for signal wiring. Each gate link L1, ..., Ln is connected to driver ICs not shown. The gate links L1, ..., Ln may have different inclinations and different inclinations depending on their positions in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a gate line having a relatively wide gap. Will have a different length.

이로 인하여, 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 걸리는 저항은 그의 길이차에따라 미세하나마 차이를 가지게 된다. 특히, 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이가 짧은 중심부와 길이가 긴 에지부 간의 저항차가 크게 나타나게 된다. 따라서, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 균일하게 공급되는 게이트펄스가 감쇠되거나 지연된다.As a result, the resistances applied to the gate links L1, ..., Ln have a slight difference depending on their length difference. In particular, the resistance difference between the central portion having the shorter length and the longer edge portion of the gate links L1, ..., Ln is large. Therefore, gate pulses uniformly supplied to the respective gate links L1, ..., Ln from the driving IC are attenuated or delayed.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하기 위하여, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 길이가 가장 짧은 중심부 게이트링크(Ln/2)에서 길이가 가장 긴 양 끝단부의 게이트링크(L1, Ln) 쪽으로 갈수록 선폭이 점점 감소하게 된다. 즉, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 길이가 가장 짧은 중심부 게이트링크(Ln/2)의 선폭(W2)은 가장 두껍게 형성되고, 길이가 가장 긴 양 끝단부의 게이트링크(L1, Ln)의 선폭(W1)은 가장 얇게 형성된다. 또한, ESD회로배선(82)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과의 중첩면적은 다르게 형성된다. 즉, ESD회로배선(82)의 선폭은 양 끝단에서 중심부로 갈수록 점차 증가하게 된다. 즉, ESD회로배선(82)에서 중심부의 선폭은 가장 두껍게 형성되고, 양 끝단쪽의 선폭은 가장 얇게 형성된다. 이 때, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)이 선폭 및 ESD회로배선(82)의 선폭은 상술한 수학식 2에 따라 설정된다.In order to compensate for the resistance value deviation caused by the length deviation of each of the gate links L1, ..., Ln, the central gate link Ln / of the shortest length among the gate links L1, ..., Ln In 2), the line width gradually decreases toward the gate links L1 and Ln at the longest ends. That is, the line width W2 of the central gate link Ln / 2 having the shortest length among the gate links L1, ..., Ln is formed thickest, and the gate links L1 at both ends of the longest length are the thickest. The line width W1 of Ln is the thinnest. In addition, the overlapping area between the ESD circuit wiring 82 and the gate links L1, ..., Ln is formed differently. That is, the line width of the ESD circuit wiring 82 gradually increases from both ends to the center. That is, in the ESD circuit wiring 82, the line width of the center portion is formed to be the thickest, and the line width of both ends is formed to be the thinnest. At this time, the line width of each gate link (L1, ..., Ln) and the line width of the ESD circuit wiring 82 is set according to the above equation (2).

이와 같이, 수학식 2에 따라 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 선폭을 길이에 따라 감소시킴과 아울러 ESD회로배선(82)의 선폭을 증가시키거나 감소시켜 ESD회로배선(82)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 간의 중첩면적을 다르게 형성하여 캐패시턴스를 변화시킴으로써 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차에 의한 저항값편차를 동일하게 보상한다. 즉, 서로 다른 길이를 가지는 각게이트링크들(L1, ... , Ln)의 선폭을 다르게 설정하여 저항값을 동일하게 변화시킴과 아울러 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과 ESD회로배선(82)의 간의 캐패시턴스값을 변화시키게 된다.As such, according to Equation 2, the line widths of the gate links L1, ..., Ln are decreased along with the length, and the line widths of the ESD circuit wirings 82 are increased or decreased to prevent the ESD circuit wirings 82 from increasing. ) And the capacitance are varied by forming different overlapping areas between the gate links L1, ..., Ln, so that the resistance value deviation due to the length deviation of each gate link L1, ..., Ln is equal. To compensate. That is, by setting the line widths of the gate links L1, ..., Ln having different lengths differently, the resistance values are changed equally, and the gate links L1, ..., Ln and ESD The capacitance value between the circuit wirings 82 is changed.

이에 따라, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 저항값이 동일하게 변화됨과 아울러 ESD회로배선(82)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 캐패시턴스가 변화되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이증가에 따른 저항값의 차이를 보상하여 게이트링크들(L1, ... , Ln) 간의 신호지연을 방지하게 된다. 따라서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정표시장치에서는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 대한 신호지연의 편차를 최소화함으로써, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 공급되는 게이트펄스의 감쇠 및 지연없이 균일하게 공급할 수 있다.Accordingly, the resistance values of the gate links L1, ..., Ln are changed in the same manner, and the capacitances of the ESD circuit wiring 82 and the gate links L1, ..., Ln are changed. The signal delay between the gate links L1, ..., Ln is prevented by compensating for the difference in the resistance value according to the increase in the length of each of the gate links L1, ..., Ln. Accordingly, in the liquid crystal display according to the third exemplary embodiment of the present invention, the deviation of the signal delay with respect to each of the gate links L1,..., Ln is minimized, so that the gate links L1,... It is possible to supply uniformly without attenuation and delay of the gate pulse supplied to Ln).

한편, 도시하지 않은 각 데이터링크들의 길이편차로 의해 발생되는 저항값편차로 인한 데이터신호의 지연편차를 보상하기 위하여, 상술한 바와 같이 각 데이터링크들의 선폭은 길이에 따라 증가시키거나 감소시키게 된다. 또한, 각 데이터링트와 중첩되는 ESD회로배선의 선폭은 양 끝단에서 중심부로 점진적으로 증가되도록 형성된다. 이에 따라, 각 데이터링크들의 저항값 및 ESD회로배선과의 캐패시턴스값으로 보상함으로써, 구동IC로부터 각 데이터링크들을 통해 화소셀에 인가되는 데이터펄스의 화소전압값(ΔVp)의 편차를 최소화 할 수 있다.On the other hand, in order to compensate for the delay deviation of the data signal due to the resistance value deviation caused by the length deviation of each data link (not shown), as described above, the line width of each data link is increased or decreased with the length. In addition, the line width of the ESD circuit wiring overlapping each data ring is formed to gradually increase from both ends to the center. Accordingly, by compensating for the resistance value of each data link and the capacitance value of the ESD circuit wiring, the deviation of the pixel voltage value ΔVp of the data pulse applied to the pixel cell from the driving IC through each data link can be minimized. .

도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정표시장치의 게이트패드부를 나타낸 것이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정표시장치는 공통전압원으로부터 공통전압이 공급되는 ESD회로배선(92)과, ESD회로배선(92)과교차하게 중첩되어 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하기 위하여 서로 다른 선폭을 가짐과 아울러 ESD회로배선(92)과의 중첩면적이 다르게 형성되는 게이트링크들(L1, ... , Ln)을 구비한다.10 illustrates a gate pad portion of a liquid crystal display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the liquid crystal display according to the fourth exemplary embodiment of the present invention overlaps an ESD circuit line 92 supplied with a common voltage from a common voltage source, and crosses the ESD circuit line 92 due to a length deviation. In order to compensate for the resistance value deviation, gate links L1,..., Ln having different line widths and different overlapping areas with the ESD circuit wirings 92 are provided.

ESD회로배선(92)은 박막트랜지터의 게이트전극들과 함께 형성된다. ESD회로배선(92)들과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 게이트절연층에 의해 절연된 상태가 된다. 이러한, ESD회로배선(92)에는 도시하지 않은 공통전압발생부 또는 전원공급부로부터 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(93)이 인가된다. 또한, ESD회로배선(92)과 공통전극전압 또는 LCD 입력전원(93) 사이에는 정전기로부터 액정패널을 보호하기 위한 ESD회로(91)가 접속된다.The ESD circuit wiring 92 is formed together with the gate electrodes of the thin film transistor. The ESD circuit wirings 92 and the respective gate links L1, ..., Ln are insulated by a gate insulating layer (not shown). The common electrode voltage or the LCD input power supply 93 is applied to the ESD circuit wiring 92 from a common voltage generator or a power supply not shown. In addition, an ESD circuit 91 for protecting the liquid crystal panel from static electricity is connected between the ESD circuit wiring 92 and the common electrode voltage or the LCD input power supply 93.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)은 도시하지 않은 액정패널의 게이트라인들과 게이트라인들에 필요한 신호를 공급하기 위한 도시하지 않은 패드들을 연결한다. 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 패드를 통해 도시하지 않은 구동 IC들에 접속된다. 이러한, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각은 상대적으로 좁은 간격을 가지는 구동 IC의 패드들과 상대적으로 넓은 간격을 가지는 게이트라인의 패드들을 접속시키기 위하여 그의 위치에 따라 서로 다른 기울기와 서로 다른 길이를 가지게 된다.Each gate link L1, ..., Ln connects gate lines of a liquid crystal panel (not shown) and pads (not shown) for supplying a necessary signal to the gate lines. Each of the gate links L1, ..., Ln is connected to driver ICs not shown through a pad. Each of the gate links L1, ..., Ln may have different inclinations depending on its position in order to connect pads of a relatively narrow gap with pads of a gate line having a relatively wide gap. Will have different lengths.

이로 인하여, 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 걸리는 저항은 그의 길이차에 따라 미세하나마 차이를 가지게 된다. 특히, 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이가 짧은 중심부와 길이가 긴 에지부 간의 저항차가 크게 나타나게 된다. 따라서, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 균일하게 공급되는 게이트펄스가감쇠되거나 지연된다.As a result, the resistances applied to the gate links L1, ..., Ln have a slight difference depending on their length difference. In particular, the resistance difference between the central portion having the shorter length and the longer edge portion of the gate links L1, ..., Ln is large. Therefore, the gate pulses uniformly supplied from the driving ICs to the respective gate links L1, ..., Ln are attenuated or delayed.

각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하기 위하여, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 길이가 가장 짧은 중심부 게이트링크(Ln/2)에서 길이가 가장 긴 양 끝단부의 게이트링크(L1, Ln) 쪽으로 갈수록 선폭이 점점 감소하게 된다. 즉, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln) 중 길이가 가장 짧은 중심부 게이트링크(Ln/2)의 선폭(W2)은 가장 두껍게 형성되고, 길이가 가장 긴 양 끝단부의 게이트링크(L1, Ln)의 선폭(W1)은 가장 얇게 형성된다. 또한, ESD회로배선(92)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)과의 중첩면적은 양 끝단에서 중심부로 점차 증가하여 다르게 된다. 즉, ESD회로배선(92)과 교차하게 중첨되는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 선폭을 상술한 수학식 2에 따라 중심부 게이트링크(Ln/2)로 갈수록 점차적으로 증가시키게 된다.In order to compensate for the resistance value deviation caused by the length deviation of each of the gate links L1, ..., Ln, the central gate link Ln / of the shortest length among the gate links L1, ..., Ln In 2), the line width gradually decreases toward the gate links L1 and Ln at the longest ends. That is, the line width W2 of the central gate link Ln / 2 having the shortest length among the gate links L1, ..., Ln is formed thickest, and the gate links L1 at both ends of the longest length are the thickest. The line width W1 of Ln is the thinnest. In addition, the overlapping area between the ESD circuit wiring 92 and the gate links L1, ..., Ln gradually increases from both ends to the center to be different. That is, the line widths of the respective gate links L1, ..., Ln overlapped with the ESD circuit wiring 92 are gradually increased toward the center gate link Ln / 2 according to Equation 2 described above. do.

이에 따라, ESD회로배선(92)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 캐패시턴스가 변화되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이증가에 따른 저항값의 차이를 보상하여 게이트링크들(L1, ... , Ln) 각각의 신호지연을 방지하게 된다.Accordingly, the capacitances of the ESD circuit wiring 92 and the gate links L1, ..., Ln are changed, so that the difference in resistance value according to the increase in the length of each gate link L1, ..., Ln is caused. To compensate for the signal delay of each of the gate links (L1, ..., Ln) is prevented.

이에 따라, 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 저항값이 동일하게 변화됨과 아울러 ESD회로배선(92)과 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 캐패시턴스가 변화되어 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)의 길이편차로 인한 저항값편차가 보상됨으로써, 게이트링크들(L1, ... , Ln) 간의 신호지연을 방지하게 된다. 따라서, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정표시장치에서는 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 대한 신호지연의 편차를 최소화함으로써, 구동IC로부터 각 게이트링크들(L1, ... , Ln)에 공급되는 게이트펄스의 감쇠 및 지연없이 균일하게 공급할 수 있다.Accordingly, the resistance values of the gate links L1, ..., Ln are changed in the same manner, and the capacitances of the ESD circuit wiring 92 and the gate links L1, ..., Ln are changed. By compensating for the resistance value deviation due to the length deviation of each of the gate links L1, ..., Ln, the signal delay between the gate links L1, ..., Ln is prevented. Accordingly, in the liquid crystal display according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, the deviation of the signal delay with respect to each of the gate links L1,..., Ln is minimized, so that the gate links L1,... It is possible to supply uniformly without attenuation and delay of the gate pulse supplied to Ln).

한편, 도시하지 않은 각 데이터링크들의 길이편차에 의해 발생되는 저항값편차로 인한 데이터신호의 지연편차를 보상하기 위하여, 상술한 바와 같이 각 데이터링크들의 선폭은 길이에 따라 증가시키거나 감소시키게 된다. 또한, ESD회로배선과 대향하는 각 데이터링트들의 선폭은 양 끝단에서 중심부로 점진적으로 증가되도록 형성된다. 이에 따라, 각 데이터링크들의 저항값 및 ESD회로배선과의 캐패시턴스값으로 보상함으로써, 구동IC로부터 각 데이터링크들을 통해 화소셀에 인가되는 데이터펄스의 화소전압값(ΔVp)의 편차를 최소화 할 수 있다.On the other hand, in order to compensate for the delay deviation of the data signal due to the resistance value deviation caused by the length deviation of each data link (not shown), as described above, the line width of each data link is increased or decreased with the length. In addition, the line width of each data ring facing the ESD circuit wiring is formed to gradually increase from both ends to the center. Accordingly, by compensating for the resistance value of each data link and the capacitance value of the ESD circuit wiring, the deviation of the pixel voltage value ΔVp of the data pulse applied to the pixel cell from the driving IC through each data link can be minimized. .

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 각 게이트링크들 또는 각 데이터링크들과 교차되게 ESD회로배선과의 중첩면적을 각 게이트링크들 또는 각 데이터링크들의 길이편차로 인한 저항값편차를 보상하도록 다르게 형성함으로써, 구동회로로부터 액정패널에 공급되는 게이트펄스 또는 데이터신호의 지연편차를 최소화하여 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 화면 상에 수평띠와 같은 화면불량이 발생하지 않는다.As described above, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention has a resistance due to the length deviation of each gate link or each data link by overlapping the area of the ESD circuit wiring with each gate link or each data link. By forming differently to compensate for the value deviation, the delay deviation of the gate pulse or the data signal supplied from the driving circuit to the liquid crystal panel can be minimized and uniformly supplied. Therefore, no screen defect such as a horizontal band occurs on the screen.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (8)

표시영역의 신호배선들과 상기 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 패드들을 연결하기 위한 링크들과,Links for connecting signal wirings of a display area and pads for supplying a signal for the signal wiring; 상기 링크들과 교차되며 상기 링크들의 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하도록 상기 링크들과의 중첩면적이 다르게 설정된 정전손상(ESD)회로 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an electrostatic damage (ESD) circuit wiring intersecting the links and configured to have different overlapping areas with the links so as to compensate for a wiring resistance value difference due to a length deviation of the links. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신호배선은 게이트배선인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the signal line is a gate line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신호배선은 데이터배선인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the signal wiring is data wiring. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 링크들은 서로 다른 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And said links have different line widths. 공통전압이 공급되는 정전손상(ESD)회로 배선과,Electrostatic damage (ESD) circuit wiring supplied with a common voltage, 표시영역의 신호배선들과 상기 신호배선에 필요한 신호를 공급하기 위한 패드들을 연결하고 상기 정전손상(ESD)회로 배선들과 교차되며 길이편차에 의한 배선저항값차를 보상하기 위하여 상기 정전손상(ESD)회로 배선과의 중첩면적이 다르게 설정된 링크들을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The electrostatic damage (ESD) to connect signal wirings of a display area and pads for supplying a signal necessary for the signal wiring, intersect the electrostatic damage (ESD) circuit lines, and compensate for a difference in wiring resistance due to a length deviation; And a plurality of links having different overlapping areas with the circuit wiring. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 신호배선은 게이트배선인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the signal line is a gate line. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 신호배선은 데이터배선인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the signal wiring is data wiring. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 링크들은 서로 다른 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And said links have different line widths.
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