KR200376784Y1 - Solid-state semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR200376784Y1 KR20040034407U KR20040034407U KR200376784Y1 KR 200376784 Y1 KR200376784 Y1 KR 200376784Y1 KR 20040034407 U KR20040034407 U KR 20040034407U KR 20040034407 U KR20040034407 U KR 20040034407U KR 200376784 Y1 KR200376784 Y1 KR 200376784Y1
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유니티 옵토 테크노로지 주식회사
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Abstract

본 고안에 따른 고체반도체 발광소자는, 마운트컵을 구비하여 칩을 설치할 수 있도록 한 히트싱크 블럭을 구비하며, 이 히트싱크 블럭의 상방에 결합베이스가 마련된 리드프레임을 감합(嵌合)한다. 그리고, 와이어로 칩과 리드프레임을 연결하고, 수지 혹은 실리콘수지로 씰링함으로써 빛을 방출할 수 있는 발광다이오드를 완성한다. 상기 리드프레임은 상부에 라운드부가 마련된 두 개의 서브리드를 마주보도록 설치하고, 이 두 개의 라운드부 사이에 통공이 마련된 서브리드를 설치하여, 이 중앙에 통공을 구비한 서브리드와 라운드부를 구비한 서브리드 중 하나를 연결한 후 수지재료로 세 개의 서브리드를 삽입 성형해서, 히트싱크 블럭을 감합하는 결합베이스로 만든다. 이상으로부터, 히드싱크 블럭은 양호한 방열효과를 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 이 리드프레임의 각 서브리드도 방열을 제공할 수 있으며, 또한 결합의 안정성을 증진시킬 수 있다. The solid semiconductor light emitting device according to the present invention includes a heat sink block including a mount cup to install a chip, and fits a lead frame provided with a coupling base above the heat sink block. Then, the chip is connected to the lead frame with a wire, and a light emitting diode capable of emitting light is completed by sealing with a resin or silicone resin. The lead frame is installed so as to face two subleads having a round portion at an upper portion thereof, and a sublead having a through hole is provided between the two round portions, and a sublead having a through hole in the center and a sub portion having a round portion are provided. After connecting one of the leads, three subleads are inserted and molded into a resin material to form a joining base for fitting the heat sink block. From the above, the heat sink block can not only provide a good heat dissipation effect, but also each sub lead of this lead frame can also provide heat dissipation, and can also improve the stability of the coupling.

Description

고체반도체 발광소자{Solid-state semiconductor light emitting device}Solid semiconductor light emitting device

본 고안은 양호한 방열효과를 가질 뿐만 아니라, 결합의 안정성이 향상되는 고체반도체 발광소자에 관한 것으로서, 발광다이오드 또는 이와 유사한 구조에 적용할 수 있는 것이다.The present invention not only has a good heat dissipation effect, but also relates to a solid semiconductor light emitting device having improved bonding stability, and is applicable to a light emitting diode or a similar structure.

일반적으로, 발광다이오드의 광도효율과 LED의 계면온도는 반비례 관계에 있고, LED 패키지체에서 가장 주의를 요하는 사항 중 하나는 칩의 온도를 계면온도 이하로 유지해야 한다는 것이다. 하지만, 종래의 LED는 상기 칩이 리드 내의 컵(예컨대, 광학공동(空洞))에 장착되어 본딩와이어로 다른 리드와 연결되기 때문에, 패키지된 칩은 열응력을 받아 손상 및 파괴되기 쉬웠다.In general, the luminous efficiency of a light emitting diode is inversely related to the interfacial temperature of the LED, and one of the most cautions in the LED package is that the temperature of the chip should be kept below the interfacial temperature. However, in the conventional LED, since the chip is mounted in a cup (for example, an optical cavity) in the lead and connected to another lead by a bonding wire, the packaged chip is subjected to thermal stress and is easily damaged and destroyed.

상술한 종래기술의 결점에 착안하여, 미국특허 제 6274924호에는 표면실장용 LED 패키지 구조가 개시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 상기 특허는 리플렉터컵(14)(선택구비가능)을 구비한 히트싱크 블럭(10), 삽입 성형된 리드프레임 베이스(12), 및 전기회로를 제공하는 리드 주위에 성형된 충진수지재를 구비하며, 발광다이오드 칩(16)을 열전도 서브마운트(18)에 의해 간접적으로 히트싱크 블록(10) 위에 고정함으로써 구비하고, 그리고 본딩와이어로 칩(16)과 상기 서브마운트(18)로부터 이 히트싱크 블럭(10)과 전기·열적으로 격리되어 있는 리드프레임 베이스(12) 상의 리드로 연결하며서, 광학렌즈(20)를 부가 가능하고 미리 성형된 열가소성렌즈 및 씰링재를 고정하던가, 성형에폭시 수지로 LED를 씌운다.In view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, US Patent No. 6274924 discloses a surface mount LED package structure. As shown in FIG. 1, the patent is formed around a heatsink block 10 with a reflector cup 14 (optionally available), an insert molded leadframe base 12, and a lead providing an electrical circuit. And a light emitting diode chip 16 by indirectly fixing the light emitting diode chip 16 on the heat sink block 10 by the heat conducting submount 18, and bonding the chip 16 and the submount with a bonding wire. 18, the optical lens 20 can be added and the preformed thermoplastic lens and the sealing material fixed by connecting to the lead on the lead frame base 12 which is electrically and thermally isolated from the heat sink block 10, Cover the LED with epoxy resin.

상술한 구조에서는 전기·열적으로 분리되어 칩이 열의 영향을 받지 않도록 할 수는 있지만, 구성부재가 복잡하다. 그래서, 본 고안은 전기·열적으로 분리되지 않으면서도 구성부재를 간결하게 하며, 히트싱크 블럭을 이용한 방열 외에, 리드프레임의 복수의 서브리드로 방열표면적을 증가시키고, 또한 복수의 서브리드로 회로기판과의 결합도를 증강시킬 수 있는 고체반도체 발광소자를 제공하는데 있다.Although the structure described above can be electrically and thermally separated to prevent the chip from being affected by heat, the component is complicated. Therefore, the present invention concise the constituent members without being separated electrically and thermally, and in addition to heat dissipation using a heat sink block, the heat dissipation surface area is increased with a plurality of subleads of the lead frame, and a circuit board with a plurality of subleads. It is to provide a solid semiconductor light emitting device that can enhance the bond with.

본 고안은 구성부재가 간결하고, 전기·열적으로 분리되지 않은 고체반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The object of the present invention is to provide a solid semiconductor light-emitting device in which the component is concise and which is not electrically and thermally separated.

본 고안은 방열표면적을 증가시키고, 또한 결합안정도를 증진시킨 고체반도체 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The object of the present invention is to provide a solid semiconductor light emitting device which increases the surface area of the heat dissipation and improves the bonding stability.

주로, 히트싱크 블럭, 칩, 리드프레임 및 상기 세 부품을 씰링하는 수지재를 구비하며, 상기 히트싱크 블럭의 중심 위치에 마운트컵을 마련해서 칩을 배치할 수 있도록 하고, 또한 이 칩은 열전도 마운트에 의해 히트싱크 블럭과 결합될 수도 있다. 상기 리드프레임은 상부에 라운드부가 마련된 두 개의 서브리드를 마주보도록 설치하고, 이 두 개의 라운드부 사이에 다시 중앙에 통공이 마련된 서브리드를 설치하여, 중앙에 통공이 마련된 이 서브리드와 라운드부가 마련된 상기 서브리드 중 하나를 연결한다. 이때, 상기 연결부위는 임의로 정할 수 있다. 이어서, 수지재료로 세 개의 서브리드를 일체로 연결하고, 또한 이 수지재료는 성형해서 결합베이스로 제조하고, 히트싱크 블럭의 마운트컵을 리드프레임의 결합베이스 내에 장입한다. 그리고, 와이어로 칩과 리드프레임을 연결하고, 수지 혹은 실리콘수지로 이것을 씰링하여 빛을 방출할 수 있는 발광다이오드를 완성한다. 이상의 구성에 의해, 히트싱크 블럭이 양호한 방열효과를 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 이 리드프레임의 각 서브리드도 방열표면적을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 결합의 안정성도 증진시킬 수 있다.It is mainly provided with a heat sink block, a chip, a lead frame, and a resin material for sealing the three components. A mount cup is provided at a center position of the heat sink block to arrange chips, and the chip is a thermally conductive mount. May be combined with the heat sink block. The lead frame is installed so as to face two sub-leads having a round part at the top, and a sub-lead having a through hole in the center is installed between the two round parts again, and the sub-lead and round part having a through hole are provided in the center. One of the subleads is connected. In this case, the connection portion may be arbitrarily determined. Subsequently, the three subleads are integrally connected with the resin material, and the resin material is molded and made into a bonding base, and the mount cup of the heat sink block is inserted into the bonding base of the lead frame. Then, the chip is connected to the lead frame with a wire, and the resin is sealed with a resin or silicone resin to complete a light emitting diode capable of emitting light. By the above configuration, not only can the heat sink block provide a good heat dissipation effect, but also each sublead of this lead frame can increase the heat dissipation surface area and can also improve the stability of the coupling.

이하, 도면을 참조하여 본원고안을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 고안은 주로 히트싱크 블럭(30), 리드프레임(40), 칩(50) 및 열전도 마운트(51)를 구비하며, 수지 혹은 실리콘수지로 상기 부재를 씰링(미도시)함으로써 발광다이오드를 완성한다. 이 히트싱크 블럭(30)은 열전도 물질인 동, 규소, 알루미늄, 몰리브덴, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 베릴륨, 혹은 그 혼합물 및 그 합금인 열전도 물질, 혹은 동-몰리브덴과 동-텅스텐의 복합물을 이용해서 제조할 수도 있다. 이 히트싱크 블럭(30) 중심부에는 상방으로 돌출된 마운트컵(31)이 마련되는데, 이 마운트컵(31)은 열전도 마운트(51)(선택구비가능)와 칩(50)을 배치해서 결합한다.2 and 3, the present invention mainly includes a heat sink block 30, a lead frame 40, a chip 50, and a heat conductive mount 51, and the member is made of resin or silicone resin. Sealing (not shown) completes the light emitting diode. The heat sink block 30 is made of copper, silicon, aluminum, molybdenum, aluminum oxide, aluminum nitride, beryllium, or a mixture thereof and a thermally conductive material thereof, or a composite of copper-molybdenum and copper-tungsten. It can also manufacture. The heat sink block 30 is provided with a mount cup 31 protruding upward from the center of the heat sink block 30, and the mount cup 31 is disposed by coupling the heat conduction mount 51 (optionally provided) with the chip 50.

상기 리드프레임(40)은 제 1서브리드(41), 제 2서브리드(43), 제 3서브리드(45)를 정돈 배치한 후, 수지재료를 성형한 결합베이스(47)에 조립하여 만들어진다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제 1서브리드(41), 제 2서브리드(43)의 구조는 동일하며, 2개의 핀을 구비한다. 상부에는 2개의 핀을 연결하는 라운드부(42, 44)를 마련해서, 제 1서브리드(41)와 제 2서브리드(43)의 라운드부(42, 44)를 마주보도록 설치하고, 또한 제 3서브리드(45)의 중앙통공(46)을 라운드부(42, 44)의 사이에 두어 금형에 배열함과 동시에, 제 3서브리드(45)와 제 1서브리드(41) 혹은 제 2서브리드(43)(어느 하나)를 연결한다. 이때, 연결부위는 임의로 정할 수 있다. 그리고, 상기 금형상에 복수개의 돌기를 마련해서 수지재료를 성형하면, 결합베이스(47)를 구비한 리드프레임(40)이 완성되고, 이 결합베이스(47)에는 서브리드(41, 43, 45)가 노출되는 복수개의 구멍이 구비되게 된다. The lead frame 40 is made by arranging the first surveill 41, the second surveill 43, and the third surveill 45 in a state where the lead frame 40 is assembled to a joining base 47 molded of a resin material. . As shown in FIG. 6, the structures of the first surveill 41 and the second surveill 43 are the same and include two pins. The upper part is provided with round parts 42 and 44 connecting the two pins, and are provided so as to face the round parts 42 and 44 of the first surveill 41 and the second surveill 43. The central through hole 46 of the third surveil 45 is arranged between the round portions 42 and 44, and is arranged in the mold, and the third surveil 45 and the first surveill 41 or the second surveil are arranged. The lead 43 (either one) is connected. At this time, the connection portion can be arbitrarily determined. When a plurality of protrusions are formed on the mold to form a resin material, the lead frame 40 having the joining base 47 is completed, and the joining base 47 has subleads 41, 43, and 45. ) Is provided with a plurality of holes exposed.

도 4 및 5에 도시한 바와 같이, 결합시에는 히트싱크 블럭(30)을 밑에서부터 위로 장입하며, 마운트컵(31)을 제 3서브리드(45)의 통공(46)에 통과시킨다. 마운트컵(31) 내에 설치되는 칩(50)은 와이어로 결합베이스(47)에 뚫린 구멍을 통해 제 1서브리드(41)와 제 2서브리드(43) 혹은 제 3서브리드(45)와 연결하고, 수지 혹은 실리콘수지로 히트싱크 블럭(30), 리드프레임(40), 칩(50) 및 와이어를 함께 씰링(미도시)함으로써, 발광다이오드의 제작을 완료한다. 이것을 회로기판(60)에 결합하면, 양측의 제 1서브리드(41) 및 제 2서브리드(43)를 결합하는 것 외에, 동시에 그 전후 양측의 제 3서브리드(45)로 결합의 안정성을 강화한다. 제 3서브리드(45)를 회로기판(60)에 결합할 때에는, 회로기판(60)을 관통하여 직접 용접 접합하거나, 회로기판(60) 표면에 용접 접합해도 된다. 또한, 회로기판(60)을 관통한 후 그 단부를 절곡해도 된다. 도 7, 도 8, 도 9는 이것을 도시한 것이다.As shown in Figs. 4 and 5, when the heat sink block 30 is charged from the bottom up, the mount cup 31 is passed through the through hole 46 of the third surveill 45. The chip 50 installed in the mount cup 31 is connected to the first surveill 41 and the second surveill 43 or the third surveil 45 through holes formed in the coupling base 47 by wires. Then, the heat sink block 30, the lead frame 40, the chip 50, and the wire are sealed together (not shown) with a resin or silicone resin to complete the manufacture of the light emitting diode. When this is coupled to the circuit board 60, not only the first subsurface 41 and the second subsurface 43 are coupled to both sides, but also the stability of the coupling is achieved by the third subsurface 45 on both front and rear sides thereof. Strengthen. When the third substrate 45 is coupled to the circuit board 60, the third substrate 45 may be directly welded through the circuit board 60 or welded to the surface of the circuit board 60. In addition, the end portion may be bent after passing through the circuit board 60. 7, 8 and 9 illustrate this.

완성된 본 고안의 고체반도체 발광소자를 통전해서 사용하면, 이 칩(50)과 와이어로부터 발생하는 열은 열전도 마운트(51)와 히트싱크 블럭(30)을 통해 방출되며, 도 11에 도시한 바와 같이 이 히트싱크 블럭(30)의 바닥부에 다중 동심원상을 이루는 돌기부(32)를 마련하면, 이로 인해 표면온도의 단계적 설계를 증가시킬 수 있다. 나아가, 도 10에 도시한 바와 같이 이 히트싱크 블럭(30)의 바닥부에 원 중심으로부터 밖을 향해 방사상의 돌기부(32)를 마련하면, 이 돌기부(32)가 표면온도 단계를 증가시킴을 실험 결과를 통해 알 수 있었으며, 그 방열효과도 매우 우수하였다.When the solid semiconductor light emitting device of the present invention is used with electricity, heat generated from the chip 50 and the wire is released through the heat conduction mount 51 and the heat sink block 30, as shown in FIG. Likewise, by providing the projections 32 forming a multi-concentric circle at the bottom of the heat sink block 30, it is possible to increase the step design of the surface temperature. Further, as shown in FIG. 10, when the radial projection 32 is provided at the bottom of the heat sink block 30 from the center of the circle to the outside, the projection 32 increases the surface temperature step. Through the results, it was found that the heat dissipation effect was also very good.

본 고안의 장치는 다음과 같은 실용적인 장점을 가진다.The device of the present invention has the following practical advantages.

첫째, 구성부재를 효과적으로 줄이며, 또한 전기·열적 비분리 상황하에서, 마찬가지로 양호한 방열효과를 가지고, 칩에 영향을 끼치지 않는 기능을 달성할 수 있다.First, it is possible to achieve a function which effectively reduces the constituent members and also has a good heat dissipation effect and similarly does not affect the chip under the electric and thermal non-separation situation.

둘째, 리드프레임의 복수의 서브리드로, 결합이 보다 견고하게 될 뿐만 아니라, 방열 표면적이 더욱 증가된다.Secondly, with a plurality of subleads of the leadframe, not only the coupling is more robust, but also the heat dissipation surface area is further increased.

셋째, 리드프레임 내의 제 3서브리드는 사용자의 필요에 따라 잘라낼 수 있다.Third, the third surviv in the lead frame can be cut out according to the needs of the user.

도 1은 종래의 발광다이오드의 입체부품 분해도이다. 1 is an exploded view of a three-dimensional component of a conventional light emitting diode.

도 2는 본 고안에 따른 실시예의 입체 분해도이다.2 is a three-dimensional exploded view of an embodiment according to the present invention.

도 3은 본 고안에 따른 히트싱크 블럭과 리드프레임을 결합한 상면도이다.3 is a top view combining the heat sink block and the lead frame according to the present invention.

도 4는 도 3의 A-A선에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 5는 도 3의 B-B선에 따른 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 3.

도 6은 도 2의 C-C선에 따른 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG.

도 7은 본 고안에 따른 실시예를 회로기판에 결합한 응용례를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating an application example in which the embodiment according to the present invention is coupled to a circuit board.

도 8은 본 고안에 따른 실시예를 회로기판에 결합한 다른 응용례를 도시한 도면이다.8 is a diagram illustrating another application example in which the embodiment of the present invention is coupled to a circuit board.

도 9는 본 고안에 따른 실시예를 회로기판에 결합한 또 다른 응용례를 도시한 도면이다.9 is a diagram showing another application example in which the embodiment according to the present invention is coupled to a circuit board.

도 10은 본 고안에 따른 실시예의 저면도이다.10 is a bottom view of an embodiment according to the present invention.

도 11은 본 고안에 따른 실시예의 다른 응용례를 도시한 저면도이다.11 is a bottom view showing another application example of the embodiment according to the present invention.

<도면의 주요 참조부호에 대한 간단한 설명><Brief description of the main references in the drawings>

10..히트싱크 블럭 12..리드프레임 베이스 14..리플렉터컵10.Heat sink block 12.Lead frame base 14.Reflector cup

16..LED 칩 18..서브마운트 20..광학렌즈16.LED chip 18.Submount 20.Optical lens

30..히트싱크 블럭 31..마운트컵 32..돌기부30.Heat sink block 31.Mount cup 32.Protrusion

40..리드프레임 41..제 1서브리드 42..라운드부40..Lead frame 41..1st surv. 42.Round part

43..제 2서브리드 44..라운드부 45..제 3서브리드43. Second Surveillance 44. Round Part 45. Third Surveillance

46..통공 47..결합베이스 50..칩46..through 47..combined base 50..chip

51..열전도 마운트 60..회로기판51..Heat conduction mount 60..Circuit board

Claims (6)

고체반도체 발광소자에 있어서,In the solid semiconductor light emitting device, 히트싱크 블럭을 구비하며, 중앙부에 돌출 설치된 마운트컵을 구비하여 칩을 설치할 수 있도록 하고,It is equipped with a heat sink block, and provided with a mount cup protruding from the center to install the chip, 리드프레임을 구비하며, 상부에 라운드부가 마련된 두 개의 서브리드를 마주보도록 설치하고, 이 두 개의 라운드부 사이에 다시 통공이 마련된 서브리드를 설치하여, 이 통공을 구비한 서브리드와 라운드부를 구비한 서브리드 중 하나를 연결한 후 수지재료로 세 개의 서브리드를 인서트 성형해서, 히트싱크 블럭의 마운트컵을 통해 접합할 수 있는 결합베이스로 하며,The lead frame is provided so as to face two sub-leads with round parts on the upper side, and the sub-leads with through holes are provided between the two round parts, and the sub-leads with the through holes and the round parts are provided. After connecting one of the subleads, insert molding three subleads with a resin material to form a joining base that can be joined through the mount cup of the heat sink block. 상기 칩을 와이어와 리드프레임으로 연결하고, 수지 혹은 실리콘수지로 코팅함으로써, 양호한 방열효과를 가지며, 또한 결합의 안정을 증진시킬 수 있는 고체반도체 발광소자를 완성하도록 해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.By connecting the chip with a wire and a lead frame, and coated with a resin or silicone resin, a solid semiconductor light emitting device having a good heat dissipation effect and a solid semiconductor light emitting device capable of improving the stability of the bonding is completed. device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드프레임의 결합베이스 상에 세 개의 서브리드가 노출되는 복수의 구멍을 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.And a plurality of holes in which three subleads are exposed on a coupling base of the lead frame. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 히트싱크 블럭의 바닥면에 돌기부를 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.Solid semiconductor light emitting device, characterized in that the projection is provided on the bottom surface of the heat sink block. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 돌기부는 방사상을 이루도록 마련된 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.Solid projection light emitting device, characterized in that the projection is provided to form a radial. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 돌기부는 복수의 동심원을 이루도록 마련된 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.The projection portion is a solid semiconductor light emitting device, characterized in that formed to form a plurality of concentric circles. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통공이 마련된 서브리드와, 라운드부가 마련된 서브리드 중 하나는 임의의 부위에서 연결될 수 있도록 해서 이루어진 것을 특징으로 하는 고체반도체 발광소자.And one of the sublead provided with the through hole and the sublead provided with the round part may be connected at an arbitrary site.
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Cited By (3)

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KR200452842Y1 (en) * 2007-03-08 2011-03-25 허 샨 라이드 일렉트로닉 엔터프라이즈 컴퍼니 엘티디. High-power led
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