KR200372508Y1 - 발광 다이오드 칩 캡핑 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안의 칩 캡핑(capping) 구조는 칩의 상부에 하나의 투명 간격층이 덮여있고, 그 투명 간격층 위에 형광 물질을 혼합한 효과층이 덮여 있다. 해당 효과층과 칩의 상단의 두께는 칩의 측면의 두께보다 상대적으로 두껍다. 따라서 돌출된 모양의 효과층 및 평행한 칩의 상단, 측면 광선과 형광 물질의 파장이 결합하여 효과적으로 이색 조리개의 생성을 억제한다.

Description

발광 다이오드 칩 캡핑 구조{LED CHIP CAPPING CONSTRUCTION}

본 고안은 발광 다이오드의 칩 캡핑(capping) 기술과 관련된 것으로 그 취지는 효과적으로 이색 조리개를 제거하는 칩 캡핑 구조의 제공에 있다.

도 1에 도시된 바와 같이 일반적으로 칩 광선을 이용하여 형광 물질의 파장과 결합하며 더 나아가 특정한 광색을 띤 발광 다이오드 구조의 개략도를 형성한다. 발광 다이오드는 하나의 밀봉포장체 내부에 다른 극의 전도 포인트(10) 및 하나의 캐리어(20)가 있으며, 캐리어(20) 안에는 칩(30) 및 형광 물질(40)이 고정되어 있고, 따로 금선(50)으로 칩(30)의 전극층(31)과 전도 포인트(10)를 연결한다.

전도 포인트(10)의 대전 작용 하에 칩(30)이 형광 물질(40)을 투과하여 발사하는 광선은 형광 물질(40)의 파장과 결합하여 특정한 광색(光色)을 띤다. 예를 들면 흔한 백색광(white light) 발광 다이오드는 칩에서 방사하는 청색광(blue light)으로 황색의 형광 물질을 투과하여 쏘는데 이는 청색, 황색의 광파를 거쳐 결합하여 백색광 효과를 낸다. 단지 도 1에 도시된 바와 같이 종래 기술의 발광 다이오드 구조에서 칩(30) 자체의 상층 공간은 형광 물질의 영향을 받지 않았기 때문에, 칩(30)이 위로 발사하는 광선은 측면에서 반사하는 광선과 마찬가지로 결코 형광 물질과 결합되지 못한다. 따라서 뚜렷한 이색 조리개를 형성하기 쉽다.

게다가 시중에는 또 일종의 칩(30)의 표층에 상당히 두꺼운 백색 절연 수지로 감싼 발광 다이오드가 나와 있는데, 그것은 주로 백색 절연수지의 투사작용을 이용해 이색 조리개의 표현 효과를 완화시키고자 한 것으로, 그것 역시 드물게 이색 조리개 현상이 발생하고 칩 상부에 백색의 캡핑 구조가 더해져 오히려 발광 다이오드의 광도를 저하시킴에 따라 아직도 개선의 여지는 남아있다.

본 고안의 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조에서 그 발광 다이오드는 캐리어에 하나의 칩 및 형광 물질을 고정하고, 금선으로 칩의 전극층과 전도 포인트를 연결한다. 그 중에서 칩의 상부에 하나의 투명 간격층이 덮여 있고, 그 투명 간격층의 상부에 형광 물질을 혼합한 효과층이 덮여 있어 해당 효과층과 칩의 상단의 두께는 칩의 측면의 두께보다 상대적으로 두껍다. 따라서 돌출된 모양의 효과층 및 평행한 칩의 상단, 측면 광선과 형광 물질의 파장이 결합되어 효과적으로 이색 조리개의 생성을 억제한다.

물론 효과층의 상부에는 또 다른 하나의 돌출 형태의 투광층이 덮여 있는데 투광층에서 효과층, 간격층 및 칩에 대해 적합한 방어 작용을 한다.

도 1은 종래 기술의 발광 다이오드 구조의 개략도이다.

도 2는 본 고안의 제1 실시예의 발광 다이오드 구조의 개략도이다.

도 3은 본 고안의 발광 다이오드 칩 캡핑 구조의 확대도이다.

도 4는 본 고안의 제2 실시예의 발광 다이오드 구조의 개략도이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

10 : 전도 포인트 20 : 캐리어

30 : 칩 31 : 전극층

40 : 형광 물질 50 : 금선(金線)

63 : 효과층 64 : 투광층

70 : 밀봉포장체 80 : 회로 기판

본 고안의 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조에서 발광 다이오드의 기본 구조는 도 2에 도시된 바와 같다. 하나의 밀봉포장체(70)에는 다른 전극의 전도 포인트(10)와 캐리어(20)가 있는데 그 밀봉포장체(70)는 에폭시 소재나 투명 소재가 될 수 있다. 캐리어(20)에는 칩(30) 및 형광 물질(40)을 주입하고, 따로 금선(50)으로 칩(30)의 전극층(31)과 전도 포인트(10)를 연결한다. 전도 포인트(10)의 대전 작용 하에서 칩(30)이 형광 물질(40)을 투과하여 방사하는 광선은 형광 물질(40)의 파장과 결합하여 특정한 광색(光色)을 띤다.

동시에 도 3에 도시된 바와 같이 칩(30)의 상부에는 하나의 투명 간격층(62)이 덮여 있고, 투명 간격층(62)의 상부에는 형광 물질(40)을 혼합한 효과층(63)이 덮여 있다. 구체적으로 실행할 때, 투명 간격층(62)은 투명 절연 수지가 경화를 거쳐 돌출형 구조가 된다. 그 효과층(63)은 분말 상태의 형광 물질(40)이 에폭시 수지와 서로 혼합될 수 있으며, 경화를 거친 후 돌출형 구조가 된다. 심지어 한층나아가 효과층(63) 상부에 마찬가지로 투명 절연 수지에서 경화를 거쳐 돌출형이 된 투광층(64)이 덮여 있을 수 있다. 이로 인해 한 쌍의 칩(30)은 방어작용을 하고 이색 조리개의 생성을 막는 칩 캡핑 구조를 형성한다.

여기에서의 중점은 효과층(63)과 칩(30)의 상단이 칩(30)의 측면보다 상대적으로 두껍다는데 있다. 돌출형의 효과층(63) 및 칩(30)의 상단은 측면 광선, 형광 물질의 파장과 서로 결합하여 효과적으로 이색 조리개의 생성을 억제한다.

도 2와 도 3에 도시된 바와 같이 실시예에서 캐리어(20)는 전도 포인트(10)의 보울 형(bowl type) 구조 안에 있다. 그 칩(30)의 하단에는 따로 형광 물질(40)이 있으며, 그 칩(30) 하부의 형광 물질(40)은 형광분말과 칩이 붙어서 혼합된 형태로 캐리어(20)의 하부에 바를 수 있다. 그 칩(30)의 하부와 매설된 형광 물질(40)은 고정 섹션이 있어서 칩(30)과 캐리어(20)를 고정할 수 있다.

또 도 4에 도시된 바와 같이 그 발광 다이오드는 또 직접 회로 기판(80)에 설치할 수 있는데 그 회로 기판(80)에는 이미 오목한 형태의 캐리어(20)가 설치되어 있다. 각 전도 포인트(도면에 도시되지 않음)는 직접 회로 기판(80)의 회로 접점에 설치한다. 앞서 말한 형광 물질(40), 칩(30), 투명 간격층(62), 효과층(63), 및 투광층(64) 등의 요소는 순서대로 오목한 형태의 캐리어(20)에 설치하여 회로 기판 구조의 발광 다이오드가 된다.

위에서 언급한 것처럼 본 고안은 발광 다이오드의 비교적 우수한 실행 가능성이 있는 칩의 캡핑 구조를 제공하는 것으로 법에 따라 새로운 특허를 신청하였다. 그러므로 본 고안의 구조, 설비, 특징 등과 유사, 동종의 것은 반드시 모두본 고안의 목적 및 특허 신청 범위 내에 속하는 것으로 간주한다.

본 고안에 따라 발광 다이오드의 비교적 우수한 실행 가능성이 있는 칩의 캡핑 구조가 제공된다.

Claims (7)

1. 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조에 있어서, 상기 발광 다이오드는 캐리어에 하나의 칩 및 형광 물질이 고정되어 있으며 금선(金線)으로 칩의 전극층과 전도 포인트를 연결하며,

   상기 캐리어는 칩의 상부에 하나의 투명 간격층이 덮여 있고, 그 투명 간격층의 상부에 형광 물질을 혼합한 효과층이 덮여 있으며, 상기 효과층과 칩의 상단의 두께는 칩의 측면의 두께보다 상대적으로 두꺼우므로, 돌출된 모양의 효과층 및 평행한 칩의 상단, 측면 광선과 형광 물질의 파장이 결합되어 효과적으로 이색 조리개의 생성을 억제하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
2. 제 1 항에 있어서, 효과층의 상부에는 돌출형의 투광층이 덮여있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
3. 제 1 항에 있어서, 캐리어의 하단에는 형광 물질이 장착되어 있으며, 그 칩 하부에는 그 형광 물질이 매설된 고정 섹션이 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
4. 제 1 항에 있어서, 캐리어의 하단에는 형광 물질이 장착되어 있으며, 그 칩 하부에는 그 형광 물질이 매설된 고정 섹션이 있고, 그 효과층의 상부는 투명광층이 덮여 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
5. 제 1 항에 있어서, 효과층은 에폭시 수지가 형광 물질을 혼합하여 경화(硬化)를 거쳐 돌출형의 구조가 된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
6. 제 1 항에 있어서, 투명 간격층은 투명 절연 수지가 경화를 거쳐 돌출형 구조 형체가 된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.
7. 제 2 항에 있어서, 투명 간격층 및 투광층은 투명 절연 수지가 경화를 거쳐 돌출형의 구조 형체가 된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 칩 캡핑 구조.