KR200326692Y1 - Cleaning vessel for semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 관한 것이다. 본 고안은, 식각 공정이 끝난 반도체 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 식각액을 세정액으로 씻어내기 위한 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 있어서, 상부가 개방되고 내부에 반도체 웨이퍼가 삽입, 배열되는 케이스 형상의 세정조와, 세정조의 바닥면에 소정 간격으로 설치되어 세정조 내부로 세정액을 주입하는 다수의 세정액 주입구 및 상기 세정조의 바닥면 상부에 설치되며, 상기 세정액 주입구로부터 주입되는 세정액의 충격 에너지를 저감시키기 위한 다수의 소통공을 가지는 충격 저감용 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a cleaning container for a semiconductor wafer. The present invention is a cleaning container of a semiconductor wafer for washing an etching liquid on the surface of the semiconductor wafer after the etching process with a cleaning liquid, the upper portion of which is open, the semiconductor wafer is inserted into the array, and the cleaning tank, A plurality of cleaning liquid inlets formed at predetermined intervals on the bottom of the tank to inject the cleaning liquid into the cleaning tank, and installed on an upper surface of the bottom of the cleaning tank, and a plurality of communication holes for reducing the impact energy of the cleaning liquid injected from the cleaning liquid inlet; It characterized in that it comprises a impact reducing plate having.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 주입구를 통해 주입되는 세정액이 웨이퍼 전체에 골고루 흐를 수 있는 구조를 가지는 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning container for a semiconductor wafer, and more particularly to a cleaning container for a semiconductor wafer having a structure in which the cleaning liquid injected through the injection hole can flow evenly throughout the wafer.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 습식 식각 공정이 끝나면, 웨이퍼의 표면에 묻어있는 식각액을 웨이퍼로부터 씻어내기 위한 세정 과정을 거치게 된다. 이러한 세정 과정은 주로 세정 용기에 반도체 웨이퍼를 삽입, 배열한 다음, 이 세정 용기에보통 DI 워터라고도 불리는 순수한 물인 세정액을 주입하여, 이 세정액으로 반도체 웨이퍼의 표면에 묻어있는 식각액을 씻어내게 된다.In general, when the wet etching process of the semiconductor wafer is completed, a cleaning process for washing the etching liquid on the surface of the wafer from the wafer is performed. This cleaning process mainly involves inserting and arranging semiconductor wafers in a cleaning container, and then injecting a cleaning liquid, usually pure water, also called DI water, to wash the etching liquid on the surface of the semiconductor wafer with the cleaning liquid.
이러한 종래의 반도체 웨이퍼의 세정 용기가 도 1에 도시되어 있다.A cleaning vessel of such a conventional semiconductor wafer is shown in FIG.
도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 세정 용기는 상부가 개방된 케이스 형상의 세정조(1)와, 세정조(1)의 하부에 세정조(1)의 일측벽에서 타측벽까지 세정조(1)를 가로질러 설치되어 있는 세정액 공급관(2)과, 세정조(1)의 세정액 공급관(2) 상부에 설치되는 충격 저감용 플레이트(3) 및 세정조(1)의 일측벽 상부에 설치되는 배수구(4)로 이루어진다.As shown, the cleaning container of the semiconductor wafer includes a case-shaped cleaning tank 1 having an open top, and a cleaning tank 1 from one side wall of the cleaning tank 1 to the other side of the lower side of the cleaning tank 1. A cleaning liquid supply pipe (2) provided across the wall, an impact reduction plate (3) provided on the cleaning liquid supply pipe (2) of the cleaning tank (1), and a drain hole provided on an upper side of one wall of the cleaning tank ( 4)
세정액 공급관(2)은 일측단이 세정조(1)의 측벽을 관통하여 측벽의 외부에까지 연장되어 세정액 공급 호스(미도시)와 연결되어 있고, 타측단은 막혀있다, 또한, 세정액 공급관(2)은 그 하측면에 길이 방향을 따라 소정 간격으로 다수의 관통공(2a)이 형성되어 있다.One side end of the cleaning liquid supply pipe (2) extends through the side wall of the cleaning tank (1) to the outside of the side wall and is connected to a cleaning liquid supply hose (not shown). The other end of the cleaning liquid supply pipe (2) is also blocked. The lower surface is formed with a plurality of through holes 2a at predetermined intervals along the longitudinal direction.
세정액 공급관(2) 상부에 설치되는 충격 저감용 플레이트(3)는 세정조(1)의 내부 공간을 상하로 구분하는 일종의 격막으로 세정조(1)의 상하 공간을 소통시키는 다수의 소통공(3a)을 가진다.The impact reduction plate 3 installed above the cleaning liquid supply pipe 2 is a plurality of communication holes 3a that communicate the upper and lower spaces of the cleaning tank 1 with a kind of diaphragm that divides the internal space of the cleaning tank 1 up and down. )
상기와 같은 구성으로, 세정조(1)의 상부 공간에 웨이퍼(미도시)를 배열하고 세정액 공급관(2)을 통해 세정액을 공급하게 되면, 세정액은 세정액 공급관(2)의 관통공(2a)을 통해 세정조(1)의 하부 공간으로 유출된다. 이렇게 유출되는 세정액은 충격 저감용 플레이트(3)의 소통공(3a)을 통해 상부 공간으로 차오르면서 웨이퍼의 표면에 묻어있는 식각액을 씻어내게 된다. 세정액의 수면이 배수구(4)의 높이에 도달하면 세정액은 배수구(4)를 통해 세정조(1) 외부로 배출된다.With the above configuration, when a wafer (not shown) is arranged in the upper space of the cleaning tank 1 and the cleaning liquid is supplied through the cleaning liquid supply pipe 2, the cleaning liquid is formed through the through hole 2a of the cleaning liquid supply pipe 2. It flows out into the lower space of the washing tank 1 through. The cleaning liquid flowing out is filled into the upper space through the communication hole 3a of the impact reducing plate 3 to wash off the etching liquid on the surface of the wafer. When the surface of the washing liquid reaches the height of the drain 4, the washing liquid is discharged to the outside of the washing tank 1 through the drain 4.
여기서, 세정액 공급관(2)을 통한 세정액의 공급 속도는 대략 분당 20리터로서, 이와 같이 고속으로 공급되는 세정액의 압력으로 인한 충격으로 인해 웨이퍼가 손상될 우려가 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 세정액이 유출되는 관통공(2a)을 세정액 공급관(2)의 하측면에 형성하고, 다수의 소통공(3a)을 가지는 충격 저감용 플레이트(3)를 설치하여 세정액이 소통공(3a)을 통과하면서 충격 에너지가 감소되도록 한 것이다.Here, the supply speed of the cleaning liquid through the cleaning liquid supply pipe 2 is approximately 20 liters per minute, and thus, the wafer may be damaged due to the impact caused by the pressure of the cleaning liquid supplied at a high speed. Therefore, in order to prevent this, the through-hole 2a through which the cleaning liquid flows out is formed in the lower side of the cleaning liquid supply pipe 2, and the impact reduction plate 3 having a plurality of communication holes 3a is installed to allow the cleaning liquid to communicate. The impact energy is reduced while passing through the ball 3a.
그러나, 상기된 바와 같은 종래의 세정 용기는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional cleaning container as described above has the following problems.
즉, 세정액 공급관의 도입부에서 말단부로 가면서 관통공을 통해 세정조로 유출되는 세정액의 압력이 달라지기 때문에, 세정조 내부의 세정액의 압력 분포가 불균일하게 된다. 따라서, 세정액이 반도체 웨이퍼의 표면을 씻어내는 세정력이 달라지게 되어, 웨이퍼의 표면에는 부분적으로 식각액이 완전히 씻겨지지 않고 남아있게 되는 이른바 데드 존(dead zone)이 형성된다. 이러한 데드 존은 반도체 웨이퍼의 수율을 저하시키는 원인이 된다.That is, since the pressure of the cleaning liquid flowing out to the cleaning tank through the through-hole is changed from the inlet to the distal end of the cleaning liquid supply pipe, the pressure distribution of the cleaning liquid inside the cleaning tank becomes nonuniform. Accordingly, the cleaning power of the cleaning liquid to wash the surface of the semiconductor wafer is changed, so that a so-called dead zone is formed on the surface of the wafer so that the etching liquid remains partially without being completely washed. Such a dead zone causes a decrease in the yield of the semiconductor wafer.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 고안은, 웨이퍼의 표면에 데드 존이 발생되지 않도록 세정조 내부의 세정액이 균일한 압력 분포를 가지도록 된 반도체 웨이퍼의 세정 용기를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention devised to solve the above problems is to provide a cleaning container for a semiconductor wafer in which the cleaning liquid inside the cleaning tank has a uniform pressure distribution so that no dead zone occurs on the surface of the wafer. The purpose.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼의 세정 용기를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a cleaning container of a conventional semiconductor wafer.
도 2A는 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기를 도시한 평면도.Figure 2A is a plan view showing a cleaning vessel of a semiconductor wafer according to the present invention.
도 2B는 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기를 도시한 정면도.2B is a front view showing a cleaning vessel of a semiconductor wafer according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 세정조 1a : 깔때기부1: washing tank 1a: funnel
2' : 세정액 주입구 3 : 충격 저감용 플레이트2 ': cleaning liquid inlet 3: impact reduction plate
3a : 소통공3a: communicator
상기와 같은 목적은, 식각 공정이 끝난 반도체 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 식각액을 세정액으로 씻어내기 위한 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 있어서, 상부가 개방되고 내부에 반도체 웨이퍼가 삽입, 배열되는 케이스 형상의 세정조; 세정조의 바닥면에 소정 간격으로 설치되어 세정조 내부로 세정액을 주입하는 다수의 세정액 주입구; 및 상기 세정조의 바닥면 상부에 설치되며, 상기 세정액 주입구로부터 주입되는 세정액의 충격 에너지를 저감시키기 위한 다수의 소통공을 가지는 충격 저감용 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기에 의해 달성된다.The above object is a cleaning container of a case shape in which a top surface is opened and a semiconductor wafer is inserted and arranged in a cleaning container of a semiconductor wafer for washing an etching liquid on the surface of the semiconductor wafer after the etching process is finished with the cleaning liquid. ; A plurality of cleaning solution injection ports installed at a bottom of the cleaning tank at predetermined intervals to inject a cleaning solution into the cleaning tank; And an impact reduction plate installed on the bottom surface of the cleaning tank and having a plurality of communication holes for reducing impact energy of the cleaning liquid injected from the cleaning liquid inlet. Achieved by the container.
이하, 본 고안의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.
도 2A 및 도 2B에 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기가 도시되어 있다. 도 2A는 평면도이고, 도 2B는 도 1에 대응되는 단면도이다.2A and 2B show a cleaning vessel of a semiconductor wafer according to the present invention. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a sectional view corresponding to FIG. 1.
도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기는 상부가 개방된 케이스 형상의 세정조(1)와, 세정조(1) 내부로 세정액을 주입하기 위한 세정액 주입구(2') 및 세정액 주입구(2')로부터 주입되는 세정액의 충격 에너지를 감소시키기 위한 충격 저감용 플레이트(3)로 구성된다.As shown, the cleaning container of the semiconductor wafer according to the present invention includes a case-shaped cleaning tank 1 having an open top, a cleaning liquid inlet 2 'for injecting the cleaning liquid into the cleaning tank 1, and a cleaning liquid inlet. It consists of the impact reduction plate 3 for reducing the impact energy of the washing | cleaning liquid injected from (2 ').
세정조(1)는 그 바닥면의 네 곳에 하방으로 오목하게 형성되는 깔때기부(1a)를 가지며, 각 깔때기부(1a)의 하측단에 세정액 주입구(2')가 설치된다. 그리고, 충격 저감용 플레이트(3)는 저장조의 바닥면 상부에 설치되어 저장조(1)를 상하 공간으로 구분하는 일종의 격막으로, 상하 공간을 소통시키는 다수의 소통공(3a)을가진다.The cleaning tank 1 has a funnel portion 1a which is formed to be concave downward in four places on the bottom surface thereof, and a cleaning liquid inlet 2 'is provided at the lower end of each funnel portion 1a. In addition, the impact reduction plate 3 is a kind of diaphragm which is installed on the bottom surface of the storage tank and divides the storage tank 1 into a vertical space, and has a plurality of communication holes 3a for communicating the vertical space.
상기와 같이 구성되어, 세정조(1)의 바닥면에 설치된 4 개의 세정액 주입구(2')를 통해 세정액이 분사되고, 세정액은 충격 저감용 플레이트(3)의 소통공(3a)을 통해 상부 공간으로 차오르면서 반도체 웨이퍼의 표면에 묻은 식각액을 씻어내게 된다. 이때, 세정액 주입구(2')로부터 주입되는 세정액은 충격 저감용 플레이트(3)의 소통공(3a)을 통과하면서 그 충격 에너지가 크게 저감되어 반도체 웨이퍼에 손상을 주지 않게 된다. 한편, 깔때기부(1a)는 세정액 주입구(2')로부터 분사되는 세정액이 바로 충격 저감용 플레이트(3)의 소통공(3a)을 관통하여 상부 공간에 배열된 반도체 웨이퍼에 충격을 주지 않도록 제공되는 것이다.The cleaning solution is configured as described above, and the cleaning liquid is injected through the four cleaning liquid inlets 2 'provided on the bottom surface of the cleaning tank 1, and the cleaning liquid is injected into the upper space through the communication hole 3a of the impact reduction plate 3. As a result, the etchant on the surface of the semiconductor wafer is washed away. At this time, the cleaning liquid injected from the cleaning liquid injection port 2 'passes through the communication hole 3a of the impact reducing plate 3, and the impact energy thereof is greatly reduced to prevent damage to the semiconductor wafer. On the other hand, the funnel portion 1a is provided so that the cleaning liquid injected from the cleaning liquid inlet 2 'does not directly pass through the communication hole 3a of the impact reducing plate 3 to impact the semiconductor wafer arranged in the upper space. will be.
이와 같은 본 고안에 따른 세정 용기는 세정액이 세정조(1)의 바닥면에 설치된 4 개의 주입구(2')로부터 균일하게 분사되어, 세정조(1)의 전 부분에 걸쳐 균일한 압력 분포가 이루어진다. 따라서, 종래와 같이, 세정액의 불균일한 압력 분포에 의한 데드 존(dead zone)의 발생이 방지된다. 한편, 본 실시예에서는 세정액이 주입되는 세정액 주입구의 수를 4개로 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되지는 아니하며 6개 또는 8개 등으로 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.In the cleaning container according to the present invention, the cleaning liquid is uniformly sprayed from the four injection holes 2 'provided on the bottom surface of the cleaning tank 1, so that a uniform pressure distribution is performed over the entire portion of the cleaning tank 1. . Therefore, as in the prior art, generation of a dead zone due to non-uniform pressure distribution of the cleaning liquid is prevented. Meanwhile, in the present embodiment, the number of the cleaning solution injection holes into which the cleaning solution is injected is illustrated and described as four, but the present invention is not limited thereto and may be variously changed to six or eight.
상기된 바와 같은 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 용기는, 바닥면에 형성된 다수의 세정액 주입구로부터 세정액이 균일하게 분사되어 세정조의 전 부분에 걸쳐 균일한 압력 분포를 가지므로 데드 존의 발생이 방지되어, 반도체 웨이퍼의 세정 효과가 크게 향상되어 수율이 높아지는 장점이 있다. 또한, 다수의 주입구를 통해 많은 양의 세정액이 분사되므로 반도체 웨이퍼의 세정 시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다.In the cleaning container of the semiconductor wafer according to the present invention as described above, since the cleaning liquid is uniformly sprayed from the plurality of cleaning liquid inlets formed on the bottom surface, it has a uniform pressure distribution over the entire portion of the cleaning tank, thereby preventing the occurrence of dead zones. In addition, there is an advantage that the cleaning effect of the semiconductor wafer is greatly improved and the yield is increased. In addition, since a large amount of cleaning liquid is injected through the plurality of injection holes, there is an advantage that the cleaning time of the semiconductor wafer can be shortened.
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