KR0128244Y1 - Wafer cleaning device - Google Patents

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KR0128244Y1 KR2019950003748U KR19950003748U KR0128244Y1 KR 0128244 Y1 KR0128244 Y1 KR 0128244Y1 KR 2019950003748 U KR2019950003748 U KR 2019950003748U KR 19950003748 U KR19950003748 U KR 19950003748U KR 0128244 Y1 KR0128244 Y1 KR 0128244Y1
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Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼의 세정장치에 관한 것으로, 종래에는 일반적인 평면 구조를 갖는 소자나, 약간의 굴곡(Aspect Ratio가 5:1정도)을 갖는 소자의 웨이퍼 세정시에는 문제가 없으나, Aspect Ratio가 5:1 이상이거나, 트랜치(Trench)구조를 갖는 소자에서는 케미칼 및 초순수의 트랜치 내부의 세밀한 곳까지 세정액이 침투하기 어려운 문제가 있다. 이는 웨이퍼의 소수성 및 케미칼의 표면장력과의 관계와, 트랜치 내부의 기체가 잔존함에 따라 발생되는 것이었다. 이에 완전히 완전밀폐형의 베쓰와, 상기 베쓰의 내부를 진공상태로 만드는 진공펌프와, 상기 베쓰의 내부에 설치되는 노즐 다기관과, 상기 노즐 다기관에 연결되는 초순수 공급라인과 케미칼 공급라인과, 상기 초순수 공급라인에 설치되어 초순수를 고압 송출하는 고압펌프를 포함하는 본 고안을 제공하여 대기압 이하에서 케미칼 공급에 의한 트랜치 구조의 세밀한 부위까지 케미칼의 침투가 이루어지며, 또한 제트수류에 의한 확산효과로 인해 침투된 케미칼의 치환 및 초순수의 린스가 완벽하게 이루어지도록 한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus. In the related art, there is no problem when cleaning a wafer of a device having a general planar structure or a device having a slight bend (aspect ratio of about 5: 1), but has an aspect ratio of 5 : 1 or more, or a device having a trench structure, there is a problem that the cleaning liquid is difficult to penetrate to the minute inside the trench of the chemical and ultrapure water. This was caused by the relationship between the hydrophobicity of the wafer and the surface tension of the chemical and the gas remaining inside the trench. Thus, a completely closed type bath, a vacuum pump for making the inside of the bath vacuum, a nozzle manifold installed inside the bath, an ultrapure water supply line and a chemical supply line connected to the nozzle manifold, and the ultrapure water supply Provided by the present invention including a high pressure pump installed in the line to send high-pure water at high pressure, the chemical penetrates to the minute area of the trench structure by chemical supply below atmospheric pressure, and also penetrates due to the diffusion effect by jet stream. The substitution of chemicals and the rinsing of ultrapure water are done perfectly.

Description

반도체 웨이퍼의 세정장치Semiconductor Wafer Cleaning Equipment

제1도는 종래 기술에 의한 웨트 스테이션의 구성도.1 is a block diagram of a wet station according to the prior art.

제2도는 종래의 반도체 웨이퍼의 세정장치를 보인 것으로,2 shows a conventional cleaning apparatus for a semiconductor wafer.

(a)는 케미칼 베쓰의 구조도.(a) is a structural diagram of a chemical bath.

(b)는 초순수 베쓰의 구조도.(b) is a schematic diagram of the ultrapure water bath.

제3도는 본 고안의 일실시례를 보인 반도체 웨이퍼의 세정장치의 구조도.3 is a structural diagram of a cleaning apparatus for a semiconductor wafer showing one embodiment of the present invention;

제4도는 트랜치 소자구조를 갖는 웨이퍼의 세정효과를 설명하는 도면으로서,4 is a view for explaining the cleaning effect of a wafer having a trench element structure,

(a)는 종래 기술에 의한 세정상태도.(a) is a state of cleaning according to the prior art.

(b)는 본 고안 기술에 의한 세정상태도.(b) is a state of cleaning according to the present invention technology.

(c)는 본 고안에 의한 제트수류에 의한 세정액의 순환상태도.(c) is a circulating state of the cleaning liquid by the jet stream according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 베쓰(BATH) 12 : 진공펌프11: batt 12: vacuum pump

13 : 고압펌프 14 : 노즐 다기관13 high pressure pump 14 nozzle manifold

15 : 케미칼 공급라인 16 : 초순수 공급라인15: chemical supply line 16: ultrapure water supply line

본 고안은 반도체 웨이퍼의 세정장치에 관한 것으로, 특히 트랜치(Trench) 또는 이와 유사한 구조를 갖는 웨이퍼의 소자 세정에 적합하도록 한 반도체 웨이퍼의 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus for a semiconductor wafer, and more particularly, to a cleaning apparatus for a semiconductor wafer adapted to be suitable for device cleaning of a wafer having a trench or similar structure.

일반적으로 웨이퍼의 세정기술은 반도체 웨이퍼공정 중에서 가장 기본적이고도 필수적인 공정이라 할 수 있는 바, 본 고안에서 다루고자하는 웨이퍼 세정공정의 종래 기술은 제1도에 도시한 바와 같이, 케미칼 베쓰(1) 및 초순수 베쓰(2)(2')(2)로 구성되어 있는 웨트 스테이션이다.In general, the cleaning technology of the wafer is the most basic and essential process of the semiconductor wafer process, the prior art of the wafer cleaning process to be dealt with in the present invention, as shown in Figure 1, the chemical bath (1) and It is a wet station composed of ultrapure water baths 2, 2 'and 2.

즉, 종래에는 제2도 (a)(b)에 나타난 바와 같이, 케미칼 베쓰(1)의 하부에 설치되어 있는 노즐(3)에 의하여 케미칼이 공급되고, 펌프(4)에 의해 순환되며, 필터(5)에 의해 세정액이 여과되어지게 된다. 또한, 초순수에 의한 세정은 베쓰(2)하부에 설치되어 있는 공급용 라인(6)을 통해 초순수가 공급되어 초순수 베쓰(2)의 상부에서 흘러넘치도록 하고 있다.That is, conventionally, as shown in FIG. 2 (a) and (b), the chemical is supplied by the nozzle 3 provided below the chemical bath 1, circulated by the pump 4, and the filter The cleaning liquid is filtered by (5). In addition, the ultrapure water is washed so that the ultrapure water is supplied through the supply line 6 provided under the bath 2 and overflows from the upper part of the ultrapure water bath 2.

그러나, 상기한 바와 같은 세정기술은 일반적인 평면 구조를 갖는 소자나, 약간의 굴곡(Aspect Ratio가 5:1정도)을 갖는 소자의 웨이퍼 세정시에는 문제가 없으나, Aspect Ratio가 5:1 이상이거나, 트랜치(Trench)구조를 갖는 소자에서는 케미칼 및 초순수의 트랜치 내부의 세밀한 곳까지 세정액이 침투하기 어려운 문제가 있다. 이는 웨이퍼의 소수성 및 케미칼의 표면장력과의 관계와, 트랜치 내부의 기체가 잔존함에 따른 것으로 종래의 방법으로는 이를 해결하기가 어려웠다.However, the above-described cleaning technique has no problem in cleaning the wafer of a device having a general planar structure or a device having a slight curvature (aspect ratio of about 5: 1), but the aspect ratio is 5: 1 or more, In a device having a trench structure, there is a problem in that the cleaning liquid is difficult to penetrate to the minute details inside the trenches of the chemical and the ultrapure water. This is due to the relationship between the hydrophobicity of the wafer and the surface tension of the chemical and the gas remaining in the trench, which is difficult to solve by conventional methods.

이와 같은 문제점에 착안하여 안출한 본 고안의 목적은 트랜치 구조 또는 이와 유사한 구조를 갖는 소자의 웨이퍼의 세정이 원활하게 이루어지도록 한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 제공함에 있다.An object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a cleaning device for a semiconductor wafer to facilitate the cleaning of the wafer of the device having a trench structure or a similar structure.

상기한 바와 같은 본 고안의 목적은 완전밀폐형의 베쓰와, 상기 베쓰의 내부를 진공상태로 만드는 진공펌프와, 상기 베쓰의 내부에 설치되는 노즐 다기관과, 상기 노즐 다기관에 연결되는 초순수 공급라인과 케미칼 공급라인과, 상기 초순수 공급라인에 설치되어 초순수를 고압 송출하는 고압펌프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정장치에 의하여 달성된다.An object of the present invention as described above is a hermetically sealed bath, a vacuum pump to vacuum the inside of the bath, a nozzle manifold installed inside the bath, an ultrapure water supply line and a chemical connected to the nozzle manifold It is achieved by a cleaning apparatus for a semiconductor wafer, characterized in that it comprises a supply line, and a high-pressure pump installed in the ultra-pure water supply line for high pressure delivery of ultrapure water.

이하, 상기한 바와 같은 본 고안을 첨부도면에 도시한 일실시례에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention as described above will be described in more detail on the basis of one embodiment shown in the accompanying drawings.

첨부도면 제3도는 본 고안의 일실시례를 보인 반도체 웨이퍼의 세정장치의 구조도로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치는 완전히 밀폐되어 있는 베쓰(11)와, 상기 베쓰(11)의 내부를 진공상태로 만들어주는 진공펌프(12)와, 상기 베쓰(11)의 내에 설치되는 노즐 다기관(Nizzle Manifold)(14)와, 상기 노즐 다기관(14)에 연결된 케미칼 공급라인(15)와 초순수 공급라인(16)와, 상기 초순수 공급라인(16)에 설치되어 초순수를 고압으로 송출하는 고압펌프(13)로 구성된다.3 is a structural diagram of a cleaning apparatus for a semiconductor wafer showing an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the cleaning apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention is a hermetically sealed bath 11 and the bath. (11) a vacuum pump 12 for making the interior of the vacuum state, a nozzle manifold (Nizzle Manifold) 14 installed in the bath 11, and a chemical supply line connected to the nozzle manifold 14 ( 15) and an ultrapure water supply line 16, and a high pressure pump 13 installed in the ultrapure water supply line 16 for delivering ultrapure water at high pressure.

상기 케미칼 공급라인(15)에는 필터(17)가 설치되어 있다.The chemical supply line 15 is provided with a filter 17.

상기 노즐 다기관(14)은 상기 초순수 공급라인(16)에 연결관(14a)으로 연결되며, 내부가 공동(空洞)으로 되어 상면에 다수개의 노즐공(도시되지 않음)이 천공된 것이다.The nozzle manifold 14 is connected to the ultrapure water supply line 16 by a connecting pipe 14a, and a plurality of nozzle holes (not shown) are drilled on the upper surface of the nozzle manifold 14.

도면 중 미설명부호 18은 건조증기 공급라인, 19는 N2가스 라인을 나타낸 것이다.In the figure, reference numeral 18 denotes a dry steam supply line, and 19 denotes an N 2 gas line.

이와 같이 구성되어 있는 본 고안 장치의 동작을 설명한다.The operation of the device of the present invention configured as described above will be described.

먼저, 웨이퍼(W)가 베쓰(11)에 로딩되면, 대기압 상태인 베쓰(11)의 내부는 진공펌프(12)에 의해 진공상태로 전환되며, 베쓰(11)의 내부가 일정 압력 이하로 떨어지면 원하는 케미칼이 공급된다. 공급된 케미칼이 순환되기 시작하면 고압펌프(13)에 의해 제트수류가 형성되어 케미칼이 웨이퍼(W) 소자의 세밀한 곳까지 침투되어 치환효과를 극대화시킨다.First, when the wafer W is loaded on the bath 11, the inside of the bath 11 in atmospheric pressure is converted to a vacuum state by the vacuum pump 12, and when the inside of the bath 11 falls below a predetermined pressure. The desired chemical is supplied. When the supplied chemical starts to circulate, jet water flow is formed by the high pressure pump 13, and the chemical penetrates into the minute portion of the wafer (W) element to maximize the substitution effect.

케미칼 처리가 완료되면, 사용된 케미칼은 베쓰(11)에서 배출되고, 다시 초순수가 공급되며, 일정시간이 경과한 후 초순수는 고압펌프(13)에 의해서 제트수류를 형성하게 되어 린스효과가 완벽하게 이루어지게 된다.When the chemical treatment is completed, the used chemical is discharged from the bath 11, ultrapure water is supplied again, and after a predetermined time, the ultrapure water forms a jet stream by the high pressure pump 13, so that the rinsing effect is perfect. Will be done.

여기서 제트수류의 발생은 고압펌프(13)에서 고압으로 송출되는 초순수가 노즐 다기관(14)에 이르러서 그 상면에 천공된 다수개의 노즐공(도시되지 않음)을 통하여 분출되는 과정에서 유속이 빨라지면서 제트수류를 형성하게 되는 것이다.Here, the jet flow is generated by the flow rate of the ultra-pure water discharged from the high pressure pump 13 to the nozzle manifold 14 through a plurality of nozzle holes (not shown). It will form a stream of water.

그 원리를 설명하면, 질량보존의 원리에 따라 연속하는 관로내의 정상유동(定常流動)에 대하여는 다음 식(1)과 같은 연속방정식(Equation of Contunuiy)이 적용된다.Explaining the principle, the Equation of Contunuiy is applied to steady flow in continuous pipelines according to the principle of mass conservation.

여기서 A1, V1은 1점에서의 단면적과 유속이며, A2, V2는 2점에서의 단면적과 유속이다.Where A 1 and V 1 are the cross-sectional area and flow rate at one point, and A 2 and V 2 are the cross-sectional area and flow rate at two points.

이때, 1점에서의 단면적 A1과 2점에서의 단면적 A2가 A1A2라고 하면In this case, if the cross-sectional area A 1 at one point and the cross-sectional area A 2 at two points are A 1 A 2 ,

이러한 원리에 의하여 고압펌프(13)에 의하여 초순수 공급라인(16)을 통해 노즐 다기관(14)에 초순수가 공급됨과 동시에 케미칼 공급라인(15)을 통해 케미칼이 공급될 때 노즐 다기관(14)의 공동내의 단위 시간당 공급되는 초순수와 케미칼의 유량과 노즐공에서 분출되는 초순수와 케미칼의 유량은 같으며 노즐공에서 분출되는 초순수와 케미칼의 유속(분출속도)은 고압펌프(13)에서 노즐 다기관(14)로 공급되는 초순수와 케미칼의 유속보다 빠르게 되며, 노즐공은 초순수 공급라인(16)의 단면적보다도 매우 작으므로 노즐 다기관(14)의 노즐공에서는 초순수와 케미칼이 혼합된 세정액의 제트수류가 발생된다.By this principle, when the ultrapure water is supplied to the nozzle manifold 14 by the high pressure pump 13 through the ultrapure water supply line 16 and the chemical is supplied through the chemical supply line 15, the cavity of the nozzle manifold 14 The flow rate of ultrapure water and chemicals supplied per unit time and the flow rate of ultrapure water and chemicals ejected from the nozzle hole are the same, and the flow rate (ejection rate) of the ultrapure water and chemicals ejected from the nozzle hole is the nozzle manifold 14 in the high pressure pump 13. It is faster than the flow rates of ultrapure water and chemicals supplied to the nozzle, and the nozzle hole is much smaller than the cross-sectional area of the ultrapure water supply line 16, so that jet water flow of the cleaning liquid in which the ultrapure water and the chemical are mixed is generated in the nozzle hole of the nozzle manifold 14.

제4도는 종래 기술과 본 고안 기술에 의한 트랜치 구조에서의 세정공정상태를 도시한 것으로, (a)는 종래 기술에서 기포에 의한 세정불량영역(Z)이 발생되는 상태를 보인 것이고, (b)는 본 고안 기술에 의해 세정효과가 양호하게 나타나는 상태를 나타낸 것이다. 또한, (c)는 본 고안에 의한 제트수류에 의해 트랜치 내부 세정액(초순수와 케미칼의 혼합물)(L)의 순환 및 교체가 용이하게 이루어지는 상태를 보인 것이다.4 shows a state of the cleaning process in the trench structure according to the prior art and the present invention, (a) shows a state in which the defective cleaning zone Z is generated by bubbles in the prior art, (b) Shows a state in which the cleaning effect is good by the present invention. In addition, (c) shows a state that the circulation and cleaning of the trench internal cleaning liquid (a mixture of ultrapure water and chemical) L is easily performed by the jet flow according to the present invention.

여기서 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)에 제트수류로서 분사되는 초순수와 케미칼이 트렌치내에 있는 케미칼을 밀어내면서 케미칼이 치환됨과 아울러 초순수에 의한 린스가 효과적으로 이루어지게 된다.As described above, the ultrapure water and the chemical injected into the wafer W and the chemical push the chemicals in the trench, and the chemicals are replaced and the rinsing with the ultrapure water is effectively performed.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치는 대기압 이하에서 케미칼 공급에 의한 트랜치 구조의 세밀한 부위까지 케미칼의 침투가 완벽하게 이루어지며, 또한 제트수류에 의한 확산효과로 인해 침투된 케미칼의 치환 및 초순수의 린스효과가 탁월한 장점이 있다.As described above, the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention perfectly penetrates the chemicals to the minute parts of the trench structure by chemical supply under atmospheric pressure, and the chemicals infiltrate due to the diffusion effect by jet flow. Substituting and rinsing effect of ultrapure water has an excellent advantage.

Claims (1)

완전밀폐형의 베쓰와 상기 베쓰의 내부를 진공상태로 만드는 진공펌프와, 상기 베쓰의 내부에 설치되는 노즐 다기관과, 상기 노즐 다기관에 연결되는 초순수 공급라인과 케미칼 공급라인과, 상기 초순수 공급라인에 설치되어 초순수를 고압 송출하는 고압펌프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정장치.A fully sealed type vacuum chamber and a vacuum pump for vacuuming the inside of the bath, a nozzle manifold installed inside the bath, an ultrapure water supply line and a chemical supply line connected to the nozzle manifold, and an ultrapure water supply line. And a high pressure pump configured to discharge ultrapure water under high pressure.
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