KR200308323Y1 - 전자식 네온관 안정기 - Google Patents

전자식 네온관 안정기 Download PDF

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KR200308323Y1
KR200308323Y1 KR20-2002-0039161U KR20020039161U KR200308323Y1 KR 200308323 Y1 KR200308323 Y1 KR 200308323Y1 KR 20020039161 U KR20020039161 U KR 20020039161U KR 200308323 Y1 KR200308323 Y1 KR 200308323Y1
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frequency
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KR20-2002-0039161U
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김대식
김영남
이성연
이창호
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두영전자 주식회사
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Abstract

본 고안은 직류와 교류 성분을 포함하는 비대칭 고압 고주파 전압을 네온 램프의 점등 전압으로 인가시켜 주기 위한, 전자식 네온관 안정기를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 고안은 전자식 네온관 안정기에 있어서, 입력된 교류 전압을 정류하기 위한 브릿지 정류부; 상기 브릿지 정류부의 브릿지 전압을 DC로 충전하기 위한 DC전압 충전부; 제어신호에 따라 주파수를 발생시키기 위한 주파수 발생부; 상기 교류전압 입력부로부터 인가된 교류전압을 집적회로로 구성되는 상기 주파수 발생부에 공급하기 위한 전원공급부; 상기 입력 교류전압을 맥류전압으로 변환하여 상기 주파수 발생부에서 출력되는 신호의 펄스폭이 비대칭 특성을 갖도록 상기 주파수발생부를 제어하기 위한 펄스폭 제어부; 상기 DC전압 충전부에서 인버터동작 전압을 공급받아 상기 주파수 발생부의 펄스폭에 따라 스위칭 작용을 하므로써, AC 전압 성분과 DC 전압 성분을 모두 포함하는 비대칭 펄스파를 발생시키기 위한 인버터부; 상기 비대칭 펄스파 전압을 고전압으로 승압 시키기 위한 고압고주파 승압부; 및 상기 인가된 전원에 의해 점등되는 램프를 포함한다.

Description

전자식 네온관 안정기{Electronic Neon Ballast}
본 고안은 전자식 네온관 안정기에 관한 것이다.
종래의 전자식 네온(Neon)관 안정기는 점등전압을 DC 바이어스나, AC 바이어스를 선택적으로 사용함으로써 여러 가지 문제점을 안고 있다.
먼저, DC 바이어스 방식은 회로 구성이 간단하고, 주파수의 영향을 제거할 수 있어 대부분 DC 바이어스 방식을 채택하고 있다. 그러나, 네온 사인은 네온관과 아르곤관으로 구성되며, DC 바이어스를 걸어줄 경우 네온관의 젤리빔 현상은 제거되나 아르곤관에 수은의 이동 현상으로 시간이 지날수록 램프는 어두워지고 흑화 현상이 발생되어 램프의 수명을 저하시킨다는 문제점이 있다. 또한, DC 바이어스는 인버터에서 발생되는 고주파수의 반(1/2)만 사용함으로 효율이 저하된다는 문제점을 갖고 있다.
다음으로, AC 바이어스는 DC 바이어스에서 발생되는 아르곤관의 수은 집중 현상을 발생시키지 않음으로 좋은 장점이 있다. 그러나, AC 바이어스는 아르곤관의 수은 집중 현상은 발생되지 않지만 램프의 조건에 따라 여전히 젤리빔 현상을 초래 할 수 있으며, 주파수의 영향을 심하게 받는다는 문제점이 있다. 따라서, 여전히 개선되어야 할 문제점을 안고 있다.
즉, 네온관(형광 물질을 도포하지 않은 적색 방정관)은 고압 고주파수로 점등이 이루어지며, 점등시 고압 고주파수로 인하여 젤리빔(Jelly Beam) 현상이 나타나 적절한 방전이 이루어지지 않아 보기 흉하고 램프의 수명을 저하시킨다는 문제점이 있다.
한편, 종래의 전자식 네온관 안정기에는 안정기의 동작 과정 중 발생되는 무부하/과부하 및 접지전류 등의 이상 상태를 감지하여 그에 따른 조치를 취하므로써 안정기의 정상적인 동작을 가능하도록 하는 장치가 미흡하다는 문제점이 있다.
본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 직류(DC) 바이어스(Bias)와 교류(AC) 바이어스(Bias) 성분을 포함하는 비대칭 고압 고주파 전압을 네온 램프의 점등 전압으로 인가시켜 주기 위한, 전자식 네온관 안정기를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 고안은 접지전류 또는 무부하/과부하가 검출되는 경우 전자식 네온관 안정기의 주파수 발생부 동작을 셧다운 시키므로써, 접지전류 또는 무부하/과부하가 검출되는 경우에도 안정적으로 동작될 수 있는, 전자식 네온관 안정기를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기의 일실시예 블럭 구성도.
도 2a 는 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기의 일실시예 회로 구성도.
도 2b 는 본 고안에 적용되는 펄스폭 제어부(40)의 또 다른 일실시예 회로도.
도 3a 및 도 3b 는 본 고안에 적용되는 펄스폭 제어부(40)의 제어전압의 일실시예 그래프.
도 4a 및 도 4b 는 본 고안에 적용되는 주파수 발생부(60)의 비대칭 펄스 신호의 일실시예.
도 5 는 본 고안에 적용되는 인버터부(70)의 스위칭 전압의 일실시예.
도 6a 내지 도 6d 는 본 고안에 적용되는 무부하/과부하 검출부(90)의 일실시예 동작도.
도 7a 내지 도 7e 는 본 고안에 적용되는 접지전류 검출부(100)에서의 접지(대지)전류 발생시 동작과정을 나타낸 예시도.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 전자식 네온관 안정기에 있어서, 입력된 교류 전압을 정류하기 위한 브릿지 정류부(20); 상기 브릿지 정류부의 브릿지 전압을 DC로 충전하기 위한 DC전압 충전부(50); 제어신호에 따라 주파수를 발생시키기 위한 주파수 발생부(60); 상기 교류전압 입력부(10)로부터 인가된 교류전압을 집적회로로 구성되는 상기 주파수 발생부에 공급하기 위한 전원공급부(30); 상기 입력 교류전압을 맥류전압으로 변환하여 상기 주파수 발생부(60)에서 출력되는 신호의 펄스폭이 비대칭 특성을 갖도록 상기 주파수발생부를 제어하기 위한 펄스폭 제어부(40); 상기 DC전압 충전부(50)에서 인버터동작 전압을 공급받아 상기 주파수발생부(60)의 펄스폭에 따라 스위칭 작용을 하므로써, AC 전압 성분과 DC 전압 성분을 모두 포함하는 비대칭 펄스파를 발생시키기 위한 인버터부(70); 상기 인버터부(70)의 스위칭으로 발생된 비대칭 펄스파 전압을 고전압으로 승압 시키기 위한 고압고주파 승압부(80); 및 상기 고압고주파 승압부(80)로부터 인가된 전원에 의해 점등되는 램프(120)를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1 은 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기의 일실시예 블럭 구성도이다.
즉, 도면에 도시된 바와 같이 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기는, 상용 교류(AC) 전압을 입력받기 위한 교류전압 입력부(10), 상기 교류전압 입력부를 통해 입력된 상용교류 전압을 맥류전압으로 변환하기 위한 브릿지 정류부(20), 집적회로로 구성되는 주파수 발생부에 초기 전원을 공급하기 위한 전원공급부(30), AC 입력전압을 120㎐ 맥류전압으로 변환하여 주파수발생부에서 출력되는 신호의 펄스폭이 비대칭 특성을 갖도록 상기 주파수발생부를 제어하기 위한 펄스폭 제어부(40), 접지전류(대지전류)가 검출된 경우 주파수 발생부를 제어하여 인버터부의 동작을 멈추게 하기 위한 접지전류 검출부(100), 브릿지 정류부의 브릿지 전압을 DC로 충전하기 위한 DC전압 충전부(50), 전원 공급부에서 전원을 공급받아 펄스폭 제어부, 주파수발생 제어부의 제어신호에 따라 주파수를 발생시키기 위한 주파수 발생부(60), DC전압 충전부에서 인버터동작 전압을 공급받아 주파수 발생부의 펄스폭에 따라 스위칭 작용을 하기 위한 인버터부(70), 인버터부의 스위칭으로 발생된 스위칭 전압을 고전압으로 승압 시키기 위한 고압 고주파 승압부(80), 고압고주파 승압부로부터 인가된 전원에 의해 점등되는 램프(120), 무부하나 과부하시 이상 과전압을 검출하여 주파수발생 제어부를 제어하므로써 인버터부의 동작을 멈추게 하기위한 무부하/과부하 검출부(90), 접지전류 검출부와 무부하/과부하 검출부의 검출 전압에 따라 주파수 발생부를 제어하기 위한 주파수발생 제어부(110)를 포함하고 있다.
즉, 상기와 같은 구성을 갖는 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기는, DC 바이어스(Bias)와 AC 바이어스(Bias)를 동시에 발생시키는 120Hz의 비대칭 고압 고주파 전압을 네온(Neon)램프의 점등전압으로 인가시킬 수 있다.
상기 각 구성요소들의 상세한 기능은 도 2a 및 도 2b 를 참조하여 설명하겠다.
도 2a 는 본 고안에 따른 전자식 네온관 안정기의 일실시예 회로 구성도이며, 도 2b 는 본 고안에 적용되는 펄스폭 제어부(40)의 또 다른 일실시예 회로도로서, 상기 도 2a 에 도시된 펄스폭 제어부(40) 회로와 대치될 수 있는 또 다른 회로도이다.
먼저, 외부로부터 인가된 상용 교류전압은 교류전압 입력부(10)의 퓨우즈(Fuse) 및 브릿지 정류부(20)의 라인 필터(L1), 부온도 계수저항(N.T.C), 다이오드 (D1～D4)로 구성되는 브릿지 정류회로를 통하면서 맥류전압으로 변환된다.
상기 브릿지 정류부(20)의 맥류전압은 캐패시터(C5,C6), 저항(R4)으로 구성되는 DC전압 충전부(50)에서 인버터부(70)의 구동 전압인 DC전압으로 충전된다.
또한, 다이오드(D5), 저항(R1), 캐패시터(C7)로 구성되는 전원 공급부(30)는 상기 상용 교류전압을 주파수 발생부(60)의 직접회로 동작전압으로 유도한다. 즉, 전원 공급부(30)에서 유도된 전압은 집적회로(IC1), 캐패시터(C8,C9), 저항(R5), 다이오드(D8)로 구성되는 주파수 발생부(60)를 동작시켜 주파수 f=1/[1.38(R5+75)×C8]㎐를 발생시킨다.
이때, 주파수 발생부(60)는 CT 단자(C8)와 RT 단자(R5)의 충방전 전압에 따라 주파수가 발생되며, CT 단자는 저항(R2,R3,R6), 캐패시터(C3,C4), 다이오드(D6,D7)로 구성되는 펄스폭 제어부(40)의 제어전압(120㎐ 구형파)에 따라 펄스폭을 120㎐ 주기로 변화시킨다.
즉, 펄스폭 제어부(40)는 저항(R2,R3), 캐패시터(C3)로 맥류전압을 발생시켜, Clamp-slice 회로인 다이오드(D6,D7)로 맥류전압을 파형 정형하여 저항(R6)을 통하여 주파수 발생부(60)의 CT 단자에 비대칭 펄스폭 변조 신호를 발생하므로써 인버터를 구동시키게 된다.
이때, 또 다른 방법으로는 도 2b 에 도시된 바와 같은 펄스폭 제어부(40)의 캐패시터(CX), 저항(RX), 다이오드(Da,Db,Dc,Dd)로 구성되는 브릿지 회로에서 맥류전압을 발생시켜 Clamp-Slice 회로인 다이오드(D6,D7)로 맥류전압을 파형 정형하여 저항(R6)을 통하여 주파수 발생부(60)의 CT 단자에 비대칭 펄스폭 변조 신호를 발생하므로써 인버터를 구동시킬 수도 있다.
한편, 상기 과정을 통해 발생된 상기 주파수 발생부(60)의 펄스폭 변조(Pulse Width Modulation) 전압은 저항(R7,R8), 전계 효과 트랜지스터(Q1,Q2)로 구성되는 인버터부(70)의 게이트(Gate)전압을 공급하여 인버터부(70)가 스위칭 동작을 이루게 한다.
이때, 상기 인버터부(70)의 스위칭으로 도면의 점 X부분에 비대칭 구형파가 발생하며, 상기 비대칭 구형파는 캐패시터(C10,C11), 승압 트랜스포머(T1)로 구성되는 고압 고주파 승압부(80)에서 비대칭 고전압 고주파로 유도되어 네온 램프(120)를 점등시킨다.
즉, 상기 비대칭 고주파 고전압은 D.C전압 성분을 70% 함유하고, AC전압은 30%를 함유하면서 120㎐를 주기로 교번 하면서 네온램프(120)를 점등시키게 된다.
한편, 상기와 같은 정상적인 전자식 네온관 안정기의 동작 과정 중 발생되는 이상 상태를 방지하기 위하여 무부하/과부하 검출부(90), 접지전류 검출부(100) 및 주파수발생 제어부(110)가 회로에 추가되었다.
먼저, 상기와 같은 정상적인 전자식 네온관 안정기의 동작 과정 중 램프(120)에 과전류가 흐르거나 무부하(Open Load)가 발생되면 승압 트랜스포머(T1)의 2차 코일(F.B)에 과전압이 유도되며, 다이오드(D9, D10, D11, D12, D13), 저항(R9,R10,R11), 캐패시터(C12,C13), 피드백(F.B) 코일로 구성되는 무부하/과부하 검출부(90)에서 이상 과전압을 검출하여 주파수발생 제어부(110)를 제어하게 된다.
즉, 상기 무부하/과부하 검출부(90)의 이상 과전압은 트랜지스터(Q3,Q4), 다이오드(D14), 저항(R12), 캐패시터(C14)로 구성되는 주파수발생 제어부(110)를 동작시켜, 전원 공급부(30)에서 유도 받는 집적회로 동작전압을 최저 동작전압(Undervoltage lockout threshold)보다 낮추어 주파수 발생부(60)의 동작을 멈추게 하므로써, 결과적으로 인버터부(70)의 스위칭 작용을 멈추게 하여 램프(120)에 과부하가 인가되는 것을 차단하게 된다.
상기 내용을 정리하면 다음과 같다. 즉, 무부하/과부하 검출부(90)는 무부하 또는 과부하시 승압 트랜스포머(T1)의 피드백(F.B)코일에서 전압을 감지하여 다이오드(D9,D10,D11,D12), 저항(R9), 캐패시터(C12)에서 높은 직류전압을 발생시켜 제너다이오드(D13)를 도통시켜 주파수발생 제어부(110)의 PNP-NPN 조합 SCR(Q3,Q4)을 동작시키므로써, 주파수 발생부(60)를 제어하여 인버터부(70)의 스위칭 동작을 멈추게 하는 한편, 주파수발생 제어부(110)의 발광다이오드(D14)를 ON시켜 램프의 이상유무를 표시하도록 한다.
다음으로, 상기와 같은 정상적인 전자식 네온관 안정기의 동작 과정 중 외부의 어떠한 이유로 인하여 접지(대지)전류가 흐르게 되면 캐패시터(C2, C15, C16), 다이오드(D15,D16,D17,D18), 저항(R13,R14,R15,R16,R17), 트랜지스터(Q6), 포토커플러(Q5), 션트레귤레이터(Q7), 대지전류 감지 알루미늄판(AL. Plate)으로 구성되는 접지전류 검출부(100)에서 접지(대지) 전류를 검출하여 주파수발생 제어부(110)를 동작시켜 주파수 발생부(60)의 동작을 멈추게 하므로써 인버터부(70)의 스위칭 동작을 멈추게 한다.
즉, 접지(대지)전류 감지용 알미늄판에서 대지 전류에 의한 대지전압이 검출되며, 대지전압은 다이오드(D15,D16,D17,D18), 캐패시터(C16)에서 직류전압(Vc16)을 발생시키며, 저항(R15,R16)에 의해 분배 된 전압(R16/R15+R16)×VC16[V]은 션트레귤레이터(Q7)를 동작시킨다.
션트레귤레이터(Q7)의 동작은 트랜지스터(Q6)를 동작시켜 포토커플러(Q5)를 ON시켜 주파수발생 제어부(110)의 트랜지스터(Q4)를 ON시키게 되며, 트랜지스터(Q4)가 ON 상태가 되면 주파수 발생부(60)의 동작전압을 저항(R12)을 통하여 흐르게 함으로 동작전압은 낮아지게 되어 주파수 발생부(60)의 동작은 멈추게 된다.
상기 내용을 정리하면 다음과 같다. 즉, 접지전류 검출부(100)는, 접지(대지) 전류의 감지센서인 금속 도체판(2㎝～3㎝)×(4㎝～6㎝)을 구비하며, 승압 트랜스포머(T1)의 센터에서 발생한 대지전류에 의한 전압을 다이오드(D15,D16, D17,D18), 캐패시터(C16)에서 직류전압으로 발생시켜 포토커플러(Q5)를 동작시키므로써, 주파수 발생부(60)를 제어하여 인버터부(70)의 스위칭 동작을 멈추게 하는 것이다.
한편, 상기 두 가지 기능(접지전류 감지, 무부하/과부하 감지)을 수행함에 있어, 상기 주파수발생 제어부(110)의 트랜지스터(Q4)는 트랜지스터(Q3)를 동작시켜 PNP-NPN 조합으로 S.C.R 기능을 수행하며, 상기 PNP-NPN조합 S.C.R의 동작은 발광다이오드(D14)를 점등시켜 램프의 불량, 무부하/과부하 및 접지전류에 의해 인버터부(70)의 동작이 멈추었음을 표시한다.
도 3a 및 도 3b 는 본 고안에 적용되는 펄스폭 제어부(40)의 제어전압의 일실시예 그래프이며, 도 4a 및 도 4b 는 본 고안에 적용되는 주파수 발생부(60)의 비대칭 펄스 신호의 일실시예이고, 도 5 는 본 고안에 적용되는 인버터부(70)의 스위칭 전압의 일실시예로서, 도 2a 에 도시된 점 'X'에서의 신호이다.
도 6a 내지 도 6d 는 본 고안에 적용되는 무부하/과부하 검출부(90)의 일실시예 동작도이다.
이때, 도 6b 는 무부하/과부하시 피드백(F.B) 코일에서 전압을 감지하여 다이오드(D9~D12), 저항(R9), 커패시터(C12)에 순간적으로 정상상태보다 높은 직류전압을 발생시키는 상태를 나타낸 것이며, 도 6c 는 제너다이오드(D13)에서 상기 높은 직류전압을 클램프(Clamp)시켜 NPN-PNP 조합 SCR(Q3,Q4)를 ON시킨 상태를 나타낸 것이다. 또한, 도 6d 는 IC1의 Vcc(전원) 단자인 8번 Pin전압이 Under Voltage Lockout까지 하강하여 IC1의 동작이 중단된 상태를 나타낸 것으로서, 이로 인해 인버터부(70)의 스위칭 작용은 멈추게 된다.
도 7a 내지 도 7e 는 본 고안에 적용되는 접지전류 검출부(100)에서의 접지(대지)전류 발생시 동작과정을 나타낸 예시도이다.
이때, 도 7a 는 네온관(램프)(120) 점등 중 외부의 어떠한 이유로 인하여 대지전류가 발생하는 상태를 나타낸 것이며, 도 7b 는 고압고주파 승압부(80)의 T1과 D15~D18을 통하여 접지전류 검출부(100) 알루미늄판으로 전류가 흐르게 되어 대지전압이 검출된 상태를 나타낸 것이다. 또한, 도 7c 는 검출된 대지전압이 D15~D18, C16에서 직류전압(Vc16)을 발생시켜, R15,R16에 의해 분배된 전압이 Q7을 ON 시키고, 또한 Q6도 ON으로 만드는 상태를 나타낸 것이다. 또한, 도 7d 는 포토커플러(Q5)가 ON되어 주파수 발생 제어부(110)의 Q4를 ON 시키고 이로 인해 Q3이 ON되는 상태를 나타낸 것이다. 또한, 도 7e 는 Q4가 ON됨에 따라 주파수발생부(60)의 동작전압을 R12로 흐르게 하여 동작전압이 최저동작전압으로 낮아지게 되어 IC1에서 주파수 발생부(60) 동작이 중단되어 인버터부(70)의 스위칭 작용을 멈추게 하는 상태를 나타낸 것이다.
이상의 본 고안은 상기에서 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 고안의 취지와 범위에 포함된다.
상기와 같은 본 고안은 DC 바이어스(Bias), AC 바이어스(Bias)를 동시에 발생시키는 120Hz 주기의 비대칭 고전압 고주파 전압을 네온(Neon) 램프의 점등전압으로 인가시키므로써, 램프의 점등을 원활히 할 수 있다는 우수한 효과가 있다.
또한, 본 고안은 AC/DC 혼합 바이어스를 인가시켜 주므로써, 램프의 효율을 향상시키고 수명을 연장시킬 수 있을 뿐만 아라, 전체적으로 안정기의 불량률을 개선시킬 수 있다는 우수한 효과가 있다.
또한, 본 고안은 접지전류 또는 무부하/과부하가 검출되는 경우 전자식 네온관 안정기의 주파수 발생부 동작을 셧다운 시키므로써, 접지전류 또는 무부하/과부하가 검출되는 경우에도 안정적으로 동작될 수 있다는 우수한 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 전자식 네온관 안정기에 있어서,
    입력된 교류 전압을 정류하기 위한 브릿지 정류부(20);
    상기 브릿지 정류부의 브릿지 전압을 DC로 충전하기 위한 DC전압 충전부(50);
    제어신호에 따라 주파수를 발생시키기 위한 주파수 발생부(60);
    상기 교류전압 입력부(10)로부터 인가된 교류전압을 집적회로로 구성되는 상기 주파수 발생부에 공급하기 위한 전원공급부(30);
    상기 입력 교류전압을 맥류전압으로 변환하여 상기 주파수 발생부(60)에서 출력되는 신호의 펄스폭이 비대칭 특성을 갖도록 상기 주파수발생부를 제어하기 위한 펄스폭 제어부(40);
    상기 DC전압 충전부(50)에서 인버터동작 전압을 공급받아 상기 주파수 발생부(60)의 펄스폭에 따라 스위칭 작용을 하므로써, AC 전압 성분과 DC 전압 성분을 모두 포함하는 비대칭 펄스파를 발생시키기 위한 인버터부(70);
    상기 인버터부(70)의 스위칭으로 발생된 비대칭 펄스파 전압을 고전압으로 승압 시키기 위한 고압고주파 승압부(80); 및
    상기 고압고주파 승압부(80)로부터 인가된 전원에 의해 점등되는 램프(120)
    를 포함하는 전자식 네온관 안정기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펄스폭 제어부(40)는,
    저항(R2,R3), 캐패시터(C3)로 맥류전압을 발생시키며, Clamp-slice 회로인 다이오드(D6,D7)로 맥류전압을 파형 정형하여 저항(R6)을 통하여 주파수 발생부(60)의 CT 단자에 비대칭 펄스폭 변조 신호를 발생하므로써 인버터를 구동시키거나, 또는 캐패시터(CX), 저항(RX), 다이오드(Da,Db,Dc,Dd)로 구성되는 브릿지 회로에서 맥류전압을 발생시켜 Clamp-Slice 회로인 다이오드(D6,D7)로 맥류전압을 파형 정형하여 저항(R6)을 통하여 주파수 발생부(60)의 CT 단자에 비대칭 펄스폭 변조 신호를 발생하므로써 인버터를 구동시키는 것을 특징으로 하는 전자식 네온관 안정기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    무부하나 과부하시 이상 과전압을 검출하여 상기 주파수발생 제어부(60)를 제어하므로써 상기 인버터부(70)의 동작을 멈추게 하기위한 무부하/과부하 검출부(90); 및
    상기 무부하/과부하 검출부(90)의 검출 전압에 따라 상기 주파수 발생부(60)를 제어하기 위한 주파수발생 제어부(110)를 더 포함하며,
    상기 무부하/무부하 과부하 검출부(90)는,
    무부하 또는 과부하시 승압 트랜스포머(T1)의 피드백(F.B)코일에서 전압을 감지하여 높은 직류전압을 발생시켜 제너다이오드(D13)를 도통시켜 주파수발생 제어부(110)의 PNP-NPN 조합 SCR(Q3,Q4)을 동작시키므로써, 주파수 발생부(60)를 제어하여 인버터부(70)의 스위칭 동작을 멈추게 하는 것을 특징으로 하는 전자식 네온관 안정기.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    접지전류(대지전류)가 검출된 경우 상기 주파수 발생부(60)의 동작전압을 제어하여 상기 인버터부(70)의 동작을 멈추게 하기 위한 접지전류 검출부(100)를 더 포함하며,
    상기 접지전류 검출부(100)는,
    접지(대지) 전류의 감지센서인 금속 도체판을 구비하며, 승압 트랜스포머(T1)의 센터에서 발생한 대지전류에 의한 전압을 직류전압으로 발생시켜 포토커플러(Q5)를 동작시키므로써, 주파수발생 제어부(110)로 하여금 주파수 발생부(60)를 제어하여 인버터부(70)의 스위칭 동작을 멈추게 하는 것을 특징으로 하는 전자식 네온관 안정기.
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