KR20030095617A - Rear plate for plasma display panel and method for fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A rear substrate and a method for manufacturing the same are provided to prevent an erroneous light emission by preventing cracks caused due to the difference of thermal contractions between the barrier rib and dielectric layer during the burning process. CONSTITUTION: A plasma display device(10) comprises a front substrate(12) and a rear substrate(14) opposed to the front substrate. The rear substrate includes address electrodes(22) disposed in the stripe pattern; a dielectric layer(24') covering the address electrodes; and barrier ribs(24) disposed between the address electrodes. The dielectric layer is formed integrally with the barrier rib, and the barrier rib is an inorganic filler containing TiO2.

Description

플라즈마 표시 소자용 배면 기판 및 이의 제조 방법{REAR PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}BACKPLATE FOR PLASMA DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF {REAR PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

본 발명은 플라즈마 표시 소자용 배면 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방전셀을 구획하는 격벽이 유전층부를 일체로 구비하는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판과 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a back substrate for a plasma display element and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a back substrate for a plasma display element and a method for manufacturing the same.

통상적으로 플라즈마 표시 소자는 복수개의 전극이 코팅된 두 기판 상에 방전 가스를 주입하여 봉입한 다음 방전 전압을 가하고, 이 방전 전압으로 인하여 두 전극 사이에 기체가 발광하게 되면 적절한 펄스 전압을 가하여 두 전극이 교차하는 점에 어드레싱하여 소망하는 숫자, 문자 또는 그래픽을 구현하는 표시 소자를 말한다.In general, a plasma display device injects and discharges a discharge gas on two substrates coated with a plurality of electrodes, and then applies a discharge voltage. When the gas emits light between the two electrodes due to the discharge voltage, an appropriate pulse voltage is applied to the two electrodes. It refers to a display element which addresses the intersection and implements a desired number, letter or graphic.

이러한 플라즈마 표시 소자는 방전 셀에 인가하는 구동 전압의 형식, 예컨대방전 형식에 따라 직류형과 교류형으로 분류하고, 전극들의 구성 형태에 따라 대향 방전형 및 면 방전형으로 구분할 수 있다.Such a plasma display device may be classified into a direct current type and an alternating current type according to a type of driving voltage applied to a discharge cell, for example, a discharge type, and may be classified into a counter discharge type and a surface discharge type according to the configuration of the electrodes.

직류형 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 전극들이 방전 공간에 노출되는 구조로서, 대응 전극들 사이에 전하의 이동이 직접적으로 이루어진다. 반면에, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은 적어도 한 전극이 유전체층에 매립되고, 대응하는 전극들 사이에 직접적인 전하의 이동이 이루어지지 않는 대신에, 유전체층 표면에 방전에 의하여 생성된 이온과 전자가 부착하여 벽전압(wall voltage)을 형성하고, 유지 전압(sustaining voltage)에 의하여 방전 유지가 가능하다.The DC plasma display panel has a structure in which all electrodes are exposed to a discharge space, and charges are directly transferred between corresponding electrodes. On the other hand, in the AC plasma display panel, at least one electrode is embedded in the dielectric layer, and instead of direct charge transfer between the corresponding electrodes, the ions and electrons generated by the discharge adhere to the surface of the dielectric layer to form a wall. It is possible to form a wall voltage and to maintain discharge by a sustaining voltage.

한편, 대향 방전형 플라즈마 디스플레이 패널은 단위 화소마다 어드레스 전극과 주사 전극이 대향하여 마련되고, 두 전극간에 어드레싱 방전 및 유지 방전이 일어나는 방식이다. 반면에, 면 방전형 플라즈마 디스플레이 패널은 각 단위 화소마다 어드레스 전극과 그에 해당되는 공통 전극과 주사 전극이 마련되어 어드레싱 방전과 유지 방전이 발생하게 되는 방식이다.On the other hand, in the opposite discharge type plasma display panel, an address electrode and a scan electrode are provided to face each unit pixel, and addressing discharge and sustain discharge are generated between the two electrodes. On the other hand, in the surface discharge plasma display panel, an address electrode, a common electrode and a scan electrode corresponding to each unit pixel are provided to generate addressing discharge and sustain discharge.

도 1에는 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 장치의 패널에 대한 개략적인 분해 사시도가 도시되어 있다.FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a panel of a typical AC plasma display device.

도면을 참조하면, 전면 기판(102)에는 공통 전극(104)과 주사 전극(106)이 각각 스트립 형상으로 형성되고, 배면 기판(108)에는 어드레스 전극(110)이 스트립 형상으로 형성된다. 그리고, 전면 기판(102)의 내표면에는 유전층(112)이 도포되고, 배면 기판(108)에는 유전층(114)과 격벽(116)이 차례로 적층되며, 격벽(116)에 의해 방전 셀이 형성된다. 방전 셀 내에는 아르곤과 같은 불활성 개스가 충전되고, 각각의 셀을 형성하는 격벽(116)의 내측에는 소정 부위에 형광체(118)가 도포된다.Referring to the drawings, the common electrode 104 and the scan electrode 106 are formed in a strip shape on the front substrate 102, and the address electrode 110 is formed in a strip shape on the back substrate 108. The dielectric layer 112 is coated on the inner surface of the front substrate 102, and the dielectric layer 114 and the partition wall 116 are sequentially stacked on the rear substrate 108, and a discharge cell is formed by the partition wall 116. . An inert gas such as argon is filled in the discharge cell, and a phosphor 118 is applied to a predetermined portion inside the partition wall 116 forming each cell.

한편, 공통 및 주사 전극(104,106)의 아랫면 일 가장자리를 따라서는 버스 전극(120)이 제공되는데, 이 버스 전극(120)은 전극들(104,106)의 길이에 무관하게 균일한 전압이 인가될 수 있도록 작용한다.Meanwhile, a bus electrode 120 is provided along one bottom edge of the common and scan electrodes 104 and 106, and the bus electrode 120 may be applied with a uniform voltage regardless of the length of the electrodes 104 and 106. Works.

이러한 구성의 플라즈마 표시 소자에 있어서, 상기 배면 기판은 이하의 방법에 따라 제조된다.In the plasma display device having such a configuration, the back substrate is manufactured according to the following method.

우선 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 은 등의 도전성 재료를 배면 기판(108)상에 전면 도포하고, 노광하여 현상 및 건조시킨 후에, 소성함으로써 어드레스 전극(110)을 형성한다. 그리고, 유전층 재료를 스크린 인쇄 등의 방법으로 전면 코팅하고 건조하여 소성함으로써 유전층(114)을 완성한다.First, a conductive material such as indium tin oxide (ITO) or silver is coated on the back substrate 108, exposed, developed and dried, and then fired to form the address electrode 110. The dielectric layer 114 is completed by coating the dielectric layer material on the entire surface by screen printing, drying, and baking.

다음에 격벽(116) 형성 공정이 이어지는데, 이것은 별도의 격벽 재료를 샌드 블라스팅 방법을 이용하여 소정 패턴으로 형성함으로써 이루어진다.Next, a partition 116 forming process is followed, which is achieved by forming a separate partition material in a predetermined pattern using a sand blasting method.

그런데, 상기한 구성의 배면 기판 및 이 기판 제조 방법에 의하면, 어드레스 전극(110)이 제공된 배면 기판(108)에 먼저 유전층(114)을 형성한 후 상기 유전층(114)과는 별도로 격벽(116)을 형성하므로, 유전층(114) 및 격벽(116) 형성에 적어도 2회 이상의 소성 공정이 필요하다. 따라서, 공정수가 증가되는 문제점이 있다.However, according to the back substrate having the above-described configuration and the method of manufacturing the substrate, the dielectric layer 114 is first formed on the back substrate 108 provided with the address electrode 110, and then the partition wall 116 is separated from the dielectric layer 114. In order to form the dielectric layer 114 and the partition wall 116, at least two or more firing processes are required. Therefore, there is a problem that the number of processes is increased.

또한, 격벽(116)을 소성할 때, 이미 소성된 유전층(114)의 표층부가 연화 상태가 됨과 동시에 열팽창을 하게 되고, 급격한 소성 수축차에 의해 격벽(116)의 불특정 부분에 크랙이 발생하며, 이로 인해 오발광(크로스토크) 현상을 일으키게 되는 문제점이 있다.In addition, when the barrier rib 116 is fired, the surface layer portion of the already fired dielectric layer 114 softens and undergoes thermal expansion, and a crack occurs in an unspecified portion of the barrier rib 116 due to a sudden plastic shrinkage difference. As a result, there is a problem that causes a mis-emitting (cross-talk) phenomenon.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 유전층으로 작용하는 격벽을 갖는 신규한 구조의 플라즈마 표시 소자용 배면 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a back substrate for a plasma display device having a novel structure having a partition wall acting as a dielectric layer.

본 발명의 다른 목적은 상기한 배면 기판을 효과적으로 제조할 수 있는 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate manufacturing method that can effectively produce the back substrate described above.

상기한 본 발명의 목적은,The object of the present invention described above,

스트라이프 형태로 배치되는 어드레스 전극들과, 상기 어드레스 전극들을 덮는 유전층과, 각 어드레스 전극 사이에 배치된 격벽들을 구비하는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판에 있어서, 상기 어드레스 전극을 매립하는 유전층부가 격벽과 일체 구조로 이루어지며, 상기 유전층부를 갖는 격벽은 무기 필러(filler)로서 TiO2를 포함한다. 여기에서, 상기 유전층부는 10∼25㎛의 두께로 형성할 수 있다.A back substrate for a plasma display device comprising address electrodes arranged in a stripe shape, a dielectric layer covering the address electrodes, and barrier ribs disposed between the address electrodes, wherein the dielectric layer filling the address electrode is integrally formed with the partition wall. The barrier rib having the dielectric layer part includes TiO 2 as an inorganic filler. Here, the dielectric layer portion may be formed to a thickness of 10 to 25㎛.

그리고, 상기한 기판 제조 방법은,And the above-mentioned substrate manufacturing method,

배면 기판의 표면에 어드레스 전극을 형성하는 전극 형성 단계와; TiO2를 포함하는 격벽 형성용 페이스트를 상기 배면 기판에 도포 및 건조하는 단계와; 건조가 완료된 상기 격벽 형성용 페이스트의 표면에 블라스트 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴을 이용하여 격벽 형성용 페이스트를 샌드 블라스팅 함으로써 상기 배면 기판에 유전층부를 갖는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 블라스트 마스크 패턴을 제거하는 단계와; 상기 유전층부를 갖는 격벽을 소성하는 단계;를 포함한다.An electrode forming step of forming an address electrode on a surface of the rear substrate; Applying and drying a barrier rib forming paste including TiO 2 to the rear substrate; Forming a blast mask pattern on a surface of the barrier rib forming paste; Forming a barrier rib having a dielectric layer on the rear substrate by sandblasting the barrier rib forming paste using the mask pattern; Removing the blast mask pattern; Firing the partition wall having the dielectric layer portion.

여기에서, 상기 격벽 형성용 페이스트는, 유기용제(터피네올 및 B.C.A)와 바인더(EC) 및 첨가제(F-302TM)를 일정량 혼합 및 교반하여 비히클(vehicle)을 제조하는 단계와, 무기 파우더와 TiO2를 일정량 혼합한 후 유기용제(터피네올 및 B.C.A)을 투입하여 상기 무기 파우더 및 TiO2혼합물과 유기용제를 혼합하는 단계와, 이 혼합물에 비히클을 일정량 투입하여 혼합하는 단계에 따라 제조할 수 있다.Here, the partition forming paste is a step of preparing a vehicle by mixing and stirring a predetermined amount of an organic solvent (terpineol and BCA), a binder (EC) and an additive (F-302 TM ), and inorganic powder And mixing TiO 2 with a predetermined amount, and then adding an organic solvent (terpineol and BCA) to mix the inorganic powder and the TiO 2 mixture with the organic solvent, and adding a predetermined amount of vehicle to the mixture to prepare the mixture. can do.

이때, 상기 TiO2는 형광체에서 발광된 빛을 반사하여 발광 효율을 향상시키는 작용을 한다.At this time, the TiO 2 reflects the light emitted from the phosphor to improve the luminous efficiency.

그리고, 상기 블라스트 마스크 패턴을 형성하는 단계는 건조가 완료된 상기 격벽 형성용 페이스트의 표면에 내마모성 감광성 필름을 라미네이팅하고, 상기 내마모성 감광성 필름을 노광 및 현상하는 것에 따라 이루어질 수 있다.The forming of the blast mask pattern may be performed by laminating the wear-resistant photosensitive film on the surface of the barrier rib forming paste, and exposing and developing the wear-resistant photosensitive film.

도 1은 일반적인 플라즈마 표시 소자의 개략적인 분해 사시도.1 is a schematic exploded perspective view of a typical plasma display device.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 소자의 분해 사시도.2 is an exploded perspective view of a plasma display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 배면 기판 제조 방법을 나타내는 공정도.3A to 3G are process drawings showing the back substrate manufacturing method of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 소자의 사시도를 도시한 것이다.2 is a perspective view of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예의 플라즈마 표시 소자는(10)는 전면 기판(12)과, 상기 전면기판(12)과 대향 배치되는 배면 기판(14)을 구비한다. 전면 기판(12)의 아랫면에는 스트립 형태의 공통 전극(16)과 주사 전극(18)이 교대로 복수개 형성되어 있고, 공통 및 주사 전극(16,18)의 아랫면 일 가장자리를 따라서는 전극들(16,18)의 라인 저항을 줄이기 위하여 상기 전극들(16,18)보다 폭을 좁게하는 금속재로 된 버스 전극(20)이 제공된다.The plasma display device 10 of the present embodiment includes a front substrate 12 and a rear substrate 14 disposed to face the front substrate 12. The lower surface of the front substrate 12 has a plurality of strip-shaped common electrodes 16 and scan electrodes 18 are alternately formed, and the electrodes 16 along one lower edge of the common and scan electrodes 16 and 18. In order to reduce the line resistance of (18), a bus electrode (20) made of metal is provided that is narrower than the electrodes (16,18).

그리고, 상기 전극들(16,18)과 버스 전극(20)은 유전층(22)에 의해 매립되고, 유전층(20)의 아랫면에는 이를 보호하기 위하여 산화마그네슘(MgO)으로 된 보호막층(미도시함)이 형성된다.In addition, the electrodes 16 and 18 and the bus electrode 20 are embedded by the dielectric layer 22, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) on the bottom surface of the dielectric layer 20 to protect it. ) Is formed.

한편, 상기 전면 기판(12)과 대향되게 설치되는 배면 기판(14)의 윗면에는 상기 공통 및 주사 전극(16,18)과 직교하는 형태로 된 어드레스 전극(22)이 스트립 형태로 형성된다. 이때, 상기 어드레스 전극(22)은 격벽(24)과 일체로 된 유전층부(24')에 의해 매립된다는 것을 주목해야 한다. 본 발명에 있어서, 유전층부(24')가 격벽(24)과 일체 구조를 이룬다고 함은 양자가 동일한 재질로 이루어지고, 명확한 경계가 없는 상태를 말한다. 이때, 상기 격벽(24)은 TiO2를 포함하는데, 이는 추후 격벽(24)에 도포되는 형광체층(26)에서 발광된 빛을 전면 기판(12) 쪽으로 반사함으로써 발광 효율을 향상시키기 위한 것이다.On the other hand, on the upper surface of the rear substrate 14 which is installed to face the front substrate 12, the address electrode 22 in a form orthogonal to the common and scan electrodes 16 and 18 is formed in a strip form. At this time, it should be noted that the address electrode 22 is embedded by the dielectric layer portion 24 ′ integrated with the partition wall 24. In the present invention, the dielectric layer portion 24 ′ having an integral structure with the partition wall 24 refers to a state in which both are made of the same material and have no clear boundary. In this case, the partition wall 24 includes TiO 2 , which is intended to improve luminous efficiency by reflecting light emitted from the phosphor layer 26 applied to the partition wall 24 toward the front substrate 12.

또한, 유전층부(24')와 격벽(24)을 일체 구조라고 하기 위해서는 후술하는 바와 같이 양자를 동시에 형성한다. 상기 일체 구조를 이루는 유전층부(24')와 격벽(24)의 형상은 특별히 한정하는 것이 아니지만, 픽셀 피치나 기판 사이즈에 따라적절히 선택하는 것이 가능하며, 격벽(24)의 단면 형상은 개구 면적 확보의 측면에서 테이퍼지게 형성하는 것이 바람직하다.In addition, in order to make the dielectric layer part 24 'and the partition 24 an integral structure, both are simultaneously formed as mentioned later. Although the shapes of the dielectric layer portion 24 ′ and the partition wall 24 constituting the integral structure are not particularly limited, the dielectric layer portion 24 ′ and the partition wall 24 may be appropriately selected according to the pixel pitch and the substrate size. It is preferable to form tapered in the side of.

그리고, 격벽(24)으로 인하여 구획되는 방전 공간에는 아르곤과 같은 불활성 가스가 충전되고, 격벽(24)의 내측으로는 적,녹,청색의 형광체층(26)이 도포된다.The discharge space partitioned by the partition wall 24 is filled with an inert gas such as argon, and a red, green, and blue phosphor layer 26 is applied to the inside of the partition wall 24.

이러한 구조를 가지는 본 실시예의 플라즈마 표시 소자(10)는 주사 전극(18)과 어드레스 전극(22) 사이에 트리거 전압이 인가되면 예비 방전이 일어나 벽전하가 충전된다. 이 상태에서, 상기 공통 및 주사 전극(16,18) 사이에 전압이 인가되면 유지 방전이 일어나 플라즈마가 생성된다. 이로부터 자외선이 방사되어 상기 형광체층(26)을 여기시켜 소망하는 화상을 구현하게 된다.In the plasma display device 10 of this embodiment having such a structure, when a trigger voltage is applied between the scan electrode 18 and the address electrode 22, preliminary discharge occurs to charge the wall charge. In this state, when a voltage is applied between the common and scan electrodes 16 and 18, sustain discharge occurs to generate plasma. From this, ultraviolet rays are radiated to excite the phosphor layer 26 to realize a desired image.

이하, 도 3을 참조하여 배면 기판의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of a back substrate is demonstrated with reference to FIG.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 도전성의 전극 재료(ITO 또는 은 등)를 배면 기판(14)상에 전면 도포하고, 다음에 노광하여 현상 및 건조시킨 후에 소성함으로써 어드레스 전극(22)을 형성한다. 그리고, 격벽 형성용 페이스트(P)를 배면 기판(14)상에 전면 도포한다.(도 3b)First, as shown in FIG. 3A, the conductive electrode material (ITO or silver, etc.) is entirely coated on the back substrate 14, then exposed, developed, dried, and then fired to form the address electrode 22. FIG. . Then, the barrier rib-forming paste P is entirely coated on the rear substrate 14 (FIG. 3B).

이때, 상기 격벽 형성용 페이스트(P)는 터피네올과 B.C.A를 일정 비율, 예를 들면 75:25의 중량비로 투입하여 교반하면서 EC 바인더와 첨가제(F-302TM)를 일정량 투입하여 교반 용해함으로써 비히클을 제조하는 단계와, 무기 파우더와 TiO2를 교반기에 일정량 투입하여 건식 혼합을 진행한 후 유기용제(터피네올 및 B.C.A)를 투입 및 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계와, 상기한 혼합물에 비히클을 수차례 반복 투입하면서 이들을 혼합하는 단계에 따라 이루어질 수 있다.At this time, the partition forming paste (P) is a mixture of terpineol and BCA in a predetermined ratio, for example, a weight ratio of 75:25 while stirring, adding a certain amount of EC binder and additives (F-302 TM ) and stirring to dissolve. Preparing a vehicle, adding a predetermined amount of inorganic powder and TiO 2 to a stirrer to perform dry mixing, and then adding and mixing an organic solvent (terpineol and BCA) to prepare a mixture, and the vehicle to the above mixture. It can be made according to the step of mixing them while repeating several times.

특히 상기 페이스트(P)는 무기 필러로서 TiO2를 포함하는데, 이는 형광체층(26)에서 발광된 빛을 반사함으로써 발광 효율을 향상시키기 위한 것이다. 그리고, 상기 격벽 형성용 페이스트(P)는 대략 150㎛ 내외의 두께로 도포하고, 도포가 완료되면 상기 격벽 형성용 페이스트(P)를 건조한다.In particular, the paste P contains TiO 2 as an inorganic filler, which is intended to improve luminous efficiency by reflecting light emitted from the phosphor layer 26. The barrier rib paste P is applied to a thickness of about 150 μm, and when the coating is completed, the barrier rib paste P is dried.

다음으로, 도 3c에 도시한 바와 같이 격벽 형성용 페이스트(P)의 표면에 내마모성 감광성 필름(DFR: Dry Film Resister)(28)을 라미네이팅시킨다. 상기 필름(28)은 롤(30)을 이용하여 페이스트(P)의 표면에 가압함으로써 라미네이팅 되며, 이후에 샌드블라스팅 공정에서 격벽 형성용 페이스트(P)가 선택적으로 제거될 수 있도록 한다.Next, as shown in FIG. 3C, a wear-resistant photosensitive film (DFR: Dry Film Resister) 28 is laminated on the surface of the partition forming paste P. As shown in FIG. The film 28 is laminated by pressing the surface of the paste P using the roll 30, and then allows the partition forming paste P to be selectively removed in the sandblasting process.

도 3d 및 3e는 내마모성 감광성 필름(28)을 노광 및 현상시킴으로써 블라스트 마스크 패턴을 형성하는 것이 도시되어 있다. 마스크(32)를 상부에 배치한 상태에서 광(34)을 입사하여 노광하면, 감광성을 가진 내마모성 필름(28)은 노광된 부분만이 경화되고 그렇지 않은 부분은 연질 상태로 남아있다. 이러한 상태에서 현상이 이루어지면, 연질 상태의 내마모성 감광성 필름(28)은 페이스트(P)의 표면으로부터 제거되고, 제거되지 않은 부분이 블라스트 마스크 패턴(36)을 형성한다.3D and 3E illustrate forming a blast mask pattern by exposing and developing the wear resistant photosensitive film 28. When the light 34 is incident and exposed in the state where the mask 32 is disposed above, only the exposed portion of the wear-resistant film 28 having photosensitivity is cured, and the portion remaining unsoftened. When development is carried out in this state, the wear resistant photosensitive film 28 in the soft state is removed from the surface of the paste P, and the unremoved portion forms the blast mask pattern 36.

이와 같은 상태에서 도 3f에 도시한 바와 같이 샌드(38)를 고속으로 가압 분사하는 샌드 블라스팅이 이루어지면, 마스크 패턴(36)으로 차폐되지 않은 부분의 페이스트가 마모되게 된다.In this state, as shown in FIG. 3F, when sand blasting is performed by pressurizing and spraying the sand 38 at high speed, the paste of the portion not shielded by the mask pattern 36 is worn out.

상기 도 3g에는 샌드 블라스팅에 의해서 격벽 형성용 페이스트(P)의 일부가 제거됨으로써 격벽(24)이 형성된 것을 나타낸다. 이때, 주의할 점은 격벽(24)이 점선으로 표시된 유전층부(24')를 구비하도록 형성하는 것인데, 본 발명인의 실험 결과에 의하면, 샌드 블라스트 공정시의 공정 조건을 적절히 설정하는 것에 따라 원하는 두께, 바람직하게는 10∼25㎛ 두께(t)의 유전층부(24')를 갖는 격벽(24)을 제조하는 것이 가능한 것을 알 수 있었다.3G shows that the partition wall 24 is formed by removing a part of the partition forming paste P by sand blasting. At this time, it should be noted that the partition wall 24 is formed to have a dielectric layer portion 24 'indicated by a dotted line. According to the experimental results of the present inventors, the desired thickness is appropriately set according to the process conditions during the sand blasting process. It was found that it is possible to manufacture the partition wall 24 having the dielectric layer portion 24 'having a thickness t of preferably 10 to 25 mu m.

격벽(24)이 형성된 이후에는 블라스트 마스크 패턴(36)을 제거하고, 대략 400∼550℃의 온도 부근에서 소성함으로써 유전층부(24')를 갖는 격벽(24)을 완성한다.After the partition 24 is formed, the blast mask pattern 36 is removed and fired at a temperature around 400 to 550 ° C. to complete the partition 24 having the dielectric layer portion 24 ′.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

본 발명에 따른 플라즈마 표시 소자용 배면 기판 및 그 제조 방법에 의하면 격벽이 유전층부를 일체로 구비하므로, 소성 공정시의 격벽과 유전층의 열수축차에 의한 크랙 발생을 억제할 수 있어 오발광을 방지할 수 있다. 그리고, 격벽이 무기 필러로서 TiO2를 포함하고 있으므로, 반사 효율이 증가되어 발광 효율이 향상되는 효과가 있다.According to the back substrate for the plasma display element and the manufacturing method thereof according to the present invention, since the partition wall is integrally provided with the dielectric layer portion, cracks generated by the thermal contraction difference between the partition wall and the dielectric layer during the firing process can be suppressed to prevent erroneous light emission. have. And, there is an effect that, because the partition wall contains TiO 2 as the inorganic filler, the reflection efficiency is increased improving the luminous efficiency.

또한, 종래의 유전층을 형성하기 위한 공정이 생략되므로 공정이 간단해지는 이점이 있다.In addition, since the conventional process for forming the dielectric layer is omitted, the process is simplified.

Claims (4)

스트라이프 형태로 배치되는 어드레스 전극들과, 상기 어드레스 전극들을 덮는 유전층과, 각 어드레스 전극 사이에 배치된 격벽들을 구비하는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판에 있어서,A back substrate for a plasma display device comprising address electrodes arranged in a stripe shape, a dielectric layer covering the address electrodes, and partition walls disposed between the address electrodes. 상기 어드레스 전극을 매립하는 유전층부가 격벽과 일체 구조로 이루어지며, 상기 유전층부를 갖는 격벽은 무기 필러(filler)로서 TiO2를 포함하는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판.The dielectric layer portion filling the address electrode is integrally formed with the barrier rib, and the barrier rib having the dielectric layer portion includes TiO 2 as an inorganic filler. 제 1항에 있어서, 상기 유전층부는 10∼25㎛의 두께로 형성되는 플라즈마 표시 소자용 배면기판.The back substrate of claim 1, wherein the dielectric layer is formed to a thickness of 10 to 25 μm. 배면 기판의 표면에 어드레스 전극을 형성하는 전극 형성 단계와;An electrode forming step of forming an address electrode on a surface of the rear substrate; TiO2를 포함하는 격벽 형성용 페이스트를 상기 배면 기판에 도포 및 건조하는 단계와;Applying and drying a barrier rib forming paste including TiO 2 to the rear substrate; 건조가 완료된 상기 격벽 형성용 페이스트의 표면에 블라스트 마스크 패턴을 형성하는 단계와;Forming a blast mask pattern on a surface of the barrier rib forming paste; 상기 마스크 패턴을 이용하여 격벽 형성용 페이스트를 샌드 블라스팅 함으로써 상기 배면 기판에 유전층부를 갖는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a barrier rib having a dielectric layer on the rear substrate by sandblasting the barrier rib forming paste using the mask pattern; 상기 블라스트 마스크 패턴을 제거하는 단계와;Removing the blast mask pattern; 상기 유전층부를 갖는 격벽을 소성하는 단계;Firing a partition having the dielectric layer portion; 를 포함하는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판의 제조 방법.Method of manufacturing a back substrate for a plasma display device comprising a. 제 3항에 있어서, 상기 블라스트 마스크 패턴을 형성하는 단계는 건조가 완료된 상기 격벽 형성용 페이스트의 표면에 내마모성 감광성 필름을 라미네이팅하고, 상기 내마모성 감광성 필름을 노광 및 현상하는 것에 따라 이루어지는 플라즈마 표시 소자용 배면 기판의 제조 방법.The back surface of claim 3, wherein the forming of the blast mask pattern is performed by laminating a wear-resistant photosensitive film on a surface of the barrier rib forming paste which has been dried, and exposing and developing the wear-resistant photosensitive film. Method of manufacturing a substrate.
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