KR20030076192A - Chemical amplifying type positive resist composition - Google Patents
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Abstract
본 발명은The present invention
감방사선성 산 발생제(A),Radiation-sensitive acid generators (A),
그 자체는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성으로 되는 수지(B),The resin (B) itself is insoluble or poorly soluble in aqueous alkali solution but soluble in aqueous alkali solution by the action of acid,
염기성 화합물(C) 및Basic compound (C) and
화학식 4의 화합물 또는 화학식 5의 화합물 등 파장 범위가 300 내지 450nm인 광에 대한 몰 흡광 계수 범위가 100 내지 50000인 화합물(D)의 4성분을 함유하는 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a chemically amplified positive resist composition containing four components of a compound (D) having a molar extinction coefficient range of 100 to 50000 with respect to light having a wavelength range of 300 to 450 nm, such as a compound of Formula 4 or a compound of Formula 5.
화학식 4Formula 4
위의 화학식 4에서,In Formula 4 above,
R9및 R10은 각각 독립적으로 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 알콕시카보닐기로 치환될 수 있으며,R 9 and R 10 are each independently an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group,
R11내지 R16은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기이다.R 11 to R 16 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group.
화학식 5Formula 5
위의 화학식 5에서,In Formula 5 above,
R17은 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기 또는 N,N-디알킬아미노기로 치환될 수 있으며,R 17 is an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or an N, N-dialkylamino group,
R18은 수소원자 또는 알킬기이며,R 18 is a hydrogen atom or an alkyl group,
R19및 R20은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 시아노기 또는 벤조일기이다.R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group or a benzoyl group.
Description
본 발명은 자외선(g선, i선, 엑시머 레이저 등을 포함한다), 전자선, X선 또는 방사광과 같은 고에너지 방사선에 의해 작용하는 석판인쇄술 등에 적합한 내식막 조성물이며, 특히 g선 및 i선에 대한 노광에 적합한 내식막 조성물에 관한 것이다.The present invention is a resist composition suitable for lithography acting by high-energy radiation such as ultraviolet rays (including g-rays, i-rays, excimer lasers, etc.), electron beams, X-rays or radiant light, and in particular, g-rays and i-rays. It relates to a resist composition suitable for exposure to light.
반도체 고집적 회로 또는 액정 디스플레이 소자를 제조할 때에는 기판에 도포한 감광성 내식막 조성물의 막을 자외선, 전자선, X선 또는 방사광과 같은 고에너지 방사선에 노광시키고 현상 후에 소정의 내식막 패턴을 형성시키는 석판인쇄 공정이 일반적으로 사용된다. 그리고, 액정 디스플레이 소자의 제조에서는 특히 고감도이면서 고해상도인 것이 바람직하다.Lithography process for manufacturing a semiconductor highly integrated circuit or liquid crystal display device by exposing a film of the photoresist composition applied to a substrate to high energy radiation such as ultraviolet rays, electron beams, X-rays or radiated light and forming a predetermined resist pattern after development This is commonly used. And in manufacture of a liquid crystal display element, it is especially preferable that it is high sensitivity and high resolution.
그러나, 액정 디스플레이 소자를 제조할 때에 사용되는 노볼락 수지 및 나프토퀴논디아지드계 감광제로 이루어진 종래의 내식막 조성물에서는 감도와 해상도 둘 다를 높이는 것이 일반적으로 곤란하며 감도를 높이면 해상도의 저하를 일으키기 쉽다는 문제점이 있다.However, in conventional resist compositions composed of novolac resins and naphthoquinonediazide-based photosensitizers used in the manufacture of liquid crystal display devices, it is generally difficult to increase both the sensitivity and the resolution, and increasing the sensitivity tends to reduce the resolution. Has a problem.
또한, 석판인쇄 공정에서 노광시에 기본 기판으로부터의 반사광의 영향에 의해 자주 표면의 치수 균일성이 악화되는 등의 문제가 있다.In addition, there is a problem that the dimensional uniformity of the surface is often deteriorated by the influence of the reflected light from the base substrate during exposure in the lithography process.
본 발명의 목적은 감도 및 해상도가 우수하며 기본 기판으로부터의 반사광의 영향을 받기 어려우며 치수 변동이 적은 내식막 패턴을 제공하는 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a chemically amplified positive resist composition that provides a resist pattern that is excellent in sensitivity and resolution, hardly affected by reflected light from the base substrate, and has low dimensional variation.
즉, 본원 발명은 하기의 발명을 포함한다.That is, this invention includes the following invention.
<1> 감방사선성 산 발생제(A)[이하, 성분(A)라고 기재한다],<1> radiation-sensitive acid generator (A) (hereinafter, described as component (A)),
그 자체는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성으로 되는 수지(B)[이하, 성분(B)라고 기재한다],The resin (B) itself is insoluble or poorly soluble in aqueous alkali solution, but soluble in aqueous alkali solution by the action of acid (hereinafter referred to as component (B)),
염기성 화합물(C)[이하, 성분(C)라고 기재한다] 및Basic compound (C) (hereinafter referred to as component (C)); and
파장 범위가 300 내지 450nm인 광에 대한 몰 흡광 계수 범위가 100 내지 50000인 화합물(D)[이하, 성분(D)라고 기재한다]의 4성분을 함유하는 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물.A chemically amplified positive resist composition containing four components of compound (D) (hereinafter, referred to as component (D)) having a molar extinction coefficient range of 100 to 50000 for light having a wavelength range of 300 to 450 nm.
<2> <1>에 있어서, 성분(A)가 하기 화학식 1의 화합물인 조성물.<2> The composition according to <1>, wherein the component (A) is a compound represented by the following general formula (1).
위의 화학식 1에서,In Formula 1 above,
R1내지 R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄화수소기이며,R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group,
R4는 탄화수소기이며, 단 R1내지 R4의 탄화수소기에서 수소원자 중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있고, 상기 탄화수소기에서 -CH2-기 중 1개 이상이 -C0-기로 치환될 수 있다.R 4 is a hydrocarbon group, provided that at least one hydrogen atom in the hydrocarbon group of R 1 to R 4 is a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an alkylamino group, an N, N'-dialkylamino group, an alkoxy group, a cycloalkyl octa Period, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyl group, cycloalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group or It may be substituted with a halogen atom, at least one of -CH 2 -group in the hydrocarbon group may be substituted with -C0- group.
<3> <2>에 있어서, 화학식 1에서, R1이 2-메틸페닐기이고, R2및 R3이 수소원자이고, R4가 n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 톨루일기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리이소프로필페닐기, 4-도데실페닐기, 4-메톡시페닐기, 2-나프틸기, 벤질기 또는 화학식(2)의 기이고, 단 상기한 R1내지 R4의 기에서 수소원자중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있는 조성물.<3><2> method, in formula 1, R 1 is 2-methylphenyl group, and R 2 and R 3 is a hydrogen atom, R 4 is n- propyl, n- butyl, n- octyl group, a Toluyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 2,4,6-triisopropylphenyl group, 4-dodecylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-naphthyl group, benzyl group or chemical formula Group (2), provided that at least one of the hydrogen atoms in the groups R 1 to R 4 is a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an alkylamino group, an N, N'-dialkylamino group, an alkoxy group, cycloalkyl Oxy group, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyl group, cycloalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group Or a composition which may be substituted with a halogen atom.
<4> <1> 내지 <3> 중의 어느 하나에 있어서, 성분(B)가 페놀성 수산기 및 페놀성 수산기가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기에 의해 보호된 기를 갖는 수지인 조성물.<4> The component (B) according to any one of <1> to <3>, wherein the phenolic hydroxyl group and the phenolic hydroxyl group are selected from 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group or 2-tetrahydropyranyl group The composition is a resin having a protected group.
<5> <4>에 있어서, 성분(B)가 수산기의 일부가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기에 의해 보호된 폴리비닐페놀인 조성물.<5> The composition according to <4>, wherein the component (B) is a polyvinylphenol protected by a part of a hydroxyl group with 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group or 2-tetrahydropyranyl group.
<6> <4>에 있어서, 성분(B)가 수산기의 일부가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기에 의해 보호된 노볼락 수지인 조성물.<6> The composition according to <4>, wherein the component (B) is a novolak resin in which a part of the hydroxyl group is protected by 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group or 2-tetrahydropyranyl group.
<7> <1> 내지 <6> 중의 어느 하나에 있어서, 성분(C)가 유기 수산화암모늄 화합물인 조성물.<7> The composition according to any one of <1> to <6>, wherein component (C) is an organic ammonium hydroxide compound.
<8> <7>에 있어서, 유기 수산화암모늄 화합물이 화학식 3의 수산화암모늄 화합물인 조성물.<8> The composition of <7>, wherein the organic ammonium hydroxide compound is an ammonium hydroxide compound of formula (3).
위의 화학식 3에서,In Formula 3 above,
R5내지 R8은 각각 독립적으로 탄화수소기이거나, R6및 R7은 탄화수소기이며 R5및 R8은 이들이 결합된 질소원자와 함께 환을 형성하여 복소환기를 나타내고, 단 R5내지 R8에서 수소원자 중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있고, 상기 탄화수소기에서 -CH2-기가 -C0-기로 치환될 수 있다.R 5 to R 8 are each independently a hydrocarbon group, or R 6 and R 7 are hydrocarbon groups and R 5 and R 8 form a ring together with the nitrogen atom to which they are attached to represent a heterocyclic group, provided that R 5 to R 8 At least one of the hydrogen atoms in the hydroxyl group, nitro group, cyano group, alkylamino group, N, N'- dialkylamino group, alkoxy group, cycloalkyloxy group, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, aryl A carbonyl group, an alkylcarbonyloxy group, a cycloalkylcarbonyloxy group, an arylcarbonyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group or a halogen atom, and a -CH 2 -group in the hydrocarbon group May be substituted with a -C0- group.
<9> <8>에 있어서, 화학식 3의 수산화암모늄 화합물이 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-옥틸 암모늄 하이드록사이드, 페닐트리메틸 암모늄 하이드록사이드, 3-(트리플루오로메틸)페닐트리메틸 암모늄 하이드록사이드 및 콜린으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 조성물.<9> The compound of formula (8), wherein the ammonium hydroxide compound of formula (3) is tetramethyl ammonium hydroxide, tetra-n-butyl ammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, tetra-n-octyl ammonium hydroxide At least one compound selected from the group consisting of: hydroxide, phenyltrimethyl ammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl ammonium hydroxide, and choline.
<10> <1> 내지 <9> 중의 어느 하나에 있어서, 성분(D)가 하기 화학식 4의 화합물인 조성물.<10> The composition according to any one of <1> to <9>, wherein component (D) is a compound of formula (4).
위의 화학식 4에서,In Formula 4 above,
R9및 R10은 각각 독립적으로 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 알콕시카보닐기로 치환될 수 있으며,R 9 and R 10 are each independently an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group,
R11내지 R16은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기이다.R 11 to R 16 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group.
<11> <1> 내지 <9> 중의 어느 하나에 있어서, 성분(D)가 하기 화학식 5의 화합물인 조성물.<11> The composition according to any one of <1> to <9>, wherein component (D) is a compound of formula (5).
위의 화학식 5에서,In Formula 5 above,
R17은 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기 또는 N,N-디알킬아미노기로 치환될 수 있으며,R 17 is an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or an N, N-dialkylamino group,
R18은 수소원자 또는 알킬기이며,R 18 is a hydrogen atom or an alkyl group,
R19및 R20은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기,시아노기 또는 벤조일기이다.R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group or a benzoyl group.
<12> <10>에 있어서, 성분(D)가 1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온인 조성물.<12> The composition according to <10>, wherein the component (D) is 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione.
<13> <11>에 있어서, 성분(D)가, R17이 3-메톡시-4-하이드록시페닐기이고 R18이 수소원자이고 R19및 R20이 에톡시카보닐기인 화학식 5의 화합물인 조성물.<13> The compound of formula 5 according to <11>, wherein component (D) is R 17 is 3-methoxy-4-hydroxyphenyl group, R 18 is hydrogen atom and R 19 and R 20 are ethoxycarbonyl groups Phosphorus composition.
<14> <11>에 있어서, 성분(D)가, R17이 3-메톡시-4-하이드록시페닐기이고 R18이 수소원자이고 R19가 시아노기이고 R20이 이소프로폭시카보닐기인 화학식 5의 화합물인 조성물.<14> The component (D) is a compound (D) wherein R 17 is a 3-methoxy-4-hydroxyphenyl group, R 18 is a hydrogen atom, R 19 is a cyano group and R 20 is an isopropoxycarbonyl group A composition of formula (5).
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.
본 발명에서 성분(B)는 그 자체는 알칼리 수용액에 대하여 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 화학변화를 일으켜 알칼리 수용액에 가용성으로 되는 수지이다. 당해 수지는 통상적으로는 페놀 골격을 갖는 수지, 또는 (메트)아크릴산 골격을 갖는 수지 등 알칼리 가용성 수지에 산의 작용에 의해 분리될 수 있는 보호기를 도입한 것이다.Component (B) in the present invention is a resin which is itself insoluble or poorly soluble in aqueous alkali solution, but which is chemically changed by the action of acid to be soluble in aqueous alkali solution. The said resin introduce | transduces the protecting group which can be isolate | separated by the action of an acid into alkali-soluble resin, such as resin which has a phenol skeleton or resin which has a (meth) acrylic acid skeleton normally.
이러한 보호기로서는, 예를 들면, 3급-부틸, 3급-부톡시카보닐, 3급-부톡시카보닐메틸 등 4급 탄소가 산소원자에 결합된 기; 테트라하이드로-2-피라닐, 테트라하이드로-2-푸릴, 1-에톡시에틸, 1-(2-메틸프로폭시)에틸, 1-(2-메톡시에톡시)에틸, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸 등의 아세탈형 기; 3-옥소사이클로헥실, 4-메틸테트라하이드로-2-피론-4-일(메발론산 락톤으로부터 유도된다), 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸 등 비방향족 환상 화합물의 잔기(비방향족 환상기) 등을 들 수 있다.Examples of such protecting groups include groups in which quaternary carbon such as tert-butyl, tert-butoxycarbonyl, tert-butoxycarbonylmethyl and the like are bonded to an oxygen atom; Tetrahydro-2-pyranyl, tetrahydro-2-furyl, 1-ethoxyethyl, 1- (2-methylpropoxy) ethyl, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl, 1- (2-acetyl Acetal groups such as oxyethoxy) ethyl, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl, and 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl; Non-aromatics such as 3-oxocyclohexyl, 4-methyltetrahydro-2-pyron-4-yl (derived from mevalonic acid lactone), 2-methyl-2-adamantyl, 2-ethyl-2-adamantyl The residue (non-aromatic cyclic group) of a cyclic compound, etc. are mentioned.
이들 기 중에서 탈보호반응의 활성화 에너지가 낮으며 후노광 베이킹(PEB)시의 온도에 대한 내식막 패턴의 치수 의존성이 작다는 관점으로부터 아세탈형 기가 바람직하다. 아세탈형 기 중에서도 원료가 입수되기 쉽다는 관점에서는 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 및 2-테트라하이드로피라닐기가 바람직하다.Among these groups, an acetal group is preferable from the viewpoint of low activation energy of the deprotection reaction and small dimension dependence of the resist pattern on temperature during post-exposure baking (PEB). Among the acetal groups, 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group, and 2-tetrahydropyranyl group are preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials.
성분(B)로서는 페놀성 수산기 및 페놀성 수산기가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기에 의해 보호된 기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 폴리비닐페놀의 수산기의 일부가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기로 보호된 수지, 또는 노볼락 수지의 수산기의 일부가 1-에톡시에틸기, 1-에톡시프로필기 또는 2-테트라하이드로피라닐기로 보호된 수지가 바람직하다.As the component (B), a resin in which the phenolic hydroxyl group and the phenolic hydroxyl group are protected by 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group or 2-tetrahydropyranyl group is preferable. For example, some of the hydroxyl groups of polyvinylphenol are protected with 1-ethoxyethyl group, 1-ethoxypropyl group, or 2-tetrahydropyranyl group, or some of the hydroxyl groups of novolak resin are 1-ethoxyethyl groups. Preference is given to resins protected with, 1-ethoxypropyl groups or 2-tetrahydropyranyl groups.
상기 보호기는, 예를 들면, 페놀성 수산기의 수소나 카복실기의 수소에서 치환되지만 이들 보호기는 공지된 보호기 도입 반응에 의해 페놀성 수산기나 카복실기를 갖는 알칼리 가용성 수지에 도입할 수 있다. 또한, 보호기를 갖는 불포화 화합물을 하나의 단량체로 한 공중합에 의해 성분(B)를 수득할 수 있다.Although the said protecting group is substituted by hydrogen of phenolic hydroxyl group or hydrogen of a carboxyl group, these protecting groups can be introduce | transduced into alkali-soluble resin which has a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group by a well-known protecting group introduction reaction. In addition, component (B) can be obtained by copolymerization using an unsaturated compound having a protecting group as one monomer.
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에 있어서, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서 성분(B) 이외에 알칼리 가용성 수지를 결합제 성분으로서함유할 수 있다. 함유될 수 있는 알칼리 가용성 수지로서는 노볼락 수지 등을 들 수 있다.In the chemically amplified positive resist composition of the present invention, an alkali-soluble resin may be contained as a binder component in addition to the component (B) within a range that does not impair the effects of the present invention. Novolak resin etc. are mentioned as alkali-soluble resin which may be contained.
노볼락 수지는 통상적으로는 페놀계 화합물과 알데하이드류를 산 촉매의 존재하에 축합시켜 수득된다.Novolak resins are usually obtained by condensing phenolic compounds and aldehydes in the presence of an acid catalyst.
노볼락 수지의 제조에 사용될 수 있는 페놀계 화합물로서는, 예를 들면, 페놀, o-, m- 또는 p-크레졸, 2,3-, 2,5-, 3,4- 또는 3,5-크실렌올, 2,3,5-트리메틸페놀, 2-, 3- 또는 4-3급-부틸페놀, 2-3급-부틸-4- 또는 5-메틸페놀, 2-, 4- 또는 5-메틸레조르시놀, 2-, 3- 또는 4-메톡시페놀, 2,3-, 2,5- 또는 3,5-디메톡시페놀, 2-메톡시레조르시놀, 4-3급-부틸카테콜, 2-, 3- 또는 4-에틸페놀, 2,5- 또는 3,5-디에틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 2-나프톨, 1,3-, 1,5- 또는 1,7-디하이드록시나프탈렌, 크실렌올과 하이드록시벤즈알데하이드의 축합에 의해 수득되는 폴리하이드록시트리페닐메탄계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 페놀계 화합물은 각각 단독으로 또는 둘 이상 조합하여 사용할 수 있다.Phenolic compounds that can be used in the production of novolac resins include, for example, phenol, o-, m- or p-cresol, 2,3-, 2,5-, 3,4- or 3,5-xylene Ol, 2,3,5-trimethylphenol, 2-, 3- or 4-tert-butylphenol, 2-3-butyl-4- or 5-methylphenol, 2-, 4- or 5-methylrezo Lecinol, 2-, 3- or 4-methoxyphenol, 2,3-, 2,5- or 3,5-dimethoxyphenol, 2-methoxyresorcinol, 4-tert-butylcatechol, 2-, 3- or 4-ethylphenol, 2,5- or 3,5-diethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 2-naphthol, 1,3-, 1,5- or 1, And polyhydroxytriphenylmethane compounds obtained by condensation of 7-dihydroxynaphthalene, xyleneol and hydroxybenzaldehyde. These phenolic compounds can be used individually or in combination of 2 or more, respectively.
노볼락 수지의 제조에 사용될 수 있는 알데하이드류로서는, 예를 들면, 포름알데하이드, 아세트알데하이드, 프로피온알데하이드, n-부틸알데하이드, 이소부틸알데하이드, 아크롤레인, 크로톤알데하이드 등의 지방족 알데하이드류; 사이클로헥산알데하이드, 사이클로펜탄알데하이드, 푸르푸랄, 푸릴아크롤레인 등의 지환식 알데하이드류; 벤즈알데하이드, o-, m- 또는 p-메틸벤즈알데하이드, p-에틸벤즈알데하이드, 2,4-, 2,5-, 3,4- 또는 3,5-디메틸벤즈알데하이드, o-, m- 또는 p-하이드록시벤즈알데하이드 등의 방향족 알데하이드류; 페닐아세트알데하이드, 신나밀알데하이드 등의 방향 지방족 알데하이드류 등을 들 수 있다. 이들 알데하이드류는 각각 단독으로 또는 원하는 바에 따라 둘 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이들 알데하이드류 중에서는 공업적으로 구입하기 쉽다는 점에서 포름알데하이드가 바람직하게 사용된다.Examples of aldehydes that can be used for the production of novolac resins include aliphatic aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, n-butylaldehyde, isobutylaldehyde, acrolein and crotonaldehyde; Alicyclic aldehydes such as cyclohexanealdehyde, cyclopentanealdehyde, furfural and furyl acrolein; Benzaldehyde, o-, m- or p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, 2,4-, 2,5-, 3,4- or 3,5-dimethylbenzaldehyde, o-, m- or aromatic aldehydes such as p-hydroxybenzaldehyde; Aromatic aliphatic aldehydes, such as phenylacetaldehyde and cinnamilaldehyde, etc. are mentioned. These aldehydes can be used individually or in combination of 2 or more as desired, respectively. Among these aldehydes, formaldehyde is preferably used in view of ease of industrial purchase.
페놀계 화합물과 알데하이드류의 축합에 사용되는 산 촉매의 예로서는 염산, 황산, 과염소산, 인산 등의 무기산; 포름산, 아세트산, 옥살산, 트리클로로아세트산, p-톨루엔설폰산 등의 유기산; 아연 아세테이트, 염화아연, 마그네슘 아세테이트 등의 2가 금속염 등을 들 수 있다. 이들 산 촉매는 각각 단독으로 또는 둘 이상 조합하여 사용할 수 있다. 축합반응은 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있으며, 예를 들면, 60 내지 120℃의 온도에서 2 내지 30시간 정도 실시한다As an example of the acid catalyst used for condensation of a phenol type compound and aldehydes, Inorganic acids, such as hydrochloric acid, a sulfuric acid, perchloric acid, phosphoric acid; Organic acids such as formic acid, acetic acid, oxalic acid, trichloroacetic acid and p-toluenesulfonic acid; Divalent metal salts such as zinc acetate, zinc chloride, magnesium acetate and the like. These acid catalysts may be used alone or in combination of two or more. The condensation reaction can be carried out according to a conventional method, for example, at a temperature of 60 to 120 ° C. for about 2 to 30 hours.
축합에 의해 수득되는 노볼락 수지는, 예를 들면, 분별 등의 조작을 실시하여 저분자량분을 제거하고 분자량 분포를 좁게 하여 고분자량 성분이 주체가 되도록 할 수 있다. 노볼락 수지는 저렴하므로 수득되는 본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물의 비용을 절감할 수 있다.The novolak resin obtained by condensation can be subjected to operations such as, for example, fractionation to remove low molecular weight components and narrow the molecular weight distribution so that the high molecular weight component is the main component. Since novolak resins are inexpensive, the cost of the chemically amplified positive resist composition of the present invention obtained can be reduced.
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에서 성분(A)는 당해 물질 자체 또는 당해 물질을 함유하는 내식막 조성물에 광이나 전자선 등의 방사선을 작용시킴으로서 당해 물질이 분해되어 산을 발생시키는 것이다. 성분(A)에서 발생되는 산이 성분(B)에 작용하여 성분(B) 중에 존재하는 산에 불안정한 기를 분리시키게 된다.In the chemically amplified positive resist composition of the present invention, component (A) is a substance that is decomposed to generate an acid by acting on radiation of light or an electron beam on the substance itself or on the resist composition containing the substance. The acid generated in component (A) acts on component (B) to separate groups that are unstable in the acid present in component (B).
성분(A)로서는 오늄염 화합물, s-트리아진계의 유기 할로겐 화합물, 설폰 화합물, 설포네이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the component (A) include an onium salt compound, an s-triazine-based organic halogen compound, a sulfone compound, a sulfonate compound, and the like.
이 중에서도 436nm(g선) 및 365nm(i선) 부근에 큰 흡수를 나타내며 내식막 조성물에서 감도, 해상성, 도포 후나 노광 후의 인장 내성이 높은 점 등에서 바람직한 것으로서 하기 화학식 1의 화합물을 들 수 있다.Among these, the compound of the following general formula (1) may be mentioned as a preferred one in view of high absorption around 436 nm (g line) and 365 nm (i line) and high sensitivity, resolution, and tensile resistance after application or after exposure in the resist composition.
화학식 1Formula 1
위의 화학식 1에서,In Formula 1 above,
R1내지 R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄화수소기이며,R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group,
R4는 탄화수소기이며, 단 R1내지 R4의 탄화수소기에서 수소원자 중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있고, 상기 탄화수소기에서 -CH2-기 중 1개 이상이 -C0-기로 치환될 수 있다.R 4 is a hydrocarbon group, provided that at least one hydrogen atom in the hydrocarbon group of R 1 to R 4 is a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an alkylamino group, an N, N'-dialkylamino group, an alkoxy group, a cycloalkyl octa Period, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyl group, cycloalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group or It may be substituted with a halogen atom, at least one of -CH 2 -group in the hydrocarbon group may be substituted with -C0- group.
상기 화학식 1의 R1에서 탄화수소기로서는 탄소수 6 내지 18의 아릴기 등이 바람직하다. R2및 R3로서는 수소원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 등이 바람직하다. 또한, R4의 탄화수소기로서는 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 등이 바람직하다.As a hydrocarbon group in R <1> of Formula 1, a C6-C18 aryl group etc. are preferable. As R <2> and R <3> , a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group, etc. are preferable. Moreover, as a hydrocarbon group of R <4> , a C1-C12 alkyl group, a C6-C18 aryl group, etc. are preferable.
R1내지 R4가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기인 경우, 할로겐 원자로서는 불소원자, 염소원자, 붕소원자 등을 들 수 있다.When R <1> -R <4> is a hydrocarbon group substituted by the halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a boron atom, etc. are mentioned as a halogen atom.
화학식 1의 화합물로서는, 예를 들면, 화학식 1에서 R1이 2-메틸페닐기이고, R2및 R3이 수소원자이고, R4가 n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 톨루일기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리이소프로필페닐기, 4-도데실페닐기, 4-메톡시페닐기, 2-나프틸기, 벤질기 또는 화학식(2)의 기이고, 단 상기한 R1내지 R4의 기에서 수소원자 중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있는 화합물을 들 수 있다. .As the compound of the formula (1), for example, in formula (1), R 1 is a 2-methylphenyl group, R 2 and R 3 are hydrogen atoms, R 4 is an n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, Toluyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 2,4,6-triisopropylphenyl group, 4-dodecylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-naphthyl group, benzyl group or chemical formula (2), provided that at least one of the hydrogen atoms in the groups of R 1 to R 4 is a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an alkylamino group, an N, N'-dialkylamino group, an alkoxy group, cycloalkyl Oxy group, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyl group, cycloalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group Or a compound which may be substituted with a halogen atom. .
화학식 1의 화합물과 상기한 오늄염 화합물, s-트리아진계 유기 할로겐 화합물, 설폰 화합물, 기타 설포네이트 화합물 등의 기타 감방사선성 산 발생제를 병용할 수 있다. 이 경우에도 화학식 1의 화합물을 감방사선성 산 발생제 총량의 10중량% 이상 함유하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 25중량% 이상이다.The compound of Formula 1 and other radiation sensitive acid generators, such as an onium salt compound, an s-triazine type organic halogen compound, a sulfone compound, and other sulfonate compounds, can be used together. Also in this case, it is preferable to contain 10% by weight or more of the total amount of the radiation-sensitive acid generator, more preferably 25% by weight or more.
오늄염 화합물, s-트리아진계의 유기 할로겐 화합물, 설폰 화합물 및 화학식 1의 화합물 이외의 설포네이트 화합물로서는, 예를 들면, 다음의 화합물을 들 수 있다.Examples of sulfonate compounds other than the onium salt compound, the s-triazine-based organic halogen compound, the sulfone compound, and the compound of the general formula (1) include the following compounds.
디페닐요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요오도늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로포스페이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트,Diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium hexafluoroantimonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-tertiary -Butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate,
트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로부탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로옥탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, p-트릴디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 2,4,6-트리메틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-3급-부틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나프토일메틸)티오라늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나프토일메틸)티오라늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-하이드록시-1-나프틸디메틸설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-하이드록시-1-나프틸디메틸설포늄 트리플루오로메탄설포네이트,Triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate, 4-methylphenyldiphenyl Sulfonium perfluorooctanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, p-trildiphenylsulfonium trifluor Romethanesulfonate, 2,4,6-trimethylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-tert-butylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsul Phosphorous hexafluorophosphate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 1- (2-naphthoylmethyl) thioranium hexafluoroantimonate, 1- (2-naphthoylmethyl) Tioranium trifluoromethanesulphone Hydrate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시-1-나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(벤조[d][1,3]디옥솔란-5-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2,4-디메톡시스티릴)2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-phenyl- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2 -(4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxy-1-naphthyl) -4,6-bis (trichloro Rhomethyl) -1,3,5-triazine, 2- (benzo [d] [1,3] dioxolan-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Triazine, 2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (3,4,5-trimethoxystyryl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (3,4-dimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Triazine, 2- (2,4-dimethoxystyryl)
-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진,-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-tri Azine, 2- (4-butoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-pentyloxystyryl) -4,6-bis ( Trichloromethyl) -1,3,5-triazine,
1-벤조일-1-페닐메틸 p-톨루엔설포네이트(통칭 벤조인토실레이트), 2-벤조일-2-하이드록시-2-페닐에틸 p-톨루엔설포네이트(통칭 α-메틸올벤조인토실레이트), 1,2,3-벤젠톨루일 트리스메탄설포네이트, 2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 2-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 4-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트,1-benzoyl-1-phenylmethyl p-toluenesulfonate (common name benzointosylate), 2-benzoyl-2-hydroxy-2-phenylethyl p-toluenesulfonate (common name α-methylolbenzointosylate) , 1,2,3-benzenetoluyl trimethanesulfonate, 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate, 2-nitrobenzyl p-toluenesulfonate, 4-nitrobenzyl p-toluenesulfonate,
디페닐 디설폰, 디-p-톨릴 디설폰, 비스(페닐설포닐)디아조메탄, 비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨릴설포닐)디아조메탄, 비스(4-3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-크실릴설포닐)디아조메탄, 비스(사이클로헥실설포닐)디아조메탄, (벤조일)(페닐설포닐)디아조메탄,Diphenyl disulfone, di-p-tolyl disulfone, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (4-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, bis ( 4-tert-butylphenylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, (benzoyl) (phenylsulfonyl) diazo methane,
N-(페닐설포닐옥시)석신이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)석신이미드,N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)-5-노르보르넨-2,3-디카복시이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)나프탈이미드, N-(10-캄포르-설포닐옥시)나프탈이미드 및N- (phenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsul Ponyloxy) -5-norbornene-2,3-dicarboxyimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthalimide, N- (10-camphor-sulfonyloxy) naphthalimide And
4-메톡시-α-[[[(4-메틸페닐)설포닐]옥시]이미노]벤젠아세토니트릴 등.4-methoxy-α-[[[(4-methylphenyl) sulfonyl] oxy] imino] benzeneacetonitrile and the like.
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에서 염기성 화합물(C)로서는 질소 함유 염기성 화합물을 들 수 있으며, 예를 들면, 유기 수산화암모늄 화합물이나 아민류를 들 수 있다.As a basic compound (C) in a chemically amplified positive resist composition of this invention, a nitrogen containing basic compound is mentioned, For example, an organic ammonium hydroxide compound and amines are mentioned.
이 중에서도 하기 화학식 3의 수산화암모늄 화합물을 들 수 있다.Among these, the ammonium hydroxide compound of following formula (3) is mentioned.
위의 화학식 3에서,In Formula 3 above,
R5및 R8은 각각 독립적으로 탄화수소기이거나, R6및 R7은 탄화수소기이며 R5및 R8은 이들이 결합된 질소원자와 함께 환을 형성하는 복소환기를 나타내고, 단 R5내지 R8에서 수소원자 중 1개 이상이 수산기, 니트로기, 시아노기, 알킬아미노기, N,N'-디알킬아미노기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬카보닐기, 사이클로알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐옥시기, 사이클로알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐기, 사이클로알킬옥시카보닐기, 아릴옥시카보닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있고, 상기 탄화수소기에서 -CH2-기가 -CO-기로치환될 수 있다.R 5 and R 8 are each independently a hydrocarbon group, or R 6 and R 7 are hydrocarbon groups and R 5 and R 8 represent a heterocyclic group which together with the nitrogen atom to which they are attached form a ring, provided that R 5 to R 8 At least one of the hydrogen atoms in the hydroxyl group, nitro group, cyano group, alkylamino group, N, N'-dialkylamino group, alkoxy group, cycloalkyloxy group, aryloxy group, alkylcarbonyl group, cycloalkylcarbonyl group, aryl A carbonyl group, an alkylcarbonyloxy group, a cycloalkylcarbonyloxy group, an arylcarbonyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group or a halogen atom, and in the hydrocarbon group, a -CH 2 -group -CO- group can be substituted.
상기 화학식 3의 R5내지 R8에서 (치환)탄화수소기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, 3급-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 사이클로헥실기, n-옥틸기, 2-하이드록시에틸기, 페닐기, 3-(트리플루오로메틸)페닐기 등을 들 수 있다. 바람직한 구체예로서는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-옥틸 암모늄 하이드록사이드, 페닐트리메틸 암모늄 하이드록사이드, 3-(트리플루오로메틸)페닐트리메틸 암모늄 하이드록사이드, 트리메틸 암모늄 하이드록사이드(통칭 콜린) 등을 들 수 있다.As the (substituted) hydrocarbon group in R 5 to R 8 of the general formula (3), methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n -Hexyl group, cyclohexyl group, n-octyl group, 2-hydroxyethyl group, phenyl group, 3- (trifluoromethyl) phenyl group, etc. are mentioned. Preferred embodiments include tetramethyl ammonium hydroxide, tetra-n-butyl ammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, tetra-n-octyl ammonium hydroxide, phenyltrimethyl ammonium hydroxide, 3- ( Trifluoromethyl) phenyltrimethyl ammonium hydroxide, trimethyl ammonium hydroxide (common name choline), etc. are mentioned.
R5및 R8이 이들이 결합된 질소원자와 함께 환을 형성한 경우의 복소환기로서는, 예를 들면, 피롤리딘환기, 옥소피롤리딘환기, 피페리딘환기, 아제핀환기 등을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예를 들면, 하기 화합물을 들 수 있다.As a heterocyclic group when R <5> and R <8> forms the ring with the nitrogen atom to which they couple | bonded, a pyrrolidine ring group, an oxo pyrrolidine ring group, a piperidine ring group, an azepine ring group, etc. are mentioned, for example. Specific examples thereof include the following compounds.
,, , ,
,,,,, , , , , ,
및 And
아민류로서는, 예를 들면, 하기의 화합물을 들 수 있다.As amines, the following compounds are mentioned, for example.
, ,
, ,
,, , ,
,, , ,
,, , ,
및 And
[여기서,[here,
R21및 R22는 각각 독립적으로 수소원자, 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 바람직하게는 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기(여기서, 당해 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기 위의 수소원자 중 1개 이상은 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기에 의해 치환될 수 있고, 상기한 아미노기 위의 수소원자는 탄소수 1 내지 4의 알킬기에 의해 치환될 수 있다)이고,R 21 and R 22 are each independently a hydrogen atom, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably a cycloalkyl group having 5 to 10 carbon atoms, or preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (wherein the alkyl group, One or more of the hydrogen atoms on the cycloalkyl group or the aryl group may be substituted by a hydroxyl group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the hydrogen atoms on the amino group described above may be substituted by an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. )
R23, R24및 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 바람직하게는 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 또는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기(여기서, 당해 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기 또는 알콕시기 위의 수소원자 중 1개 이상은 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기에 의해 치환될 수 있으며, 당해 아미노기 위의 수소원자는 탄소수 1 내지 4의 알킬기에 의해 치환될 수 있다)이고,R 23 , R 24 and R 25 are each independently a hydrogen atom, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably a cycloalkyl group having 5 to 10 carbon atoms, preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or preferably Is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms (wherein at least one of the hydrogen atoms on the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or alkoxy group may be substituted by hydroxyl group, amino group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the amino group The hydrogen atom may be substituted by an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms),
R26은 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 바람직하게는 탄소수 5 내지 1O의 사이클로알킬기(여기서, 당해 알킬기 또는 사이클로알킬기 위의 수소원자 중 1개 이상은 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기에 의하여 치환될 수 있으며, 당해 아미노기 위의 수소원자는 탄소수 1 내지 4의 알킬기에 의해 치환될 수 있다)이고,R 26 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or preferably a cycloalkyl group having 5 to 10 carbon atoms (wherein at least one of the hydrogen atoms on the alkyl group or cycloalkyl group is a hydroxyl group, an amino group or a May be substituted by an alkoxy group, and the hydrogen atom on the amino group may be substituted by an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms),
A는 바람직하게는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기, 카보닐기, 이미노기, -S-기 또는 -S-S-기이며,A is preferably an alkylene group, carbonyl group, imino group, -S- group or -S-S- group having 2 to 6 carbon atoms,
R21내지 R26에서 알킬기 및 알콕시기는 직쇄형이거나 측쇄형일 수 있다]The alkyl group and the alkoxy group in R 21 to R 26 may be linear or branched chain]
또한, 일본 공개특허공보 제(평)11-52575호에 기재된 피페리딘 골격을 갖는 장애 아민 화합물을 들 수 있다Moreover, the hindered amine compound which has the piperidine skeleton of Unexamined-Japanese-Patent No. 11-52575 is mentioned.
성분(D)는 파장 범위가 300 내지 450nm인 광에 대한 몰 흡광 계수 범위가 100 내지 50000인 화합물이며, 바람직하게는 4000 내지 50000, 보다 바람직하게는 4000 내지 40000인 화합물이다.Component (D) is a compound having a molar extinction coefficient range of 100 to 50000 for light having a wavelength range of 300 to 450 nm, preferably a compound having 4000 to 50000, more preferably 4000 to 40000.
여기서, 몰 흡광 계수란 물질이 1몰당 어느 만큼의 광을 흡수하는가를 나타내는 수이다. 어떤 파장의 광이 1리터당 c몰의 물질을 포함하는 두께(광로 길이) b의 물질층을 통과하는 사이에 흡수에 의해서 이의 강도가 I0에서 I로 된다고 하면 램버트 비어의 법칙(Lambert Beer's Law)에 의해 수학식 1의 관계가 성립하지만 몰 흡광 계수는 수학식 1에서 κ로 정의되는 값이다[참조: 교리쓰슛판가부시키가이샤 「화학 대사전 8」 185페이지, 1984년 3월 15일 축쇄판 발행].Here, the molar extinction coefficient is a number indicating how much light the material absorbs per mole. Lambert Beer's Law is that the intensity of light from I 0 to I is absorbed between light through a material layer of thickness b (light path length) b, containing c mole of material per liter. By the formula 1, but the molar extinction coefficient is a value defined by κ in the formula (refer to page 185 of the Chemical Metabolism 8, published on March 15, 1984). .
성분(D)로서는 화학식 4 또는 5의 화합물이 바람직하다.As the component (D), a compound of the formula (4) or (5) is preferable.
화학식 4Formula 4
위의 화학식 4에서,In Formula 4 above,
R9및 R10은 각각 독립적으로 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 알콕시카보닐기로 치환될 수 있으며,R 9 and R 10 are each independently an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group,
R11내지 R16은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기이다.R 11 to R 16 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group.
화학식 5Formula 5
위의 화학식 5에서,In Formula 5 above,
R17은 아릴기이며, 당해 아릴기 위의 수소원자의 일부 또는 전체가 수산기, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기 또는 N,N-디알킬아미노기로 치환될 수 있으며,R 17 is an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms on the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or an N, N-dialkylamino group,
R18은 수소원자 또는 알킬기이며,R 18 is a hydrogen atom or an alkyl group,
R19및 R20은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 시아노기 또는 벤조일기이다.R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group or a benzoyl group.
화학식 4 또는 5의 화합물 중에서도 특히 바람직한 화합물로서는 하기의 것을 들 수 있다.Among the compounds of the general formula (4) or (5), the following are particularly preferred.
1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온(통칭 크루쿠민), 1,7-비스-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-7-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메틸-4-하이드록시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메틸-4-아세톡시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1-(3-메틸-4-하이드록시페닐)-7-(3-메틸-4-아세톡시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-1,2,6,7-테트라메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-1,2,6,7-테트라메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-7-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-1,2,6,7-테트라메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-4,4-디메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1,7-비스-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-4,4-디메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 1-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-7-(3-메톡시-4-아세톡시페닐)-4,4-디메틸-1,6-헵타디엔-3,5-디온,1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione (collectively crucumin), 1,7-bis- (3-methoxy-4 -Acetoxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -7- (3-methoxy-4-acetoxyphenyl) -1 , 6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- ( 3-methyl-4-acetoxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -7- (3-methyl-4-acetoxyphenyl ) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,2,6,7-tetramethyl-1,6-hepta Diene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-acetoxyphenyl) -1,2,6,7-tetramethyl-1,6-heptadiene-3,5-dione , 1- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -7- (3-methoxy-4-acetoxyphenyl) -1,2,6,7-tetramethyl-1,6-heptadiene-3 , 5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -4,4-dimethyl-1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- ( 3-methoxy-4-acetoxyphenyl) -4,4- Dimethyl-1,6-heptadiene-3,5-dione, 1- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -7- (3-methoxy-4-acetoxyphenyl) -4,4-dimethyl -1,6-heptadiene-3,5-dione,
α-시아노신남산 메틸, α-시아노신남산 에틸, α-시아노신남산 이소프로필, α-시아노신남산-n-부틸, 4-하이드록시-α-시아노신남산 메틸, 4-하이드록시-α-시아노신남산 에틸, 4-하이드록시-α-시아노신남산 이소프로필, 4-하이드록시-α-시아노신남산-n-부틸, 4-에톡시-α-시아노신남산 메틸, 4-에톡시-α-시아노신남산 에틸, 4-에톡시-α-시아노신남산 이소프로필, 4-에톡시-α-시아노신남산-n-부틸, 2,4-하이드록시-α-시아노신남산 메틸, 2,4-하이드록시-α-시아노신남산 에틸, 2,4-하이드록시-α-시아노신남산 이소프로필, 2,4-하이드록시-α-시아노신남산-n-부틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산 메틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산 에틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산 이소프로필, 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산-n-부틸, 4-(N,N'-디에틸아미노)-α-시아노신남산 메틸, 4-(N,N'-디에틸아미노)-α-시아노신남산 에틸, 4-(N,N'-디에틸아미노)-α-시아노신남산 이소프로필, 4-(N,N'-디에틸아미노)-α-시아노신남산-n-부틸, 4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 메틸, 4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 에틸, 4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 이소프로필, 4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산-n-부틸, 2,4-디하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 메틸, 2,4-디하드록시-α-에톡시카보닐신남산 에틸, 2,4-디하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 이소프로필, 2,4-디하이드록시-α-에톡시카보닐신남산-n-부틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-메톡시디카보닐신남산 메틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 에틸, 3-메톡시-4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 이소프로필, 3-메톡시-4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산-n-부틸, 2-하이드록시-4-(N,N'-디메틸아미노)-α-에톡시카보닐신남산 메틸, 2-하이드록시-4-(N,N'-디메틸아미노)-α-에톡시카보닐신남산 에틸, 2-하이드록시-4-(N,N'-디에틸아미노)-α-에톡시카보닐신남산 메틸, 2-아세톡시-4-(N,N'-디에틸아미노)-α-에톡시카보닐신남산 에틸, 1,1-디시아노-2-(4-하이드록시페닐)에틸, 1-시아노-1-벤조일-2-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)에틸렌, 1-시아노-1-메톡시카보닐-2-(1-나프틸)에틸렌, 1-시아노-1-에톡시카보닐-2-(1-나프틸)에틸렌, 1-시아노-1-메톡시카보닐-2-(2-하이드록시-1-나프틸)에틸렌, 1-시아노-1-에톡시카보닐-2-(2-하이드록시-1-나프틸)에틸렌 등.α-cyanocinnamic acid methyl, α-cyanocinnamic acid ethyl, α-cyanocinnamic acid isopropyl, α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid methyl, 4-hydroxy-α Ethyl cyanocinnamic acid, 4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl, 4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 4-ethoxy-α-cyanocinnamic acid methyl, 4-ethoxy ethyl α-cyanocinnamic acid, 4-ethoxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl, 4-ethoxy-α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 2,4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid, 2,4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid ethyl, 2,4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl, 2,4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 3-methoxy 4-Hydroxy-α-cyanocinnamic acid methyl, 3-methoxy-4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid ethyl, 3-methoxy-4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl, 3- Methoxy-4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 4- (N, N'-diethylami ) -α-cyanocinnamic acid methyl, 4- (N, N'-diethylamino) -α-cyanocinnamic acid ethyl, 4- (N, N'-diethylamino) -α-cyanocinnamic acid isopropyl, 4- (N, N'-diethylamino) -α-cyanocinnamic acid-n-butyl, 4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid methyl, 4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid ethyl , 4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid isopropyl, 4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid-n-butyl, 2,4-dihydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid, 2,4-dihydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid ethyl, 2,4-dihydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid isopropyl, 2,4-dihydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid -n-butyl, 3-methoxy-4-hydroxy-α-methoxydicarbonylcinnamic acid methyl, 3-methoxy-4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid ethyl, 3-methoxy-4 -Hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid isopropyl, 3-methoxy-4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcinnamic acid-n-part , 2-hydroxy-4- (N, N'-dimethylamino) -α-ethoxycarbonylcinnamic acid methyl, 2-hydroxy-4- (N, N'-dimethylamino) -α-ethoxycarbonylcin Ethyl hexane, 2-hydroxy-4- (N, N'-diethylamino) -α-ethoxycarbonylcinnamic acid methyl, 2-acetoxy-4- (N, N'-diethylamino) -α- Ethyl ethoxycarbonylcinnamic acid, 1,1-dicyano-2- (4-hydroxyphenyl) ethyl, 1-cyano-1-benzoyl-2- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) ethylene, 1-cyano-1-methoxycarbonyl-2- (1-naphthyl) ethylene, 1-cyano-1-ethoxycarbonyl-2- (1-naphthyl) ethylene, 1-cyano-1 -Methoxycarbonyl-2- (2-hydroxy-1-naphthyl) ethylene, 1-cyano-1-ethoxycarbonyl-2- (2-hydroxy-1-naphthyl) ethylene and the like.
이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These can be used individually or in combination of 2 or more types.
이 중에서도 1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온, 3-메톡시-4-하이드록시-α-에톡시카보닐신남산 에틸 및 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산 이소프로필이 특히 바람직하게 사용된다.Among them, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione and 3-methoxy-4-hydroxy-α-ethoxycarbonylcin Ethyl acetate and 3-methoxy-4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl are particularly preferably used.
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물은 성분(B) 100중량부에 대하여 성분(A)를 0.1 내지 20중량부의 범위로 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the chemically amplified positive resist composition of the present invention contains the component (A) in the range of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (B).
또한, 성분(B) 100중량부에 대하여 성분(C)를 0.001 내지 10중량부의 범위로 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to contain a component (C) in 0.001-10 weight part with respect to 100 weight part of components (B).
또한, 성분(B) 100중량부에 대하여 성분(D)를 0.001 내지 20중량부의 범위로 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to contain a component (D) in 0.001-20 weight part with respect to 100 weight part of component (B).
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물은, 필요에 따라, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서 증감제, 용해 억제제, 기타 수지, 계면활성제, 안정제나 염료 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다.The chemically amplified positive resist composition of the present invention may, if necessary, contain various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other resins, surfactants, stabilizers and dyes in a range that does not impair the effects of the present invention. .
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물은 통상적으로 상기 (A) 내지 (D)의 각 성분이 내식막 용제에 용해된 상태에서 내식막액 조성물로 되며 실리콘 웨이퍼 등의 기판 위에 통상적인 방법에 따라 스핀 피복 등의 방법으로 도포된다. 여기에서 사용하는 내식막 용제는 각 성분을 용해시키고 건조 속도가 적당하며 용제가 증발한 후에 균일하게 평활한 도포막을 제공하는 것이면 양호하다.The chemically amplified positive resist composition of the present invention is usually a resist composition in the state in which each component of the above (A) to (D) is dissolved in a resist solvent, and spins according to a conventional method on a substrate such as a silicon wafer. It is applied by a method such as coating. The resist solvent used here should just melt | dissolve each component, provide a suitable drying rate, and provide a uniformly smooth coating film after a solvent evaporates.
내식막 용제로서는, 예를 들면, 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 등의 글리콜 에테르 에스테르류; 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 또는 에틸 피루베이트 등의 에스테르류; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류; γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르류; 3-메톡시-1-부탄올 등의 알콜류 등을 들 수 있다. 이들 내식막 용제는 각각 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a resist solvent, For example, glycol ether ester, such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, or propylene glycol monomethyl ether acetate; Esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate or ethyl pyruvate; Ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; Alcohol, such as 3-methoxy-1- butanol, etc. are mentioned. These resist solvents can be used individually or in combination of 2 or more, respectively.
기판 위에 도포하여 건조시킨 내식막에 통상적으로 패턴화를 위해 노광 처리를 실시하며 이어서 탈보호기 반응을 촉진시키기 위해서 가열처리(PEB)를 실시한 다음, 알카리 현상액으로 현상한다. 여기서 사용하는 알카리 현상액은 당해 분야에서 사용되는 각종 알카리 수용액이지만 일반적으로는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드나 (2-하이드록시에틸)트리메틸 암모늄 하이드록사이드(통칭 콜린)의 수용액이 사용되는 경우가 많다.The resist coated on the substrate and dried is usually subjected to an exposure treatment for patterning, followed by heat treatment (PEB) to promote the deprotecting group reaction, and then developed with an alkaline developer. Alkaline developer used herein is a variety of alkaline aqueous solution used in the art, but in general, an aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethyl ammonium hydroxide (common name choline) is often used.
실시예Example
이하, 실시예로 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 예 중에서 함유량 내지 사용량을 나타내는 % 및 부는 특별한 언급이 없는 한 중량 기준이다. 또한, 중량 평균 분자량(Mw) 및 다분산도(Mw/Mn)는 폴리스티렌을 표준 물질로 하여 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 값이다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention more concretely, this invention is not limited by these Examples. In addition,% and part which show content-usage-amount in an example are a basis of weight unless there is particular notice. In addition, a weight average molecular weight (Mw) and polydispersity (Mw / Mn) are the values measured by the gel permeation chromatography using polystyrene as a reference material.
합성예 1: 폴리하이드록시스티렌의 부분 1-에톡시에틸화물의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of Partial 1-Ethoxyethylate of Polyhydroxystyrene
5L의 4구 플라스크에 폴리(p-하이드록시스티렌) 400g(p-하이드록시스티렌 단위로서 3.33mol) 및 p-톨루엔설폰산 1수화물 63.0mg(0.333mmol)을 투입하고 메틸 이소부틸 케톤 2400g에 용해시킨다. 이 용액에 에틸비닐 에테르 249g(3.46mol)을 적가한 다음, 27℃에서 3시간 동안 반응시킨다.400 g of poly (p-hydroxystyrene) (3.33 mol as p-hydroxystyrene unit) and 63.0 mg (0.333 mmol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate were charged into a 5 L four-neck flask and dissolved in 2400 g of methyl isobutyl ketone. Let's do it. 249 g (3.46 mol) of ethylvinyl ether was added dropwise to this solution, followed by reaction at 27 ° C. for 3 hours.
이 반응 용액을 이온 교환수 933g을 사용하여 물로 세정한다. 이러한 물 세정의 조작을 모두 5회 반복한 다음, 감압 증류시켜 대부분의 메틸 이소부틸 케톤을 증류 제거한다. 다음으로 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 3500g 가하고 다시 감압 증류시킴으로써 수분 및 잔류 메틸 이소부틸 케톤을 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트로 공비시켜 제거하고 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 용액으로 한다.The reaction solution was washed with water using 933 g of ion-exchanged water. All of these water washings were repeated five times, followed by distillation under reduced pressure to distill most of the methyl isobutyl ketone. Next, 3500 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added and distillation under reduced pressure is carried out to remove water and residual methyl isobutyl ketone by azeotroping with propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a propylene glycol monomethyl ether acetate solution.
수득된 액체는 폴리(p-하이드록시스티렌)의 수산기가 부분적으로 1-에톡시에틸에테르화된 수지의 용액이며 이러한 수지를1H-NMR로 분석한 결과, 수산기의 48%가 1-에톡시에틸에테르화되어 있다.The resulting liquid is a solution of a resin in which the hydroxyl group of poly (p-hydroxystyrene) is partially 1-ethoxyethyl ether and 48% of the hydroxyl groups are 1-ethoxy as a result of analyzing 1 H-NMR of this resin. Ethyl etherified.
이러한 수지를 수지 B1로 한다.Such resin is referred to as resin B1.
합성예 2: 저분자량체를 제거한 m-크레졸 노볼락 수지의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of m-cresol novolac resin from low molecular weight
환류관, 교반장치 및 온도계를 구비한 1L의 4구 플라스크에 m-크레졸 218.3g, 옥살산 2수화물 10.2g, 90% 아세트산 68.7g 및 메틸 이소부틸 케톤 203g을 투입하고 80℃까지 승온시켜 37% 포름알데하이드 수용액 143.2g을 1시간 동안 적가한다. 다음에 환류 온도까지 승온시키고 환류 상태에서 12시간 동안 보온시킨다. 수득된 반응액을 메틸 이소부틸 케톤으로 희석하고 물 세정, 탈수를 실시하며 노볼락 수지의 36.8% 메틸 이소부틸 케톤 용액을 수득한다. 이러한 수지 용액 612g을 5L의 저부 방출 플라스크에 투입하고 1119g의 메틸 이소부틸 케톤으로 희석한 후,1232g의 n-헵탄을 투입하고 60℃에서 교반, 정치 후 분액을 실시하며 하층의 노볼락 수지 용액을 수득한다.Into a 1 L four-necked flask equipped with a reflux tube, a stirrer, and a thermometer, 218.3 g of m-cresol, 10.2 g of oxalic acid dihydrate, 68.7 g of 90% acetic acid, and 203 g of methyl isobutyl ketone were heated up to 80 ° C. and 37% form 143.2 g of aqueous aldehyde solution is added dropwise for 1 hour. Then, the temperature is raised to reflux temperature and kept at reflux for 12 hours. The obtained reaction solution was diluted with methyl isobutyl ketone, washed with water and dehydrated to obtain a 36.8% methyl isobutyl ketone solution of novolac resin. 612 g of this resin solution was added to a 5 L bottom discharge flask and diluted with 1119 g of methyl isobutyl ketone. Then, 1232 g of n-heptane was added thereto, stirred at 60 DEG C, allowed to stand, followed by separating a lower novolak resin solution. To obtain.
이러한 노볼락 수지 용액을 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트로 희석한 다음, 농축시켜 노볼락 수지의 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트 용액을 수득한다. 이러한 수지를 수지 B2로 한다.This novolak resin solution is diluted with propylene glycol methylether acetate and then concentrated to give a propylene glycol methylether acetate solution of novolak resin. Such resin is referred to as resin B2.
이러한 수지를 폴리스티렌을 표준 물질로 하고 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정한 결과, 미반응 단량체를 제거한 전체 패턴 면적에 대한 분자량 1,000 이하의 범위의 면적비는 3.28%이다. 중량 평균 분자량은 9079이다.As a result of measuring this resin with polystyrene as a standard material and measuring by gel permeation chromatography (GPC), the area ratio of the molecular weight 1,000 or less with respect to the total pattern area from which the unreacted monomer was removed is 3.28%. The weight average molecular weight is 9079.
다음에 이상의 합성예에서 수득된 각 수지 외에 하기에 기재된 원료를 사용하여 내식막 조성물을 조제하여 평가한다.Next, a resist composition is prepared and evaluated using the raw material described below in addition to each resin obtained by the above synthesis example.
성분(A1): (5-톨루일설포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리딘)-(2-메틸페닐)아세토니트릴Component (A1): (5-Toluylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-yridine)-(2-methylphenyl) acetonitrile
성분(C1): 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드Component (C1): Tetrabutyl Ammonium Hydroxide
성분(D1): 1,7-비스-(3-메톡시-4-하이드록시페닐)-1,6-헵타디엔-3,5-디온 몰[파장 436nm에서 몰 흡광 계수는 18200이다.]Component (D1): 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione mole [molar extinction coefficient at wavelength 436 nm is 18200.]
성분(D2): 3-메톡시-4-하이드록시-α-시아노신남산 이소프로필[파장 365nm에서 몰 흡광 계수는 21500이다]Component (D2): 3-methoxy-4-hydroxy-α-cyanocinnamic acid isopropyl [molar extinction coefficient at wavelength 365nm is 21500]
또한, 몰 흡광 계수는 DU 640[베크만 인스트루먼츠 인코포레이티드(BECKMAN INSTRUMENTS, INC.) 제조] 기기를 사용하여 성분(D1) 및 성분(D2)의 농도가 0.00003 내지 0.00004mol/L의 범위가 되도록 메탄올 용액을 조제하고 광로 길이1cm의 용기 중에서 측정한다.In addition, the molar extinction coefficient is such that the concentration of component (D1) and component (D2) is in the range of 0.00003 to 0.00004 mol / L using a DU 640 (manufactured by Beckman Instruments, Inc.) instrument. A methanol solution is prepared and measured in a container with an optical path length of 1 cm.
실시예 1 및 2, 비교예 1 및 2Examples 1 and 2, Comparative Examples 1 and 2
수지 B1 및 수지 B2를 각 6.75부(고형분 환산) 혼합한 수지, 성분(A1) 0.1부, 염기성 화합물(C1) 0.015부 및 실시예 1 및 2의 경우에만 각각 성분(D1) 0.25부(실시예 1) 및 성분(D2) 0.25부(실시예 2)를 첨가하고(비교예 1 및 2에서는 성분(D1)과 성분(D2)를 모두 첨가하지 않는다) 이들을 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 42부에 용해시킨다. 수득된 용액을 공극 직경이 0.5㎛인 불소 수지제 필터로 여과하여 내식막액을 조제한다.6.75 parts (in terms of solids) of resin B1 and B2 were mixed, 0.1 part of component (A1), 0.015 part of basic compound (C1), and 0.25 parts of component (D1) only in Examples 1 and 2, respectively (Example 1) and 0.25 parts of component (D2) (Example 2) were added (in Comparative Examples 1 and 2, neither component (D1) nor component (D2) was added) and they were dissolved in 42 parts of propylene glycol monomethylether acetate. Let's do it. The solution obtained is filtered with a fluorine resin filter having a pore diameter of 0.5 µm to prepare a resist.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 웨이퍼에 상기한 내식막액을 회전 도포기를 사용하여 건조 후의 막의 두께가 표 1에 기재된 값이 되도록 도포한다. 내식막액 도포 후의 예비베이킹은 가열판을 사용하여 90℃에서 60초 동안 실시한다. 이와 같이 내식막을 형성한 웨이퍼에 실시예 1 및 비교예 1에서는 436nm(g선)의 노광 파장을 갖는 축소 투영 노광기[가부시키가이샤 니콘(Nikon Corporation)제의 "NSR-1755g7A", NA=0.54]를 사용하며 실시예 2 및 비교예 2에서는 365nm(i선)의 노광 파장을 갖는 축소 투영 노광기[가부시키가이샤 니콘제의 "NSR-2005i9C", NA=0.57]를 사용하여 라인 앤드 스페이스 패턴(line and space pattern)을 노광량을 단계적으로 변화시켜 노광시킨다. 다음에 가열판을 사용하여 110℃에서 60초 동안 후노광 베이킹(PEB)을 실시하고 다시 2.38% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액[참조: 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.)제 현상액 SOPD]으로 60초 동안 패들 현상을 실시한다. 현상 후의 패턴을 주사형 전자 현미경으로 관찰하고 하기에 기재된 방법으로 실효 감도, 막 두께의 변화에 따른 치수 변동 및 해상도를 조사한다. 결과를 표 1에 기재한다.The above-mentioned resist is applied to a silicon wafer treated with hexamethyldisilazane such that the thickness of the film after drying is a value shown in Table 1 using a rotary coater. Prebaking after application of the resist is carried out at 90 ° C. for 60 seconds using a heating plate. Thus, in Example 1 and Comparative Example 1, a reduced projection exposure machine having an exposure wavelength of 436 nm (g-ray) on a wafer on which a resist was formed ("NSR-1755g7A" manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.54) In Example 2 and Comparative Example 2, a line-and-space pattern (line and space pattern) was used using a reduced projection exposure machine (NSR-2005i9C, NA = 0.57 manufactured by Nikon Corporation) having an exposure wavelength of 365 nm (i-line). and space pattern) are exposed by changing the exposure amount in stages. Next, a post exposure bake (PEB) was performed at 110 ° C. for 60 seconds using a heating plate, followed by a 2.38% aqueous tetramethyl ammonium hydroxide solution [Sumitomo Chemical Co., Ltd. (Sumitomo Chemical Co., Ltd.). Paddle development for 60 seconds with developer SOPD. The pattern after development is observed with a scanning electron microscope, and the sensitivities, dimensional variation and resolution according to the change of the film thickness are investigated by the method described below. The results are shown in Table 1.
실효 감도: 우선 실시예 1 및 비교예 1(g선)에 관해서는 막 두께 1.54㎛로, 실시예 2 및 비교예 2(i선)에 관해서는 막 두께 1.49㎛로 평가를 실시하며 이 때의 1.0㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 1:1이 되는 노광량으로 표시한다.Effectiveness Sensitivity: First, Example 1 and Comparative Example 1 (g line) were evaluated at a film thickness of 1.54 μm, and Example 2 and Comparative Example 2 (i line) were evaluated at a film thickness of 1.49 μm. A line and space pattern of 1.0 mu m is represented by an exposure amount of 1: 1.
막의 두께 변화에 의한 치수의 변동: 실효 감도에서의 노광량에서 막의 두께를 표 1에 기재한 값으로 하고 막의 두께를 변동시킨 경우의 치수를 표시한다.Variation in dimension due to change in thickness of the film: In the exposure dose at the effective sensitivity, the film thickness is taken as the value shown in Table 1, and the dimension when the film thickness is varied is shown.
해상도: 실효 감도의 노광량으로 분리되는 라인 앤드 스페이스 패턴의 최소 치수로 표시한다.Resolution: The minimum dimension of the line-and-space pattern separated by the exposure amount of the effective sensitivity.
본 발명의 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에 따르면 고감도 및 고해상도를 유지하는 동시에 기본 기판으로부터의 반사광을 감소시키고 치수 변동이 적은 내식막 패턴을 수득할 수 있다.According to the chemically amplified positive resist composition of the present invention, it is possible to obtain a resist pattern having low sensitivity and low dimensional variation while maintaining high sensitivity and high resolution.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100808427B1 (en) * | 2004-09-16 | 2008-02-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Chemical amplification type positive photoresist composition |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4000473B2 (en) * | 2002-08-09 | 2007-10-31 | 信越化学工業株式会社 | Photoacid generator for chemically amplified positive resist material, and resist material and pattern forming method using the same |
KR101042667B1 (en) * | 2004-07-05 | 2011-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | Photoresist composition |
WO2006120896A1 (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for forming resist pattern |
JP4757532B2 (en) * | 2005-05-10 | 2011-08-24 | 東京応化工業株式会社 | Positive resist composition for electron beam and method for forming resist pattern |
JP6783540B2 (en) * | 2015-03-31 | 2020-11-11 | 住友化学株式会社 | Method for manufacturing resist composition and resist pattern |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2569705B2 (en) * | 1988-03-24 | 1997-01-08 | 日本合成ゴム株式会社 | Positive photoresist |
JP2625206B2 (en) * | 1989-04-18 | 1997-07-02 | 富士写真フイルム株式会社 | Photoresist composition |
EP0689098B1 (en) * | 1994-06-22 | 2000-08-16 | Ciba SC Holding AG | Positive working photoresist |
JP3591672B2 (en) * | 1996-02-05 | 2004-11-24 | 富士写真フイルム株式会社 | Positive photosensitive composition |
JP3650981B2 (en) * | 1996-07-03 | 2005-05-25 | Jsr株式会社 | Radiation sensitive resin composition |
JP3661721B2 (en) * | 1996-10-15 | 2005-06-22 | 信越化学工業株式会社 | Chemically amplified positive resist material |
JPH10171112A (en) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Mitsubishi Chem Corp | Positive photosensitive composition |
JP2998682B2 (en) * | 1997-03-13 | 2000-01-11 | 日本電気株式会社 | Chemical amplification resist |
KR19980087522A (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-05 | 마티네츠 길러모 | Radiation Sensitive Compositions Containing Novel Polymers |
JP3823449B2 (en) * | 1997-06-16 | 2006-09-20 | 住友化学株式会社 | Photoresist composition |
JP3991459B2 (en) * | 1997-09-02 | 2007-10-17 | Jsr株式会社 | Radiation sensitive resin composition |
US5976770A (en) * | 1998-01-15 | 1999-11-02 | Shipley Company, L.L.C. | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same |
JP3473410B2 (en) * | 1998-06-11 | 2003-12-02 | 住友化学工業株式会社 | Positive resist composition using narrowly dispersible polymer |
JP3876571B2 (en) * | 1998-08-26 | 2007-01-31 | 住友化学株式会社 | Chemically amplified positive resist composition |
JP3785846B2 (en) * | 1999-02-05 | 2006-06-14 | 住友化学株式会社 | Chemically amplified positive resist composition |
DE60015220T2 (en) * | 1999-03-31 | 2006-02-02 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Positive chemical-resist type resist |
JP2001222110A (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photoresist composition |
CN1210623C (en) * | 2000-04-04 | 2005-07-13 | 住友化学工业株式会社 | Chemical amplifying type positive photoetching rubber composition |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100808427B1 (en) * | 2004-09-16 | 2008-02-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Chemical amplification type positive photoresist composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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