KR20030068053A - 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및장치 - Google Patents

쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030068053A
KR20030068053A KR1020030008460A KR20030008460A KR20030068053A KR 20030068053 A KR20030068053 A KR 20030068053A KR 1020030008460 A KR1020030008460 A KR 1020030008460A KR 20030008460 A KR20030008460 A KR 20030008460A KR 20030068053 A KR20030068053 A KR 20030068053A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
read
write
head
fused
compensation
Prior art date
Application number
KR1020030008460A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100524945B1 (ko
Inventor
장은규
이형재
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR20030068053A publication Critical patent/KR20030068053A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100524945B1 publication Critical patent/KR100524945B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
    • G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
    • G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
    • G11B2005/0018—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers by current biasing control or regulation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/455—Arrangements for functional testing of heads; Measuring arrangements for heads
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing

Abstract

외부 자석이나 읽기 헤드를 히팅하기 위한 읽기 바이어스 전류를 사용하지 않고 읽기 헤드를 보상하는 방법 및 장치가 개시되어 있다.
개시된 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치는, 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 쓰기 헤드에 의해 생성되는 자기장을 컨트롤하도록 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 쓰기 전류 공급원 수단; 읽기 헤드내에 자기장을 생성하기 위해 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원 수단; 적어도 일정 기간동안 상기 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 유지하고 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 유지하는 수단;을 포함한다.

Description

쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및 장치{Method and apparatus stabilizing the magnetic domain of merged magnetoresistive read-write heads using write current and read bias current}
본 발명은 거대 자기 저항(GMR:Giant Magneto-Resistive) 읽기- 쓰기 헤드를 포함하는 디스크 드라이브를 위한 융합형(merged type) 자기 저항 헤드의 읽기 헤드의 자기 영역 안정화에 관한 것이다.
디스크 드라이브는 중요한 데이터 저장 기술이다. 디스크 드라이브의 중대한 구성요소 중 하나는 데이터 저장 매체를 포함하는 디스크 표면과 직접적으로 통신하는 읽기-쓰기 헤드이다. 본 발명은 쓰기 유도 코일에 적용되는 쓰기 전류와 읽기 헤드에 적용되는 읽기 바이어스 전류를 사용함으로써 읽기 헤드의 핀드층(pinnedlayer)에 대한 정전기 방전(ESD:Electro-Static Discharge) 손상을 개선한다. 또한, 본 발명은 베이스 라인 퍼핑(base line popping)을 줄여 읽기-쓰기 헤드의 불안정성을 개선한다.
도 1a는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 디스크들 사이에 위치된 슬라이더/헤드 유니트(60)를 가지는 서스펜션 또는 헤드 아암(50-58)을 포함하는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다.
도 1b는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 디스크가 제거된 상태에서의 슬라이더/헤드 유니트(60-66)를 포함하는 액츄에이터(20)를 가지는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다.
1980년대 이래로, 고용량 디스크 드라이브(10)는 그 읽기-쓰기 헤드들을 특정 트랙 상에 위치시키기 위해 보이스 코일 액츄에이터(20-66)를 사용해왔다. 상기 헤드들은 작동시 디스크 표면에서 약간 떨어지는 헤드 슬라이더(60-66) 상에 설치된다. 흔히, 주어진 디스크 드라이브 표면에 대해 헤드 슬라이더 당 하나의 헤드가 위치된다. 보통 하나의 디스크 드라이브 내에는 다수의 헤드가 있는 반면에, 경제적인 이유로, 보통 단지 하나의 보이스 코일 액츄에이터가 있다.
보이스 코일 액츄에이터는 액츄에이터 축(40)을 거쳐 지레(lever) 작용을 제공하기 위해 보이스 코일(32)에 의해 유도된 시간에 따라 변하는 전자기장과 상호 작용하는 고정된 자석 액츄에이터(20)를 더 구비한다. 지레 작용은 헤드 슬라이더유니트(60-66)가 신속하고 정확하게 특정 트랙상에 위치하도록 헤드 아암(50-56)을 움직여주는 작용을 한다. 액츄에이터 아암(30)은 흔히 보이스 코일(32), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 헤드 슬라이더(60-66)를 포함하는 것으로 여겨진다. 액츄에이터 아암(30)은 소수의 단일 헤드 아암(50)을 가질 수도 있다는 것을 유념하라. 또한 단일 헤드 아암(52)은 두 헤드 슬라이더(62)(64)에 연결될 수도 있다는 것을 유념하라.
자기 저항 효과는 단지 읽는 동안 발생하기 때문에, 융합형 헤드는 읽기 및 쓰기를 위한 서로 다른 구성 요소를 가진다. 융합형 헤드는 통상적으로 박막 헤드와 스핀 밸브 센서(spin valve sensor)를 포함한다. 박막 헤드는 일차적으로 쓰기 프로세스 동안 사용된다. 스핀 밸브 센서는 읽는 동안 사용된다.
융합형 자기 저항(Magneto-Resistive:MR) 헤드는 읽기 및 쓰기 둘 다를 위해, 단일 구성 요소를 사용하므로, 초기에 접근하는데 몇몇 이점을 가진다. 초기에 읽기-쓰기 헤드는 트래이드오프(tradeoff)적인 측면에서 연구되었다. 흔히 페라이트 코아(ferrite core)와 같은 단일 구성 요소는 상기 코아 둘레에 부가적인 와인딩(winding)으로 읽기 감도를 증가시킬 수 있다. 그러나, 이들 부가된 와인딩은 페라이트 코아를 쓰기 효율이 떨어지게 만든다.
1990년대에 소개된 이래로, 중요해진 융합형 헤드는 면적 밀도를 증가시킨다. 융합형 헤드는 자기장의 존재에 따라 그 저항이 변하는 전도성 박막을 포함하는 스핀 밸브를 사용하여 디스크 표면을 읽는다. 쓰기와 읽기 기능을 분리함으로써, 각 기능은 예전의 읽기-쓰기 헤드에서 가능했던 것보다 더 최적화될 수 있다.융합형 헤드가 모두 향상시키기는 하지만, 여전히 문제는 남아 있다. 그러나, 이 문제들을 논하기 전에 먼저, 현대의 디스크 드라이브에서 이들 디바이스가 어떻게 무엇을 제어하는지를 고려한다.
도 2a는 아날로그 읽기-쓰기 인터페이스(220), 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-) 및 종래의 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(20)내의 스핀 밸브에서 발견되는 고유 저항을 전달하는 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)을 컨트롤하는 디스크 드라이브 컨트롤러(1000)를 개략적으로 보여준다.
보통 읽기 헤드의 저항은, 옴의 법칙(Ohm's Law)을 사용하여 읽기 바이어스 전류 세팅(Ir_set)에 바탕을 두고 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)을 가로질러 전압 강하를 측정함으로써 결정된다는 것을 유념하라.
도 2b는 종래의 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(200)를 포함하는 부양된 헤드 슬라이더(60)를 보여준다.
도 2c는 종래의 쓰기 유도 헤드(202) 및 자기저항 읽기 헤드(또는 스핀 밸브)(204)를 포함하는 도 2b에서의 융합형 읽기-쓰기 헤드(200)를 보인 사시도이다.
도 2d는 종래의 도 2c의 스핀 밸브(204)의 활성영역을 형성하는 다층으로 구성된 영역(206)을 가지는 스핀 밸브(204)의 단면도를 개략적으로 보여준다.
도 2e는 종래의 통상적인 GMR 스핀 밸브인 도 2d의 영역(206)의 보다 상세한 단면도를 보여준다.
영역(206)은 종래의 GMR 스핀 밸브에서 통상적으로 발견되는 것처럼, 하지층(216) 상의 프리층(free layer:214)위에 차례로 적층된, 구리(Cu) 스페이서층(212), 그 위의 핀드 강자성층(pinned Ferro-Magnetic(FM) layer:210)에 적층된 반강자성 교환막(Anti-FerroMagnetic(AFM) exchange film:208)을 포함한다.
GMR 센서는 보통 다음처럼 제조된다: 반강자성 층(208)은 주로 PtMn(Platinum Manganese)으로 구성된다. 핀드 강자성층(210)은 주로 Co(Cobalt)NiFe(퍼멀로이:permalloy)로 구성된다. 프리 층(214)은 주로 NiFe 퍼멀로이(permalloy)로 구성된다. 흔히 하지층(216)은 주로 Tantalum(Ta)으로 구성된다.
층들(208)(210) 사이에는 분포 저지 온도(distribution blocking temperature)가 있다. 스핀 밸브(204)의 온도가 분포 저지 온도를 초과할 때, 반강자성층(208) 및 강자성 핀드 층(210) 사이의 교환 커플링이 없어진다.
스핀 밸브(204)를 제조하고 핸들링하는 동안에, 핀드 층(강자성층:210)의 자화는 ESD 발생(event)에 기인하여 반대로 되거나 180도 회전된다. 또한, 프리 층의 자화는 ESD 발생에 의해 바뀔 수 있다.
완전한 스핀 밸브(204)가 도 3a 및 도 3b에 보여지는 바와 같이, 도 2c의 실드(shields:S1,S2) 사이에 수직으로 위치된다는 것을 유념하라.
도 2f는 종래에 알려진 바와 같이, ESD 발생으로부터의 자화 손상 뿐만 아니라 스핀 밸브 읽기 헤드의 정상적인 자화를 보여준다.
반강자성층(208)은 통상적으로 자화 방향(300)을 가질 것이다. 핀드 층(210)은 보통 자화 방향(310)을 가지겠지만, 한번 이상의 ESD 발생후에는 312 또는 314로 나타낸 바와 같은 자화 방향을 가질 수 있다. 상기 구리 스페이서 층(212)은 엄밀히 말하면, 이러한 논의와 관련이 없으므로, 여기서는 설명되지 않을 것이다. 프리 층(214)은 보통 자화 방항(320)을 가지며, 한번 이상의 ESD 발생에 의한 손상 후에는 322로 나타낸 바와 같이 바뀐 자화 방향을 가질 수 있다.
보통 반강자성층(208) 및 핀드 층(210)은 본질적으로 평행한 자화 방향을 가지며 프리층(214)은 본질적으로 상기 층들(208)(210)에 수직으로 자화된다. 스핀 밸브 읽기 헤드(204)의 오퍼레이션(operation)은 이들 방향성 관계에 의존한다.
도 3a 및 도 3b는 종래의 P1 및 P2에 연결되는 쓰기 차동 신호 쌍의 충전에 관계된 자기 플럭스 방향을 보여준다.
도 3a는 종래 기술에서 정상적인 조건하에서 쓰기 차동 신호 쌍에 포지티브 쓰기 전류가 나타날 때, P1로부터 P2로의 자기 플럭스 흐름을 보여준다.
도 3b는 종래 기술에서 정상적인 조건하에서 쓰기 차동 신호 쌍에 네거티브 쓰기 전류가 나타날 때, P2로부터 P1으로의 자기 플럭스 흐름을 보여준다.
정전기 방전(ESD:Eletro-Static Discharge)은 도 2f에서 논의된 것처럼 약해지거나 역으로 된 자기 조건을 생성하는 스핀 밸브 헤드(204)의 피닝(pinning) 부분을 줄이거나 손상시킬 수 있다. 그러한 조건들은 스핀 밸브(204)의 능력을 손상시키거나 파괴하여, 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(200)로서 기능을 하도록 한다.
도 4a는 종래 기술에서 디스크 면상에 쓰여진 펄스를 센싱하는 읽기 차동 신호 쌍을 가로질러 측정된 이상적인 전압 진폭을 보여준다.
종래기술에서 사용된 것처럼, 상기 진폭은 v+ + v-로 정의된다. 비대칭은 v+ - v-로 정의된다. 이상적인 상태는 진폭의 비대칭의 비율 0%를 가지는 것이지만,받아들일 수 있는 범위는 흔히 5% 내지 10%, 스핀 밸브에 대해 통상적으로 7%이다. ESD는 진폭을 감소시키고 비대칭을 증가시키는 경향이 있다.
도 4b는 종래 기술에서 알려진 것처럼 스핀 밸브의 질에 흔히 불리하게 영향을 미치고 어떤 불안정한 읽기-쓰기 헤드를 초래한 상태인 베이스 라인 퍼핑(base line popping:BLP)을 보여준다.
베이스 라인 퍼핑은 도 4b에 보여진 바와 같이, 피크(1)와 골(0)의 잘못된 검출을 이끌 수 있다.
종래 기술은 저지 온도 위로 읽기 헤드 온도를 올리고 읽기 헤드를 가로질러 자기장을 발생시킴으로써 읽기 헤드를 손상시키고 불안정하게 하는 ESD를 보상하는 것에 대해 알려준다. 종래 기술은 읽기 헤드를 히팅하기 위해 높은 읽기 바이어스 전류를 적용, 흔히 읽기 헤드를 녹일 수 있는 10mA 이상을 사용하는 것에 대해 알려준다. 때때로, 외부 자석, 그 전원 장치 및 읽기-쓰기 헤드의 기계적인 하우징에 대해 외부 자석을 위치시키는 기계적인 하부 조직을 필요로 하는 외부 자기장이 사용된다.
읽기 헤드를 손상시키고 불안정하게 하는 ESD를 보상하는 것에 대한 종래 기술의 접근은 신뢰도 및 그것에 관계된 비용 문제 둘 다를 가진다. 외부 자석 및 그 요구는 보상을 위한 비용 및 그에 의해 제조 비용을 추가한다.
요약하면, 필요한 것은 보상 회로와 비용을 절감하고 보상의 신뢰도를 개선하여 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 제조하는 방법이며, 이들 읽기-쓰기 헤드들(헤드 슬라이더들, 액츄에이터 아암들, 보이스 코일 액츄에이터 및 디스크 드라이브들)을포함하는 제품이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 외부 자석이나 오로지 읽기 바이어스 전류를 사용하는 읽기 헤드의 히팅을 사용하지 않고, 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 읽기 헤드를 보상하기 위한 방법 및 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 적어도 종래 기술 접근에서 알려진 문제들을 다룬다.
도 1a는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 디스크들 사이에 위치된 슬라이더/헤드 유니트(60)를 가지는 서스펜션 또는 헤드 아암(50-58)을 포함하는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다;
도 1b는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 디스크가 제거된 상태에서의 슬라이더/헤드 유니트(60-66)를 포함하는 액츄에이터(20)를 가지는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다;
도 2a는 아날로그 읽기-쓰기 인터페이스(220), 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-) 및 종래의 자기 저항 읽기/쓰기 헤드(200)내의 스핀 밸브에서 발견되는 고유 저항을 전달하는 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)을 컨트롤하는 디스크 드라이브 컨트롤러(1000)를 개략적으로 보여준다;
도 2b는 종래의 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(200)를 포함하는 부양된 헤드 슬라이더(60)를 보여준다;
도 2c는 종래의 쓰기 유도 헤드(202) 및 자기저항 읽기 헤드(또는 스핀 밸브)(204)를 포함하는 도 2b에서의 융합형 읽기-쓰기 헤드(200)를 보인 사시도이다;
도 2d는 종래의 도 2c의 스핀 밸브(204)의 단면도를 개략적으로 보여준다;
도 2e는 종래의 통상적인 GMR 스핀 밸브인 도 2d의 영역(206)의 보다 상세한 단면도를 보여준다;
도 2f는 종래에 알려진 바와 같이, ESD 발생으로부터의 자화 손상 뿐만 아니라 스핀 밸브 읽기 헤드의 정상적인 자화를 보여준다;
도 3a 및 도 3b는 종래의 P1 및 P2에 연결되는 쓰기 차동 신호 쌍의 충전에 관계된 자기 플럭스 방향을 보여준다;
도 4a는 종래 기술에서 디스크 면상에 쓰여진 펄스를 센싱하는 읽기 차동 신호 쌍을 가로질러 측정된 이상적인 전압 진폭을 보여준다;
도 4b는 종래 기술에서 알려진 것처럼 스핀 밸브의 질에 흔히 불리하게 영향을 미치고 어떤 ESD 방전 발생을 초래한 상태인 베이스 라인 퍼핑(base line popping:BLP)을 보여준다;
도 5는 합격된 읽기-쓰기 헤드를 선택하기 위해 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드(200)의 성능을 결정하는 시스템을 보여준다;
도 6a - 도 6c는 영역(502)에서 베이스 라인 퍼핑을 유발하는 불안정한 읽기-쓰기 헤드의 영향 및 영역(504)에서 베이스 라인 퍼핑을 제거하는 본 발명에 의한 보상 효과를 보이기 위해 얻어진 실험 결과를 보여준다;
도 7a는 GMR 쓰기 헤드에 적용된 쓰기 전류에 대한 GMR 읽기 헤드(스핀 밸브)의 저항 및 온도에 있어서의 영향을 보여준다;
도 7b는 주위 온도 증가에 따라 인체 모델(Human Body Model)에 바탕을 둔 리셋 전압(resetting voltage)이 감소하는 것을 보여준다;
도 8a는 도 7b의 실험적인 결정에 사용된 전압 모델을 보여준다;
도 8b는 핀 역전 상태의 자기 도메인(magnetic domain) 및/또는 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 불안정 상태를 보상하기 위한 도 5의 프로그램 시스템(3000)의 상세 순서도를 보여준다; 및
도 9는 읽기 헤드를 더 보상하기 위한 도 5의 오퍼레이션(operation:3000)의 상세 순서도를 보여준다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 쓰기 헤드가 읽기 헤드에 발생하는 온도 상승을 유도하도록 유발하는 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 쓰기 전류 공급원을 포함한다. 읽기 헤드내에서의 자기장은 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 레벨 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원에 의해 만들어진다. 읽기 전류 및 쓰기 전류는 적어도 보상을 달성하는 시간동안 유지된다.
본 발명에 따른 보상 수단 콜렉션을 구비하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치는, 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 쓰기 헤드에 의해 생성되는 자기장을 컨트롤하도록 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 쓰기 전류 공급원 수단; 상기 읽기 헤드내에 자기장을 생성하기 위해 상기 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원 수단; 적어도 일정 기간동안 상기 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 유지하고 상기 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 유지하는 수단;을 포함하며, 실행 값을 생성하기 위해 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 실행을 결정하는 수단; 상기 실행 값이 통과를 나타낼 때, 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드를 통과시키는 수단; 상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 대, 상기 실행 값에 바탕을 두고 보상 파라미터 콜렉션의 적어도 한 요소를 바꾸는 수단; 상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 보상 수단 콜렉션을 총괄적으로 오퍼레이팅하는 수단;을 더 구비하며, 상기 보상 파라미터 콜렉션은 상기 쓰기 레벨 전류, 상기 읽기 레벨 전류 및 상기 일정 시간을 구비한다.
여기서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 바꾸어주는 상기 수단은 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 실행 값을 보상 실행 로그로 로깅(logging)하는 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단은, 보상 방향을 결정하기 위해 상기 보상 실행 로그를 재검토하는 수단; 및 상기 보상 방향에 바탕을 두고 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단;을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 손상된 핀드 층을 포함할 때 이를 검출하는 수단; 및 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 상기 ESD 발생으로부터 손상된 핀드 층을 포함할 때, 상기 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 수단;을 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 헤드 슬라이더, 액츄에이터 아암, 보이스 코일 액츄에이터 및 디스크 드라이브를 포함하는 제품 콜렉션 중의 적어도 한 요소를 만드는 장치는 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치를 사용하여, 제품 콜렉션 요소에 포함된 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 수단;을 포함한다.
또한, 본 발명의 디스크 드라이브는, 디스크 드라이브에 포함되어 있는 융합형 자지 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하기 위해 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치를 구비한다.
상기한 본 발명의 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치는, 상기 수단들 중 적어도 하나는 실행 콜렉션의 적어도 한 요소를 구비하며, 상기 실행 콜렉션은, 그에 접근하기 쉽게 연결된 메모리에 존재하는 적어도 하나의 프로그램 스텝을 포함하는 프로그램 시스템에 의해 컨트롤되며, 상기 읽기 전류 공급원 및 상기 쓰기 전류 공급원을 구비하는 전류 공급원 콜렉션 중 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 컴퓨터; 상기 전류 공급원 콜렉션 중의 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 한정된 상태의 장치; 및 상기 전류 공급원 콜렉션의 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 신경망;을 구비하며, 상기 실행 콜렉션 요소는 상기 수단 중 적어도 일부를 실행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법은, 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 쓰기 헤드에 의해 생성된 자기장을 컨트롤하도록 쓰기차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 단계; 상기 읽기 헤드 내에 자기장을 생성하기 위해 상기 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 단계 및 적어도 일정 시간동안 상기 쓰기 차동 신호 상에 쓰기 레벨 전류를 유지하고 상기 읽기 차동 신호 쌍에 상기 읽기 바이어스 전류를 유지하는; 단계를 포함하는 보상 스텝 콜렉션을 구비한다.
여기서, 실행 값을 생성하도록 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 실행값을 결정하는 단계; 상기 실행 값이 통과를 나타낼 때 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 통과시키는 단계; 상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 실행 값에 바탕을 두고 보상 파라미터 콜렉션의 적어도 하나의 요소를 바꾸는 단계; 상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 단계;를 구비하며, 상기 보상 파라미터 콜렉션은 상기 쓰기 레벨 전류, 읽기 레벨 전류 및 상기 일정 시간을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 바꾸는 단계는, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
보상 실행 로그내로 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 실행 값을 로깅하는 단계;를 더 구비하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계는, 보상 방향을 결정하기 위해 상기 보상 실행 로그를 재검토하는 단계; 및 상기 보상 방향에 바탕을 두고 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계;를 더 구비하는 것이바람직하다.
상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 손상된 핀드 층을 포함할 때 이를 검출하는 단계; 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 상기 ESD 발생으로부터 상기 손상된 핀드 층을 포함할 때 상기 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 단계;를 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 쓰기 전류 공급원은 상기 읽기 헤드에 본질적으로 섭씨 온도로 100도의 온도 상승을 유도하도록 쓰기 레벨 전류를 적용하는 것이 바람직하다.
상기 쓰기 레벨 전류는 대략 적어도 50mA의 직류인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드를 만드는 방법은, 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하는 방법의 단계를 구비한다.
또한, 본 발명에 따른 자기저항 읽기-쓰기 헤드는, 상기한 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드를 만드는 방법에 의해 제조된다.
또한, 본 발명에 따른 헤드 슬라이더를 만드는 방법은, 헤드 슬라이더를 안출하기 위해 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 사용하는 단계; 및 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법을 사용하여 상기 헤드 슬라이더에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 헤드 슬라이더는 상기한 헤드 슬라이더를 만드는 방법에 의해 제조된다.
본 발명에 따른 액츄에이터 아암을 만드는 방법은, 액츄에이터 아암을 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 포함하는 적어도 하나의 헤드 슬라이더를 사용하는 단계; 및 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법을 사용하여, 상기 액츄에이터 아암에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 액츄에이터 아암은 상기한 액츄에이터 아암을 만드는 방법에 의해 제조된다.
본 발명에 따른 보이스 코일 액츄에이터를 만드는 방법은, 보이스 코일 액츄에이터를 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드에 포함된 적어도 하나의 액츄에이터 아암을 사용하는 단계; 및 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법을 사용하여, 상기 보이스 코일 액츄에이터에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 보이스 코일 액츄에이터는 상기한 보이스 코일 액츄에이터를 만드는 방법에 의해 제조된다.
본 발명에 따른 디스크 드라이브를 만드는 방법은, 디스크 드라이브를 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 포함하는 적어도 하나의 보이스 코일 액츄에이터를 사용하는 단계; 및 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법을 사용하여, 상기 디스크 드라이브에 포함된 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 디스크 드라이브는, 상기한 디스크 드라이브를 만드는 방법에 의해 제조된다.
본 발명에 따른 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법을 실행하는 프로그램 시스템은, 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들을 보상하기 위해 컴퓨터에 접근하기 쉽게 연결된 메모리에 존재하는 상기한 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법의 단계를 실행하는 프로그램 단계를 구비한다.
본 발명에 따른 프로그램 시스템은, 상기 컴퓨터는 콜렉션 중 적어도 하나의 요소를 테스트하는 테스트 시스템을 적어도 부분적으로 컨트롤하며, 상기 콜렉션은, 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나, 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 헤드 슬라이더, 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 액츄에이터 아암 및 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 보이스 코일 액츄에이터를 구비한다.
여기서, 상기 컴퓨터는 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 디스크 드라이브를 적어도 부분적으로 컨트롤하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은 다양한 기술적인 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 외부 자석을 요구하지 않음에 의해, 읽기 헤드가 녹는 것을 막을 수 있을 뿐만 아니라 어떤 종래 기술의 접근보다도 덜 비용이 든다.
또한, 외부 자석이 요구되지 않으며 전류 레벨이 정상적인 허용 오차 내이기 때문에, 본 발명은 조립된 디스크 드라이브에서 읽기 헤드를 손상시키는 ESD를 보상하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 기술적인 구성, 상기한 이점 및 다른 이점은 이하의 설명을 읽고 도면들의 다양한 특징들을 살펴보면 명백해질 것이다.
본 발명은 외부 자석이나 읽기 헤드를 히팅하기 위한 높은 읽기 바이어스 전류를 사용하지 않고 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 읽기 헤드를 보상하기 위한 방법 및 장치를 포함한다. 본 발명은 적어도 종래 기술 접근에서 알려진 문제들을 다룬다. 도 5의 시스템도는 보상 방법을 실행할 수 있는 장치를 보여준다.
도 5는 합격된 읽기-쓰기 헤드를 선택하기 위해 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(200)의 성능을 결정하는 시스템을 보여준다.
쓰기 전류 공급원(2050)은 읽기 헤드(204)에 온도 상승을 유도하는 쓰기 헤드(202)에 의해 생긴 자기장을 컨트롤하는 쓰기 레벨 전류에서 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드(200)의 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-)을 구동한다.
읽기 전류 공급원(2080)은 읽기 헤드(204)내에 자기장을 생성하기 위해 읽기 레벨 전류에서 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드(200)의 읽기 차동 신호 쌍을 구동한다.
쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-)에서의 쓰기 레벨 전류 및 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)에서의 읽기 레벨 전류는 적어도 일정 시간 동안 유지된다. 여기서, 상기 쓰기 레벨 전류는 직류인 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 쓰기 레벨 전류는 대략 적어도 50mA의 직류일 수 있다.
ESD 보호 회로(2020)는 ESD로부터 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드(200)를 보호하기 위해 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)을 가로질러 연결된다. 여기에 보여진바와 같이 이중 다이오드 회로를 사용하는 것은 현재의 기술로는 바람직하지만, ESD 보호는 볼트 미터(2030) 및/또는 읽기 전류 공급원(2080)에 ESD 보호를 통합하는 것을 포함하는 다른 접근법에 의해 제공될 수도 있다는 것을 유념하라.
컴퓨터(2000)는 읽기 전류 공급원(2080) 및 쓰기 전류 공급원(2056)을 포함하는 전류 공급원 콜렉션 중의 적어도 하나를 컨트롤하는 수단을 제공할 수 있다. 대안으로, 한정된 상태의 장치 및/또는 신경망이 하나의 이상의 전류 공급원 콜렉션 요소에 대한 컨트롤을 제공할 수도 있다.
쓰기 헤드에 전류를 적용함으로써 온도 상승을 유도, 읽기 헤드를 가로지르는 자기장을 생성 및/또는 한 주기동안 이들 조건을 유지하는 수단은 컴퓨터(2000)의 적어도 일부, 한정 상태의 장치 및/또는 신경망에 의해 수행될 수도 있다.
컴퓨터(2000의 적어도 일부에서 실행되는 이들 수단은 컴퓨터(2000)와 접근하기 쉽게 연결된(2002) 메모리(2010)에 존재하는 프로그램 시스템(3000)의 프로그램 단계로서 더 실행될 수도 있다.
논술의 명쾌함을 이유로, 한정된 상태의 장치 및 신경망 수단 실행에 대해서는 더 논의되지 않을 것이다. 오늘날에는 컴퓨터로 이들 수단을 실행하는 것이 바람직하지만, 이러한 논의가 청구의 범위를 단지 컴퓨터로 제한하는 것으로는 해석되지 않아야 한다.
도 6a 내지 도 6c는 영역(502)에서 베이스 라인 퍼핑을 유발하는 불안정한 읽기-쓰기 헤드의 영향 및 영역(504)에서 베이스 라인 퍼핑을 제거하는 본 발명에 의한 보상의 효과를 보여주는 실험적으로 얻어진 결과를 보여준다.
도 6a의 영역(500)은 읽기 헤드의 정상적인 오페레이션을 보여준다. 도 6b의 영역(502)은 그 영역에서 베이스 라인 퍼핑을 유발하는 불안정한 오퍼레이션(operation) 후의 읽기 헤드의 손상된 오퍼레이션을 보여준다. 도 6c의 영역(504)은 보상후의 앞서의 불안정한 읽기 헤드의 오퍼레이션을 보여준다. 502에서 발견된 베이스 라인 퍼핑은 영역(504)에서 크게 저감되는데, 이는 읽기 헤드의 자기 도메인이 효과적으로 보상되었다는 것을 나타낸다는 것을 유념하라.
도 7a는 GMR 쓰기 헤드에 적용되는 쓰기 전류에 대한 GMR 읽기 헤드(스핀 밸브)의 저항 및 온도 영향을 보여준다.
기저축은 밀리-암페어(mA) 단위로 쓰기 전류를 타나낸다. 왼쪽 축은 오옴(ohms) 단위로 읽기 저항을 나타낸다. 오른쪽 축은 쓰기 차동 신호 쌍을 경유하여 쓰기 헤드에 적용된 쓰기 전류에 의해 유도된 읽기 헤드에서의 온도 상승을 나타낸다. 온도 상승은 섭씨 온도로 나타내진다.
저지 온도는 섭씨 온도로 200 내지 300도 사이라는 것을 유념하라.
다이아몬드 포인트 경로는 쓰기 헤드에 적용된 쓰기 전류의 견지에서 읽기 헤드 저항을 보여준다. 네모 포인트 경로는 쓰기 헤드에 쓰기 레벨 전류를 적용함으로써 유도된 읽기 헤드 온도 상승을 보여준다. 읽기 헤드 온도는 섭씨 약 100도까지 상승하고 읽기 전류는 저지 온도를 통과하도록 또 다르게 섭씨 온도로 100도에서 150도까지 기여한다는 것을 유념하라.
도 7b는 인체 모델(Human Body Model)에 바탕을 둔 리셋 전압이 주변 온도가 증가함에 따라 감소한다는 것을 보여준다.
어떤 ESD 발생은 핀드 층의 자화 손상을 적어도 부분적으로 반전시킬 수 있다는 것을 유념해야 한다. 그러한 역전은 수평으로는 섭씨 온도로 보여지고 인체 모델(VHBM)에서의 자기 역전 전압은 수직축을 따라 보여진다.
도 8a는 도 7b의 실험적인 결정에 사용된 전압 모델을 보여준다.
VHBM은 전압 공급원에 의해 발생되고, R1은 대략 1.5k ohm 저항이며 C1은 대략 100pF(pico-Farad) 축전기이다.
본 기술분야의 당업자는 도 8a가 크게 간략화 되었으며, 암묵적으로 ESD 보호는 다른 것들 사이에 놓아 둔다는 것을 인지할 것이다. 도 8a는 인체 모델 전압(VHBM)이 실험적으로 어떻게 사용되는 지를 보이기 위해 포함되었다.
도 8b는 핀 반전 상태 및/또는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 불안정 상태의 자기 도메인을 보상하기 위한 도 5의 프로그램 시스템(3000)의 상세한 순서도를 보여준다.
이 프로그램 시스템은 또한 삽입된 디스크 드라이브 컨트롤러 프로그램 시스템(1128)의 일부가 될 수 있으며, 그에 의해 프로그램 시스템이 본 발명의 읽기-쓰기 헤드(200)의 보상 방법을 지지하도록 확장된다는 것을 유념하라.
화살표(3010)는 시작 오퍼레이션(starting operation:3000)으로부터 오퍼레이션(3012)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3012)은 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 쓰기 헤드에 의해 생성된 자기장을 컨트롤하는 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하도록 쓰기 전류 공급원을 실행한다. 화살표(3014)는 오퍼레이션(3012)로부터 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지시한다.오퍼레이션(3016)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3020)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3022)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3022)은 읽기 헤드 내에 자기장을 생성하기 위해 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원을 실행한다. 화살표(3024)는 오퍼레이션(3022)에서 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3016)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3030)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3032)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3032)은 적어도 일정 기간동안 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류가 유지되고 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류가 유지되도록 실행한다. 화살표(3034)는 오퍼레이션(3032)으로부터 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지지한다. 오퍼레이션(3016)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
오퍼레이션(3012)(3022)(3032)은 보상 스텝 콜렉션(repair step collection)으로 불려질 것이라는 것을 유념하라. 장치 실행 단계들(3012)(3022)(3032)은 보상 수단 콜렉션(repair means collection)으로 불리워질 것이다. 이들 단계들은 보상 파라미터 콜렉션(repair parameter collection)에 바탕을 두고 작동된다. 보상 파라미터 콜렉션은 쓰기 레벨 전류, 읽기 레벨 전류 및 쓰기 레벨 전류 및 읽기 레벨 전류가 적용되는 기간(time period)을 포함한다.
도 9는 읽기 헤드를 더 보상하기 위한 도 5의 오퍼레이션(3000)의 상세 순서도를 보여준다.
화살표(3050)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3052)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3052)은 실행 값을 생성하도록 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 실행을 결정한다. 화살표(3054)는 오퍼레이션(3052)으로부터 오퍼레이션(3056)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3056)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3060)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3062)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3062)은 실행값이 통과를 나타낼 때, 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 통과하도록 실행한다. 화살표(3064)는 오퍼레이션(3062)으로부터 오퍼레이션(3056)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3056)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3070)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3072)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3072)은 실행값이 통과를 나타내지 않을 때, 실행 값에 바탕을 두고 보상 파라미터 콜렉션의 적어도 한 요소를 바꾸는 것을 실행한다. 화살표(3074)는 오퍼레이션(3072)으로부터 오퍼레이션(3056)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3056)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3080)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3082)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3082)은 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 보상 파라미러 콜렉션과 함께 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 것을 실행한다. 화살표(3084)는 오퍼레이션(3082)으로부터 오퍼레이션(3056)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3056)은 이 순서도의 오퍼레이션을 끝낸다.
실행 로그(performance logs)는 실행값과 함께 만들어질 수 있으며, 방향 전환은 보상 파라미터 콜렉션 요소들을 바꾸는 것을 가이드하도록 실행 로그로부터 결정될 수도 있다는 것을 유념하라.
보상 파라미터 콜렉션 요소는 어쩌면 실행 값을 고려한 실행 로그로부터의 지시에 바탕을 두고 바람직하게도 증가될 수 있다.
읽기-쓰기 헤드, 헤드 슬라이더, 액츄에이터 아암, 보이스 코일 액츄에이터 및 디스크 드라이브를 포함하는 어떤 제품은 ESD 발생 또는 불안정한 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인에 기인한 핀드 층 손상을 보상하기 위해 이러한 방법을 사용할 수 있다.
전술한 실시예들은 예로서 제시되었으며, 다음 청구항들의 범위를 속박하는 것을 의미하지 않는다.
상기한 바와 같이 본 발명은 쓰기 헤드가 읽기 헤드에 발생하는 온도 상승을 유도하도록 유발하는 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 쓰기 전류 공급원을 포함한다. 읽기 헤드내에서의 자기장은 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 레벨 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원에 의해 만들어진다. 읽기 전류 및 쓰기 전류는 적어도 보상을 달성하는 시간동안 유지된다.
따라서, 외부 자석을 요구하지 않음에 의해, 본 발명은 읽기 헤드가 녹는 것을 막을 수 있을 뿐만 아니라 어떤 종래 기술의 접근보다도 덜 비용이 든다.
또한, 외부 자석이 요구되지 않으며 전류 레벨이 정상적인 허용 오차 내이기 때문에, 본 발명은 조립된 디스크 드라이브에서 읽기 헤드를 손상시키는 ESD를 보상할 수 있다.

Claims (29)

  1. 보상 수단 콜렉션을 구비하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치에 있어서,
    융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드에 포함되어 있는 쓰기 헤드에 의해 생성되는 자기장을 컨트롤하도록 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 쓰기 전류 공급원 수단;
    상기 읽기 헤드내에 자기장을 생성하기 위해 상기 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 읽기 전류 공급원 수단;
    적어도 일정 기간동안 상기 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 유지하고 상기 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 유지하는 수단;을 포함하며,
    실행 값을 생성하기 위해 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 실행을 결정하는 수단;
    상기 실행 값이 통과를 나타낼 때, 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드를 통과시키는 수단;
    상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 대, 상기 실행 값에 바탕을 두고 보상 파라미터 콜렉션의 적어도 한 요소를 바꾸는 수단;
    상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 보상 수단 콜렉션을 총괄적으로 오퍼레이팅하는 수단;을 더 구비하며,
    상기 보상 파라미터 콜렉션은 상기 쓰기 레벨 전류, 상기 읽기 레벨 전류 및 상기 일정 시간을 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 바꾸어주는 상기 수단은 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 실행 값을 보상 실행 로그로 로깅(logging)하는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단은,
    보상 방향을 결정하기 위해 상기 보상 실행 로그를 재검토하는 수단; 및
    상기 보상 방향에 바탕을 두고 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 수단;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 손상된 핀드 층을포함할 때 이를 검출하는 수단; 및
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 상기 ESD 발생으로부터 손상된 핀드 층을 포함할 때, 상기 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 수단;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  6. 청구항 1항의 장치를 사용하여, 헤드 슬라이더, 액츄에이터 아암, 보이스 코일 액츄에이터 및 디스크 드라이브를 포함하는 제품 콜렉션 요소에 포함된 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 제품 콜렉션 중의 적어도 한 요소를 만드는 장치.
  7. 디스크 드라이브에 포함되어 있는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하기 위해 청구항 1항의 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브.
  8. 제1항에 있어서, 상기 수단들 중 적어도 하나는 실행 콜렉션의 적어도 한 요소를 구비하며,
    상기 실행 콜렉션은,
    그에 접근하기 쉽게 연결된 메모리에 존재하는 적어도 하나의 프로그램 스텝을 포함하는 프로그램 시스템에 의해 컨트롤되며, 상기 읽기 전류 공급원 및 상기쓰기 전류 공급원을 구비하는 전류 공급원 콜렉션 중 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 컴퓨터;
    상기 전류 공급원 콜렉션 중의 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 한정된 상태의 장치; 및
    상기 전류 공급원 콜렉션의 적어도 한 요소에 조종할 수 있게 연결된 신경망;을 구비하며, 상기 실행 콜렉션 요소는 상기 수단 중 적어도 일부를 실행하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하기 위한 장치.
  9. 읽기 헤드에 온도 상승을 유도하기 위해 쓰기 헤드에 의해 생성된 자기장을 컨트롤하도록 쓰기 차동 신호 쌍에 쓰기 레벨 전류를 적용하는 단계;
    상기 읽기 헤드 내에 자기장을 생성하기 위해 상기 읽기 헤드에 연결된 읽기 차동 신호 쌍에 읽기 바이어스 전류를 적용하는 단계; 및
    적어도 일정 시간동안 상기 쓰기 차동 신호 상에 쓰기 레벨 전류를 유지하고 상기 읽기 차동 신호 쌍에 상기 읽기 바이어스 전류를 유지하는; 단계를 포함하는 보상 스텝 콜렉션을 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  10. 제9항에 있어서, 실행 값을 생성하도록 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드의 실행값을 결정하는 단계;
    상기 실행 값이 통과를 나타낼 때 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를통과시키는 단계;
    상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 실행 값에 바탕을 두고 보상 파라미터 콜렉션의 적어도 하나의 요소를 바꾸는 단계;
    상기 실행 값이 통과를 나타내지 않을 때, 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 단계;를 구비하며,
    상기 보상 파라미터 콜렉션은 상기 쓰기 레벨 전류, 읽기 레벨 전류 및 상기 일정 시간을 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 바꾸는 단계는, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  12. 제11항에 있어서, 보상 실행 로그내로 상기 보상 파라미터 콜렉션과 함께 상기 실행 값을 로깅하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계는,
    보상 방향을 결정하기 위해 상기 보상 실행 로그를 재검토하는 단계; 및
    상기 보상 방향에 바탕을 두고 상기 보상 파라미터 콜렉션 요소를 증가시키는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 손상된 핀드 층을 포함할 때 이를 검출하는 단계;
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드가 상기 ESD 발생으로부터 상기 손상된 핀드 층을 포함할 때 상기 보상 스텝 콜렉션을 총괄적으로 실행하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 쓰기 전류 공급원은 상기 읽기 헤드에 본질적으로 섭씨 온도로 100도의 온도 상승을 유도하도록 쓰기 레벨 전류를 적용하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 쓰기 레벨 전류는 대략 적어도 50mA의 직류인 것을 특징으로 하는 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드 보상 방법.
  17. 청구항 9항의 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 보상하는 방법의 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드를 만드는 방법.
  18. 청구항 17항의 방법에 의해 제조된 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드.
  19. 헤드 슬라이더를 안출하기 위해 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 사용하는 단계; 및
    청구항 9항의 방법을 사용하여 상기 헤드 슬라이더에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤드 슬라이더를 만드는 방법.
  20. 청구항 19항의 방법에 의해 제조된 헤드 슬라이더.
  21. 액츄에이터 아암을 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 포함하는 적어도 하나의 헤드 슬라이더를 사용하는 단계; 및
    청구항 9항의 방법을 사용하여, 상기 액츄에이터 아암에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액츄에이터 아암을 만드는 방법.
  22. 청구항 21항의 방법에 의해 제조된 액츄에이터 아암.
  23. 보이스 코일 액츄에이터를 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드에 포함된 적어도 하나의 액츄에이터 아암을 사용하는 단계; 및
    청구항 9항의 방법을 사용하여, 상기 보이스 코일 액츄에이터에 포함된 상기 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보이스 코일 액츄에이터를 만드는 방법.
  24. 청구항 23항의 방법에 의해 제조된 보이스 코일 액츄에이터.
  25. 디스크 드라이브를 안출하기 위해 적어도 하나의 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드를 포함하는 적어도 하나의 보이스 코일 액츄에이터를 사용하는 단계; 및
    청구항 9항의 방법을 사용하여, 상기 디스크 드라이브에 포함된 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 보상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브를 만드는 방법.
  26. 청구항 25항의 방법에 의해 제조된 디스크 드라이브.
  27. 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들을 보상하기 위해 컴퓨터에 접근하기 쉽게 연결된 메모리에 존재하는 청구항 9항의 방법의 단계를 실행하는 프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 청구항 9항의 방법을 실행하는 프로그램 시스템.
  28. 제27항에 있어서, 상기 컴퓨터는 콜렉션 중 적어도 하나의 요소를 테스트하는 테스트 시스템을 적어도 부분적으로 컨트롤하며,
    상기 콜렉션은,
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나,
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 헤드 슬라이더,
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 액츄에이터 아암 및
    상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 보이스 코일 액츄에이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 시스템.
  29. 제27항에 있어서, 상기 컴퓨터는 상기 융합형 자기 저항 읽기-쓰기 헤드들 중 적어도 하나를 포함하는 디스크 드라이브를 적어도 부분적으로 컨트롤하는 것을 특징으로 하는 프로그램 시스템.
KR10-2003-0008460A 2002-02-11 2003-02-11 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및장치 KR100524945B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/074,614 2002-02-11
US10/074,614 US6593736B1 (en) 2002-02-11 2002-02-11 Method and apparatus stabilizing the magnetic domain of merged magnetoresistive read-write heads using dc write current and read bias current

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030068053A true KR20030068053A (ko) 2003-08-19
KR100524945B1 KR100524945B1 (ko) 2005-10-31

Family

ID=22120542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0008460A KR100524945B1 (ko) 2002-02-11 2003-02-11 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6593736B1 (ko)
KR (1) KR100524945B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101106817B1 (ko) * 2011-10-25 2012-01-19 주식회사 제일기공 믹서기
KR101106919B1 (ko) * 2011-10-25 2012-01-25 주식회사 제일기공 믹서기

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138797B2 (en) * 2004-09-30 2006-11-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Reverse magnetic reset to screen for weakly pinned heads
US8704511B2 (en) 2010-05-18 2014-04-22 International Business Machines Corporation Systems and methods to test and/or recover magnetic sensors with ESD or other damage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5589777A (en) * 1995-06-21 1996-12-31 Hewlett-Packard Company Circuit and method for testing a disk drive head assembly without probing
JP3817935B2 (ja) * 1998-10-02 2006-09-06 Ｔｄｋ株式会社 複合型磁気ヘッドの検査方法及び装置
US6249394B1 (en) * 1999-02-12 2001-06-19 International Business Machines Corporation Method and apparatus for providing amplitude instability data recovery for AMR/GMR heads

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101106817B1 (ko) * 2011-10-25 2012-01-19 주식회사 제일기공 믹서기
KR101106919B1 (ko) * 2011-10-25 2012-01-25 주식회사 제일기공 믹서기

Also Published As

Publication number Publication date
US6593736B1 (en) 2003-07-15
KR100524945B1 (ko) 2005-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5793207A (en) Disk drive with a thermal asperity reduction circuitry using a spin valve sensor
KR100336733B1 (ko) 자기 터널 접합 센서용 저 모멘트/고 보자력 고정층
US6621664B1 (en) Perpendicular recording head having integrated read and write portions
JPH11316917A (ja) 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ
JP2004510326A (ja) 自己無撞着減磁場を有する巨大磁気抵抗センサ
US5737157A (en) Disk drive with a thermal asperity reduction circuitry using a magnetoresistive sensor
KR20010085831A (ko) 쿼드-층 ｇｍｒ 샌드위치
JP2008052819A (ja) 低温でのノイズを抑制する磁気再生方法
US6765770B2 (en) Apparatus and method of making a stabilized MR/GMR spin valve read element using longitudinal ferromagnetic exchange interactions
US20090080125A1 (en) Magnetic head
JPH1125426A (ja) スピンバルブｍｒヘッド及び同ヘッドを搭載した磁気ディスク装置
US7196881B2 (en) Adaptive domain stabilization for magnetic recording read sensors
US5715120A (en) Magnetoresistance sensor with enhanced magnetoresistive effect
KR100532425B1 (ko) 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하는 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 성능 측정을 지지하는 방법및 장치
KR100524945B1 (ko) 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하여 융합형 자기저항 읽기-쓰기 헤드의 자기 도메인을 안정화하는 방법 및장치
US7180714B2 (en) Apparatus for providing a ballistic magnetoresistive sensor in a current perpendicular-to-plane mode
US6120920A (en) Magneto-resistive effect magnetic head
GB2351597A (en) Spin valve sensor magnetic head
JP2002100009A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US6828784B2 (en) Method and apparatus detecting base line popping noise in a read head and stabilizing the magnetic domain of merged magnetoresistive read-write heads using dc write current and read bias current for an assembled disk drive
US20030002230A1 (en) Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a basic magnetic sensitivity is reduced
JPH1196513A (ja) 磁気ヘッド及びこれを有する磁気記憶装置
KR100524982B1 (ko) 직류 쓰기 전류 및 읽기 바이어스 전류를 사용하는 융합형자기저항 읽기-쓰기 헤드의 읽기 헤드에서의 베이스 라인퍼핑 노이즈를 검출하고 자기 도메인을 안정화하는 방법및 장치
US20030002232A1 (en) Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux carrying capacity is increased
US20030002231A1 (en) Reduced sensitivity spin valve head for magnetic tape applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121009

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131010

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee