KR20030057957A - Etching apparatus using a plasma - Google Patents

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윤명식
정용준
이흥상
박재영
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: An etching apparatus using a plasma is provided to prevent a damage of a chamber due to plasma in a plasma etch process by approaching a chamber protection portion to an inner wall of the chamber. CONSTITUTION: An etching apparatus using a plasma includes a chamber(100), a chamber protection portion(102), a plate(104), a gas supply portion(106), and an electrode portion(116). The chamber includes an inner wall having a hanger and performs a plasma etch process. The chamber protection portion has a projection portion coupled to the hanger and prevents a damage of a chamber. The plate is installed in the inside of the chamber and supports a processing target. The gas supply portion supplies an etch gas to the chamber. The electrode portion and the plate face each other. The electrode portion applies RF power to form the etch gas as plasma.

Description

플라즈마 식각 장치{Etching apparatus using a plasma}Plasma Etching Equipment {Etching apparatus using a plasma}

본 발명은 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 식각할 때 상기 플라즈마에 의한 챔버의 손상이 방지되는 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma etching apparatus, and more particularly, to a plasma etching apparatus in which damage to the chamber by the plasma is prevented when etching a wafer using plasma.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed.

또한, 상기 반도체 장치의 고집적화에 따라 회로패턴의 선폭이 더욱 미세해지고 있다. 이러한 미세 패턴 가공기술의 예로서는 식각 기술을 들 수 있다. 상기 식각 기술은 웨이퍼 상에 형성시킨 막들의 소정 부위를 식각하여 상기 막들을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하는 가공하는 기술이다. 그리고, 최근의 식각 기술은 0.15㎛ 이하의 디자인룰(design rule)을 요구하기 때문에 플라즈마를 주로 사용한다.In addition, as the semiconductor device is highly integrated, the line width of the circuit pattern becomes finer. An example of such a fine pattern processing technique is an etching technique. The etching technique is a technique of etching a predetermined portion of the films formed on the wafer to form the films in a pattern having electrical properties. In addition, recent etching techniques require a design rule of 0.15 μm or less, and thus, plasma is mainly used.

상기 플라즈마를 사용하는 식각장치들의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,165,377호(issued Kawahara, et al) 및 미합중국 특허 제6,306,245호(issued Yanagisawa, et al)에는 플라즈마를 사용하여 식각하는 플라즈마 식각장치가 개시되어 있다.As an example of the etching apparatus using the plasma, US Pat. have.

도 1은 종래의 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도 이다.1 is a schematic diagram illustrating a conventional plasma etching apparatus.

도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 식각 장치는 웨이퍼(W) 상에 형성된 피가공막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 식각하기 위한 챔버(10)를 포함한다. 상기 챔버는 플라즈마에의한 식각을 방지하기 위해서 챔버 내부에 알루미늄-아노다이징(AL2O3막)표면처리가 되어있다. 그리고, 상기 챔버 내측 벽에는 라이너(40)가 이격되어 구비된다. 상기 챔버(10)의 상부에는 RF 파워가 인가되는 전극부(20)가 구비된다. 상기 전극부(20)에는 피가공막 식각에 사용되는 식각가스를 플라즈마로 형성할 수 있도록 고전압이 인가된다. 그리고, 챔버(10) 하부에는 웨이퍼(W)가 놓여지고, 바이어스 전력이 인가되는 플레이트(30)가 구비된다.Referring to FIG. 1, the plasma etching apparatus includes a chamber 10 for etching a processed film formed on a wafer W into a pattern having electrical characteristics. The chamber is aluminum-anodized (AL 2 O 3 film) surface treatment inside the chamber to prevent etching by plasma. The liner 40 is spaced apart from the chamber inner wall. An electrode unit 20 to which RF power is applied is provided at the upper portion of the chamber 10. A high voltage is applied to the electrode unit 20 to form an etching gas used for etching the film to be plasma. The wafer W is placed below the chamber 10, and a plate 30 to which bias power is applied is provided.

상기 라이너(40)는 상기 플라즈마에 의한 챔버(10)의 손상을 방지하고, 상기 웨이퍼(W)의 피처리막을 식각할 때 생성되는 반응 부산물이 상기 챔버(10) 내측 벽에 흡착되는 것을 방지하는 역할을 한다.The liner 40 prevents damage to the chamber 10 by the plasma, and prevents reaction by-products generated when etching the target film of the wafer W from being adsorbed to the inner wall of the chamber 10. Play a role.

그러나 상기 라이너(40)는 상기 챔버의 내측 벽에 이격되어 구비되기 때문에 플라즈마 및 식각가스에 누출에 의한 챔버(10)의 손상을 초래할 수 있다. 그리고, 상기 챔버의 내 측벽에는 상기 플라즈마 식각에 의해 생성되는 반응 부산물이 빈번하게 흡착된다.However, since the liner 40 is spaced apart from the inner wall of the chamber, the liner 40 may cause damage to the chamber 10 due to leakage of plasma and etching gas. In addition, reaction by-products generated by the plasma etching are frequently adsorbed to the inner sidewall of the chamber.

그러므로, 상기 챔버 내측 벽에 흡착되는 반응 부산물을 제거하는 클리닝 공정을 수행해야한다. 이 때문에 유지 보수에 소요되는 시간이 연장되고, 상기 챔버 내측 벽에 흡착되는 반응 부산물을 제거하는 클리닝 공정에 의해서 상기 반응 챔버 내벽에 손상이 발생된다.Therefore, a cleaning process must be performed to remove reaction byproducts adsorbed on the chamber inner wall. This prolongs the time required for maintenance and damages the inner wall of the reaction chamber by a cleaning process that removes reaction by-products adsorbed on the inner wall of the chamber.

본 발명의 목적은, 상기 식각 장치에서 플라즈마 식각 공정을 수행할 때 플라즈마에 의한 챔버 손상을 방지하고, 상기 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention, to prevent damage to the chamber by the plasma when performing the plasma etching process in the etching apparatus, and to provide a plasma etching apparatus including the chamber protection.

도 1은 종래의 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a conventional plasma etching apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic diagram illustrating a plasma etching apparatus including a chamber protection unit according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2에 도시된 식각 챔버에 체결되어있는 챔버 보호부를 확대 도시한 구성도이다.FIG. 3 is an enlarged view illustrating a chamber protection unit fastened to the etching chamber shown in FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2에 도시된 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 사용하여 식각 공정을 나타낸 공정도이다.4 is a flowchart illustrating an etching process using a plasma etching apparatus including the chamber protection unit shown in FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 챔버 102 : 챔버 보호부100 chamber 102 chamber protection unit

104 : 플레이트 106 : 가스 공급관104: plate 106: gas supply pipe

108 : 진공 펌프 110 : 진공 라인108: vacuum pump 110: vacuum line

112 : 드로틀 밸브 114 : 게이트 밸브112: throttle valve 114: gate valve

116 : 전극부 W : 피처리물116: electrode portion W: the workpiece

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 걸림 턱이 형성된 내측 벽을 포함하고, 플라즈마 식각 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버의 내측 벽에 밀착되고, 상기 걸림 턱에 억지끼움으로 체결되는 돌출부가 형성되고, 상기 식각공정을 수행할 때 플라즈마로부터 상기 챔버의 손상을 방지하기 위한 챔버 보호부; 상기 챔버 내에 구비되고, 피처리물을 지지하기 위한 플레이트; 상기 챔버 내부로 식각 가스를 제공하기 위한 가스 제공부; 및 상기 플레이트와 마주보도록 배치되고, 상기 식각 가스를 플라즈마로 형성하기 위한 RF 전력이 인가되는 전극부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object comprises a chamber having a locking jaw formed inner wall, the plasma etching process is performed; A chamber protector which is in close contact with the inner wall of the chamber and is formed with a protruding portion fastened to the locking jaw and prevents damage of the chamber from plasma when the etching process is performed; A plate provided in the chamber and configured to support an object to be processed; A gas providing unit for providing an etching gas into the chamber; And an electrode part disposed to face the plate and to which RF power is applied to form the etching gas into a plasma.

따라서, 상기 플라즈마 식각 공정이 수행되는 챔버는, 상기 플라즈마에 의한 챔버 손상을 방지할 수 있도록, 상기 걸림 턱이 형성된 챔버 내측 벽에는 상기 챔버 보호부의 돌출부가 억지끼움으로 체결된다. 이로 인해, 상기 챔버는 식각 공정시 플라즈마에 의한 직접적인 손상을 방지할 수 있다. 그리고, 상기 챔버의 라이프 타임을 장시간 증가시킬 수 있다. 이는, 상기 챔버 보호부가 플라즈마의 의한 챔버의 손상을 대신하기 때문이다.Therefore, in the chamber in which the plasma etching process is performed, the protrusion of the chamber protection part is fastened to the chamber inner wall where the locking jaw is formed so as to prevent damage to the chamber by the plasma. As a result, the chamber may prevent direct damage by plasma during an etching process. And, the life time of the chamber can be increased for a long time. This is because the chamber protector replaces the damage of the chamber by the plasma.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예는 AMT 사 DPS 모델의 플라즈마 식각 장치를 개량하여 나타내고 있다.One embodiment of the present invention is an improvement of the plasma etching apparatus of the AMT DPS model.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic diagram illustrating a plasma etching apparatus including a chamber protection unit according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 챔버보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치가 개시되어 있다.Referring to FIG. 2, a plasma etching apparatus including a chamber protection unit is disclosed.

상기 플라즈마 식각 장치는 상기 플라즈마를 이용하여 피처리물을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 식각하기 위한 챔버(100)를 포함한다. 상기 챔버(100)는 챔버 보호부(102)의 교환이 용이하도록 상부가 개폐되고, 걸림 턱이 형성된 내측 벽을 포함한다.The plasma etching apparatus includes a chamber 100 for etching a workpiece into a pattern having electrical characteristics by using the plasma. The chamber 100 includes an inner wall at which the upper part is opened and closed and a locking jaw is formed to facilitate the exchange of the chamber protection part 102.

그리고, 상기 챔버(100) 내측 벽에는 챔버 보호부(102)와 억지끼움 방식으로 체결시키기 위한 걸림 턱이 형성 되어있다. 그리고, 상기 챔버(100)는 상기 피처리물이 웨이퍼인 경우 원통형으로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 챔버 보호부(102)에는 상기 챔버(100) 내측 벽에 형성된 걸림 턱과 억지끼움 방식으로 체결될 수 있는 돌출부가 형성 되어있다. 상기 걸림 턱이 형성된 챔버(100) 내측 벽과 챔버 보호부(102)의 돌출부에는 가스 누출을 방지하고, 더욱 밀착되게 체결 되도록 오링(200)이 구비된다. 그리고, 상기 챔버 보호부는 상기 챔버와 동일한 재질로 이루어지는데, 알루미늄 재질인 것이 바람직하다. 또한, 상기 아노다이징 처리는 상기 플라즈마를 보다 효과적으로 방어하기 때문에 챔버 보호부의 표면은 아노다이징 처리되는 것이 바람직하다.In addition, a locking jaw is formed on the inner wall of the chamber 100 to fasten the chamber protection part 102 in an interference fit manner. In addition, the chamber 100 may be formed in a cylindrical shape when the workpiece is a wafer. The chamber protection part 102 is provided with a protrusion that can be fastened in a clamping manner with a locking jaw formed on the inner wall of the chamber 100. The O-ring 200 is provided on the inner wall of the chamber 100 in which the locking jaw is formed and the protrusion of the chamber protector 102 to prevent gas leakage and to be tightly coupled. The chamber protector is made of the same material as the chamber, preferably aluminum. In addition, since the anodizing treatment more effectively defends the plasma, the surface of the chamber protection part is preferably anodized.

상기 챔버(100) 내부로 제공되는 식각 가스를 플라즈마 상태로 형성시키기 위한 RF 전력이 제공되는 전극부(116)가 챔버(100) 상부에 구비된다. 그리고, 챔버(100)의 일측 면에는 상기 식각 가스를 제공하는 가스 제공부(106)가 연결되어 있다. 상기 피처리물(W)이 놓여지는 플레이트(104)는 챔버(100) 하부에 위치하고, 전극부(116)와 마주보도록 구비된다.An electrode unit 116 is provided above the chamber 100 to provide RF power to form an etching gas provided into the chamber 100 in a plasma state. In addition, a gas providing unit 106 providing the etching gas is connected to one side of the chamber 100. The plate 104 on which the workpiece W is placed is positioned below the chamber 100 and provided to face the electrode unit 116.

또한, 챔버(100)하부 일 측면에는 챔버(100)내부를 진공 상태로 형성하고, 식각 공정을 진행하는 동안에 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 진공펌프(108)가 연결된다. 그리고, 챔버(100)와 진공펌프(108)를 연결하는 진공 라인(110)에는 챔버(100) 내부의 진공도를 조절하기 위한 드로틀 밸브(112) 및 진공 펌프(108)의 동작에 따라 개폐되는 게이트 밸브(114)가 구비된다.In addition, a vacuum pump 108 for discharging reaction by-products and unreacted gas generated during the etching process is connected to one side of the lower part of the chamber 100 in a vacuum state. In addition, the vacuum line 110 connecting the chamber 100 and the vacuum pump 108 has a gate that opens and closes according to the operation of the throttle valve 112 and the vacuum pump 108 for controlling the degree of vacuum inside the chamber 100. The valve 114 is provided.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2에 도시된 플라즈마 식각장치의 챔버와 일체형으로 체결되어 있는 챔버 보호부를 확대 도시한 구성도이다.3 is an enlarged view illustrating a chamber protection unit integrally fastened with the chamber of the plasma etching apparatus shown in FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 걸림 턱이 형성된 챔버(100) 내측 벽과 억지끼움 방식으로 체결되는 챔버 보호부(102)의 돌출부가 확대되어 도시되어 있다.Referring to FIG. 3, the protrusion of the chamber protector 102 that is fastened in an interference manner with the inner wall of the chamber 100 in which the locking jaw is formed is enlarged.

상기 챔버(100) 내측벽 상부에는 챔버 보호부(102)의 돌출부와 밀착되게 체결하기 위한 걸림 턱이 형성되어있다. 그리고, 상기 챔버 보호부(102)에는 상기 챔버(100) 내측벽 상부에 형성된 걸림 턱과 마주보고, 밀착되게 체결될 수 있는 돌출부가 형성된다. 이에 따라, 상기 챔버 보호부(102)와 챔버(100)는 억지끼움 방식으로 체결되어 상기 플라즈마로부터 챔버를 보호할 수 있다.A locking jaw is formed on the inner wall of the chamber 100 so as to be in close contact with the protrusion of the chamber protection part 102. In addition, the chamber protection part 102 is provided with a protrusion that faces the locking jaw formed on the upper side of the inner wall of the chamber 100 and may be tightly fastened. Accordingly, the chamber protector 102 and the chamber 100 may be fastened in an interference fit manner to protect the chamber from the plasma.

그리고, 상기 챔버 내측벽 상부에 형성된 걸림 턱에는 상기 챔버보호부(102)의 돌출부와 빈틈없이 체결될 수 있도록 오링(200)이 구비된다. 또한, 상기 챔버 보호부(102)의 돌출부에는 챔버의 상부 면과 빈틈없이 밀착되게 체결되어 가스누출이 발생하지 않도록 오링(200)이 구비된다. 그리고, 상기 챔버(100)의 상부는 클리닝 공정 및 유지 보수를 위해 개폐될 수 있다. 상기 챔버 보호부(102)는 플라즈마 식각 공정에서 체적의 변화 및 리크(Leak) 현상이 발생되지 않도록 챔버와 같은 알루미늄 재질로 형성된다. 상기 챔버 보호부(102)는 알루미늄 아노다이징 처리되어 플라즈마에 의한 식각에 대해 큰 저항성을 갖고있다.In addition, the locking jaw formed on the upper side of the chamber inner wall is provided with an O-ring 200 so as to be tightly coupled with the protrusion of the chamber protection part 102. In addition, the protruding portion of the chamber protection part 102 is provided with an O-ring 200 so as to be in close contact with the upper surface of the chamber so as to prevent gas leakage. In addition, the upper portion of the chamber 100 may be opened and closed for a cleaning process and maintenance. The chamber protection part 102 is formed of an aluminum material such as a chamber so that a volume change and a leak phenomenon do not occur in the plasma etching process. The chamber protection part 102 is aluminum anodized to have a great resistance to etching by plasma.

그러나, 상기 챔버 보호부(102)도 장시간 동안 플라즈마 식각 공정의 플라즈마에 노출되면 손상을 입는다. 하지만 상기 챔버 보호부(102)는 챔버에 비해 저비용의 소모품이므로 새로이 교체가 가능하다.However, the chamber protection part 102 is also damaged when exposed to the plasma of the plasma etching process for a long time. However, since the chamber protection unit 102 is a lower cost consumable than the chamber, it is newly replaceable.

이하, 상기 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 사용하는 일 예로서, 웨이퍼 상에 형성된 피가공막을 식각하는 공정을 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, as an example of using the plasma etching apparatus including the chamber protection unit, a process of etching the processed film formed on the wafer will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4은 도 2에 도시된 챔버 보호부를 포함하는 플라즈마 식각 장치를 사용하여 웨이퍼 상의 피가공막을 식각하는 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart for describing a process of etching a processing film on a wafer by using a plasma etching apparatus including the chamber protection unit illustrated in FIG. 2.

도 4를 참조하여 상기 플라즈마 식각 공정을 설명하면 다음과 같다.The plasma etching process will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 이송 로봇에 의해 챔버 보호부가 구비된 챔버 내부로 이송된 웨이퍼가 하부 전극에 구비되는 리프트 핀의 승하강 동작에 의해 상기 하부 전극에 로딩된다. 여기서, 상기 웨이퍼 상에는 특정 패턴으로 형성하기 위한 피가공막이 형성된다.(S100)First, a wafer transferred into a chamber provided with a chamber protection part by a transfer robot is loaded on the lower electrode by a lifting operation of a lift pin provided on the lower electrode. Here, a processed film for forming a specific pattern is formed on the wafer. (S100)

이어서, 상기 챔버와 연결된 진공 펌프에 의해 챔버 내부의 압력과 온도가 식각공정의 분위기에 알맞게 조성된다.(S200)Subsequently, the pressure and the temperature inside the chamber are formed to suit the atmosphere of the etching process by the vacuum pump connected to the chamber.

그리고, 가스 공급관을 통해 식각 가스와, 상기 식각 가스의 운반, 미반응 가스 및 반응 부산물의 배기 및 챔버 내부의 압력 조절 등의 목적으로 제공되는 캐리어 가스가 챔버 내부로 제공된다.(S300)Then, the etching gas and the carrier gas, which is provided for the purpose of transporting the etching gas, exhausting unreacted gas and reaction by-products and adjusting pressure in the chamber, are provided through the gas supply pipe (S300).

그리고, 전극부에 상기 가스들을 플라즈마 상태로 형성시키기 위한 RF 전력이 인가되고, 웨이퍼가 놓여지는 플레이트에 상기 플라즈마를 웨이퍼 상으로 유도하기 위한 바이어스 전력이 인가된다.(S400)RF power for forming the gases in the plasma state is applied to the electrode unit, and bias power for inducing the plasma onto the wafer is applied to the plate on which the wafer is placed (S400).

상기 RF 전력의 인가에 따라 형성된 이온 또는 라디칼(radical) 상태인 플라즈마는 웨이퍼 상의 피가공막과 반응하여 식각이 이루어져 패턴이 형성된다. 이때, 상기 반응에서 발생되는 미반응 가스 및 반응 부산물들은 진공 펌프의 작동에 의해 챔버 외부로 배출된다.(S500)Plasma in an ionic or radical state formed by the application of the RF power is etched by reacting with the processed film on the wafer to form a pattern. At this time, unreacted gas and reaction by-products generated in the reaction are discharged to the outside of the chamber by the operation of the vacuum pump (S500).

상기와 같은 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정이 종료된 후, 패턴이 형성된 웨이퍼는 하부전극에 구비되어지는 리프트 핀에 의해 언로딩되고, 이송로봇에 의해 챔버 외부로 이송된다.(S600)After the dry etching process using the plasma is completed, the wafer on which the pattern is formed is unloaded by the lift pin provided on the lower electrode, and transferred to the outside of the chamber by the transfer robot (S600).

상기와 같이 챔버 보호부가 상기 챔버의 내측 벽에 면접되게 체결된 챔버는 상기 플라즈마 식각 공정시 플라즈마에 의한 손상이 방지된다. 이는 챔버 보호부가 상기 챔버의 보호막 역할을 하기 때문이다. 그리고 상기 웨이퍼를 식각할 때 발생되는 반응 부산물이 상기 챔버 보호부에 흡착되게 함으로서, 상기 챔버를 유지 보수할 때 상기 챔버 보호보를 따로 분리하여서 상기 챔버 보호부에 흡착되어 있는반응 부산물을 손쉽게 제거할 수 있다. 이로 인해 챔버의 라이프 타임의 증가, 부품 유지비용의 감소, 및 챔버 내측 벽의 손상을 방지할 수 있다As described above, the chamber in which the chamber protection part is interviewed to the inner wall of the chamber is prevented from being damaged by the plasma during the plasma etching process. This is because the chamber protector acts as a protective film of the chamber. In addition, by allowing the reaction by-products generated when etching the wafer to be adsorbed to the chamber protector, the chamber by separating the chamber guard when the chamber is maintained, can easily remove the reaction by-products adsorbed on the chamber protector. have. This prevents increased chamber life, reduced component maintenance costs, and damage to the chamber inner wall.

상기와 같은 본 발명에 의하면 챔버 보호부를 포함하는 식각장치는 플라즈마 식각 공정시 챔버의 플라즈마 손상을 방지할 수 있다. 이는 상기 챔버 보호부가 챔버 내측 벽에 면접되게 형성되어 상기 플라즈마에 의한 손상을 대신하기 때문이다.According to the present invention as described above, the etching apparatus including the chamber protection unit can prevent the plasma damage of the chamber during the plasma etching process. This is because the chamber protector is formed to be interviewed with the chamber inner wall to replace the damage by the plasma.

그러므로, 상기 챔버 보호부에 플라즈마에 의한 식각이 발생하여 손상을 받더라도 챔버 전체를 교체하지 않고 단지 식각에 의한 손상이 발생한 챔버 보호부만을 분리하여 교체할 수 있다. 이로 인해, 상기 챔버의 라이프 타임을 증가되고, 비용 및 정비 주기가 연장되어 상기 플라즈마 식각 장치의 가동률이 향상된다.Therefore, even if the chamber protection part is damaged by the etching caused by the plasma, it is possible to remove and replace only the chamber protection part in which the damage due to etching is performed without replacing the entire chamber. This increases the life time of the chamber, prolongs the cost and maintenance intervals, thereby improving the operation rate of the plasma etching apparatus.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (3)

걸림 턱이 형성된 내측 벽을 포함하고, 플라즈마 식각 공정이 수행되는 챔버;A chamber including an inner wall having a locking jaw formed therein and performing a plasma etching process; 상기 챔버의 내측 벽에 밀착되고, 상기 걸림 턱에 억지끼움으로 체결되는 돌출부가 형성되고, 상기 식각을 수행할 때 플라즈마로부터 상기 챔버가 손상되는 것을 방지하기 위한 챔버 보호부;A chamber protector which is in close contact with the inner wall of the chamber and is provided with a protrusion that is fastened to the locking jaw and prevents the chamber from being damaged from plasma when the etching is performed; 상기 챔버 내에 구비되고, 피처리물을 지지하기 위한 플레이트;A plate provided in the chamber and configured to support an object to be processed; 상기 챔버 내부로 식각 가스를 제공하기 위한 가스 제공부; 및A gas providing unit for providing an etching gas into the chamber; And 상기 플레이트와 마주보도록 배치되고, 상기 식각 가스를 플라즈마로 형성하기 위한 RF 전력이 인가되는 전극부를 포함하는 플라즈마 식각 장치.And an electrode part disposed to face the plate and to which RF power is applied to form the etching gas into a plasma. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 원통형 챔버이고, 상기 걸림 턱은 상기 원통형 챔버 내측 상부 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.The plasma etching apparatus of claim 1, wherein the chamber is a cylindrical chamber, and the locking jaw is formed on an inner upper surface of the cylindrical chamber. 제1항에 있어서, 상기 챔버 보호부는 상기 챔버와 동일한 재질로 형성되고, 그 표면에는 플라즈마에 의한 손상을 최소화하기 위한 아노다이징 처리가 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.The plasma etching apparatus of claim 1, wherein the chamber protector is formed of the same material as the chamber, and anodized to minimize damage caused by plasma.
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