KR20030057207A - 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 123
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/133553—Reflecting elements
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133502—Antiglare, refractive index matching layers
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133519—Overcoatings
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- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
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Abstract
Description
Claims (22)
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 형성된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극;상기 게이트 배선 및 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 액티브층;상기 액티브층 상부의 오믹 콘택층;상기 오믹 콘택층 상부에 형성되어 있고, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과 상기 게이트 전극을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극;상기 데이터 배선과 상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 물질로 이루어진 제 1 보호층;상기 제 1 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고, 불투명 도전 물질로 이루어진 반사판;상기 반사판 상부에 형성되고 상기 제 1 보호층과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지며, 톱니 모양으로 이루어진 제 2 보호층;상기 제 2 보호층 상부에 형성되어 있으며, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 투명 전극;상기 제 1 기판 상부에 상기 제 1 기판과 일정 간격 이격되어 있는 제 2 기판;상기 제 2 기판 하부에 형성되어 있으며, 상기 투명 전극의 가장자리를 덮고 있는 블랙 매트릭스;상기 블랙 매트릭스 하부에 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 형성되어 있는 컬러필터;상기 컬러필터 하부에 형성되어 있는 공통 전극;상기 투명 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 형성된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극;상기 게이트 배선 및 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 액티브층;상기 액티브층 상부의 오믹 콘택층;상기 오믹 콘택층 상부에 형성되어 있고, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과 상기 게이트 전극을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극;상기 데이터 배선과 상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 물질로 이루어진보호층;상기 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고, 불투명 도전 물질로 이루어진 반사판;상기 반사판 상부의 화소 영역에 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 보호층과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지며 톱니 모양으로 이루어진 컬러필터;상기 컬러필터 상부에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 투명 전극;상기 제 1 기판 상부에 상기 제 1 기판과 일정 간격 이격되어 있는 제 2 기판;상기 제 2 기판 하부에 형성되어 있는 공통 전극;상기 투명 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 반사판 상부에 형성되어 있고 상기 화소 영역에 대응하는 부분에 개구부를 가지며, 톱니 모양으로 이루어진 블랙 매트릭스;
- 제 2 항에 있어서,상기 컬러필터는 상기 제 2 기판보다 작은 굴절률을 가지는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 보호층은 상기 제 2 기판보다 작은 굴절률을 가지는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제 2 기판과 상기 액정층은 동일한 굴절률을 가지는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 톱니 모양은 일면이 타면보다 완만한 경사를 가지는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명 전극과 상기 공통 전극은 동일한 물질로 이루어진 반사형 액정 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 투명 전극과 상기 공통 전극은 인듐-틴-옥사이드로 이루어진 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 보호층은 벤조사이클로부텐으로 이루어진 반사형 액정 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 투명 전극은 상기 데이터 배선과 중첩하는 반사형 액정 표시 장치.
- 제 1 기판 위에 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 배선 및 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계;상기 오믹 콘택층 상부에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과 상기 게이트 전극을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 데이터 배선과 상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 물질로 제 1 보호층을 형성하는 단계;상기 제 1 보호층 상부의 화소 영역에 불투명 도전 물질로 반사판을 형성하는 단계;상기 반사판 상부에 상기 제 1 보호층과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지며, 톱니 모양으로 이루어진 제 2 보호층을 형성하는 단계;상기 제 2 보호층 상부에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되고, 톱니 모양을 가지는 투명 전극을 형성하는 단계;제 2 기판 위에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;상기 블랙 매트릭스 상부에 적, 녹, 청의 컬러필터를 형성하는 단계;상기 컬러필터 상부에 공통 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극이 형성된 제 1 기판과 상기 공통 전극이 형성된 제 2 기판을 배치하는 단계;상기 배치된 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 1 기판 위에 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 배선 및 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계;상기 오믹 콘택층 상부에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과 상기 게이트 전극을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 데이터 배선과 상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 물질로 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층 상부의 화소 영역에 불투명 도전 물질로 반사판을 형성하는 단계;상기 반사판 상부에 상기 보호층과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지며, 톱니 모양으로 이루어진 적, 녹, 청의 컬러필터를 형성하는 단계;상기 컬러필터 상부에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 투명 전극을 형성하는 단계;제 2 기판 상부에 공통 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극이 형성된 제 1 기판과 상기 공통 전극이 형성된 제 2 기판을 배치하는 단계;상기 배치된 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 반사판을 형성하는 단계와 상기 컬러필터를 형성하는 단계 사이에 상기 데이터 배선 상부의 보호층 위에 위치하며, 톱니 모양을 가지는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 컬러필터는 상기 제 2 기판보다 작은 굴절률을 가지는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 보호층은 상기 제 2 기판보다 작은 굴절률을 가지는 반사형 액정표시 장치의 제조 방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 제 2 기판과 상기 액정층은 동일한 굴절률을 가지는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 톱니 모양은 일면이 타면보다 완만한 경사를 가지는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 투명 전극과 상기 공통 전극은 동일한 물질로 이루어지는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 투명 전극과 상기 공통 전극은 인듐-틴-옥사이드로 이루어지는 반사형액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 보호층은 벤조사이클로부텐으로 이루어지는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 투명 전극은 상기 데이터 배선과 중첩하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010087596A KR100776940B1 (ko) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010087596A KR100776940B1 (ko) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030057207A true KR20030057207A (ko) | 2003-07-04 |
KR100776940B1 KR100776940B1 (ko) | 2007-11-21 |
Family
ID=32215322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010087596A KR100776940B1 (ko) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100776940B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100776940B1 (ko) | 2007-11-21 |
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