KR20030056396A - A non-volatile memory device capable of preventing reading and writing - Google Patents

A non-volatile memory device capable of preventing reading and writing Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A non-volatile memory device provided with read/write protection function is provided to protect a read/write operation by using a memory module in constant voltage and using a protection module in inverse voltage. CONSTITUTION: A non-volatile memory device(100) provided with a read/write protection function includes a conventional non-volatile memory module(102), a protection module(104) and a power module(106). In the non-volatile memory device(100), the address signal(ADR), a data signal(DATA) and a control signal(CTR) are used for interfacing with outside. The non-volatile memory module(102) operates only when the power voltage is a constant voltage. And, the protection module(104) is operated as the protection mode when the power voltage is the constant voltage, and the protection module(104) is operated as the record mode when the power voltage is an inverse voltage.

Description

읽기/쓰기 방지 기능이 있는 비휘발성 메모리 장치{A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE CAPABLE OF PREVENTING READING AND WRITING}A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE CAPABLE OF PREVENTING READING AND WRITING}

본 발명은 비휘발성 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 읽기/쓰기 방지 기능이 있는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a nonvolatile memory device, and more particularly to a nonvolatile memory device having a read / write protection function.

종래의 비휘발성 메모리 장치는 읽기/쓰기 방지 기능이 없어서 비휘발성 메모리 장치에 저장되어 있는 내용에 대한 임의 복사, 삭제, 또는 변경이 일반적인 방법으로도 가능하였다. 따라서 비휘발성 메모리 장치에 저장된 데이터를 재산권으로서 보호받고자 할 경우 이를 장치 수준에서 구현할 방법이 없었다.The conventional nonvolatile memory device does not have a read / write protection function, and thus it is possible to copy, delete, or change contents stored in the nonvolatile memory device in a general manner. Therefore, if the data stored in the nonvolatile memory device is to be protected as a property right, there is no way to implement it at the device level.

본 발명은 이러한 문제의 해결을 위해 제안된 것으로서, 완전히 상용제품과 호환되며, 소프트웨어 공급자가 임의로 쓰기/읽기 방지를 할 수 있는 비휘발성 메모리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve this problem, and is an object of the present invention to provide a nonvolatile memory device that is fully compatible with a commercial product and which can be arbitrarily written / read protected by a software supplier.

도 1은 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치의 블록도.1 is a block diagram of a nonvolatile memory device according to the present invention;

도 2는 도 1의 보호 모듈의 구성도.2 is a configuration diagram of the protection module of FIG.

이러한 목적을 구현하기 위한 본 발명은 읽기/쓰기 방지 기능이 있는 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 전원전압이 정전압인 경우에만 동작하는 메모리 모듈과, 전원전압이 정전압인 경우 특정 번지 요구시에 보호 모드로 가며 및 역전압인 경우 기록 모드로 가는 보호 모듈을 구비하는 것을 특징으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a memory module that operates only when a power supply voltage is a constant voltage, and a protection mode when a specific address is requested when the power supply voltage is a constant voltage. And a protection module for going to a recording mode in the case of a low voltage and a reverse voltage.

상기 보호 모듈은 전원전압이 정전압인 경우 상기 특정 번지의 바로 앞 번지에서 상기 특정 번지의 다음 번지로 점프하도록 하는 것이 바람직하다. 상기 보호 모듈은 상기 특정 번지를 저장하는 보호 어드레스 레지스터와, 상기 비휘발성 메모리 외부로부터 제공되는 어드레스와 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장되어 있는 특정 어드레스를 비교하는 어드레스 비교기와, 상기 어드레스 비교기에서의 비교 결과 두 어드레스가 동일하면 전원전압이 정전압인 경우 보호 모드를 구동하며, 전원전압이 역전압인 경우 상기 외부로부터 제공되는 어드레스를 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장하는 보호 모듈 구동기를 구비할 수 있다.When the power supply voltage is a constant voltage, the protection module preferably jumps from the address immediately before the specific address to the next address of the specific address. The protection module includes a protection address register for storing the specific address, an address comparator for comparing an address provided from the outside of the nonvolatile memory with a specific address stored in the protection address register, and a result of the comparison in the address comparator. If the addresses are the same, the protection mode driver may be driven when the power supply voltage is a constant voltage, and the protection module driver may store an address provided from the outside in the protection address register when the power supply voltage is a reverse voltage.

상기 보호 모드에서는 전원 단자가 단락되거나, 전원전압이 끊어질 때까지 데이터 단자가 접지되는 것이 바람직하다.In the protection mode, the data terminal is preferably grounded until the power supply terminal is shorted or the power supply voltage is cut off.

이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 비휘발성 메모리 장치에 임의로 읽기 또는 쓰기하는 것을 방지할 수 있다. 이의 결과로 소프트웨어 제공자는 본 발명의 구성과 같은 비휘발성 메모리 장치를 이용하여 자신의 소프트웨어를 제공함으로써 타인에 의해 자신의 소프트웨어가 불법적으로 복제되는 것을 방지할 수 있게 된다.According to the configuration of the present invention as described above, it is possible to prevent the arbitrary read or write to the nonvolatile memory device. As a result of this, the software provider can provide his / her own software using a nonvolatile memory device such as the configuration of the present invention, thereby preventing the illegal copying of his software by others.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 설명의 일관성을 위하여 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소 및 신호를 가리키는 것으로 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; In the drawings, the same reference numerals are used to refer to the same or similar components and signals for the sake of consistency of description.

도 1은 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치의 블록도이다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 비휘발성 메모리 장치(100)는 통상적인 비휘발성 메모리 모듈(102)과 보호 모듈(104)과 전원 모듈(106)로 이루어진다. 비휘발성 메모리 장치(100)는 어드레스 신호(ADR)와 데이터 신호(DATA)와 제어 신호(CTR)를 이용하여 외부와 인터페이스한다.1 is a block diagram of a nonvolatile memory device according to the present invention. As shown in FIG. 1, the nonvolatile memory device 100 includes a conventional nonvolatile memory module 102, a protection module 104, and a power supply module 106. The nonvolatile memory device 100 interfaces with the outside by using the address signal ADR, the data signal DATA, and the control signal CTR.

전원 모듈(106)에서 전원전압(VCC)은 다이오드(D1)를 경유하여 메모리 모듈(102)의 전원단자(pwr_m)로 제공되고, 다이오드(D3)를 경유하여 보호 모듈(104)의 정전압 전원단자(pwr_pn)로 제공되고, 다이오드(D5)를 경유하여 보호 모듈(104)의 역전압 접지단자(gnd-pr)로 제공된다. 한편 접지전압(GND)은 다이오드(D2)를 경유하여 메모리 모듈(102)의 접지단자(gnd_m)로 제공되고, 다이오드(D4)를 경유하여 보호 모듈(104)의 역전압 전원단자(pwr_pr)로 제공되고, 다이오드(D6)를 경유하여 보호 모듈(104)의 정전압 접지단자(gnd-pn)로 제공된다. 이러한 전원 모듈(106)에 의하여 메모리 모듈(102)은 정전압에서 구동하며, 보호 모듈(104)은 정전압 및 역전압 모두에서 구동한다.In the power supply module 106, the power supply voltage VCC is provided to the power supply terminal pwr_m of the memory module 102 via the diode D1, and the constant voltage power supply terminal of the protection module 104 is provided via the diode D3. Pwr_pn and a reverse voltage ground terminal gnd-pr of the protection module 104 via the diode D5. Meanwhile, the ground voltage GND is provided to the ground terminal gnd_m of the memory module 102 via the diode D2 and to the reverse voltage power supply terminal pwr_pr of the protection module 104 via the diode D4. And to the constant voltage ground terminal gnd-pn of the protection module 104 via the diode D6. The memory module 102 is driven at a constant voltage by the power supply module 106, and the protection module 104 is driven at both a constant voltage and a reverse voltage.

도 2는 도 1의 보호 모듈의 구성도이다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 어드레스 비교기(202)와 보호 어드레스 레지스터(204)와 보호 모듈 구동기(206)로 이루어져 있다.2 is a configuration diagram of the protection module of FIG. 1. As shown in FIG. 2, an address comparator 202, a protection address register 204, and a protection module driver 206 are formed.

먼저 보호 어드레스 레지스터(204)는 보호하려는 특정 어드레스를 저장한다.어드레스 비교기(202)는 비휘발성 메모리 외부로부터 제공되는 어드레스(ADR)와 보호 어드레스 레지스터(204)에 저장되어 있는 어드레스를 비교한다. 보호 모듈 구동기(206)는 어드레스 비교기(202)에서의 비교 결과 두 어드레스가 동일하면 전원전압이 정전압인 경우 보호 모드를 구동하며, 전원전압이 역전압인 경우 외부로부터 제공되는 어드레스를 보호 어드레스 레지스터(204)에 저장한다. 즉, 보호 모듈(104)은 전원전압이 정전압인 경우 특정 번지 요구시에 보호 모드로 가며, 전원전압이 역전압인 경우 기록 모드로 간다. 보호 모드에서는 전원 단자가 단락되거나, 전원전압이 끊어질 때까지 데이터 단자가 접지되도록 할 수 있다. 또한 보호 모듈(104)은 전원전압이 정전압인 경우 보호 어드레스 레지스터(204)에 저장되어 있는 보호 번지의 바로 앞 번지에서 보호 번지의 다음 번지로 점프하도록 하는 점프 명령이 수행되도록 한다.First, the protection address register 204 stores a specific address to be protected. The address comparator 202 compares an address ADR provided from outside the nonvolatile memory with an address stored in the protection address register 204. The protection module driver 206 drives the protection mode when the power supply voltage is a constant voltage when the two addresses are the same as a result of the comparison in the address comparator 202. The protection module driver 206 stores an address provided from the outside when the power supply voltage is the reverse voltage. 204). That is, the protection module 104 goes to the protection mode when a specific address request is made when the power supply voltage is a constant voltage, and to the write mode when the power supply voltage is a reverse voltage. In protected mode, the data terminals can be grounded until the power supply terminals are shorted or the supply voltage is disconnected. In addition, when the power supply voltage is a constant voltage, the protection module 104 causes a jump instruction to jump from the address immediately preceding the protection address stored in the protection address register 204 to the next address of the protection address.

다음에는 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명의 동작을 설명한다. 메모리 모듈(102)은 정전압에서만 동작한다. 반면 보호 모듈(104)은 정전압과 역전압에서 모두 동작한다. 즉, 역전압에서는 보호 모듈(104)만 동작한다. 보호 모듈(104)에서 역전압이 인가되면 보호 모듈(104)에의 쓰기가 가능하다. 어드레스 비교기(202)가 외부에서 인가되는 어드레스(ADR)와 보호 어드레스에 저장되어 있는 보호 어드레스를 비교하여 두 어드레스가 동일하면 기록 상태로 다시 바뀌고, 외부로부터 인가되는 어드레스를 보호 어드레스 레지스터(204)에 저장한다. 보호 모듈(104)에 정전압이 인가되면 기록 모드로 들어가지 않는다. 그리고 보호 모듈(104)에 정전압이 인가되고 어드레스 레지스터(204)에 저장되어 있는 보호 어드레스가 요구되면 보호모드로 들어간다. 또한 정상적인 데이터 읽기시에 보호 모드로 전환되지 않도록 저장된 어드레스의 바로 앞 어드레스에는 점프 명령이 들어 있어서 보호된 어드레스가 읽히지 않도록 한다. 보호 모드에서는 전원 단자를 단락시켜 시스템에 심각한 부하를 주는 방법과, 전원이 끊어질 때까지 데이터 라인을 접지시켜서 모든 데이터가 0이 나오도록 하는 방법 등이 있다.Next, the operation of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The memory module 102 operates only at a constant voltage. In contrast, the protection module 104 operates at both constant and reverse voltages. In other words, only the protection module 104 operates at the reverse voltage. When a reverse voltage is applied from the protection module 104, writing to the protection module 104 is possible. The address comparator 202 compares the address ADR applied from the outside with the protection address stored in the protection address, and if the two addresses are the same, the address comparator 202 changes to the write state, and the address applied from the outside is stored in the protection address register 204. Save it. When a constant voltage is applied to the protection module 104, it does not enter the recording mode. When a constant voltage is applied to the protection module 104 and a protection address stored in the address register 204 is requested, the protection mode 104 enters the protection mode. In addition, a jump instruction is included in the address immediately before the stored address so that the protected address is not read when the normal data is read. In protected mode, you can short the power terminals to put a serious load on the system, or ground the data lines until the power is turned off so that all data is zero.

여기서 설명된 실시예들은 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 실시할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아니다. 따라서 당업자들은 본 발명의 범위 안에서 다양한 변형이나 변경이 가능함을 주목하여야 한다. 본 발명의 범위는 원칙적으로 후술하는 특허청구범위에 의하여 정하여진다.The embodiments described herein are merely intended to enable those skilled in the art to easily understand and practice the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention. Therefore, those skilled in the art should note that various modifications or changes are possible within the scope of the present invention. The scope of the invention is defined in principle by the claims that follow.

이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 비휘발성 메모리 장치에 임의로 읽기 또는 쓰기하는 것을 방지할 수 있다. 이의 결과로 소프트웨어 제공자는 본 발명의 구성과 같은 비휘발성 메모리 장치를 이용하여 자신의 소프트웨어를 제공함으로써 타인에 의해 자신의 소프트웨어가 불법적으로 복제되는 것을 방지할 수 있게 된다.According to the configuration of the present invention as described above, it is possible to prevent the arbitrary read or write to the nonvolatile memory device. As a result of this, the software provider can provide his / her own software using a nonvolatile memory device such as the configuration of the present invention, thereby preventing the illegal copying of his software by others.

Claims (8)

읽기/쓰기 방지 기능이 있는 비휘발성 메모리 장치에 있어서,A nonvolatile memory device having a read / write protection function, 전원전압이 정전압인 경우에만 동작하는 메모리 모듈과,A memory module that operates only when the power supply voltage is constant 전원전압이 정전압인 경우 특정 번지 요구시에 보호 모드로 가며 및 역전압인 경우 기록 모드로 가는 보호 모듈을If the power supply voltage is a constant voltage, the protection module goes to the protection mode when the specific address is requested and if the power supply voltage is the reverse voltage, 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.Non-volatile memory device, characterized in that provided. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호 모듈은 전원전압이 정전압인 경우 상기 특정 번지의 바로 앞 번지에서 상기 특정 번지의 다음 번지로 점프하도록 하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.And the protection module is configured to jump from the address immediately before the specific address to the next address of the specific address when the power supply voltage is a constant voltage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호 모듈은The protection module 상기 특정 번지를 저장하는 보호 어드레스 레지스터와,A protection address register for storing the specific address; 상기 비휘발성 메모리 외부로부터 제공되는 어드레스와 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장되어 있는 특정 어드레스를 비교하는 어드레스 비교기와,An address comparator for comparing an address provided from the outside of the nonvolatile memory with a specific address stored in the protection address register; 상기 어드레스 비교기에서의 비교 결과 두 어드레스가 동일하면 전원전압이 정전압인 경우 보호 모드를 구동하며, 전원전압이 역전압인 경우 상기 외부로부터제공되는 어드레스를 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장하는 보호 모듈 구동기를If the two addresses are the same as the result of the comparison in the address comparator, the protection mode driver operates when the power supply voltage is a constant voltage, and stores the address provided from the outside in the protection address register when the power supply voltage is a reverse voltage. 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.Non-volatile memory device, characterized in that provided. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호 모드에서는 전원 단자가 단락되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.And a power terminal shorted in the protection mode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호 모드에서는 전원전압이 끊어질 때까지 데이터 단자가 접지되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.In the protection mode, the data terminal is grounded until the power supply voltage is cut off. 읽기/쓰기 방지 기능이 있는 비휘발성 메모리 장치에 있어서,A nonvolatile memory device having a read / write protection function, 전원전압이 정전압인 경우에만 동작하는 메모리 모듈과Memory module that operates only when the power supply voltage is constant 전원전압이 정전압인 경우 특정 번지 요구시에 보호 모드로 가며 및 역전압인 경우 기록 모드로 가는 보호 모듈을 구비하며,If the power supply voltage is a constant voltage, the protection module is provided to go to the protection mode when a specific address is requested, and to the write mode when the reverse voltage is provided. 상기 보호 모듈은The protection module 상기 특정 번지를 저장하는 보호 어드레스 레지스터와,A protection address register for storing the specific address; 상기 비휘발성 메모리 외부로부터 제공되는 어드레스와 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장되어 있는 특정 어드레스를 비교하는 어드레스 비교기와,An address comparator for comparing an address provided from the outside of the nonvolatile memory with a specific address stored in the protection address register; 상기 어드레스 비교기에서의 비교 결과 두 어드레스가 동일하면 전원전압이정전압인 경우 보호 모드를 구동하며, 전원전압이 역전압인 경우 상기 외부로부터 제공되는 어드레스를 상기 보호 어드레스 레지스터에 저장하는 보호 모듈 구동기를The protection module driver for driving the protection mode when the power supply voltage is a constant voltage when the two addresses are the same as a result of the comparison in the address comparator, and storing the address provided from the outside in the protection address register when the power supply voltage is the reverse voltage. 포함하고,Including, 상기 보호 모듈은 전원전압이 정전압인 경우 상기 특정 번지의 바로 앞 번지에서 상기 특정 번지의 다음 번지로 점프하도록 하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.And the protection module is configured to jump from the address immediately before the specific address to the next address of the specific address when the power supply voltage is a constant voltage. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호 모드에서는 전원 단자가 단락되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.And a power terminal shorted in the protection mode. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호 모드에서는 전원전압이 끊어질 때까지 데이터 단자가 접지되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.In the protection mode, the data terminal is grounded until the power supply voltage is cut off.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543442B1 (en) * 2002-09-06 2006-01-23 삼성전자주식회사 Nonviolation memory system of establishing write-protection blocks

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960012024A (en) * 1994-09-22 1996-04-20 사또 후미오 Nonvolatile semiconductor memory
JPH09198885A (en) * 1996-01-23 1997-07-31 Nec Corp Illegal data writing prevention circuit
KR20000014913U (en) * 1998-12-31 2000-07-25 김영환 Semiconductor memory device
JP2001005729A (en) * 1999-06-24 2001-01-12 Fujitsu Ltd Nonvolatile memory prevented from illegally being read out
KR20010100859A (en) * 2000-03-29 2001-11-14 마찌다 가쯔히꼬 Nonvolatile semiconductor memory device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960012024A (en) * 1994-09-22 1996-04-20 사또 후미오 Nonvolatile semiconductor memory
JPH09198885A (en) * 1996-01-23 1997-07-31 Nec Corp Illegal data writing prevention circuit
KR20000014913U (en) * 1998-12-31 2000-07-25 김영환 Semiconductor memory device
JP2001005729A (en) * 1999-06-24 2001-01-12 Fujitsu Ltd Nonvolatile memory prevented from illegally being read out
KR20010100859A (en) * 2000-03-29 2001-11-14 마찌다 가쯔히꼬 Nonvolatile semiconductor memory device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543442B1 (en) * 2002-09-06 2006-01-23 삼성전자주식회사 Nonviolation memory system of establishing write-protection blocks

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