KR20030047542A - Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus - Google Patents
Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030047542A KR20030047542A KR1020010078192A KR20010078192A KR20030047542A KR 20030047542 A KR20030047542 A KR 20030047542A KR 1020010078192 A KR1020010078192 A KR 1020010078192A KR 20010078192 A KR20010078192 A KR 20010078192A KR 20030047542 A KR20030047542 A KR 20030047542A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- upper ring
- air suction
- main body
- plate
- rotating shaft
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 화학 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP" 라 함)장치의 상부링에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리싱시 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 밀착시키기 위한 하중 인가 매개체로 액체를 사용함으로써 액체의 점성에 의해 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 균형되게 밀착되도록 하며, 구조가 간단하여 유지 및 보수가 용이한 CMP 장치의 상부링에 관한 것이다.The present invention relates to an upper ring of a chemical-mechanical polishing ("CMP") device, and more particularly, by using a liquid as a load applying medium to adhere the wafer surface to a polishing pad during polishing. It relates to a top ring of a CMP device that is made of a viscous liquid to balance the wafer surface to the polishing pad in a balanced manner, and the structure is simple and easy to maintain and repair.
반도체 소자의 집적도의 증가로 인한 소자 크기의 감소와 그에 따른 복잡한 기능의 집적회로 구현을 위해 필요한 다층 접속 공정이 실용화됨에 따라 층간절연막(ILD; Interlayer Dielectric)에 있어서 글로벌(global) 평탄화의 중요성이 더해 가고 있다.Increasing the degree of integration of semiconductor devices reduces the size of the devices and, consequently, the multilayer interconnection process necessary for the implementation of complex functional integrated circuits, has become more and more important for global planarization in interlayer dielectrics (ILDs). I'm going.
평탄화 과정중에 최근에는 CMP 공정이 널리 사용되고 있으며, 이러한 CMP 공정은 화학적인 제거가공과 기계적 제거가공을 하나의 가공방법으로 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다.During the planarization process, the CMP process is widely used in recent years. The CMP process is a chemical removal process and a mechanical removal process, in which a slurry containing abrasives and chemicals is brought into close contact with a polishing pad on a polishing pad using a step method. (Slurry) is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.
종래의 CMP 공정을 수행하기 위한 CMP 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the CMP apparatus for performing a conventional CMP process with reference to the accompanying drawings as follows.
도 1은 종래의 CMP 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 종래의 CMP 장치의 상부링을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional CMP apparatus, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an upper ring of a conventional CMP apparatus.
도시된 바와 같이, 종래의 CMP 장치는 본체(10)의 상측에 일정한 형상으로 형성된 터브(tub;11)를 형성하고, 이 터브(11)의 내측에는 폴리싱플래튼(20;polishing platen)이 설치되며, 이 폴리싱 플래튼(20)의 상측에는 상부링 헤드(30;top ring head) 및 슬러리 공급노즐(40)이 각각 설치된다.As shown, the conventional CMP apparatus forms a tub 11 formed in a predetermined shape on the upper side of the main body 10, and a polishing platen 20 is installed inside the tub 11. On top of the polishing platen 20, a top ring head 30 and a slurry supply nozzle 40 are respectively provided.
폴리싱 플래튼(20)은 상면에 웨이퍼(W)의 표면이 밀착되어 폴리싱이 진행되는 폴리싱 패드(21)가 구비되고, 하측에 회전모타(미도시)에 기계적으로 연결되어 회전모타의 회전력을 제공받는 회전축(22)이 형성되어 있다. 따라서, 폴리싱 플래튼(20)은 웨이퍼(W)의 폴리싱시 회전모타의 구동에 의해 단순한 회전운동을 하게 된다.The polishing platen 20 is provided with a polishing pad 21 on which a surface of the wafer W is closely adhered to the upper surface thereof, and has a polishing pad 21 for polishing. The polishing platen 20 is mechanically connected to a rotating motor (not shown) to provide a rotational force of the rotating motor. The receiving rotating shaft 22 is formed. Therefore, the polishing platen 20 performs a simple rotational motion by driving the rotating motor when polishing the wafer W. FIG.
상부링 헤드(30)는 하측으로 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 장착하는 상부링(31)과 이 상부링(31) 상측에 결합되어 폴리싱시 상부링(31)을 일정한 압력으로 폴리싱 패드(21)에 밀착시킴과 동시에 회전시키거나 폴리싱 패드(21)로 로딩/언로딩시키는 상부링 아암(32)으로 이루어진다.The upper ring head 30 is coupled to the upper ring 31 for vacuum suction of the wafer W to the lower side and the upper ring 31, and the upper ring 31 is polished to a predetermined pressure during polishing. ) And an upper ring arm 32 which rotates at the same time as being in close contact with < RTI ID = 0.0 >) or < / RTI >
상부링(31)은 도 2에서 나타낸 바와 같이, 본체(31a)의 상측에 진공펌프(미도시)에 의해 공기(Air)가 흡입되거나 압축공기 공급부(미도시)로부터 압축공기가 공급되는 경로를 제공하는 공급홀(31b)을 수직으로 형성한 회전축(31c)이 결합된다.As shown in FIG. 2, the upper ring 31 has a path through which air is sucked into the upper portion of the main body 31a by a vacuum pump (not shown) or compressed air is supplied from the compressed air supply unit (not shown). The rotating shaft 31c which vertically provided the supply hole 31b to provide is joined.
본체(31a)는 신축튜브(31d)에 의해 공급홀(31b)과 연통하는 메인관통홀(31e)을 수직으로 관통되게 형성하고, 하측면에 메인관통홀(31e)에 통하도록 복수의 그루브(31f)가 형성됨과 아울러 압력판(31g)이 결합된다.The main body 31a is formed to vertically penetrate through the main through hole 31e communicating with the supply hole 31b by the expansion tube 31d, and has a plurality of grooves so as to pass through the main through hole 31e on the lower side thereof. 31f) is formed and the pressure plate 31g is coupled.
압력판(31g)은 그루브(31f) 각각과 서로 연결되는 복수의 관통홀(31h)을 형성하며, 하단 가장자리에 가이드링(31i)이 결합된다.The pressure plate 31g forms a plurality of through holes 31h connected to each of the grooves 31f, and the guide ring 31i is coupled to the lower edge.
따라서, 상부링(31)이 웨이퍼(W)를 진공흡착시는 진공펌프에 의해 압력판(31g)의 관통홀(31h)을 통해 공기가 흡입되며, 폴리싱 실시시 압축공기 공급부로부터 압력판(31g)의 관통홀(31h)을 통해 압축공기가 공급됨으로써 웨이퍼(W)가 폴리싱 패드(21)에 압착된다.Therefore, when the upper ring 31 vacuum-adsorbs the wafer W, air is sucked through the through-hole 31h of the pressure plate 31g by the vacuum pump, and when the polishing is carried out, the pressure plate 31g is removed from the compressed air supply. The compressed air is supplied through the through hole 31h to compress the wafer W to the polishing pad 21.
한편, 본체(31a)와 회전축(31c)의 연결부위에는 볼(31j)이 개재되어 있으며, 이 볼(31j)은 회전축(31c)으로부터 본체(31a)에 장착된 웨이퍼(W)의 표면이 폴리싱 패드(21)에 밀착되도록 한다.On the other hand, a ball 31j is interposed between the main body 31a and the rotating shaft 31c, and the ball 31j is polished from the rotating shaft 31c by the surface of the wafer W mounted on the main body 31a. It is in close contact with the pad 21.
상부링 아암(32)은 미도시된 구동모타, 타이밍벨트, 공압실린더 등으로 구성되는 구동수단에 의해 상부링(31)을 폴리싱 패드(21)로 로딩/언로딩시키거나 상부링(31)을 폴리싱 패드(21)에 일정한 압력으로 밀착시켜 회전시킨다.The upper ring arm 32 loads / unloads the upper ring 31 into the polishing pad 21 by a driving means composed of a drive motor, a timing belt, a pneumatic cylinder, and the like, which are not shown. The polishing pad 21 is rotated in close contact with a predetermined pressure.
슬러리 공급노즐(40)은 웨이퍼(W)의 폴리싱시 폴리싱 패드(21)에 슬러리를 공급한다.The slurry supply nozzle 40 supplies a slurry to the polishing pad 21 during polishing of the wafer W.
이와 같은 CMP 장치는 웨이퍼를 폴리싱시 상부링이 웨이퍼의 표면을 폴리싱 패드에 밀착시키기 위한 하중 인가 매개체로 압축공기를 공급하고 있어 웨이퍼 표면에 인가되는 하중이 균형을 이루지 못할 뿐만 아니라 웨이퍼 표면이 폴리싱 패드에 균일하게 밀착되지 못함으로써 웨이퍼의 폴리싱이 불균일하여 후속 공정시 웨이퍼의 결함을 발생시키는 원인이 되며, 압축공기를 압력판의 하측으로 균일하게 공급하기 위하여 상부링의 구조가 복잡해짐으로써 유지 및 보수에 많은 비용과 노력이 소요되는 문제점을 가지고 있었다.In the CMP apparatus, when the wafer is polished, the upper ring supplies compressed air as a load applying medium for bringing the surface of the wafer into close contact with the polishing pad, so that the load applied to the surface of the wafer is not balanced. Non-uniform adhesion of the wafer causes non-uniform polishing of the wafer, resulting in defects in the wafer during the subsequent process, and complicated structure of the upper ring to uniformly supply compressed air to the lower side of the pressure plate. There was a problem that cost a lot of money and effort.
물론, 상부링의 본체와 회전축에 개재된 볼에 의해 본체에 장착된 웨이퍼의표면이 폴리싱 패드에 밀착되도록 하고 있으나, 이는 상부링의 구조를 복잡하게 할 뿐만 아니라 하중 인가 매개체로 사용하는 압축공기의 특성상 웨이퍼의 불균형한 폴리싱을 방지하는데 근본적인 대책이 되지 못하는 문제점을 여전히 가지고 있었다.Of course, the surface of the wafer mounted on the main body is brought into close contact with the polishing pad by the ball interposed between the main body of the upper ring and the rotating shaft, but this not only complicates the structure of the upper ring but also compresses the compressed air used as a load applying medium. Due to its characteristics, there is still a problem in that it is not a fundamental countermeasure to prevent unbalanced polishing of the wafer.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 폴리싱시 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 밀착시키기 위한 하중 인가 매개체로 액체를 사용함으로써 액체의 점성에 의해 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 균형되게 밀착되도록 하여 웨이퍼가 균일되게 폴리싱되도록 하며, 폴리싱시 웨이퍼에 대한 하중 인가 매개체인 액체를 중간에 공급함이 없이 계속적으로 사용함으로써 구조가 간단하여 유지 및 보수가 용이한 CMP 장치의 상부링을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to balance a wafer surface with a polishing pad by viscosity of the liquid by using liquid as a load applying medium for bringing the wafer surface into close contact with the polishing pad during polishing. The wafer is uniformly polished so that the wafer is uniformly polished, and the polishing is continuously used without supplying a liquid, which is a load applying medium to the wafer, to provide a top ring of the CMP device, which is simple in structure and easy to maintain. have.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 진공펌프의 펌핑에 의해 하측에 웨이퍼를 진공 흡착한 상부링과, 상부링의 상측에 결합되며 상부링을 일정한 압력으로 폴리싱 패드에 가압함과 아울러 회전시킴으로써 웨이퍼를 폴리싱하는 상부링 아암으로 이루어진 CMP 장치의 상부링 헤드에 있어서, 상부링 아암에 회전 가능하게 결합되며, 내측에 진공펌프에 연결되는 공기흡입로가 형성되는 회전축과; 내측에 하측이 개방되는 장착공간이 형성되고, 장착공간의 상측에 회전축의 하단부가 슬라이딩 삽입됨과 아울러 함께 회전하도록 결합되는 본체와; 회전축의 하단에 결합되어 본체의 장착공간에 수직방향으로 슬라이딩되도록 끼워지는 가압플레이트와; 본체의 장착공간 하단부에 수직방향으로 슬라이딩되도록 끼워지며, 상하로 관통하는 공기흡입홀이 형성되는 흡착플레이트와; 흡착플레이트의 공기흡입홀의 상단에 연결되며, 가압플레이트를 관통하여 회전축의 공기흡입로에 슬라이딩되도록 끼워지는 공기흡입관과; 가압플레이트와 흡착플레이트에 의해 밀폐되는 공간에 채워지는 가압용 액체를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing the above object is, by pumping a vacuum pump, the upper ring which vacuum-adsorbed the wafer to the lower side, and coupled to the upper side of the upper ring, by pressing and rotating the upper ring to the polishing pad at a constant pressure An upper ring head of a CMP apparatus comprising an upper ring arm for polishing a wafer, the upper ring head comprising: a rotating shaft rotatably coupled to the upper ring arm and having an air suction path connected to a vacuum pump therein; A main body having a mounting space having a lower side opened therein, the lower end of the rotating shaft being inserted into the upper side of the mounting space, and coupled to rotate together; A pressure plate coupled to the lower end of the rotating shaft so as to slide in a vertical direction in a mounting space of the main body; An adsorption plate inserted into the lower end of the mounting space of the main body to slide in a vertical direction and having an air suction hole penetrating up and down; An air suction pipe connected to an upper end of the air suction hole of the suction plate and fitted to slide through the pressure plate to slide in the air suction path of the rotating shaft; Characterized in that it comprises a pressure liquid filled in the space sealed by the pressure plate and the adsorption plate.
회전축의 외주면에 보조가압플레이트가 고정 결합되고, 보조가압플레이트의 하부면 가장자리와 본체의 상부면 가장자리에 신축이 자유로운 주름관이 내부가 밀폐되도록 연결되며, 주름관 내부에 가압용 액체가 채워지는 것을 특징으로 한다.The auxiliary pressing plate is fixedly coupled to the outer circumferential surface of the rotating shaft, and the freely expandable corrugated pipe is connected to the inside of the corrugated pipe so that the inside of the corrugated pipe is filled with a pressurizing liquid. do.
가압용 액체는 물, 프레스 유, 수은 중에 어느 하나인 것을 특징으로 한다.Pressurized liquid is characterized in that any one of water, press oil, mercury.
본체는 하부면 가장자리에 일정한 두께를 가지는 가이드링이 설치되는 것을 특징으로 한다.The main body is characterized in that the guide ring having a predetermined thickness is installed on the lower edge.
가압플레이트는 외주면에 본체의 장착공간 내측면과의 기밀을 유지하기 위하여 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 한다.The pressing plate is characterized in that the sealing member is installed on the outer peripheral surface to maintain the airtightness with the inner surface of the mounting space of the main body.
가압플레이트는 공기흡입관이 접하는 부위에 기밀을 유지하기 위하여 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 한다.Pressurized plate is characterized in that the sealing member is installed in order to maintain the airtight portion in contact with the air suction pipe.
흡착플레이트는 외주면에 본체의 장착공간 내측면과의 기밀을 유지하기 위하여 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 한다.Adsorption plate is characterized in that the sealing member is installed on the outer peripheral surface to maintain the airtightness with the inner surface of the mounting space of the main body.
흡착플레이트의 공기흡입홀은 하단부가 복수개로 분기되는 것을 특징으로 한다.Air suction hole of the adsorption plate is characterized in that the lower end is divided into a plurality.
공기흡입관은 외주면에 플랜지가 형성되며, 회전축의 공기흡입로는 플랜지를 가이드함과 아울러 플랜지가 하측으로 이탈됨을 억제하는 플랜지가이드부가 형성되는 것을 특징으로 한다.The air suction pipe is formed with a flange on the outer circumferential surface, the air suction path of the rotating shaft is characterized in that the flange guide portion for suppressing the flange is separated from the lower side is formed.
도 1은 종래의 CMP 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional CMP apparatus,
도 2는 종래의 CMP 장치의 상부링을 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view showing an upper ring of a conventional CMP apparatus,
도 3은 본 발명에 따른 CMP 장치의 상부링을 도시한 단면도이고,3 is a cross-sectional view showing an upper ring of the CMP apparatus according to the present invention,
도 4는 도 3의 A-A'에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 ; 상부링 110 ; 회전축100; Upper ring 110; Axis of rotation
111 ; 공기흡입로 120 ; 본체111; Air suction 120; main body
121 ; 장착공간 122 ; 가이드링121; Mounting space 122; Guide ring
130 ; 가압플레이트 140 ; 흡착플레이트130; Pressing plate 140; Adsorption Plate
141 ; 공기흡입홀 150 ; 공기흡입관141; Air suction hole 150; Air suction pipe
160, 190 ; 가압용 액체 170 ; 보조가압플레이트160, 190; Pressurizing liquid 170; Auxiliary Pressure Plate
180 ; 주름관180; Corrugated pipe
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 CMP 장치의 상부링을 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'에 따른 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMP 장치의 상부링은 상부링 아암(32)에 회전 가능하게 결합되며 내측에 공기흡입로(111)가 형성되는 회전축(110)과, 내측에 하측이 개방되도록 장착공간(121)이 형성되며 장착공간(121)의 상측에 회전축(110)의 하단부가 슬라이딩 삽입됨과 아울러 회전축(110)과 함께 회전하도록 결합되는 본체(120)와, 회전축(110)의 하단에 결합되어 본체(120)의 장착공간(121)에 수직방향으로 슬라이딩되도록 끼워지는 가압플레이트(130)와, 본체(120)의 장착공간(121) 하단부에 수직방향으로 슬라이딩되도록 끼워지며 상하로 관통하는 공기흡입홀(141)이 형성되는 흡착플레이트(140)와, 흡착플레이트(140)의 공기흡입홀(141)의 상단에 연결되며 가압플레이트(130)를 관통하여 회전축(110)의 공기흡입로(111)에 슬라이딩되도록 끼워지는 공기흡입관(150)과, 가압플레이트(130)와 흡착플레이트(140)에 의해 밀폐되는 공간에 채워지는 가압용 액체(160)를 포함한다.3 is a cross-sectional view showing an upper ring of the CMP apparatus according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. As shown, the upper ring of the CMP apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is rotatably coupled to the upper ring arm 32 and the rotation shaft 110 is formed in the air suction path 111, the inside Mounting space 121 is formed so that the lower side is open, the lower end of the rotating shaft 110 is inserted into the upper side of the mounting space 121 and the main body 120 and the rotating shaft 110 coupled to rotate together with the rotating shaft 110. It is coupled to the lower end of the pressing plate 130 is fitted to slide in the vertical direction to the mounting space 121 of the main body 120, and is fitted to slide in the vertical direction to the lower portion of the mounting space 121 of the main body 120 The adsorption plate 140, through which the air suction hole 141 penetrates up and down, is connected to the upper end of the air suction hole 141 of the adsorption plate 140, and penetrates through the pressure plate 130 to provide a rotation shaft 110. Inserted to slide in the air suction path 111 And a group-introducing tube 150 and the pressing plate 130 and the pressurized liquid 160 for filling in the space enclosed by the suction plate 140.
회전축(110)은 그 상단부가 상부링 아암(32)에 결합되어 상부링 아암(32)에 구비되는 미도시된 실린더 및 구동모타에 의해 회전함과 아울러 상하로 이동하며,그 하단부가 본체(120)의 장착공간(121)의 상측에 슬라이딩 삽입되어져 장착공간(121) 내에 끼워지는 가압플레이트(130)에 결합된다.The rotating shaft 110 is coupled to the upper ring arm 32 with its upper end rotated by an unillustrated cylinder and a driving motor provided on the upper ring arm 32, and moves up and down, and the lower end thereof is the main body 120. Sliding is inserted into the upper side of the mounting space 121 of the) is coupled to the pressure plate 130 fitted in the mounting space 121.
또한, 회전축(110)은 회전시 본체(120)를 회전시키기 위하여 본체(120)의 상부면과 인접한 외주면에 돌기(112)를 형성하며, 본체(120)는 돌기(112)의 양측면과 상측면을 감싸되 돌기(112)가 내측에서 수직방향으로 슬라이딩되도록 일정한 공간을 확보하도록 형성되는 돌기결합부(123)가 상부면에 형성된다.In addition, the rotating shaft 110 forms a protrusion 112 on the outer circumferential surface adjacent to the upper surface of the main body 120 to rotate the main body 120 during rotation, the main body 120 is both sides and the upper side of the protrusion 112. Wrapped around the protrusion 112 is formed on the upper surface is formed to secure a predetermined space so that the protrusion 112 is slid in the vertical direction from the inside.
본체(120)는 상하로 장착공간(121) 내에 상하로 각각 가압플레이트(130)와 흡착플레이트(140)가 수직방향으로 슬라이딩되도록 끼워짐으로써 이들 사이에 밀폐공간을 형성하며, 하부면 가장자리에 마모시 교체가 가능하도록 일정한 두께를 가지는 가이드링(122)이 설치된다.The main body 120 is inserted into the mounting space 121 up and down to slide the pressing plate 130 and the adsorption plate 140 vertically, respectively, to form a closed space therebetween, and wear on the bottom edge A guide ring 122 having a constant thickness is installed to allow replacement at a time.
가압플레이트(130)는 외주면에 본체(120)의 장착공간(121) 내측면과의 기밀을 유지하기 위하여 오링(O-Ring)과 같은 실링부재(131)가 설치된다.The pressing plate 130 is provided with a sealing member 131 such as an O-ring in order to maintain the airtightness with the inner surface of the mounting space 121 of the main body 120 on the outer peripheral surface.
또한, 가압플레이트(130)는 중심부에 흡착플레이트(140)의 공기흡입홀(141)에 연결된 공기흡입관(150)이 관통하며, 공기흡입관(150)이 접하는 부위에 기밀을 유지하기 위하여 역시 오링과 같은 실링부재(132)가 설치된다.In addition, the pressurizing plate 130 penetrates the air suction pipe 150 connected to the air suction hole 141 of the suction plate 140 at the center thereof, and also maintains airtightness at the air contact pipe 150 to be in contact with the O-ring. The same sealing member 132 is installed.
흡착플레이트(140)는 CMP 장치로 진공을 공급하는 진공펌프(미도시)의 펌핑에 의해 발생된 공기흡입력이 회전축(110)의 공기흡입로(111)와 공기흡입관(150)을 통해 공기흡입홀(141)로 공급됨으로써 하부면에 웨이퍼(W)를 진공 흡착하게 된다.Adsorption plate 140 is the air suction input generated by the pumping of a vacuum pump (not shown) for supplying a vacuum to the CMP apparatus through the air suction path 111 and the air suction pipe 150 of the rotary shaft 110 By supplying to 141, the wafer W is vacuum-adsorbed to the lower surface.
또한, 흡착플레이트(140)는 외주면에 본체(120)의 장착공간(121) 내측면과의 기밀을 유지하기 위하여 오링과 같은 실링부재(142)가 설치된다.In addition, the adsorption plate 140 is provided with a sealing member 142 such as an O-ring in order to maintain the airtightness with the inner surface of the mounting space 121 of the main body 120 on the outer peripheral surface.
공기흡입홀(141)은 하단부(141a)가 일정한 간격으로 흡착플레이트(140)의 하부면에 균형되게 복수개로 분기되도록 형성됨이 바람직하다.The air suction hole 141 is preferably formed such that the lower end portion 141a is branched into a plurality of the lower surface of the suction plate 140 at regular intervals.
공기흡입관(150)은 흡착플레이트(140)의 공기흡입관(141)의 상단에 결합되고,가압플레이트(130)를 기밀이 유지되는 상태로 관통하여 회전축(110)의 공기흡입로(111)에 슬라이딩 결합된다.The air suction pipe 150 is coupled to the upper end of the air suction pipe 141 of the adsorption plate 140, penetrates the pressure plate 130 in a state in which airtight is maintained, and slides in the air suction path 111 of the rotary shaft 110. Combined.
또한, 공기흡입관(150)은 상단 외주면에 플랜지(151)가 형성되며, 플랜지(151)를 가이드함과 아울러 플랜지(151)가 하측으로 이탈됨을 억제하도록 회전축(110)의 공기흡입로(111)에는 공기흡입로(111)의 직경보다 큰 직경을 가지는 플랜지가이드부(111a)가 형성됨이 바람직하다.In addition, the air suction pipe 150 has a flange 151 is formed on the outer peripheral surface of the top, guides the flange 151 and the air suction path 111 of the rotary shaft 110 to suppress the flange 151 is separated to the lower side Preferably, the flange guide portion 111a having a diameter larger than the diameter of the air suction passage 111 is formed.
가압용 액체(160)는 본체(120)의 장착공간(121)중 가압플레이트(130)와 흡착플레이트(140)에 의해 밀폐되는 공간에 채워지며, 종래의 웨이퍼(W)에 하중 인가용으로 사용되던 압축공기보다 큰 점성을 가지는데, 일예로, 물, 프레스 유, 수은(Hg) 중에 어느 하나임이 바람직하다.The pressurizing liquid 160 is filled in a space enclosed by the pressing plate 130 and the adsorption plate 140 of the mounting space 121 of the main body 120, and used for applying a load to the conventional wafer W. Although it has a greater viscosity than the compressed air, for example, it is preferably any one of water, press oil, and mercury (Hg).
한편, 회전축(110)의 외주면에 고정 결합되는 보조가압플레이트(170)와, 보조가압플레이트(170)의 하부면 가장자리와 본체(110)의 상부면 가장자리에 내부가 밀폐되도록 연결되며 신축이 자유로운 주름관(180)과, 주름관(180) 내부에 채워지는 가압용 액체(190)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the auxiliary pressing plate 170 fixedly coupled to the outer circumferential surface of the rotating shaft 110 and the lower pressing edge of the auxiliary pressing plate 170 and the upper surface edge of the main body 110 are connected to each other so as to be sealed inside, and a freely expandable corrugated pipe And a pressurizing liquid 190 filled in the corrugated pipe 180.
가압용 액체(190)는 가압플레이트(130)와 흡착플레이트(140)에 의해 밀폐되는 공간에 채워지는 가압용 액체(160)와 마찬가지로 일예로, 물, 프레스 유, 수은(Hg) 중에 어느 하나임이 바람직하다.The pressurizing liquid 190 is one of water, press oil, and mercury (Hg), for example, similarly to the pressurizing liquid 160 filled in the space sealed by the pressurizing plate 130 and the adsorption plate 140. desirable.
이와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 CMP 장치의 상부링은 다음과 같이 동작한다.The upper ring of the CMP apparatus of the present invention having such a structure operates as follows.
상부링(100)에 웨이퍼(W)를 진공흡착시 CMP 장치로 진공을 공급하는 진공펌프(미도시)의 펌핑에 의해 발생된 공기흡입력이 회전축(110)의 진공흡입로(111)와 진공흡입관(150)을 통해 진공흡입홀(141)로 공급됨으로써 흡착플레이트(140)의 하부면에 웨이퍼(W)가 진공 흡착된다.The air suction input generated by the pumping of the vacuum pump (not shown) for supplying the vacuum to the CMP apparatus when the wafer W is vacuum-adsorbed to the upper ring 100 is the vacuum suction path 111 and the vacuum suction tube of the rotating shaft 110. The wafer W is vacuum-adsorbed to the lower surface of the suction plate 140 by being supplied to the vacuum suction hole 141 through the 150.
이 때, 공기흡입홀(141)의 하단부(141a)가 일정한 간격으로 흡착플레이트(140)의 하부면에 균형되게 복수개로 분기됨으로써 공기흡입홀(141)을 통해 공기를 흡입시 흡착플레이트(140)가 웨이퍼(W)를 안정적으로 균형되게 진공 흡착되도록 한다.At this time, the lower end portion (141a) of the air suction hole 141 is divided into a plurality of balanced on the lower surface of the adsorption plate 140 at regular intervals so as to suck the air through the air suction hole 141 adsorption plate 140 The vacuum W is allowed to stably balance the wafer W.
상부링(100)에 웨이퍼(W)가 진공 흡착되면 상부링 아암(32)에 의해 상부링(100)은 폴리싱 패드(21; 도 1에 도시)로 이동되어 흡착플레이트(140)에 진공 흡착된 웨이퍼(W)가 폴리싱 패드(21)에 일정한 압력으로 밀착된 상태로 하여 회전된다.When the wafer W is vacuum-adsorbed to the upper ring 100, the upper ring 100 is moved to the polishing pad 21 (shown in FIG. 1) by the upper ring arm 32 and vacuum-adsorbed to the adsorption plate 140. The wafer W is rotated in contact with the polishing pad 21 at a constant pressure.
상부링 아암(32)에 의해 회전축(110)이 가압플레이트(130)를 하방으로 가압함으로써 종래의 웨이퍼(W) 하중 인가용 압축공기보다 큰 점성을 가지는 가압용 액체(160)가 흡착플레이트(140)에 진공 흡착된 웨이퍼(W)를 폴리싱 패드(21)에 균형되게 밀착함으로써 웨이퍼(W)의 폴리싱이 균일되게 실시되도록 한다.The rotating shaft 110 presses the pressing plate 130 downward by the upper ring arm 32 so that the pressurizing liquid 160 having a viscosity greater than that of the conventional compressed air for applying the load of the wafer W is absorbed by the adsorption plate 140. By uniformly bringing the wafer W vacuum-adsorbed into the wafer to the polishing pad 21 in a balanced manner, polishing of the wafer W is performed uniformly.
또한, 회전축(110)과 함께 하방으로 가압하는 보조가압플레이트(170)에 의해 주름관(180) 내부에 채워진 가압용 액체(190)가 본체(120)의 가이드링(122)을 웨이퍼(W) 주위의 폴리싱 패드(21)에 압착됨으로써 가이드링(122)에 의해 웨이퍼(W) 주의의 폴리싱 패드(21)의 주름을 펴게 되어 웨이퍼(W)가 폴리싱시 가장자리가 과도하게 폴리싱되는 것을 방지한다.In addition, the pressurizing liquid 190 filled in the corrugated pipe 180 by the auxiliary pressing plate 170 pressurized downward together with the rotating shaft 110 may move the guide ring 122 of the main body 120 around the wafer W. FIG. By crimping to the polishing pad 21 of the polishing pad, the guide ring 122 is used to unfold the polishing pad 21 of the wafer W, thereby preventing the wafer W from being excessively polished at the edge.
이러한 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 따른 CMP 장치의 상부링은 폴리싱시 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 밀착시키기 위한 하중 인가 매개체로 액체를 사용함으로써 액체의 점성에 의해 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 균형되게 밀착되도록 하여 웨이퍼가 균일되게 폴리싱되도록 하며, 폴리싱시 웨이퍼에 대한 하중 인가 매개체인 액체를 중간에 공급함이 없이 계속적으로 사용함으로써 구조가 간단하여 유지 및 보수가 용이하다.The upper ring of the CMP apparatus according to the most preferred embodiment of the present invention uses liquid as a load applying medium to adhere the wafer surface to the polishing pad during polishing so that the viscosity of the liquid adheres to the polishing pad in a balanced manner. Thus, the wafer is uniformly polished, and the polishing is continuously performed without supplying a liquid, which is a load applying medium to the wafer, during the polishing, thereby simplifying maintenance and repair.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장치의 상부링은 폴리싱시 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 밀착시키기 위한 하중 인가 매개체로 액체를 사용함으로써 액체의 점성에 의해 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드에 균형되게 밀착되도록 하여 웨이퍼가 균일되게 폴리싱되도록 하며, 폴리싱시 웨이퍼에 대한 하중 인가 매개체인 액체를 중간에 공급함이 없이 계속적으로 사용함으로써 구조가 간단하여 유지 및 보수가 용이한 효과를 가지고 있다.As described above, the upper ring of the CMP apparatus according to the present invention uses liquid as a load applying medium for bringing the wafer surface into close contact with the polishing pad so that the surface of the wafer is brought into close contact with the polishing pad by the viscosity of the liquid. The wafer is uniformly polished, and the polishing is continuously performed without supplying a liquid, which is a load applying medium to the wafer, to have a simple structure and easy maintenance and repair.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 CMP 장치의 상부링을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the upper ring of the CMP apparatus according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims of the present invention Without departing from the gist of the present invention, one of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0078192A KR100430581B1 (en) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0078192A KR100430581B1 (en) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030047542A true KR20030047542A (en) | 2003-06-18 |
KR100430581B1 KR100430581B1 (en) | 2004-05-10 |
Family
ID=29574246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0078192A KR100430581B1 (en) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100430581B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110142683A (en) * | 2019-06-26 | 2019-08-20 | 河南城建学院 | A kind of sheet for architectural decoration light device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130288577A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for active substrate precession during chemical mechanical polishing |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3453977B2 (en) * | 1995-12-28 | 2003-10-06 | 信越半導体株式会社 | Wafer polishing equipment |
US6371838B1 (en) * | 1996-07-15 | 2002-04-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad conditioning device with cutting elements |
JP4101403B2 (en) * | 1999-06-22 | 2008-06-18 | 株式会社荏原製作所 | Wafer polishing apparatus and wafer manufacturing method |
US6113468A (en) * | 1999-04-06 | 2000-09-05 | Speedfam-Ipec Corporation | Wafer planarization carrier having floating pad load ring |
JP2001096456A (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Toshiba Mach Co Ltd | Polishing head |
-
2001
- 2001-12-11 KR KR10-2001-0078192A patent/KR100430581B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110142683A (en) * | 2019-06-26 | 2019-08-20 | 河南城建学院 | A kind of sheet for architectural decoration light device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100430581B1 (en) | 2004-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101063432B1 (en) | Substrate Holding Device and Polishing Device | |
US6511367B2 (en) | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus | |
US5820448A (en) | Carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
US6514124B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate | |
US5876271A (en) | Slurry injection and recovery method and apparatus for chemical-mechanical polishing process | |
US6439967B2 (en) | Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies | |
KR20080046737A (en) | Polishing method and polishing apparatus, and program for controlling polishing apparatus | |
US6722963B1 (en) | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane | |
US7156725B2 (en) | Substrate polishing machine | |
KR100430581B1 (en) | Top ring of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
JP4510362B2 (en) | CMP apparatus and CMP method | |
KR19980032714A (en) | Carrier heads with layer of material for chemical mechanical polishing devices | |
KR20050049406A (en) | Polishing apparatus and method of polihsing work piece | |
KR200252690Y1 (en) | Polishing platen of chemical-mechanical polishing apparatus | |
KR100392895B1 (en) | Top ring head of chemical-mechanical polishing apparatus | |
KR100336798B1 (en) | Apparatus of wafer holder for cmp | |
KR100517147B1 (en) | Polishing platen of a chemical-mechanical polisher | |
KR20040090505A (en) | Polishing Head | |
KR100624905B1 (en) | Top Ring for Chemical Mechanical Polishing Apparatus | |
JP3749305B2 (en) | Wafer polishing equipment | |
KR100856324B1 (en) | Brush Cleaner for Chemical Mechanical Polishing | |
KR20040047261A (en) | Retainer ring of cmp apparatus | |
KR20040108489A (en) | Polishing Head | |
KR20060127528A (en) | A slurry diaphragm fixing structure with inside clamp ring | |
JPH0671558A (en) | Polishing attachment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080401 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |