KR100624905B1 - Top Ring for Chemical Mechanical Polishing Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장비용 상부링에 관한 것으로 특히, 상부링의 하부에 장착되는 반도체 웨이퍼의 외측에 다이아몬드 드레서(Diamond Dresser)가 장착되며, 폴리싱 패드가 반도체 웨이퍼를 연마할 때 동시에 다이아몬드 드레서에 의하여 폴리싱 패드가 드레싱됨으로써, 폴리싱 패드가 항상 균일한 상태로 유지되어 반도체 웨이퍼의 폴리싱 면의 균일도가 향상되고 반도체 웨이퍼의 제거율이 증가에 따른 생산성이 향상될 수 있는 CMP 장비용 상부링에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an upper ring for chemical mechanical polishing (CMP) equipment. In particular, a diamond dresser is mounted on an outer side of a semiconductor wafer mounted below the upper ring. The polishing pad is dressed by the diamond dresser, so that the polishing pad is always kept uniform, improving the uniformity of the polishing surface of the semiconductor wafer and improving the productivity as the removal rate of the semiconductor wafer is increased. It is about.

CMP 장치, 상부링, 다이아몬드 드레서, 폴리싱 패드CMP device, upper ring, diamond dresser, polishing pad

Description

화학 기계적 연마장치용 상부링{Top Ring for Chemical Mechanical Polishing Apparatus}Top Ring for Chemical Mechanical Polishing Apparatus

도 1은 종래의 CMP 장치의 개략적인 구성을 나타내는 구성도.1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a conventional CMP apparatus.

도 2는 종래의 CMP 장치에 사용되는 상부링의 단면도.2 is a cross-sectional view of an upper ring used in a conventional CMP apparatus.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 상부링의 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view of the upper ring according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 상부링의 저면도. 4 is a bottom view of the upper ring of FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 상부링 110 : 본체100: upper ring 110: main body

120 : 상판 122 : 메인관통홀120: top plate 122: main through hole

124 : 연결홈 130 : 하판124: connecting groove 130: lower plate

134 : 다이아몬드 드레서홈 138 : 서브관통홀134: diamond dresser groove 138: sub through hole

200 : 다이아몬드 드레서 205 : 슬러리배출홈200: diamond dresser 205: slurry discharge groove

210 : 고정볼트 220 : 제1탄성체210: fixing bolt 220: first elastic body

230 : 제2탄성체230: second elastic body

300 : 슬립링300: slip ring

본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장비용 상부링에 관한 것으로 특히, 상부링의 하부에 장착되는 반도체 웨이퍼의 외측에 다이아몬드 드레서(Diamond Dresser)가 장착되며, 폴리싱 패드가 반도체 웨이퍼를 연마할 때 동시에 다이아몬드 드레서에 의하여 폴리싱 패드가 드레싱됨으로써, 폴리싱 패드가 항상 균일한 상태로 유지되어 반도체 웨이퍼의 폴리싱 면의 균일도가 향상되고 반도체 웨이퍼의 제거율이 증가에 따른 생산성이 향상될 수 있는 CMP 장비용 상부링에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an upper ring for chemical mechanical polishing (CMP) equipment. In particular, a diamond dresser is mounted on an outer side of a semiconductor wafer mounted below the upper ring. The polishing pad is dressed by the diamond dresser, so that the polishing pad is always kept uniform, improving the uniformity of the polishing surface of the semiconductor wafer and improving the productivity as the removal rate of the semiconductor wafer is increased. It is about.

반도체 공정 중의 중요한 공정중의 하나인 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : 이하 "CMP")공정은 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 공정으로 실시하는 방법으로 단차를 가진 반도체 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드(polishing pad) 위에 밀착시켜 회전시키면서 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 반도체 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입하여 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 방법이다.Chemical Mechanical Polishing ("CMP"), one of the important processes in the semiconductor process, is a method of chemical removal and mechanical removal in one process. A method of planarizing a surface of a semiconductor wafer by injecting a slurry containing an abrasive and a chemical material between the semiconductor wafer and the polishing pad while being rotated in close contact with a polishing pad.

이러한 CMP 공정을 수행하기 위한 CMP 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 종래의 CMP 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. A CMP apparatus for performing such a CMP process will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional CMP apparatus.

종래의 CMP 장치는, 도 1을 참조하면, 본체(10)의 상측에 일정한 형상으로 형성된 터브(tub;11)를 형성하고, 이 터브(11)의 내측에는 폴리싱 플래튼(20;polishing platen)이 설치되며, 이 폴리싱 플래튼(20)의 상측에는 상부링 헤드(30;top ring head)와 드레싱 헤드(40;dressing head)가 각각 설치된다. 또한, 폴 리싱 플래튼(20)의 상측에는 슬러리와 드레싱용액을 각각 공급하는 슬러리 공급노즐(33)과 드레싱용액 공급노즐(43)이 설치된다. 폴리싱 플래튼(20)은 상면에 폴리싱이 진행되는 폴리싱 패드(21)가 구비되고, 하측에 미도시된 모터에 의해 회전력을 제공받는 회전구동축(22)을 형성하고 있다. 따라서, 폴리싱 플래튼(20)은 단순한 회전운동을 하게 된다. 상부링 헤드(30)는 하측으로 반도체웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 장착하는 상부링(31)과 이 상부링(31) 상측에 위치하며 상부링(31)을 회전시키거나 폴리싱 패드(21)로 로딩/언로딩시키는 상부링 아암(32)으로 구성되어 폴리싱 패드(21)의 표면에 반도체웨이퍼(W)를 일정한 압력으로 밀착시켜 회전시킴으로써 폴리싱을 진행한다. 드레싱 헤드(40)는 하측으로 다이아몬드 그리드(dimond grid) 등과 같은 드레싱 부재(41a)가 하측에 부착된 드레싱하우징(41)과 이 드레싱 하우징(41) 상측에 회전축(41b)으로 서로 연결되어 드레싱 하우징(41)을 회전시키는 드레싱 아암(42)으로 구성되어 폴리싱 패드(21)의 표면에 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 폴리싱 패드(21)의 표면을 미소 절삭함으로써 폴리싱 패드(21)의 표면에 미공들을 형성시킨다. 상기 상부링 헤드(30)는 반도체웨이퍼(W)를 흡착하여 장착함과 아울러 폴리싱 패드(21)의 상면에 반도체웨이퍼(W)를 밀착시켜 폴리싱하게 된다.In the conventional CMP apparatus, referring to FIG. 1, a tub 11 formed in a predetermined shape is formed on an upper side of the main body 10, and a polishing platen 20 is formed inside the tub 11. The upper side of the polishing platen 20 is provided with a top ring head 30 and a dressing head 40, respectively. In addition, a slurry supply nozzle 33 and a dressing solution supply nozzle 43 for supplying a slurry and a dressing solution, respectively, are provided on the upper side of the polishing platen 20. The polishing platen 20 is provided with a polishing pad 21 on which polishing is performed on an upper surface thereof, and forms a rotation drive shaft 22 provided with a rotational force by a motor not shown on the lower side. Thus, the polishing platen 20 will make a simple rotational motion. The upper ring head 30 is located above the upper ring 31 and the upper ring 31 for vacuum suction and mounting the semiconductor wafer W to the lower side and rotates the upper ring 31 or the polishing pad 21. It consists of an upper ring arm 32 for loading / unloading furnace. The polishing is performed by bringing the semiconductor wafer W into close contact with the surface of the polishing pad 21 at a constant pressure. The dressing head 40 is connected to each other by a dressing housing 41 having a dressing member 41a attached to the lower side and a rotating shaft 41b above the dressing housing 41. The polishing pad 21 is formed by microcutting the surface of the polishing pad 21 so that numerous foamed pores, which are composed of a dressing arm 42 for rotating the 41 and serve to hold a slurry on the surface of the polishing pad 21, are not blocked. To form pores on the surface. The upper ring head 30 absorbs and mounts the semiconductor wafer W and polishes the semiconductor wafer W by bringing the semiconductor wafer W into close contact with the upper surface of the polishing pad 21.

도 2는 CMP장비에 사용되는 종래의 상부링의 단면도를 나타낸다. 이러한 상부링(31)은 별도의 상부링 아암(도면에 표시하지 않음)과 진공공급부(도면에 표시하지 않음) 및 압축공기공급부(도면에 표시하지 않음)와 함께 상부링 헤드(30)를 구성하며, 반도체웨이퍼(W)를 흡착하여 장착함과 아울러 폴리싱 패드(21)의 상면에 반도체웨이퍼(W)를 밀착시켜 폴리싱하게 된다.Figure 2 shows a cross-sectional view of a conventional upper ring used in CMP equipment. This upper ring 31 constitutes an upper ring head 30 together with a separate upper ring arm (not shown), a vacuum supply (not shown) and a compressed air supply (not shown). The semiconductor wafer W is absorbed and mounted, and the semiconductor wafer W is brought into close contact with the upper surface of the polishing pad 21 to be polished.

상기 종래의 상부링(31)은, 도 2를 참조하면, 본체(32)와 가이드링(36)을 포함하여 형성된다.Referring to FIG. 2, the conventional upper ring 31 includes a main body 32 and a guide ring 36.

상기 본체(32)는 상판(33)과 하판(34)으로 형성되며, 메인관통홀(33a)과 상판하부홈(33b) 및 서브관통홀(34a)을 포함하여 형성된다. 상기 본체(32)는 블록형상으로 형성되며, 면적과 단면형상이 서로 상응되는 상판(33)과 하판(34)이 서로 결합되어 형성된다. 상기 상판(33)은 상하 수직으로 관통되는 다수의 상기 메인관통홀(33a)과 상기 메인관통홀(33a)의 하부에 형성되어 상기 메인관통홀(33a)을 서로 연결하는 상판하부홈(33b)을 포함하여 형성된다. 상기 메인관통홀(33a)은 상부에 상기 진공공급부로 및 압축공기 공급부가 연결되어 진공 및 압축공기가 공급되는 경로를 제공하게 된다. 상기 메인관통홀(33a)의 하부에 형성되는 상판하부홈(33b)은 상기 메인관통홀(33a)이 형성된 영역을 포함하여 소정깊이와 면적으로 형성되어 상기 메인관통홀(33a)을 하단에서 서로 연결하게 된다. 상기 하판(34)은 수직방향으로 형성되는 다수의 서브관통홀(34a)과 하부의 외주를 따라 형성되는 가이드링홈(34b)을 포함하여 형성된다. 상기 서브관통홀(34a)은 상기 상판하부홈(33b)이 형성된 영역에 대응되는 영역에서 수직으로 관통되어 형성된다. 또한, 상기 가이드링홈(34b)에는 상기 가이드링(36)이 결합된다. The main body 32 is formed of an upper plate 33 and a lower plate 34, and includes a main through hole 33a, an upper plate lower groove 33b, and a sub through hole 34a. The main body 32 is formed in a block shape, the upper plate 33 and the lower plate 34 corresponding to each other in the area and the cross-sectional shape is formed by combining with each other. The upper plate 33 is formed at a lower portion of the plurality of main through holes 33a and the main through holes 33a vertically penetrating the upper plate lower grooves 33b connecting the main through holes 33a to each other. It is formed to include. The main through hole 33a is connected to the vacuum supply part and the compressed air supply part to provide a path through which the vacuum and compressed air are supplied. The upper plate lower groove 33b formed at the lower portion of the main through hole 33a is formed with a predetermined depth and area including an area where the main through hole 33a is formed, and the main through hole 33a is formed at the bottom of each other. Will be connected. The lower plate 34 is formed to include a plurality of sub through holes 34a formed in the vertical direction and guide ring grooves 34b formed along the outer periphery of the lower portion. The sub through hole 34a is vertically penetrated in an area corresponding to an area where the upper plate lower groove 33b is formed. In addition, the guide ring 36 is coupled to the guide ring groove 34b.

상기 가이드링(36)은 상기 하판(34)의 외주를 따라 형성된 가이드링홈(34b)에 장착되며, 상기 하판(34)의 하면보다 소정높이로 돌출되도록 형성된다. 따라서, 상기 가이드링(36)은 상기 본체(32)에 진공흡착되어 고정되는 반도체웨이퍼(W)가 폴리싱과정에서 밀리지 않도록 고정하게 된다. 상기 가이드링(36)은 상기 본체(32)에 별도의 고정용 볼트(37)에 의하여 고정된다. The guide ring 36 is mounted in the guide ring groove 34b formed along the outer circumference of the lower plate 34 and is formed to protrude to a predetermined height than the lower surface of the lower plate 34. Therefore, the guide ring 36 is fixed so that the semiconductor wafer W, which is fixed by vacuum suction to the main body 32, is not pushed in the polishing process. The guide ring 36 is fixed to the main body 32 by a separate fixing bolt 37.

최근에는 디바이스(device)의 구조가 다층화 되고 표면의 요철이 커지는 경향에 대응하여 고기능 디바이스(high device)의 다층 배선의 층간 절연막이 서브마이크론 이하의 표면 평탄도를 갖는 것이 요구되며, CMP 공정의 중요성이 강조되고 있다.In recent years, in order to cope with the tendency of device structure to be multilayered and surface irregularities to increase, it is required that an interlayer insulating film of a multi-layered wiring of a high device has a surface flatness of submicron or less, and the importance of the CMP process This is emphasized.

그러나, 종래의 CMP 공정에 사용되는 CMP 장치는 상부링에 장착된 웨이퍼에 대한 폴리싱이 완료된 후 다이아몬드 드레서를 사용하여 폴리싱 패드를 드레싱하게 된다. 일반적으로는 폴리싱 시간은 120초 정도이고 드레싱 시간은 30초 정도가 소요되어 웨이퍼 한 장을 폴리싱 하는데 150초 정도의 시간이 소요된다. 따라서, 웨이퍼의 폴리싱 시간이 짧은 경우에 폴리싱 패드는 폴리싱 초기와 폴리싱 후기의 거칠기 변화가 작게 된다. 한편, 웨이퍼의 폴리싱 시간이 긴 경우에 폴리싱 패드는 폴리싱 초기와 폴리싱 후기의 거칠기 변화가 작게 된다. 즉, 폴리싱 패드의 거칠기가 폴리싱 후기로 가면서 무디어져 웨이퍼의 제거속도가 변화하게 되며, 웨이퍼의 폴리싱 상태에 영향을 주게 되는 문제가 발생된다. 따라서, 폴리싱 패드의 상태변화에 따라 웨이퍼의 폴리싱 상태가 불균일해지며, 반도체 소자의 층간 절연막의 평탄도가 불균일하게 되어 반도체 소자의 수율이 저하되는 문제가 있다.However, the CMP apparatus used in the conventional CMP process uses a diamond dresser to dress the polishing pad after polishing of the wafer mounted on the upper ring is completed. Generally, the polishing time is about 120 seconds and the dressing time is about 30 seconds, which is about 150 seconds to polish one wafer. Therefore, when the polishing time of the wafer is short, the polishing pad has a small change in roughness between the initial polishing and the late polishing. On the other hand, when the polishing time of the wafer is long, the polishing pad has a small change in roughness between the initial polishing and the late polishing. That is, the roughness of the polishing pad becomes dull as the polishing is later, and the removal speed of the wafer is changed, and a problem occurs that affects the polishing state of the wafer. Therefore, the polishing state of the wafer becomes uneven with the change of state of the polishing pad, and the flatness of the interlayer insulating film of the semiconductor device becomes uneven, resulting in a decrease in yield of the semiconductor device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서 상부링의 하부에 장착되는 반도체 웨이퍼의 외측에 다이아몬드 드레서(Diamond Dresser)가 장착되며, 폴리싱 패드가 반도체 웨이퍼를 연마할 때 동시에 다이아몬드 드레서에 의하여 폴리싱 패드가 드레싱됨으로써, 폴리싱 패드가 항상 균일한 상태로 유지되어 반도체 웨이퍼의 폴리싱 면의 균일도가 향상되고 반도체 웨이퍼의 제거율이 증가에 따른 생산성이 향상될 수 있는 CMP 장비용 상부링을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, the diamond dresser (Diamond Dresser) is mounted on the outside of the semiconductor wafer is mounted on the lower portion of the upper ring, and the polishing pad by the diamond dresser at the same time when the polishing pad polishes the semiconductor wafer It is an object of the present invention to provide an upper ring for CMP equipment in which the polishing pad is always kept in a uniform state, thereby improving the uniformity of the polishing surface of the semiconductor wafer and improving productivity as the removal rate of the semiconductor wafer is increased. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체웨이퍼 표면을 폴리싱 하는 화학 기계적 연마장치에서 하면에 상기 반도체웨이퍼를 고정하여 회전시키는 화학 기계적 연마장치용 상부링에 있어서, 상기 상부링은 하부의 외측에 링형상으로 다이아몬드 드레서홈이 형성되는 본체와 상기 반도체웨이퍼의 하면에서 소정 높이 돌출되도록 상기 다이아몬드 드레서홈에 장착되는 다이아몬드 드레서를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 다이아몬드 드레서는 상기 본체에 고정볼트에 의하여 고정되며, 상기 본체의 상면과 상기 고정볼트의 헤드 사이에는 제1탄성체가 구비되며, 상기 다이아몬드 드레서홈의 하면과 상기 다이아몬드 드레서 사이에는 제2탄성체가 구비되어 형성될 수 있다. 또한 상기 다이아몬드 드레서는 하면에 슬러리배출홈이 추가로 형성될 수 있다. 이때, 상기 슬러리배출홈은 내측에서 외측으로 상기 다이아몬드 드레서의 회전방향과 둔각을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다. In the chemical mechanical polishing apparatus for polishing the surface of the semiconductor wafer of the present invention for achieving the above object, in the upper ring for the chemical mechanical polishing apparatus to fix and rotate the semiconductor wafer on the lower surface, the upper ring on the outside of the lower And a diamond dresser mounted to the diamond dresser groove so as to protrude a predetermined height from the lower surface of the semiconductor wafer and the body in which the diamond dresser groove is formed in a ring shape. In this case, the diamond dresser is fixed to the main body by a fixing bolt, a first elastic body is provided between the upper surface of the main body and the head of the fixing bolt, a second elastic body between the lower surface of the diamond dresser groove and the diamond dresser. It may be provided with. In addition, the diamond dresser may be further formed with a slurry discharge groove on the lower surface. At this time, the slurry discharge groove is preferably formed to form an obtuse angle with the rotation direction of the diamond dresser from the inside to the outside.

또한, 상기 제1탄성체는 코일스프링으로 형성되며, 내측에 상기 고정볼트가 삽입되어 결합되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2탄성체는 상기 다이아몬드 드 레서의 수평 단면 형상에 상응하는 링 형상의 고무패킹으로 형성될 수 있다.In addition, the first elastic body is formed of a coil spring, it may be formed so that the fixing bolt is inserted and coupled inside. In addition, the second elastic body may be formed of a rubber seal of a ring shape corresponding to the horizontal cross-sectional shape of the diamond dresser.

또한, 본 발명에서 상기 상부링은 상기 본체의 하면에서 상기 반도체웨이퍼와 상기 다이아몬드 드레서 사이에 장착되는 슬립링을 포함되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 슬립링은 플라스틱 재질로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the upper ring may include a slip ring mounted between the semiconductor wafer and the diamond dresser at a lower surface of the main body. In this case, the slip ring is preferably formed of a plastic material.

이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 상부링의 단면도를 나타낸다. 도 4는 도 3의 상부링의 저면도를 나타낸다. Figure 3 shows a cross-sectional view of the upper ring according to an embodiment of the present invention. 4 shows a bottom view of the upper ring of FIG. 3.

본 발명에 따른 CMP 장비용 상부링(100)은, 도 3을 참조하면, 본체(110)와 다이아몬드 드레서(200) 및 슬립링(300)을 포함하여 형성되며, 하부에 반도체웨이퍼(w)를 고정하여 회전시키면서 폴리싱 패드(도면에 표시하지 않음, 도 1참조)에 접촉시켜 폴리싱하면서 동시에 폴리싱 패드를 드레싱하여 항상 일정한 표면상태를 유지시키게 된다.The upper ring 100 for CMP equipment according to the present invention, referring to Figure 3, is formed including a main body 110, a diamond dresser 200 and the slip ring 300, the lower portion of the semiconductor wafer (w) While fixed and rotating, the polishing pad (not shown in the drawing, see FIG. 1) is brought into contact with polishing while dressing the polishing pad to maintain a constant surface state at all times.

상기 본체(110)는 상판(120)과 하판(130)으로 형성되며, 메인관통홀(122)과 연결홈(124) 및 서브관통홀(132)을 구비하여 형성된다. The main body 110 is formed of an upper plate 120 and a lower plate 130, and includes a main through hole 122, a connection groove 124, and a sub through hole 132.

상기 상판(120)은 상기 반도체웨이퍼(w)의 직경보다 큰 직경 또는 폭을 갖는 원통 또는 사각형상의 블록으로 형성되며, 상기 상부링(100)이 사용되는 CMP의 사양에 따라 소정 두께로 형성된다. 상기 상판(120)의 내측에는 상하를 수직으로 관통하는 메인관통홀(122)이 적어도 한 개로 형성되며 바람직하게는 4개로 형성된다. 상기 메인관통홀(122)은 상단에 상기 진공공급부와 압축공기 공급부가 연결되어 진공 및 압축공기가 공급되는 경로를 제공하게된다. 상기 상판(120)은 외측에 상하로 관통되는 고정볼트용 상판홀(126)이 적어도 2개로 형성되며, 바람직하게는 4개로 형성된다. 상기 상판(120)은 하부에 연결홈(124)이 형성되며, 상기 연결홈(124)은 상기 반도체웨이퍼(w)의 수평 단면적에 상응하는 면적을 갖으면서, 상기 메인관통홀(122)이 형성된 영역을 포함하는 영역에 소정 깊이로 형성되어 상기 메인관통홀(122)의 하단을 서로 연결하게 된다.The upper plate 120 is formed of a cylindrical or rectangular block having a diameter or width larger than the diameter of the semiconductor wafer w, and is formed to a predetermined thickness according to the specification of the CMP in which the upper ring 100 is used. At least one main through hole 122 vertically penetrating the upper and lower sides of the upper plate 120 is preferably formed in four. The main through hole 122 is connected to the vacuum supply unit and the compressed air supply unit at an upper end thereof to provide a path through which the vacuum and compressed air are supplied. The top plate 120 is formed of at least two top plate holes 126 for fixing bolts penetrated up and down on the outside, preferably four. The upper plate 120 has a connection groove 124 formed at a lower portion thereof, and the connection groove 124 has an area corresponding to a horizontal cross-sectional area of the semiconductor wafer w, and the main through hole 122 is formed. It is formed in a region including a region to a predetermined depth to connect the lower ends of the main through hole 122 with each other.

한편, 본 실시예에서는 상기 연결홈(124)이 상판(120)에 형성되도록 하였으나, 상기 하판(130)의 상면에 형성될 수 있음은 물론이다.Meanwhile, in the present embodiment, the connection groove 124 is formed on the upper plate 120, but may be formed on the upper surface of the lower plate 130.

상기 하판(130)은 상면이 상기 상판(120)에 대응되는 면적을 갖도록 형성되어 상기 상판(120)의 하면과 결합되며, 하면(132)에는 상기 반도체웨이퍼(w)가 장착되며, 하부의 외측면에는 링 형상으로 다이아몬드 드레서홈(134)이 형성된다. 상기 다이아몬드 드레서홈(134)은 상기 다이아몬드 드레서(200)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되어 상기 다이아몬드 드레서(200)가 장착된다. 본 실시예에서는 상기 다이아몬드 드레서홈(134)이, 도 3에서 보는 바와 같이, 상기 하판(130)의 외측면으로 개방되도록 형성되었으나, 상기 하판(130)의 하부에 링 형상의 트렌치(trench)로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 다이아몬드 드레서홈(134)은 바람직하게는 상기 다이아몬드 드레서(200)가 장착되었을 때 반도체웨이퍼(w)의 하면보다 하면 방향으로 소정높이 돌출될 수 있는 깊이로 형성된다. 또한, 상기 하판(130)은 상기 다이아몬드 드레서홈(134)이 형성된 영역에서 상기 상판(120)의 고정 볼트용 상판홀(126)에 대응되는 위치에 형성되어 서로 관통되는 고정볼트용 하판홀(136)이 형성된다. 상기 고정볼트용 하판홀(136)은 상기 고정볼트용 상판홀(126)과 동일한 개수로 형성됨은 물론이다. 또한 상기 하판(130)은 상기 상판(120)과 결합될 때 상기 연결홈(124)에 대응되는 영역에 다수의 서브관통홀(138)이 다수 개 형성된다. 상기 서브관통홀(138)은 상기 하판(130)을 수직으로 관통하며, 상기 연결홈(124)이 형성된 영역에 형성되어 상기 연결홈(124)을 통하여 상기 메인관통홀(122)과 연결되며, 진공과 압축공기의 제공 경로를 제공하게 된다. 상기 연결홈(124)이 상기 반도체웨이퍼(w)의 면적에 상응하는 면적으로 형성되므로, 상기 서브관통홀(138)은 상기 반도체웨이퍼(w)의 배면의 전 면적에 고르게 접촉될 수 있도록 고르게 분포되어 형성된다. 따라서, 상기 서브관통홀(138)은 상기 반도체웨이퍼(w)를 진공압으로 고정할 수 있도록 상기 반도체웨이퍼(w)의 면적에 따라 소정 개수로 형성되며, 상기 하판에서 상기 반도체웨이퍼(w)와 접촉되는 영역에 균일하게 분포되어 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 서브관통홀(138)은 상기 메인관통홀(122)의 개수 보다 많은 개수로 형성되어 상기 상됨은 물론이다. The lower plate 130 is formed such that an upper surface thereof has an area corresponding to the upper plate 120, and is coupled to the lower surface of the upper plate 120, and the semiconductor wafer w is mounted on the lower surface 132 and the outer surface of the lower plate 130. The side of the diamond dresser groove 134 is formed in a ring shape. The diamond dresser groove 134 is formed in a shape corresponding to the shape of the diamond dresser 200 so that the diamond dresser 200 is mounted. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the diamond dresser groove 134 is formed to open to the outer surface of the lower plate 130, but has a ring-shaped trench below the lower plate 130. Of course it can be formed. In addition, the diamond dresser groove 134 is preferably formed to a depth that protrudes a predetermined height in a lower surface direction than the lower surface of the semiconductor wafer (w) when the diamond dresser 200 is mounted. In addition, the lower plate 130 is formed at a position corresponding to the fixing plate upper plate hole 126 of the upper plate 120 in the region where the diamond dresser groove 134 is formed, the lower plate hole for fixing bolts 136 to penetrate each other. ) Is formed. The lower plate hole 136 for the fixing bolt is formed of the same number as the upper plate hole 126 for the fixing bolt, of course. In addition, when the lower plate 130 is coupled to the upper plate 120, a plurality of sub through holes 138 are formed in a region corresponding to the connection groove 124. The sub through hole 138 vertically penetrates the lower plate 130 and is formed in an area where the connection groove 124 is formed and is connected to the main through hole 122 through the connection groove 124. It provides a path for providing vacuum and compressed air. Since the connection grooves 124 are formed in an area corresponding to the area of the semiconductor wafer w, the sub through holes 138 are evenly distributed so as to evenly contact the entire area of the back surface of the semiconductor wafer w. It is formed. Accordingly, the sub through holes 138 are formed in a predetermined number according to the area of the semiconductor wafer w so as to fix the semiconductor wafer w with a vacuum pressure. It is preferable to form evenly distributed in the area | region which contacts. In addition, the sub through hole 138 is formed of more than the number of the main through hole 122 is of course damaged.

상기 다이아몬드 드레서(200)는 소정 두께와 소정 폭을 갖는 링 형상으로 형성되며, 하면에는 미세한 다이아몬드에 의한 드레싱 층이 형성된다. 상기 다이아몬드 드레서(200)는 상기 하판(130)의 다이아몬드 드레서홈(134)에 상기 반도체웨이퍼(w)의 하면보다 소정 높이로 돌출되도록 장착되며, 상기 폴리싱 패드에 접촉되어 폴리싱 패드를 드레싱하게 된다. 상기 다이아몬드 드레서(200)는 고정볼트(210)에 의하여 상기 본체(110)에 결합된다. 즉, 상기 고정볼트(210)는 상기 본체(110)의 상부에서 상기 본체(110)의 상판(120)과 하판(130)에 형성되어 있는 고정볼트용 홀(126, 136)에 삽입되어 상기 다이아몬드 드레서(200)의 상부에 결합되며, 상기 다이아몬드 드레서(200)를 고정하게 된다. 상기 고정볼트(210)는 상기 다이아몬드 드레서(200)를 고정하기 위하여 필요한 적정한 개수가 사용될 수 있음은 물론이며, 바람직하게는 적어도 4개가 사용된다. 따라서, 상기 고정볼트용 홀(126, 136)은 사용되는 고정볼트(210)의 수에 상응하는 개수로 형성됨은 물론이다. 이때, 상기 고정볼트(210)의 헤드와 상기 본체(110)의 상면과의 사이에 제1탄성체(220)가 장착되어 고정되며, 상기 다이아몬드 드레서(200)가 상기 다이아몬드 드레서홈(134)에 일정한 탄성을 갖고 장착되도록 한다. 상기 제1탄성체(220)는 바람직하게는 압축스프링과 같은 코일 스프링이 사용되며, 판스프링, 고무 탄성체 등이 사용될 수 있음은 물론이다. 상기 제1탄성체(220)는 상기 고정볼트(210)에 상응하는 개수로 사용되는 것이 바람직하다. 특히 상기 제1탄성체(220)가 원통형상의 코일 스프링으로 형성되는 경우에는 상기 고정볼트(210)가 내측에 삽입되어 상기 제1탄성체(220)가 결합된다. 또한, 상기 다이아몬드 드레서홈(134)의 저면(134a)과 상기 다이아몬드 드레서(200)의 배면사이에는 제2탄성체(230)가 장착된다. 상기 제2탄성체(230)는 상기 다이아몬드 드레서(200)의 수평 단면의 형상에 상응하는 링 형상의 소정두께로 형성되며, 상기 제1탄성체(220)와 함께 상기 다이아몬드 드레서(200)가 상기 폴리싱 패드에 접촉될 때 일정한 탄성을 갖도록 하여 상기 다이아몬드 드레서(200)가 상기 반도체웨이퍼(w)와 대략 동일한 평면상에서 상기 폴리싱 패드와 접촉되도록 하여 준다. 또한 상기 제2탄성체(230)는 상기 다이아몬드 드레서(200)가 상기 폴리싱 패 드에 과도한 압력으로 접촉되거나, 상기 폴리싱 패드에 손상을 주는 것을 방지하게 된다. 한편 상기 제2탄성체(230)는 상기 고정볼트(210)의 외경보다 큰 내경과 소정 폭을 갖는 링 형상으로 형성되어, 상기 제1탄성체(220)와 같이 상기 고정볼트(210)가 결합되는 위치에 장착될 수 있음은 물론이다. 상기 제2탄성체(230)는 바람직하게는 고무 탄성체 재질인 고무 패킹으로 형성되며, 압축스프링 또는 판스프링으로 형성될 수 있음은 물론이다.The diamond dresser 200 is formed in a ring shape having a predetermined thickness and a predetermined width, and a dressing layer made of fine diamond is formed on a lower surface thereof. The diamond dresser 200 is mounted on the diamond dresser groove 134 of the lower plate 130 to protrude to a predetermined height than the lower surface of the semiconductor wafer w, and contacts the polishing pad to dress the polishing pad. The diamond dresser 200 is coupled to the body 110 by a fixing bolt 210. That is, the fixing bolt 210 is inserted into the fixing bolt holes 126 and 136 formed in the upper plate 120 and the lower plate 130 of the main body 110 from the upper portion of the main body 110 and the diamond. It is coupled to the top of the dresser 200, it is fixed to the diamond dresser 200. Of course, the fixing bolt 210 may be used in an appropriate number necessary to fix the diamond dresser 200, and preferably at least four are used. Accordingly, the fixing bolt holes 126 and 136 are formed in a number corresponding to the number of fixing bolts 210 to be used. At this time, the first elastic body 220 is mounted and fixed between the head of the fixing bolt 210 and the upper surface of the main body 110, and the diamond dresser 200 is fixed to the diamond dresser groove 134. Make it elastic and mount. The first elastic body 220 is preferably a coil spring such as a compression spring is used, of course, a leaf spring, rubber elastic body and the like can be used. The first elastic body 220 is preferably used in a number corresponding to the fixing bolt 210. In particular, when the first elastic body 220 is formed of a cylindrical coil spring, the fixing bolt 210 is inserted into the first elastic body 220 to be coupled thereto. In addition, a second elastic body 230 is mounted between the bottom surface 134a of the diamond dresser groove 134 and the back surface of the diamond dresser 200. The second elastic body 230 is formed to have a predetermined thickness of a ring shape corresponding to the shape of the horizontal cross section of the diamond dresser 200, and the diamond dresser 200 is bonded to the polishing pad together with the first elastic body 220. The diamond dresser 200 is brought into contact with the polishing pad in approximately the same plane as the semiconductor wafer w by having a constant elasticity when contacted with the semiconductor wafer. In addition, the second elastic member 230 prevents the diamond dresser 200 from contacting the polishing pad with excessive pressure or damaging the polishing pad. On the other hand, the second elastic body 230 is formed in a ring shape having an inner diameter and a predetermined width larger than the outer diameter of the fixing bolt 210, the position where the fixing bolt 210 is coupled like the first elastic body 220 Of course it can be mounted on. The second elastic body 230 is preferably formed of a rubber packing made of a rubber elastic material, of course, may be formed of a compression spring or a leaf spring.

상기 다이아몬드 드레서(200)는, 도 4를 참조하면, 하면에 슬러리배출홈(205)이 형성된다. 상기에서 설명한 바와 같이 반도체웨이퍼를 폴리싱할 때는 연마재로서 슬러리를 사용하게 되며, 반도체웨이퍼(w)와 폴리싱 패드사이에 존재하는 슬러리는 반도체웨이퍼(w)의 회전에 따라 외측으로 밀려나게 된다. 따라서, 상기 상부링(100)에서는 반도체웨이퍼(w)의 외측에 상기 다이아몬드 드레서(200)가 폴리싱 패드가 밀착되므로 슬러리를 배출하는 것이 원활하지 않게 된다. 상기 다이아몬드 드레서(200)는 하면에 상기 슬러리배출홈(205)이 형성되어 슬러리를 원할하게 배출하게 된다. 상기 슬러리배출홈(205)은 상기 다이아몬드 드레서(200)의 하면에서 상기 다이아몬드 드레서(200)의 내측에서 외측으로 상기 다이아몬드 드레서(200)의 회전방향과 둔각을 이루도록 형성되어 상기 다이아몬드 드레서(200)가 회전할 때도 슬러리를 원활하게 배출할 수 있도록 형성된다. 또한, 상기 슬러리배출홈(205)은 상기 다이아몬드 드레서(200)의 크기와 배출되는 슬러리 양에 따라 적정한 폭과 수량으로 형성된다.Referring to FIG. 4, the diamond dresser 200 has a slurry discharge groove 205 formed on a lower surface thereof. As described above, when polishing the semiconductor wafer, a slurry is used as an abrasive, and the slurry existing between the semiconductor wafer w and the polishing pad is pushed out as the semiconductor wafer w rotates. Therefore, in the upper ring 100, since the polishing pad is in close contact with the diamond dresser 200 on the outside of the semiconductor wafer w, it is not smooth to discharge the slurry. The diamond dresser 200 has a slurry discharge groove 205 formed on the lower surface to smoothly discharge the slurry. The slurry discharge groove 205 is formed to form an obtuse angle with the rotation direction of the diamond dresser 200 from the inner side of the diamond dresser 200 to the outer side of the lower surface of the diamond dresser 200 so that the diamond dresser 200 is formed. It is formed to smoothly discharge the slurry even when rotating. In addition, the slurry discharge groove 205 is formed in an appropriate width and quantity depending on the size of the diamond dresser 200 and the amount of slurry to be discharged.

상기 슬립링(300)은, 도 4를 참조하면, 소정 폭과 높이를 갖는 링 형상으로 형성되며, 하면이 상기 반도체웨이퍼(w)의 하면보다 돌출되지 않도록 장착된다. 또한, 상기 슬립링(300)은 바람직하게는 단단하면서도 내마모성이 있는 플라스틱 또는 엔지니어링 플라스틱과 같은 재질로 형성된다. 상기 슬립링(300)은 예를 들면 PEEK와 같은 엔지니어링 플라스틱으로 형성될 수 있다. 상기 PEEK는 미국의 Victrex가 생산하는 고성능 열 가소성 수지의 제품명으로 엔지니어링 플라스틱의 일종이다. 상기 슬립링(300)은 상기 다이아몬드 드레서(200)와 상기 반도체웨이퍼(w)사이에 장착되어, 상기 다이아몬드 드레서(200)가 상기 반도체웨이퍼(w)와 직접 접촉되어 상기 반도체웨이퍼(w)를 손상시키는 것을 방지하게 된다.4, the slip ring 300 is formed in a ring shape having a predetermined width and height, and is mounted such that a lower surface thereof does not protrude from a lower surface of the semiconductor wafer w. In addition, the slip ring 300 is preferably formed of a material such as a hard and wear-resistant plastic or engineering plastic. The slip ring 300 may be formed of an engineering plastic such as PEEK, for example. PEEK is a product name of a high performance thermoplastic resin produced by Victrex of the United States, a kind of engineering plastic. The slip ring 300 is mounted between the diamond dresser 200 and the semiconductor wafer w so that the diamond dresser 200 is in direct contact with the semiconductor wafer w to damage the semiconductor wafer w. To prevent it.

다음은 본 발명의 실시예에 따른 상부링의 작용에 대하여 설명한다.Next will be described the operation of the upper ring according to an embodiment of the present invention.

상기 상부링(100)은 하판((130)의 하면에 상기 반도체웨이퍼(w)가 결합되며, 상기 메인관통홀(122)과 서브관통홀(138)을 통하여 형성되는 진공에 의하여 고정된다. 상기 다이아몬드 드레서(200)는 고정볼트(210)와 제1탄성체(220) 및 제2탄성체(230)를 통하여 상기 본체(110)의 하판에 형성된 다이아몬드 드레서홈(134)에 결합된다. 또한, 상기 다이아몬드 드레서(200)는 상기 슬립링(300)에 의하여 상기 반도체웨이퍼(w)와 분리되면서 고정된다. 이때, 상기 다이아몬드 드레서(200)는 상기 반도체 웨이퍼(w)의 하면보다 소정높이 돌출되도록 고정된다. 따라서, 상기 상부링(100)이 CMP 장비의 폴리싱 패드에 접촉될 때, 상기 다이아몬드 드레서(200)의 하면이 상기 제1탄성체(220) 및 제2탄성체(230)의 작용에 의하여 상기 반도체 웨이퍼(w)와 동일 평면상에 위치하게된다.The upper ring 100 is coupled to the lower surface of the lower plate 130 by the semiconductor wafer (w), it is fixed by a vacuum formed through the main through hole 122 and the sub through hole 138. The diamond dresser 200 is coupled to the diamond dresser groove 134 formed on the lower plate of the main body 110 through the fixing bolt 210, the first elastic body 220, and the second elastic body 230. The dresser 200 is fixed while being separated from the semiconductor wafer w by the slip ring 300. At this time, the diamond dresser 200 is fixed to protrude a predetermined height from the lower surface of the semiconductor wafer w. Therefore, when the upper ring 100 is in contact with the polishing pad of the CMP device, the lower surface of the diamond dresser 200 is formed by the action of the first elastic body 220 and the second elastic body 230. It is located on the same plane as w).

상기 상부링(100)이 회전하면서 회전하는 상기 폴리싱 패드에 접촉하게 되면 상기 상부링(100)의 하면에 고정된 상기 반도체 웨이퍼(w)가 폴리싱된다. 이때, 상기 폴리싱 패드는 상기 상부링(100)에 장착된 상기 다이아몬드 드레서(200)에 의하여 동시에 드레싱된다. 따라서, 상기 폴리싱 패드는 상기 반도체 웨이퍼(w)를 폴리싱하면서 한편으로는 상기 다이아몬드 드레서(200)에 의하여 드레싱되어 항상 균일한 상태를 유지하게 된다. 따라서, 상기 폴리싱 패드에 의하여 폴리싱 되는 상기 반도체 웨이퍼(w)는 균일한 속도로 폴리싱 되며, 폴리싱 되는 상태도 균일하게 유지할 수 있게 된다. 또한, 상기 폴리싱 패드가 드레싱되는 초기상태를 항상 유지하게 되므로 상기 반도체 웨이퍼의 제거율(removing rate)이 증가되어 폴리싱 속도가 증가된다. When the upper ring 100 comes into contact with the rotating polishing pad, the semiconductor wafer w fixed to the lower surface of the upper ring 100 is polished. In this case, the polishing pad is simultaneously dressed by the diamond dresser 200 mounted on the upper ring 100. Accordingly, the polishing pad is polished by the diamond dresser 200 while polishing the semiconductor wafer w to maintain a uniform state at all times. Therefore, the semiconductor wafer w polished by the polishing pad is polished at a uniform speed, and the polished state can be maintained uniformly. In addition, since the polishing pad is always kept in the initial state of dressing, the removal rate of the semiconductor wafer is increased, thereby increasing the polishing rate.

또한, 상기 다이아몬드 드레서(200)의 하면에는 슬러리배출홈(205)이 형성되어 있으므로 상기 반도체웨이퍼(w)가 연마될 때 공급되는 슬러리가 원활하게 배출되며, 반도체웨이퍼(w)의 폴리싱 상태를 균일하게 유지할 수 있도록 하여 준다.In addition, since the slurry discharge groove 205 is formed on the lower surface of the diamond dresser 200, the slurry supplied when the semiconductor wafer w is polished is smoothly discharged, and the polishing state of the semiconductor wafer w is uniform. To keep it.

또한, 상기 다이아몬드 드레서(200)는 상기 슬립링(300)에 의하여 상기 반도체웨이퍼(w)와 접촉되지 않으므로 상기 폴리싱 패드를 드레싱하면서 상기 반도체웨이퍼(w)를 손상시키는 것을 방지하게 된다. In addition, since the diamond dresser 200 does not contact the semiconductor wafer w by the slip ring 300, the diamond dresser 200 may prevent the semiconductor wafer w from being damaged while dressing the polishing pad.

상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내 에 있게 된다.As described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and any person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. As a matter of course, various modifications may be made, and such modifications are within the scope of the claims.

본 발명에 따르면 폴리싱 패드가 반도체 웨이퍼를 연마할 때 동시에 다이아몬드 드레서에 의하여 폴리싱 패드가 드레싱 됨으로써, 폴리싱 패드가 항상 균일한 상태로 유지되어 반도체 웨이퍼의 폴리싱 면의 균일도가 향상되고 반도체 웨이퍼의 제거율이 증가에 따른 생산성이 향상될 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the polishing pad is dressed by the diamond dresser at the same time as the polishing pad polishes the semiconductor wafer, so that the polishing pad is always kept uniform, improving the uniformity of the polishing surface of the semiconductor wafer and increasing the removal rate of the semiconductor wafer. There is an effect that can be improved according to the productivity.

Claims (8)

반도체웨이퍼 표면을 폴리싱 하는 화학 기계적 연마장치에서 하면에 상기 반도체 웨이퍼를 고정하여 회전시키는 화학 기계적 연마장치용 상부링에 있어서,In the upper ring for the chemical mechanical polishing apparatus for fixing and rotating the semiconductor wafer on the lower surface in the chemical mechanical polishing apparatus for polishing the surface of the semiconductor wafer, 상기 상부링은 The upper ring is 하부의 외측에 링 형상으로 다이아몬드 드레서홈이 형성되는 본체;A main body having a diamond dresser groove formed in a ring shape on an outer side of the lower portion; 상기 반도체웨이퍼의 하면에서 소정 높이 돌출되도록 상기 다이아몬드 드레서홈에 장착되는 다이아몬드 드레서를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.And a diamond dresser mounted to the diamond dresser groove so as to protrude a predetermined height from the bottom surface of the semiconductor wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다이아몬드 드레서는 상기 본체에 다수의 고정볼트에 의하여 고정되며,The diamond dresser is fixed to the body by a plurality of fixing bolts, 상기 본체의 상면과 상기 고정볼트의 헤드 사이에는 제1탄성체가 구비되며,A first elastic body is provided between the upper surface of the main body and the head of the fixing bolt, 상기 다이아몬드 드레서홈의 하면과 상기 다이아몬드 드레서 사이에는 제2탄성체가 구비되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The upper ring for the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that a second elastic body is provided between the lower surface of the diamond dresser groove and the diamond dresser. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 다이아몬드 드레서는 하면에 슬러리배출홈이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The diamond dresser upper ring for a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the slurry discharge groove is further formed on the lower surface. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 슬러리배출홈은 내측에서 외측으로 상기 다이아몬드 드레서의 회전방향과 둔각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The slurry discharge groove is an upper ring for a chemical mechanical polishing device, characterized in that it is formed to form an obtuse angle with the rotation direction of the diamond dresser from the inside to the outside. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1탄성체는 코일스프링으로 형성되며, 내측에 상기 고정볼트가 삽입되어 결합되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The first elastic body is formed of a coil spring, the upper ring for a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the fixing bolt is inserted and coupled inside. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2탄성체는 상기 다이아몬드 드레서의 수평단면의 형상에 상응하는 링 형상의 고무패킹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The second elastic body is an upper ring for a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that formed in a rubber seal of a ring shape corresponding to the shape of the horizontal cross section of the diamond dresser. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 본체의 하면에서 상기 반도체웨이퍼와 상기 다이아몬드 드레서 사이에 장착되는 슬립링을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.And a slip ring mounted between the semiconductor wafer and the diamond dresser at a lower surface of the main body. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 슬립링은 플라스틱 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치용 상부링.The slip ring is an upper ring for chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that formed of a plastic material.
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