KR20030047132A - Method of forming spacers in liquid crystal display device - Google Patents

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이정호
홍문표
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for forming a spacer of a liquid crystal display is provided to form a spacer used for maintaining a gap between upper and lower substrates of the liquid crystal display through the laser transfer method. CONSTITUTION: Pixels electrodes are formed on the first substrate. Multiple donor films(290) including a transfer layer(280) and a light-to-heat conversion layer(284) are deposited on the second substrate(262) on which a color filter(264) and a common electrode(266) are formed. Laser is selectively irradiated to the donor films to transfer portions of the transfer layer to which heat is transferred through the light-to-heat conversion layer to the second substrate. The donor films are stripped to form a plurality of spacers(270) composed of the transferred patterns. The first and second substrates are attached to each other having a gap formed by the spacers. A liquid crystal layer is formed between the first and second substrates.

Description

액정표시장치의 스페이서 형성방법{Method of forming spacers in liquid crystal display device}Method of forming spacers in liquid crystal display device

본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 전사법을 이용하여 상·하판 사이의 갭을 유지하기 위한 스페이서를 형성하는 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device for forming a spacer for maintaining a gap between an upper plate and a lower plate using a laser transfer method.

오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 전자 디스플레이 장치(electronic display device)의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 전자 디스플레이 장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다.In today's information society, the role of electronic display devices becomes more and more important, and various electronic display devices are widely used in various industrial fields.

일반적으로 전자 디스플레이 장치란 다양한 정보를 시각을 통해 인간에게 전달하는 장치를 말한다. 즉, 전자 디스플레이 장치란 각종 전가 기기로부터 출력되는 전기적 정보 신호를 인간의 시각으로 인식 가능한 광 정보 신호로 변환하는 전자 장치라고 정의할 수 있으며, 인간과 전자 기기를 연결하는 가교적 역할을 담당하는 장치로 정의될 수도 있다.In general, an electronic display device refers to a device that transmits various information to a human through vision. In other words, an electronic display device may be defined as an electronic device that converts electrical information signals output from various electronic devices into optical information signals that can be recognized by human eyes, and serves as a bridge that connects humans and electronic devices. It may be defined as.

이러한 전자 디스플레이 장치에 있어서, 광 정보 신호가 발광 현상에 의해 표시되는 경우에는 발광형 표시(emissive display) 장치로 불려지며, 반사, 산란, 간섭 현상 등에 의해 광 변조를 표시되는 경우에는 수광형 표시(non-emissivedisplay) 장치로 일컬어진다. 능동형 표시 장치라고도 불리는 상기 발광형 표시 장치로는 음극선관(cathode ray tube; CRT), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP), 발광 다이오드(light emitting diode; LED) 및 일렉트로 루미네슨트 디스플레이(electroluminescent display; ELD) 등을 들 수 있다. 또한, 수동형 표시 장치인 상기 수광형 표시 장치에는 액정표시장치(liquid crystal display; LCD), 전기화학 표시장치(electrochemical display; ECD) 및 전기 영동 표시장치(electrophoretic image display; EPID) 등이 해당된다.In such an electronic display device, when an optical information signal is displayed by a light emitting phenomenon, it is called an emissive display device, and when a light modulation is displayed by reflection, scattering, or interference phenomenon, a light receiving display ( It is called a non-emissive display device. The light emitting display device, also called an active display device, includes a cathode ray tube (CRT), a plasma display panel (PDP), a light emitting diode (LED), and an electroluminescent display (electroluminescent display). display; ELD). In addition, the light receiving display device, which is a passive display device, includes a liquid crystal display (LCD), an electrochemical display (ECD), an electrophoretic image display (EPID), and the like.

텔레비전이나 컴퓨터용 모니터 등과 같은 화상표시장치에 사용되는 음극선관(CRT)은 표시 품질 및 경제성 등의 면에서 가장 높은 점유율을 차지하고 있으나, 무거운 중량, 큰 용적 및 높은 소비 전력 등과 같은 많은 단점을 가지고 있다.Cathode ray tubes (CRTs) used in image display devices such as televisions and computer monitors occupy the highest share in terms of display quality and economy, but have many disadvantages such as heavy weight, large volume and high power consumption. .

그러나, 반도체 기술의 급속한 진보에 의해 각종 전자 장치의 고체화, 저 전압 및 저 전력화와 함께 전자 기기의 소형 및 경량화에 따라 새로운 환경에 적합한 전자 디스플레이 장치, 즉 얇고 가벼우면서도 낮은 구동 전압 및 낮은 소비 전력의 특징을 갖춘 평판 패널(flat panel)형 디스플레이 장치에 대한 요구가 급격히 증대하고 있다.However, due to the rapid progress of semiconductor technology, the electronic display device suitable for the new environment, that is, the thin and light, the low driving voltage and the low power consumption of the electronic device, according to the miniaturization, low voltage and low power of various electronic devices, and the miniaturization and light weight of the electronic device, The demand for flat panel display devices with features is rapidly increasing.

현재 개발된 여러 가지 평판 디스플레이 장치 중에서 액정표시장치는 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며, 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖추고 있을 뿐만 아니라, 음극선관에 가까운 화상 표시가 가능하기 때문에 다양한 전자 장치에 광범위하게 사용되고 있다.Among the various flat panel display devices currently developed, liquid crystal displays are thinner and lighter than other display devices, have low power consumption and low driving voltage, and are widely used in various electronic devices because they can display images close to cathode ray tubes. Is being used.

도 1은 통상적인 액정표시장치의 LCD 패널의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an LCD panel of a conventional liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 액정표시장치는 영상을 표시하는 LCD 패널과 영상 신호를 발생하는 구동 집적회로로 구성된다.Referring to FIG. 1, a liquid crystal display includes an LCD panel displaying an image and a driving integrated circuit generating an image signal.

상기 LCD 패널은 제1 기판(100), 상기 제1 기판(100)과 마주보도록 부착된 제2 기판(102) 및 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(102) 사이에 주입된 액정(114)으로 구성된다.The LCD panel includes a first substrate 100, a second substrate 102 attached to face the first substrate 100, and a liquid crystal injected between the first substrate 100 and the second substrate 102. 114).

제1 기판(100)에는 복수개의 게이트 라인(104)과 복수개의 데이터 라인(106)이 매트릭스 형태로 형성되어 있고 그 교차점에 화소 전극(108)과 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 형성되어 있다. 상기 제2 기판(102)에는 광이 통과하면서 소정 색이 발현되는 RGB 화소로 이루어진 컬러 필터(112)와 투명 공통 전극(110)이 형성되어 있다. 또한, 상기 액정(114)의 배향 방향에 따라 제1 기판(100)과 제2 기판(102)의 바깥 면에는 외부 빛의 투과 방향을 일정하게 해주는 편광판(도시하지 않음)이 부착된다.A plurality of gate lines 104 and a plurality of data lines 106 are formed in a matrix form on the first substrate 100, and pixel electrodes 108 and thin film transistors (TFTs) are formed at intersections thereof. have. The second substrate 102 is formed with a color filter 112 and a transparent common electrode 110 made of RGB pixels through which light is expressed. In addition, polarizers (not shown) may be attached to outer surfaces of the first substrate 100 and the second substrate 102 in accordance with the alignment direction of the liquid crystal 114 to make the transmission direction of external light constant.

박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브 패턴 및 소오스/드레인 전극을 포함하는데, 상기 액티브 패턴을 구성하는 물질에 따라 비정질실리콘형 및 다결정실리콘형으로 구분된다. 상기 게이트 전극은 게이트 라인에 연결되고, 상기 소오스 전극은 데이터 라인에 연결되며, 상기 드레인 전극은 화소 전극에 연결된다. 따라서, 게이트 라인을 통해 주사 전압이 게이트 전극에 인가되면, 데이터 라인에 흐르는 신호 전압이 소오스 전극에서 드레인 전극으로 액티브 패턴을 통해 인가된다. 신호 전압이 드레인 전극으로 인가되면, 드레인 전극에 연결된 화소 전극과 제2 기판의 공통 전극 사이에 전압 차가 발생하게 된다. 그러면, 화소 전극과 공통 전극 사이에 주입된 액정층의 분자 배열이 변화되고, 이로 인해 액정층의 광 투과율이 변하게 되어 박막 트랜지스터는 LCD 패널의 화소를 동작시키는 스위칭 소자로서의 역할을 수행한다.The thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating film, an active pattern, and a source / drain electrode. The thin film transistor is classified into an amorphous silicon type and a polysilicon type according to a material forming the active pattern. The gate electrode is connected to a gate line, the source electrode is connected to a data line, and the drain electrode is connected to a pixel electrode. Therefore, when a scan voltage is applied to the gate electrode through the gate line, a signal voltage flowing through the data line is applied from the source electrode to the drain electrode through the active pattern. When the signal voltage is applied to the drain electrode, a voltage difference is generated between the pixel electrode connected to the drain electrode and the common electrode of the second substrate. Then, the molecular arrangement of the liquid crystal layer injected between the pixel electrode and the common electrode is changed, and thus the light transmittance of the liquid crystal layer is changed, so that the thin film transistor serves as a switching element for operating the pixels of the LCD panel.

상기 컬러 필터는 염색법, 인쇄법, 전착법, 안료 분산법, 필름 전사법, 버블 제트(bubble-jet)법 또는 레이저 전사법 등에 의해 제조되는데, 최근에는 공정 단순화 측면에서 레이저 전사법이 각광받고 있다.The color filter is manufactured by a dyeing method, a printing method, an electrodeposition method, a pigment dispersion method, a film transfer method, a bubble jet method, or a laser transfer method. Recently, a laser transfer method has been spotlighted in terms of process simplification. .

도 2a 내지 도 2d는 통상적인 레이저 전사법에 의한 컬러 필터 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a color filter by a conventional laser transfer method.

도 2a를 참조하면, 화소 간의 광 누출을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(도시하지 않음)가 형성되어 있는 유리 기판(101) 상에 컬러층(120), 층간막(122), 열 변환층(light to heat conversion layer)(124) 및 지지필름(126)으로 구성된 컬러 도너필름(color donor film)(130)을 적층한다(laminating).Referring to FIG. 2A, a color layer 120, an interlayer film 122, and a light conversion layer are formed on a glass substrate 101 on which a black matrix (not shown) is formed to prevent light leakage between pixels. A color donor film 130 composed of a heat conversion layer 124 and a support film 126 is laminated.

상기 지지필름(126)은 레이저가 통과할 수 있는 투명 필름으로서, 약 75∼100㎛의 두께로 형성된다. 상기 지지필름(126)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET)와 같은 고분자 화합물로 구성되며, 경우에 따라 폴리카보네이트 필름(polycarbonate film; PC) 등을 사용할 수도 있다.The support film 126 is a transparent film through which a laser can pass, and is formed to a thickness of about 75 to 100 μm. The support film 126 is made of a polymer compound such as polyethylene terephthalate (PET), and in some cases, a polycarbonate film (PC) or the like may be used.

상기 열 변환층(124)은 빛을 열로 전환시키는 층으로서, IR쪽 영역의 레이저를 잘 흡수할 수 있으면서 레이저에 의한 열 에너지에 아주 잘 견딜 수 있는 재료,바람직하게는 탄소와 아크릴 수지 등으로 구성된다. 즉, 자외선(UV) 경화에 의해 막이 완성되며, 막 내에 포함된 탄소가 레이저를 받으면 열을 내는 역할을 한다. 따라서, 열 변환층(124)은 레이저 전사법에서 가장 중요한 역할을 하는 층이며, 에너지 감도, 즉 컬러층(120)을 녹이는 정도가 상기 열 변환층(124)에 의해 주로 결정된다. 상기 열 변환층(124)은 약 4∼4.5㎛의 두께로 형성된다.The heat conversion layer 124 is a layer that converts light into heat, and is composed of a material that can absorb the laser in the IR region and can withstand the thermal energy of the laser very well, preferably carbon and acrylic resin. do. That is, the film is completed by ultraviolet (UV) curing, and the carbon contained in the film generates heat when subjected to a laser. Therefore, the heat conversion layer 124 is the most important layer in the laser transfer method, the energy sensitivity, that is, the degree of melting the color layer 120 is mainly determined by the heat conversion layer 124. The heat conversion layer 124 is formed to a thickness of about 4 ~ 4.5㎛.

상기 층간막(122)은 열 변환층(124)에 의한 컬러층(120)으로의 오염을 막고, 상기 컬러층(120)에 균일성을 주는 역할을 한다. 상기 층간막(122)은 아크릴계 유기 물질로서, 약 1㎛의 두께로 형성된다.The interlayer film 122 prevents contamination of the color layer 120 by the heat conversion layer 124 and serves to give uniformity to the color layer 120. The interlayer film 122 is an acrylic organic material and has a thickness of about 1 μm.

상기 컬러층(120)은 비감광성 및 열 경화성 물질, 바람직하게는 안료가 포함된 아크릴 수지로 구성되며 약 1.4㎛의 두께로 형성된다. 레이저 전사법에 있어서, 상기 컬러층(120)의 융해 및 기판에 대한 접착(adhesion) 성질이 제어해야할 가장 중요한 요소가 된다.The color layer 120 is formed of an acrylic resin containing a non-photosensitive and thermosetting material, preferably a pigment, and is formed to a thickness of about 1.4 μm. In the laser transfer method, the melting of the color layer 120 and the adhesion property to the substrate become the most important factors to be controlled.

도 2b를 참조하면, 상기 컬러 도너필름(130)에 레이저를 조사한다. 그러면, 상기 열 변환층(124)이 레이저를 받으면서 많은 열을 내게 되고, 이 열이 컬러층(120)에 전달된다.Referring to FIG. 2B, a laser is irradiated to the color donor film 130. Then, the heat conversion layer 124 receives a laser and emits a lot of heat, and the heat is transferred to the color layer 120.

도 2c를 참조하면, 상기 컬러 도너필름(130)을 박리(peeling)한다. 그러면, 상기 컬러층(120) 중 열이 전달된 부분이 유리 기판(101)으로 전사되어 컬러 패턴, 예컨대 적색 패턴(R)을 형성한다.Referring to FIG. 2C, the color donor film 130 is peeled off. Then, the heat transfer portion of the color layer 120 is transferred to the glass substrate 101 to form a color pattern, for example, a red pattern (R).

상술한 도 2a 내지 도 2c의 단계들을 3회 반복하면, 도 2d에 도시한 바와 같이 유리 기판(101) 상에 RGB 화소로 이루어진 컬러 필터(112)가 형성된다.When the above-described steps of FIGS. 2A to 2C are repeated three times, a color filter 112 made of RGB pixels is formed on the glass substrate 101 as shown in FIG. 2D.

상기 컬러 필터(112)가 형성된 유리 기판(101) 위에 투명 공통 전극(110)을 형성하여 제2 기판(도 1의 102)을 완성한 후, 제2 기판(102) 상에 스페이서를 형성하고 제2 기판(102)과 제1 기판(100)을 합착시킨다. 그러면, 상기 스페이서에 의해 제1 기판(100)과 제2 기판(102) 사이에 소정의 공간이 형성되며, 이 공간에 액정 물질을 주입하여 액정층(도 1의 114)을 형성한다.After forming the transparent common electrode 110 on the glass substrate 101 on which the color filter 112 is formed to complete the second substrate (102 of FIG. 1), a spacer is formed on the second substrate 102 and the second substrate is formed. The substrate 102 and the first substrate 100 are bonded to each other. Then, a predetermined space is formed between the first substrate 100 and the second substrate 102 by the spacer, and a liquid crystal material is injected into the space to form a liquid crystal layer (114 in FIG. 1).

상기 스페이서는 상판과 하판 사이의 갭을 정밀하고 균일하게 유지하는 역할을 하며, 하판, 즉 제1 기판(100)에 대해 균일한 밀도로 산포된다.The spacer serves to maintain a precise and uniform gap between the upper plate and the lower plate, and is distributed at a uniform density with respect to the lower plate, that is, the first substrate 100.

도 3a 및 도 3b는 종래 방법에 의한 액정표시장치의 스페이서 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a spacer forming method of a liquid crystal display according to a conventional method.

도 3a를 참조하면, 아크릴 등 열 경화성 수지에 광 반응 개시제와 기타 부가 용제를 함께 용해하여 만들어진 감광성 유기 절연막(132)을 제2 기판(102) 상에 도포한다. 이어서, 스페이서 패턴이 형성된 포토 마스크(140)를 이용하여 상기 유기 절연막(132)을 노광한다.Referring to FIG. 3A, a photosensitive organic insulating layer 132 formed by dissolving a photoreaction initiator and other additional solvents together in a thermosetting resin such as acrylic is coated on the second substrate 102. Subsequently, the organic insulating layer 132 is exposed using the photomask 140 having the spacer pattern formed thereon.

도 3b를 참조하면, 테트라메틸-수산화암모늄(TMAH) 현상액을 이용하여 현상 공정을 진행한다. 그러면, 유기 절연막(132)으로 이루어진 스페이서(134)가 형성된다. 이어서, 큐어링(curing) 공정을 실시하여 상기 스페이서(134)를 경화시킨다.Referring to FIG. 3B, a developing process is performed using tetramethyl-ammonium hydroxide (TMAH) developer. Then, the spacer 134 made of the organic insulating layer 132 is formed. Subsequently, a curing process is performed to cure the spacer 134.

여기서, 상기 감광성 유기 절연막 대신에 비감광성 유기 절연막을 사용할 경우에는, 비감광성 유기 절연막 위에 포토레지스트막을 도포하고 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 비감광성 유기 절연막을 선택적으로 건식 식각함으로써 스페이서를 형성한다.In the case where a non-photosensitive organic insulating film is used instead of the photosensitive organic insulating film, a photoresist film is coated on the non-photosensitive organic insulating film, and the photoresist film is exposed and developed to form a photoresist pattern. Subsequently, spacers are formed by selectively dry etching the non-photosensitive organic insulating layer using the photoresist pattern as an etching mask.

상술한 종래 방법에 의하면, 도포, 노광 및 현상 공정으로 이루어진 사진식각 공정으로 스페이서를 형성하기 때문에 공정이 매우 복잡하고 제조 단가가 상승하는 단점이 있다.According to the conventional method described above, since the spacer is formed by a photolithography process consisting of an application process, an exposure process, and a development process, the process is very complicated and manufacturing costs are increased.

따라서, 본 발명의 목적은 레이저 전사법을 이용하여 상·하판 사이의 갭을 유지하기 위한 스페이서를 형성하는 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which forms a spacer for maintaining a gap between an upper plate and a lower plate by using a laser transfer method.

도 1은 통상적인 액정표시장치의 LCD 패널의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an LCD panel of a conventional liquid crystal display device.

도 2a 내지 도 2d는 통상적인 레이저 전사법에 의한 컬러 필터 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a color filter by a conventional laser transfer method.

도 3a 및 도 3b는 종래 방법에 의한 액정표시장치의 스페이서 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a spacer forming method of a liquid crystal display according to a conventional method.

도 4는 본 발명이 적용되는 액정표시장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device to which the present invention is applied.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5A through 5F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

200 : 제1 기판201 : 제1 절연 기판200: first substrate 201: first insulating substrate

250 : 박막 트랜지스터252 : 보호막250: thin film transistor 252: protective film

254 : 화소 전극256 : 제1 배향막254: pixel electrode 256: first alignment layer

260 : 제2 기판262 : 제2 절연 기판260: second substrate 262: second insulating substrate

264 : 컬러 필터266 : 공통 전극264 color filter 266 common electrode

268 : 제2 배향막270 : 스페이서268: second alignment layer 270: spacer

272 : 액정층280 : 전사층272: liquid crystal layer 280: transfer layer

282 : 층간막284 : 열 변환층282: interlayer film 284: heat conversion layer

286 : 지지 필름290 : 도너 필름286 support film 290 donor film

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1 기판에 화소를 형성하는 단계; 상기 제1 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계; 컬러 필터 및 공통 전극이 형성된 제2 기판 상에 전사층 및 열 변환층을 구비하는 다층 도너 필름을 적층하는 단계; 상기 도너 필름에 레이저를 선택적으로 조사하여 상기 전사층 중 상기 열 변환층을 통해 열이 전달된 부분들을 상기 제2 기판 위로 전사시키는 단계; 상기 도너 필름을 박리하여 상기 제2 기판 상에 상기 전사된 패턴으로 이루어진 다수의 스페이서들을 형성하는 단계; 상기 스페이서들에 의해 갭을 유지하면서 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착시키는 단계; 및 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention comprises the steps of forming a pixel on the first substrate; Forming a pixel electrode on the first substrate; Stacking a multilayer donor film including a transfer layer and a heat conversion layer on a second substrate on which a color filter and a common electrode are formed; Selectively irradiating a laser onto the donor film to transfer portions of the transfer layer to which heat is transferred through the heat conversion layer onto the second substrate; Peeling the donor film to form a plurality of spacers having the transferred pattern on the second substrate; Bonding the first substrate and the second substrate to each other while maintaining a gap by the spacers; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.

본 발명에 의하면, 레이저 전사법을 이용하여 스페이서를 형성함으로써 종래의 사진식각 공정으로 스페이서를 형성하는 방법에 비해 공정 수를 단축하여 제조단가를 절감할 수 있다.According to the present invention, by forming the spacer by using a laser transfer method it is possible to reduce the manufacturing cost by shortening the number of steps compared to the method of forming the spacer by a conventional photolithography process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 의한 액정표시장치의 단면도로서, 하부-게이트 구조의 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치를 도시한다.4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the present invention, which illustrates an amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device having a bottom-gate structure.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 의한 액정표시장치는 화소가 형성되어 있는 제1 기판(200), 상기 제1 기판(200)에 대향하여 배치된 제2 기판(260), 상기 제1 기판(200)과 제2 기판(260) 사이에 형성된 액정층(272), 그리고 상기 제1 기판(200)과 액정층(272) 사이에 형성된 화소 전극(254)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a first substrate 200 on which pixels are formed, a second substrate 260 disposed to face the first substrate 200, and the first substrate. And a liquid crystal layer 272 formed between the second substrate 200 and the second substrate 260, and a pixel electrode 254 formed between the first substrate 200 and the liquid crystal layer 272.

상기 제1 기판(200)은 제1 절연 기판(201)과 상기 제1 절연 기판(201)에 형성된 스위칭 소자의 박막 트랜지스터(250)를 포함한다.The first substrate 200 includes a first insulating substrate 201 and a thin film transistor 250 of a switching element formed on the first insulating substrate 201.

상기 박막 트랜지스터(250)가 형성된 제1 절연 기판(201) 상에는 바람직하게는 감광성 유기 물질로 이루어진 보호막(252)이 적층되며, 이러한 보호막(252)에는 박막 트랜지스터(250)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(253)이 형성된다. 반사형 또는 반사-투과형 액정표시장치의 경우, 반사율을 증가시키기 위해 상기 보호막(252)의 표면에 광 산란을 위한 다수의 요철부가 형성될 수 있다.A protective film 252 made of a photosensitive organic material is preferably stacked on the first insulating substrate 201 on which the thin film transistor 250 is formed. A contact hole exposing a portion of the thin film transistor 250 is exposed in the protective film 252. 253 is formed. In the reflective or reflective-transmissive liquid crystal display, a plurality of uneven parts for light scattering may be formed on the surface of the passivation layer 252 to increase the reflectance.

상기 콘택홀(253) 및 보호막(252) 상에는 투명 도전막이나 반사막으로 이루어진 화소 전극(254)이 형성된다. 상기 화소 전극(254)은 콘택홀(253)을 통해 박막 트랜지스터(250)와 전기적으로 연결된다. 화소 전극(254)은 박막 트랜지스터(250)로부터 화상 신호를 받아 상판(즉, 제2 기판)의 공통 전극(266)과 함께 전기장을생성하는 역할을 한다.The pixel electrode 254 made of a transparent conductive layer or a reflective layer is formed on the contact hole 253 and the passivation layer 252. The pixel electrode 254 is electrically connected to the thin film transistor 250 through the contact hole 253. The pixel electrode 254 receives an image signal from the thin film transistor 250 and generates an electric field together with the common electrode 266 of the upper plate (ie, the second substrate).

상기 화소 전극(254) 상에는 제1 배향막(orientation layer)(256)이 적층된다.A first orientation layer 256 is stacked on the pixel electrode 254.

상기 제1 기판(200)에 대향하는 제2 기판(260)은 제2 절연 기판(262), 화소 영역 간의 광 누출을 방지하는 블랙 매트릭스(도시하지 않음), 풀 컬러(full color) 색을 구현해주는 컬러 필터(264),ITO(indium-tin-oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어진 공통 전극(266) 및 제2 배향막(268)을 포함한다.The second substrate 260 facing the first substrate 200 implements a second insulating substrate 262, a black matrix (not shown), and full color to prevent light leakage between pixel areas. The color filter 264 includes a common electrode 266 and a second alignment layer 268 formed of a transparent conductive layer such as indium-tin-oxide (ITO).

상기 제2 절연 기판(262)은 제1 절연 기판(201)과 동일한 물질, 예컨대 유리 또는 세라믹으로 이루어진다. 상기 제2 배향막(268)은 제1 기판(200)의 제1 배향막(256)과 함께 액정층(272)의 액정 분자들을 소정 각도로 프리틸팅시키는 기능을 수행한다.The second insulating substrate 262 is made of the same material as the first insulating substrate 201, for example, glass or ceramic. The second alignment layer 268 performs a function of pretilting the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 272 together with the first alignment layer 256 of the first substrate 200 at a predetermined angle.

상기 제1 기판(200)과 제2 기판(260) 사이에는 다수의 스페이서(272)들이 개재되어 제1 기판(200)과 제2 기판(260) 사이에 소정의 공간이 형성된다. 이와 같은 제1 기판(200)과 제2 기판(260) 사이의 공간에는 액정층(272)이 형성된다.A plurality of spacers 272 are interposed between the first substrate 200 and the second substrate 260 to form a predetermined space between the first substrate 200 and the second substrate 260. The liquid crystal layer 272 is formed in the space between the first substrate 200 and the second substrate 260.

이하, 도 4에 도시한 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the liquid crystal display shown in FIG. 4 will be described with reference to the drawings.

도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시한 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 5a 내지 도 5f에 있어서, 도 4에서와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.5A through 5F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the liquid crystal display shown in FIG. 4. 5A to 5F, the same reference numerals are used for the same members as in FIG.

도 5a를 참조하면, 유리 또는 세라믹과 같은 절연 물질로 이루어진 제1 절연 기판(201) 상에 약 500Å의 크롬(Cr) 및 약 2500Å의 알루미늄-내드뮴(AlNd)으로이루어진 제1 금속막을 증착한 후, 사진식각 공정으로 상기 제1 금속막을 패터닝하여 제1 방향으로 신장되는 게이트 라인(도시하지 않음), 상기 게이트 라인으로부터 분기된 박막 트랜지스터의 게이트 전극(210) 및 상기 게이트 라인의 끝단에 연결되어 게이트 전극(210)에 주사 전압을 인가하기 위한 게이트 패드(도시하지 않음)를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(210)은 그 측벽이 테이퍼드 프로파일(tapered profile)을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5A, a first metal film made of about 500 kW of chromium (Cr) and about 2500 kW of aluminum-dadmium (AlNd) is deposited on a first insulating substrate 201 made of an insulating material such as glass or ceramic. After that, the first metal layer is patterned by a photolithography process, and is connected to a gate line (not shown) extending in a first direction, a gate electrode 210 of the thin film transistor branched from the gate line, and an end of the gate line. A gate wiring including a gate pad (not shown) for applying a scan voltage to the gate electrode 210 is formed. In this case, the gate electrode 210 is preferably formed so that the side wall has a tapered profile (tapered profile).

상기 게이트 배선이 형성된 제1 절연 기판(201)의 전면에 실리콘 질화물을 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 방법에 의해 약 4500Å의 두께로 증착하여 게이트 절연막(215)을 형성한다.Silicon nitride is deposited on the entire surface of the first insulating substrate 201 where the gate wiring is formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method to form a gate insulating film 215. .

상기 게이트 절연막(215) 상에 액티브층으로서, 예컨대 비정질실리콘막을 PECVD 방법에 의해 약 2000Å의 두께로 증착하고, 그 위에 오믹 콘택층으로서, 예컨대 n+도핑된 비정질실리콘막을 PECVD 방법에 의해 약 500Å의 두께로 증착한다. 이때, 상기 액티브층 및 오믹 콘택층은 PECVD 설비의 동일 챔버 내에서 인-시튜(in-situ)로 증착한다. 이어서, 사진식각 공정으로 상기 막들을 패터닝하여 게이트 전극(210) 윗부분의 게이트 절연막(215) 상에 비정질실리콘막으로 이루어진 액티브 패턴(220) 및 n+도핑된 비정질실리콘막으로 이루어진 오믹 콘택 패턴(225)을 형성한다.An amorphous silicon film, for example, is deposited on the gate insulating film 215 to a thickness of about 2000 microseconds by PECVD, and an n + doped amorphous silicon film, for example, as an ohmic contact layer is deposited on the gate insulating film 215 by PECVD. Deposit to thickness. At this time, the active layer and the ohmic contact layer are deposited in-situ in the same chamber of the PECVD facility. Subsequently, the layers are patterned by a photolithography process to form an active pattern 220 formed of an amorphous silicon layer on the gate insulating layer 215 on the gate electrode 210 and an ohmic contact pattern 225 formed of an n + doped amorphous silicon layer. ).

상기 오믹 콘택 패턴(225) 및 게이트 절연막(215) 상에 크롬(Cr), 크롬-알루미늄(Cr-Al) 또는 크롬-알루미늄-크롬(Cr-Al-Cr)과 같은 제2 금속막을 약1500∼4000Å의 두께로 증착한 후, 사진식각 공정으로 상기 제2 금속막을 패터닝하여 게이트 라인에 직교하는 데이터 라인(도시하지 않음), 상기 데이터 라인으로부터 분기되는 소오스 전극(230) 및 드레인 전극(235), 그리고 상기 데이터 라인의 끝단에 연결되어 상기 소오스 전극(230)에 신호 전압을 인가하기 위한 데이터 패드(도시하지 않음)를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 계속해서, 상기 소오스 전극(230)과 드레인 전극(235) 사이의 노출된 오믹 콘택 패턴(125)을 반응성 이온 식각(reactive ion etching; RIE) 방법에 의해 제거해낸다.On the ohmic contact pattern 225 and the gate insulating layer 215, a second metal layer such as chromium (Cr), chromium-aluminum (Cr-Al), or chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr) After deposition to a thickness of 4000 kV, the second metal film is patterned by a photolithography process to form a data line (not shown) orthogonal to a gate line, a source electrode 230 and a drain electrode 235 branched from the data line, The data line is connected to an end of the data line to form a data line including a data pad (not shown) for applying a signal voltage to the source electrode 230. Subsequently, the exposed ohmic contact pattern 125 between the source electrode 230 and the drain electrode 235 is removed by a reactive ion etching (RIE) method.

본 실시예에서는 액티브 패턴(220), 오믹 콘택 패턴(225) 및 데이터 배선을 2매의 마스크를 이용하여 형성하였으나, 본 출원인이 대한민국 특허청에 출원번호 1998-049710호로 출원한 방법에 의해 1매의 마스크를 이용하여 액티브 패턴(220), 오믹 콘택 패턴(225) 및 데이터 배선을 동시에 형성할 수도 있다.In this embodiment, the active pattern 220, the ohmic contact pattern 225, and the data wirings are formed using two masks. The active pattern 220, the ohmic contact pattern 225, and the data line may be simultaneously formed using a mask.

도 5b를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터(250)가 형성된 제1 절연 기판(201)의 전면에 무기물이나 감광성 유기물을 2㎛ 이상의 두께로 두껍게 도포하여 보호막(252)을 형성한다. 상기 보호막(252)을 낮은 유전율을 갖는 유기물로 형성할 경우, 그 하부의 데이터 배선과의 사이에 기생 캐패시턴스의 생성을 억제할 수 있으므로 화소 전극을 게이트 라인 및 데이터 라인과 중첩되도록 형성하여 높은 개구율의 박막 트랜지스터-액정표시장치를 구현할 수 있다. 이어서, 사진식각 공정 또는 노광/현상 공정을 통해 상기 드레인 전극(235) 윗부분의 보호막(252)을 제거하여 콘택홀(253)을 형성한다.Referring to FIG. 5B, a protective film 252 is formed by thickly coating an inorganic material or a photosensitive organic material to a thickness of 2 μm or more on the entire surface of the first insulating substrate 201 on which the thin film transistor 250 is formed. When the passivation layer 252 is formed of an organic material having a low dielectric constant, the generation of parasitic capacitance can be suppressed between the lower portion and the data line, so that the pixel electrode is formed to overlap the gate line and the data line, thereby providing a high aperture ratio. A thin film transistor-liquid crystal display device can be implemented. Subsequently, the contact layer 253 is formed by removing the passivation layer 252 on the upper portion of the drain electrode 235 through a photolithography process or an exposure / development process.

상기 콘택홀(253) 및 보호막(252) 상에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막이나 알루미늄(Al), 알루미늄-내드뮴(Al-Nd) 또는 은(Ag)과 같이 높은 반사율을 갖는 금속막을 증착한 후, 사진식각 공정으로 상기 막을 패터닝하여 콘택홀(253)을 통해 드레인 전극(235)과 접속되는 화소 전극(254)을 형성한다.A transparent conductive film such as ITO or IZO or a metal film having a high reflectance such as aluminum (Al), aluminum-dadmium (Al-Nd), or silver (Ag) is deposited on the contact hole 253 and the protective layer 252. After that, the film is patterned by a photolithography process to form a pixel electrode 254 connected to the drain electrode 235 through the contact hole 253.

계속해서, 상기 화소 전극(254) 상에 유기 재질의 폴리이미드 계열의 고분자 박막을 도포하고 러빙(rubbing) 처리를 실시하여 액정층 내의 액정 분자들을 선택된 각으로 프리틸팅시키는 제1 배향막(256)을 형성한다.Subsequently, a first alignment layer 256 is coated on the pixel electrode 254 to apply a polyimide polymer thin film of an organic material and perform rubbing to pretilt the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer at a selected angle. Form.

도 5c를 참조하면, 상기 제1 절연 기판(201)과 동일한 물질로 구성된 제2 절연 기판(262) 상에 컬러 필터(264), 공통 전극(266) 및 제2 배향막(268)을 순차적으로 형성하여 제2 기판(260)을 완성한다. 이때, 상기 컬러 필터(264)는 안료 분산법이나 도 2에서 설명한 바와 같은 레이저 전사법을 이용하여 형성한다.Referring to FIG. 5C, the color filter 264, the common electrode 266, and the second alignment layer 268 are sequentially formed on the second insulating substrate 262 made of the same material as the first insulating substrate 201. The second substrate 260 is completed. At this time, the color filter 264 is formed using a pigment dispersion method or a laser transfer method as described in FIG.

도 5d를 참조하면, 상기 제2 기판(260) 상에 전사층(280), 층간막(282), 열 변환층(284) 및 지지필름(286)으로 구성된 다층의 도너필름(290)을 롤러(roller) 등을 이용하여 적층한다(laminating).Referring to FIG. 5D, a multi-layered donor film 290 consisting of a transfer layer 280, an interlayer film 282, a heat conversion layer 284, and a support film 286 is rolled on the second substrate 260. Laminating using a roller or the like.

상기 지지필름(286)은 레이저가 통과할 수 있는 투명 필름으로서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET)와 같은 고분자 화합물이나 폴리카보네이트 필름(polycarbonate film; PC) 등으로 이루어진다. 바람직하게는, 상기 지지필름(286)은 약 75∼100㎛의 두께로 형성된다.The support film 286 is a transparent film through which a laser can pass, and is made of a polymer compound such as polyethylene terephthalate (PET) or a polycarbonate film (PC). Preferably, the support film 286 is formed to a thickness of about 75 ~ 100㎛.

상기 열 변환층(284)은 빛을 열로 전환시키는 층으로서, IR쪽 영역의 레이저를 잘 흡수할 수 있으면서 레이저에 의한 열 에너지에 아주 잘 견딜 수 있는 재료, 바람직하게는 탄소와 아크릴 수지 등으로 구성된다. 즉, 자외선(UV) 경화에 의해막이 완성되며, 막 내에 포함된 탄소가 레이저를 받으면 열을 내는 역할을 한다. 레이저 전사법에서 에너지 감도, 즉 전사층(280)을 녹이는 정도는 상기 열 변환층(284)에 의해 주로 결정된다. 바람직하게는, 상기 열 변환층(284)은 약 4∼4.5㎛의 두께로 형성된다.The heat conversion layer 284 is a layer that converts light into heat, and is made of a material capable of absorbing the laser in the IR-side region and being able to withstand the thermal energy of the laser very well, preferably carbon and acrylic resin. do. That is, the film is completed by ultraviolet (UV) curing, and serves to generate heat when carbon contained in the film receives a laser. In the laser transfer method, the energy sensitivity, that is, the degree of melting the transfer layer 280 is mainly determined by the heat conversion layer 284. Preferably, the heat conversion layer 284 is formed to a thickness of about 4 ~ 4.5㎛.

상기 층간막(282)은 열 변환층(284)에 의한 전사층(280)으로의 오염을 막고, 상기 전사층(280)에 균일성을 주는 역할을 한다. 바람직하게는, 상기 층간막(282)은 아크릴계 유기 물질로서 약 1㎛의 두께로 형성된다.The interlayer film 282 prevents contamination of the transfer layer 280 by the heat conversion layer 284 and serves to give uniformity to the transfer layer 280. Preferably, the interlayer film 282 is formed of an acrylic organic material having a thickness of about 1 μm.

상기 전사층(280)은 비감광성 및 열 경화성 물질로 구성되며, 컬러 필터를 제조할 경우에는 안료가 포함된 아크릴 수지로 형성되는 반면, 본 발명에서는 안료 또는 색소를 포함하지 않는 아크릴 수지로 형성된다. 컬러 필터를 제조하는데 사용되는 전사층, 즉 컬러층은 통상 약 1㎛의 두께로 형성되는 반면, 본 실시예에서는 전사층(280)으로 상·하판 사이의 갭을 유지시키기 위한 스페이서를 형성하기 때문에 상기 전사층(280)을 3∼5㎛의 두께로 두껍게 형성하여야 한다. 따라서, 상기 전사층(280)을 충분히 녹일 수 있도록 레이저 파장 또는 에너지를 조절하여야 한다.The transfer layer 280 is composed of a non-photosensitive and thermosetting material, and when the color filter is manufactured is formed of an acrylic resin containing a pigment, in the present invention is formed of an acrylic resin containing no pigment or pigment . While the transfer layer used for manufacturing the color filter, that is, the color layer is usually formed to a thickness of about 1 μm, in this embodiment, the transfer layer 280 forms a spacer for maintaining the gap between the upper and lower plates. The transfer layer 280 should be formed thick with a thickness of 3 ~ 5㎛. Therefore, the laser wavelength or energy should be adjusted to sufficiently melt the transfer layer 280.

도 5e를 참조하면, 상기 도너필름(290)에 레이저를 조사한다. 그러면, 상기 열 변환층(284)이 레이저를 받으면서 많은 열을 내게 되고, 이 열이 전사층(280)에 전달되어 상기 전사층(280) 중 열이 전달된 부분이 녹아서 이 부분이 제2 기판(260)으로 전사된다.Referring to FIG. 5E, the donor film 290 is irradiated with a laser. Then, the heat conversion layer 284 receives a laser and emits a lot of heat. The heat is transferred to the transfer layer 280, and the portion of the heat transfer portion of the transfer layer 280 is melted, and this portion is the second substrate. Transferred to 260.

도 5f를 참조하면, 상기 도너필름(290)을 박리한다(peeling). 그 결과, 제2 기판(260) 상에 상기 전사된 패턴들로 이루어진 다수의 스페이서(270)들이 형성된다. 이어서, 소정 온도에서 큐어링 공정을 진행하여 상기 스페이서(270)들을 경화시킨다.Referring to FIG. 5F, the donor film 290 is peeled off. As a result, a plurality of spacers 270 formed of the transferred patterns are formed on the second substrate 260. Subsequently, a curing process is performed at a predetermined temperature to cure the spacers 270.

이와 같이 다수의 스페이서(270)들을 제2 기판(260) 상에 형성한 후, 상기 제2 기판(260)을 제1 기판(200)에 대향하도록 배치한다. 이어서, 상기 스페이서들(270)에 의해 갭을 유지하면서 제1 기판(200)과 제2 기판(260)을 합착시킨 후, 상기 제1 기판(200)과 제2 기판(260) 사이의 공간에 진공 주입 방법을 이용하여 액정 물질을 주입하여 액정층(272)을 형성한다.After forming the plurality of spacers 270 on the second substrate 260 as described above, the second substrate 260 is disposed to face the first substrate 200. Subsequently, the first substrate 200 and the second substrate 260 are bonded to each other while maintaining a gap by the spacers 270, and then, in the space between the first substrate 200 and the second substrate 260. The liquid crystal material is injected using a vacuum injection method to form the liquid crystal layer 272.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 레이저 전사법을 이용하여 스페이서를 형성함으로써 종래의 사진식각 공정으로 스페이서를 형성하는 방법에 비해 공정 수를 단축하여 제조 단가를 절감할 수 있다.As described above, according to the present invention, by forming a spacer using a laser transfer method, the manufacturing cost can be reduced by shortening the number of processes as compared with a method of forming a spacer by a conventional photolithography process.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.

Claims (6)

제1 기판에 화소를 형성하는 단계;Forming a pixel on the first substrate; 상기 제1 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode on the first substrate; 컬러 필터 및 공통 전극이 형성된 제2 기판 상에 전사층 및 열 변환층을 구비하는 다층 도너 필름을 적층하는 단계;Stacking a multilayer donor film including a transfer layer and a heat conversion layer on a second substrate on which a color filter and a common electrode are formed; 상기 도너 필름에 레이저를 선택적으로 조사하여 상기 전사층 중 상기 열 변환층을 통해 열이 전달된 부분들을 상기 제2 기판 위로 전사시키는 단계;Selectively irradiating a laser onto the donor film to transfer portions of the transfer layer to which heat is transferred through the heat conversion layer onto the second substrate; 상기 도너 필름을 박리하여 상기 제2 기판 상에 상기 전사된 패턴으로 이루어진 다수의 스페이서들을 형성하는 단계;Peeling the donor film to form a plurality of spacers having the transferred pattern on the second substrate; 상기 스페이서들에 의해 갭을 유지하면서 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착시키는 단계; 및Bonding the first substrate and the second substrate to each other while maintaining a gap by the spacers; And 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate. 제1항에 있어서, 상기 전사층은 아크릴 수지로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the transfer layer is formed of an acrylic resin. 제1항에 있어서, 상기 전사층은 3∼5㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the transfer layer is formed to a thickness of 3 to 5 μm. 제1항에 있어서, 상기 도너 필름은 상기 전사층과 열 변환층 사이에 형성된 층간막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the donor film further comprises an interlayer film formed between the transfer layer and the heat conversion layer. 제1항에 있어서, 상기 도너 필름은 상기 열 변환층 상에 형성된 지지필름을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the donor film further comprises a supporting film formed on the heat conversion layer. 제1항에 있어서, 상기 도너 필름을 박리하는 단계 후, 상기 다수의 스페이서들을 큐어링하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, further comprising curing the plurality of spacers after the peeling of the donor film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625999B1 (en) * 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Donor sheet, manufacturing method of the donor sheet, manufacturing method of TFT using the donor sheet, and manufacturing method of flat panel display using the donor sheet

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980017847A (en) * 1996-08-31 1998-06-05 손욱 Color liquid crystal display panel and its manufacturing method
KR19980042148A (en) * 1996-11-07 1998-08-17 쯔지하루오 Liquid crystal device and its manufacturing method
KR19980057656A (en) * 1996-12-30 1998-09-25 손욱 Manufacturing method of liquid crystal display device
JPH11326919A (en) * 1998-04-17 1999-11-26 Sharp Corp Liquid crystal device and its manufacture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980017847A (en) * 1996-08-31 1998-06-05 손욱 Color liquid crystal display panel and its manufacturing method
KR19980042148A (en) * 1996-11-07 1998-08-17 쯔지하루오 Liquid crystal device and its manufacturing method
KR19980057656A (en) * 1996-12-30 1998-09-25 손욱 Manufacturing method of liquid crystal display device
JPH11326919A (en) * 1998-04-17 1999-11-26 Sharp Corp Liquid crystal device and its manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625999B1 (en) * 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Donor sheet, manufacturing method of the donor sheet, manufacturing method of TFT using the donor sheet, and manufacturing method of flat panel display using the donor sheet

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