KR20030042879A - A forming method of pattern using ArF photolithography - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로 특히, 불화아르곤(ArF) 노광원을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to a semiconductor technology. Specifically, It is related with the pattern formation method using the argon fluoride (ArF) exposure source.
반도체 소자의 진전을 지지해 온 미세 가공 기술은 사진식각(Photo lithography) 기술인 바, 이 기술의 해상력 향상이 반도체 소자의 고집적화의 장래와 직결된다고 해도 과언은 아니다The microfabrication technology that has supported the progress of semiconductor devices is a photolithography technology, and it is no exaggeration to say that the improvement in resolution of this technology is directly connected to the future of high integration of semiconductor devices.
이러한 사진식각 공정은 주지된 바와 같이, 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 통해 피식각층을 식각해서 원하는 형태의 패턴 예컨대, 콘택홀 등을 형성하는 공정을 포함하는 바, 여기서 포토레지스트 패턴은 피식각층 상에 포토레지스트를 도포하는 공정과 준비된 노광 마스크를 이용해 포토레지스트를 노광하는 공정 및 소정의 화학용액으로 노광되거나, 또는 노광되지 않은 포토레지스트 부분을 제거하는 현상 공정을 통해 이루어진다.As is well known, the photolithography process includes a process of forming a photoresist pattern and a process of etching a layer to be etched through an etching process using the photoresist pattern as an etch mask to form a pattern having a desired shape such as a contact hole. Wherein the photoresist pattern includes a process of applying a photoresist on the etched layer, a process of exposing the photoresist using a prepared exposure mask, and a portion of the photoresist exposed or not exposed with a predetermined chemical solution; Through the development process.
한편, 사진식각 공정으로 구현할 수 있는 패턴의 임계치수(Critical Dimension; 이하 CD라 함)는 상기한 노광 공정에서 어떤 파장의 광원을 사용하냐에 따라 좌우된다. 이것은 노광 공정을 통해 구현할 수 있는 포토레지스트 패턴의 폭에 따라 실제 패턴의 CD가 결정되기 때문이다.On the other hand, the critical dimension of the pattern that can be implemented by the photolithography process (hereinafter referred to as CD) depends on the wavelength of the light source used in the above exposure process. This is because the CD of the actual pattern is determined by the width of the photoresist pattern that can be realized through the exposure process.
“단계와 반복” 의 노광방식을 채택한 초기의 스테퍼(Stepper)에서 사용한 광원의 파장은 436㎚ (g-line)에서 365㎚(i-line)을 거쳐 현재는 248㎚(KrF Excimer Laser) 파장의 DUV(Deep Ultra-violet)를 이용하는 스테퍼나 스캐너 타입의 노광장비를 주로 사용하고 있다. 248㎚의 DUV 사진식각 기술은 초기에 시간 지연 효과, 기질 의존성 등과 같은 많은 문제들이 발생하여 0.18㎛ 디자인의 제품을개발하였다. 그러나 0.15㎛ 이하의 디자인을 갖는 제품을 개발하기 위해서는 새로운 193㎚(ArF Excimer Laser)의 파장을 갖는 새로운 DUV 사진식각 기술로의 기술개발이 필수적이다. 그러나, 이러한 DUV 사진식각 기술에서 해상력을 높이기 위한 여러 기술을 조합한다 하여도 0.1㎛ 이하의 패턴은 불가능하므로 새로운 광원을 갖는 사진식각 기술의 개발이 활발히 진행되고 있다.The wavelength of the light source used in the initial stepper adopting the “step and repeat” exposure method is from 436 nm (g-line) to 365 nm (i-line) and is now 248 nm (KrF Excimer Laser) wavelength. It mainly uses stepper or scanner type exposure equipment using DUV (Deep Ultra-violet). The 248nm DUV photolithography technology initially developed a product with a 0.18µm design with many problems such as time delay effects and substrate dependence. However, in order to develop a product having a design of 0.15 μm or less, it is necessary to develop a technology with a new DUV photolithography technique having a wavelength of 193 nm (ArF Excimer Laser). However, even if a combination of various techniques for enhancing the resolution in the DUV photolithography technique is impossible to pattern less than 0.1㎛, the development of a photolithography technique having a new light source is actively progressing.
현재는 ArF(불화아르곤) 레이저(λ=193㎚)로 하는 장비를 0.11㎛까지의 패턴을 목표로 개발하고 있다. DUV 사진식각 기술은 i-선 대비 해상도 및 DOF 등의 성능면에서 우수하지만, 공정제어가 쉽지 않다. 이러한 문제는 짧은 파장에서 기인된 광학적인 원인과 화학증폭형 포토레지스트의 사용에 의한 화학적인 원인으로 구분할 수 있다. 파장이 짧아지면 정지파 효과에 의한 CD 흔들림 현상과 기질 위상에 의한 반사광의 새김현상이 심해진다. CD 흔들림이란 입사광과 반사광의 간섭 정도가 포토레지스트의 미소한 두께 차이 또는 기질 필름의 두께차이에 따라 변함으로써 결과적으로 선 두께가 주기적으로 변하는 현상을 말한다. DUV 공정에서는 민감도 향상을 위해서 화학증폭형 포토레지스트를 사용할 수밖에 없는데, 그 반응메카니즘과 관련하여 PED(Post Exposure Delay) 안정성, 기질 의존성 등의 문제점이 발생하는 바, ArF 노광기술의 핵심 과제 중의 하나는 ArF용 포토레지스트의 개발이다. ArF는 KrF와 같은 화학 증폭형이지만 재료를 근본적으로 개량해야 하는 필요가 있기 때문인데, ArF 포토레지스트 재료 개발이 어려운 것은 벤젠고리를 사용할 수 없기 때문이다. 벤젠고리는 건식 식각(Dry etching) 내성을 확보하기 위해 i-선 및 KrF용 포토레지스트에 사용되어 왔다. 그러나, ArF용 포토레지스트에 벤젠고리가도입될 경우 ArF 레이저의 파장영역인 193nm에서 흡광도가 크기 때문에 투명성이 떨어져 포토레지스트 하부까지 노광이 불가능한 문제가 발생한다. 이 때문에, 벤젠고리를 가지지 않고 건식 식각 내성을 확보할 수 있으며, 접착력이 좋고 2.38% TMAH에 현상할 수 있는 재료의 연구가 진행 되고 있다. 현재까지 세계적으로 많은 회사 및 연구소에서 연구성과를 발표하고 있는 상태이나, 현재 상용화 되어 있는 COMA(CycloOlefin-Maleic Anhydride) 또는 아크릴레이드(Acrylate) 계통의 폴리머 형태, 또는 이들의 혼합 형태의 포토레지스트는 상기한 바와 같은 벤젠 구조를 가지고 있어, ArF 노광원을 이용한 사진식각을 통해 랜딩 플러그 콘택(Landing Plug Contact; 이하 LPC라 함) 등의 공정 시 줄무늬 모양 형태의 패턴의 변형(Striation)이 일어나거나, SAC 식각 도중 PR이 뭉치거나(Cluster) 성형 변형(Plastic deformation)되는 현상과 SAC 식각 도중 PR의 내성이 약하여 한쪽으로 몰리는 현상이 발생한다.At present, an ArF (argon fluoride) laser (λ = 193 nm) is being developed to target a pattern up to 0.11 mu m. DUV photolithography is superior in terms of performance and resolution compared to i-rays, but process control is not easy. These problems can be divided into optical causes due to short wavelengths and chemical causes due to the use of chemically amplified photoresists. If the wavelength is shortened, the CD shake phenomenon due to the stationary wave effect and the reflection of reflected light due to the substrate phase become worse. CD shaking refers to a phenomenon in which the line thickness changes periodically as the degree of interference between incident light and reflected light changes depending on the slight thickness difference of the photoresist or the thickness difference of the substrate film. In the DUV process, a chemically amplified photoresist has to be used to improve sensitivity, and problems related to the reaction mechanism include PED (Post Exposure Delay) stability and substrate dependence. Development of a photoresist for ArF. ArF is a chemically amplified type such as KrF, but the material needs to be fundamentally improved. ArF photoresist material development is difficult because benzene rings cannot be used. Benzene rings have been used in photoresists for i-rays and KrF to ensure dry etching resistance. However, when the benzene ring is introduced into the ArF photoresist, since the absorbance is large at 193 nm, which is the wavelength region of the ArF laser, the transparency is poor and the exposure to the lower portion of the photoresist is impossible. For this reason, the research of the material which can ensure dry etching resistance, does not have a benzene ring, and has good adhesive force and can develop in 2.38% TMAH is progressing. To date, many companies and research institutes in the world have announced their research results, but the commercially available polymers of COMO (CycloOlefin-Maleic Anhydride) or Acrylate system, or a mixture of these photoresists are It has a benzene structure as described above, so that a stripe pattern deformation or a SAC occurs during a process such as landing plug contact (LPC) through photolithography using an ArF exposure source. PR lumps or cluster plastic deformation during etching and PR resistance is weak due to weak SAC etching.
ArF 건식식각시 가장 바람직한 방법은 포토레지스트 변형이 발생하지 않는 레시피(Recipe)를 사용하여 한번에 패턴을 정의(Define)하는 것이다. 그러나, 실제로 그 공정이 요구하는 다양한 요건을 모두 만족하면서 패턴 변형이 발생하지 않는 조건의 레시피를 개발하는 것은 매우 어려운 일이다.The most preferred method for ArF dry etching is to define a pattern at once using a recipe in which no photoresist deformation occurs. However, it is very difficult to develop a recipe in which the pattern deformation does not occur while satisfying all the various requirements of the process.
일예로, 현재 비트라인(Bitline)을 형성하기 위해 사용되는 식각 레시피는 먼저 유기계열의 반사방지층(Organic Anti-Refrective Coating)을 제거하기 위한 식각 단계와, 비트라인과 플러그 사이의 절연막을 식각하는 식각 단계로 구성되어있다. 이 때, 기존에 사용되는 CO/Ar/O2계열의 반사방지층 식각 레시피의 경우 절연막을 거의 식각하지 않으면서 반사방지층을 식각해 내고, 이 후 C4F8/CH2F2계열의 일명 SAC(Self Align Contact)를 사용하는 이유는 산화막 계열의 절연막 식각시 드러나는 게이트 하드마스크의 손실을 최소화하기 위해서이다.For example, an etching recipe currently used to form a bitline may include an etching step for removing an organic anti-refrective coating and an etching process for etching an insulating film between the bit line and the plug. Is composed of steps. At this time, in the case of the conventional anti-reflective layer etching recipe of CO / Ar / O 2 series, the anti-reflective layer is etched with little etching of the insulating film, and then SAC of C 4 F 8 / CH 2 F 2 series The reason for using (Self Align Contact) is to minimize the loss of the gate hard mask exposed during the etching of the oxide-based insulating layer.
그런대, 이러한 개념의 레시피를 ArF 포토레지스트를 이용한 콘택 패터닝에 그대로 사용할 경우 문제점이 발생하게 되는 바, 반사방지층 식각시 포토레지스트 윗 부분이 벌어지게 되어 콘택의 크기가 증가하게 되며, SAC 레시피 하에 노출된 포토레지스트가 심하게 변형되어 다각형화하는 것이다. 결국 이러한 형태의 포토레지스트 패턴이 하부에 그대로 전사되어 콘택의 모양이 불규칙하게 남는 것이다.However, if the concept of this concept is used as it is for contact patterning using ArF photoresist, a problem occurs. When etching the anti-reflection layer, the upper portion of the photoresist is opened and the size of the contact is increased. The photoresist is severely deformed and polygonalized. As a result, this type of photoresist pattern is transferred to the lower portion as it is, the shape of the contact remains irregular.
따라서, ArF 레지스터의 약한 내구성과 불소계 기체에서의 약한 물성적 특성 보완 또는 공정 기술의 발전 등이 시급한 과제라 할 수 있다.Therefore, the weak durability of the ArF resistor and the weak physical properties of the fluorine-based gas, or the development of process technology is an urgent problem.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 본 발명은, ArF용 포토레지스트 패턴의 변형을 최소화할 수 있는 불화아르곤 노광원을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention proposed to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention to provide a pattern forming method using an argon fluoride exposure source that can minimize the deformation of the photoresist pattern for ArF.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명에 따른 ArF 노광원을 이용한 패턴 형성 공정을 도시한 단면도.1A to 1F are cross-sectional views showing a pattern forming process using an ArF exposure source according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 기판10: substrate
11 : 피식각층11: etching target layer
11a : 패턴이 형성될 피식각층11a: Etched layer on which pattern
12 : 포토레지스트 패턴12: photoresist pattern
13 : 마스크층13: mask layer
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 피식각층 상에 불화아르곤용 포토레지스트를 도포하는 단계; 소정의 패턴이 형성될 상기 피식각층 영역 상부가 오픈되도록 소정의 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 오픈된 피식각층을 포함한 전체 구조 상부에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 노출될 때까지 평탄화하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 마스크층을 식각마스크로 하여 상기 피식각층을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 불화아르곤 노광원을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.The present invention to solve the above problems, the step of applying a photoresist for argon fluoride on the etching layer; Forming a photoresist pattern by an exposure and development process using a predetermined mask so that an upper portion of the etched layer region where a predetermined pattern is to be formed is opened; Forming a mask layer on the entire structure including the open etching layer; Planarizing until the photoresist pattern is exposed; Removing the photoresist pattern; Selectively etching the etched layer using the mask layer as an etch mask; And it provides a pattern forming method using an argon fluoride exposure source comprising the step of removing the mask layer.
바람직하게, 본 발명의 상기 마스크층은 상기 포토레지스트가 손상받지 않도록 저온 증착이 가능하며, 상기 포토레지스트 제거시 전혀 손상받지 않으며, 상기 마스크층 제거시 상기 피식각층에 영향을 주지 않는 조건을 만족하는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하며,Preferably, the mask layer of the present invention can be deposited at a low temperature so that the photoresist is not damaged, is not damaged at all when removing the photoresist, and satisfies a condition that does not affect the etched layer when removing the mask layer. Characterized in that it comprises a substance,
상기 불화아르곤용 포토레지스트는 COMA(CycloOlefin-Maleic Anhydride) 또는 아크릴레이드(Acrylate)를 포함하는 것을 특징으로 한다.The argon fluoride photoresist is characterized in that it comprises COMA (CycloOlefin-Maleic Anhydride) or Acrylate (Acrylate).
본 발명은, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 하부층을 식각하지 않고 음가 형태로 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 별도의 물질을 마스크층으로 대체하여 피식각층을 식각함으로써 ArF용 포토레지스트의 약한 식각내성을 보완하여 패턴 변형을 최소화하는 것을 그 기술적 특징으로 한다.In the present invention, the photoresist pattern is used as an etch mask to form a photoresist pattern in the form of a negative value without etching the lower layer, and then the etching layer is etched by substituting a separate material with a mask layer, thereby weakly etching resistance of the photoresist for ArF. By minimizing the pattern deformation by complementing the technical feature.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can more easily implement the present invention.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일실시예에 따른 ArF 노광원을 이용한 패턴 형성 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 상세히 설명한다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a pattern forming process using an ArF exposure source according to an embodiment of the present invention, which will be described in detail with reference to the drawings.
먼저 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 소자를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 기판(10) 상에 APL(Advanced Planarization Layer) 산화막, BPSG(Boro Phospho Silicate Glass), SOG(Spin On Glass) 또는 HDP(High Density Plasma) 산화막 등의 절연막 또는 폴리실리콘 또는 텅스텐 등의 전도막을 포함하는 피식각층(11)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, an Advanced Planarization Layer (APL) oxide film, Boro Phospho Silicate Glass (BPSG), Spin On Glass (SOG), or HDP (Panel) is formed on a substrate 10 having various elements for forming a semiconductor device. High Density Plasma) An etched layer 11 including an insulating film such as an oxide film or a conductive film such as polysilicon or tungsten is formed.
이어서, 피식각층(11) 상에 ArF용 포토레지스트를 도포한 다음, ArF 노광원을 이용한 사진식각 공정을 통해 포토레지스트 패턴(12)을 형성한다. 이 때, 패턴이 형성될 피식각층 영역(11a) 상부가 오픈되도록 즉, 음각으로 포토레지스트 패턴(12)을 형성한다.Subsequently, an ArF photoresist is applied onto the etched layer 11, and then the photoresist pattern 12 is formed through a photolithography process using an ArF exposure source. At this time, the photoresist pattern 12 is formed in an intaglio manner so that the upper portion of the etched layer region 11a on which the pattern is to be formed is opened.
구체적으로, 피식각층(11) 상에 COMA 또는 아크릴레이드 등의 ArF용 포토레지스트를 소정의 두께가 되도록 도포한 다음, 불화아르곤 노광원(도시하지 않음)과 소정의 레티클(도시하지 않음)을 이용하여 포토레지스트의 소정 부분을 선택적으로 노광하고, 현상 공정을 통해 노광 공정을 통해 노광되거나 혹은 노광되지 않은 부분을 잔류시킨 다음, 후세정 공정 등을 통해 식각 잔유물 등을 제거함으로써 포토레지스트 패턴(12)을 형성한다.Specifically, an ArF photoresist such as COMA or acrylate may be coated on the etched layer 11 to a predetermined thickness, and then an argon fluoride exposure source (not shown) and a predetermined reticle (not shown) are used. To selectively expose a predetermined portion of the photoresist, and to leave the exposed or unexposed portions through the developing process through the developing process, and then remove the etch residues through the post-cleaning process to remove the photoresist pattern 12. To form.
이 때, 도면에 도시되지는 않았지만 노광시 난반사 등을 억제하기 위해 포토레지스트 패턴(12)과 피식각층(11) 사이의 계면에 반사방지층을 별도로 형성하는 것이 바람직하다.At this time, although not shown in the drawing, it is preferable to separately form an antireflection layer at an interface between the photoresist pattern 12 and the etched layer 11 in order to suppress diffuse reflection or the like during exposure.
다음으로 도 1b에 도시된 바와 같이, 오픈된 피식각층(11a)을 포함한 전체구조 상부에 마스크층(13)을 증착하여 포토레지스트 패턴(12) 상을 덮도록 한 다음, 도 1c에 도시된 바와 같이, 전면식각(Etch back) 또는 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 바, 연마 타겟 또는 식각 타겟을 포토레지스트 패턴(12) 상부가 노출되는 시점이 되도록 하여 포토레지스트 패턴(12)과 마스크층(13)이 실질적으로 동일한 높이가 되도록 한다.Next, as shown in FIG. 1B, a mask layer 13 is deposited on the entire structure including the open etched layer 11a to cover the photoresist pattern 12, and as shown in FIG. 1C. Similarly, an etching back or chemical mechanical polishing process is performed. The polishing target or the etching target is exposed to the point where the upper portion of the photoresist pattern 12 is exposed. The mask layer 13 is made substantially the same height.
여기서, 상기 마스크층(13)은 포토레지스트 패턴(12)가 손상받지 않도록 저온 증착이 가능하며, 포토레지스트 패턴(12) 제거시 전혀 손상받지 않을 정도로 다른 물질로 구성되며, 마스크층(13) 자신을 제거시 피식각층(11) 등에 영향을 주지 않는 조건을 만족하는 물질을 포함해야 한다.Here, the mask layer 13 may be deposited at a low temperature so that the photoresist pattern 12 may not be damaged, and the mask layer 13 may be made of a different material so as not to be damaged at all when the photoresist pattern 12 is removed. When it is removed to include the material that satisfies the condition that does not affect the etching layer (11).
이는 마스크층(13)을 포토레지스트 패턴(12)의 약한 식각 내성을 극복하기 위한 대체층으로 사용한 것인 만큼 상기한 특성을 갖추어야 하며, 그 물질 또한 하부의 피식각층(11) 등에 따라 다양하다.Since the mask layer 13 is used as an alternative layer for overcoming the weak etching resistance of the photoresist pattern 12, the above-described characteristics must be provided, and the material may also vary depending on the underlying etching layer 11 and the like.
예컨대, 저유전율 물질 중 하나인 SiLK(Silica Low-K)는 저온에서 스핀-코팅(Spin coating)법을 통하여 증착이 가능하며, 포토레지스트 패턴(12) 제거시 포토레지스트 스트리퍼에서 SiLK의 손상없이 제거가 가능하며, 그 자체는 하나인 유기 폴리머(Organic polymer)로 O2플라즈마 또는 폴리머 제거용 습식 케미칼로 피식각층(11) 등의 손상없이 제거가 가능하므로 그 적당한 예라 할 수 있다.For example, SiLK (Silica Low-K), which is one of the low dielectric constant materials, can be deposited at a low temperature by spin coating, and can be removed without damaging the SiLK in the photoresist stripper when the photoresist pattern 12 is removed. The organic polymer is itself an organic polymer, which is a wet chemical for removing the O 2 plasma or the polymer, and thus can be removed without damaging the etching layer 11 or the like.
다음으로 도 1d에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 스트리퍼 등을 이용하여 포토레지스트 스트립 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴(12)을 제거하는 바, 이 때 상술한 바와 같이 마스크층(13)의 손실이 발생하지 않도록 공정 조건과 물질 선택을 적절히 한다.Next, as shown in FIG. 1D, the photoresist strip process is performed using a photoresist stripper or the like to remove the photoresist pattern 12. In this case, loss of the mask layer 13 occurs as described above. Process conditions and material choices are appropriate.
다음으로 도 1e에 도시된 바와 같이, 마스크층(13)을 식각마스크로 하여 상기 패턴이 형성될 피식각층(11a)이 남도록 피식각층(11)을 선택적으로 식각하는 바, 이 때도 상술한 바와 같이 피식각층(11) 물질과 마스크층(13)을 이루는 물질이 다르도록 하여야 한다.Next, as shown in FIG. 1E, the etching target layer 11 is selectively etched using the mask layer 13 as an etching mask so that the etching target layer 11a on which the pattern is to be formed remains, as described above. The material of the etching layer 11 and the mask layer 13 should be different.
다음으로 도 1f에 도시된 바와 같이, 마스크층(13)을 제거한 다음, 세정 공정을 실시함으로써 원하는 패턴(11b) 형성 공정이 완료된다.Next, as shown in FIG. 1F, the mask layer 13 is removed, and then, the desired pattern 11b forming process is completed by performing the cleaning process.
따라서, 포토레지스트 패턴의 식각시 변형 방지를 위해 사용하는 전자빔 큐어링 등을 위한 별도의 장치 또한 불필요하게 된다.Therefore, a separate device for electron beam curing, which is used to prevent deformation during etching of the photoresist pattern, is also unnecessary.
상기한 바와 같은 본 발명은, ArF 노광원을 이용하여 포토레지스트 패턴 형성시 음각으로 포토레지스트 패턴을 형성하고 ArF용 포토레지스트의 식각내성 향상을 위한 대체 물질로서 마스크층을 도입함으로써 식각 공정에 따른 포토레지스트 패턴의 변형을 최소화하며, 미세 패턴을 형성할 수 있도록 함을 실시예를 통해 알아 보았다.As described above, the present invention provides a photoresist according to an etching process by forming a photoresist pattern at a negative angle when forming a photoresist pattern using an ArF exposure source and introducing a mask layer as an alternative material for improving the etching resistance of the photoresist for ArF. The embodiment has been found to minimize the deformation of the resist pattern and to form a fine pattern.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
전술한 본 발명은, ArF 사진식각 공정에 따른 포토레지스트 패턴의 변형과 손실을 방지할 수 있도록 함으로써, 궁극적으로 반도체 소자의 수율을 크게 향상시킬 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.The present invention described above, by preventing the deformation and loss of the photoresist pattern according to the ArF photo-etching process, it can be expected to have an excellent effect that can ultimately improve the yield of the semiconductor device.
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